JP5785062B2 - Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.

従来、例えばＤＲＡＭ等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する等の基板処理工程が実施されてきた。かかる基板処理工程は、基板を処理する処理室と、基板を保持して処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、を備える基板処理装置により実施されている。このような基板処理装置において、基板が装填された基板保持具を処理室内に搬送する際に、移載室内で、装填された基板と平行に（すなわち水平に）、基板保持具に向けて不活性ガスを噴射することが行われる場合がある（例えば特許文献１参照）。これにより、基板保持具に装填された基板の表面に付着している異物が除去されて、基板が処理室内へ搬送されるため、処理室内への異物の侵入を抑制することができる。   Conventionally, a substrate processing step such as forming a thin film on a substrate has been performed as one step of a manufacturing process of a semiconductor device such as a DRAM. Such a substrate processing step includes a processing chamber for processing a substrate, a substrate holder that holds the substrate and is transported outside the processing chamber, loading of the substrate into the substrate holder, or removal of the substrate from the substrate holder. And a transfer chamber in which is performed. In such a substrate processing apparatus, when the substrate holder loaded with the substrate is transported into the processing chamber, the substrate holder is not directed toward the substrate holder in the transfer chamber in parallel (that is, horizontally) to the loaded substrate. In some cases, an active gas is injected (see, for example, Patent Document 1). As a result, foreign matter adhering to the surface of the substrate loaded in the substrate holder is removed and the substrate is transported into the processing chamber, so that entry of foreign matter into the processing chamber can be suppressed.

特開平６−２２４１４３号公報JP-A-6-224143

しかしながら、基板処理工程において、例えば成膜処理での加熱による基板の変形や、基板と基板保持具との材質の違いによる熱膨張率の差等により、基板保持具に形成された基板を支持するための溝等の基板支持部と基板との接触部が擦れ、基板保持具等が削れてしまう場合があった。このため、基板処理工程が数回繰り返されると、基板支持部が削れることにより発生した異物等が基板保持具上に堆積・蓄積する場合があった。そして、例えば次バッチの成膜処理の際、上述した異物が処理室内に飛散し、生産歩留りが低下したり、基板上に形成された薄膜の膜質が低下する場合があった。   However, in the substrate processing step, the substrate formed on the substrate holder is supported by, for example, deformation of the substrate due to heating in the film forming process or a difference in thermal expansion coefficient due to a difference in material between the substrate and the substrate holder. In some cases, the contact portion between the substrate support portion such as a groove and the substrate is rubbed, and the substrate holder or the like is scraped off. For this reason, when the substrate processing step is repeated several times, there are cases in which foreign matter or the like generated by scraping the substrate support portion accumulates and accumulates on the substrate holder. For example, during the film formation process of the next batch, the above-described foreign matter may be scattered in the processing chamber, resulting in a decrease in production yield or a decrease in film quality of the thin film formed on the substrate.

本発明は、処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device that improve the quality of substrate processing and improve the production yield by reducing foreign matters in the processing chamber.

本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持し、前記処理室内外に搬送される基板保持具と、
前記基板保持具への前記基板の装填、又は前記基板保持具からの前記基板の脱装が行われる移載室と、
前記移載室内の前記基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、
前記処理室内から前記移載室内に搬出されて前記基板が脱装された前記基板保持具に、前記ノズルから不活性ガスを噴射するように前記不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、
前記ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate holder that holds the substrate and is transported into and out of the processing chamber;
A transfer chamber in which the substrate is loaded into the substrate holder or the substrate is detached from the substrate holder;
An inert gas supply mechanism comprising a nozzle for injecting an inert gas to the substrate holder in the transfer chamber;
A control unit that controls the inert gas supply mechanism so as to inject inert gas from the nozzle onto the substrate holder that has been unloaded from the processing chamber and transferred to the transfer chamber. Prepared,
The nozzle is provided with a substrate processing apparatus that injects an inert gas at an angle from above to below.

本発明の他の態様によれば、
移載室内で基板保持具に基板を装填し、前記基板保持具を前記移載室内から処理室内に
搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記処理室内から前記移載室内に搬出し、前記基板保持具から処理後の前記基板を脱装する工程と、
前記移載室内に設けられた不活性ガス供給機構が備えるノズルから、前記基板が脱装された前記基板保持具に、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the invention,
Loading the substrate into the substrate holder in the transfer chamber, and carrying the substrate holder from the transfer chamber into the processing chamber;
Processing the substrate in the processing chamber;
Carrying the substrate holder out of the processing chamber into the transfer chamber and detaching the substrate after processing from the substrate holder;
Injecting an inert gas at an angle from above to below the substrate holder from which the substrate has been detached from a nozzle provided in an inert gas supply mechanism provided in the transfer chamber; A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

本発明に係る基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善することができる。   According to the substrate processing apparatus and the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the quality of substrate processing can be improved and the production yield can be improved by reducing foreign substances in the processing chamber.

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の透視斜視図である。1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理室及び移載室の周辺の概略構成図であり、基板支持具が処理室内にある状態を示す。It is a schematic block diagram of the periphery of the process chamber and transfer chamber of the substrate processing apparatus concerning one Embodiment of this invention, and shows the state which has a substrate support in a process chamber. 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理室及び移載室の周辺の概略構成図であり、基板支持具が移載室内にある状態を示す。It is a schematic block diagram of the periphery of the process chamber and transfer chamber of the substrate processing apparatus concerning one Embodiment of this invention, and shows the state which has a substrate support in a transfer chamber. 本発明の一実施形態にかかる基板処理工程を例示するフロー図である。It is a flowchart which illustrates the substrate processing process concerning one embodiment of the present invention. 成膜処理後に基板保持具上に異物が発生する様子を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows a mode that a foreign material generate | occur | produces on a board | substrate holder after the film-forming process. 本発明の実施例にかかる基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像である。It is an image which shows the state of the foreign material on the substrate holder after the substrate processing process concerning the Example of this invention. 従来の基板処理工程を例示するフロー図である。It is a flowchart which illustrates the conventional substrate processing process. 比較例にかかる基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像である。It is an image which shows the state of the foreign material on the substrate holder after the substrate processing process concerning a comparative example.

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。 <One Embodiment of the Present Invention>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０の構成例について、図１〜図３を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。図２及び図３は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０の処理室２０１及び移載室１４１の周辺の概略構成図であり、図２は、基板保持具２１７が処理室２０１内に搬送された状態を示し、図３は、基板保持具２１７が移載室１４１内に搬送された状態を示す。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１０は、例えばウエハ２００等の基板に酸化、拡散処理、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）処理などを行う縦型の装置として構成されている。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus First, a configuration example of a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 and 3 are schematic configuration diagrams of the periphery of the processing chamber 201 and the transfer chamber 141 of the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows the substrate holder 217 in the processing chamber 201. FIG. 3 shows a state where the substrate holder 217 is transferred into the transfer chamber 141. The substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment is configured as a vertical apparatus that performs oxidation, diffusion processing, CVD (Chemical Vapor Deposition) processing, etc. on a substrate such as a wafer 200, for example.

（全体構成）
図１に示すように、基板処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置として構成されている。基板処理装置１０は、内部に処理炉２０２などの主要部が設けられ、耐圧容器として構成された筐体１２を備えている。基板としてのウエハ２０を筐体１２内外へ搬送するには、基板搬送容器（ウエハキャリア）としてのポッド（フープとも呼ぶ）１６が用いられる。ポッド１６内には、シリコン（Ｓｉ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等で構成されたウエハ２００が、例えば２５枚収納されるように構成されている。筐体１２の正面壁には、ポッド１６を筐体１２内外へ搬送するポッド搬送口（図示せず）が、筐体１２の内外を連通するように設けられている。ポッド搬送口は、開閉機構としてのフロントシャッタ１７によって開閉されるようになっている。 (overall structure)
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 is configured as a batch type vertical heat treatment apparatus. The substrate processing apparatus 10 includes a housing 12 which is provided with a main part such as a processing furnace 202 and configured as a pressure vessel. In order to transfer the wafer 20 as a substrate into and out of the housing 12, a pod (also referred to as a hoop) 16 as a substrate transfer container (wafer carrier) is used. In the pod 16, for example, 25 wafers 200 made of silicon (Si) or silicon carbide (SiC) are accommodated. A pod transport port (not shown) for transporting the pod 16 into and out of the housing 12 is provided on the front wall of the housing 12 so as to communicate with the inside and outside of the housing 12. The pod transport port is opened and closed by a front shutter 17 as an opening / closing mechanism.

筐体１２の正面側（ポッド搬入搬出口の正面前方側）には、基板搬送容器受渡し台としてのポッドステージ１８が設けられている。ポッドステージ１８上には、蓋が閉じられた状態でポッド１６が載置され、ポッドステージ１８上にてポッド１６の位置合わせが可能なように構成されている。ポッド１６は、図示しない工程内搬送装置によってポッドステージ１８上に載置され、また、ポッドステージ１８上から搬出されるように構成されている。   A pod stage 18 as a substrate transfer container delivery table is provided on the front side of the housing 12 (the front side in front of the pod loading / unloading exit). The pod 16 is placed on the pod stage 18 with the lid closed, and the pod 16 can be positioned on the pod stage 18. The pod 16 is placed on the pod stage 18 by an in-process transfer device (not shown), and is carried out from the pod stage 18.

筐体１２内の前後方向略中央部における上部空間には、基板搬送容器載置棚としての回転式ポッド棚２２が設けられている。回転式ポッド棚２２は、垂直方向に設けられて水平面内で間欠回転する支柱（図示せず）と、基板搬送容器載置台としての複数枚の棚板２２ａと、を備えている。複数枚の棚板２２ａは、支柱における上下３段の各位置において、水平姿勢で放射状に固定されるようにそれぞれ構成されている。なお、各棚板２２ａには、複数個のポッド１６がそれぞれ載置されるように構成されている。   A rotary pod shelf 22 serving as a substrate transport container mounting shelf is provided in an upper space in a substantially central portion in the front-rear direction in the housing 12. The rotary pod shelf 22 includes a support column (not shown) that is provided in the vertical direction and intermittently rotates in a horizontal plane, and a plurality of shelf boards 22a as substrate transfer container mounting tables. The plurality of shelf boards 22a are respectively configured to be fixed radially in a horizontal posture at each of the upper and lower three stages of the support column. A plurality of pods 16 are mounted on each shelf plate 22a.

筐体１２内におけるポッドステージ１８と回転式ポッド棚２２との間には、基板搬送容器搬送装置としてのポッド搬送装置２０が設けられている。ポッド搬送装置２０は、ポッド１６を保持したまま昇降移動する基板搬送容器昇降機構としてのポッドエレベータ２０ａと、ポッド１６を保持したまま水平移動する基板搬送容器搬送機構としてのポッド搬送機構２０ｂと、を備えている。ポッド搬送装置２０は、ポッドエレベータ２０ａとポッド搬送機構２０ｂとの協調動作により、ポッドステージ１８とポッド載置棚２２とポッドオープナ２４との間でポッド１６を搬送するように構成されている。   A pod transfer device 20 as a substrate transfer container transfer device is provided between the pod stage 18 and the rotary pod shelf 22 in the housing 12. The pod transfer device 20 includes a pod elevator 20a as a substrate transfer container lifting mechanism that moves up and down while holding the pod 16, and a pod transfer mechanism 20b as a substrate transfer container transfer mechanism that moves horizontally while holding the pod 16. I have. The pod transfer device 20 is configured to transfer the pod 16 among the pod stage 18, the pod placement shelf 22, and the pod opener 24 by the cooperative operation of the pod elevator 20 a and the pod transfer mechanism 20 b.

筐体１２内の下部空間には、筐体１２内の前後方向の略中央部から後端部にわたって、移載室１４１が設けられている。筐体１２の中央部側に位置する移載室１４１の正面壁１４１ａ（図２及び図３参照）には、ウエハ２００を移載室１４１内外に搬送する基板搬入搬出口としてのウエハ搬送口１４が、上下段に設けられている。上下段のウエハ搬送口１４には、ポッドオープナ２４がそれぞれ設けられている。ポッドオープナ２４は、ポッド１６を載置する載置台２５と、ポッド１６の蓋体であるキャップを着脱する蓋体着脱機構としてのキャップ着脱機構２６と、をそれぞれ備えている。ポッドオープナ２４は、載置台２５に載置されたポッド１６のキャップをキャップ着脱機構２６によって着脱することによって、ポッド１６のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。ポッドオープナ２４の近傍には、ウエハ枚数検出器２７が設けられている。ウエハ枚数検出器２７は、蓋を開けられたポッド１６内のウエハ２００の枚数を検知するように構成されている。なお、移載室１４１の構成については後述する。   In the lower space in the housing 12, a transfer chamber 141 is provided from approximately the center in the front-rear direction in the housing 12 to the rear end. On the front wall 141a (see FIGS. 2 and 3) of the transfer chamber 141 located on the center side of the housing 12, a wafer transfer port 14 as a substrate loading / unloading port for transferring the wafer 200 into and out of the transfer chamber 141 is provided. Are provided in the upper and lower stages. A pod opener 24 is provided at each of the upper and lower wafer transfer ports 14. The pod opener 24 includes a mounting table 25 on which the pod 16 is mounted and a cap attaching / detaching mechanism 26 as a lid attaching / detaching mechanism for attaching / detaching a cap that is a lid of the pod 16. The pod opener 24 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 16 by attaching / detaching the cap of the pod 16 mounted on the mounting table 25 by the cap attaching / detaching mechanism 26. A wafer number detector 27 is provided in the vicinity of the pod opener 24. The wafer number detector 27 is configured to detect the number of wafers 200 in the pod 16 with the lid opened. The configuration of the transfer chamber 141 will be described later.

（処理室）
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置１０が備える処理炉２０２の構成について、主に図２を参照しながら説明する。 (Processing room)
Next, the configuration of the processing furnace 202 provided in the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment will be described mainly with reference to FIG.

図２に示すように、本実施形態にかかる処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０５を有している。プロセスチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成されており、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ２０５の内側の筒中空部には、ウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ウエハ２００を、後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。プロセスチューブ２０５の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように形成されている。 As shown in FIG. 2, the processing furnace 202 according to the present embodiment has a process tube 205 as a reaction tube. The process tube 205 is made of a heat-resistant non-metallic material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), and has a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. A processing chamber 201 for processing the wafer 200 is formed in a hollow cylindrical portion inside the process tube 205. The processing chamber 201 is configured such that the wafers 200 can be accommodated in a state in which the wafers 200 are arranged in multiple stages in a vertical posture in a horizontal posture by a boat 217 described later. The inner diameter of the process tube 205 is formed to be larger than the maximum outer diameter of the boat 217 loaded with the wafers 200.

プロセスチューブ２０５の下方には、プロセスチューブ２０５と同心円状に、マニホー
ルド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばＳＵＳ等の金属材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように形成されている。マニホールド２０９の上端部は、プロセスチューブ２０５の下端部に係合し、プロセスチューブ２０５を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とプロセスチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。また、マニホールド２０９の下方には、ボート２１７へのウエハ２００の装填又はボート２１７からのウエハ２００の脱装を行う移載室１４１が設けられている。移載室１４１の天板１４２とマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。このマニホールド２０９が天板１４２に支持されることにより、プロセスチューブ２０５は垂直に据え付けられた状態となっている。なお、天板１４２には、処理炉２０２の開口部となる炉口１６０が設けられている。主に、プロセスチューブ２０５と、マニホールド２０９とにより反応容器が形成されている。 A manifold 209 is disposed below the process tube 205 so as to be concentric with the process tube 205. The manifold 209 is made of, for example, a metal material such as SUS, and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The inner diameter of the manifold 209 is formed to be larger than the maximum outer diameter of the boat 217 loaded with the wafers 200. An upper end portion of the manifold 209 is provided to engage with a lower end portion of the process tube 205 and support the process tube 205. An O-ring as a seal member is provided between the manifold 209 and the process tube 205. Also, below the manifold 209, a transfer chamber 141 for loading the wafers 200 into the boat 217 or detaching the wafers 200 from the boat 217 is provided. An O-ring as a seal member is provided between the top plate 142 and the manifold 209 of the transfer chamber 141. Since the manifold 209 is supported by the top plate 142, the process tube 205 is installed vertically. The top plate 142 is provided with a furnace port 160 that serves as an opening of the processing furnace 202. A reaction vessel is mainly formed by the process tube 205 and the manifold 209.

（基板保持具）
処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が、マニホールド２０９の下端開口の下方側から搬送されるように構成されている。ボート２１７は、上下で一対の天板２１０及び底板２１１と、天板２１０及び底板２１１間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施形態では３本（図１参照））の保持部材２１２とを備えて構成されている。天板２１０、底板２１１及び保持部材２１２は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。各保持部材２１２には、複数枚のウエハ２００を多段に支持可能にする基板支持部としての溝（図示せず）が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。そして、ウエハ２００の外周縁辺が各保持部材２１２の多数条の溝間にそれぞれ挿入されることにより、ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で垂直方向に多段に整列させて保持するようになっている。 (Substrate holder)
In the processing chamber 201, a boat 217 as a substrate holder is configured to be conveyed from below the lower end opening of the manifold 209. The boat 217 has a pair of top and bottom top plates 210 and 211, and a plurality of boats (three in this embodiment (see FIG. 1)) installed vertically between the top and bottom plates 210 and 211. The member 212 is provided. The top plate 210, the bottom plate 211, and the holding member 212 are made of a heat-resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). In each holding member 212, grooves (not shown) as substrate support portions that can support a plurality of wafers 200 in multiple stages are arranged at equal intervals in the longitudinal direction and opened so as to face each other. Has been. Then, by inserting the outer peripheral edges of the wafers 200 between the multiple grooves of each holding member 212, the boat 217 moves the plurality of wafers 200 in the vertical direction in a horizontal posture and with their centers aligned with each other. It is designed to be held in multiple stages.

ボート２１７の下部には、円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。断熱板２１６は、後述するヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝え難くするように構成されている。 Below the boat 217, a plurality of heat insulating plates 216 as disk-shaped heat insulating members are arranged in multiple stages in a horizontal posture. The heat insulating plate 216 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). The heat insulating plate 216 is configured to make it difficult to transfer heat from a heater 206 described later to the manifold 209 side.

ボート２１７の下方には、ボート２１７を回転させるボート回転機構２５４が設けられている。ボート回転機構２５４を駆動させることにより、ボート２１７を処理室２０１及び移載室１４１内で回転させることが可能に構成されている。ボート回転機構２５４の構成については後述する。   Below the boat 217, a boat rotation mechanism 254 that rotates the boat 217 is provided. By driving the boat rotation mechanism 254, the boat 217 can be rotated in the processing chamber 201 and the transfer chamber 141. The configuration of the boat rotation mechanism 254 will be described later.

（ガス供給系）
マニホールド２０９には、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給ノズル２８０が、マニホールド２０９の側壁を貫通するように接続されている。ガス供給ノズル２８０は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等により構成されている。ガス供給ノズル２８０は、水平部と垂直部とを有するＬ字形状に形成され、水平部がマニホールド２０９の側壁に接続され、垂直部がプロセスチューブ２０５の内壁と処理室２０１内におけるウエハ２００との間における空間に、プロセスチューブ２０５の下部より上部の内壁に沿って、ウエハ２００の積層方向に向かって立ち上がるように設けられている。ガス供給ノズル２８０の垂直部の側面には、ガスを供給する複数の供給孔が、それぞれウエハ２００の中心に向けて設けられている。供給孔の開口径は、処理室２０１内のガスの流量分布や速度分布を適正化するように適宜調整することができ、下部から上部にわたって同一としてよく、下部から上部にわたって徐々に大きくしてもよい。 (Gas supply system)
A gas supply nozzle 280 that supplies a processing gas into the processing chamber 201 is connected to the manifold 209 so as to penetrate the side wall of the manifold 209. The gas supply nozzle 280 is made of, for example, quartz (SiO 2 ), silicon carbide (SiC), or the like. The gas supply nozzle 280 is formed in an L shape having a horizontal portion and a vertical portion, the horizontal portion is connected to the side wall of the manifold 209, and the vertical portion is formed between the inner wall of the process tube 205 and the wafer 200 in the processing chamber 201. It is provided in the space in between so as to rise in the stacking direction of the wafers 200 along the inner wall above the lower part of the process tube 205. A plurality of supply holes for supplying gas are provided on the side surface of the vertical portion of the gas supply nozzle 280 toward the center of the wafer 200. The opening diameter of the supply hole can be adjusted as appropriate so as to optimize the gas flow rate distribution and velocity distribution in the processing chamber 201, and may be the same from the lower part to the upper part, or may be gradually increased from the lower part to the upper part. Good.

ガス供給ノズル２８０の上流端には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２は上流側で４本に分岐している。４つに分岐したガス供給管２３２は、上流側から順に、第１ガス供給源１９１、第２ガス供給源１９２、第３ガス供給源１９３，第４ガス供給源１９４、ガス流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１８１〜１８４、及び開閉弁としてのバルブ１７１〜１７４がそれぞれ接続されている。第１ガス供給源１９１は例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のＳｉ元素含有ガスを供給するように構成されている。第２ガス供給源１９２は例えばゲルマン（ＧｅＨ４）等のＧｅ元素含有ガスを供給するように構成されている。第３ガス供給源１９３は水素ガス（Ｈ２ガス）を供給するように構成されている。第４ガス供給源１９４は不活性ガスとして例えば窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給するように構成されている。バルブ１７１〜１７３を開けることにより、処理ガスとしてのＳｉ元素含有ガス及びＧｅ元素含有ガスと、希釈ガスとしてのＨ２ガスとの混合ガスが、処理室２０１内に供給される。また、バルブ１７１〜１７３を閉め、バルブ１７４を開けることにより、ガス供給ノズル２８０内がパージガスとしてのＮ２ガスによりパージされる。パージガスの流量はＭＦＣ１８４により調整することが可能である。 A gas supply pipe 232 is connected to the upstream end of the gas supply nozzle 280. The gas supply pipe 232 is branched into four on the upstream side. The four gas supply pipes 232 branched in order from the upstream side are a first gas supply source 191, a second gas supply source 192, a third gas supply source 193, a fourth gas supply source 194, and a gas flow rate control device. Mass flow controllers (MFC) 181 to 184 and valves 171 to 174 as on-off valves are connected to each other. The first gas supply source 191 is configured to supply a Si element-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), for example. The second gas supply source 192 is configured to supply a Ge element-containing gas such as germane (GeH 4 ). The third gas supply source 193 is configured to supply hydrogen gas (H 2 gas). The fourth gas supply source 194 is configured to supply, for example, nitrogen gas (N 2 gas) as an inert gas. By opening the valves 171 to 173, a mixed gas of Si element-containing gas and Ge element-containing gas as the processing gas and H 2 gas as the dilution gas is supplied into the processing chamber 201. Further, by closing the valves 171 to 173 and opening the valve 174, the inside of the gas supply nozzle 280 is purged with N 2 gas as a purge gas. The flow rate of the purge gas can be adjusted by the MFC 184.

ＭＦＣ１８１〜１８４及びバルブ１７１〜１７４には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、ＭＦＣ１８１〜１８４の開度を制御するように構成されている。主に、ガス供給ノズル２８０、ガス供給管２３２、バルブ１７１〜１７４、ＭＦＣ１８１〜１８４、第１ガス供給源１９１、第２ガス供給源１９２、第３ガス供給源１９３，第４ガス供給源１９４により、ガス供給系が構成される。   A controller 240 described later is electrically connected to the MFCs 181 to 184 and the valves 171 to 174. The controller 240 is configured to control the opening degrees of the MFCs 181 to 184 so that the flow rate of the gas supplied into the processing chamber 201 becomes a predetermined flow rate at a predetermined timing. Mainly by the gas supply nozzle 280, the gas supply pipe 232, the valves 171 to 174, the MFCs 181 to 184, the first gas supply source 191, the second gas supply source 192, the third gas supply source 193, and the fourth gas supply source 194. A gas supply system is configured.

プロセスチューブ２０５の外側には、プロセスチューブ２０５の側壁面を囲う同心円状に、加熱部としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に形成されている。ヒータ２０６は、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０６の近傍には、処理室２０１内の温度を検出する温度検出器としての温度センサ（図示せず）が設けられている。ヒータ２０６及び温度センサには、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、処理室２０１内の温度が所定のタイミングにて所定の温度分布となるように、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２０６への供給電力を所定のタイミングにて制御するように構成されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ（図示せず）により、ウエハ２００を加熱する加熱部が構成される。   A heater 206 as a heating unit is provided outside the process tube 205 in a concentric shape surrounding the side wall surface of the process tube 205. The heater 206 is formed in a cylindrical shape. The heater 206 is vertically installed by being supported by a heater base as a holding plate (not shown). In the vicinity of the heater 206, a temperature sensor (not shown) as a temperature detector for detecting the temperature in the processing chamber 201 is provided. A controller 240 described later is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor. The controller 240 controls the power supplied to the heater 206 at a predetermined timing based on the temperature information detected by the temperature sensor so that the temperature in the processing chamber 201 becomes a predetermined temperature distribution at the predetermined timing. It is configured as follows. A heating unit that heats the wafer 200 is mainly configured by the heater 206 and a temperature sensor (not shown).

マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサ（図示せず）、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、真空ポンプ２４６が設けられている。ＡＰＣバルブ２４２は、その開度により処理室２０１内の圧力を調整する。なお、圧力センサは、排気管２３１内に限らず、処理室２０１内に設けられていてもよい。   An exhaust pipe 231 for exhausting the inside of the processing chamber 201 is provided on the side wall of the manifold 209. On the downstream side of the exhaust pipe 231 (on the side opposite to the connection side with the manifold 209), in order from the upstream side, a pressure sensor (not shown) as pressure detection means for detecting the pressure in the processing chamber 201, a pressure adjustment device An APC (Auto Pressure Controller) valve 242 and a vacuum pump 246 are provided. The APC valve 242 adjusts the pressure in the processing chamber 201 based on the opening degree. Note that the pressure sensor is not limited to being provided in the exhaust pipe 231 but may be provided in the processing chamber 201.

圧力センサ及びＡＰＣバルブ２４２には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、圧力センサにより検知した圧力情報に基づいて、処理室２０１内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ２４２の開度を制御するように構成されている。主に、排気管２３１、圧力センサ、ＡＰＣバルブ２４２及び真空ポンプ２４６により、本実施形態に係る処理室排気系が構成される。   A controller 240 described later is electrically connected to the pressure sensor and the APC valve 242. Based on the pressure information detected by the pressure sensor, the controller 240 controls the opening degree of the APC valve 242 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum) at a predetermined timing. It is configured. The exhaust pipe 231, the pressure sensor, the APC valve 242 and the vacuum pump 246 mainly constitute the processing chamber exhaust system according to this embodiment.

（移載室）
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置１０が備える移載室１４１の構成について、主に図３を参照しながら説明する。 (Transfer room)
Next, the configuration of the transfer chamber 141 provided in the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment will be described mainly with reference to FIG.

図１〜図３に示すように、筐体１２内には、処理室２０１の下端に形成された炉口１６０と連通するように移載室１４１が設けられている。移載室１４１は、基板保持具としてのボート２１７へのウエハ２００の装填、又はボート２１７からのウエハの脱装を行う。図１に示すように、移載室１４１は、ポッド搬送装置２０や回転式ポッド棚２２等が設けられた筐体１２内の他の空間から気密に隔離されて形成されている。移載室１４１内の前側領域（筐体１２内の中央部側）には、基板移載機構としてのウエハ移載機構２８が設けられている。ウエハ移載機構２８は、基板保持体としてのツイーザ３２上にウエハ２００を載置して水平方向に移動させる基板移載装置としてのウエハ移載装置２８ａと、ウエハ移載装置２８ａを昇降移動させる基板移載装置昇降機構としてのウエハ移載装置エレベータ（図示せず）と、を備えている。これら、ウエハ移載装置２８ａとウエハ移載装置エレベータとの協調動作により、ボート２１７にウエハを装填（ウエハチャージ）し、また、ボート２１７からウエハ２００を取り出す（ウエハディスチャージ）ことが可能なように構成されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, a transfer chamber 141 is provided in the housing 12 so as to communicate with a furnace port 160 formed at the lower end of the processing chamber 201. The transfer chamber 141 loads the wafer 200 on the boat 217 as a substrate holder or removes the wafer from the boat 217. As shown in FIG. 1, the transfer chamber 141 is formed so as to be airtightly isolated from other spaces in the housing 12 in which the pod transfer device 20 and the rotary pod shelf 22 are provided. A wafer transfer mechanism 28 serving as a substrate transfer mechanism is provided in a front region in the transfer chamber 141 (a central portion side in the housing 12). The wafer transfer mechanism 28 moves the wafer 200 on a tweezer 32 as a substrate holder and moves the wafer 200 as a substrate transfer device that moves the wafer 200 in the horizontal direction, and moves the wafer transfer device 28a up and down. A wafer transfer device elevator (not shown) as a substrate transfer device lifting mechanism. By the cooperative operation of the wafer transfer device 28a and the wafer transfer device elevator, the boat 217 can be loaded with wafers (wafer charge), and the wafer 200 can be taken out from the boat 217 (wafer discharge). It is configured.

図３に示すように、移載室１４１内には、移載室１４１内に搬送されたボート２１７に不活性ガスを噴射するノズル４１を備える不活性ガス供給機構４０が設けられている。不活性ガス供給機構４０は、処理室２０１内から移載室１４１内に搬出されて、ウエハ２００が脱装された空のボート２１７に、上方から下方に向かって角度をつけて、ノズル４１から不活性ガスを噴射するように構成されている。すなわち、空のボート２１７に、斜め上方から不活性ガスを噴射することで、ボート２１７上に堆積した異物等をボート２１７上から吹き飛ばして除去するように構成されている。これにより、処理室２０１内に飛散する異物を低減することができ、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善することができる。   As shown in FIG. 3, an inert gas supply mechanism 40 including a nozzle 41 that injects an inert gas into the boat 217 conveyed in the transfer chamber 141 is provided in the transfer chamber 141. The inert gas supply mechanism 40 is unloaded from the processing chamber 201 into the transfer chamber 141, and the empty boat 217 from which the wafers 200 are detached is angled from above to below from the nozzle 41. It is comprised so that an inert gas may be injected. In other words, an inert gas is sprayed onto the empty boat 217 obliquely from above, so that foreign matters and the like accumulated on the boat 217 are blown off from the boat 217 and removed. As a result, foreign matter scattered in the processing chamber 201 can be reduced, the quality of substrate processing can be improved, and the production yield can be improved.

不活性ガス供給機構４０には、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等で構成されている不活性ガス供給管４２が、移載室１４１の側壁を貫通するように接続されている。不活性ガス供給管４２には、上流側から順に、不活性ガス供給源４３、ガス流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４４及び開閉弁であるバルブ４５が接続されている。不活性ガス供給源４３は、例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給するように構成されているが、これに限定されるものではない。ＭＦＣ４４及びバルブ４５には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、移載室１４１内に供給する不活性ガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、ＭＦＣ４４の開度を制御するように構成されている。主に、不活性ガス供給管４２、不活性ガス供給源４３、ＭＦＣ４４、バルブ４５により、本実施形態にかかる不活性ガス供給系が構成される。 An inert gas supply pipe 42 made of, for example, quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC) is connected to the inert gas supply mechanism 40 so as to penetrate the side wall of the transfer chamber 141. . An inert gas supply source 43, a mass flow controller (MFC) 44 as a gas flow rate control device, and a valve 45 as an on-off valve are connected to the inert gas supply pipe 42 in order from the upstream side. The inert gas supply source 43 is configured to supply, for example, nitrogen (N 2 ) gas, but is not limited thereto. A controller 240 described later is electrically connected to the MFC 44 and the valve 45. The controller 240 is configured to control the opening of the MFC 44 so that the flow rate of the inert gas supplied into the transfer chamber 141 becomes a predetermined flow rate at a predetermined timing. The inert gas supply system according to this embodiment is mainly configured by the inert gas supply pipe 42, the inert gas supply source 43, the MFC 44, and the valve 45.

不活性ガス供給機構４０には、ノズル４１の角度を調整するノズル角度可変機構４６が設けられている。また、不活性ガス供給機構４０には、ノズル４１を移載室１４１内の上下方向に移動させることで、移載室１４１内におけるノズル４１の高さ位置を調整するノズル昇降機構４７が設けられている。このようにノズル４１の角度及び高さ位置を調整することで、空のボート２１７の上部から下部にわたって、すなわち、ボート２１７の天板２１０から底板２１１にわたって満遍なく不活性ガスを噴射することができ、空のボート２１７上から異物をより除去することができる。ノズル角度可変機構４６及びノズル昇降機構４７には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、ノズル４１の角度及び高さ位置が所定のタイミングにて所定の角度及び高さ位置となるように、ノズル角度可変機構４６及びノズル昇降機構４７を制御するように構成されている。   The inert gas supply mechanism 40 is provided with a nozzle angle variable mechanism 46 that adjusts the angle of the nozzle 41. The inert gas supply mechanism 40 is provided with a nozzle lifting mechanism 47 that adjusts the height position of the nozzle 41 in the transfer chamber 141 by moving the nozzle 41 in the vertical direction in the transfer chamber 141. ing. By adjusting the angle and height position of the nozzle 41 in this way, it is possible to inject the inert gas uniformly from the top to the bottom of the empty boat 217, that is, from the top plate 210 to the bottom plate 211 of the boat 217, Foreign matters can be further removed from the empty boat 217. A controller 240 described later is electrically connected to the nozzle angle varying mechanism 46 and the nozzle lifting mechanism 47. The controller 240 is configured to control the nozzle angle variable mechanism 46 and the nozzle lifting mechanism 47 so that the angle and height position of the nozzle 41 become a predetermined angle and height position at a predetermined timing.

不活性ガス供給機構４０には、空のボート２１７上の異物を吹き飛ばすことができる速い流速となるように、不活性ガスの流速を調整するガス流速調整機構（図示せず）が設けられている。なお、不活性ガスの流速を速くするために、例えばノズル４１の径を小さくしてもよく、また、ノズル４１の形状を先端が細くなった台形円錐形状にしてもよく、また、不活性ガス供給管４２のＭＦＣ４４とバルブ４５との間にガス溜め部を設けてガス溜め部内で不活性ガスを高圧にして一気に噴射する等してもよい。さらに、例えば、ＭＦＣ４４により流量を調整することで流速を速くしてもよい。これにより、空のボート２１７上の異物をより除去することができる。ガス流速調整機構には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、不活性ガスが所定のタイミングにて所定の流速となるように、ガス流速調整機構を制御するように構成されている。   The inert gas supply mechanism 40 is provided with a gas flow rate adjustment mechanism (not shown) that adjusts the flow rate of the inert gas so that the foreign gas on the empty boat 217 can be blown away. . In order to increase the flow rate of the inert gas, for example, the diameter of the nozzle 41 may be reduced, the shape of the nozzle 41 may be a trapezoidal cone shape with a thin tip, or the inert gas. A gas reservoir may be provided between the MFC 44 of the supply pipe 42 and the valve 45, and the inert gas may be injected at a high pressure in the gas reservoir, or the like. Further, for example, the flow rate may be increased by adjusting the flow rate with the MFC 44. Thereby, the foreign matter on the empty boat 217 can be further removed. A controller 240 described later is electrically connected to the gas flow rate adjusting mechanism. The controller 240 is configured to control the gas flow rate adjusting mechanism so that the inert gas has a predetermined flow rate at a predetermined timing.

移載室１４１の外側の側壁には、移載室１４１の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構としてのパーティクルカウンタ４８が設けられている。このパーティクルカウンタ４８として、例えば光散乱式のレーザダストカウンタ等が用いられる。なお、パーティクルカウンタ４８は、移載室１４１内に配設してもよい。パーティクルカウンタ４８には、移載室１４１内の雰囲気をパーティクルカウンタ４８に送る吸引管４９が、移載室１４１の側壁を貫通するように接続されている。パーティクルカウンタ４８には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、パーティクルカウンタ４８により測定した移載室１４１内の雰囲気中の異物濃度（異物数）が所定の値以下となったときに自動で、又は操作者からのコマンドを受け付けたときに、移載室１４１内への不活性ガスの供給を停止ないし供給量を減らすように、不活性ガス供給機構４０を制御する（例えばバルブ４５を閉じる、又はＭＦＣ４４により流量調整する等）ように構成されている。   A particle counter 48 as a foreign matter measuring mechanism for measuring the concentration of foreign matter in the atmosphere of the transfer chamber 141 is provided on the outer side wall of the transfer chamber 141. As the particle counter 48, for example, a light scattering type laser dust counter or the like is used. The particle counter 48 may be disposed in the transfer chamber 141. A suction pipe 49 that sends the atmosphere in the transfer chamber 141 to the particle counter 48 is connected to the particle counter 48 so as to penetrate the side wall of the transfer chamber 141. A controller 240 described later is electrically connected to the particle counter 48. The controller 240 automatically or when a foreign substance concentration (the number of foreign substances) in the atmosphere in the transfer chamber 141 measured by the particle counter 48 becomes a predetermined value or less, or when a command from an operator is received. The inert gas supply mechanism 40 is controlled so as to stop or reduce the supply amount of the inert gas into the transfer chamber 141 (for example, the valve 45 is closed or the flow rate is adjusted by the MFC 44). ing.

移載室１４１内の、ノズル４１と対向する位置には、ノズル４１から噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する排気受けとしての仕切部５０が設けられている。仕切部５０は、移載室１４１の天板１４２から底板１４３にわたって垂直に配設されている。仕切部５０を設けることにより、移載室１４１内を、少なくともノズル４１を備え、ボート２１７が搬送される高圧領域と、少なくとも後述する移載室排気系が設けられる低圧領域と、に仕切ることができる。このように移載室１４１内を高圧領域と低圧領域とに分けることで、空のボート２１７上から吹き飛ばされ、移載室１４１内に飛散する異物を低圧領域に集めることができる。そして、収集された異物は、後述する移載室排気系を介して、移載室１４１内の低圧領域から移載室１４１外へ排出することができる。また、仕切部５０として、例えばフィルタ等を用いてもよい。   A partition 50 serving as an exhaust receiver that collects foreign matter blown off by the inert gas sprayed from the nozzle 41 is provided at a position in the transfer chamber 141 facing the nozzle 41. The partition 50 is vertically disposed from the top plate 142 to the bottom plate 143 of the transfer chamber 141. By providing the partition portion 50, the transfer chamber 141 can be partitioned into a high pressure region including at least the nozzle 41 and the boat 217 being conveyed, and a low pressure region where at least a transfer chamber exhaust system described later is provided. it can. Thus, by dividing the inside of the transfer chamber 141 into the high pressure region and the low pressure region, foreign substances blown off from the empty boat 217 and scattered in the transfer chamber 141 can be collected in the low pressure region. And the collected foreign material can be discharged | emitted out of the transfer chamber 141 from the low pressure area | region in the transfer chamber 141 via the transfer chamber exhaust system mentioned later. Moreover, as the partition part 50, you may use a filter etc., for example.

移載室１４１の側壁には、移載室１４１内を排気する排気管５１が設けられている。排気管５１の下流側（移載室１４１の接続側と反対側）には、上流側から順に、移載室１４１内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサ５２、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ５３、真空ポンプ５４が設けられている。なお、圧力センサ５２は、排気管５１内に限らず、移載室１４１内に設けられていてもよい。圧力センサ５２及びＡＰＣバルブ５３には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、圧力センサ５２により検知した圧力情報に基づいて、移載室１４１内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ５３の開度を制御するように構成されている。主に、排気管５１、圧力センサ５２、ＡＰＣバルブ５３及び真空ポンプ５４により、本実施形態に係る移載室排気系が構成される。   An exhaust pipe 51 for exhausting the inside of the transfer chamber 141 is provided on the side wall of the transfer chamber 141. On the downstream side of the exhaust pipe 51 (on the side opposite to the connection side of the transfer chamber 141), in order from the upstream side, a pressure sensor 52 as pressure detecting means for detecting the pressure in the transfer chamber 141, and a pressure adjustment device as An APC (Auto Pressure Controller) valve 53 and a vacuum pump 54 are provided. The pressure sensor 52 is not limited to the exhaust pipe 51 but may be provided in the transfer chamber 141. A controller 240 described later is electrically connected to the pressure sensor 52 and the APC valve 53. Based on the pressure information detected by the pressure sensor 52, the controller 240 controls the opening degree of the APC valve 53 so that the pressure in the transfer chamber 141 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum) at a predetermined timing. It is configured as follows. The transfer chamber exhaust system according to this embodiment is mainly configured by the exhaust pipe 51, the pressure sensor 52, the APC valve 53, and the vacuum pump.

図２及び図３に示すように、移載室１４１を構成するサブ筐体１３の側壁の外面には、ボート２１７を昇降移動させる基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５が設
けられている。ボートエレベータ１１５は、下基板２４５、ガイドシャフト２６４、ボール螺子２４４、上基板２４７、昇降モータ２４８、昇降基板２５２、及びベローズ２６５を備えている。下基板２４５は、移載室１４１を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基板２４５には、昇降台２４９と嵌合するガイドシャフト２６４、及び昇降台２４９と螺合するボール螺子２４４がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト２６４及びボール螺子２４４の上端には、上基板２４７が水平姿勢で固定されている。ボール螺子２４４は、上基板２４７に設けられた昇降モータ２４８により回転させられるように構成されている。ガイドシャフト２６４は、昇降台２４９の上下動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。そして、ボール螺子２４４を回転させることにより、昇降台２４９が昇降するように構成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, a boat elevator 115 as a substrate holder lifting mechanism for moving the boat 217 up and down is provided on the outer surface of the side wall of the sub-housing 13 constituting the transfer chamber 141. The boat elevator 115 includes a lower substrate 245, a guide shaft 264, a ball screw 244, an upper substrate 247, an elevating motor 248, an elevating substrate 252, and a bellows 265. The lower substrate 245 is fixed in a horizontal posture on the outer surface of the side wall constituting the transfer chamber 141. The lower substrate 245 is provided with a guide shaft 264 fitted to the lifting platform 249 and a ball screw 244 screwed to the lifting platform 249 in a vertical posture. An upper substrate 247 is fixed to the upper ends of the guide shaft 264 and the ball screw 244 in a horizontal posture. The ball screw 244 is configured to be rotated by an elevating motor 248 provided on the upper substrate 247. The guide shaft 264 is configured to suppress horizontal rotation while allowing vertical movement of the lifting platform 249. Then, by rotating the ball screw 244, the lifting platform 249 is configured to move up and down.

昇降台２４９には、中空の昇降シャフト２５０が垂直姿勢で固定されている。昇降台２４９と昇降シャフト２５０との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト２５０は、昇降台２４９と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト２５０の下方側端部は、移載室１４１を構成する天板１４２を貫通している。移載室１４１の天板１４２に設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト２５０と天板１４２とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも大きく構成されている。移載室１４１と昇降台２４９との間には、昇降シャフト２５０の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ２６５が設けられている。昇降台２４９とベローズ２６５との連結部、及び天板１４２とベローズ２６５との連結部はそれぞれ気密に構成されており、移載室１４１内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ２６５は、昇降台２４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ２６５の内径は、昇降シャフト２５０とベローズ２６５とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも充分に大きく構成されている。   A hollow lifting shaft 250 is fixed to the lifting platform 249 in a vertical posture. The connecting portion between the lifting platform 249 and the lifting shaft 250 is airtight. The lifting shaft 250 is configured to move up and down together with the lifting platform 249. The lower end portion of the elevating shaft 250 passes through the top plate 142 constituting the transfer chamber 141. The inner diameter of the through hole provided in the top plate 142 of the transfer chamber 141 is configured to be larger than the outer diameter of the lifting shaft 250 so that the lifting shaft 250 and the top plate 142 do not contact each other. Between the transfer chamber 141 and the lifting platform 249, a bellows 265 as a stretchable hollow stretchable body is provided so as to cover the periphery of the lifting shaft 250. The connecting portion between the lifting platform 249 and the bellows 265 and the connecting portion between the top plate 142 and the bellows 265 are each airtight, and are configured to maintain the airtightness in the transfer chamber 141. The bellows 265 has a sufficient amount of expansion / contraction that can correspond to the amount of lifting of the lifting platform 249. The inner diameter of the bellows 265 is configured to be sufficiently larger than the outer diameter of the lifting shaft 250 so that the lifting shaft 250 and the bellows 265 do not contact each other.

移載室１４１内に突出した昇降シャフト２５０の下端には、昇降基板２５２が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト２５０と昇降基板２５２との連結部は、気密に構成されている。昇降基板２５２の上面には、Ｏリング等のシール部材を介してシールキャップ２１９が気密に取付けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属より構成され、円盤状に形成され、ボート２１７を下方から垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５が上昇した時に処理炉２０２の下端部に設けられた炉口１６０を閉塞するように構成されている。昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基板２５２、及びシールキャップ２１９を上昇させることにより、処理室２０１内にボート２１７が搬入（ボートロード）されると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６０がシールキャップ２１９により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基板２５２、及びシールキャップ２１９を下降させることにより、処理室２０１内からボート２１７が搬出（ボートアンロード）されるよう構成されている。昇降モータ２４８には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、ボートエレベータ１１５が所定の動作を所定のタイミングにて制御するように構成されている。   An elevating substrate 252 is fixed in a horizontal posture at the lower end of the elevating shaft 250 protruding into the transfer chamber 141. The connecting portion between the elevating shaft 250 and the elevating substrate 252 is airtight. A seal cap 219 is airtightly attached to the upper surface of the elevating substrate 252 via a seal member such as an O-ring. The seal cap 219 is made of, for example, a metal such as stainless steel and is formed in a disk shape. The seal cap 219 supports the boat 217 vertically from below, and the furnace port provided at the lower end of the processing furnace 202 when the boat elevator 115 is raised. It is comprised so that 160 may be obstruct | occluded. By driving the lifting motor 248 to rotate the ball screw 244 and lifting the lifting platform 249, the lifting shaft 250, the lifting substrate 252 and the seal cap 219, the boat 217 is loaded into the processing chamber 201 (boat loading). In addition, the furnace port 160 that is an opening of the processing furnace 202 is configured to be closed by a seal cap 219. Further, by driving the lifting motor 248 to rotate the ball screw 244 and lowering the lifting platform 249, the lifting shaft 250, the lifting substrate 252, and the seal cap 219, the boat 217 is carried out from the processing chamber 201 (boat unloading). Loaded). A controller 240 described later is electrically connected to the lifting motor 248. The controller 240 is configured such that the boat elevator 115 controls a predetermined operation at a predetermined timing.

昇降基板２５２の下面には、Ｏリング等のシール部材を介して駆動部カバー２５３が気密に取付けられている。昇降基板２５２と駆動部カバー２５３とにより駆動部収納ケース２５６が構成されている。駆動部収納ケース２５６の内部は、移載室１４１内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース２５６の内部には、ボート回転機構２５４が設けられている。ボート回転機構２５４には電力供給ケーブル２５８が接続されている。電力供給ケーブル２５８は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通ってボート回転機構２５４まで導かれており、ボート回転機構２５４に電力を供給するように構成されている。ボート回転機構２５４が備える回転軸２５５の上端部は、シールキャップ２１
９を貫通して、上述したボート２１７を下方から支持するように構成されている。ボート回転機構２５４を作動させることにより、ボート２１７に保持されたウエハ２００を処理室２０１内及び移載室１４１内で回転させることが可能なように構成されている。ボート回転機構２５４には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、ボート回転機構２５４が所定の動作を所定のタイミングにて制御するように構成されている。 A drive unit cover 253 is airtightly attached to the lower surface of the elevating substrate 252 via a seal member such as an O-ring. The elevating board 252 and the drive unit cover 253 constitute a drive unit storage case 256. The inside of the drive unit storage case 256 is isolated from the atmosphere in the transfer chamber 141. A boat rotation mechanism 254 is provided inside the drive unit storage case 256. A power supply cable 258 is connected to the boat rotation mechanism 254. The power supply cable 258 is guided from the upper end of the elevating shaft 250 through the elevating shaft 250 to the boat rotating mechanism 254 and is configured to supply electric power to the boat rotating mechanism 254. The upper end portion of the rotation shaft 255 provided in the boat rotation mechanism 254 is a seal cap 21.
9, the boat 217 is supported from below. By operating the boat rotation mechanism 254, the wafer 200 held by the boat 217 can be rotated in the processing chamber 201 and the transfer chamber 141. A controller 240 described later is electrically connected to the boat rotation mechanism 254. The controller 240 is configured such that the boat rotation mechanism 254 controls a predetermined operation at a predetermined timing.

また、駆動部収納ケース２５６の内部であってボート回転機構２５４の周囲には、冷却機構２５７が設けられている。冷却機構２５７及びシールキャップ２１９には冷却流路２５９が形成されている。冷却流路２５９には冷却水を供給する冷却水配管２６０が接続されている。冷却水配管２６０は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通って冷却流路２５９まで導かれ、冷却流路２５９にそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。   In addition, a cooling mechanism 257 is provided inside the drive unit storage case 256 and around the boat rotation mechanism 254. A cooling channel 259 is formed in the cooling mechanism 257 and the seal cap 219. A cooling water pipe 260 for supplying cooling water is connected to the cooling channel 259. The cooling water pipe 260 is configured to be guided from the upper end of the elevating shaft 250 through the elevating shaft 250 to the cooling channel 259 and supply cooling water to the cooling channel 259, respectively.

（制御部）
本実施形態にかかる基板処理装置１０は、制御部としてのコントローラ２４０を備えている。コントローラ２４０には、ノズル角度調整機構４６、ノズル昇降機構４７、パーティクルカウンタ４８、ヒータ２０６、ＡＰＣバルブ５３，２４２、真空ポンプ５４，２４６、ボート回転機構２５４、ボートエレベータ１１５、バルブ４５，１７１〜１７４、ＭＦＣ４４，１８１〜１８４、圧力センサ５２等がそれぞれ接続されている。コントローラ２４０により、ノズル角度調整機構４６によるノズル４１の角度調整動作、ノズル昇降機構４７によるノズル４１の高さ位置調整動作、パーティクルカウンタ４８による移載室１４１内の異物濃度測定、ヒータ２０６の温度調整動作、ＡＰＣバルブ５３，２４２の開閉及び圧力調整動作、真空ポンプ５４，２４６の起動・停止、ボート回転機構２５４の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作、バルブ４５，１７１〜１７４の開閉動作、ＭＦＣ４４，１８１〜１８４の流量調整等の制御が行われる。 (Control part)
The substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a controller 240 as a control unit. The controller 240 includes a nozzle angle adjusting mechanism 46, a nozzle lifting mechanism 47, a particle counter 48, a heater 206, APC valves 53 and 242, vacuum pumps 54 and 246, a boat rotating mechanism 254, a boat elevator 115, valves 45 and 171 to 174. , MFC 44, 181-184, pressure sensor 52, etc. are connected to each other. The controller 240 adjusts the angle of the nozzle 41 by the nozzle angle adjusting mechanism 46, adjusts the height position of the nozzle 41 by the nozzle lifting mechanism 47, measures the concentration of foreign matter in the transfer chamber 141 by the particle counter 48, and adjusts the temperature of the heater 206. Operation, opening and closing of the APC valves 53 and 242 and pressure adjustment operation, starting and stopping of the vacuum pumps 54 and 246, adjustment of the rotation speed of the boat rotating mechanism 254, raising and lowering operation of the boat elevator 115, opening and closing operations of the valves 45 and 171 to 174, Control such as flow rate adjustment of the MFCs 44, 181 to 184 is performed.

（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置１０を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ２００上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ（ポリシリコンゲルマニウム）膜を成膜する工程例について、図４を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。 (2) Substrate Processing Step Next, using the substrate processing apparatus 10 described above, a poly-SiGe (polysilicon germanium) film is formed on the wafer 200 as a substrate as one step of a semiconductor device (device) manufacturing process. An example of a film forming process will be described with reference to FIG. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 10 is controlled by the controller 240.

なお、本実施形態では、一例として、原料ガスとしてＳｉ元素を含むシラン（ＳｉＨ４）ガス、及びＧｅ元素を含むゲルマン（ＧｅＨ４）ガスを、希釈ガスとして水素（Ｈ２）ガスを加熱された処理室２０１内に供給し、ウエハ２００上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜を形成する。 In this embodiment, as an example, silane (SiH 4 ) gas containing Si element and germane (GeH 4 ) gas containing Ge element are heated as source gas, and hydrogen (H 2 ) gas is heated as a dilution gas. A poly-SiGe film is formed on the wafer 200 by supplying it into the processing chamber 201.

（ウエハ搬入・装填工程（Ｓ１０））
まず、ポッド１６がポッドステージ１８上に載置されると、フロントシャッタ１７が移動してポッド搬送口が開放される。そして、ポッド搬送装置２０により、ポッドステージ１８上のポッド１６が、ポッド搬送口を介して筐体１２内へと搬入される。筐体１２内へ搬入されたポッド１６は、直接に、もしくは、回転式ポッド棚２２の棚板２２ａ上に載置されて一時的に保管された後に、上下３段のうちいずれか一のポッド載置台２５上へと移載される。この際、ポッドオープナ２４のウエハ搬送口１４は、キャップ着脱機構２６によって閉じられている。また、ボートエレベータ１１５が降下し、ボート２１７が移載室１４１内に降下した（ボート２１７が移載室１４１内に搬送された）状態となっている。そして、処理炉２０２の下端部に設けられた炉口１６０が炉口シャッタ１６１により閉じられた状態となっている。 (Wafer loading / loading step (S10))
First, when the pod 16 is placed on the pod stage 18, the front shutter 17 moves to open the pod transfer port. Then, the pod 16 on the pod stage 18 is carried into the housing 12 by the pod carrying device 20 through the pod carrying port. The pod 16 carried into the housing 12 is placed on the shelf plate 22a of the rotary pod shelf 22 and temporarily stored, and then is one of the upper and lower three pods. Transferred onto the mounting table 25. At this time, the wafer transfer port 14 of the pod opener 24 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 26. Further, the boat elevator 115 is lowered, and the boat 217 is lowered into the transfer chamber 141 (the boat 217 is conveyed into the transfer chamber 141). The furnace port 160 provided at the lower end of the processing furnace 202 is in a state closed by the furnace port shutter 161.

ポッド載置台２５上に載置されたポッド１６は、そのキャップがウエハ搬送口１４の開口縁辺部に押し付けられる。そして、キャップ着脱機構２６によってキャップが取り外され、ポッド１６のウエハ出し入れ口が開放される。そして、キャップが取り外されたポッド１６は、ウエハ枚数検出器２７によってポッド１６内のウエハ枚数を検知される。そして、ポッド１６内のウエハ２００は、ウエハ移載機構２８のツイーザ３２によってピックアップされ、ウエハ移載機構２８の搬送動作によって、ウエハ搬送口１４を介して移載室１４１内に搬入され、ボート２１７へ装填（ウエハチャージ）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機構２８は、ポッド１６に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する動作が繰り返されれる。   The cap of the pod 16 placed on the pod placement table 25 is pressed against the opening edge of the wafer transfer port 14. Then, the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 26, and the wafer loading / unloading opening of the pod 16 is opened. The number of wafers in the pod 16 is detected by the wafer number detector 27 of the pod 16 from which the cap has been removed. The wafer 200 in the pod 16 is picked up by the tweezer 32 of the wafer transfer mechanism 28, and is transferred into the transfer chamber 141 through the wafer transfer port 14 by the transfer operation of the wafer transfer mechanism 28, and the boat 217. Is loaded (wafer charge). The wafer transfer mechanism 28 that has transferred the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 16 and the operation of loading the next wafer 200 into the boat 217 is repeated.

（ボート搬入工程（Ｓ２０））
予め指定された枚数のウエハ２００をボート２１７に装填したら、ウエハ搬送口１４を閉じ、炉口シャッタ１６１が開けられ、処理炉２０２の下端部が開放される。そして、昇降モータ２４８を駆動して、所定枚数のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５により持ち上げることで、処理室２０１内に搬入（ボートロード）する。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリングを介して処理炉２０２の開口部である炉口１６０をシールキャップ２１９によりシールした状態となる。 (Boat carrying-in process (S20))
When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the wafer transfer port 14 is closed, the furnace port shutter 161 is opened, and the lower end of the processing furnace 202 is opened. Then, the lift motor 248 is driven, and the boat 217 holding the predetermined number of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 to be loaded into the processing chamber 201 (boat loading). In this state, the seal cap 219 is in a state where the furnace port 160 which is the opening of the processing furnace 202 is sealed by the seal cap 219 via the O-ring.

（成膜処理工程（Ｓ３０））
続いて、ボート回転機構２５４によりボート２１７、すなわちウエハ２００の回転を開始する。そして、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力（成膜処理圧力）とする。また、温度センサ（図示せず）により検出した温度情報に基づき、ヒータ２０６への供給電力をフィードバック制御し、処理室２０１内を所望の温度分布とする。具体的には、ウエハ２００の表面温度が例えば４５０℃〜６００℃の範囲内の温度となるようにする。ウエハの回転、圧力調整及び温度調整は少なくとも成膜処理工程の終了まで継続する。 (Film forming process (S30))
Subsequently, the boat rotation mechanism 254 starts the rotation of the boat 217, that is, the wafer 200. Then, the opening degree of the APC valve 242 is feedback-controlled so that the inside of the processing chamber 201 is set to a predetermined pressure (film formation processing pressure). Further, based on temperature information detected by a temperature sensor (not shown), the power supplied to the heater 206 is feedback-controlled so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature distribution. Specifically, the surface temperature of the wafer 200 is set to a temperature in the range of 450 ° C. to 600 ° C., for example. The wafer rotation, pressure adjustment, and temperature adjustment are continued at least until the film forming process is completed.

そして、バルブ１７１〜１７３を開け、処理ガスとしてのＳｉＨ４ガス（Ｓｉ元素含有ガス）及びＧｅＨ４ガス（Ｇｅ元素含有ガス）と、希釈ガスとしてのＨ２ガスとの混合ガスを、処理室２０１内に供給する。処理ガス及び希釈ガスの流量等は、ＭＦＣ１８１〜１８３により調整することができる。処理室２０１内に供給された処理ガス及び希釈ガスは、処理室２０１内を通過しつつウエハ２００表面へ供給され、ガス排気管２３１から排気される。すなわち、Ｈ２ガスにより希釈されつつ処理室２０１内に供給された処理ガスは、処理室２０１内を通過する際に、ウエハ２００表面と接触することにより、ウエハ２００表面上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜が堆積（デポジション）される。所定時間の経過後、バルブ１７１〜１７３を閉じて処理室２０１内への処理ガス及び希釈ガスの供給を停止する。 Then, the valves 171 to 173 are opened, and a mixed gas of SiH 4 gas (Si element-containing gas) and GeH 4 gas (Ge element-containing gas) as processing gas and H 2 gas as dilution gas is supplied to the processing chamber 201. Supply in. The flow rates of the processing gas and the dilution gas can be adjusted by the MFCs 181 to 183. The processing gas and dilution gas supplied into the processing chamber 201 are supplied to the surface of the wafer 200 while passing through the processing chamber 201, and are exhausted from the gas exhaust pipe 231. That is, the processing gas supplied into the processing chamber 201 while being diluted with H 2 gas comes into contact with the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, so that a poly-SiGe film is formed on the surface of the wafer 200. Deposited (deposited). After a predetermined time elapses, the valves 171 to 173 are closed to stop the supply of the processing gas and the dilution gas into the processing chamber 201.

そして、処理室２０１内に残留している処理ガス等の残留ガスや反応生成物等を排気する。このとき、バルブ１７４を開けて、処理室２０１内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給するようにすると、処理室２０１内からの残留ガスや反応生成物等の排気が促される。パージが完了したら、ヒータ２０６への電力供給を停止して処理室２０１内を降温させると共に、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内の圧力と移載室１４１内とを同程度の圧力とする。そして、ボート回転機構２５４への電力供給を停止して、ウエハ２００の回転を停止する。 Then, residual gases such as processing gas remaining in the processing chamber 201, reaction products, and the like are exhausted. At this time, when the valve 174 is opened to supply N 2 gas as a purge gas into the processing chamber 201, exhaust of residual gas, reaction products, and the like from the processing chamber 201 is promoted. When the purge is completed, the power supply to the heater 206 is stopped to lower the temperature in the processing chamber 201, and the opening degree of the APC valve 242 is feedback-controlled so that the pressure in the processing chamber 201 and the transfer chamber 141 are the same. The pressure is about the same level. Then, the power supply to the boat rotation mechanism 254 is stopped, and the rotation of the wafer 200 is stopped.

（ボート搬出工程（Ｓ４０））
そして、昇降モータ２４８を駆動してシールキャップ２１９を下降させて、マニホールド２０９の下端を開口させ、処理済みウエハ２００を保持したボート２１７を、マニホールド２０９の下端を介して処理室２０１内から移載室１４１内に搬出（ボートアンロード
）する。ボート２１７を移載室１４１内に搬出した後、炉口シャッタ１６１を閉めて炉口１６０を閉じる。 (Boat unloading process (S40))
Then, the lift motor 248 is driven to lower the seal cap 219 to open the lower end of the manifold 209, and the boat 217 holding the processed wafers 200 is transferred from the processing chamber 201 through the lower end of the manifold 209. Unload (boat unload) into the chamber 141. After the boat 217 is carried out into the transfer chamber 141, the furnace port shutter 161 is closed and the furnace port 160 is closed.

（ウエハ脱装・搬出工程（Ｓ５０））
そして、ボート２１７に保持されたウエハ２００が所定温度まで冷却された後、ウエハ移載機構２８により、ボート２１７から処理済みウエハ２００を脱装（ウエハディスチャージ）して、ポッドオープナ２４にセットされているポッド１６に搬送して収容し、ウエハ２００を移載室１４１内から搬出する。その後、上述したように、ポッド搬送装置２０により、ウエハ２００を収容したポッド１６は、ポッド載置棚２２、またはポッドステージ１８に搬送される。 (Wafer unloading / unloading process (S50))
After the wafers 200 held in the boat 217 are cooled to a predetermined temperature, the processed wafers 200 are removed from the boat 217 (wafer discharge) by the wafer transfer mechanism 28 and set in the pod opener 24. The wafer 200 is transferred to and stored in the pod 16 and the wafer 200 is unloaded from the transfer chamber 141. Thereafter, as described above, the pod 16 containing the wafer 200 is transferred to the pod mounting shelf 22 or the pod stage 18 by the pod transfer device 20.

（ブロア処理工程（Ｓ６０））
成膜処理工程（Ｓ３０）で加熱処理を行うことで、加熱によるウエハ２００の変形や、ウエハ２００とボート２１７との材質の違いによる熱膨張率の差等により、ボート２１７とウエハ２００とが擦れてボート２１７が削れてしまい、石英粉等の異物が発生する場合がある。その結果、図５に、成膜処理後、ボート２１７上に異物が発生する様子を示す概略断面図で示すように、石英粉等の異物が、ボート２１７に没設されたウエハ２００を支持する溝等に堆積・蓄積する場合がある。そして、次バッチの基板処理工程で、このような異物が堆積・蓄積したボート２１７にウエハ２００が装填されて処理室２０１内に搬入されると、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物が処理室２０１内に飛散し、基板処理の品質が低下し、生産歩留りが低下する場合があった。 (Blower processing step (S60))
By performing the heat treatment in the film forming process step (S30), the boat 217 and the wafer 200 are rubbed due to deformation of the wafer 200 due to heating or a difference in thermal expansion coefficient due to a difference in material between the wafer 200 and the boat 217. As a result, the boat 217 may be shaved and foreign matter such as quartz powder may be generated. As a result, as shown in the schematic cross-sectional view of the appearance of foreign matter on the boat 217 after film formation in FIG. 5, foreign matter such as quartz powder supports the wafer 200 submerged in the boat 217. May accumulate or accumulate in grooves. Then, when the wafer 200 is loaded into the processing chamber 201 and loaded into the processing chamber 201 in the next batch substrate processing step, the foreign material accumulated and accumulated in the processing chamber 201 is loaded into the processing chamber 201. In some cases, it was scattered in 201, the quality of the substrate processing was lowered, and the production yield was lowered.

そこで、上述のウエハ脱装・搬出工程（Ｓ５０）終了後、移載室１４１内に設けられた不活性ガス供給機構４０が備えるノズル４１から、不活性ガスとしてのＮ２ガスを上方から下方に向かって角度をつけて（すなわち斜め上方から）、空のボート２１７に噴射するブロア処理工程（Ｓ６０）を行う。これにより、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物等を、Ｎ２ガスによりボート２１７上から吹き飛ばして除去することができる。特に、Ｎ２ガスを上方から下方に向かって角度をつけて噴射することで、ボート２１７の保持部材２１２に形成されたウエハ２００を支持する溝にＮ２ガスを噴射することができ、溝上の異物を除去することができる。従って、次バッチの基板処理工程では、異物が除去されたボート２１７が移載室１４１内から処理室２０１内へ搬入されるため、処理室２０１内の異物を低減することができる。 Therefore, after the above-described wafer unloading / unloading step (S50) is completed, N 2 gas as an inert gas is passed from above to below from the nozzle 41 provided in the inert gas supply mechanism 40 provided in the transfer chamber 141. A blower treatment step (S60) for injecting into an empty boat 217 is performed at an angle (ie, obliquely from above). As a result, foreign matter and the like accumulated and accumulated on the boat 217 can be removed by blowing off the boat 217 with N 2 gas. In particular, by injecting N 2 gas at an angle from above to below, it is possible to inject N 2 gas into the groove that supports the wafer 200 formed on the holding member 212 of the boat 217, Foreign matter can be removed. Therefore, in the substrate processing step of the next batch, the boat 217 from which the foreign matter has been removed is carried into the processing chamber 201 from the transfer chamber 141, so that the foreign matter in the processing chamber 201 can be reduced.

すなわち、バルブ４５を開け、不活性ガス供給管４２から不活性ガス供給機構４０が備えるノズル４１から、空のボート２１７に、上方から下方に向かってＮ２ガスを噴射する。このとき、Ｎ２ガスの流速が所定の速度となるように、Ｎ２ガスの流量や圧力等を調整する。また、真空ポンプ５４を作動させてバルブ５３を開けることにより、移載室１４１内を排気しつつ、Ｎ２ガスをノズル４１から噴射してもよい。 That is, the valve 45 is opened, and N 2 gas is jetted from the upper side to the lower side of the empty boat 217 from the nozzle 41 provided in the inert gas supply mechanism 40 from the inert gas supply pipe 42. At this time, as the flow rate of N 2 gas becomes a predetermined speed, to adjust the flow rate and pressure of the N 2 gas or the like. Further, N 2 gas may be injected from the nozzle 41 while exhausting the inside of the transfer chamber 141 by operating the vacuum pump 54 and opening the valve 53.

このとき、ノズル角度可変機構４６及びノズル昇降機構４７を駆動して、ノズル４１の角度及び移載室１４１内におけるノズル４１の高さ位置を調整してもよい。これにより、ボート２１７の上部から下部にわたって満遍なくＮ２ガスを噴射することができる。具体的には、ボート２１７の天板２１０、底板２１１、保持部材２１２、保持部材２１２に没設されたウエハ２００を支持する溝、断熱体２１６等のボート２１７の構成部材にＮ２ガスを噴射することができる。また、シールキャップ２１９にもＮ２ガスを噴射することができる。これにより、処理室２０１内の異物をより低減することができる。 At this time, the nozzle angle variable mechanism 46 and the nozzle lifting mechanism 47 may be driven to adjust the angle of the nozzle 41 and the height position of the nozzle 41 in the transfer chamber 141. Thereby, N 2 gas can be injected evenly from the upper part to the lower part of the boat 217. Specifically, N 2 gas is injected into the constituent members of the boat 217 such as the top plate 210, the bottom plate 211, the holding member 212, the groove supporting the wafer 200 submerged in the holding member 212, and the heat insulator 216. can do. Also, N 2 gas can be injected into the seal cap 219. Thereby, the foreign material in the process chamber 201 can be reduced more.

また、少なくともノズル４１からＮ２ガスを噴射している間、ボート回転機構２５４を駆動させて、移載室１４１内でボート２１７を回転させてもよい。これにより、ボート２１７にＮ２ガスを死角なく空のボート２１７に噴射することができ、ボート２１７上の異
物をより確実に除去することができる。 Further, the boat rotation mechanism 254 may be driven to rotate the boat 217 in the transfer chamber 141 at least while the N 2 gas is being injected from the nozzle 41. As a result, N 2 gas can be injected into the empty boat 217 without blind spots on the boat 217, and foreign matters on the boat 217 can be more reliably removed.

ボート２１７上から吹き飛ばされた異物等は、移載室１４１内のノズル４１に対向する位置に設けられた排気受けとしての仕切部５０により移載室１４１内に形成された低圧領域に収集されて、排気管５１を介して移載室１４１外に排出される。そして、パーティクルカウンタ４８により測定した移載室１４１の雰囲気中の異物濃度の値が所定の値以下となった場合、または操作者からのコマンドを受け付けた場合に、バルブ４５を閉めて不活性ガスの供給を停止してブロア処理工程（Ｓ６０）を終了し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。   Foreign matter blown off from the boat 217 is collected in a low pressure region formed in the transfer chamber 141 by the partition 50 as an exhaust receiver provided at a position facing the nozzle 41 in the transfer chamber 141. Then, it is discharged out of the transfer chamber 141 through the exhaust pipe 51. Then, when the value of the foreign substance concentration in the atmosphere of the transfer chamber 141 measured by the particle counter 48 becomes a predetermined value or less, or when a command from the operator is received, the valve 45 is closed to deactivate the inert gas. Is stopped, the blower processing step (S60) is terminated, and the substrate processing step according to the present embodiment is terminated.

（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。 (3) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the following one or more effects are achieved.

（ａ）本実施形態によれば、移載室１４１内に不活性ガスを噴射するノズル４１を備える不活性ガス供給機構４０が設けられている。そして、処理室２０１内から移載室１４１内に搬出されてウエハ２００が脱装された空のボート２１７に、上方から下方に向かって角度をつけて、ノズル４１から不活性ガスを噴射するようにしている。そして、ノズル４１から噴射される不活性ガスの流速は、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物を吹き飛ばすことができる速い流速に調整されている。これにより、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物等を、不活性ガスによりボート２１７上から吹き飛ばして除去することができ、処理室２０１内の異物を低減することができる。その結果、例えば次バッチの基板処理工程では、異物が除去されたボート２１７が移載室１４１内から処理室２０１内へ搬入されるため、処理室２０１内の異物を低減することができ、生産歩留まりを向上させることができる。すなわち、成膜処理において、ウエハ２００上に形成された膜中に異物が混入することを低減でき、膜質を向上させる等、基板処理の品質を向上させることができる。また、移載室１４１内及びボート２１７のメンテナンス周期を長くすることができ、基板処理装置１０の稼働率を向上させることができる。 (A) According to this embodiment, the inert gas supply mechanism 40 provided with the nozzle 41 which injects an inert gas in the transfer chamber 141 is provided. Then, an inert gas is injected from the nozzle 41 at an angle from the upper side to the lower side of the empty boat 217 that is unloaded from the processing chamber 201 into the transfer chamber 141 and from which the wafers 200 are detached. I have to. The flow rate of the inert gas ejected from the nozzle 41 is adjusted to a high flow rate that can blow off the foreign matter accumulated and accumulated on the boat 217. As a result, foreign matter and the like accumulated and accumulated on the boat 217 can be removed by blowing off the boat 217 with an inert gas, and foreign matter in the processing chamber 201 can be reduced. As a result, for example, in the substrate processing step of the next batch, the boat 217 from which the foreign matter has been removed is carried into the processing chamber 201 from the transfer chamber 141, so that the foreign matter in the processing chamber 201 can be reduced and production can be performed. Yield can be improved. In other words, in the film formation process, foreign matters can be reduced from being mixed into the film formed on the wafer 200, and the quality of the substrate process can be improved, such as improving the film quality. Further, the maintenance cycle of the transfer chamber 141 and the boat 217 can be extended, and the operating rate of the substrate processing apparatus 10 can be improved.

（ｂ）本実施形態によれば、不活性ガス供給機構４０は、ノズル４１の角度を調整するノズル角度可変機構４６を備えている。また、不活性ガス供給機構４０は、移載室１４１内でノズル４１の高さ位置を調整するノズル昇降機構４７を備えている。これにより、ボート２１７の上部から下部にかけて満遍なく不活性ガスを噴射することができ、ボート２１７上の異物をより除去することができる。 (B) According to the present embodiment, the inert gas supply mechanism 40 includes the nozzle angle variable mechanism 46 that adjusts the angle of the nozzle 41. The inert gas supply mechanism 40 includes a nozzle lifting mechanism 47 that adjusts the height position of the nozzle 41 in the transfer chamber 141. As a result, the inert gas can be uniformly injected from the upper part to the lower part of the boat 217, and foreign matters on the boat 217 can be further removed.

（ｃ）本実施形態によれば、ボート２１７はボート回転機構２５４を備え、移載室１４１内で、少なくともノズル４１から不活性ガスを噴射している間、ボート２１７を回転可能に構成されている。これにより、空のボート２１７に不活性ガスを死角なく噴射することができ、ボート２１７上の異物をより確実に除去することができる。 (C) According to the present embodiment, the boat 217 includes the boat rotation mechanism 254, and is configured to be able to rotate the boat 217 while injecting the inert gas from at least the nozzle 41 in the transfer chamber 141. Yes. Thereby, the inert gas can be injected into the empty boat 217 without blind spots, and foreign matters on the boat 217 can be more reliably removed.

（ｄ）本実施形態によれば、移載室１４１の外側の側壁には、移載室１４１の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構としてのパーティクルカウンタ４８が設けられている。従って、パーティクルカウンタ４８により測定した移載室１４１内の雰囲気中の異物濃度が所定の値以下となったときに、移載室１４１内への不活性ガスの供給を停止ないし供給量を減らすように、不活性ガス供給機構４０を自動で制御することができる。 (D) According to this embodiment, the particle counter 48 is provided on the outer side wall of the transfer chamber 141 as a foreign matter measuring mechanism that measures the concentration of foreign matter in the atmosphere of the transfer chamber 141. Accordingly, when the concentration of foreign matter in the atmosphere in the transfer chamber 141 measured by the particle counter 48 becomes a predetermined value or less, the supply of the inert gas into the transfer chamber 141 is stopped or the supply amount is reduced. In addition, the inert gas supply mechanism 40 can be automatically controlled.

（ｅ）本実施形態によれば、移載室１４１内のノズル４１と対向する位置に、ノズル４１から噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する排気受けとしての仕切部５０が設けられている。これにより、ノズル４１から噴射された不活性ガスにより吹き飛ばされたボート２１７上の異物が、移載室１４１内で散乱して、ボート２１７に再付着することを防止することができる。 (E) According to the present embodiment, the partition 50 as an exhaust receiver that collects the foreign matter blown away by the inert gas injected from the nozzle 41 is provided at a position facing the nozzle 41 in the transfer chamber 141. It has been. Thereby, the foreign matter on the boat 217 blown off by the inert gas sprayed from the nozzle 41 can be prevented from being scattered in the transfer chamber 141 and reattaching to the boat 217.

（ｆ）本実施形態によれば、ボート２１７から脱装されたウエハ２００が移載室１４１から搬出された後、ノズル４１から不活性ガスを噴射させるようにしている。これにより、ボート２１７上から吹き飛ばされた異物が、処理後のウエハ２００に付着することを防止することができる。 (F) According to the present embodiment, the inert gas is injected from the nozzle 41 after the wafer 200 detached from the boat 217 is unloaded from the transfer chamber 141. Thereby, it is possible to prevent foreign matter blown off from the boat 217 from adhering to the processed wafer 200.

以下、参考までに、従来の基板処理工程について図７を用いて説明する。図７は、従来の基板処理工程を例示するフロー図である。図７に示すように、従来の基板処理工程では、移載室１４１内でウエハ２００が脱装されたボート２１７に不活性ガスを噴射するブロア処理工程（Ｓ６０）を行っていなかった。このため、ボート２１７上、特にボート２１７上のウエハ２００を支持する溝に異物が堆積・蓄積する場合があった。そして、例えば次バッチ処理で、このように異物が堆積・蓄積したボート２１７に、ウエハ２００が装填されて処理室２０１内に搬入されると、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物が処理室２０１内に飛散し、基板処理の品質が低下し、生産歩留りが低下する場合があった。これに対し、本実施形態によれば、上述したように、移載室１４１内に不活性ガスを噴射するノズル４１を備える不活性ガス供給機構４０を設け、処理室２０１内から移載室１４１内に搬出されてウエハ２００が脱装されたボート２１７に、上方から下方に向かって角度をつけてノズル４１から不活性ガスを噴射するブロア処理工程（Ｓ６０）を行うようにしている。これにより、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物等を、不活性ガスによりボート２１７上から吹き飛ばして除去することができ、処理室２０１内の異物を低減することができる。このため、上記課題を効果的に解決することができる。   Hereinafter, a conventional substrate processing process will be described with reference to FIG. 7 for reference. FIG. 7 is a flow diagram illustrating a conventional substrate processing process. As shown in FIG. 7, in the conventional substrate processing step, the blower processing step (S <b> 60) for injecting an inert gas into the boat 217 from which the wafers 200 are detached in the transfer chamber 141 has not been performed. For this reason, foreign matter sometimes accumulates and accumulates on the boat 217, in particular, in the groove supporting the wafer 200 on the boat 217. Then, for example, in the next batch process, when the wafer 200 is loaded into the boat 217 in which foreign matters are accumulated and accumulated in this manner and loaded into the processing chamber 201, the foreign matters accumulated and accumulated on the boat 217 are processed in the processing chamber 201. In some cases, the quality of the substrate processing deteriorates and the production yield decreases. On the other hand, according to this embodiment, as described above, the inert gas supply mechanism 40 including the nozzle 41 for injecting the inert gas is provided in the transfer chamber 141, and the transfer chamber 141 is transferred from the processing chamber 201. A blower processing step (S60) is performed in which an inert gas is injected from the nozzle 41 at an angle from the upper side to the lower side on the boat 217 that has been unloaded and the wafer 200 is detached. As a result, foreign matter and the like accumulated and accumulated on the boat 217 can be removed by blowing off the boat 217 with an inert gas, and foreign matter in the processing chamber 201 can be reduced. For this reason, the said subject can be solved effectively.

図６に、本発明の実施例にかかる基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像を示し、図８に、比較例にかかる従来の基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像を示す。図８に示すように、ブロア処理工程（Ｓ６０）を行っていない比較例では、ボート２１７上に異物である白いパウダー状のものが堆積・蓄積していることが分かる。これに対し、図６に示すように、ブロア処理工程（Ｓ６０）を行った実施例では、ボート２１７上から異物である白いパウダー状のものが除去されていることが分かる。   FIG. 6 shows an image showing the state of foreign matter on the substrate holder after the substrate processing step according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8 shows the state on the substrate holder after the conventional substrate processing step according to the comparative example. The image which shows the state of a foreign material is shown. As shown in FIG. 8, in the comparative example in which the blower treatment step (S60) is not performed, it can be seen that white powdery substances as foreign matters are accumulated and accumulated on the boat 217. On the other hand, as shown in FIG. 6, it can be seen that in the example in which the blower treatment step (S60) was performed, the white powdery foreign matter was removed from the boat 217.

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 <Other Embodiments of the Present Invention>
As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

上述の実施形態では、不活性ガス供給機構４０がノズル角度調整機構４６及びノズル昇降機構４７を備える場合について説明したが、例えば、不活性ガス供給機構４０はノズル角度調整機構４６又はノズル昇降機構４７の一方だけでもよい。また例えば、ノズル４１の角度が不活性ガスを上方から下方に向かって噴射するように構成されていれば、ノズル角度調整機構４６又はノズル昇降機構４７を備えていなくてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the inert gas supply mechanism 40 includes the nozzle angle adjustment mechanism 46 and the nozzle lifting mechanism 47 has been described. For example, the inert gas supply mechanism 40 has the nozzle angle adjustment mechanism 46 or the nozzle lifting mechanism 47. Only one of them may be used. Further, for example, the nozzle angle adjusting mechanism 46 or the nozzle lifting mechanism 47 may not be provided as long as the angle of the nozzle 41 is configured to inject the inert gas from above to below.

上述の実施形態では、ブロア処理工程（Ｓ６０）を毎回行っているが、例えば、ウエハ搬入・装填工程（Ｓ１０）〜ウエハ脱装・搬出工程（Ｓ５０）を数回行った後に、ブロア処理工程（Ｓ６０）を行うようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the blower processing step (S60) is performed every time. For example, after performing the wafer loading / loading step (S10) to the wafer unloading / unloading step (S50) several times, S60) may be performed.

また例えば、移載室１４１内のボート２１７が収容される位置にブラシ等を設けてもよい。なお、ブラシ等はコントローラ２４０に電気的に接続され、不活性ガス供給機構４０と連動して作動するように制御してもよい。すなわち、ノズル４１からボート２１７に向けて不活性ガスを噴射している間、ブラシを作動させてボート２１７上から異物をさらに除去する構成としてもよい。   Further, for example, a brush or the like may be provided at a position in the transfer chamber 141 where the boat 217 is accommodated. The brush or the like may be electrically connected to the controller 240 and controlled so as to operate in conjunction with the inert gas supply mechanism 40. In other words, while the inert gas is sprayed from the nozzle 41 toward the boat 217, the brush may be operated to further remove foreign matters from the boat 217.

また例えば、移載室１４１内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管４２に設けられ
た不活性ガス供給源４３は、処理室２０１内に不活性ガスを供給するガス供給管２３２に設けられた第４ガス供給源１９４と共有であってもよい。 Further, for example, the inert gas supply source 43 provided in the inert gas supply pipe 42 that supplies the inert gas into the transfer chamber 141 is provided in the gas supply pipe 232 that supplies the inert gas into the processing chamber 201. The fourth gas supply source 194 may be shared.

上述の実施形態では、処理ガスとしてＳｉＨ４ガス及びＧｅＨ４ガスを用い、ＣＶＤ法によりウエハ２００上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜を成膜する場合について説明したが、例えばＡＬＤ法等により成膜する場合であってもよい。また例えば、ウエハ２００上に薄膜を形成する場合に限らず、ウエハ２００に熱処理を施す場合に本発明は好適に適用可能である。 In the above-described embodiment, the case where the poly-SiGe film is formed on the wafer 200 by the CVD method using SiH 4 gas and GeH 4 gas as the processing gas has been described. However, for example, the film is formed by the ALD method or the like. There may be. For example, the present invention can be suitably applied not only when a thin film is formed on the wafer 200 but also when the wafer 200 is subjected to heat treatment.

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持し、前記処理室内外に搬送される基板保持具と、
前記基板保持具への前記基板の装填、又は前記基板保持具からの前記基板の脱装が行われる移載室と、
前記移載室内の前記基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、
前記処理室内から前記移載室内に搬出されて前記基板が脱装された前記基板保持具に、前記ノズルから不活性ガスを噴射するように前記不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、
前記ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate holder that holds the substrate and is transported into and out of the processing chamber;
A transfer chamber in which the substrate is loaded into the substrate holder or the substrate is detached from the substrate holder;
An inert gas supply mechanism comprising a nozzle for injecting an inert gas to the substrate holder in the transfer chamber;
A control unit that controls the inert gas supply mechanism so as to inject inert gas from the nozzle onto the substrate holder that has been unloaded from the processing chamber and transferred to the transfer chamber. Prepared,
The nozzle is provided with a substrate processing apparatus that injects an inert gas at an angle from above to below.

好ましくは、
前記制御部は、前記基板保持具から脱装された前記基板が、前記移載室から搬出された後、前記ノズルから不活性ガスを噴射させるように、前記不活性ガス供給機構を制御する。 Preferably,
The control unit controls the inert gas supply mechanism so that the inert gas is ejected from the nozzle after the substrate detached from the substrate holder is unloaded from the transfer chamber.

また好ましくは、
前記不活性ガス供給機構はノズル角度可変機構を備える。 Also preferably,
The inert gas supply mechanism includes a nozzle angle variable mechanism.

また好ましくは、
前記不活性ガス供給機構はノズル昇降機構を備える。 Also preferably,
The inert gas supply mechanism includes a nozzle lifting mechanism.

また好ましくは、
前記基板保持具は回転機構を備え、
前記制御部は、少なくとも前記ノズルから不活性ガスが噴射されている間、前記移載室内で前記基板保持具を回転させるように、前記回転機構を制御する。 Also preferably,
The substrate holder includes a rotation mechanism,
The control unit controls the rotation mechanism to rotate the substrate holder in the transfer chamber at least while the inert gas is ejected from the nozzle.

また好ましくは、
前記不活性ガス供給機構はガス流速調整機構を備え、
前記制御部は、前記基板保持具上の異物を吹き飛ばすことができる速い流速となるように、前記ガス流速調整機構を制御する。 Also preferably,
The inert gas supply mechanism includes a gas flow rate adjustment mechanism,
The control unit controls the gas flow rate adjusting mechanism so as to obtain a fast flow rate at which foreign matter on the substrate holder can be blown off.

また好ましくは、
前記移載室の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構を備え、
前記制御部は、前記異物測定機構により測定した異物濃度が所定の値以下となったときに、前記移載室内への不活性ガスの供給を停止するように、前記不活性ガス供給機構を制
御する。 Also preferably,
A foreign matter measuring mechanism for measuring the foreign matter concentration in the atmosphere of the transfer chamber;
The control unit controls the inert gas supply mechanism so that the supply of the inert gas into the transfer chamber is stopped when the concentration of the foreign matter measured by the foreign matter measurement mechanism becomes a predetermined value or less. To do.

また好ましくは、
前記移載室内の、前記ノズルと対向する位置には、前記ノズルから噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する仕切部が設けられている。 Also preferably,
A partition for collecting foreign matter blown off by an inert gas sprayed from the nozzle is provided at a position facing the nozzle in the transfer chamber.

本発明の他の態様によれば、
移載室内で基板保持具に基板を装填し、前記基板保持具を前記移載室内から処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記処理室内から前記移載室内に搬出し、前記基板保持具から処理後の前記基板を脱装する工程と、
前記移載室内に設けられた不活性ガス供給機構が備えるノズルから、前記基板が脱装された前記基板保持具に、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the invention,
Loading the substrate into the substrate holder in the transfer chamber, and carrying the substrate holder from the transfer chamber into the processing chamber;
Processing the substrate in the processing chamber;
Carrying the substrate holder out of the processing chamber into the transfer chamber and detaching the substrate after processing from the substrate holder;
Injecting an inert gas at an angle from above to below the substrate holder from which the substrate has been detached from a nozzle provided in an inert gas supply mechanism provided in the transfer chamber; A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.

４０ 不活性ガス供給機構
４１ ノズル
１４１ 移載室
２０１ 処理室
２１７ ボート（基板保持具）
２４０ コントローラ（制御部） 40 Inert gas supply mechanism 41 Nozzle 141 Transfer chamber 201 Processing chamber 217 Boat (substrate holder)
240 controller (control unit)

Claims (5)

基板を処理する処理室と、
前記基板を保持し、前記処理室内外に搬送される基板保持具と、
前記基板保持具への前記基板の装填、又は前記基板保持具からの前記基板の脱装が行われる移載室と、
前記移載室内の前記基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、
前記処理室内から前記移載室内に搬出されて前記基板が脱装された前記基板保持具に、前記ノズルから不活性ガスを噴射するように前記不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、
前記ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射することを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for processing the substrate;
A substrate holder that holds the substrate and is transported into and out of the processing chamber;
A transfer chamber in which the substrate is loaded into the substrate holder or the substrate is detached from the substrate holder;
An inert gas supply mechanism comprising a nozzle for injecting an inert gas to the substrate holder in the transfer chamber;
A control unit that controls the inert gas supply mechanism so as to inject inert gas from the nozzle onto the substrate holder that has been unloaded from the processing chamber and transferred to the transfer chamber. Prepared,
The nozzle is configured to inject an inert gas at an angle from above to below. 前記基板保持具は回転機構を備え、The substrate holder includes a rotation mechanism,
前記制御部は、少なくとも前記ノズルから不活性ガスが噴射されている間、前記移載室内で前記基板保持具を回転させるように前記回転機構を制御する請求項１に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the rotation mechanism to rotate the substrate holder in the transfer chamber at least while the inert gas is being injected from the nozzle. 前記基板処理装置は、前記移載の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構を備え、The substrate processing apparatus includes a foreign matter measuring mechanism for measuring a foreign matter concentration in the atmosphere of the transfer,
前記制御部は、前記異物測定機構により測定した異物濃度が所定の値以下となったときに、前記移載室内への不活性ガスの供給を停止する様に、前記不活性ガス供給機構を制御する請求項１または２に記載の基板処理装置。The control unit controls the inert gas supply mechanism so that the supply of the inert gas into the transfer chamber is stopped when the foreign matter concentration measured by the foreign matter measurement mechanism becomes a predetermined value or less. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2. 前記移載室の前記ノズルと対向する位置には、前記ノズルから噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する仕切部が設けられる請求項１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置。The substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein a partition portion that collects foreign matter blown off by an inert gas sprayed from the nozzle is provided at a position facing the nozzle in the transfer chamber. Processing equipment. 移載室内で基板保持具に基板を装填し、前記基板保持具を前記移載室内から処理室内に搬入する工程と、Loading the substrate into the substrate holder in the transfer chamber, and carrying the substrate holder from the transfer chamber into the processing chamber;
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、Processing the substrate in the processing chamber;
前記基板保持具を前記処理室内から前記移載室内に搬出し、前記基板保持具から処理後の前記基板を脱装する工程と、Carrying the substrate holder out of the processing chamber into the transfer chamber and detaching the substrate after processing from the substrate holder;
前記移載室内に設けられた不活性ガス供給機構が備えるノズルから、前記基板が脱装された前記基板保持具に、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。Injecting an inert gas at an angle from above to below the substrate holder from which the substrate has been detached from a nozzle provided in an inert gas supply mechanism provided in the transfer chamber; A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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