JP5771915B2 - MEMS device and manufacturing method thereof - Google Patents
MEMS device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5771915B2 JP5771915B2 JP2010174905A JP2010174905A JP5771915B2 JP 5771915 B2 JP5771915 B2 JP 5771915B2 JP 2010174905 A JP2010174905 A JP 2010174905A JP 2010174905 A JP2010174905 A JP 2010174905A JP 5771915 B2 JP5771915 B2 JP 5771915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- mems device
- mems
- substrate
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
本発明は、中空構造を有してパッケージ化されたＭＥＭＳデバイス及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a MEMS device packaged with a hollow structure and a manufacturing method thereof.
近年、各種電子機器の小型軽量化、多機能化や高機能化が進み、実装される電子部品に高密度化が要求されている。このような要求に応じて各種電子部品が半導体デバイスとして製造されるものが増加している。また、回路素子として製造される半導体デバイス以外に、各種センサ等も半導体デバイスとして製造され、小型軽量化が図られている。例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて小型ＭＥＭＳデバイスが実用化されている。 In recent years, various electronic devices have been reduced in size, weight, functionality, and functionality, and electronic components to be mounted have been required to have higher density. In response to such demands, an increasing number of electronic components are manufactured as semiconductor devices. In addition to semiconductor devices manufactured as circuit elements, various sensors and the like are also manufactured as semiconductor devices, thereby reducing size and weight. For example, small MEMS devices have been put into practical use by using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology.
このようなＭＥＭＳデバイスのパッケージとして、従来、樹脂モールドパッケージが利用されている。樹脂モールドパッケージは、蓋付のＭＥＭＳチップをリードフレームあるいはケースに載置した後、樹脂で覆い、その後樹脂を硬化させる。一般に、樹脂としてエポキシ樹脂等が用いられる。このような樹脂モールドパッケージは、外部からの衝撃や水分からＭＥＭＳ素子を保護する。しかし、樹脂が硬化した際に発生する応力がＭＥＭＳデバイス躯体に影響を及ぼすことがあった。例えば、検出部に薄肉状の梁やダイアフラムを有するタイプのＭＥＭＳデバイスでは、樹脂による応力により検出精度が低下する問題があった。 Conventionally, a resin mold package has been used as a package for such a MEMS device. In the resin mold package, a MEMS chip with a lid is placed on a lead frame or a case, and then covered with a resin, and then the resin is cured. Generally, an epoxy resin or the like is used as the resin. Such a resin mold package protects the MEMS element from external impact and moisture. However, the stress generated when the resin is cured may affect the MEMS device housing. For example, in the type of MEMS device having a thin beam or diaphragm in the detection unit, there is a problem that the detection accuracy is lowered due to the stress caused by the resin.
そこで、従来のＭＥＭＳパッケージとして、パッケージ内部に中空構造を有するものがある。例えば、基板上に載置されたＭＥＭＳ素子の周囲の空間を確保するキャビティ確保部（プラスチックケース）によりＭＥＭＳ素子を覆った後、その上から樹脂を塗布してパッケージ化したものがある（例えば、特許文献１参照）。 Thus, some conventional MEMS packages have a hollow structure inside the package. For example, after covering the MEMS element with a cavity securing part (plastic case) that secures the space around the MEMS element placed on the substrate, there is a package in which resin is applied from above (for example, Patent Document 1).
上述の特許文献１により提案されたＭＥＭＳパッケージによると、ＭＥＭＳ素子を覆うケース全体を樹脂で覆うため、樹脂を塗布する際にケースに歪みが発生し、ＭＥＭＳ素子の性能に影響を与えてしまう可能性がある。また、高度な加工精度が要求され、製造工程が煩雑となり、製造コストが高くなる。 According to the MEMS package proposed by the above-mentioned Patent Document 1, since the entire case covering the MEMS element is covered with the resin, the case is distorted when the resin is applied, which may affect the performance of the MEMS element. There is sex. Further, high processing accuracy is required, the manufacturing process becomes complicated, and the manufacturing cost increases.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することのできるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a MEMS device and a MEMS device manufacturing method that can be manufactured by a simple manufacturing method and can reduce the influence on characteristics of a MEMS element. With the goal.
本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、基板と、前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を収納し、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保するケースと、前記基板と前記ケースとが近接する位置に配置される封止材と、を含み、前記ＭＥＭＳ素子の上部と前記ケースとの間には凸部材が配置され、前記凸部材により前記ＭＥＭＳ素子の上部の空間が確保されることを特徴とする。このＭＥＭＳデバイスによれば、封止材でケースの上面を全て覆わずに、基板とケースが近接する位置に封止材を配置して基板とケースとを固定させるため、ＭＥＭＳ素子に対する応力の影響を低減することができる。従って、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。また、凸部材をケースの内面に当接させる構造をとることにより、ケースの加工精度によらず、ＭＥＭＳ素子について一定の可動範囲を確保することができる。これにより、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。 A MEMS device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a MEMS element disposed on the substrate, a case that houses the MEMS element and secures a space between the MEMS element, and the substrate see containing and a sealing material which is placed in the case and the near contact position and, the convex member is disposed between the upper and the case of MEMS devices, the top of the MEMS device by said convex member The space is secured . According to this MEMS device, since the sealing material is arranged at a position where the substrate and the case are close to each other without covering the entire upper surface of the case with the sealing material, the influence of the stress on the MEMS element is fixed. Can be reduced. Therefore, it can be manufactured by a simple manufacturing method, and the influence on the characteristics of the MEMS element can be reduced. In addition, by adopting a structure in which the convex member is brought into contact with the inner surface of the case, it is possible to ensure a certain movable range for the MEMS element regardless of the processing accuracy of the case. Thereby, the influence on the characteristic of a MEMS element can be reduced.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、前記封止材が、前記基板と前記ケースとの間の隙間を充填するように配置されることを特徴とする。このＭＥＭＳデバイスによれば、ＭＥＭＳ素子の上部とケースとの間の距離を、ケースの加工精度によらず、凸部材の高さで調整することができる。 The MEMS device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the sealing material is disposed so as to fill a gap between the substrate and the case. According to this MEMS device, the distance between the upper part of the MEMS element and the case can be adjusted by the height of the convex member regardless of the processing accuracy of the case.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、前記ＭＥＭＳ素子が、支持部及び前記支持部に対して変位する可動部を含み、前記ケースの内面は前記可動部の変位を規制することを特徴とする。このＭＥＭＳデバイスによれば、ケース内面がＭＥＭＳ素子の可動部の過度な変位を規制するため、ＭＥＭＳ素子の破損を防止することができる。また、可動部上に蓋部材を形成せずともケースの内面が蓋部材として機能することから、簡易な製造方法によりＭＥＭＳデバイスを製造することができる。さらに、蓋部材を含まないことからＭＥＭＳデバイスを低背化して小型化することも可能となる。 In the MEMS device according to the embodiment of the invention, the MEMS element includes a support portion and a movable portion that is displaced with respect to the support portion, and an inner surface of the case regulates displacement of the movable portion. It is characterized by. According to this MEMS device, since the inner surface of the case restricts excessive displacement of the movable part of the MEMS element, it is possible to prevent the MEMS element from being damaged. Moreover, since the inner surface of the case functions as a lid member without forming a lid member on the movable part, the MEMS device can be produced by a simple production method. Further, since the lid member is not included, the MEMS device can be reduced in height and reduced in size.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、前記凸部材は、フィラー含有樹脂であることを特徴とする。凸部材をフィラー含有樹脂とすることにより、凸部材の強度を高めることができるため、ＭＥＭＳデバイスの耐衝撃性を向上させることができる。 In the MEMS device according to an embodiment of the present invention, the convex member is a filler-containing resin. By making the convex member a filler-containing resin, the strength of the convex member can be increased, so that the impact resistance of the MEMS device can be improved.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、前記封止材が、樹脂の発泡体であることを特徴とする。基板とケースとを樹脂の発泡体により固定させることにより、ケース内に水分が混入することを防ぎ、ＭＥＭＳデバイスの電極部分等が腐食することを防ぐことができる。また、耐衝撃性を高め、樹脂による応力の発生を抑えてＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。 The MEMS device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the sealing material is a resin foam. By fixing the substrate and the case with a resin foam, it is possible to prevent moisture from entering the case and to prevent the electrode portion of the MEMS device from corroding. In addition, the impact resistance can be enhanced, the generation of stress due to the resin can be suppressed, and the influence on the characteristics of the MEMS element can be reduced.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、前記発泡体は、独立気泡構造であることを特徴とする。発泡体が独立気泡構造であることにより、より湿気や温度等の影響を受けにくく、耐衝撃性を向上させたＭＥＭＳデバイスを提供することができる。 The MEMS device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the foam has a closed cell structure. Since the foam has a closed cell structure, it is possible to provide a MEMS device that is less affected by moisture, temperature, and the like and has improved impact resistance.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスは、前記発泡体は、曲げ弾性率が０．１ＭＰａ以上５ＧＰａ以下のシリコーン樹脂材料を用いることを特徴とする。このＭＥＭＳデバイスによれば、樹脂による応力の発生を抑えてＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。 The MEMS device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the foam uses a silicone resin material having a flexural modulus of 0.1 MPa to 5 GPa. According to this MEMS device, it is possible to suppress the generation of stress due to the resin and reduce the influence on the characteristics of the MEMS element.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、ＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、前記ＭＥＭＳ素子上に凸部材を配置し、ケースにより前記凸部材を配置したＭＥＭＳ素子を収納して、前記ＭＥＭＳ素子と前記ケースとの間に前記凸部材により空間を確保し、前記基板と前記ケースとが近接する位置に、封止材を形成することを特徴とする。この製造方法により製造されたＭＥＭＳデバイスによれば、封止材でケースの上面を全て覆わずに、基板とケースとが近接する位置に封止材を配置して基板とケースとを固定させるため、ＭＥＭＳ素子に対する応力の影響を低減することができる。従って、簡易な製造方法で、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することのできるＭＥＭＳデバイスを製造することができる。また、凸部材をケースの内面に当接させる構造をとることにより、ケースの加工精度によらず、ＭＥＭＳ素子について一定の可動範囲を確保することができる。これにより、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。 Moreover, the manufacturing method of the MEMS device which concerns on one embodiment of this invention arrange | positions a MEMS element on a board | substrate, arrange | positions a convex member on the said MEMS element, and accommodates the MEMS element which has arrange | positioned the said convex member by the case. and, the secured space by the convex member between the MEMS device and the case, at a position between said substrate and said case near contact, and forming a sealing material. According to the MEMS device manufactured by this manufacturing method, the substrate and the case are fixed by disposing the sealing material at a position where the substrate and the case are close to each other without covering the entire upper surface of the case with the sealing material. The influence of stress on the MEMS element can be reduced. Therefore, a MEMS device that can reduce the influence on the characteristics of the MEMS element can be manufactured by a simple manufacturing method. In addition, by adopting a structure in which the convex member is brought into contact with the inner surface of the case, it is possible to ensure a certain movable range for the MEMS element regardless of the processing accuracy of the case. Thereby, the influence on the characteristic of a MEMS element can be reduced.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、前記封止材を、前記基板と前記ケースとの間の隙間を充填するように形成することを特徴とする。このＭＥＭＳデバイスによれば、ＭＥＭＳ素子の上部とケースとの間の距離を、ケースの加工精度によらず、凸部材の高さで調整することができる。 Moreover, the manufacturing method of the MEMS device which concerns on one embodiment of this invention forms the said sealing material so that the clearance gap between the said board | substrate and the said case may be filled. According to this MEMS device, the distance between the upper part of the MEMS element and the case can be adjusted by the height of the convex member regardless of the processing accuracy of the case.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、前記ＭＥＭＳ素子は、支持部及び前記支持部に対して変位する可動部を含み、前記ケースの内面は前記可動部の変位を規制することを特徴とする。この製造方法により製造されたＭＥＭＳデバイスによれば、ケース内面がＭＥＭＳ素子の可動部の過度な変位を規制し、破損を防止することができる。また、可動部上に蓋部材を形成せずともケースの内面が蓋部材として機能することから、簡易な製造方法でＭＥＭＳデバイスを製造することができる。さらに、蓋部材を含まないことからＭＥＭＳデバイスを低背化して小型化することも可能となる。 In the MEMS device manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the MEMS element includes a support portion and a movable portion that is displaced with respect to the support portion, and an inner surface of the case has a displacement of the movable portion. It is characterized by regulation. According to the MEMS device manufactured by this manufacturing method, the inner surface of the case can restrict excessive displacement of the movable part of the MEMS element and prevent damage. In addition, since the inner surface of the case functions as a lid member without forming a lid member on the movable part, the MEMS device can be produced by a simple production method. Further, since the lid member is not included, the MEMS device can be reduced in height and reduced in size.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、前記凸部材は、フィラー含有樹脂であることを特徴とする。凸部材をフィラー含有樹脂とすることにより、凸部材の強度を高めることができるため、ＭＥＭＳデバイスの耐衝撃性を向上させることができる。 Moreover, the manufacturing method of the MEMS device which concerns on one embodiment of this invention is characterized by the said convex member being filler containing resin. By making the convex member a filler-containing resin, the strength of the convex member can be increased, so that the impact resistance of the MEMS device can be improved.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、前記封止材は、樹脂の発泡体であることを特徴とする。基板とケースとを樹脂の発泡体により固定させることにより、ケース内に水分が混入することを防ぎ、ＭＥＭＳデバイスの電極部分等が腐食することを防ぐことができる。また、耐衝撃性を高め、樹脂による応力の発生を抑えてＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。 Moreover, the manufacturing method of the MEMS device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the sealing material is a resin foam. By fixing the substrate and the case with a resin foam, it is possible to prevent moisture from entering the case and to prevent the electrode portion of the MEMS device from corroding. In addition, the impact resistance can be enhanced, the generation of stress due to the resin can be suppressed, and the influence on the characteristics of the MEMS element can be reduced.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、前記発泡体は、独立気泡構造であることを特徴とする。発泡体が独立気泡構造であることにより、より湿気や温度等による影響を受けにくく、耐衝撃性を向上させたＭＥＭＳデバイスを提供することができる。 Moreover, the manufacturing method of the MEMS device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the foam has a closed cell structure. Since the foam has a closed cell structure, it is possible to provide a MEMS device that is less affected by moisture, temperature, and the like and has improved impact resistance.
また、本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、前記発泡体は、曲げ弾性率が０．１ＭＰａ以上５ＧＰａ以下のシリコーン樹脂材料を用いることを特徴とする。このＭＥＭＳデバイスによれば、樹脂による応力の発生を抑えてＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することができる。 A method of manufacturing a MEMS device according to an embodiment of the present invention, the foam, flexural modulus which comprises using the following silicone resin material 0.1 MP a more 5 GPa. According to this MEMS device, it is possible to suppress the generation of stress due to the resin and reduce the influence on the characteristics of the MEMS element.
本発明によれば、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を小さくすることのできるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can manufacture with a simple manufacturing method and can provide the manufacturing method of the MEMS device which can reduce the influence on the characteristic of a MEMS element, and a MEMS device.
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明のＭＥＭＳデバイス及びその製造方法は、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態及び後述する実施例で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The MEMS device and the manufacturing method thereof according to the present invention are not construed as being limited to the description of the embodiments and examples shown below. Note that the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in the drawings referred to in the embodiment modes and embodiments described later, and the repetitive description thereof may be omitted.
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの構成について図１を参照して説明する。図１は、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの概略構成を示す図であり、（ａ）はＭＥＭＳデバイスの断面図であり、（ｂ）はＭＥＭＳデバイスの上面図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）に示したＡ１−Ａ１´線の断面図である。
(First embodiment)
The configuration of the MEMS device according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of the MEMS device according to the first embodiment, wherein (a) is a cross-sectional view of the MEMS device, and (b) is a top view of the MEMS device. 1A is a cross-sectional view taken along line A1-A1 ′ shown in FIG.
図１を参照すると、ＭＥＭＳデバイス１００は、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、配線１０５ａ、１０５ｂ、ケース１０６、及び封止材１０７を含む。 Referring to FIG. 1, the MEMS device 100 includes a substrate 101, a control IC 102, a MEMS element 103, a lid member 104, wirings 105 a and 105 b, a case 106, and a sealing material 107.
基板１０１は、配線を有する。基板１０１は、また、有機材料を含む基板であってもよい。図１においては、基板１０１を１つの層として図示しているが、多層構造のプリント配線基板であってもよい。例えば、３層構造のプリント配線基板であってもよい。３層構造である場合、基板１０１は、導電物質を含む配線層、絶縁物質を含む絶縁層、及び導電物質を含む配線層を有する。導電物質とは、金属などであり、例えば、銅、銀、金、ニッケル、パラジウムなどを用いることができる。絶縁物質には、絶縁性樹脂を用いる。例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリアセタール、ポリカーボネートなどを用いることができる。上記樹脂は、単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記樹脂に、ガラス、タルク、シリカなどの無機フィラーを併用して用いてもよい。しかしこれに限定されず、基板１０１の層は３層以下であってもよく、３層以上であってもよい。 The substrate 101 has wiring. The substrate 101 may also be a substrate containing an organic material. In FIG. 1, the substrate 101 is illustrated as one layer, but a printed wiring board having a multilayer structure may be used. For example, a printed wiring board having a three-layer structure may be used. In the case of a three-layer structure, the substrate 101 includes a wiring layer containing a conductive material, an insulating layer containing an insulating material, and a wiring layer containing a conductive material. The conductive substance is a metal or the like, and for example, copper, silver, gold, nickel, palladium, or the like can be used. An insulating resin is used as the insulating material. For example, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, silicone resin, polyester, polyacetal, polycarbonate, or the like can be used. The resin may be used alone or in combination of two or more resins. Further, an inorganic filler such as glass, talc, or silica may be used in combination with the resin. However, the present invention is not limited to this, and the number of layers of the substrate 101 may be three or less, or three or more.
基板１０１上には制御ＩＣ１０２が配置され、制御ＩＣ１０２上にはＭＥＭＳ素子１０３が配置される。制御ＩＣ１０２は、ＭＥＭＳ素子１０３を制御するために用いられるが、ＭＥＭＳ素子１０３からの信号を増幅するなど、ＭＥＭＳ素子１０３から出力される信号を処理するものであってもよい。また、ＭＥＭＳ素子１０３から出力される信号の処理以外の処理を行うものであってもよい。図１に図示したように、基板１０１と制御ＩＣ１０２とは、配線１０５ｂにより電気的に接続される。また、制御ＩＣ１０２とＭＥＭＳ素子１０３とは、配線１０５ａにより電気的に接続される。なお、制御ＩＣ１０２とＭＥＭＳ素子１０３又は基板１０１とが金属バンプ等を介して接続されてもよく、この場合には、配線１０５ａ、１０５ｂを不要とすることができる。 A control IC 102 is disposed on the substrate 101, and a MEMS element 103 is disposed on the control IC 102. The control IC 102 is used to control the MEMS element 103, but may process a signal output from the MEMS element 103 such as amplifying a signal from the MEMS element 103. Further, processing other than processing of a signal output from the MEMS element 103 may be performed. As shown in FIG. 1, the substrate 101 and the control IC 102 are electrically connected by the wiring 105b. Further, the control IC 102 and the MEMS element 103 are electrically connected by a wiring 105a. Note that the control IC 102 and the MEMS element 103 or the substrate 101 may be connected via a metal bump or the like. In this case, the wirings 105a and 105b can be omitted.
ＭＥＭＳ素子１０３は、加速度センサ、角速度センサ、圧力センサ等の、静電、ピエゾ、圧電、流体等を検出方式とするＭＥＭＳセンサや、ＭＥＭＳミラー等を含み、ＭＥＭＳ素子全般を示すものである。なお、本願では、一例として、支持部と、支持部に対して変位する可動部とを含む力学量センサである場合を以下に説明する。この場合、ＭＥＭＳ素子１０３の可動部は外力に応じて変位し、可動部の変位が加速度あるいは角速度等を示す電気信号の変化として検出される。しかし、これに限定されず、他の多様なＭＥＭＳ素子が適用されてもよい。 The MEMS element 103 includes MEMS sensors that detect electrostatic, piezo, piezoelectric, fluid, etc., such as an acceleration sensor, an angular velocity sensor, and a pressure sensor, a MEMS mirror, and the like, and shows all MEMS elements. In addition, in this application, the case where it is a dynamic quantity sensor containing a support part and a movable part displaced with respect to a support part as an example is demonstrated below. In this case, the movable part of the MEMS element 103 is displaced according to an external force, and the displacement of the movable part is detected as a change in an electric signal indicating acceleration or angular velocity. However, the present invention is not limited to this, and various other MEMS elements may be applied.
図１に示したＭＥＭＳ素子１０３の構成例について、図２及び図３を参照して説明する。図２は、ＭＥＭＳデバイス１００に含まれるＭＥＭＳ素子１０３の一例を示す断面図であり、図３は、図２に示したＭＥＭＳ素子１０３の上面を示す平面図である。なお、図２は、図３に示したＭＥＭＳデバイス１００のＡ２−Ａ２´線の断面図である。 A configuration example of the MEMS element 103 illustrated in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of the MEMS element 103 included in the MEMS device 100, and FIG. 3 is a plan view illustrating the top surface of the MEMS element 103 illustrated in FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A2-A2 ′ of the MEMS device 100 shown in FIG.
図２を参照すると、ＭＥＭＳデバイス１００に含まれるＭＥＭＳデバイスは、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂを含む。また、図２に図示したように、ＭＥＭＳ素子１０３は、可動部１０３ａ、錘部１０３ｂ、及び支持部１０３ｃを含み、図３に図示したように、ピエゾ抵抗素子１２１を有する加速度センサであってもよい。 Referring to FIG. 2, the MEMS device included in the MEMS device 100 includes a substrate 101, a control IC 102, a MEMS element 103, a lid member 104, and wirings 105a and 105b. 2, the MEMS element 103 includes a movable part 103a, a weight part 103b, and a support part 103c, and may be an acceleration sensor having a piezoresistive element 121 as shown in FIG. Good.
図２及び図３を参照して、ＭＥＭＳ素子１０３の動作を簡単に説明する。ＭＥＭＳ素子１０３に外力が加わると、ＭＥＭＳ素子１０３の錘部１０３ｂが変位し、この変位に伴って可動部１０３ａが撓む。可動部１０３ａが撓むと、可動部１０３ａに配置されたピエゾ抵抗素子１２１に力が加わり、ピエゾ抵抗素子１２１の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を検出して、ＭＥＭＳ素子１０３に加えられた外力、例えば、加速度の大きさ、方向などを検出する。ＭＥＭＳ素子１０３からの信号は、ピエゾ抵抗素子１２１に接続されている配線１２２に接続された外部接続端子１２０から配線１０５ａ、１０５ｂを通じて外部に伝達される。 The operation of the MEMS element 103 will be briefly described with reference to FIGS. When an external force is applied to the MEMS element 103, the weight part 103b of the MEMS element 103 is displaced, and the movable part 103a is bent along with this displacement. When the movable portion 103a bends, a force is applied to the piezoresistive element 121 disposed in the movable portion 103a, and the resistance value of the piezoresistive element 121 changes. This change in resistance value is detected to detect an external force applied to the MEMS element 103, for example, the magnitude and direction of acceleration. A signal from the MEMS element 103 is transmitted to the outside through the wirings 105 a and 105 b from the external connection terminal 120 connected to the wiring 122 connected to the piezoresistive element 121.
ＭＥＭＳ素子１０３の上面には、支持部１０３ｃに固定され、可動部１０３ａと錘部１０３ｂとを覆う蓋部材１０４が配置されてもよい。蓋部材１０４は、ＭＥＭＳ素子１０３が可動部１０３ａの微小な変位を検出することから、ＭＥＭＳ素子１０３の上部を保護するために配置され、可動部１０３ａの上方向への過大な変位を制限し、破損を防止する。従って、蓋部材１０４にはある程度の強度が必要とされる。例えば、蓋部材１０４は、シリコン基板、セラミック基板、絶縁性樹脂基板、金属板等で形成されてもよい。また、図１に示すＭＥＭＳ素子１０３は可動部を基板１０１側に向けて配置することも可能である（フリップチップ配置）。この場合、ＭＥＭＳ素子１０３の基板１０１側面及び基板１０１の反対側面に蓋部材１０４が配置されるようにしてもよい。ＭＥＭＳ素子１０３は可動部を基板１０１側に向けて配置する場合、ＭＥＭＳ素子１０３と基板１０１又は制御ＩＣ１０２とを配線１０５ａ、１０５ｂで接続する代わりに、金属バンプ等を介して接続するようにしてもよい。 On the upper surface of the MEMS element 103, a lid member 104 that is fixed to the support portion 103c and covers the movable portion 103a and the weight portion 103b may be disposed. The lid member 104 is arranged to protect the upper part of the MEMS element 103 from the MEMS element 103 detecting a minute displacement of the movable part 103a, and restricts an excessive displacement in the upward direction of the movable part 103a. Prevent damage. Therefore, the lid member 104 needs a certain strength. For example, the lid member 104 may be formed of a silicon substrate, a ceramic substrate, an insulating resin substrate, a metal plate, or the like. Further, the MEMS element 103 shown in FIG. 1 can be arranged with the movable part facing the substrate 101 (flip chip arrangement). In this case, the lid member 104 may be disposed on the side surface of the substrate 101 of the MEMS element 103 and the opposite side surface of the substrate 101. When the MEMS element 103 is arranged with the movable part facing the substrate 101 side, the MEMS element 103 and the substrate 101 or the control IC 102 may be connected via metal bumps or the like instead of being connected by the wirings 105a and 105b. Good.
このように、基板１０１上に、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂが配置される。 As described above, the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b are arranged on the substrate 101.
以下、図１及び図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００の構成を、製造方法とともに説明する。図４は、図１に示したＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）に、基板上に形成されたＭＥＭＳ素子を示す断面図、（ｂ）に、ＭＥＭＳ素子をケースにより覆う工程を説明するための断面図、（ｃ）に、基板とケースとを固定させる封止材の形成工程を説明するための断面図を示す。 Hereinafter, the configuration of the MEMS device 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 4 together with the manufacturing method. 4A and 4B are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the MEMS device shown in FIG. 1, wherein FIG. 4A is a cross-sectional view showing a MEMS element formed on a substrate, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing the MEMS element. Sectional drawing for demonstrating the process covered with a case, (c) shows sectional drawing for demonstrating the formation process of the sealing material which fixes a board | substrate and a case.
まず、図４（ａ）に図示したように、基板１０１上には、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂが配置される。次に、図４（ｂ）に図示したように、図４（ａ）に図示した制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂを覆って、基板１０１上には、ケース１０６が配置される。 First, as illustrated in FIG. 4A, the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105 a and 105 b are disposed on the substrate 101. Next, as shown in FIG. 4B, the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b shown in FIG. Is placed.
ケース１０６は、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂが収納される中空な空間を有する枡状の形状を有する。ケース１０６は、図示したように、四角形の枡状の形状を有してもよいが、半球をくり抜いたような形状や、角が面取りされたラウンド形状を有するように形成してもよい。角部を有さないことにより、応力を分散させ、ケース１０６を破損し難い形状とすることができる。ケース１０６の内側の高さ（枡形状を有するケース１０６の内側の深さ）は、基板１０１から蓋部材１０４の上面までの高さに５０μｍ以下の値を加えた高さであることが望ましい。これよりもケース１０６の内側の高さが大きくなると、ケース１０６の内面と蓋部材１０４との間隙が大きくなり、ＭＥＭＳデバイス１００の高さが過大となり、低背化が困難となるからである。ケース１０６は、樹脂、金属、セラミック、シリコーン等の材料を用いて、モールド成形等により形成されてもよい。また、ケースが金属性であれば、金属絞り加工によりケースを成形してもよい。なお、ケース１０６に用いられる材料は、基板１０１に用いられる材料との熱膨張係数差が、±５ｐｐｍ以内であることが望ましい。これにより、熱応力によるクラック等の発生を防ぐことができる。ケース１０６は、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の接着剤等を用いて、基板１０１に固定されてもよい。 The case 106 has a bowl-like shape having a hollow space in which the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b are accommodated. As illustrated, the case 106 may have a quadrangular bowl shape, but may be formed to have a shape in which a hemisphere is hollowed out or a round shape in which corners are chamfered. By not having the corners, the stress can be dispersed and the case 106 can be formed into a shape that is not easily damaged. The inner height of case 106 (the inner depth of case 106 having a bowl shape) is desirably a height obtained by adding a value of 50 μm or less to the height from substrate 101 to the upper surface of lid member 104. If the height inside the case 106 becomes larger than this, the gap between the inner surface of the case 106 and the lid member 104 becomes large, the height of the MEMS device 100 becomes excessive, and it is difficult to reduce the height. The case 106 may be formed by molding or the like using a material such as resin, metal, ceramic, or silicone. If the case is metallic, the case may be formed by metal drawing. Note that the material used for the case 106 preferably has a difference in thermal expansion coefficient within ± 5 ppm from the material used for the substrate 101. Thereby, generation | occurrence | production of the crack by a thermal stress, etc. can be prevented. The case 106 may be fixed to the substrate 101 using an adhesive such as a silicone resin or an epoxy resin.
次に、図４（ｃ）に図示したように、基板１０１とケース１０６とが接触又は近接する位置１０６−１に、封止材１０７が配置される。封止材１０７は、ケース１０６の上面を全て覆わないものとする。なお、ケース１０６の上面とは、ケース１０６を基板１０１に配置した場合に、基板１０１を上下関係の基準にしたときのケース１０６の上の面である。ケース１０６の上面を封止材１０７で覆わないことにより、基板１０１とケース１０６とを固定しつつケース１０６に対する封止材１０７による応力を軽減することができ、ＭＥＭＳデバイス１００自体の軽量化も可能となる。また、封止材１０７は、ケース１０６と基板１０１とが接触又は近接する位置１０６−１を封止することにより、ケース１０６内部に外部から水分が混入することを防ぐ。これにより、封止材１０７は、配線１０５ａ、１０５ｂ等を含むＭＥＭＳデバイス１００の電極部分が腐食することを防ぐことができる。なお、封止材１０７には、一般的な樹脂材料を用いてもよい。また、封止材１０７は、ケース１０６と基板１０１とを固定するように配置されるものであれば、図１及び図４（ｃ）に図示した形状に限定されない。 Next, as illustrated in FIG. 4C, the sealing material 107 is disposed at a position 106-1 where the substrate 101 and the case 106 are in contact with or close to each other. The sealing material 107 does not cover the entire upper surface of the case 106. Note that the upper surface of the case 106 is an upper surface of the case 106 when the case 106 is disposed on the substrate 101 and the substrate 101 is used as a reference for the vertical relationship. By not covering the upper surface of the case 106 with the sealing material 107, the stress caused by the sealing material 107 on the case 106 can be reduced while fixing the substrate 101 and the case 106, and the MEMS device 100 itself can be reduced in weight. It becomes. Further, the sealing material 107 seals the position 106-1 where the case 106 and the substrate 101 are in contact with each other or close to each other, thereby preventing moisture from entering the case 106 from the outside. Thereby, the sealing material 107 can prevent the electrode part of the MEMS device 100 including the wirings 105a and 105b and the like from being corroded. Note that a general resin material may be used for the sealing material 107. Further, the sealing material 107 is not limited to the shape illustrated in FIGS. 1 and 4C as long as it is disposed so as to fix the case 106 and the substrate 101.
封止材１０７は、ケース１０６内に外部から水分が混入することを防止するため、吸水性の低い樹脂材料を用いることが望ましく、基板１０１上に封止材１０７が配置されるので、封止材１０７は、絶縁性を有することが望ましい。吸水性の低い樹脂材料は、種々の材料の吸水率に基づいて考察すると次のようになる。吸水率の測定条件の一例として、温度８５°Ｃ、湿度８５％ＲＨの恒温室内で樹脂を保存し、その保存前と７２時間保存後の樹脂の質量変化を測定し、樹脂の質量に占める割合から求めることができる。この測定条件を用いて、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂の各吸水率を測定すると、シリコーン系樹脂の吸水率は０．０２％、アクリル系樹脂の吸水率は０．６８％、エポキシ系樹脂の吸水率は１．０％、ポリイミド系樹脂の吸水率は０．１２％、ウレタン系樹脂の吸水率は０．６％であった。したがって、封止材１０７としては、シリコーン系樹脂を選択することが望ましい。 As the sealing material 107, it is desirable to use a resin material with low water absorption in order to prevent moisture from entering the case 106 from the outside. Since the sealing material 107 is disposed on the substrate 101, the sealing material 107 is sealed. The material 107 desirably has an insulating property. A resin material with low water absorption is as follows when considered based on the water absorption rate of various materials. As an example of water absorption measurement conditions, the resin is stored in a constant temperature room at a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% RH, and the change in the mass of the resin before and after storage for 72 hours is measured, and the ratio of the resin to the mass Can be obtained from Using these measurement conditions, the water absorption rate of each of the silicone resin, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, and urethane resin was measured. The water absorption rate of the silicone resin was 0.02%. The water absorption was 0.68%, the water absorption of the epoxy resin was 1.0%, the water absorption of the polyimide resin was 0.12%, and the water absorption of the urethane resin was 0.6%. Therefore, it is desirable to select a silicone resin as the sealing material 107.
このような樹脂を用いた封止材１０７として、曲げ弾性率は、０．１ＭＰａ以上５ＧＰａ以下であることが望ましい。なお、曲げ弾性率は、ＪＩＳ Ｋ６９１１規格に基づいて測定したものとする。曲げ弾性率が５ＧＰａ以下の樹脂材料であれば、発泡体１０６が硬化収縮する際の応力の発生を抑え、蓋部材１０４に反りが発生すること等を防止することができる。しかし、曲げ弾性率が０．１ＭＰａ未満である場合には、吸水性が大きくなり、電極パッド等の酸化防止効果が低下する虞がある。また、流動性が高まることにより、耐衝撃性や強度の面において、発泡体の効果が低下する虞がある。従って、曲げ弾性率が、０．１ＭＰａ以上５ＧＰａ以下の樹脂を選択することが望ましい。 As the sealing material 107 using such a resin, the flexural modulus is desirably 0.1 MP a more 5GPa less. The flexural modulus is measured based on JIS K6911 standard. If the bending elastic modulus is a resin material of 5 GPa or less, it is possible to suppress the generation of stress when the foam 106 is cured and contracted, and to prevent the lid member 104 from warping. However, when the flexural modulus is less than 0.1 MPa, the water absorption is increased, and the antioxidant effect of the electrode pad and the like may be reduced. Moreover, when fluidity | liquidity increases, there exists a possibility that the effect of a foam may fall in terms of impact resistance or intensity | strength. Therefore, it is desirable to select a resin having a flexural modulus of 0.1 MPa or more and 5 GPa or less.
また、封止材１０７は、樹脂を発泡させた発泡体であってもよい。例えば、熱処理により発泡させた樹脂の発泡体であってもよく、他の多様な発泡方法により形成されたものであってもよい。 Further, the sealing material 107 may be a foamed body obtained by foaming a resin. For example, it may be a foam of a resin foamed by heat treatment, or may be formed by other various foaming methods.
封止材１０７を発泡体とする場合には、発泡体は独立気泡構造、連続気泡構造のいずれであってもよいが、ＭＥＭＳデバイス１００内に水分が混入することを防ぐため、独立気泡構造とすることが好ましい。独立気泡構造の封止材１０７によれば、樹脂の応力を気泡により分散させることもでき、衝撃吸収材として耐衝撃性を向上させることもできる。また、独立気泡構造であることにより、断熱効果が期待でき、温度によるＭＥＭＳデバイス特性への影響も低減させることができる。 When the sealing material 107 is a foam, the foam may have either a closed cell structure or an open cell structure, but in order to prevent moisture from being mixed into the MEMS device 100, It is preferable to do. According to the sealing material 107 having the closed cell structure, the stress of the resin can be dispersed by the bubbles, and the impact resistance can be improved as an impact absorbing material. Moreover, since it has a closed cell structure, a heat insulation effect can be expected, and the influence of the temperature on the MEMS device characteristics can be reduced.
封止材１０７が発泡体である場合には、気泡密度は、１０７個／ｃｍ３以上１０１０個／ｃｍ３以下であることが望ましい。気泡密度が、１０７個／ｃｍ３より小さいと、ひずみを吸収し難くなり、また気泡密度が１０１０個／ｃｍ３より大きいと、強度が不足する虞があるからである。なお、気泡密度は、封止材１０７の破断面を走査型電子顕微鏡により観察して算出したものである。また、封止材１０７の硬度としては、アスカーＣ硬度計で測定したとき、アスカーＣ硬度で５以上３０以下であることが望ましい。アスカーＣ硬度が５より小さいと、変形し易く強度不足となり、またアスカーＣ硬度が３０より大きいと、応力が大きくなる虞があるからである。 In the case where the sealing material 107 is a foam, the cell density is desirably 10 7 / cm 3 or more and 10 10 / cm 3 or less. This is because if the bubble density is less than 10 7 cells / cm 3 , it is difficult to absorb the strain, and if the bubble density is greater than 10 10 cells / cm 3 , the strength may be insufficient. The bubble density is calculated by observing the fracture surface of the sealing material 107 with a scanning electron microscope. Moreover, as the hardness of the sealing material 107, when measured with an Asker C hardness meter, the Asker C hardness is preferably 5 or more and 30 or less. This is because if the Asker C hardness is less than 5, deformation is likely to be insufficient, and if the Asker C hardness is greater than 30, the stress may increase.
以上のように、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００は、上述したケース１０６及び封止材１０７により基板１０１上のＭＥＭＳ素子１０３を封止することにより形成される。 As described above, the MEMS device 100 according to the first embodiment is formed by sealing the MEMS element 103 on the substrate 101 with the case 106 and the sealing material 107 described above.
なお、複数のＭＥＭＳ素子１０３が基板１０１上に配置される場合には、ケース１０６及び封止材１０７によりＭＥＭＳ素子１０３を封止した後、ダイシングブレード等により切断して個片化される。これにより、図１に示したＭＥＭＳデバイス１００が形成される。 When a plurality of MEMS elements 103 are arranged on the substrate 101, the MEMS elements 103 are sealed with a case 106 and a sealing material 107, and then cut into pieces by a dicing blade or the like. Thereby, the MEMS device 100 shown in FIG. 1 is formed.
上述したＭＥＭＳデバイス１００によれば、ケース１０６により基板１０１上の制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂを覆った後、樹脂を用いた封止材１０７でケース１０６と基板１０１とを固定することにより、ＭＥＭＳ素子１０３に対して生じる応力を低減することができる。これにより、ＭＥＭＳ素子１０３の検出精度に及ぼす影響を小さくすることができる。また、基板１０１とケース１０６とが接触又は近接する位置１０６−１を封止材１０７で封止するため、ケース１０６内に水分が混入することを防ぐことができる。さらに、封止材１０７に樹脂の発泡体を用いた場合には、封止材１０７が衝撃吸収材として機能するため、ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性を向上させる効果を期待でき、外部環境の温度や湿度の影響を受けにくく、厳しい環境下であっても安定した動作を実現できるという効果を期待できる。また、ケース１０６は、封止材１０７を用いて基板１０１に固定されるので、ケース１０６により基板１０１上の制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂを覆ったときにケース１０６と基板１０１との間に多少の隙間があってもよい。したがって、ケース１０６の加工に高精度は要求されない。このように、本発明の第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００によれば、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子１０３の特性への影響を小さくすることができる。 According to the MEMS device 100 described above, after covering the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b on the substrate 101 with the case 106, the case 106 and the substrate are covered with the sealing material 107 using resin. By fixing 101, stress generated on the MEMS element 103 can be reduced. Thereby, the influence which it has on the detection accuracy of the MEMS element 103 can be reduced. Further, since the position 106-1 where the substrate 101 and the case 106 are in contact with or close to each other is sealed with the sealing material 107, it is possible to prevent moisture from entering the case 106. Furthermore, when a resin foam is used for the sealing material 107, the sealing material 107 functions as an impact absorbing material, so that the effect of improving the impact resistance of the MEMS element can be expected. It is less affected by humidity and can be expected to achieve stable operation even in harsh environments. In addition, since the case 106 is fixed to the substrate 101 using the sealing material 107, the case 106 covers the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b on the substrate 101. There may be a slight gap between 106 and the substrate 101. Therefore, high accuracy is not required for processing the case 106. Thus, according to the MEMS device 100 which concerns on the 1st Embodiment of this invention, it can manufacture with a simple manufacturing method and the influence on the characteristic of the MEMS element 103 can be made small.
また、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００の構成は、図１に示したものに限定されず、例えば、図５に示した構成であってもよい。 Further, the configuration of the MEMS device 100 according to the first embodiment is not limited to that illustrated in FIG. 1, and may be, for example, the configuration illustrated in FIG. 5.
図５は、図１に示したＭＥＭＳデバイス１００の他の例の概略構成を示す図であり、（ａ）はＭＥＭＳデバイスの断面図であり、（ｂ）はＭＥＭＳデバイスの上面図である。なお、図５（ａ）は、図５（ｂ）に示したＡ３−Ａ３´線の断面図である。 FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of another example of the MEMS device 100 shown in FIG. 1, (a) is a cross-sectional view of the MEMS device, and (b) is a top view of the MEMS device. FIG. 5A is a cross-sectional view taken along line A3-A3 ′ shown in FIG.
図５に図示したＭＥＭＳデバイス１１０は、図１に示す例と同様、基板１１１、制御ＩＣ１１２、ＭＥＭＳ素子１１３、蓋部材１１４、配線１１５ａ、１１５ｂ、ケース１１６、及び封止材１１７を含む。図５に示すＭＥＭＳデバイス１１０は、基板１１１に制御ＩＣ１１２とＭＥＭＳ素子１１３とが横に並んで配置されている点において、図１に示すＭＥＭＳデバイス１００と構成が異なる。図５に示すように、基板１１１と制御ＩＣ１１２とは、配線１１５ｂにより電気的に接続される。また、制御ＩＣ１１２とＭＥＭＳ素子１１３とは、配線１１５ａにより電気的に接続される。なお、本実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１１０において、基板１１１と制御ＩＣ１１２との配置の仕方は図５に示す形態に限定されるわけではなく、如何なる配置形態を採用してもよい。図１に示すＭＥＭＳ素子１０３と同様に、図５に示すＭＥＭＳ素子１１３についても、可動部を基板１１１側に向けて配置することも可能である。 The MEMS device 110 illustrated in FIG. 5 includes a substrate 111, a control IC 112, a MEMS element 113, a lid member 114, wirings 115a and 115b, a case 116, and a sealing material 117, as in the example illustrated in FIG. The MEMS device 110 shown in FIG. 5 is different from the MEMS device 100 shown in FIG. 1 in that a control IC 112 and a MEMS element 113 are arranged side by side on a substrate 111. As shown in FIG. 5, the substrate 111 and the control IC 112 are electrically connected by a wiring 115b. The control IC 112 and the MEMS element 113 are electrically connected by a wiring 115a. In the MEMS device 110 according to the present embodiment, the arrangement of the substrate 111 and the control IC 112 is not limited to the form shown in FIG. 5, and any arrangement form may be adopted. Similar to the MEMS element 103 shown in FIG. 1, the movable part of the MEMS element 113 shown in FIG. 5 can be arranged toward the substrate 111 side.
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの構成について図６及び図７を参照して説明する。
(Second Embodiment)
Next, the configuration of the MEMS device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
図６は、本発明の第２の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス２００の概略構成を示す図であり、（ａ）はＭＥＭＳデバイスの断面図であり、（ｂ）はＭＥＭＳデバイスの上面図である。なお、図６（ａ）は、図６（ｂ）に示したＢ１−Ｂ１´線の断面図である。
図７は、図６に示したＭＥＭＳデバイス２００の製造方法を説明するための断面図を示し、（ａ）に、基板上に形成されたＭＥＭＳ素子を示す断面図、（ｂ）に、ＭＥＭＳ素子を覆うケースの形成工程を説明するための断面図、（ｃ）に、基板とケースとを固定させる封止材の形成工程を説明するための断面図を示す。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a MEMS device 200 according to the second embodiment of the present invention, where (a) is a cross-sectional view of the MEMS device, and (b) is a top view of the MEMS device. . FIG. 6A is a cross-sectional view taken along line B1-B1 ′ shown in FIG.
7A and 7B are cross-sectional views for explaining a manufacturing method of the MEMS device 200 shown in FIG. 6, FIG. 7A is a cross-sectional view showing a MEMS element formed on a substrate, and FIG. 7B is a MEMS element. Sectional drawing for demonstrating the formation process of the case which covers A, and (c) shows sectional drawing for demonstrating the formation process of the sealing material which fixes a board | substrate and a case.
図６を参照すると、ＭＥＭＳデバイス２００は、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、配線１０５ａ、１０５ｂ、ケース２０６、及び封止材２０７を含む。図６に図示されたように、第２の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス２００は、ＭＥＭＳ素子１０３上に配置される蓋部材１０４を含まない点において、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００と構成が異なる。従って、以下、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、及び配線１０５ａ、１０５ｂについては、第１の実施の形態で説明した構成と同様であるため、説明については省略する。 Referring to FIG. 6, the MEMS device 200 includes a substrate 101, a control IC 102, a MEMS element 103, wirings 105 a and 105 b, a case 206, and a sealing material 207. As illustrated in FIG. 6, the MEMS device 200 according to the second embodiment does not include the lid member 104 disposed on the MEMS element 103, and thus the MEMS device 100 according to the first embodiment. And the configuration is different. Accordingly, hereinafter, the substrate 101, the control IC 102, the MEMS element 103, and the wirings 105a and 105b are the same as those described in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.
なお、第２の実施の形態に係るケース２０６は、第１の実施の形態に係るケース１０６と同様の形状を有し、同様の材料を用いて形成されてもよい。また、第２の実施の形態に係るケース２０６は、第１の実施の形態に係るケース１０６とは異なり、ＭＥＭＳ素子１０１が蓋部材１０４を上部に有さないことから、ケース２０６を蓋部材１０４と同様に機能させる必要がある。このため、ケース２０６の内側の高さは、基板１０１からＭＥＭＳ素子１０３の上面までの高さに５０μｍ以下の値を加えた高さとし、ケース２０６をＭＥＭＳ素子１０３の過度な変位を制限するストッパとして機能させることが望ましい。このように、第２の実施の形態に係るケース２０６は、ＭＥＭＳデバイス２００が蓋部材１０４を含まないことから、第１の実施の形態に係るケース１０６と比較して低背化することができるため、ＭＥＭＳデバイス２００自体を小型化することも可能となる。 The case 206 according to the second embodiment has the same shape as the case 106 according to the first embodiment, and may be formed using the same material. Further, unlike the case 106 according to the first embodiment, the case 206 according to the second embodiment is different from the case 106 according to the first embodiment in that the MEMS element 101 does not have the lid member 104 on the upper side. Need to function as well. For this reason, the inner height of the case 206 is set to a height obtained by adding a value of 50 μm or less to the height from the substrate 101 to the upper surface of the MEMS element 103, and the case 206 is used as a stopper for limiting excessive displacement of the MEMS element 103. It is desirable to make it function. As described above, the case 206 according to the second embodiment can be reduced in height as compared with the case 106 according to the first embodiment because the MEMS device 200 does not include the lid member 104. Therefore, the MEMS device 200 itself can be downsized.
以下、ＭＥＭＳデバイス２００の製造方法について説明する。まず、図７（ａ）に図示したように、基板１０１上には、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、及び配線１０５ａ、１０５ｂが配置される。次に、図７（ｂ）に図示したように、ＭＥＭＳ素子１０３及び制御ＩＣ１０２を覆って、基板１０１上にはケース２０６が配置される。 Hereinafter, a method for manufacturing the MEMS device 200 will be described. First, as illustrated in FIG. 7A, the control IC 102, the MEMS element 103, and the wirings 105 a and 105 b are disposed on the substrate 101. Next, as illustrated in FIG. 7B, a case 206 is disposed on the substrate 101 so as to cover the MEMS element 103 and the control IC 102.
次に、図７（ｃ）に図示したように、基板１０１とケース２０６とが接触又は近接する位置２０７−１に、封止材２０７が配置される。封止材２０７は、第１の実施の形態に係る封止材１０６と同様の材料を用いて形成されてもよく、封止材１０７と同様にケース１０６の上面を覆わないことが望ましい。また、封止材２０７の形状は、図１及び図５に図示した封止材１０７、１１７の形状と異なり、図６及び図７（ｃ）に図示したように、ケース２０６の高さよりも低い位置に封止材２０７が形成されてもよい。なお、封止材２０７は、基板１０１とケース２０６とが接触又は近接する位置２０７−１を封止するものであればよい。 Next, as illustrated in FIG. 7C, the sealing material 207 is disposed at a position 207-1 where the substrate 101 and the case 206 are in contact with or close to each other. The sealing material 207 may be formed using the same material as the sealing material 106 according to the first embodiment, and it is desirable not to cover the upper surface of the case 106 like the sealing material 107. Also, the shape of the sealing material 207 is different from the shapes of the sealing materials 107 and 117 shown in FIGS. 1 and 5, and is lower than the height of the case 206 as shown in FIGS. 6 and 7C. A sealing material 207 may be formed at the position. In addition, the sealing material 207 should just seal the position 207-1 which the board | substrate 101 and case 206 contact or adjoin.
以上のように、第２の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス２００が形成される。このような構成を有するＭＥＭＳデバイス２００によれば、ケース２０６によりＭＥＭＳ素子１０３を覆った後、樹脂を用いた封止材２０７でケース２０６と基板１０１とを固定するので、ＭＥＭＳ素子１０３に対して生じる応力を低減することができる。また、ケース２０６の上面に封止材２０７が配置されないことからケース２０６の上面を歪ませることなく、ＭＥＭＳ素子１０３の可動部の可動範囲をほぼ一定に確保することができる。これにより、ＭＥＭＳ素子１０３の検出精度に及ぼす影響を小さくすることができる。また、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００と比較して、ＭＥＭＳ素子１０３上に蓋部材１０４を配置せずとも、ケース２０６を蓋部材１０４として機能させることができるため、製造工程を簡略化でき、且つケース２０６を低背化することができるため、ＭＥＭＳデバイス２００を小型化することも可能となる。このように、本発明の第２の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス２００によれば、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子１０３の特性への影響を小さくすることができる。 As described above, the MEMS device 200 according to the second embodiment is formed. According to the MEMS device 200 having such a configuration, after covering the MEMS element 103 with the case 206, the case 206 and the substrate 101 are fixed with the sealing material 207 using resin. The generated stress can be reduced. In addition, since the sealing material 207 is not disposed on the upper surface of the case 206, the movable range of the movable portion of the MEMS element 103 can be ensured substantially constant without distorting the upper surface of the case 206. Thereby, the influence which it has on the detection accuracy of the MEMS element 103 can be reduced. Further, as compared with the MEMS device 100 according to the first embodiment, since the case 206 can function as the lid member 104 without arranging the lid member 104 on the MEMS element 103, the manufacturing process is simplified. Since the case 206 can be reduced in height, the MEMS device 200 can be downsized. As described above, the MEMS device 200 according to the second embodiment of the present invention can be manufactured by a simple manufacturing method, and the influence on the characteristics of the MEMS element 103 can be reduced.
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの構成について図８及び図９を参照して説明する。
(Third embodiment)
Next, the configuration of the MEMS device according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
図８は本発明の第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００の概略構成を示す図であり、（ａ）はＭＥＭＳデバイス３００の断面図であり、（ｂ）はＭＥＭＳデバイス３００の上面図である。なお、図８（ａ）は、図８（ｂ）に示したＣ１−Ｃ１´線の断面図である。図９は、図８に示したＭＥＭＳデバイス３００の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）に、基板上に形成されたＭＥＭＳ素子を示す断面図、（ｂ）に、ＭＥＭＳ素子上の蓋部材の上面に凸部材が配置された状態を示す断面図、（ｃ）に、凸部材を介して配置されるケースの形成工程を説明するための断面図、（ｄ）に、基板とケースとを固定させる封止材の形成工程を説明するための断面図を示す。 FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of a MEMS device 300 according to the third embodiment of the present invention, where (a) is a cross-sectional view of the MEMS device 300, and (b) is a top view of the MEMS device 300. is there. FIG. 8A is a cross-sectional view taken along the line C1-C1 ′ shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the MEMS device 300 shown in FIG. 8, wherein (a) is a cross-sectional view showing a MEMS element formed on a substrate, and (b) is a MEMS element. Sectional drawing which shows the state by which the convex member is arrange | positioned on the upper surface of an upper cover member, (c) is sectional drawing for demonstrating the formation process of the case arrange | positioned via a convex member, (d) is a board | substrate Sectional drawing for demonstrating the formation process of the sealing material which fixes a case and a case is shown.
図８を参照すると、ＭＥＭＳデバイス３００は、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、配線１０５ａ、１０５ｂ、ケース３０６、封止材３０７、及び凸部材３０８を含む。第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００は、基板１０１上に形成された制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂについては、図１に図示された第１の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス１００と同様の構成を有する。従って、以下、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂについては、第１の実施の形態で説明した構成と同様であるため、説明については省略する。 Referring to FIG. 8, the MEMS device 300 includes a substrate 101, a control IC 102, a MEMS element 103, a lid member 104, wirings 105a and 105b, a case 306, a sealing material 307, and a convex member 308. The MEMS device 300 according to the third embodiment includes the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b formed on the substrate 101 in the first embodiment illustrated in FIG. It has the same configuration as the MEMS device 100 according to the embodiment. Therefore, hereinafter, the substrate 101, the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b are the same as those described in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.
以下、ＭＥＭＳデバイス３００の製造方法について説明する。まず、図９（ａ）に図示したように、基板１０１上には、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂが配置される。 Hereinafter, a method for manufacturing the MEMS device 300 will be described. First, as illustrated in FIG. 9A, the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105 a and 105 b are arranged on the substrate 101.
次に、図９（ｂ）に図示したように、蓋部材１０４の上面には、凸部材３０８が配置される。ここで、凸部材３０８は、蓋部材１０４の上部とケース３０６との間の空間を確保するために配置されるものである。凸部材３０８は、樹脂、金属、セラミック、シリコーン等を材料として、一般的な印刷方法やディスペンサ等を用いて蓋部材１０４上に塗布して硬化させ、凸状に形成される。凸部材３０８は、例えば、蓋部材１０４の上面の４隅に凸状に形成されてもよく、上面の縁部に沿って形成されてもよい。なお、凸部材３０８は、後述する工程において凸部材３０８上に形成されるケース３０６と蓋部材１０４とを接合し、蓋部材１０４の上部とケース３０６の内側との間の空間を安定して維持できるものであれば、上述した形状に限定されない。また、凸部材３０８の高さについても、仕様に応じて、蓋部材１０４の上部とケース３０６の内側との間の空間を維持可能な値に設定すればよく、例えば５μｍ以上５０μｍ以下とすればよい。また、凸部材３０８に用いられる材料は、蓋部材１０４及びケース３０６に用いられる材料との熱膨張係数差が±５ｐｐｍ以内であることが望ましい。これにより、クラック等を生じさせずに、ケース３０６と蓋部材１０４とを、凸部材３０８を介して固定させることが容易になる。なお、凸部材３０８の材料として樹脂を用いる場合には、樹脂中に無機フィラーやビーズを含めてもよい。これにより、凸部材３０８の高さの調整が容易となり、凸部材３０８の強度を強化させることができる。また、凸部材３０８は、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の接着剤等を用いて蓋部材１０４に接着されてもよい。 Next, as illustrated in FIG. 9B, the convex member 308 is disposed on the upper surface of the lid member 104. Here, the convex member 308 is disposed to secure a space between the upper portion of the lid member 104 and the case 306. The convex member 308 is formed in a convex shape by applying resin, metal, ceramic, silicone, or the like onto the lid member 104 using a general printing method or a dispenser and curing the material. For example, the convex member 308 may be formed in a convex shape at the four corners of the upper surface of the lid member 104 or may be formed along the edge of the upper surface. The convex member 308 joins the case 306 and the lid member 104 formed on the convex member 308 in a process described later, and stably maintains the space between the upper part of the lid member 104 and the inside of the case 306. If possible, the shape is not limited to the above-described shape. Further, the height of the convex member 308 may be set to a value that can maintain the space between the upper portion of the lid member 104 and the inside of the case 306 according to the specification. Good. Further, it is desirable that the material used for the convex member 308 has a difference in thermal expansion coefficient within ± 5 ppm from the materials used for the lid member 104 and the case 306. Thereby, it becomes easy to fix the case 306 and the lid member 104 via the convex member 308 without causing a crack or the like. In addition, when using resin as the material of the convex member 308, you may include an inorganic filler and bead in resin. As a result, the height of the convex member 308 can be easily adjusted, and the strength of the convex member 308 can be enhanced. The convex member 308 may be bonded to the lid member 104 using an adhesive such as a silicone resin or an epoxy resin.
次に、図９（ｃ）に図示したように、蓋部材１０４上に形成された凸部材３０８上に、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、及び蓋部材１０４を覆い、基板１０１上から距離ｄだけ離隔されたケース３０６が配置される。ケース３０６は、第１の実施の形態に係るケース１０６と同様の形状を有し、同様の材料を用いて形成されてもよい。また、ケース３０６は、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂等の接着剤等を用いて凸部材３０８に接着されてもよい。なお、基板１０１とケース３０６との距離ｄは、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。このように、基板１０１とケース３０６とが距離ｄだけ離隔して配置されることから、蓋部材１０４の上面からケース３０６の内面までの空間を維持するにあたり、ケース３０６の加工精度によらず、ケース３０６の内面に当接させる凸部材３０８の高さを調整することにより可能となる。 Next, as illustrated in FIG. 9C, the control IC 102, the MEMS element 103, and the lid member 104 are covered on the convex member 308 formed on the lid member 104, and separated from the substrate 101 by a distance d. The case 306 is arranged. The case 306 has the same shape as the case 106 according to the first embodiment, and may be formed using the same material. The case 306 may be bonded to the convex member 308 using an adhesive such as a polyimide resin or an epoxy resin. The distance d between the substrate 101 and the case 306 may be 5 μm or more and 50 μm or less. As described above, since the substrate 101 and the case 306 are spaced apart from each other by the distance d, in maintaining the space from the upper surface of the lid member 104 to the inner surface of the case 306, regardless of the processing accuracy of the case 306, This can be achieved by adjusting the height of the convex member 308 that contacts the inner surface of the case 306.
次に、図９（ｄ）に図示したように、基板１０１とケース３０６とが近接する位置３０７−１に、封止材３０７が配置される。封止材３０７は、基板１０１とケース３０６とが距離ｄだけ離隔した隙間を充填し、基板１０１とケース３０６とを固定するように配置される。なお、封止材３０７は、第１の実施の形態に係る封止材１０６と同様の材料を用いて形成されてもよく、封止材１０７と同様にケース３０６の上面を覆わないものとする。また、封止材３０７は、図８及び図９（ｄ）に図示した形状に限定されず、基板１０１とケース２０６とが接触又は近接する位置３０７−１を封止するものであればよい。 Next, as illustrated in FIG. 9D, the sealing material 307 is disposed at a position 307-1 where the substrate 101 and the case 306 are close to each other. The sealing material 307 is disposed so as to fill a gap in which the substrate 101 and the case 306 are separated by a distance d and to fix the substrate 101 and the case 306. The sealing material 307 may be formed using the same material as the sealing material 106 according to the first embodiment, and does not cover the upper surface of the case 306 like the sealing material 107. . Further, the sealing material 307 is not limited to the shape illustrated in FIGS. 8 and 9D, and may be any material that seals the position 307-1 where the substrate 101 and the case 206 are in contact with or close to each other.
以上のように、第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００が形成される。このような構成を有するＭＥＭＳデバイス３００によれば、ケース３０６により制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、及び配線１０５ａ、１０５ｂを覆った後、樹脂を用いた封止材３０７でケース３０６と基板１０１とを固定することにより、ＭＥＭＳ素子１０３に対して生じる応力を低減することができる。また、ケース３０６の加工精度によらず、ケース３０６の内面に当接させる凸部材３０８の高さを調整することで、蓋部材１０４の上部とケース３０６の内側との間の空間を維持することが可能となる。従って、本発明の第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００によれば、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子１０３の特性への影響を小さくすることができる。 As described above, the MEMS device 300 according to the third embodiment is formed. According to the MEMS device 300 having such a configuration, the case 306 covers the control IC 102, the MEMS element 103, the lid member 104, and the wirings 105a and 105b with the case 306, and then the case 306 and the substrate with the sealing material 307 using resin. By fixing 101, stress generated on the MEMS element 103 can be reduced. In addition, the space between the upper portion of the lid member 104 and the inside of the case 306 can be maintained by adjusting the height of the convex member 308 that contacts the inner surface of the case 306 regardless of the processing accuracy of the case 306. Is possible. Accordingly, the MEMS device 300 according to the third embodiment of the present invention can be manufactured by a simple manufacturing method, and the influence on the characteristics of the MEMS element 103 can be reduced.
また、第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００の構成は、図８に示したものに限定されず、例えば、図１０に示した構成であってもよい。 Further, the configuration of the MEMS device 300 according to the third embodiment is not limited to the configuration illustrated in FIG. 8, and may be the configuration illustrated in FIG. 10, for example.
図１０は、図８に示したＭＥＭＳデバイス３００の他の例の概略構成を示す図であり、（ａ）はＭＥＭＳデバイスの断面図であり、（ｂ）はＭＥＭＳデバイスの上面図である。なお、図８（ａ）は、図８（ｂ）に示したＣ２−Ｃ２´線の断面図である。 FIG. 10 is a diagram illustrating a schematic configuration of another example of the MEMS device 300 illustrated in FIG. 8, (a) is a cross-sectional view of the MEMS device, and (b) is a top view of the MEMS device. FIG. 8A is a cross-sectional view taken along the line C2-C2 ′ shown in FIG.
図１０に図示したＭＥＭＳデバイス３１０は、図８に示す例と同様、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、蓋部材１０４、配線１０５ａ、１０５ｂ、ケース３０６、及び封止材３０７を含む。ただし、図１０に示すＭＥＭＳデバイス３１０は、蓋部材１０４の上面とケース３０６の内面とを接触させて凸部材３０８を含まない点において、図８に図示したＭＥＭＳデバイス３００と構成が異なる。図１０に図示したＭＥＭＳデバイス３１０は、蓋部材１０４にＭＥＭＳ素子１０３の可動部の一定の可動範囲を確保させることにより、ＭＥＭＳ素子１０３の検出精度に及ぼす影響を小さくすることができる。また、ＭＥＭＳデバイス３１０によれば、蓋部材１０４の上面に凸部材３０８を形成しないことにより、図８に図示したＭＥＭＳデバイス３００と比較して、製造工程を簡略化し、ＭＥＭＳデバイス３１０を低背化して小型化することも可能となる。 A MEMS device 310 illustrated in FIG. 10 includes a substrate 101, a control IC 102, a MEMS element 103, a lid member 104, wirings 105a and 105b, a case 306, and a sealing material 307, as in the example illustrated in FIG. However, the MEMS device 310 shown in FIG. 10 is different from the MEMS device 300 shown in FIG. 8 in that the upper surface of the lid member 104 and the inner surface of the case 306 are brought into contact with each other and the convex member 308 is not included. The MEMS device 310 illustrated in FIG. 10 can reduce the influence on the detection accuracy of the MEMS element 103 by ensuring the lid member 104 has a certain movable range of the movable part of the MEMS element 103. Further, according to the MEMS device 310, by not forming the convex member 308 on the upper surface of the lid member 104, the manufacturing process is simplified and the height of the MEMS device 310 is reduced as compared with the MEMS device 300 illustrated in FIG. It is also possible to reduce the size.
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス４００の構成について図１１を参照して説明する。
(Fourth embodiment)
Next, the configuration of the MEMS device 400 according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
図１１は、本発明の第４の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス４００の概略構成を示す図であり、（ａ）はＭＥＭＳデバイスの断面図であり、（ｂ）はＭＥＭＳデバイスの上面図である。なお、図１１（ａ）は、図１１（ｂ）に示したＣ３−Ｃ３´線の断面図である。 FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic configuration of a MEMS device 400 according to the fourth embodiment of the present invention, where (a) is a cross-sectional view of the MEMS device, and (b) is a top view of the MEMS device. . In addition, Fig.11 (a) is sectional drawing of the C3-C3 'line shown in FIG.11 (b).
図１１を参照すると、ＭＥＭＳデバイス４００は、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、配線１０５ａ、１０５ｂ、ケース４０６、封止材４０７、及び凸部材４０８を含む。図１１に図示されたように、第４の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス４００は、ＭＥＭＳ素子１０３上に配置される蓋部材１０４を含まない点において、第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００と構成が異なる。従って、基板１０１、制御ＩＣ１０２、ＭＥＭＳ素子１０３、及び配線１０５ａ、１０５ｂについては、第３の実施の形態で説明した構成と同様であるため、説明については省略する。また、ケース４０６、封止材４０７、及び凸部材４０８については、第３の実施の形態で説明した構成と同様の材料及び製造方法を用いて形成されてもよい。このため、ケース４０６、封止材４０７、及び凸部材４０８について、第３の実施の形態と同様の構成を有する点については、説明を省略する。 Referring to FIG. 11, the MEMS device 400 includes a substrate 101, a control IC 102, a MEMS element 103, wirings 105a and 105b, a case 406, a sealing material 407, and a convex member 408. As shown in FIG. 11, the MEMS device 400 according to the fourth embodiment does not include the lid member 104 disposed on the MEMS element 103, and thus the MEMS device 300 according to the third embodiment. And the configuration is different. Accordingly, the substrate 101, the control IC 102, the MEMS element 103, and the wirings 105a and 105b are the same as those described in the third embodiment, and thus the description thereof is omitted. Further, the case 406, the sealing material 407, and the convex member 408 may be formed using the same material and manufacturing method as the configuration described in the third embodiment. For this reason, about the point which has the structure similar to 3rd Embodiment about the case 406, the sealing material 407, and the convex member 408, description is abbreviate | omitted.
なお、図１１に図示したように、第４の実施の形態に係る凸部材４０８は、第３の実施の形態に係る凸部材３０８とは異なり、ＭＥＭＳ素子１０３の支持部上に配置され、ＭＥＭＳ素子１０３の上部とケース４０６との間の空間を確保する。ここで、ケース４０６の内側の高さを、基板１０１からＭＥＭＳ素子１０３の上面までの高さに５０μｍ以下の値を加えた高さとしてもよい。これにより、ケース４０６をＭＥＭＳ素子１０３の過度な変位を制限するストッパとして機能させることができる。なお、凸部材４０８の高さは、可動部の変位を規制できる値に設定すればよく、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。また、第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００と比較すると、第４の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス４００は、蓋部材１０４を含まないことから低背化することができるため、ＭＥＭＳデバイス４００自体を小型化することも可能となる。 11, the convex member 408 according to the fourth embodiment is arranged on the support portion of the MEMS element 103, unlike the convex member 308 according to the third embodiment. A space between the upper portion of the element 103 and the case 406 is secured. Here, the inner height of the case 406 may be a height obtained by adding a value of 50 μm or less to the height from the substrate 101 to the upper surface of the MEMS element 103. As a result, the case 406 can function as a stopper that limits excessive displacement of the MEMS element 103. The height of the convex member 408 may be set to a value that can regulate the displacement of the movable portion, and may be, for example, 5 μm or more and 50 μm or less. In addition, compared with the MEMS device 300 according to the third embodiment, the MEMS device 400 according to the fourth embodiment can be reduced in height because the lid member 104 is not included, and thus the MEMS device 400 can be reduced in height. It is also possible to downsize itself.
従って、図１１に図示されたＭＥＭＳデバイス４００によれば、第３の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス３００と比較して、ＭＥＭＳ素子１０３上に蓋部材１０４を配置せずとも、ケース４０６を蓋部材１０４として機能させることができるため、ケース４０６によりＭＥＭＳ素子１０３の可動部の一定の可動範囲を確保させることが可能となり、製造工程を簡略化できる。従って、本発明の第４の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス４００によれば、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子１０３の特性への影響を小さくすることができる。 Therefore, according to the MEMS device 400 illustrated in FIG. 11, compared with the MEMS device 300 according to the third embodiment, the case 406 is not covered with the lid member 104 on the MEMS element 103. Therefore, the case 406 can ensure a certain movable range of the movable part of the MEMS element 103, and the manufacturing process can be simplified. Therefore, according to the MEMS device 400 which concerns on the 4th Embodiment of this invention, it can manufacture with a simple manufacturing method and the influence on the characteristic of the MEMS element 103 can be made small.
以下、第２の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイス２００の実施例及び比較例について説明する。 Hereinafter, examples and comparative examples of the MEMS device 200 according to the second embodiment will be described.
（実施例１）
エポキシ樹脂からなるプリント基板（５０ｍｍ×２００ｍｍ×０．２ｍｍ）に、３．５ｍｍ角のチップ面積で電極パターンを配置加工した両面配線基板１０１を用意した。
Example 1
A double-sided wiring board 101 was prepared by arranging and processing an electrode pattern with a chip area of 3.5 mm square on a printed board (50 mm × 200 mm × 0.2 mm) made of an epoxy resin.
制御ＩＣ１０２（1．９ｍｍ×１．９ｍｍ、０．１ｍｍｔ）をシリコーン系のダイアタッチ剤、ＸＥ１３−Ｃ２４７６（東芝モメンティブ製）を用いて、基板１０１上にダイアタッチし、さらにその上にＭＥＭＳ素子１０３として加速度センサチップ（１．４ｍｍ×１．２ｍｍ×０．６ｍｍ）を積層ダイアタッチした。 The control IC 102 (1.9 mm × 1.9 mm, 0.1 mmt) is die-attached onto the substrate 101 using a silicone-based die attach agent, XE13-C2476 (manufactured by Toshiba Momentive), and the MEMS element 103 is further formed thereon. As an acceleration sensor chip (1.4 mm × 1.2 mm × 0.6 mm) was laminated and attached.
制御ＩＣ１０２と基板１０１とを、ＭＥＭＳ素子１０３と制御ＩＣ１０２とを、それぞれ２５μｍの金ワイヤでワイヤボンディングを行い、結線した。 The control IC 102 and the substrate 101 were connected to each other by wire bonding the MEMS element 103 and the control IC 102 with a gold wire of 25 μm.
エポキシモールド材としてＣＥＬ−９７５０ＺＨＦ１０（日立化成製）をカプセルの金型（内形２．３ｍｍ×２．３ｍｍ×０．７ｍｍｔ、外形２．８ｍｍ×２．８ｍｍ×０．８ｍｍｔ）にトランスファーモールド成型し、ケース２０６を作製した。 Transfer mold molding CEL-9750ZHF10 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) as an epoxy mold material into a capsule mold (inner shape 2.3 mm × 2.3 mm × 0.7 mmt, outer shape 2.8 mm × 2.8 mm × 0.8 mmt) Case 206 was produced.
ケース２０６をダイボンディング、ワイヤボンディング済みの基板１０１に、接着材としてヘンケル製ＱＭＩ５３８を用いて貼り合わせ、１５０℃、１時間で硬化した。 The case 206 was bonded to the substrate 101 after die bonding and wire bonding using QMI538 manufactured by Henkel as an adhesive, and cured at 150 ° C. for 1 hour.
ケース２０６と基板１０１とが接触又は近接する位置に、ケース２０６と基板１０１との隙間を充填し、ケース２０６と基板１０１とを固定させるように、封止材２０７として液状ポッティング材のＣＶ５４０１Ａ（パナソニック電工製）をディスペンサで塗布し、熱処理として１５０℃、１時間、熱硬化を行った。 A liquid potting material CV5401A (Panasonic) is used as the sealing material 207 so that the gap between the case 206 and the substrate 101 is filled at a position where the case 206 and the substrate 101 are in contact with each other or close to each other. (Made by Denko) was applied with a dispenser, and heat curing was performed at 150 ° C. for 1 hour as a heat treatment.
ダイシングブレードにより切断して個片化し、ＭＥＭＳデバイス２００を得た。 The MEMS device 200 was obtained by cutting with a dicing blade into individual pieces.
このＭＥＭＳデバイス２００の２５℃でのオフセット電圧を調べたところ、−５ｍＶ〜＋５ｍＶの範囲に収まっていた。また、オフセット電圧の−３０℃〜８５℃の温度依存性を調べたところ、−２ｍＶから＋２ｍＶに収まっていた。 When the offset voltage at 25 ° C. of the MEMS device 200 was examined, it was within the range of −5 mV to +5 mV. Further, when the temperature dependence of the offset voltage from −30 ° C. to 85 ° C. was examined, it was within −2 mV to +2 mV.
（実施例２）
実施例１と同様の工程で、ケース２０６を、シリコンのＤＲＩＥ加工により作製し、ＭＥＭＳデバイス２００を得た。その他の構成は、実施例１と同じである。
(Example 2)
In the same process as in Example 1, the case 206 was fabricated by DRIE processing of silicon, and the MEMS device 200 was obtained. Other configurations are the same as those in the first embodiment.
このＭＥＭＳデバイス２００の２５℃でのオフセット電圧を調べたところ、−５ｍＶ〜+５ｍＶの範囲に収まっていた。また、オフセット電圧の−３０℃〜８５℃の温度依存性を調べたところ、−２ｍＶから＋２ｍＶに収まっていた。 When the offset voltage at 25 ° C. of the MEMS device 200 was examined, it was within the range of −5 mV to +5 mV. Further, when the temperature dependence of the offset voltage from −30 ° C. to 85 ° C. was examined, it was within −2 mV to +2 mV.
（実施例３）
実施例１と同様の工程で、ケース２０６を、メタルの絞り加工で作製し、ＭＥＭＳデバイス２００を得た。その他の構成は、実施例１と同じである。
(Example 3)
In the same process as in Example 1, the case 206 was produced by metal drawing, and the MEMS device 200 was obtained. Other configurations are the same as those in the first embodiment.
このＭＥＭＳデバイス２００の２５℃でのオフセット電圧を調べたところ、−５ｍＶ〜+５ｍＶの範囲に収まっていた。また、オフセット電圧の−３０℃〜８５℃の温度依存性を調べたところ、−２ｍＶから＋２ｍＶに収まっていた。 When the offset voltage at 25 ° C. of the MEMS device 200 was examined, it was within the range of −5 mV to +5 mV. Further, when the temperature dependence of the offset voltage from −30 ° C. to 85 ° C. was examined, it was within −2 mV to +2 mV.
（比較例１）
実施例１乃至３と異なり、ケースを形成せず、液状ポッティング材のみで基板上のＭＥＭＳ素子及び制御ＩＣを封止する成型加工を行った。その他は、実施例１乃至３と同じ構成である。液状ポッティング材のＣＶ５４０１Ａ（パナソニック電工製）をディスペンサで塗布し、熱処理１５０℃、１時間、熱硬化を行った。硬化後ダイシングブレードにて、切断して個片化し、加速度センサパッケージであるＭＥＭＳデバイスを得た。
(Comparative Example 1)
Unlike Examples 1 to 3, a case was not formed, and a molding process for sealing the MEMS element and the control IC on the substrate with only the liquid potting material was performed. Other configurations are the same as those of the first to third embodiments. A liquid potting material CV5401A (manufactured by Panasonic Electric Works) was applied with a dispenser, and heat curing was performed at 150 ° C. for 1 hour. After curing, it was cut into pieces by a dicing blade to obtain a MEMS device as an acceleration sensor package.
しかしながら、この加速度センサパッケージの２５℃でのオフセット電圧を調べたところ、−５ｍＶ〜＋５ｍＶの範囲を外れてしまった。 However, when the offset voltage at 25 ° C. of the acceleration sensor package was examined, it was out of the range of −5 mV to +5 mV.
以上の実施例と比較例とによれば、応力の影響が大きくなると、ＭＥＭＳ素子のオフセット電圧も大きくなることがわかる。従って、本発明に係るＭＥＭＳデバイスによれば、ケースによりＭＥＭＳ素子を覆った後、樹脂を用いた封止材でケースと基板とを固定することにより、ＭＥＭＳ素子に対して生じる応力を低減することができることがわかる。よって、本発明によれば、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を小さくすることができる。 According to the above examples and comparative examples, it can be seen that the offset voltage of the MEMS element increases as the influence of stress increases. Therefore, according to the MEMS device of the present invention, the stress generated on the MEMS element is reduced by covering the MEMS element with the case and then fixing the case and the substrate with a sealing material using resin. You can see that Therefore, according to this invention, the influence on the characteristic of a MEMS element can be made small.
以上のように、本発明の第１乃至第４の実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスによれば、簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を小さくすることのできるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供することができる。 As described above, according to the MEMS device according to the first to fourth embodiments of the present invention, the MEMS device can be manufactured by a simple manufacturing method, and the influence on the characteristics of the MEMS element can be reduced. A device and a method for manufacturing a MEMS device can be provided.
１００…ＭＥＭＳデバイス、１０１…基板、１０２…制御ＩＣ、１０３…ＭＥＭＳ素子、１０４…蓋部材、１０５ａ、１０５ｂ…配線、１０６…ケース、１０７…封止材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... MEMS device, 101 ... Board | substrate, 102 ... Control IC, 103 ... MEMS element, 104 ... Lid member, 105a, 105b ... Wiring, 106 ... Case, 107 ... Sealing material
Claims (14)
前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、
前記ＭＥＭＳ素子を収納し、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保する枡状もしくはラウンド形状のケースと、
前記基板と前記ケースとが近接する位置に配置される封止材と、
を含み、
前記ＭＥＭＳ素子の上部と前記ケースとの間には蓋部材及び凸部材が配置され、
前記凸部材により前記蓋部材の上部の空間が確保され、
前記ケース、前記凸部材及び前記蓋部材それぞれに用いられる材料の熱膨張係数差が±５ｐｐｍ以内であることを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 A substrate,
A MEMS element disposed on the substrate;
A case having a bowl shape or a round shape that houses the MEMS element and secures a space between the MEMS element;
A sealing material disposed at a position where the substrate and the case are close to each other;
Including
A lid member and a convex member are disposed between the upper part of the MEMS element and the case,
A space above the lid member is secured by the convex member ,
The MEMS device , wherein a difference in thermal expansion coefficient between materials used for the case, the convex member, and the lid member is within ± 5 ppm .
前記ケースの内面は前記可動部の変位を規制することを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳデバイス。 The MEMS element includes a support part and a movable part displaced with respect to the support part,
The MEMS device according to claim 1, wherein an inner surface of the case regulates displacement of the movable part.
前記ＭＥＭＳ素子上に蓋部材及び凸部材を配置し、
ケースにより前記蓋部材及び凸部材を配置したＭＥＭＳ素子を収納して、前記蓋部材と前記ケースとの間に前記凸部材により空間を確保し、
前記基板と前記ケースとが近接する位置に、封止材を形成するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記ケース、前記凸部材及び前記蓋部材それぞれに用いられる材料の熱膨張係数差が±５ｐｐｍ以内であることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。 Placing the MEMS element on the substrate;
A lid member and a convex member are disposed on the MEMS element,
A MEMS element in which the lid member and the convex member are arranged by a case is housed, and a space is secured by the convex member between the lid member and the case,
A MEMS device manufacturing method for forming a sealing material at a position where the substrate and the case are close to each other,
The MEMS device manufacturing method , wherein a difference in thermal expansion coefficient between materials used for the case, the convex member, and the lid member is within ± 5 ppm .
前記ケースの内面は前記可動部の変位を規制することを特徴とする請求項８または９に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。 The MEMS element includes a support part and a movable part displaced with respect to the support part,
The method for manufacturing a MEMS device according to claim 8, wherein an inner surface of the case regulates displacement of the movable part.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010174905A JP5771915B2 (en) | 2010-08-03 | 2010-08-03 | MEMS device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010174905A JP5771915B2 (en) | 2010-08-03 | 2010-08-03 | MEMS device and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012035337A JP2012035337A (en) | 2012-02-23 |
| JP5771915B2 true JP5771915B2 (en) | 2015-09-02 |
Family
ID=45847912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010174905A Expired - Fee Related JP5771915B2 (en) | 2010-08-03 | 2010-08-03 | MEMS device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5771915B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6007535B2 (en) * | 2012-03-22 | 2016-10-12 | 日本電気株式会社 | Hollow sealing structure and hollow package including the same |
| JP5982921B2 (en) * | 2012-03-22 | 2016-08-31 | 日本電気株式会社 | Hollow package manufacturing method and hollow package |
| JP2016217804A (en) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | タッチエンス株式会社 | Multi-axis tactile sensor and method for manufacturing multi-axis tactile sensor |
| WO2016199286A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | 株式会社日立製作所 | Strain detection system and attachment method |
| JP6919502B2 (en) * | 2017-10-31 | 2021-08-18 | 株式会社大真空 | MEMS oscillator |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186352A (en) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor resin sealing method |
| JP3142398B2 (en) * | 1992-11-06 | 2001-03-07 | 三菱電機株式会社 | Portable semiconductor device and manufacturing method thereof |
| DE10038099A1 (en) * | 2000-08-04 | 2002-02-21 | Bosch Gmbh Robert | Micromechanical component |
| JP2003179172A (en) * | 2001-10-01 | 2003-06-27 | Kyocera Corp | Photoconductor device |
| KR100592368B1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-06-22 | 삼성전자주식회사 | Ultra-thin module manufacturing method of semiconductor device |
| JP2006153799A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Denso Corp | Angular velocity sensor system and manufacturing method therefor |
| JP2007108753A (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Mems package and optical modulator module package |
| JP2008183636A (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Sony Corp | Mems device, manufacturing method of mems device and electronic equipment |
| JP2008271425A (en) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Acoustic sensor and fabricating method therefor |
| JP2009226571A (en) * | 2008-02-28 | 2009-10-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | Micro-device and method of manufacturing the same |
| JP5406487B2 (en) * | 2008-09-17 | 2014-02-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2010123679A (en) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Toshiba Corp | Hollow seal and method of manufacturing hollow seal |
-
2010
- 2010-08-03 JP JP2010174905A patent/JP5771915B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012035337A (en) | 2012-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2011062242A1 (en) | Sensor device and method of manufacture thereof | |
| CN107445133B (en) | Compact load cell device with low sensitivity to thermo-mechanical package stress | |
| JP4832802B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor device and manufacturing method thereof | |
| JP4277079B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor device and manufacturing method thereof | |
| JP5771915B2 (en) | MEMS device and manufacturing method thereof | |
| WO2010134181A1 (en) | Structure having chip mounted thereon and module provided with the structure | |
| US10329141B2 (en) | Encapsulated device of semiconductor material with reduced sensitivity to thermo-mechanical stresses | |
| WO2015050247A1 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JP4754817B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| JP2017156240A (en) | Pressure sensor | |
| JPWO2007020701A1 (en) | Acceleration sensor device | |
| JP4968371B2 (en) | Manufacturing method of sensor device and sensor device | |
| JP4786328B2 (en) | Semiconductor package | |
| JP5771916B2 (en) | MEMS device and manufacturing method thereof | |
| JP5943107B2 (en) | Sensor device and manufacturing method thereof | |
| JP5742170B2 (en) | MEMS device, manufacturing method thereof, and semiconductor device having the same | |
| JP2006250550A (en) | Sensor | |
| JP5742172B2 (en) | MEMS device and manufacturing method thereof | |
| JP6317956B2 (en) | Pressure sensor and method of manufacturing pressure sensor | |
| JP6476036B2 (en) | Pressure sensor | |
| JP6249865B2 (en) | Semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof | |
| JP2010096525A (en) | Pressure sensor package, method for manufacturing the same, pressure sensor module, and electronic device | |
| JP6468951B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2009063550A (en) | Semiconductor sensor device | |
| WO2007020700A1 (en) | Acceleration sensor and sensor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130613 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140318 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150602 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150615 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5771915 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |