JP5768962B2 - 原子層堆積法成膜装置における成膜処理ドラム - Google Patents
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Description
CVD)と呼ぶ。化学的気相成長法は成膜欠陥が少ない特徴を有し、ゲート絶縁膜の成膜など半導体デバイス製造工程に主に適用されている。
Roadmap for Semiconductors)にも記載がある。また他の成膜法と比較して斜影効果が無いなどの特徴があるため、ガスが入り込める隙間があれば成膜が可能であり、高アスペクト比を有するラインやホールの被覆のほか3次元構造物の被覆用途でMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)関連にも応用が期待されている。
そして、成膜処理ドラムは、成膜基板ガス処理部が設けられた回転ドラムを備え、成膜基板ガス処理部は、回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部を備えることを特徴とする。
また、成膜基板ガス処理部は、回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部であるので、回転ドラムを回転させながら、所定量のガスを凹部に満たし被成膜基板表面にガスを吸着させることができる。
前述のコントロール部により、配管104によりガスを供給するか停止するか、排気をするかしないか、が制御される。
図4に示すように、凹部106は、回転中心軸に略平行で幅方向に長く外方を開口させた有底の凹みであり、略円筒形をなす回転ドラム部101の側面に、本実施形態では等間隔に8条形成されている。
凹部106の底部には、それぞれ大小2つの貫通穴として、ガス放出部105を構成するガス放出穴105a、105b、105cのいずれかと、ガス排気穴107とが形成されている。回転ドラム部101の側面からの位置は、ガス排気穴107は同一に形成されているが、隣り合うガス放出穴105a、105b、105cは回転軸部102の溝部108a、108b、108cと対向する位置に形成されている。
また、ALDは1サイクルで1層ずつ原子レベルの薄膜を成長させていく方法であり成膜速度が遅いが、成膜源を回転させることにより多層形成が容易になり、このALDの欠点も解消することができる。
たる。いわゆるウェブコーティング方式での成膜に適用できる。すなわち、これらのガラスやウェハーなどや、小さな基板、ウェブコーティング方式での被成膜物も被成膜基板に含まれる。
ラズマにより前駆体の反応を促進し薄膜の成長を促すことができる。プラズマの発生方法は、高周波(RF)放電やDC放電の他、誘導結合によるプラズマ生成(ICP)など、公知の技術が使用できる。
2 フレキシブル基板
3 巻き出しロール
4 巻き出しロール
5 巻き出し側ガイドローラ
6 巻き取り側ガイドローラ
7 プラズマ装置
8 チェンバ
100 成膜処理ドラム
101 回転ドラム部
102 回転軸部
103 基板ガイド部
104 配管
105 ガス放出部
106 凹部
107 ガス排気穴
108 溝部
109 シール部
Claims (8)
- 被成膜基板を成膜処理ドラムに所定角巻き付け、連続的にまたは断続的に搬送しながら、前記被成膜基板の表面に成膜する成膜装置における成膜処理ドラムにおいて、
前記成膜処理ドラムは、成膜基板ガス処理部が設けられた回転ドラムを備え、
前記成膜基板ガス処理部は、前記回転ドラムの表面に所定幅で設けられた凹部を備える
ことを特徴とする成膜処理ドラム。 - 前記成膜基板ガス処理部は、複数のガスを順次放出し、排気する構成を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜処理ドラム。 - 前記凹部は複数設けられ、
前記複数のガスは、それぞれの前記凹部から個別に放出される
ことを特徴とする請求項2記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 - 前記凹部には、ガス放出穴とガス排気穴とが設けられている
ことを特徴とする請求項3記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 - 前記成膜処理ドラムは、
さらに回転軸部を備え、
前記回転ドラムは回転駆動部により前記回転軸部の周りを回転駆動され、
前記回転軸部の外面には連続する溝が設けられ、前記溝に対向する前記凹部には前記ガス放出穴が設けられ、前記ガス放出穴が放出するガスは前記回転軸部の内部を通じて供給される
ことを特徴とする請求項4記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 - 前記成膜処理ドラムは、
さらに回転軸部を備え、
前記回転ドラムは回転駆動部により前記回転軸部の周りを回転駆動され、
前記回転軸部の外面には連続する溝が設けられ、前記溝に対向する前記凹部には前記ガス排気穴が設けられ、前記ガス排気穴から前記回転軸部の内部を通じてガスが排気されることを特徴とする請求項4記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 - 前記回転ドラムの内面と前記回転軸部の外面との間に磁気流体が配設され、この磁気流体により前記ガスのシールがされる
ことを特徴とする請求項6記載の成膜装置における成膜処理ドラム。 - 前記成膜処理ドラムは、
さらに、前記回転ドラムの両端に設けられ、前記被成膜基板を所定径に保持する被成膜基板ガイド部を備える
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置における成膜処理ドラム。
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