JP5767093B2 - 三酸化硫黄分解用触媒、及び水素生成方法 - Google Patents
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
Description
(A1)CnHm + nH2O → nCO + (n+m/2)H2
(A2)CO + H2O → CO2 + H2
全反応:CnHm + 2nH2O → nCO2 + (2n+m/2)H2
(B1)H2SO4(液体)
→ H2O(気体) + SO2(気体) + 1/2O2(気体)
(反応温度=約950℃、ΔH=188.8kJ/mol−H2)
(B2)I2(液体) + SO2(気体) + 2H2O(液体)
→ 2HI(液体) + H2SO4(液体)
(反応温度=約130℃、ΔH=−31.8kJ/mol−H2)
(B3)2HI(液体) → H2(気体) + I2(気体)
(反応温度=約400℃、ΔH=146.3kJ/mol−H2)
H2O → H2 + 1/2O2
(ΔH=286.5kJ/mol−H2(高位発熱量基準)
(ΔH=241.5kJ/mol−H2(低位発熱量基準)
(B1−1)H2SO4(液体) → H2O(気体) + SO3(気体)
(反応温度=約300℃、ΔH=90.9kJ/mol−H2)
(B1−2)SO3(気体) → SO2(気体) + 1/2O2(気体)
(反応温度=約950℃、ΔH=97.9kJ/mol−H2)
(a)前記920cm−1付近のピークの高さが、バナジウム−酸素(V−O)結合に起因する他のピークの最大高さの3.0倍以下、及び
(b)前記920cm−1付近のピークの半値幅が、30cm−1以上。
〈2〉前記複合酸化物において、銅とバナジウムとの原子比が、1:9〜9:1である、上記〈1〉項に記載の触媒。
〈3〉条件(a)を少なくとも満たす、上記〈1〉又は〈2〉項に記載の触媒。
〈4〉条件(b)を少なくとも満たす、上記〈1〉又は〈2〉項に記載の触媒。
〈5〉条件(a)において、前記920cm−1付近のピークの高さが、バナジウム−酸素(V−O)結合に起因する他のピークの最大高さの1.5倍以下である、上記〈1〉〜〈4〉項のいずれか一項に記載の触媒。
〈6〉条件(b)において、前記920cm−1付近のピークの半値幅が、40cm−1以上である、上記〈1〉〜〈5〉項のいずれか一項に記載の触媒。
〈7〉前記シリカ担体が、細孔構造を有する多孔質シリカ担体である、上記〈1〉〜〈6〉項のいずれか一項に記載の触媒。
〈8〉前記複合酸化物が、前記多孔質シリカ担体の細孔構造内に担持されており、且つ
前記多孔質シリカ担体の細孔分布において、シリカの一次粒子間の間隙に起因するピークが、細孔径5〜50nmの範囲にあり、且つシリカ粒子内の細孔構造に起因するピークが、細孔径1〜5nmの範囲にある、
上記〈7〉項に記載の触媒。
〈9〉(a)銅塩の水溶液及びバナジウム塩の水溶液の一方の水溶液を、シリカ担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
(b)工程(a)の後で、銅塩の水溶液及びバナジウム塩の水溶液の他方の水溶液を、前記シリカ担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、そして
(c)工程(b)の後で、得られた前記シリカ担体を700℃以上の温度で焼成すること
を含み、かつ
工程(c)における前記熱処理の前に、前記シリカ担体が700℃以上の熱処理を受けていない、
三酸化硫黄分解触媒の製造方法。
〈10〉(a)銅塩及びバナジウム塩を含有する水溶液を、シリカ担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
(b)工程(a)の後で、得られた前記シリカ担体を700℃以上の温度で焼成すること
を含み、かつ
工程(b)における前記熱処理の前に、前記シリカ担体が700℃以上の熱処理を受けていない、
三酸化硫黄分解触媒の製造方法。
〈11〉上記〈1〉〜〈8〉項のいずれか一項に記載の三酸化硫黄分解触媒を用いて、三酸化硫黄を二酸化硫黄と酸素とに分解することを含む、二酸化硫黄の生成方法。
〈12〉前記分解を800℃以下の温度で行う、上記〈11〉項に記載の方法。
〈13〉水を、水素及び酸素に分解することを含む、水素生成方法であって、下記式(X1)で示される反応で、硫酸を、水、二酸化硫黄、及び酸素に分解することを含み、且つ下記式(X1)で示される反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、上記〈11〉又は〈12〉項に記載の方法によって行う、水素生成方法:
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
〈14〉I−Sサイクル法、ウエスティングハウス・サイクル法、Ispra−Mark 13サイクル法、又はロスアラモス・サイエンスラボラトリ・サイクル法である、上記〈13〉項に記載の水素生成方法。
本発明の三酸化硫黄分解触媒は、銅とバナジウムとの複合酸化物がシリカ担体に担持されてなる。ここで、この本発明の三酸化硫黄分解触媒では、複合酸化物の結晶の対称性が低下している。すなわち、本発明の三酸化硫黄分解触媒では、銅とバナジウムとの複合酸化物の結晶が歪んでいる。このような結晶の歪みは例えば、銅とバナジウムとの複合酸化物が、充分に薄い層としてシリカ担体に担持されており、かつシリカ担体が、この複合酸化物に化学的に影響を与えることによって達成されると考えられる。
(a)上記920cm−1付近のピークの高さが、バナジウム−酸素(V−O)結合に起因する他のピークの最大高さの3.0倍以下、2.5倍以下、2.0倍以下、1.5倍以下、又は1.0倍以下、及び
(b)上記920cm−1付近のピークの半値幅が、30cm−1以上、40cm−1以上、50cm−1以上。
本発明の三酸化硫黄分解触媒の複合酸化物において、銅とバナジウムとの原子比(銅:バナジウム)は例えば、1:9〜9:1、2:8〜8:2、3:7〜7:3、又は4:6〜6:4にすることができる。
本発明の三酸化硫黄分解触媒は、任意の方法で得ることができる。
本発明の三酸化硫黄分解触媒において用いられるシリカ担体は、銅とバナジウムとの複合酸化物に少なくとも部分的に影響を与え、それによってこの複合酸化物の結晶の対称性を低下させる範囲で、任意のシリカ担体を用いることができる。
二酸化硫黄を生成する本発明の方法は、本発明の三酸化硫黄分解触媒を用いて、三酸化硫黄を二酸化硫黄と酸素とに分解することを含む。ここで、この方法は、本発明の三酸化硫黄分解触媒を用いることによって、三酸化硫黄を分解する従来の方法よりも低い温度、例えば800℃以下、750℃以下、700℃以下、650℃以下の温度で実施することができる。
水素を生成する本発明の方法は、水を、水素及び酸素に分解すること、例えばI−Sサイクル法、ウエスティングハウス・サイクル法、Ispra−Mark 13サイクル法、又はロスアラモス・サイエンスラボラトリ・サイクル法によって、水を水素及び酸素に分解することを含む。ここで、この本発明の方法は、下記式(X1)で示される反応で、硫酸を、水、二酸化硫黄、及び酸素に分解することを含み、且つ下記式(X1)で示される反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、二酸化硫黄を生成する本発明の方法によって行う:
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
(X2)I2 + SO2 + 2H2O → 2HI + H2SO4
(X3)2HI → H2 + I2
全反応:H2O → H2 + 1/2O2
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
(X4)SO2 + 2H2O → H2SO3
(X5)H2SO3 + H2O+ → H2 + H2SO4(電気分解)
全反応:H2O → H2 + 1/2O2
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
(X6)2HBr → Br2 + H2
(X7)Br2 + SO2 + 2H2O+ → 2HBr + H2SO4
全反応:H2O → H2 + 1/2O2
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
(X8)Br2 + SO2 + 2H2O+ → 2HBr + H2SO4
(X9)2CrBr3 → 2CrBr2 + Br2
(X10)2HBr + 2CrBr2 → 2CrBr3 + H2
全反応:H2O → H2 + 1/2O2
以下の参考例及び比較例では、銅(Cu)とバナジウム(V)との複合金属酸化物が、三酸化硫黄分解触媒として優れた性質を有することを示す。
参考例1では、銅(Cu)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Cu−V−O)を単身触媒として用いた。
参考例1の単身触媒は、それぞれの金属の原子比が1:1である酸化銅及び酸化バナジウムを、乳鉢で粉砕し、良く混合し、アルミナ性るつぼに入れ、そして750℃で12時間にわたって焼成して得た。得られた単身触媒についてのX線回折分析(XRD)結果を図4に示す。
比較例1では、銅(Cu)の酸化物(Cu−O)を単身触媒として用いた。ここでは、参考例1で原料として用いた酸化銅をそのまま単身触媒として用いた。
比較例2では、バナジウム(V)の酸化物(V−O)を触媒として用いた。ここでは、参考例1で原料として用いた酸化バナジウムをそのまま単身触媒として用いた。
比較例3では触媒を用いなかった。
図5に示す固定床流通反応装置を用いて、参考例1及び比較例1〜3の単身触媒について、下記式(X1−2)の三酸化硫黄分解反応の転化率を評価した:
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2
(C−1)S(固体) + O2(気体) → SO2(気体)
(C−2)2SO2(気体) + O2(気体) → 2SO3(気体)
(C−3)SO3(気体) + H2O(液体) → H2SO4(液体)
実施例1及び参考例2では、550℃において焼成して得たシリカ担体を原料として用いる場合(実施例1)と、800℃において焼成して得たシリカ担体を原料として用いる場合(比較例1)の違いについて評価した。また、参考例3では、触媒金属として白金を用いて評価を行った。
実施例1では、銅(Cu)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Cu−V−O)が多孔質シリカ担体に担持されてなる触媒を用いた。ここで、用いられている多孔質シリカ担体は、空気中において550℃で焼成して得たものである。
多孔質シリカ担体は、立方晶メソポーラスシリカ(KIT−6)であり、下記のようにして製造した。
(2)得られた混合物に、4.0gの1−ブタノールを添加し、混合物が透明になるまで、35℃の温度において撹拌し、それによって、非イオン性界面活性剤を自己配列。
(3)得られた混合物に、シリカ源としての8.6gのテトラエトキシシラン(TEOS)を添加し、35℃の温度において24時間にわたって強撹拌し、自己整列している非イオン性界面活性剤をテンプレートとして、テトラエトキシシラン(TEOS)を加水分解。
(4)100℃の温度において24時間にわたって静置し、その後、洗浄せずにそのまま110℃の温度において24時間にわたって乾燥。
(6)8mlの35質量%塩酸と120mLのエタノールとの混合物中において、1.5時間にわたって撹拌して洗浄。
(7)110℃の温度において24時間にわたって乾燥し、そして3℃/分の昇温速度で550℃まで加熱して、この温度で5時間にわたって焼成して、立方晶メソポーラスシリカ(KIT−6)を取得。
複合酸化物は、吸水担持法によって、多孔質シリカ担体に担持した。具体的には、初めに、銅の硝酸塩を水に溶解した水溶液を作り、この水溶液を担体に吸水させ、150℃で乾燥し、350℃で1時間にわたって仮焼成した。次に、メタバナジン酸アンモニウムを水に溶解し、この水溶液を担体に吸水させ、150℃で乾燥し、350℃で1時間にわたって仮焼成した。最後に、得られた担体を600℃で2時間にわたって焼成して、複合酸化物を担持している多孔質シリカ担体を得た。
参考例2では、銅(Cu)とバナジウム(V)との複合金属酸化物(Cu−V−O)が多孔質シリカ担体に担持されてなる触媒を用いた。ここで、用いられている多孔質シリカ担体は、空気中において800℃で焼成して得たものである。
多孔質シリカ担体は、特開2008−12382に記載の方法と類似の方法によって製造した。すなわち、多孔質シリカ担体は、下記のようにして製造した。
実施例1と同様にして、銅とバナジウムの複合酸化物を多孔質シリカ担体に担持した。
参考例3では、γ−アルミナ担体に白金を担持して、担持触媒を製造した。ここでは、担持量を0.5g−Pt/100g−担体とした。
上記参考例1等でのようにして評価を行った。ただし、実施例1についての評価では、石英製反応管4の上段が約600℃で定常状態になった後で、図6で示すようにして加熱温度を変化させて評価を行った。加熱温度の変化と併せて、三酸化硫黄(SO3)から二酸化硫黄(SO2)への転化率の変化を図6に示している。
実施例1で用いた三酸化硫黄分解触媒について、600℃、750℃及び800℃の温度での三酸化硫黄分解反応に用いた後で、走査透過型電子顕微鏡(STEM)よる分析を行った。得られた結果をそれぞれ図7(a)〜(c)に示す。
800℃の温度での三酸化硫黄分解反応に用いた後の触媒を、XRD(X線回折)分析で評価した。評価結果を図8に示す。
800℃の温度での三酸化硫黄分解反応に用いた後の触媒を、ケイ素(Si)、バナジウム(V)、及び銅(Cu)についてのEDS(エネルギー分散形X線分光)分析で評価した。評価結果を、STEM−HAADF(走査透過電子顕微鏡(高角度散乱暗視野法))による分析結果と併せて、図9に示す。
650℃及び800℃の温度での三酸化硫黄分解反応に用いた後の触媒(Cu−V−O/SiO2(650℃)及びCu−V−O/SiO2(800℃))を、ラマン散乱分析で評価した。評価結果を、比較のためのバナジン酸銅(Cu2V2O7)、酸化銅(CuO)及び五酸化バナジウム(V2O5)についての分析結果と併せて、図10に示す。なお、バナジン酸銅(Cu2V2O7)についての分析結果は、高さを0.5倍(×0.5)して表している。
3 硫酸供給部
4 石英製反応管
4a、4b、4c ヒーター
10 触媒床
Claims (14)
- 銅とバナジウムとの複合酸化物がシリカ担体に担持されてなり、前記複合酸化物がピロバナジン酸銅であり、かつラマン分光分析において、バナジウム−酸素(V−O)結合に起因する920cm−1付近のピークの高さが、下記の(a)及び(b)の少なくとも一方の条件を満たす、三酸化硫黄分解触媒:
(a)前記920cm−1付近のピークの高さが、バナジウム−酸素(V−O)結合に起因する他のピークの最大高さの3.0倍以下、及び
(b)前記920cm−1付近のピークの半値幅が、30cm−1以上。 - 前記複合酸化物において、銅とバナジウムとの原子比が、1:9〜9:1である、請求項1に記載の触媒。
- 条件(a)を少なくとも満たす、請求項1又は2に記載の触媒。
- 条件(b)を少なくとも満たす、請求項1又は2に記載の触媒。
- 条件(a)において、前記920cm−1付近のピークの高さが、バナジウム−酸素(V−O)結合に起因する他のピークの最大高さの1.5倍以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の触媒。
- 条件(b)において、前記920cm−1付近のピークの半値幅が、40cm−1以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の触媒。
- 前記シリカ担体が、細孔構造を有する多孔質シリカ担体である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の触媒。
- 前記複合酸化物が、前記多孔質シリカ担体の細孔構造内に担持されており、且つ
前記多孔質シリカ担体の細孔分布において、シリカの一次粒子間の間隙に起因するピークが、細孔径5〜50nmの範囲にあり、且つシリカ粒子内の細孔構造に起因するピークが、細孔径1〜5nmの範囲にある、
請求項7に記載の触媒。 - (a)銅塩の水溶液及びバナジウム塩の水溶液の一方の水溶液を、シリカ担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
(b)工程(a)の後で、銅塩の水溶液及びバナジウム塩の水溶液の他方の水溶液を、前記シリカ担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、そして
(c)工程(b)の後で、得られた前記シリカ担体を700℃以上の温度で焼成して、前記シリカ担体上にピロバナジン酸銅を形成すること
を含み、かつ
工程(c)における前記熱処理の前に、前記シリカ担体が700℃以上の熱処理を受けていない、
三酸化硫黄分解触媒の製造方法。 - (a)銅塩及びバナジウム塩を含有する水溶液を、シリカ担体に吸水させ、乾燥及び仮焼成すること、
(b)工程(a)の後で、得られた前記シリカ担体を700℃以上の温度で焼成して、前記シリカ担体上にピロバナジン酸銅を形成すること
を含み、かつ
工程(b)における前記熱処理の前に、前記シリカ担体が700℃以上の熱処理を受けていない、
三酸化硫黄分解触媒の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の三酸化硫黄分解触媒を用いて、三酸化硫黄を二酸化硫黄と酸素とに分解することを含む、二酸化硫黄の生成方法。
- 前記分解を800℃以下の温度で行う、請求項11に記載の方法。
- 水を、水素及び酸素に分解することを含む、水素生成方法であって、下記式(X1)で示される反応で、硫酸を、水、二酸化硫黄、及び酸素に分解することを含み、且つ下記式(X1)で示される反応の素反応である式(X1−1)及び(X1−2)の素反応のうち、式(X1−2)の素反応を、請求項11又は12に記載の方法によって行う、水素生成方法:
(X1)H2SO4 → H2O + SO2 + 1/2O2
(X1−1)H2SO4 → H2O + SO3
(X1−2)SO3 → SO2 + 1/2O2 - I−Sサイクル法、ウエスティングハウス・サイクル法、Ispra−Mark 13サイクル法、又はロスアラモス・サイエンスラボラトリ・サイクル法である、請求項13に記載の水素生成方法。
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