JP5762213B2 - Grinding method for plate - Google Patents

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本発明は、光デバイスウエーハ等の板状物の裏面を研削して所定厚みへと薄化する板状物の研削方法に関する。   The present invention relates to a method for grinding a plate-like object in which the back surface of a plate-like object such as an optical device wafer is ground and thinned to a predetermined thickness.

ＩＣ、ＬＳＩ等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン（ストリート）によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置（ダイシング装置）によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に広く利用されている。   A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. A dividing line is cut by a cutting device (dicing device) to be divided into individual devices, and the divided devices are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

一方、表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物半導体層が積層され、格子状に形成された分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれ光デバイスが形成された光デバイスウエーハは、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することにより個々の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは携帯電話、デジタルカメラ等の電子機器に広く利用される。   On the other hand, an optical device wafer in which a nitride semiconductor layer such as gallium nitride (GaN) is stacked on the surface and an optical device is formed in each region partitioned by the planned division lines formed in a lattice shape Are divided into individual optical devices by being irradiated with a laser beam, and the divided optical devices are widely used in electronic devices such as mobile phones and digital cameras.

光デバイスウエーハはエピタキシャル層の成長に適したサファイアや炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の基板上に窒化物半導体層を成長させて形成されるため、これらの基板は光デバイスを製造する上で不可欠な素材であるが、基板上に窒化物半導体層を積層した後は電子機器の軽量化、小型化、素子特性の向上のために、研削装置によって基板の裏面が研削されて薄く加工される。   Since optical device wafers are formed by growing a nitride semiconductor layer on a substrate such as sapphire or silicon carbide (SiC) suitable for the growth of epitaxial layers, these substrates are indispensable materials for manufacturing optical devices. However, after the nitride semiconductor layer is stacked on the substrate, the back surface of the substrate is ground and processed thinly by a grinding device in order to reduce the weight, size, and improve the device characteristics of the electronic device.

半導体ウエーハ又は光デバイスウエーハ等のウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚さに研削できる。   A grinding apparatus for grinding the back surface of a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer has a chuck table for holding the wafer and a grinding wheel having a grinding wheel for grinding the wafer held by the chuck table mounted rotatably. A grinding means for grinding the wafer to a desired thickness with high accuracy.

通常、ウエーハの研削時には、ウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するために特開平５−１９８５４２号公報に開示されたような保護テープが貼着される。ところが、ウエーハの裏面を研削して例えば１００μｍ以下へと薄化するとウエーハが反り、研削中にウエーハが破損してしまう恐れがある。或いは、薄く研削されたウエーハは研削後のハンドリングが困難となり、ハンドリング中にウエーハを破損させてしまう恐れがある。   Usually, when grinding a wafer, a protective tape as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-198542 is attached to protect a device formed on the surface of the wafer. However, if the back surface of the wafer is ground and thinned to, for example, 100 μm or less, the wafer may be warped and the wafer may be damaged during grinding. Alternatively, a thinly ground wafer may be difficult to handle after grinding, and the wafer may be damaged during handling.

そこで、特開２００４−２０７６０６号公報に開示されるような剛体からなる支持部材上にウエーハを貼着した後、ウエーハの裏面を研削する方法が採用されている。通常、ウエーハはワックスや紫外線硬化樹脂等で支持部材上に貼着される。   In view of this, a method is adopted in which a wafer is bonded onto a rigid support member as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-207606, and then the back surface of the wafer is ground. Usually, the wafer is stuck on a support member with wax, ultraviolet curable resin or the like.

特開平５−１９８５４２号公報JP-A-5-198542 特開２００４−２０７６０６号公報JP 2004-207606 A

剛体からなる支持部材上にウエーハを貼着した後、ウエーハを研削するとウエーハを破損させることなく非常に薄くまで研削できるが、研削によって薄化されたウエーハを支持部材上から剥離する際、ワックス又は紫外線硬化樹脂の貼着力が強いため、ウエーハを破損させてしまうという問題があった。   After the wafer is attached on the support member made of a rigid body, if the wafer is ground, the wafer can be ground to a very thin thickness without damaging the wafer, but when the wafer thinned by grinding is peeled off from the support member, wax or There was a problem that the wafer was damaged due to the strong adhesion of the UV curable resin.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、支持部材上からウエーハ等の板状物を剥離する際、板状物を破損させてしまう恐れを低減可能な板状物の研削方法を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and the object of the present invention is to reduce the possibility of damaging the plate-like material when peeling the plate-like material such as a wafer from the support member. It is to provide a method for grinding a plate-like object.

本発明によると、支持部材上に配設された板状物の裏面を研削して所定厚みへ薄化する板状物の研削方法であって、該支持部材と板状物との少なくとも何れかが紫外線を透過する物質から構成されており、板状物の面積よりも大きい面積を有する剛体からなる支持部材の支持面に剥離可能に密着する剥離起点部を形成する剥離起点部形成ステップと、該剥離起点部形成ステップを実施した後、紫外線照射によって硬化するとともに加熱又は加水によって軟化性を発現する紫外線硬化樹脂を介して該剥離起点部上に板状物の表面側を載置し、該紫外線硬化樹脂の面積が該剥離起点部と板状物の面積よりも大きくなるように該紫外線硬化樹脂を形成するとともに、該紫外線硬化樹脂に板状物の表面側が埋め込まれ、板状物の外周が該紫外線硬化樹脂で囲繞された状態にする板状物載置ステップと、該板状物載置ステップを実施した後、該紫外線硬化樹脂に該支持部材又は板状物を介して紫外線を照射して、該支持部材上に該剥離起点部及び該紫外線硬化樹脂を介して裏面が露出した状態で板状物を固定する板状物固定ステップと、該板状物固定ステップを実施した後、該支持部材をチャックテーブルで保持して板状物の裏面側を研削し、板状物を所定厚みへと薄化する薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、板状物が該紫外線硬化樹脂で該剥離起点部と一体化された形態の板状物ユニットから該支持部材を該剥離起点部と該支持部材との界面で剥離する支持部材除去ステップと、該支持部材除去ステップを実施した後、該板状物ユニットの該紫外線硬化樹脂を加熱又は加水して軟化させ、板状物から該紫外線硬化樹脂を該剥離起点部とともに除去する紫外線硬化樹脂除去ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の研削方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a method for grinding a plate-like object by grinding the back surface of the plate-like object disposed on the support member to reduce the thickness to a predetermined thickness, and at least one of the support member and the plate-like object. Is formed of a substance that transmits ultraviolet light, and a peeling starting point forming step for forming a peeling starting point part that comes into close contact with a support surface of a supporting member made of a rigid body having an area larger than the area of the plate-like object, and After carrying out the peeling starting part forming step, the surface side of the plate-like material is placed on the peeling starting part via an ultraviolet curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays and develops softening properties by heating or addition, The ultraviolet curable resin is formed so that the area of the ultraviolet curable resin is larger than the area of the separation starting point and the plate-like material, and the surface side of the plate-like material is embedded in the ultraviolet curable resin, The UV cured tree After the plate-like object placing step to be surrounded by the plate-like object and the plate-like object placing step, the ultraviolet curable resin is irradiated with ultraviolet rays through the support member or the plate-like object, thereby supporting the support. A plate-like object fixing step for fixing the plate-like object with the back surface exposed through the peeling starting portion and the ultraviolet curable resin on the member, and after the plate-like object fixing step is performed, the support member is chucked Holding the table, grinding the back side of the plate-like object, thinning the plate-like object to a predetermined thickness, and after performing the thinning step, the plate-like object is made of the ultraviolet curable resin. After carrying out the support member removing step of peeling the support member from the plate unit in a form integrated with the peel start point portion at the interface between the peel start point portion and the support member, the support member removing step, Heat or hydrate the UV curable resin of the plate unit Is of the grinding method of the platelet, characterized by comprising a an ultraviolet curable resin removal step of removing with 該剥 away the starting portion of the ultraviolet curable resin from the plate-like material is provided.

好ましくは、板状物の研削方法は、薄化ステップを実施した後、紫外線硬化樹脂除去ステップを実施する前に、板状物ユニットの板状物側に粘着テープを貼着するとともに粘着テープの外周部を環状フレームに貼着する転写ステップを更に具備している。   Preferably, in the grinding method of the plate-like object, after the thinning step, the adhesive tape is attached to the plate-like object side of the plate-like unit and before the ultraviolet curable resin removing step is performed. A transfer step of attaching the outer peripheral portion to the annular frame is further provided.

本発明の研削方法によると、板状物は紫外線硬化樹脂によって剥離起点部を介して支持部材に固定されているため、板状物を研削した後に、支持部材を剥離起点部を剥離起点として容易に除去できる。   According to the grinding method of the present invention, since the plate-like object is fixed to the support member by the ultraviolet curable resin through the peeling start portion, after the plate-like material is ground, the support member can be easily used with the peeling start portion as the peeling start point. Can be removed.

支持部材から分離された後の板状物ユニットは、紫外線硬化樹脂によって板状物と剥離起点部とが一体化しており、十分な強度を有するため、板状物が研削で例えば１００μｍ以下と非常に薄く加工されても支持部材の除去時に板状物が破損してしまうことが防止される。   The plate-like unit after being separated from the support member has a sufficient strength because the plate-like product and the peeling starting portion are integrated by an ultraviolet curable resin, so that the plate-like product is, for example, 100 μm or less by grinding. Even if processed thinly, the plate-like object is prevented from being damaged when the support member is removed.

更に、紫外線硬化樹脂は外的刺激によって軟化するため、板状物ユニットの紫外線硬化樹脂に外的刺激を付与することで紫外線硬化樹脂を軟化させ、板状物から剥離起点部とともに容易に除去することができる。   Furthermore, since the ultraviolet curable resin is softened by an external stimulus, the ultraviolet curable resin is softened by applying an external stimulus to the ultraviolet curable resin of the plate unit, and is easily removed from the plate together with the peeling start portion. be able to.

また、転写ステップを実施することで、紫外線硬化樹脂除去ステップを実施した後の板状物の破損リスクを低減するとともに板状物のハンドリングが容易になる。   In addition, by performing the transfer step, the risk of damage to the plate-like material after the UV-curing resin removal step is reduced, and handling of the plate-like material is facilitated.

剥離起点部形成ステップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a peeling starting part formation step. 紫外線樹脂供給ステップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows an ultraviolet resin supply step. 光デバイスウエーハを支持部材上に形成された紫外線硬化樹脂上に載置する様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that an optical device wafer is mounted on the ultraviolet curable resin formed on the support member. ウエーハ載置ステップ後のウエーハユニットの断面図であり、（Ａ）はウエーハサイズ＞剥離起点部サイズ、（Ｂ）はウエーハサイズ＝剥離起点部サイズ、（Ｃ）はウエーハサイズ＜剥離起点部サイズをそれぞれ示している。It is sectional drawing of the wafer unit after a wafer mounting step, (A) is wafer size> peeling starting part size, (B) is wafer size = peeling starting part size, (C) is wafer size <peeling starting part size. Each is shown. ウエーハ固定ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a wafer fixing step. 薄化ステップを実施するのに適した研削装置の斜視図である。1 is a perspective view of a grinding apparatus suitable for performing a thinning step. 薄化ステップを示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a thinning step. 支持部材除去ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a supporting member removal step. 転写ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a transfer step. 紫外線硬化樹脂除去ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows an ultraviolet curable resin removal step.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。まず、図１を参照して、剥離起点部形成ステップについて説明する。この剥離起点部形成ステップでは、シリコンウエーハやガラス等の支持部材１１の支持面１１ａ上にコーティング面１３ａが弱粘着剤でコーティングされた樹脂フィルム１３を貼着又は載置する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, the peeling start point forming step will be described with reference to FIG. In this peeling starting point forming step, the resin film 13 having the coating surface 13a coated with a weak adhesive is attached or placed on the support surface 11a of the support member 11 such as a silicon wafer or glass.

弱粘着剤としては、アクリル系の糊、ゴム系の糊、又はシリコーンを採用することができる。また、樹脂フィルム１３は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等から形成される。   As the weak adhesive, acrylic glue, rubber glue, or silicone can be used. The resin film 13 is made of polyolefin, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, or the like.

弱粘着剤としてアクリル系の糊又はゴム系の糊を採用した場合には、樹脂フィルム１３は弱粘着剤により支持部材１１の支持面１１ａ上に貼着される。一方、弱粘着剤としてシリコーンを採用した場合には、シリコーンはそれほど接着力が強くないので、樹脂フィルム１３のコーティング面１３ａが支持部材１１の支持面１１ａに密着する。   When acrylic glue or rubber glue is used as the weak adhesive, the resin film 13 is stuck on the support surface 11a of the support member 11 with the weak adhesive. On the other hand, when silicone is used as the weak pressure-sensitive adhesive, since the silicone does not have a strong adhesive force, the coating surface 13 a of the resin film 13 is in close contact with the support surface 11 a of the support member 11.

樹脂フィルム１３の両面が弱粘着剤でコーティングされていてもよいが、片面のみがコーティングされていて支持部材１１の支持面１１ａに対して密着性を有し、他方の面がコーティングされていないもののほうがより好ましい。シリコーンや糊の薄膜を支持部材１１の支持面１１ａ上に形成するようにしてもよい。   Although both surfaces of the resin film 13 may be coated with a weak adhesive, only one surface is coated and has adhesion to the support surface 11a of the support member 11, while the other surface is not coated. Is more preferable. A thin film of silicone or glue may be formed on the support surface 11 a of the support member 11.

剥離起点部形成ステップ終了後、ウエーハ載置ステップ（板状物載置ステップ）を実施する。このウエーハ載置ステップでは、まず図２に示すように、樹脂供給ノズル１５から紫外線照射によって硬化するとともに加熱又は加水によって軟化性を発現する紫外線硬化樹脂１７を樹脂フィルム１３上に供給する。紫外線硬化樹脂１７は、有機溶剤を含まないタイプ、例えば、電気化学工業株式会社製の商品名「ＴＥＭＰＬＯＣ」が好ましい。   After the peeling start point forming step is completed, a wafer placing step (plate-like object placing step) is performed. In this wafer mounting step, first, as shown in FIG. 2, an ultraviolet curable resin 17 that is cured by ultraviolet irradiation from the resin supply nozzle 15 and that develops softening properties by heating or addition is supplied onto the resin film 13. The ultraviolet curable resin 17 is preferably a type that does not contain an organic solvent, for example, trade name “TEMPLOC” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.

次いで、図３に示すように、表面１９ａに複数の光デバイス２１が形成された光デバイスウエーハ１９をその表面１９ａを下にして紫外線硬化樹脂１７上に載置し、ウエーハ１９を支持部材１１に対して押し付けて紫外線硬化樹脂１７をウエーハサイズより大きい面積を有するまで押し広げる。   Next, as shown in FIG. 3, the optical device wafer 19 having a plurality of optical devices 21 formed on the surface 19 a is placed on the ultraviolet curable resin 17 with the surface 19 a facing down, and the wafer 19 is placed on the support member 11. The UV curable resin 17 is pressed against the wafer until it has an area larger than the wafer size.

その結果、図４（Ａ）に示すように、紫外線硬化樹脂１７の面積が剥離起点部としての樹脂フィルム１３及びウエーハ１９の面積よりも大きい面積を有するように押し広げられると共に、紫外線硬化樹脂１７にウエーハ１９の表面側１９ａが埋め込まれ、ウエーハ１９の外周が紫外線硬化樹脂１７で囲繞された状態となる。代替実施形態として、ウエーハ１９より大径のシート状の紫外線硬化樹脂を使用してもよい。   As a result, as shown in FIG. 4 (A), the ultraviolet curable resin 17 is spread so that the area of the ultraviolet curable resin 17 is larger than the areas of the resin film 13 and the wafer 19 as the separation starting point, and the ultraviolet curable resin 17. The surface 19 a of the wafer 19 is embedded in the wafer 19, and the outer periphery of the wafer 19 is surrounded by the ultraviolet curable resin 17. As an alternative embodiment, a sheet-like ultraviolet curable resin having a diameter larger than that of the wafer 19 may be used.

剥離起点部として作用する樹脂フィルム１３の大きさは、剛体からなる支持部材１１の大きさより小さい必要があるが、ウエーハ１９の大きさに対しては特に限定されるものではない。   The size of the resin film 13 acting as a peeling starting point portion needs to be smaller than the size of the support member 11 made of a rigid body, but the size of the wafer 19 is not particularly limited.

図４（Ａ）はウエーハ１９のサイズが樹脂フィルム１３のサイズより大きい場合（ウエーハ１９のサイズ＞樹脂フィルム１３）、図４（Ｂ）はウエーハ１９のサイズと樹脂フィルム１３のサイズが等しい場合（ウエーハ１９のサイズ＝樹脂フィルム１３）、図４（Ｃ）はウエーハ１９のサイズより樹脂フィルム１３のサイズが大きい場合（ウエーハ１９のサイズ＜樹脂フィルム１３）をそれぞれ示している。   4A shows the case where the size of the wafer 19 is larger than the size of the resin film 13 (the size of the wafer 19> the resin film 13), and FIG. 4B shows the case where the size of the wafer 19 is equal to the size of the resin film 13 ( FIG. 4C shows the case where the size of the resin film 13 is larger than the size of the wafer 19 (size of the wafer 19 <resin film 13).

ウエーハ載置ステップを実施した後、ウエーハが透明体から形成される場合には、図５に示すように、紫外線硬化樹脂１７にウエーハ１９を介して紫外線ランプ２５から紫外線を照射して、支持部材１１上に樹脂フィルム１３及び紫外線硬化樹脂１７を介してウエーハ１９の裏面１９ｂが露出した状態でウエーハ１９を固定するウエーハ固定ステップを実施する。   When the wafer is formed from a transparent body after the wafer mounting step, the ultraviolet curable resin 17 is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 25 via the wafer 19 as shown in FIG. A wafer fixing step of fixing the wafer 19 with the back surface 19b of the wafer 19 exposed through the resin film 13 and the ultraviolet curable resin 17 on the substrate 11 is performed.

光デバイスウエーハ１９がサファイア基板、ＳｉＣ基板又はＧａＮ基板上にＧａＮ等の発光層を積層して構成される場合、ウエーハ固定ステップでは、ウエーハ裏面１９ｂ側からウエーハ１９を介して紫外線硬化樹脂１７に紫外線を照射する。   When the optical device wafer 19 is configured by laminating a light emitting layer such as GaN on a sapphire substrate, SiC substrate, or GaN substrate, in the wafer fixing step, ultraviolet rays are applied to the ultraviolet curable resin 17 via the wafer 19 from the wafer back surface 19b side. Irradiate.

一方、ウエーハがシリコンウエーハや化合物半導体ウエーハから構成されて透明でない場合には、支持部材１１を例えばガラスからなる透明体から形成し、支持部材１１を介して紫外線硬化樹脂１７に紫外線を照射するようにする。   On the other hand, when the wafer is composed of a silicon wafer or a compound semiconductor wafer and is not transparent, the support member 11 is formed of a transparent body made of glass, for example, and the ultraviolet curable resin 17 is irradiated with ultraviolet rays through the support member 11. To.

ウエーハ固定ステップ実施後、ウエーハ１９の裏面１９ｂを研削して所定厚みに薄化する薄化ステップを実施する。この薄化ステップは、例えば図６に示すような研削装置２を使用して実施する。図６において、４は研削装置２のベースであり、ベース４の後方にはコラム６が立設されている。コラム６には、上下方向に伸びる一対のガイドレール８が固定されている。   After performing the wafer fixing step, a thinning step is performed in which the back surface 19b of the wafer 19 is ground to a predetermined thickness. This thinning step is performed using, for example, a grinding apparatus 2 as shown in FIG. In FIG. 6, 4 is a base of the grinding apparatus 2, and a column 6 is erected on the rear side of the base 4. A pair of guide rails 8 extending in the vertical direction is fixed to the column 6.

この一対のガイドレール８に沿って研削ユニット（研削手段）１０が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット１０は、スピンドルハウジング１２と、スピンドルハウジング１２を支持する支持部１４を有しており、支持部１４が一対のガイドレール８に沿って上下方向に移動する移動基台１６に取り付けられている。   A grinding unit (grinding means) 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. The grinding unit 10 includes a spindle housing 12 and a support portion 14 that supports the spindle housing 12. The support portion 14 is attached to a moving base 16 that moves in the vertical direction along a pair of guide rails 8. Yes.

研削ユニット１０は、スピンドルハウジング１２中に回転可能に収容されたスピンドル１８と、スピンドル１８を回転駆動するモータ２０と、スピンドル１８の先端に固定されたホイールマウント２２と、ホイールマウント２２に着脱可能に装着された研削ホイール２４とを含んでいる。   The grinding unit 10 includes a spindle 18 rotatably accommodated in a spindle housing 12, a motor 20 that rotationally drives the spindle 18, a wheel mount 22 fixed to the tip of the spindle 18, and a detachable attachment to the wheel mount 22. And a mounted grinding wheel 24.

図７に示すように、研削ホイール２４はホイールマウント２２に着脱可能に装着されたホイール基台２６と、ホイール基台２６の下端外周部に環状に配設された複数の研削砥石２８とから構成される。   As shown in FIG. 7, the grinding wheel 24 includes a wheel base 26 that is detachably attached to the wheel mount 22 and a plurality of grinding wheels 28 that are annularly disposed on the outer periphery of the lower end of the wheel base 26. Is done.

再び図６を参照すると、研削装置２は、研削ユニット１０を一対の案内レール８に沿って上下方向に移動するボールねじ３０とパルスモータ３２とから構成される研削ユニット送り機構３４を備えている。パルスモータ３２を駆動すると、ボールねじ３０が回転し、移動基台１６が上下方向に移動される。   Referring again to FIG. 6, the grinding apparatus 2 includes a grinding unit feed mechanism 34 including a ball screw 30 that moves the grinding unit 10 in the vertical direction along the pair of guide rails 8 and a pulse motor 32. . When the pulse motor 32 is driven, the ball screw 30 rotates and the moving base 16 is moved in the vertical direction.

ベース４の上面には凹部４ａが形成されており、この凹部４ａにチャックテーブル機構３６が配設されている。チャックテーブル機構３６はチャックテーブル３８を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Ａと、研削ユニット１０に対向する研削位置Ｂとの間でＹ軸方向に移動される。４０，４２は蛇腹である。ベース４の前方側には、研削装置２のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル４４が配設されている。   A recess 4a is formed on the upper surface of the base 4, and a chuck table mechanism 36 is disposed in the recess 4a. The chuck table mechanism 36 has a chuck table 38 and is moved in the Y-axis direction between a wafer attaching / detaching position A and a grinding position B facing the grinding unit 10 by a moving mechanism (not shown). 40 and 42 are bellows. An operation panel 44 is provided on the front side of the base 4 so that an operator of the grinding apparatus 2 can input grinding conditions and the like.

以下、研削装置２を使用して実施するウエーハ薄化ステップについて図７を参照して説明する。研削装置２のチャックテーブル３８で支持部材１１を吸引保持し、ウエーハ１９の裏面１９ｂを露出させる。   Hereinafter, the wafer thinning step performed using the grinding apparatus 2 will be described with reference to FIG. The support member 11 is sucked and held by the chuck table 38 of the grinding device 2, and the back surface 19 b of the wafer 19 is exposed.

そして、チャックテーブル３８を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール２４を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ユニット送り機構３４を駆動して研削ホイール２４の研削砥石２８をウエーハ１９の裏面１９ｂに接触させる。そして、研削ホイール２４を所定の研削送り速度で所定量研削送りして、ウエーハ１９を所定の厚さ、例えば１００μｍに研削する。   Then, while rotating the chuck table 38 in the direction indicated by arrow a at 300 rpm, for example, the grinding wheel 24 is rotated in the direction indicated by arrow b at, for example, 6000 rpm, and the grinding unit feed mechanism 34 is driven to grind the grinding wheel 24. The grindstone 28 is brought into contact with the back surface 19 b of the wafer 19. Then, the grinding wheel 24 is ground by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed, and the wafer 19 is ground to a predetermined thickness, for example, 100 μm.

薄化ステップ実施後、支持部材１１を、一体化されたウエーハ１９、紫外線硬化樹脂１７及び樹脂フィルム１３からなるウエーハユニット２３から除去する支持部材除去ステップを実施する。   After carrying out the thinning step, a supporting member removing step for removing the supporting member 11 from the wafer unit 23 composed of the integrated wafer 19, the ultraviolet curable resin 17 and the resin film 13 is performed.

この支持部材除去ステップでは、例えば図８に示すように、ウエーハユニット２３の外周縁に沿ってスクレーパー等の工具を支持部材１１と紫外線硬化樹脂１７との界面に差し込むようにすると、ウエーハユニット２３から支持部材１１を容易に剥離することができる。   In this support member removing step, for example, as shown in FIG. 8, when a tool such as a scraper is inserted into the interface between the support member 11 and the ultraviolet curable resin 17 along the outer peripheral edge of the wafer unit 23, The support member 11 can be easily peeled off.

支持部材１１をウエーハユニット２３から剥離する際には、剥離起点部として作用するコーティング面１３ａに弱粘着剤のコーティングが施された樹脂フィルム１３が剥離起点となり、支持部材１１をウエーハユニット２３から容易に剥離することができる。   When the support member 11 is peeled from the wafer unit 23, the resin film 13 in which the coating surface 13a acting as a peeling start point portion is coated with a weak adhesive serves as a peeling start point, and the support member 11 can be easily removed from the wafer unit 23. Can be peeled off.

薄化されたウエーハ１９は紫外線硬化樹脂１７及び樹脂フィルム１３を一体化して剛性を有するため、支持部材１１を剥離する際や剥離した後のハンドリング時にウエーハ破損のリスクはほとんど発生しない。   Since the thinned wafer 19 has rigidity by integrating the ultraviolet curable resin 17 and the resin film 13, there is almost no risk of wafer breakage when the support member 11 is peeled off or during handling after peeling.

支持部材除去ステップ実施後、図９に示すように、ウエーハ１９の裏面１９ｂ側に粘着テープＴを貼着して、粘着テープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する転写ステップを実施する。この転写ステップは、支持部材除去ステップを実施する前に行うようにしてもよい。この場合には、転写ステップ実施後支持部材除去ステップを実施する。   After the support member removing step is performed, as shown in FIG. 9, a transfer step is performed in which the adhesive tape T is adhered to the back surface 19 b side of the wafer 19 and the outer peripheral portion of the adhesive tape T is adhered to the annular frame F. This transfer step may be performed before the support member removing step. In this case, a support member removing step is performed after the transfer step.

転写ステップ実施後、図１０（Ａ）に示すように、加熱ランプ２７により紫外線硬化樹脂１７を加熱して紫外線硬化樹脂１７を軟化させる。そして、図１０（Ｂ）に示すように、紫外線硬化樹脂１７を矢印Ｐ方向に引っ張ると、紫外線硬化樹脂１７が軟化しているため、剥離起点部として作用する樹脂フィルム１３とともに紫外線硬化樹脂１７がウエーハ１９上から容易に剥離される。   After the transfer step, as shown in FIG. 10A, the ultraviolet curable resin 17 is softened by heating the ultraviolet curable resin 17 with a heating lamp 27. As shown in FIG. 10B, when the ultraviolet curable resin 17 is pulled in the direction of arrow P, the ultraviolet curable resin 17 is softened, so that the ultraviolet curable resin 17 together with the resin film 13 acting as a peeling start point is formed. It is easily peeled off from the wafer 19.

尚、紫外線硬化樹脂１７の加熱は加熱ランプ２７に限定されるものではなく、紫外線硬化樹脂１７に温風を吹き付けるか、又はホットプレート上に紫外線硬化樹脂１７を載置して加熱するようにしてもよい。   The heating of the ultraviolet curable resin 17 is not limited to the heating lamp 27, but hot air is blown on the ultraviolet curable resin 17 or the ultraviolet curable resin 17 is placed on a hot plate and heated. Also good.

更に、紫外線硬化樹脂１７は加熱による軟化に限定されるものではなく、湯の中に浸漬することにより紫外線硬化樹脂１７を膨潤させてウエーハ１９から剥離するようにしてもよい。   Further, the ultraviolet curable resin 17 is not limited to softening by heating, and the ultraviolet curable resin 17 may be swelled and separated from the wafer 19 by being immersed in hot water.

紫外線硬化樹脂除去ステップを実施した後、切削装置を使用してのダイシング、又はレーザ加工装置によるグルービング＋エキスパンド工程、又は改質層の形成＋エキスパンド工程を実施して、光デバイスウエーハ１９を個々の光デバイス２１に分割する。   After performing the UV curable resin removal step, dicing using a cutting device, or grooving + expanding process using a laser processing apparatus, or forming a modified layer + expanding process, the optical device wafer 19 is individually separated. The optical device 21 is divided.

予めウエーハに改質層の形成加工や、又はグルービング加工を施しておき、図１０に示す紫外線硬化樹脂除去ステップ実施後、粘着テープＴをエキスパンドして光デバイスウエーハ１９を個々の光デバイス２１に分割するようにしてもよい。   The wafer is preliminarily formed with a modified layer or grooving, and after the UV curable resin removal step shown in FIG. 10, the adhesive tape T is expanded to divide the optical device wafer 19 into individual optical devices 21. You may make it do.

或いは、薄化ステップ実施後にウエーハ１９に改質層形成加工やグルービング加工を施し、図１０に示す紫外線硬化樹脂除去ステップ後に、粘着テープＴをエキスパンドして光デバイスウエーハ１９を個々の光デバイス２１に分割するようにしてもよい。この場合、ウエーハ１９は改質層やグルービング溝によって剛性が低下しているため、本発明の研削方法は特に有効である。   Alternatively, after the thinning step, the wafer 19 is subjected to a modified layer forming process or a grooving process, and after the ultraviolet curable resin removing step shown in FIG. 10, the adhesive tape T is expanded to make the optical device wafer 19 an individual optical device 21. You may make it divide | segment. In this case, since the rigidity of the wafer 19 is reduced by the modified layer or the grooving groove, the grinding method of the present invention is particularly effective.

（実験１）
下記の支持部材上に下記剥離起点部を密着させた後、剥離起点部上に紫外線硬化樹脂を塗布してサファイアウエーハを載置し、精密プレス機でサファイアウエーハを加圧して支持部材に貼り付けた。その後、紫外線硬化樹脂にサファイアウエーハを介して紫外線を照射してサファイアウエーハを支持部材上に固定した。サファイアウエーハを８０μｍに研削した際のウエーハの割れ及びクラックの有無、更に支持部材の剥離可否を確認して表１に示すような結果を得た。 (Experiment 1)
Adhere the following peeling starting point on the following support member, then apply UV curable resin on the peeling starting point and place the sapphire wafer, press the sapphire wafer with a precision press and attach it to the supporting member It was. Thereafter, the ultraviolet curable resin was irradiated with ultraviolet rays through a sapphire wafer to fix the sapphire wafer on the support member. When the sapphire wafer was ground to 80 μm, the presence or absence of cracks in the wafer and whether or not the support member could be peeled were confirmed, and the results shown in Table 1 were obtained.

支持部材 ：φ８インチ、厚さ１ｍｍの石英ガラス
剥離起点部 ：厚さ５０μｍの弱粘着剤コーティングＰＥＴフィルム
被加工物 ：φ６インチ、厚さ１ｍｍのサファイアウエーハ Support member: Quartz glass with φ8 inch, 1 mm thickness Peeling origin: Weak adhesive coated PET film with thickness of 50 μm Workpiece: Sapphire wafer with φ6 inch, thickness 1 mm

Figure 0005762213
Figure 0005762213

表１から明らかなように、剥離起点部無しの場合は支持部材１１のウエーハユニット２３からの剥離が不可能であったが、剥離起点部を形成した際は、剥離起点部とウエーハサイズのサイズの大小に関わらず、支持部材１１をウエーハユニット２３から剥離することができた。   As is apparent from Table 1, in the case where there was no peeling start point, it was impossible to peel the support member 11 from the wafer unit 23, but when the peeling start point was formed, the size of the peeling start point and the wafer size The support member 11 could be peeled from the wafer unit 23 regardless of the size.

１１ 支持部材
１３ 軟粘着剤コーティングされた樹脂フィルム
１７ 紫外線硬化樹脂
１９ 光デバイスウエーハ
２１ 光デバイス
２３ ウエーハユニット
２４ 研削ホイール
２５ 紫外線ランプ
２８ 研削砥石
Ｔ 粘着テープ
Ｆ 環状フレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Support member 13 Resin film 17 coated with soft adhesive agent 19 UV curable resin 19 Optical device wafer 21 Optical device 23 Wafer unit 24 Grinding wheel 25 Ultraviolet lamp 28 Grinding wheel T Adhesive tape F Annular frame

Claims (3)

支持部材上に配設された板状物の裏面を研削して所定厚みへ薄化する板状物の研削方法であって、該支持部材と板状物との少なくとも何れかが紫外線を透過する物質から構成されており、
板状物の面積よりも大きい面積を有する剛体からなる支持部材の支持面に剥離可能に密着する剥離起点部を形成する剥離起点部形成ステップと、
該剥離起点部形成ステップを実施した後、紫外線照射によって硬化するとともに加熱又は加水によって軟化性を発現する紫外線硬化樹脂を介して該剥離起点部上に板状物の表面側を載置し、該紫外線硬化樹脂の面積が該剥離起点部と板状物の面積よりも大きくなるように該紫外線硬化樹脂を形成するとともに、該紫外線硬化樹脂に板状物の表面側が埋め込まれ、板状物の外周が該紫外線硬化樹脂で囲繞された状態にする板状物載置ステップと、
該板状物載置ステップを実施した後、該紫外線硬化樹脂に該支持部材又は板状物を介して紫外線を照射して、該支持部材上に該剥離起点部及び該紫外線硬化樹脂を介して裏面が露出した状態で板状物を固定する板状物固定ステップと、
該板状物固定ステップを実施した後、該支持部材をチャックテーブルで保持して板状物の裏面側を研削し、板状物を所定厚みへと薄化する薄化ステップと、
該薄化ステップを実施した後、板状物が該紫外線硬化樹脂で該剥離起点部と一体化された形態の板状物ユニットから該支持部材を該剥離起点部と該支持部材との界面で剥離する支持部材除去ステップと、
該支持部材除去ステップを実施した後、該板状物ユニットの該紫外線硬化樹脂を加熱又は加水して軟化させ、板状物から該紫外線硬化樹脂を該剥離起点部とともに除去する紫外線硬化樹脂除去ステップと、
を具備したことを特徴とする板状物の研削方法。 A method for grinding a plate-like object by grinding a back surface of a plate-like object disposed on a support member to reduce the thickness to a predetermined thickness, wherein at least one of the support member and the plate-like object transmits ultraviolet rays. Composed of substances,
A peeling starting point forming step for forming a peeling starting point portion that adheres to the supporting surface of the supporting member made of a rigid body having an area larger than the area of the plate-like material in a peelable manner;
After carrying out the peeling starting part forming step, the surface side of the plate-like material is placed on the peeling starting part via an ultraviolet curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays and develops softening properties by heating or addition, The ultraviolet curable resin is formed so that the area of the ultraviolet curable resin is larger than the area of the separation starting point and the plate-like material, and the surface side of the plate-like material is embedded in the ultraviolet curable resin, A plate-like object placing step that is surrounded by the ultraviolet curable resin,
After carrying out the plate-like object placing step, the ultraviolet curable resin is irradiated with ultraviolet rays through the support member or the plate-like substance, and the separation starting point portion and the ultraviolet curable resin are passed through the support member. A plate fixing step for fixing the plate with the back surface exposed;
After carrying out the plate-like object fixing step, the supporting member is held by a chuck table, the back side of the plate-like object is ground, and the thinning step of thinning the plate-like object to a predetermined thickness;
After carrying out the thinning step, the support member is removed from the plate unit in a form in which the plate-like material is integrated with the peeling starting portion with the ultraviolet curable resin at the interface between the peeling starting portion and the supporting member. A supporting member removing step for peeling;
After carrying out the supporting member removing step, the ultraviolet curable resin of the plate unit is heated or hydrolyzed and softened, and the ultraviolet curable resin is removed from the plate together with the peeling starting portion. When,
A plate-like object grinding method comprising: 前記薄化ステップを実施した後、前記紫外線硬化樹脂除去ステップを実施する前に、前記板状物ユニットの板状物側に粘着テープを貼着するとともに該粘着テープの外周部を環状フレームに貼着する転写ステップを更に具備した請求項１記載の板状物の研削方法。   After carrying out the thinning step and before carrying out the UV curable resin removal step, stick an adhesive tape on the plate-like object side of the plate-like object unit and affix the outer periphery of the adhesive tape to an annular frame. The plate-like object grinding method according to claim 1, further comprising a transfer step of attaching. 板状物はサファイア又はＳｉＣから構成され、前記支持部材はシリコンウエーハから構成され、前記板状物固定ステップでは、板状物側から前記紫外線硬化樹脂へ紫外線を照射する請求項１又は２記載の板状物の研削方法。   The plate-like object is made of sapphire or SiC, the support member is made of a silicon wafer, and in the plate-like object fixing step, the ultraviolet curable resin is irradiated with ultraviolet rays from the plate-like object side. A method for grinding plate-like objects.
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