JP5760594B2 - Pattern member cleaning method - Google Patents

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Description

本発明は、パターン部材洗浄方法及び洗浄装置に係り、特に、集積回路等の製造プロセスで使用されるレチクル又はフォトマスク（以下、フォトマスクとする）を洗浄する方法及び装置に関する。   The present invention relates to a pattern member cleaning method and cleaning apparatus, and more particularly to a method and apparatus for cleaning a reticle or photomask (hereinafter referred to as a photomask) used in a manufacturing process of an integrated circuit or the like.

シリコンウエハに集積回路パターンを描画するフォトリソグラフィ技術においては、高集積化に伴い、より微細な回路パターンを露光するための技術が要求されている。このため、パターン転写に用いるフォトマスクのパターン線幅の微細化も進んでおり、これに伴い、パターンのアスペクト比も大きくなる傾向にある。また、パターン上の塵の許容サイズも小さくなる傾向にある。このため、フォトマスクのパターン上の塵の洗浄には、脆弱なパターンの破壊を抑制しつつ、より微細な除去し難い塵を除去するという相反する性能が求められる。   In a photolithography technique for drawing an integrated circuit pattern on a silicon wafer, a technique for exposing a finer circuit pattern is required as the integration becomes higher. For this reason, the pattern line width of the photomask used for pattern transfer is also becoming finer, and accordingly, the aspect ratio of the pattern tends to increase. In addition, the allowable size of dust on the pattern tends to be small. For this reason, the cleaning of dust on the pattern of the photomask requires conflicting performance of removing finer particles that are difficult to remove while suppressing the destruction of fragile patterns.

パターン上の塵を除去するための一般的な洗浄方法としては、超音波洗浄や２流体洗浄に代表される衝撃的な物理力による洗浄と、アンモニア過水を用いるようなケミカル洗浄を併用する方法が用いられる。しかし、上述したように、微細パターンの脆弱化と微小な塵の除去困難性が進むと、衝撃的な物理力による洗浄の適用は困難となる。   As a general cleaning method for removing dust on the pattern, a method using a combination of cleaning by shocking physical force represented by ultrasonic cleaning and two-fluid cleaning and chemical cleaning using ammonia water is used. Is used. However, as described above, when the weakening of the fine pattern and the difficulty of removing the fine dust progress, it becomes difficult to apply cleaning by shocking physical force.

これに対し、特許文献１に示すような、衝撃的な物理力を伴わない洗浄方法も提案されている。この洗浄方法は、塵が付着したフォトマスクのパターン上に液状ポリマーを塗布しベーキングすることによりポリマー膜を形成し、このポリマー膜を温水により溶解除去するか、または物理的に剥がすことにより、塵を除去するものである。   On the other hand, a cleaning method without impact physical force as shown in Patent Document 1 has been proposed. In this cleaning method, a polymer film is formed by applying and baking a liquid polymer on a photomask pattern to which dust adheres, and the polymer film is dissolved and removed by warm water or physically peeled off. Is to be removed.

しかし、このような特許文献１に示す方法は、液状ポリマーを塗布しベーキングすることによるフィルム化するという不加逆反応を利用してポリマー膜を形成するものであり、ポリマー膜を除去した後、ポリマー膜の一部がパターン上に残留するという問題がある。このポリマー膜の残留物は、新たな固形物の塵となり、完全な除去が困難であるという問題がある。   However, such a method shown in Patent Document 1 is to form a polymer film using an irreversible reaction in which a liquid polymer is applied and baked to form a film, and after removing the polymer film, There is a problem that a part of the polymer film remains on the pattern. The polymer film residue becomes a new solid dust, which is difficult to completely remove.

特開平５−１０７７４４号公報JP-A-5-107744

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、パターン部材上に固形物が残存することのない塵の除去を可能とするパターン部材洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a pattern member cleaning method and a cleaning apparatus that can remove dust without solid matter remaining on the pattern member. .

上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、基板上にパターンが形成されたパターン部材に付着した塵を除去するパターン部材洗浄方法であって、前記パターン部材のパターン形成面に、エチレンカーボネート、ジメチルスルホキシド、スルホランからなる群から選ばれた1種である、冷却により固化可能な液状塵除去材料を付与する工程、前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程、及び前記塵除去層を、前記パターン部材に付着した塵とともに除去する工程を具備することを特徴とするパターン部材洗浄方法を提供する。 In order to solve the above-mentioned problem, a first aspect of the present invention is a pattern member cleaning method for removing dust adhering to a pattern member on which a pattern is formed on a substrate. A step of applying a liquid dust removing material that can be solidified by cooling , which is one selected from the group consisting of ethylene carbonate, dimethyl sulfoxide, and sulfolane, cooling the liquid dust removing material, and a solid or gel-like dust removing layer And a pattern member cleaning method comprising: removing the dust removal layer together with dust attached to the pattern member.

このようなパターン部材洗浄方法において、前記パターンを遮光膜パターンとし、前記パターン部材をフォトマスクおよびナノインプリントモールドとすることが出来る。   In such a pattern member cleaning method, the pattern can be a light-shielding film pattern, and the pattern member can be a photomask and a nanoimprint mold.

また、前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程は、前記パターン部材のパターン形成面に冷却体を接触させることとすることが出来る。   The step of cooling the liquid dust removing material to form a solid or gel-like dust removing layer may bring a cooling body into contact with the pattern forming surface of the pattern member.

前記冷却体及び前記パターン部材の温度を調整することにより、前記塵除去層の前記パターン部材と接触する部分の硬度を下げ、前記塵除去層の剥離性を向上させることが出来る。   By adjusting the temperature of the cooling body and the pattern member, the hardness of the portion of the dust removal layer that comes into contact with the pattern member can be lowered, and the peelability of the dust removal layer can be improved.

前記塵除去材料として、有機物を溶解可能であるものを用いることが出来る。   As the dust removing material, a material capable of dissolving organic matter can be used.

前記塵除去層を除去する工程の後、前記パターン部材に残留する塵除去層を加熱することにより液状にする工程、及び前記パターン部材のパターン形成面に、前記塵除去材料を溶解可能な液体を供給することにより、前記液状の残留塵除去層を溶解除去する工程を更に具備することが出来る。   After the step of removing the dust removal layer, a step of heating the dust removal layer remaining on the pattern member to make it liquid, and a liquid capable of dissolving the dust removal material on the pattern forming surface of the pattern member By supplying, a step of dissolving and removing the liquid residual dust removing layer can be further provided.

本発明によると、パターン部材のパターンに衝撃力を加えることなく、従ってパターンを損傷させることなく、容易にパターン部材から塵を除去することが可能である。また、塵除去材料として固化した後、容易に液化可能な材料を使用することにより、パターン部材の表面に固形物が残留することがなく、しかも洗浄工程において新たな塵がパターン部材の表面に付着する可能性がない、優れた洗浄が可能である。   According to the present invention, it is possible to easily remove dust from the pattern member without applying an impact force to the pattern of the pattern member, and thus without damaging the pattern. In addition, by using a material that can be easily liquefied after solidifying as a dust removal material, solid matter does not remain on the surface of the pattern member, and new dust adheres to the surface of the pattern member in the cleaning process. Excellent cleaning is possible without any possibility.

ができる。 Can do.

本発明の一実施形態に係るフォトマスク洗浄方法を工程順に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photomask cleaning method which concerns on one Embodiment of this invention to process order. 本発明の一実施形態に係るフォトマスク洗浄方法を工程順に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photomask cleaning method which concerns on one Embodiment of this invention to process order.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

図１及び図２は、本発明をフォトマスクの洗浄に適用した、本発明の一実施形態に係るフォトマスク洗浄方法を工程順に示す断面図である。   1 and 2 are sectional views showing a photomask cleaning method according to an embodiment of the present invention in which the present invention is applied to photomask cleaning in order of steps.

図１（ａ）は、本実施形態に係るフォトマスク洗浄方法の対象であるフォトマスクを示し、このフォトマスク１は、ガラス基板２上に遮光膜パターン３が形成されたものであり、表面に塵４が付着している。なお、ガラス基板２としては、石英ガラスやソーダライムガラスが用いられ、遮光膜パターン３としては、クロム、酸化クロム、モリブデンシリサイド、シリコン等が用いられる。ナノインプリントモールドでは、遮光帯パターン３はガラス基板２と同様の材質となる。   FIG. 1A shows a photomask which is a target of the photomask cleaning method according to the present embodiment, and this photomask 1 has a light-shielding film pattern 3 formed on a glass substrate 2 and has a surface. Dust 4 is attached. Note that quartz glass or soda lime glass is used as the glass substrate 2, and chromium, chromium oxide, molybdenum silicide, silicon, or the like is used as the light shielding film pattern 3. In the nanoimprint mold, the light shielding band pattern 3 is made of the same material as that of the glass substrate 2.

まず、図１（ｂ）に示すように、塵除去材料供給ノズル５から液状塵除去材料６を、フォトマスク１の表面に供給する。フォトマスク１はスピンチャック（図示せず）に固定されており、スピンチャックの回転によりフォトマスク１上に液状塵除去材料６がスピンコートされる。   First, as shown in FIG. 1B, the liquid dust removing material 6 is supplied from the dust removing material supply nozzle 5 to the surface of the photomask 1. The photomask 1 is fixed to a spin chuck (not shown), and the liquid dust removing material 6 is spin-coated on the photomask 1 by the rotation of the spin chuck.

液状塵除去材料６がフォトマスク１の表面を完全に覆った状態となった後、塵除去材料供給ノズル５からの液状塵除去材料６の供給が停止され、次いで、スピンチャックの回転を停止する。これにより、均一な液状塵除去材料６の層が形成される。液状塵除去材料６は表面張力によりフォトマスク１の表面に付着される。図１（ｃ）は、フォトマスク１上に液状塵除去材料６が塗布された状態を示す。   After the liquid dust removing material 6 has completely covered the surface of the photomask 1, the supply of the liquid dust removing material 6 from the dust removing material supply nozzle 5 is stopped, and then the spin chuck is stopped. . Thereby, a uniform layer of the liquid dust removing material 6 is formed. The liquid dust removing material 6 is attached to the surface of the photomask 1 by surface tension. FIG. 1C shows a state where the liquid dust removing material 6 is applied on the photomask 1.

液状塵除去材料６の塗布方法は、図示するようなスピンコートに限定されないが、スピンコートを採用することにより、液状塵除去材料６をフォトマスク１上に均一に塗布することが出来る。   The application method of the liquid dust removing material 6 is not limited to the spin coating as shown in the figure, but the liquid dust removing material 6 can be uniformly applied on the photomask 1 by adopting the spin coating.

塵除去材料６は、フォトマスク１上で液状であって、冷却により固体又はゲル状となるもの、また遮光膜パターン３と反応しないものである必要がある。常温で液状のものに限定されないが、常温で固体のものでは、加熱して液状にして塗布する必要があるので、常温で液状のものが好ましい。塵除去材料６の融点は、５〜５０℃であるのが好ましい。また、後述するように、塵除去材料層の剥離後もフォトマスク１表面に残留する塵除去材料を溶解除去することが出来るように、塵除去材料６は、水溶性であることが望ましい。   The dust removing material 6 needs to be liquid on the photomask 1 and become a solid or gel upon cooling, or should not react with the light shielding film pattern 3. Although it is not limited to a liquid thing at normal temperature, in the case of a solid thing at normal temperature, since it is necessary to heat and apply | coat, it is a liquid thing at normal temperature. The melting point of the dust removing material 6 is preferably 5 to 50 ° C. Further, as will be described later, it is desirable that the dust removing material 6 is water-soluble so that the dust removing material remaining on the surface of the photomask 1 can be dissolved and removed even after the dust removing material layer is peeled off.

塵除去材料６の具体例としては、エチレンカーボネート（融点：３６．０℃）、ジメチルスルホキシド（融点：１８．５℃）、スルホラン（融点：２７．６℃）等を挙げることができる。   Specific examples of the dust removing material 6 include ethylene carbonate (melting point: 36.0 ° C.), dimethyl sulfoxide (melting point: 18.5 ° C.), sulfolane (melting point: 27.6 ° C.), and the like.

なお、塵除去材料６として有機物を溶解し得るものを用いることにより、塵の表面が有機物で覆われていたり、塵自体が有機物からなる場合に、フォトマスク１表面への塵除去材料６の塗布により有機物が溶解され、塵の除去を容易に行うことができる。有機物を溶解し得る塵除去材料６としては、上述したエチレンカーボネートを挙げることが出来る。   In addition, by using a material capable of dissolving organic matter as the dust removing material 6, the dust removing material 6 is applied to the surface of the photomask 1 when the dust surface is covered with the organic matter or the dust itself is made of the organic matter. As a result, the organic matter is dissolved, and dust can be easily removed. Examples of the dust removing material 6 that can dissolve the organic matter include the above-described ethylene carbonate.

次に、図１（ｄ）に示すように、液状塵除去材料６の上方から、液状塵除去材料６の融点以下の温度にある冷却体７を降下させ、液状塵除去材料６の表面に接触させる。冷却体７は、接触前には液状塵除去材料６の融点以上の温度であってもよく、その場合には、接触時または接触後に融点以下の温度に下げればよい。このように、冷却体７との接触により、液状塵除去材料６は液状から固体又はゲル状に変換され、固体又はゲル状の塵除去材料層８が形成される。この場合、液状塵除去材料６は、フォトマスク１表面の塵４を保持した状態で固化する。   Next, as shown in FIG. 1 (d), the cooling body 7 at a temperature equal to or lower than the melting point of the liquid dust removing material 6 is lowered from above the liquid dust removing material 6 to come into contact with the surface of the liquid dust removing material 6. Let The cooling body 7 may be at a temperature equal to or higher than the melting point of the liquid dust removing material 6 before the contact, and in that case, it may be lowered to a temperature equal to or lower than the melting point at the time of contact or after the contact. Thus, by contact with the cooling body 7, the liquid dust removing material 6 is converted from liquid to solid or gel, and the solid or gel dust removing material layer 8 is formed. In this case, the liquid dust removing material 6 is solidified while holding the dust 4 on the surface of the photomask 1.

冷却体７の温度を制御する方法としては、冷却体７の内部に管を配置するか又は空間を設けておき、それら管又は空間内に冷却水又は温水を流す方法が挙げられる。冷却体７を構成する材料としては、ステンレス、アルミニウム等を挙げることができる。   As a method for controlling the temperature of the cooling body 7, there is a method in which a pipe is disposed inside the cooling body 7 or a space is provided, and cooling water or hot water is allowed to flow through the pipe or the space. Examples of the material constituting the cooling body 7 include stainless steel and aluminum.

なお、冷却体７の塵除去材料６（塵除去材料層８）との接触面に、他の材質の膜を被着してもよい。例えば、数ミリ程度の膜厚のガラス層を形成してもよく、また、このガラス層上に、クロム等の金属膜をスパッタリング等により設けてもよい。また、ガラス層上に限らず、冷却体７の他の面にもクロム等の金属膜をスパッタリング等により設けてもよい。   Note that a film made of another material may be attached to the contact surface of the cooling body 7 with the dust removing material 6 (dust removing material layer 8). For example, a glass layer having a thickness of about several millimeters may be formed, and a metal film such as chromium may be provided on the glass layer by sputtering or the like. Further, not only on the glass layer but also on the other surface of the cooling body 7, a metal film such as chromium may be provided by sputtering or the like.

更に、冷却体７の塵除去材料６（塵除去材料層８）との接触面に、或いはガラス層や金属層上に、塵除去材料層８との接着性を強化する材料、例えばシランカップリング剤等を塗布することも可能である。冷却体７と塵除去材料層８との接着性を強化することにより、後述するように、冷却体７を上昇させてフォトマスク１から塵除去材料層８を剥離する際に、塵除去材料層８の一部がフォトマスク１に残留することが防止される。シランカップリング剤以外に、冷却体７と塵除去材料層８との接着性を強化する材料としては、シリコーン系粘着剤等を挙げることが出来る。   Further, a material that enhances adhesion to the dust removing material layer 8 on the contact surface of the cooling body 7 with the dust removing material 6 (dust removing material layer 8) or on the glass layer or the metal layer, for example, silane coupling. It is also possible to apply an agent or the like. By strengthening the adhesiveness between the cooling body 7 and the dust removing material layer 8, as will be described later, when the cooling body 7 is raised and the dust removing material layer 8 is peeled from the photomask 1, the dust removing material layer 8 is prevented from remaining on the photomask 1. In addition to the silane coupling agent, examples of the material that enhances the adhesiveness between the cooling body 7 and the dust removing material layer 8 include a silicone-based pressure-sensitive adhesive.

このように、冷却体７と塵除去材料層８とが接触した状態で、冷却体７を上昇させると、図２（ａ）に示すように、塵除去材料層８は表面に塵４を保持したまま、冷却体７とともに上昇し、フォトマスク１から剥離される。その結果、フォトマスク１の表面から塵４が除去される。   Thus, when the cooling body 7 is raised in a state where the cooling body 7 and the dust removing material layer 8 are in contact, the dust removing material layer 8 holds the dust 4 on the surface as shown in FIG. As it is, it rises with the cooling body 7 and is peeled off from the photomask 1. As a result, the dust 4 is removed from the surface of the photomask 1.

このような塵除去材料層８の剥離工程において、塵除去材料層８及び冷却体７の温度は塵除去材料の融点以下であるが、フォトマスク１の温度は、塵除去材料の融点以下であっても融点以上であってもよい。即ち、冷却体７の温度を塵除去材料の融点以下とし、フォトマスク１の温度を塵除去材料の融点より数℃高く、例えば２℃程度高くしてもよい。そうすることにより、塵除去材料層８のフォトマスク１との接触部が軟化した状態となり、塵除去材料層８のフォトマスク１からの剥離を容易に行うことが出来る。   In such a dust removing material layer 8 peeling step, the temperature of the dust removing material layer 8 and the cooling body 7 is not higher than the melting point of the dust removing material, but the temperature of the photomask 1 is not higher than the melting point of the dust removing material. Alternatively, it may be higher than the melting point. That is, the temperature of the cooling body 7 may be set below the melting point of the dust removing material, and the temperature of the photomask 1 may be several degrees higher than the melting point of the dust removing material, for example, about 2 ° C. By doing so, the contact portion of the dust removing material layer 8 with the photomask 1 is softened, and the dust removing material layer 8 can be easily peeled from the photomask 1.

以上のようなフォトマスク１の表面からの塵４の除去方法によると、除去工程中に微量な塵が冷却体７の表面から塵除去材料層８中に混入したとしても、あるいはまた微量な塵がもともと塵除去材料層８中に存在していたとしても、塵除去材料層８中に保持されたままフォトマスク１から剥離されるため、フォトマスク１に付着することはない。   According to the method for removing the dust 4 from the surface of the photomask 1 as described above, even if a very small amount of dust is mixed into the dust removing material layer 8 from the surface of the cooling body 7 during the removing process, or even a very small amount of dust. Even if it is originally present in the dust removal material layer 8, it is peeled off from the photomask 1 while being held in the dust removal material layer 8, so that it does not adhere to the photomask 1.

以上で、本実施形態に係るフォトマスク洗浄工程は完了するが、場合によっては、図２（ａ）に示すように、塵除去材料層８の微小な部分９がわずかにフォトマスク１の表面に残留することが考えられる。なお、図中、参照符号１０は、微小な部分９がフォトマスク１の表面に残留することにより生じた塵除去材料層８の欠損部を示す。このような場合、フォトマスク１の全体を塵除去材料の融点以上の温度に加熱することにより、フォトマスク１の表面に残留する塵除去材料の微小な部分９を液化して、微小な液状部分１１とすることが出来る。   Although the photomask cleaning process according to the present embodiment is completed as described above, in some cases, the minute portion 9 of the dust removing material layer 8 is slightly on the surface of the photomask 1 as shown in FIG. It is thought that it remains. In the drawing, reference numeral 10 indicates a defective portion of the dust removing material layer 8 generated by the minute portion 9 remaining on the surface of the photomask 1. In such a case, by heating the entire photomask 1 to a temperature equal to or higher than the melting point of the dust removing material, the minute portion 9 of the dust removing material remaining on the surface of the photomask 1 is liquefied and a minute liquid portion is obtained. 11 can be used.

最後に、塵除去材料を溶解可能な液体１２をフォトマスク１の表面に施すことにより、微小な液状部分１１をフォトマスク１の表面から完全に除去することが出来る。この場合、塵除去材料を溶解可能な液体１２をフォトマスク１の表面に万遍なく行き渡らせるためには、フォトマスク１を回転させることが望ましい。   Finally, by applying a liquid 12 capable of dissolving the dust removing material to the surface of the photomask 1, the minute liquid portion 11 can be completely removed from the surface of the photomask 1. In this case, it is desirable to rotate the photomask 1 in order to spread the liquid 12 that can dissolve the dust removing material uniformly on the surface of the photomask 1.

なお、塵除去材料としてエチレンカーボネートを用いた場合には、エチレンカーボネートは水に可溶であることから、塵除去材料を溶解可能な液体として、取り扱い及び入手が容易な純水を用いることができる。なお、塵除去材料を溶解可能な液体１２としては、使用される塵除去材料の種類に応じて、種々の溶媒を用いることが出来る。   In addition, when ethylene carbonate is used as the dust removing material, since ethylene carbonate is soluble in water, pure water that is easy to handle and obtain can be used as a liquid that can dissolve the dust removing material. . As the liquid 12 that can dissolve the dust removing material, various solvents can be used depending on the type of the dust removing material used.

このようにして微小な液状部分１１をフォトマスク１の表面から完全に除去した後、フォトマスク１の表面に残留する水等の液体１２は、フォトマスク１を高速回転することにより、容易にフォトマスク１の表面から除去することが出来る。   After the fine liquid portion 11 is completely removed from the surface of the photomask 1 in this way, the liquid 12 such as water remaining on the surface of the photomask 1 is easily photo-rotated by rotating the photomask 1 at a high speed. It can be removed from the surface of the mask 1.

以上のように、本実施形態によると、フォトマスク１の塵４が付着した面に液状塵除去材料を塗布し、固化し、次いで剥離することにより、遮光膜パターン３に衝撃力を加えることなく、従って遮光膜パターン３を損傷させることなく、容易にフォトマスク１から塵４を除去することが可能である。また、塵除去材料として、固化した後に容易に液化可能な材料を使用していることから、フォトマスク１の表面に固形物が残留することがなく、しかも洗浄工程において新たな塵がフォトマスク１の表面に付着する可能性がない、優れた洗浄が可能である。   As described above, according to the present embodiment, the liquid dust removing material is applied to the surface of the photomask 1 to which the dust 4 is adhered, solidified, and then peeled off, so that no impact force is applied to the light shielding film pattern 3. Therefore, it is possible to easily remove the dust 4 from the photomask 1 without damaging the light shielding film pattern 3. In addition, since a material that can be easily liquefied after solidification is used as the dust removing material, solid matter does not remain on the surface of the photomask 1, and new dust is generated in the photomask 1 in the cleaning process. Excellent cleaning with no possibility of adhering to the surface is possible.

以上、本発明をフォトマスクの洗浄に適用した実施形態について説明したが、本発明はフォトマスクの洗浄に限らず、ナノインプリントモールド等の、基板上にパターンが形成された様々なパターン部材の洗浄に適用することが可能である。
以下に、当初の特許請求の範囲に記載していた発明を付記する。
［１］
基板上にパターンが形成されたパターン部材に付着した塵を除去するパターン部材洗浄方法であって、
前記パターン部材のパターン形成面に、冷却により固化可能な液状塵除去材料を付与する工程、
前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程、及び
前記塵除去層を、前記パターン部材に付着した塵とともに除去する工程
を具備することを特徴とするパターン部材洗浄方法。
［２］
前記パターンは遮光膜パターンであり、前記パターン部材はフォトマスクまたはナノインプリントモールドであることを特徴とする［１］に記載のパターン部材洗浄方法。
［３］
前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程は、前記パターン部材のパターン形成面側に冷却体を接触させることからなる［１］又は［２］に記載のパターン部材洗浄方法。
［４］
前記冷却体及び前記パターン部材の温度を調整することにより、前記塵除去層の前記パターン部材と接触する部分の硬度を下げ、前記塵除去層の剥離性を向上させることを特徴とする［３］に記載のパターン部材洗浄方法。
［５］
前記塵除去材料は、有機物を溶解可能であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載のパターン部材洗浄方法。
［６］
前記塵除去層を除去する工程の後、前記パターン部材に残留する塵除去層を加熱することにより液状にする工程、及び前記パターン部材のパターン形成面に、前記塵除去材料を溶解可能な液体を供給することにより、前記液状の残留塵除去層を溶解除去する工程を更に具備することを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載のパターン部材洗浄方法。
［７］
前記塵除去材料は、エチレンカーボネート、ジメチルスルホキシド、スルホランからなる群から選ばれた1種であることを特徴とする［１］〜［４］及び［６］のいずれかに記載のフォトマスク洗浄方法。
［８］
基板上にパターンが形成されたパターン部材に付着した塵を除去するパターン部材洗浄装置であって、
前記パターン部材のパターン形成面に、冷却により固化可能な液状塵除去材料を付与する手段、
固体又はゲル状の塵除去層を形成するために前記液状塵除去材料を冷却する手段、及び
前記塵除去層を、前記パターン部材に付着した塵とともに除去する手段
を具備することを特徴とするパターン部材洗浄装置。
［９］
前記パターンは遮光膜パターンであり、前記パターン部材はフォトマスクであることを特徴とする［８］に記載のパターン部材洗浄装置。
［１０］
固体又はゲル状の塵除去層を形成するために前記液状塵除去材料を冷却する手段は、前記パターン部材のパターン形成面側に接触する冷却体を備えることを特徴とする［８］又は［９］に記載のパターン部材洗浄装置。
［１１］
前記塵除去層の前記パターン部材と接触する部分の硬度を下げ、前記塵除去層の剥離性を向上させるために、前記冷却体及び前記パターン部材の温度を調整する手段を更に具備することを特徴とする［１０］に記載のパターン部材洗浄装置。
［１２］
前記塵除去層を除去した後、前記パターン部材に残留する塵除去層を液状にするために加熱する手段、及び前記液状の残留塵除去層を溶解除去するために、前記パターン部材のパターン形成面に前記塵除去材料を溶解可能な液体を供給する手段を更に具備することを特徴とする［８］〜［１１］のいずれかに記載のパターン部材洗浄装置。 As described above, the embodiment in which the present invention is applied to the cleaning of the photomask has been described. It is possible to apply.
The invention described in the original claims is appended below.
[1]
A pattern member cleaning method for removing dust adhering to a pattern member having a pattern formed on a substrate,
Applying a liquid dust removing material that can be solidified by cooling to the pattern forming surface of the pattern member;
Cooling the liquid dust removing material to form a solid or gel dust removing layer; and
Removing the dust removal layer together with dust adhering to the pattern member
A pattern member cleaning method comprising:
[2]
The pattern member cleaning method according to [1], wherein the pattern is a light shielding film pattern, and the pattern member is a photomask or a nanoimprint mold.
[3]
The step of cooling the liquid dust removing material and forming a solid or gel-like dust removing layer comprises bringing a cooling body into contact with the pattern forming surface side of the pattern member. [1] or [2] Pattern member cleaning method.
[4]
By adjusting the temperature of the cooling body and the pattern member, the hardness of the portion of the dust removal layer that comes into contact with the pattern member is lowered, and the peelability of the dust removal layer is improved [3] 2. The pattern member cleaning method according to 1.
[5]
The method for cleaning a pattern member according to any one of [1] to [4], wherein the dust removing material can dissolve organic matter.
[6]
After the step of removing the dust removal layer, a step of heating the dust removal layer remaining on the pattern member to make it liquid, and a liquid capable of dissolving the dust removal material on the pattern forming surface of the pattern member The pattern member cleaning method according to any one of [1] to [5], further comprising a step of dissolving and removing the liquid residual dust removing layer by supplying.
[7]
The photomask cleaning method according to any one of [1] to [4] and [6], wherein the dust removing material is one selected from the group consisting of ethylene carbonate, dimethyl sulfoxide, and sulfolane. .
[8]
A pattern member cleaning apparatus for removing dust adhering to a pattern member having a pattern formed on a substrate,
Means for applying a liquid dust removing material that can be solidified by cooling to the pattern forming surface of the pattern member;
Means for cooling the liquid dust removal material to form a solid or gel-like dust removal layer; and
Means for removing the dust removal layer together with dust adhering to the pattern member
A pattern member cleaning apparatus comprising:
[9]
The pattern member cleaning apparatus according to [8], wherein the pattern is a light shielding film pattern, and the pattern member is a photomask.
[10]
[8] or [9], wherein the means for cooling the liquid dust removing material to form a solid or gel-like dust removing layer includes a cooling body in contact with the pattern forming surface side of the pattern member. ] The pattern member washing | cleaning apparatus of description.
[11]
In order to reduce the hardness of the portion of the dust removal layer that comes into contact with the pattern member and improve the peelability of the dust removal layer, it further comprises means for adjusting the temperature of the cooling body and the pattern member. The pattern member cleaning apparatus according to [10].
[12]
After removing the dust removal layer, a means for heating to make the dust removal layer remaining on the pattern member liquid, and a pattern forming surface of the pattern member for dissolving and removing the liquid residual dust removal layer The pattern member cleaning apparatus according to any one of [8] to [11], further comprising means for supplying a liquid capable of dissolving the dust removing material.

１…フォトマスク、２…ガラス基板、３…遮光膜パターン、４…塵、５…塵除去材料供給ノズル、６…液状塵除去材料、７…冷却体、８…塵除去材料層、９…残留する塵除去材料の微小な部分、１０…塵除去材料層の欠損部、１１…微小な液状部分、１２…塵除去材料を溶解可能な液体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photomask, 2 ... Glass substrate, 3 ... Light-shielding film pattern, 4 ... Dust, 5 ... Dust removal material supply nozzle, 6 ... Liquid dust removal material, 7 ... Cooling body, 8 ... Dust removal material layer, 9 ... Residual A fine part of the dust removing material, 10 ... a defective part of the dust removing material layer, 11 ... a fine liquid part, 12 ... a liquid capable of dissolving the dust removing material.

Claims (6)

基板上にパターンが形成されたパターン部材に付着した塵を除去するパターン部材洗浄方法であって、
前記パターン部材のパターン形成面に、エチレンカーボネート、ジメチルスルホキシド、スルホランからなる群から選ばれた1種である、冷却により固化可能な液状塵除去材料を付与する工程、
前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程、及び
前記塵除去層を、前記パターン部材に付着した塵とともに除去する工程
を具備することを特徴とするパターン部材洗浄方法。 A pattern member cleaning method for removing dust adhering to a pattern member having a pattern formed on a substrate,
A step of applying a liquid dust removing material that can be solidified by cooling , which is one selected from the group consisting of ethylene carbonate, dimethyl sulfoxide, and sulfolane, to the pattern forming surface of the pattern member,
A pattern member comprising: a step of cooling the liquid dust removing material to form a solid or gel dust removing layer; and a step of removing the dust removing layer together with dust adhering to the pattern member. Cleaning method. 前記パターンは遮光膜パターンであり、前記パターン部材はフォトマスクまたはナノインプリントモールドであることを特徴とする請求項１に記載のパターン部材洗浄方法。   The pattern member cleaning method according to claim 1, wherein the pattern is a light shielding film pattern, and the pattern member is a photomask or a nanoimprint mold. 前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程は、前記パターン部材のパターン形成面側に冷却体を接触させることからなる請求項１又は２に記載のパターン部材洗浄方法。   The pattern member according to claim 1, wherein the step of cooling the liquid dust removing material to form a solid or gel-like dust removing layer comprises bringing a cooling body into contact with the pattern forming surface side of the pattern member. Cleaning method. 前記冷却体及び前記パターン部材の温度を調整することにより、前記塵除去層の前記パターン部材と接触する部分の硬度を下げ、前記塵除去層の剥離性を向上させることを特徴とする請求項３に記載のパターン部材洗浄方法。   The temperature of the said cooling body and the said pattern member is adjusted, the hardness of the part which contacts the said pattern member of the said dust removal layer is reduced, and the peelability of the said dust removal layer is improved. 2. The pattern member cleaning method according to 1. 前記塵除去材料は、有機物を溶解可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のパターン部材洗浄方法。   The pattern member cleaning method according to claim 1, wherein the dust removing material is capable of dissolving organic matter. 前記塵除去層を除去する工程の後、前記パターン部材に残留する塵除去層を加熱することにより液状にする工程、及び前記パターン部材のパターン形成面に、前記塵除去材料を溶解可能な液体を供給することにより、前記液状の残留塵除去層を溶解除去する工程を更に具備することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のパターン部材洗浄方法。   After the step of removing the dust removal layer, a step of heating the dust removal layer remaining on the pattern member to make it liquid, and a liquid capable of dissolving the dust removal material on the pattern forming surface of the pattern member The pattern member cleaning method according to claim 1, further comprising a step of dissolving and removing the liquid residual dust removing layer by supplying.
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