JP5758662B2 - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 - Google Patents
極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5758662B2 JP5758662B2 JP2011064053A JP2011064053A JP5758662B2 JP 5758662 B2 JP5758662 B2 JP 5758662B2 JP 2011064053 A JP2011064053 A JP 2011064053A JP 2011064053 A JP2011064053 A JP 2011064053A JP 5758662 B2 JP5758662 B2 JP 5758662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light intensity
- optical system
- laser beam
- target material
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 158
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 137
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 81
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 32
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
しかしながら、特許文献1において、レーザパルスのエネルギーからEUV光のエネルギーへの十分な変換効率(conversion efficiency、CE)を得ることは困難であった。
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成装置の全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.光強度分布の例
5.光強度分布調節光学系の実施形態
5.1 円環状ビームを生成して集光光学系により集光する方式
5.1.1 アキシコンレンズによる円環状ビームの生成
5.1.2 アキシコンミラーによる円環状ビームの生成
5.2 ビームを軸対称に曲げて集光光学系により焦点を形成する方式
5.2.1 アキシコンレンズと集光光学系による円環状分布の形成
5.2.2 アキシコンレンズと集光光学系によるコアアンドホロー型分布の形成
5.2.3 同心円状の回折格子と集光光学系による円環状分布の形成
5.2.4 同心円状の回折格子と集光光学系によるコアアンドホロー型分布の形成
5.2.5 同心円状の回折格子と集光光学系との一体化
5.3 回折光学素子と集光光学系による任意の光強度分布の形成
6.ターゲット供給部の実施形態
本開示の各実施形態においては、チャンバ内にターゲット物質に照射するレーザビームの光強度分布を高い変換効率(CE)となるように最適化する。
本願において使用する用語を説明する。
「チャンバ」は、EUV光の生成が行われる空間を大気から隔絶するためのチャンバである。
「ターゲット供給部」は、EUV光を生成するために用いられるスズ等のターゲット物質をチャンバ内に供給する装置である。
「レーザビーム」は、ターゲット物質を励起してプラズマ化するレーザビームである。
「EUV光集光ミラー」は、プラズマから放射されるEUV光を集光してチャンバ外に出力するミラーである。
3.1 構成
図1に本開示の一態様による例示的なLPP式EUV光生成装置の概略構成を示す。LPP式EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いることができる(LPP式EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システムと称する)。図1に示し、かつ以下に詳細に説明するように、LPP式EUV光生成装置1は、チャンバ2を含むことができる。チャンバ2内は好ましくは真空である。あるいは、チャンバ2の内部にEUV光の透過率が高いガスが存在していてもよい。また、LPP式EUV光生成装置1は、ターゲット供給部26を更に含むことができる。ターゲット供給部26は、例えばチャンバ2の壁に取り付けられていてもよい。ターゲット供給部26は、ターゲットの材料となるスズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらの内のいずれか2つ以上の組合せを、チャンバ2内に供給することができる。しかしながら、ターゲットの材料はこれらに限定されない。
レーザ装置3から出射されたレーザビームは、レーザ光導入光学系34を経てウィンドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。レーザビームは、少なくとも1つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射して、ターゲット物質に集光されて照射されてもよい。
図2Aは、比較例におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布と、ターゲット物質への吸収率及びEUV変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。説明の簡潔化のため、本実施例に限らず以下の説明ではビーム軸に垂直な断面における光強度分布を単に光強度分布と呼称する。図2Aには、比較例として、レーザビームの光強度分布がガウス分布(Gaussian distribution)である場合が示されている。このレーザビームのビーム径は、半値全幅(ピーク強度の半分の値におけるビーム直径)が200μmであり、ピーク強度は2×1010W/cm2である。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果は、比較例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は40.2%であり、EUV変換効率は2.49%である。
次に、光強度分布調節光学系に関する各実施形態について説明する。以下、光強度分布調節光学系の例として、円環状ビームを生成して集光光学系により集光するものと、ビームを軸対称に曲げて集光光学系により焦点を形成するものと、回折光学素子を用いて任意の光強度分布を形成するものと、について説明する。
5.1.1 アキシコンレンズによる円環状ビームの生成
図4は、光強度分布調節光学系に関する第1の実施形態を示す概念図である。第1の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、2つのアキシコンレンズ37a及び37bを含んでいる。
なお、円環状のビームを集光する集光光学系は、集光レンズ22aに限定されず、集光ミラーでも良い。
図5は、光強度分布調節光学系に関する第2の実施形態を示す概念図である。第2の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、アキシコンミラー37c及び平面ミラー37dを含んでいる。
なお、円環状のビームを集光する集光光学系は、軸外放物面ミラー22cに限定されず、他の種類の集光ミラーでも良いし、集光レンズでも良い。
また、貫通孔が形成されたミラーは、平面ミラー37dに限定されず、軸外放物面ミラー等の曲面ミラーでも良い。
5.2.1 アキシコンレンズと集光光学系による円環状分布の形成
図6は、光強度分布調節光学系に関する第3の実施形態を示す概念図である。第3の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、アキシコンレンズ37eを含み、集光光学系として、集光レンズ22eを含んでいる。
また、ここでは、アキシコンレンズ37eとしてアキシコン凸レンズを用いた場合について説明したが、アキシコン凹レンズを用いても良い。また、アキシコンレンズに限らず、アキシコンミラーを用いても良い。
図7は、光強度分布調節光学系に関する第4の実施形態を示す概念図である。第4の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、アキシコンレンズ37fを含み、集光光学系として、集光レンズ22fを含んでいる。
また、ここでは、アキシコンレンズ37fとして、平面部375を中央に有し、傾斜した側面部374を外側に有する円錐台形のアキシコンレンズを用いた場合について説明したが、これと異なるアキシコンレンズを用いても良い。例えば、円錐の側面の形状を有する傾斜部を中央に有し、平面部を外側に有するアキシコンレンズを用いても良い。また、アキシコンレンズ37fとしてアキシコン凸レンズを用いた場合について説明したが、アキシコン凹レンズを用いても良い。また、アキシコンレンズに限らず、アキシコンミラーを用いても良い。
図8Aは、光強度分布調節光学系に関する第5の実施形態を示す概念図である。第5の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、回折格子37gを含み、集光光学系として、集光レンズ22gを含んでいる。図8Bは、回折格子が形成された面を示す図であり、図8Cは、回折格子の断面を拡大した図である。
d=λ/{2(n−1)} (1)
ここで、λはレーザビームの波長である。nは回折格子37gの屈折率である。
mλ=a・sinβ (2)
ここで、mは回折次数である。λは光の波長である。aは溝の間隔である。βは出射角度である。
従って、出射角度βは、次式で表される。
β=sin−1(mλ/a) (3)
D=2f・tan{sin−1(λ/a)} (4)
ここで、fは集光レンズ22gの焦点距離である。λは光の波長である。aは溝の間隔である。
また、回折格子37gは、透過型の同心円状の回折格子に限定されず、反射型の回折格子でも良い。
図9Aは、光強度分布調節光学系に関する第6の実施形態を示す概念図である。第6の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、回折格子37hを含み、集光光学系として、集光レンズ22hを含んでいる。図9Bは、回折格子が形成された面を示す図であり、図9Cは、回折格子の溝部断面を拡大した図である。
d=λ/{2(n−1)} (5)
ここで、λはレーザビームの波長である。nは回折格子37hの屈折率である。
mλ=a・sinβ (6)
ここで、mは回折次数である。λは光の波長である。aは溝の間隔である。βは出射角度である。
また、回折格子37hとして、溝加工を施さない平面部を中央に有し、同心円状の溝加工が外側に施されたものについて説明したが、これと異なる回折格子を用いても良い。例えば、同心円状の溝加工が中央に施され、溝加工を有しない平面部が外側に配置された回折格子を用いても良い。また、回折格子37hは、透過型の同心円状の回折格子に限定されず、反射型の回折格子でも良い。
図10は、光強度分布調節光学系に関する第7の実施形態を示す概念図である。第7の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系と集光光学系とが一体化した光学素子37iを含んでいる。光学素子37iの一方の面には、同心円状の回折格子が形成されており、他方の面にはフレネルレンズが形成されている。
図11Aは、光強度分布調節光学系に関する第8の実施形態を示す概念図である。第8の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系37として、回折光学素子(diffractive optical element、DOE)37jを含み、集光光学系として、集光レンズ22jを含んでいる。
|U(x',y')|2=|F{exp[iφ(x,y)]}|2 (7)
x'=λf/x (8)
ここで、φ(x,y)は、回折光学素子37jの凹凸パターンが形成されたxy面において与えられる位相分布である。F{ }は、フーリエ変換を意味する。また、λは光の波長である。fは集光レンズ22jの焦点距離である。
以上のように、集光レンズ22jによって焦点位置に形成される回折像(光強度分布)は、回折光学素子37jの凹凸パターン(位相分布)のフーリエ変換で表される。
また、回折光学素子37jは、透過型の回折光学素子に限定されず、反射型の回折光学素子でも良い。
図12は、第9の実施形態におけるターゲット供給部を示す概念図である。図12には、パンチアウトターゲット方式によるターゲット供給部26が示されている。
ターゲット供給部26は、ターゲット物質を付着させた円盤44と、ターゲット供給用のレーザビーム41を集光する光学系43と、を含んでいる。円盤44は、レーザビーム41に対する透過率の高い基板の表面にターゲット物質を塗布したものである。円盤44は、基板の中心を回転軸として回転でき、且つ回転軸が平行移動できるように、チャンバ2(図1参照)内に配置されている。
Claims (5)
- チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ(a)と、
前記ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップであって、前記レーザビームは、前記ターゲット物質の照射位置において、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在し、且つ、前記ターゲット物質の照射位置において、前記低強度領域における光強度よりも高い光強度を有する高強度領域が前記低強度領域よりさらに前記ビーム軸側に存在する空間的な光強度分布を有する、ステップ(b)と、
を備える、極端紫外光生成方法。 - 前記ターゲット物質の照射位置における前記レーザビームの空間的な光強度分布は、前記低強度領域と、前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の位置との間に、光強度の急勾配な立ち上がりを有する、請求項1に記載の極端紫外光生成方法。
- チャンバと、
前記チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット物質に照射されることによりプラズマを生成するレーザビームを、前記チャンバ内に導入する少なくとも1つの光学素子と、
前記レーザビームの光路に設置され、前記ターゲット物質の照射位置における前記レーザビームの空間的な光強度分布を、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在する光強度分布となるように調節する光強度分布調節光学系と、
を備え、
前記光強度分布調節光学系は、
前記レーザビームを、ビーム軸に対して軸対称に、一定角度で屈折又は反射させる第3の光学系と、
前記第3の光学系から出射したビームを集光する第4の光学系と、
を含み、
前記第3の光学系と前記第4の光学系は1つの透過型の光学素子からなり、当該光学素子の一方の面に前記第3の光学系が形成され、他方の面に前記第4の光学系が形成された、
極端紫外光生成装置。 - 前記第3の光学系は、同心円状の回折格子を含む、請求項3に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ターゲット供給部は、少なくとも表面がチャンバ内に配置された透明な基板の前記表面に付着させたターゲット物質に、前記基板の裏面側から第2のレーザビームを照射することにより、前記ターゲット物質を供給する、請求項3に記載の極端紫外光生成装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064053A JP5758662B2 (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
US13/417,789 US20120241649A1 (en) | 2011-03-23 | 2012-03-12 | Extreme ultraviolet light generation apparatus and extreme ultraviolet light generation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064053A JP5758662B2 (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199201A JP2012199201A (ja) | 2012-10-18 |
JP5758662B2 true JP5758662B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=46876543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011064053A Active JP5758662B2 (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120241649A1 (ja) |
JP (1) | JP5758662B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012212641A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
KR102096048B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공장치 |
KR102088363B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-04-14 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 광원 장치 및 플라즈마 광 생성 방법 |
US9357625B2 (en) | 2014-07-07 | 2016-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Extreme ultraviolet light source |
WO2016027186A1 (en) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Koninklijke Philips N.V. | Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off |
EP3295479B1 (en) * | 2015-05-13 | 2018-09-26 | Lumileds Holding B.V. | Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off |
NL2019954A (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-18 | Asml Netherlands Bv | Radiation source apparatus and method, lithographic apparatus and inspection apparatus |
US10429729B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV radiation modification methods and systems |
KR20200138728A (ko) * | 2018-04-03 | 2020-12-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 광빔의 공간적 변조 |
EP4125165B1 (de) * | 2021-07-28 | 2023-11-01 | TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | Fokussiereinrichtung mit einer parallel oder deckungsgleich zu einer targetebene verlaufenden bildebene |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6137632A (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-24 | Iomega Corporation | Method and apparatus for lossless beam shaping to obtain high-contrast imaging in photon tunneling methods |
JP2003098297A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Nikon Corp | 多層膜除去加工装置、多層膜除去加工方法、多層膜反射鏡及びx線露光装置 |
JP3698677B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2005-09-21 | 川崎重工業株式会社 | レーザパルス制御方法と装置およびx線発生方法と装置 |
US7511886B2 (en) * | 2003-05-13 | 2009-03-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system |
JP2005084266A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 光制御装置および光制御方法 |
JP4800145B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-10-26 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
US8628898B2 (en) * | 2006-12-26 | 2014-01-14 | Ricoh Company, Ltd. | Image processing method, and image processor |
US8198611B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-06-12 | Globalfoundries Inc. | Laser beam formatting module and method for fabricating semiconductor dies using same |
JP5458243B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2014-04-02 | 国立大学法人大阪大学 | Euv光の放射方法、および前記euv光を用いた感応基板の露光方法 |
US20090190117A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, manufacturing method and supporting method thereof |
JP5246916B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-07-24 | ギガフォトン株式会社 | Euv光発生装置におけるイオン回収装置および方法 |
US8399867B2 (en) * | 2008-09-29 | 2013-03-19 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
US8445876B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-05-21 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
EP2202545A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-30 | Karlsruher Institut für Technologie | Beam transformation module with an axicon in a double-pass mode |
JP5580032B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-08-27 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
JP4977736B2 (ja) * | 2009-05-13 | 2012-07-18 | 川崎重工業株式会社 | リングビーム変換装置 |
WO2011108259A1 (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 国立大学法人北海道大学 | フォトレジストパターンの作製方法 |
US8861086B2 (en) * | 2010-08-13 | 2014-10-14 | The Penn State Research Foundation | Compact spectrometer including a diffractive optical element with dual dispersion and focusing functionality |
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2011064053A patent/JP5758662B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-12 US US13/417,789 patent/US20120241649A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012199201A (ja) | 2012-10-18 |
US20120241649A1 (en) | 2012-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5758662B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 | |
US8895946B2 (en) | Source-collector modules for EUV lithography employing a GIC mirror and a LPP source | |
JP2012212641A (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 | |
US8198613B2 (en) | Mirror for extreme ultra violet, manufacturing method for mirror for extreme ultra violet, and far ultraviolet light source device | |
US7399981B2 (en) | Apparatus for generating light in the extreme ultraviolet and use in a light source for extreme ultraviolet lithography | |
JP5802410B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP5076349B2 (ja) | 極端紫外光集光鏡および極端紫外光光源装置 | |
JP5926521B2 (ja) | チャンバ装置 | |
JP5864154B2 (ja) | Gicミラー及び液体キセノンeuv・lppターゲットシステムを備える光源集光モジュール | |
EP1475807B1 (en) | High efficiency collector | |
JP6126798B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
US9632419B2 (en) | Radiation source | |
TWI644177B (zh) | 用於產生輻射之方法及裝置 | |
TW201237565A (en) | Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method | |
JP5362076B2 (ja) | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 | |
JP6731541B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
EP2972587A1 (en) | Optical assembly for increasing the etendue | |
JP2012023036A (ja) | Gicミラー及びスズ蒸気lppターゲットシステムを備える光源集光モジュール | |
JP2012216743A (ja) | スペクトル純度フィルタ及びそれを備える極端紫外光生成装置 | |
JP6616427B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
Higashiguchi et al. | Enhancement of conversion efficiency of extreme ultraviolet radiation from a liquid aqueous solution microjet target by use of dual laser pulses | |
JP4966312B2 (ja) | Euv光発生装置及びeuv露光装置 | |
TW201319763A (zh) | 用於極紫外光源之微粒捕捉器 | |
JP2013065917A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130404 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140507 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5758662 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |