JP5746808B2 - Package and electronic device using carbon nanotube - Google Patents

Package and electronic device using carbon nanotube Download PDF

Info

Publication number
JP5746808B2
JP5746808B2 JP2007303180A JP2007303180A JP5746808B2 JP 5746808 B2 JP5746808 B2 JP 5746808B2 JP 2007303180 A JP2007303180 A JP 2007303180A JP 2007303180 A JP2007303180 A JP 2007303180A JP 5746808 B2 JP5746808 B2 JP 5746808B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon nanotube
package
electronic device
nanotube sheet
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007303180A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009130113A (en
Inventor
大雄 近藤
大雄 近藤
大介 岩井
大介 岩井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2007303180A priority Critical patent/JP5746808B2/en
Publication of JP2009130113A publication Critical patent/JP2009130113A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5746808B2 publication Critical patent/JP5746808B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

本発明はカーボンナノチューブを用いたパッケージ及び電子デバイスに関するものであり、特に、パッケージ基部と電子デバイスチップとの間の放熱性を高めるための構成に特徴のあるカーボンナノチューブを用いたパッケージ及び電子デバイスに関するものである。   The present invention relates to a package and an electronic device using carbon nanotubes, and more particularly to a package and an electronic device using carbon nanotubes characterized by a configuration for enhancing heat dissipation between a package base and an electronic device chip. Is.

無線通信の情報を送信する携帯電話基地局の高出力増幅器は、出力源である高出力トランジスタの発熱量も大きくなるため、放熱性が非常に重要となる。   In a high-power amplifier of a mobile phone base station that transmits wireless communication information, heat generation from a high-power transistor that is an output source is also large, and thus heat dissipation is very important.

従来は、高出力トランジスタチップをパッケージにメッキなどで直接接合し、チップを通して熱を逃がす、いわゆるフェイスアップ構造を用いることで放熱性を確保されていたので、ここで、図７を参照して従来のフェイスアップ構造を説明する。   Conventionally, heat dissipation is ensured by using a so-called face-up structure in which a high-power transistor chip is directly joined to a package by plating or the like, and heat is released through the chip. Here, with reference to FIG. The face-up structure will be described.

図７参照
図７は、従来のフェイスアップ構造の説明図であり、パッケージに設けた接地導体５１にＧａＮ−ＨＥＭＴ５４をＡｕＳｎメッキ層５５を用いてマウントしたのち、直径が数百μｍの金ワイヤ５６によって入力電極部５２と出力電極部５３とに接続した構造を採用している（例えば、非特許文献１参照）。 See FIG.
FIG. 7 is an explanatory view of a conventional face-up structure, in which a GaN-HEMT 54 is mounted on a ground conductor 51 provided in a package using an AuSn plating layer 55, and then an input electrode is formed by a gold wire 56 having a diameter of several hundreds μm. The structure connected to the part 52 and the output electrode part 53 is employ | adopted (for example, refer nonpatent literature 1).

しかし、従来のフェイスアップ構造では、ＧａＮ−ＨＥＭＴ５４の電極とパッケージの入力電極部５２及び出力電極部５３とを接続する金ワイヤ５６のインダクタンスのために、高周波化に伴い増幅率が低下するという問題を有していた。   However, in the conventional face-up structure, the amplification factor decreases as the frequency increases because of the inductance of the gold wire 56 that connects the electrode of the GaN-HEMT 54 to the input electrode portion 52 and the output electrode portion 53 of the package. Had.

そこで、このような問題を解決するために、基板を裏返してチップ電極とパッケージ電極をカーボンナノチューブ束からなるバンプ（突起状の電極）構造により接続する手法が提案された( 例えば、同じく非特許文献１参照）ので、図８を参照して説明する。   In order to solve such problems, a method has been proposed in which the substrate is turned over and the chip electrode and the package electrode are connected by a bump (projection-like electrode) structure made up of a bundle of carbon nanotubes (for example, non-patent document) 1), and will be described with reference to FIG.

図８参照
図８は、従来のカーボンナノチューブ束を用いたフリップチップ構造の説明図であり、パッケージ６０にカーボンナノチューブバンプ７１を設けたＡｌＮ基板７０を介してＧａＮ−ＨＥＭＴ５４をフリップチップボンディングしたものである。 See FIG.
FIG. 8 is an explanatory diagram of a conventional flip chip structure using a bundle of carbon nanotubes, in which a GaN-HEMT 54 is flip chip bonded via an AlN substrate 70 in which carbon nanotube bumps 71 are provided on a package 60.

この場合、パッケージ６０は、パッケージ６０とＡｌＮ基板７０との間の熱膨張係数の違いを緩和するためにＭｏ板６２をＣｕ板６３，６４で挟み込んだＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕ構造の母基材６１の表面を金メッキ層６５で被覆した構成になっている。   In this case, the package 60 includes a base substrate 61 having a Cu / Mo / Cu structure in which a Mo plate 62 is sandwiched between Cu plates 63 and 64 in order to reduce the difference in thermal expansion coefficient between the package 60 and the AlN substrate 70. The surface is covered with a gold plating layer 65.

また、ＡｌＮ基板７０には、図７と同様に接地導体と、接地導体を挟んで入力電極部及び出力電極部（いずれも図示を省略）が設けられており、厚さが、５〜１０μｍ程度のＡｕＳｎメッキ層６６によってパッケージの底面に固着されている。
なお、図における符号６７はメタルキャップである。 Further, the AlN substrate 70 is provided with a ground conductor and an input electrode portion and an output electrode portion (both not shown) sandwiching the ground conductor, as in FIG. 7, and has a thickness of about 5 to 10 μm. The AuSn plating layer 66 is fixed to the bottom surface of the package.
In addition, the code | symbol 67 in a figure is a metal cap.

このようなナノチューブは優れた放熱性を持つだけでなく、金属的な性質を有しているため、フェイスアップ構造と同等の放熱性を確保できるだけでなく、また、金ワイヤ等を使用していないので２ＧＨｚで増幅率も１０デシベル（ｄＢ）向上可能であることが報告された。   Such nanotubes not only have excellent heat dissipation, but also have metallic properties, so they can not only ensure the same heat dissipation as the face-up structure, but also do not use gold wires. Therefore, it has been reported that the amplification factor can be improved by 10 decibels (dB) at 2 GHz.

一方、カーボンナノチューブの優れた熱伝導性を利用するために、電子チップ間を接続する接続配線をカーボンナノチューブ束で構成することも提案されており（例えば、特許文献１参照）、カーボンナノチューブ束で電気的接続を取るとともに、熱を周囲に急速に分散させている。   On the other hand, in order to utilize the excellent thermal conductivity of carbon nanotubes, it has also been proposed that the connection wiring for connecting the electronic chips is composed of carbon nanotube bundles (see, for example, Patent Document 1). As well as making electrical connections, heat is rapidly dispersed around.

また、整列したカーボンナノチューブ束を電子デバイスとヒートシンクとの間に配置するとともに、カーボンナノチューブ束の間をポリマーで埋めて、熱インターフェイスを構成することも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特表２００４−５２８７２７号公報 特開２００３−２４９６１３号公報 Ｔ．Ｉｗａｉ ｅｔａｌ．ＩＥＤＭ２００５ In addition, it has also been proposed to arrange aligned carbon nanotube bundles between an electronic device and a heat sink and to fill the gaps between the carbon nanotube bundles with a polymer to form a thermal interface (see, for example, Patent Document 2).
JP-T-2004-528727 JP 2003-249613 A T.A. Iwai et al. IEDM2005

今後、第４世代以降の携帯電話基地局向けには更なる高周波（３ＧＨｚ以上）での出力の保持（１０ｄＢ）と放熱性が要求されるが、放熱性については更に改善すべき点が存在し、例えば、パッケージとナノチューブバンプ基板であるＡｌＮ基板との間の熱抵抗が挙げられる。   In the future, for 4th generation and later mobile phone base stations, it will be required to maintain output (10 dB) and heat dissipation at higher frequencies (3 GHz or higher). However, there is a point to further improve heat dissipation. For example, the thermal resistance between the package and the AlN substrate which is the nanotube bump substrate can be mentioned.

例えば、上述のＡｕＳｎメッキによる接合では、ＡｕＳｎの非常に低い熱伝導率（５７Ｗ／ｍ・Ｋ）のためパッケージとＡｌＮ基板の間の熱伝導による放熱が不十分であり、熱抵抗をより低減する必要がある。   For example, in the above-described bonding by AuSn plating, heat dissipation between the package and the AlN substrate is insufficient due to the extremely low thermal conductivity (57 W / m · K) of AuSn, and the thermal resistance is further reduced. There is a need.

また、上記の特許文献１の場合には、カーボンナノチューブ束は配線としての機能を有するため、チップサイズより小面積であるため、充分な放熱効果が得られないという問題があるとともに、図７或いは図８に記載した実装構造に対する解決手段にはならないという問題がある。 Further, in the case of the above-mentioned Patent Document 1, since the carbon nanotube bundle has a function as a wiring and has an area smaller than the chip size, there is a problem that a sufficient heat dissipation effect cannot be obtained, and FIG. there is a problem that not a solution to the mounting structure described in FIG. 8.

また、上記の特許文献２の場合には、チップ背面からの放熱で且つメタルキャップからの放熱であり、放熱面積の大きなパッケージ本体部からの放熱ではないため、放熱が必ずしも十分ではないという問題がある。   Further, in the case of the above-mentioned Patent Document 2, heat is radiated from the back surface of the chip and radiated from the metal cap, and is not radiated from the package main body having a large radiating area. is there.

したがって、本発明は、パッケージ基部と電子デバイスチップとの間の放熱性を高めることを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to improve heat dissipation between the package base and the electronic device chip.

図１は、本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明するが、実際には基材の表面は所定の窪みを有し且つ曲率を持つ凹面構造になっている。
なお、図における符号９は、基材側からＴａ拡散防止膜と触媒下地層を積層した下地層であり、触媒下地層上に設けた触媒がカーボンナノチューブの成長核となる。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、カーボンナノチューブを用いたパッケージにおいて、載置面全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有する電子デバイスチップ６の載置面に対して縦方向に配向した複数の林立したカーボンナノチューブ束４からなるカーボンナノチューブシート５を電子デバイスチップ６の載置面に設けたことを特徴とする。 FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of the present invention. Here, referring to FIG. 1, means for solving the problems in the present invention will be described. It has a concave structure with curvature.
Reference numeral 9 in the figure is an underlayer in which a Ta diffusion preventing film and a catalyst underlayer are laminated from the base material side, and the catalyst provided on the catalyst underlayer serves as a carbon nanotube growth nucleus.
See FIG. 1 In order to solve the above-mentioned problem, the present invention is directed to a mounting surface of an electronic device chip 6 having a concave structure in which the entire mounting surface has a predetermined depression and curvature in a package using carbon nanotubes. A carbon nanotube sheet 5 comprising a plurality of forested carbon nanotube bundles 4 oriented in the vertical direction is provided on the mounting surface of the electronic device chip 6.

このように、複数のカーボンナノチューブ束４からなるカーボンナノチューブシート５を電子デバイスチップ６の載置面に設けることによって、放熱面積の大きなパッケージ基部１と電子デバイスチップ６とを熱伝導性に優れたカーボンナノチューブシート５で熱的に接続しているので、充分な放熱効果を確保することができ、それによって、３ＧＨｚ以上の高周波デバイスの性能を充分に発揮することが可能になる。   Thus, by providing the carbon nanotube sheet 5 composed of a plurality of carbon nanotube bundles 4 on the mounting surface of the electronic device chip 6, the package base 1 having a large heat radiation area and the electronic device chip 6 have excellent thermal conductivity. Since the carbon nanotube sheet 5 is thermally connected, a sufficient heat dissipation effect can be ensured, thereby making it possible to sufficiently exhibit the performance of a high-frequency device of 3 GHz or higher.

特に、カーボンナノチューブシート５を配置する載置面全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有しているので、凹面上に成長したカーボンナノチューブ束４は電子デバイスチップ６或いはカーボンナノチューブバンプ基板７に向かって集中するようになるので、放熱効率をより高めることができる。 In particular, since the entire mounting surface on which the carbon nanotube sheet 5 is disposed has a concave structure with a predetermined depression and curvature, the carbon nanotube bundle 4 grown on the concave surface is the electronic device chip 6 or the carbon nanotube bump substrate 7. The heat radiation efficiency can be further increased.

この構成は、電子デバイスチップ６を載置面に直接搭載するフェイスアップ構造、或いは、電子デバイスチップ６をカーボンナノチューブバンプ基板７を介して搭載するフリップチップ構造のいずれにも適用される。   This configuration is applied to either a face-up structure in which the electronic device chip 6 is directly mounted on the mounting surface or a flip chip structure in which the electronic device chip 6 is mounted via the carbon nanotube bump substrate 7.

この場合の凹面構造の曲率としては、凹面構造によるカーボンナノチューブ束４の中心へ集中による効果が充分に得られ曲率であることが望ましく、例えば、カーボンナノチューブシート５の先端部の面積が電子デバイスチップ６或いはカーボンナノチューブバンプ基板７の面積と同程度（±１０％以内）となる曲率であることが望ましい。   As the curvature of the concave structure in this case, it is desirable that the curvature is sufficiently obtained by the effect of concentration at the center of the carbon nanotube bundle 4 due to the concave structure. For example, the area of the tip of the carbon nanotube sheet 5 is the electronic device chip. 6 or a curvature that is approximately the same as the area of the carbon nanotube bump substrate 7 (within ± 10%).

また、カーボンナノチューブシート５は、カーボンナノチューブ束４のみからなるものでも良いし、或いは、カーボンナノチューブ束４とカーボンナノチューブ束４の先端に形成されたグラフェン８とから成るものでも良い。
なお、「グラフェン」とはグラファイト層の厚みが数層から数十層からなる薄いグラファイトのことを指す。 The carbon nanotube sheet 5 may be composed of only the carbon nanotube bundle 4 or may be composed of the carbon nanotube bundle 4 and the graphene 8 formed at the tip of the carbon nanotube bundle 4.
“Graphene” refers to thin graphite having a graphite layer thickness of several to several tens of layers.

また、カーボンナノチューブ束４を構成するカーボンナノチューブは、載置面を構成するグランド電極上に設けた導電性膜並びに触媒膜から直接成長したカーボンナノチューブであることが望ましいが、他で成長させたカーボンナノチューブシート５を接着剤で転写したものでも良い。   The carbon nanotubes constituting the carbon nanotube bundle 4 are desirably carbon nanotubes grown directly from the conductive film and the catalyst film provided on the ground electrode constituting the mounting surface. The nanotube sheet 5 may be transferred with an adhesive.

また、カーボンナノチューブシート５に導電性ないしは非導電性の媒質を埋め込んでも良く、それによって、カーボンナノチューブシート５の機械的強度を高めることができる。
この場合、導電性の媒質は金属、金属を含む導電性物質、或いは導電性樹脂のいずれかを用い、また、非導電性の媒質としては、カーボンナノチューブと親和性の高い樹脂などの有機材料、或いは無機材料を用いれば良い。
金属としては、金、銀、チタン、白金、パラジウム、モリブデン、タンタル、インジウム、錫などが挙げられ、金属を含む導電性物質には、銀ペースト、銅ペースト、半田、ニッケルメッキ、金メッキ、亜鉛メッキ、導電性樹脂には導電性ポリマーが挙げられる。
また、樹脂内にカーボンナノチューブなどの導電性物質を分散し導電性を向上させた樹脂として用いても良い。
さらに、カーボンナノチューブに酸素雰囲気下での加熱処理ないしは酸素プラズマ処理などで酸化により親水性を持たせ、樹脂との親和性を向上させることも可能である。 Further, a conductive or non-conductive medium may be embedded in the carbon nanotube sheet 5, whereby the mechanical strength of the carbon nanotube sheet 5 can be increased.
In this case, the conductive medium uses any one of metal, a conductive substance containing metal, or a conductive resin, and the non-conductive medium includes an organic material such as a resin having a high affinity for carbon nanotubes, Alternatively, an inorganic material may be used.
Examples of the metal include gold, silver, titanium, platinum, palladium, molybdenum, tantalum, indium, and tin. Examples of the conductive material containing metal include silver paste, copper paste, solder, nickel plating, gold plating, and zinc plating. Examples of the conductive resin include conductive polymers.
Alternatively, a conductive material such as carbon nanotubes may be dispersed in the resin to improve conductivity.
Furthermore, it is possible to improve the affinity with the resin by imparting hydrophilicity to the carbon nanotubes by oxidation by heat treatment or oxygen plasma treatment in an oxygen atmosphere.

また、電子デバイスチップ６或いはカーボンナノチューブバンプ基板７をカーボンナノチューブシート５に単に圧接するようにして良いし、或いは、カーボンナノチューブシート５の先端部分に金属、導電性を有する無機材料、或いは導電性を有する有機材料を用いて電子デバイスチップ６或いはカーボンナノチューブバンプ基板７を接着するようにしても良い。   Alternatively, the electronic device chip 6 or the carbon nanotube bump substrate 7 may be simply pressed against the carbon nanotube sheet 5, or the tip of the carbon nanotube sheet 5 may be made of metal, a conductive inorganic material, or conductive. You may make it adhere | attach the electronic device chip 6 or the carbon nanotube bump board | substrate 7 using the organic material which has.

また、カーボンナノチューブシート５を電子デバイスチップ６の裏面に対向するメタルキャップ側にも設けても良く、それによって、電子デバイスチップ６の表裏からの放熱が可能になる。   Further, the carbon nanotube sheet 5 may be provided also on the metal cap side facing the back surface of the electronic device chip 6, thereby enabling heat radiation from the front and back of the electronic device chip 6.

また、カーボンナノチューブシート５は可撓性に優れているので、載置面を有するパッケージ基部１の母基材２を銅で構成しても熱膨張係数の差は問題にならず、従来に比べてのパッケージ基材２の構成を簡素化することができる。
また、金、銀、銅、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、タングステン、或いは、鉄のうち少なくとも１種を含む材料を用いても良く、２種以上含む場合には、合金となり、コバールやステンレスも含まれる。
なお、パッケージ基部１を含むパッケージ全体の表面が、金メッキ３、亜鉛メッキ、或いは、ニッケルメッキにより被覆されていることが望ましいが、導電性を有する他の金属被膜でも良い。 In addition, since the carbon nanotube sheet 5 is excellent in flexibility, even if the base material 2 of the package base 1 having the mounting surface is made of copper, the difference in thermal expansion coefficient does not become a problem. The structure of all the package base materials 2 can be simplified.
In addition, a material containing at least one of gold, silver, copper, molybdenum, aluminum, titanium, tantalum, chromium, cobalt, nickel, tungsten, or iron may be used. And Kovar and stainless steel are also included.
Note that the entire surface of the package including the package base 1 is preferably coated with gold plating 3, zinc plating, or nickel plating, but other metal coatings having conductivity may be used.

上述の構成のパッケージに電子デバイスチップ６として、無線・携帯電話基地局用ハイパワーアンプ、サーバー・パーソナルコンピューター用半導体素子、車載半導体集積回路装置、或いは、電気自動車モーター駆動用トランジスタのいずれかを載置することによって、優れた特性を有する高周波電子デバイスを実現することができる。   As the electronic device chip 6, one of a high-power amplifier for a wireless / mobile phone base station, a semiconductor element for a server / personal computer, an in-vehicle semiconductor integrated circuit device, or a transistor for driving an electric vehicle motor is mounted on the package having the above-described configuration. Therefore, a high-frequency electronic device having excellent characteristics can be realized.

本発明によれば、電子デバイスチップ或いはカーボンナノチューブバンプ基板とパッケージ基部と間の熱伝導性を高めることができるとともに、カーボンナノチューブ束はパッケージ基部においては広がっているので、面積の大きなパッケージからの熱拡散をより有効に行うことができるため、放熱効率をより高めることができ、また、カーボンナノチューブシートは可撓性を有しているのでパッケージの基材構成を簡素にすることができる。 According to the present invention, the thermal conductivity between the electronic device chip or the carbon nanotube bump substrate and the package base can be enhanced , and the carbon nanotube bundle spreads in the package base, so that heat from a package having a large area can be obtained. Since diffusion can be performed more effectively, the heat dissipation efficiency can be further increased, and since the carbon nanotube sheet has flexibility, the substrate structure of the package can be simplified.

本発明は、カーボンナノチューブ束のみから、或いは、カーボンナノチューブ束とその先端部に形成されたグラフェンとからなるカーボンナノチューブシートを、高周波半導体装置等の電子デバイスチップを載置するパッケージ基部、特に、母基材が銅からなるとともに、その表面を金メッキ或いはニッケルメッキなどで被覆したパッケージ基部の全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有する載置面に設けたものである。 The present invention relates to a package base portion on which an electronic device chip such as a high-frequency semiconductor device is mounted, in particular, a mother substrate made of a carbon nanotube sheet consisting of a carbon nanotube bundle alone or a carbon nanotube bundle and graphene formed at the tip thereof. The substrate is made of copper, and the entire surface of the package base whose surface is covered with gold plating or nickel plating is provided on a mounting surface having a concave structure with a predetermined depression and curvature .

ここで、本発明の実施例１を説明する前に、図２乃至図５を参照して本発明の前提となる各参考例を説明するが、まず、図２及び図３を参照して、本発明の前提となる参考例１の高周波半導体装置実装構造を説明する。
図２参照
図２は、本発明の参考例１の高周波半導体装置実装構造を示す分解斜視図であり、ヒートシンクを兼ねるパッケージ１０上にカーボンナノチューブ束２１を例えば、８μｍ成長させてカーボンナノチューブシート２０を形成し、カーボンナノチューブバンプ２４を成長させたＡｌＮ基板２３をカーボンナノチューブシート２０の上に設置したものである。 Here, before explaining the first embodiment of the present invention, each reference example as a premise of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 5. First, referring to FIGS. 2 and 3, The high-frequency semiconductor device mounting structure of Reference Example 1, which is a premise of the present invention, will be described.
See Figure 2
FIG. 2 is an exploded perspective view showing the high-frequency semiconductor device mounting structure of Reference Example 1 of the present invention. A carbon nanotube bundle 21 is grown, for example, by 8 μm on a package 10 that also serves as a heat sink, and a carbon nanotube sheet 20 is formed. An AlN substrate 23 on which carbon nanotube bumps 24 are grown is placed on a carbon nanotube sheet 20.

また、カーボンナノチューブバンプ２４を設けたＡｌＮ基板２３には、ＨＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）チップ２５がフリップチップで接続されるとともに、ＨＰＡチップ２５の裏面は、メタルキャップ２６に形成したカーボンナノチューブ束からなるカーボンナノチューブシート２７が当接する。   Further, an HPA (High Power Amplifier) chip 25 is connected to the AlN substrate 23 provided with the carbon nanotube bumps 24 by a flip chip, and the back surface of the HPA chip 25 is formed of a carbon nanotube bundle formed on the metal cap 26. The carbon nanotube sheet 27 contacts.

なお、ＡｌＮ基板２３は銀ペーストなどの金属ペースト、半田、メッキ、金属膜、有機材料などの導電性材料によりカーボンナノチューブシート２０の先端部と接触させても良いし、或いは、単に圧接する構成でも良く、グランドはＡｌＮ基板２３内の貫通ビアを介して直下のグランド電極上に成長したカーボンナノチューブ束２１に直接接続される。   The AlN substrate 23 may be brought into contact with the tip of the carbon nanotube sheet 20 with a conductive material such as a metal paste such as silver paste, solder, plating, a metal film, or an organic material, or may be simply pressed. The ground is directly connected to the carbon nanotube bundle 21 grown on the ground electrode directly below through the through via in the AlN substrate 23.

図３参照
図３は、カーボンナノチューブシートの構成説明図であり、Ｃｕ母材１２の表面を金メッキ層１３で被覆し、ＨＰＡチップ２５が実装される土台となる厚さが１〜１．５ｍｍ程度のパッケージ基部１１の素子載置面の表面に厚さが、例えば、１５ｎｍのＴａ拡散防止膜１４、厚さが、例えば、５ｎｍのＴｉＮ下地膜１５、及び、厚さが、例えば、２．６ｎｍのＣｏ触媒層１６を順次堆積させる。
なお、この場合、全面にＴａ／ＴｉＮ／Ｃｏを堆積させたのち、フォトリソグラフィーを用い不要箇所をエッチングにより除去することで素子載置面のみに残存させてもよいし、或いは、フォトリソグラフィーによってパターニングしたのち、Ｔａ／ＴｉＮ／Ｃｏを全面に堆積させリフトオフによりレジストを除去することで選択的に堆積させても良い。 See Figure 3
FIG. 3 is an explanatory view of the structure of the carbon nanotube sheet. The base of the Cu base material 12 is covered with a gold plating layer 13 and has a thickness of about 1 to 1.5 mm as a base on which the HPA chip 25 is mounted. 11 is a Ta diffusion prevention film 14 having a thickness of, for example, 15 nm, a TiN underlayer film 15 having a thickness of, for example, 5 nm, and a Co catalyst having a thickness of, for example, 2.6 nm. Layer 16 is deposited sequentially.
In this case, after Ta / TiN / Co is deposited on the entire surface, unnecessary portions may be left only on the element mounting surface by etching using photolithography, or may be patterned by photolithography. After that, Ta / TiN / Co may be selectively deposited by depositing Ta / TiN / Co on the entire surface and removing the resist by lift-off.

次いで、パッケージ１０をＣＶＤ炉に導入し、熱ＣＶＤ法により、アセチレンとアルゴンの混合ガス（１：９）を原料とし、基板温度５１０℃、雰囲気圧１ｋＰａの条件にてカーボンナノチューブの成長を行う。   Next, the package 10 is introduced into a CVD furnace, and carbon nanotubes are grown by a thermal CVD method using a mixed gas (1: 9) of acetylene and argon as a raw material under conditions of a substrate temperature of 510 ° C. and an atmospheric pressure of 1 kPa.

この成長条件により、成長時間６０分程度で林立するカーボンナノチューブ束２１の先端部分がグラファイトシート（グラフェン）２２により連続的に構成された長さ２０μｍ程度のカーボンナノチューブシート２０が得られる。
なお、カーボンナノチューブ束２１の長さは成長時間により制御可能であるので、実際にパッケージ１０上に成長する際には最適な長さを得ることができるよう調整する。 Under this growth condition, a carbon nanotube sheet 20 having a length of about 20 μm is obtained in which the tip portion of the carbon nanotube bundle 21 that stands in a growth time of about 60 minutes is continuously formed of a graphite sheet (graphene) 22.
Since the length of the carbon nanotube bundle 21 can be controlled by the growth time, it is adjusted so that an optimum length can be obtained when actually growing on the package 10.

このように、本発明の参考例１においては、ＡｌＮ基板とパッケージの載置面との間にカーボンナノチューブシート２０を介挿しているので、図７に示したＡｕＳｎメッキと比較し、カーボンナノチューブの高い放熱性のために、パッケージとＡｌＮ基板間の熱抵抗を低減することが可能となる。 Thus, in the reference example 1 of the present invention, since the interposed mosquitoes over carbon nanotube sheet 20 between the mounting surface of the AlN substrate and the package, as compared to the AuSn plating shown in FIG. 7, carbon Due to the high heat dissipation of the nanotubes, the thermal resistance between the package and the AlN substrate can be reduced.

また、本発明の参考例１においては、カーボンナノチューブシートとしてカーボンナノチューブ束の先端部にグラフェンが形成されたカーボンナノチューブシートを用いているので、ＡｌＮ基板からの熱は横方向に広がりやすく、発熱が局所的であっても効率的な放熱が可能になる。
また、グラフェンの面積はその上部に設置するＡｌＮ基板と比較して面積が大きいため、グラフェンにより横方向への熱拡散を行うことにより放熱効果が向上する。 In Reference Example 1 of the present invention, since the carbon nanotube sheet in which the graphene is formed at the tip of the carbon nanotube bundle is used as the carbon nanotube sheet, the heat from the AlN substrate easily spreads in the lateral direction, and the heat is generated. Even if it is local, efficient heat dissipation becomes possible.
In addition, since the area of graphene is larger than that of the AlN substrate installed on the top, the heat dissipation effect is improved by performing thermal diffusion in the lateral direction with graphene.

また、カーボンナノチューブは可撓性に優れるので、パッケージとＡｌＮ基板との熱膨張係数の差を考慮する必要はなく、したがって、パッケージの母基材として単層のＣｕからなる基材を用いることができるので、パッケージの構成の簡素化及び低コスト化が可能になる。   In addition, since carbon nanotubes are excellent in flexibility, it is not necessary to consider the difference in thermal expansion coefficient between the package and the AlN substrate. Therefore, it is necessary to use a substrate made of a single layer of Cu as the base substrate of the package. Therefore, the package configuration can be simplified and the cost can be reduced.

また、本発明の参考例１においては、従来は、パッケージの上部に空間が存在するだけであったのに対し、パッケージ上部への放熱パスを設けることにより、放熱性がさらに向上する。
なお、この場合、パッケージ底部に対するのと同様にメタルキャップに直接カーボンナノチューブ束を成長させても良いし、別途成長したカーボンナノチューブ束をメタルキャップ上に接着剤等を用いた転写により設置しても良い。 In Reference Example 1 of the present invention, conventionally, there is only a space above the package, but by providing a heat dissipation path to the top of the package, heat dissipation is further improved.
In this case, the carbon nanotube bundle may be grown directly on the metal cap in the same manner as for the bottom of the package, or the separately grown carbon nanotube bundle may be installed on the metal cap by transfer using an adhesive or the like. good.

次に、図４を参照して、本発明の前提となる参考例２の高周波半導体装置実装構造を説明するがカーボンナノチューブシートの構成が異なるだけで、他の構成は上記の参考例１と全く同様であるので、カーボンナノチューブシートの構成のみを説明する。 Next, the high-frequency semiconductor device mounting structure of Reference Example 2 , which is a premise of the present invention, will be described with reference to FIG. 4 except that the configuration of the carbon nanotube sheet is different, and the other configuration is completely different from Reference Example 1 described above. Since this is the same, only the configuration of the carbon nanotube sheet will be described.

図４参照
図４は、本発明の参考例２のカーボンナノチューブシートの構成説明図であり、Ｃｕ母材１２の表面を金メッキ層１３で被覆したパッケージ基部１１の全面に厚さが、例えば、１５ｎｍのＴａ拡散防止膜１４、厚さが、例えば、５ｎｍのＡｌ下地膜１７、及び、厚さが、例えば、２．５ｎｍのＦｅ触媒層１８を順次堆積させる。 See Figure 4
FIG. 4 is a configuration explanatory view of the carbon nanotube sheet of Reference Example 2 of the present invention. Ta diffusion having a thickness of, for example, 15 nm is formed on the entire surface of the package base 11 in which the surface of the Cu base material 12 is covered with the gold plating layer 13. The prevention film 14, an Al underlayer film 17 having a thickness of, for example, 5 nm, and an Fe catalyst layer 18 having a thickness of, for example, 2.5 nm are sequentially deposited.

次いで、パッケージ１０をＣＶＤ炉に導入し、熱フィラメントＣＶＤ法により、アセチレンとアルゴンの混合ガス（１：９）を原料とし、基板温度６２０℃、雰囲気圧１ｋＰａの条件にてカーボンナノチューブの成長を行う。
なお、この場合、成長前に例えば、１ｋＰａの水素中で１０分間の加熱処理を行うとともに、成長中は原料となる混合ガスを水素ガスにより、原料ガス：水素ガス＝３：７の分圧比になるように希釈する。 Next, the package 10 is introduced into a CVD furnace, and carbon nanotubes are grown by a hot filament CVD method using a mixed gas of acetylene and argon (1: 9) as a raw material at a substrate temperature of 620 ° C. and an atmospheric pressure of 1 kPa. .
In this case, for example, heat treatment is performed for 10 minutes in 1 kPa of hydrogen before growth, and a mixed gas as a raw material is grown with hydrogen gas during the growth to a partial pressure ratio of raw material gas: hydrogen gas = 3: 7. Dilute to

この成長条件により、成長時間２０分程度で林立するカーボンナノチューブ束３１が２０μｍの長さに成長したカーボンナノチューブシート３０が得られる。
なお、この成長条件では、グラフェンは形成されない。
この場合はパッケージ１０上全面にカーボンナノチューブ束３１を成長し、成長後に不要な箇所のカーボンナノチューブ束３１を除去している。 Under this growth condition, the carbon nanotube sheet 30 is obtained in which the carbon nanotube bundles 31 that grow in a growth time of about 20 minutes are grown to a length of 20 μm.
Note that graphene is not formed under this growth condition.
In this case, the carbon nanotube bundles 31 are grown on the entire surface of the package 10, and unnecessary portions of the carbon nanotube bundles 31 are removed after the growth.

このように、本発明の参考例２においても、ＡｌＮ基板とパッケージの載置面との間にカーボンナノチューブシート３０を介挿しているので、図７に示したＡｕＳｎメッキと比較し、カーボンナノチューブの高い放熱性のために、パッケージとＡｌＮ基板間の熱抵抗を低減することが可能となる。
また、その他の効果もグラフェンによる横方向熱拡散以外は、上記の参考例１と同様である。 Thus, in Example 2 of the present invention, since the interposed mosquitoes over carbon nanotube sheet 30 between the mounting surface of the AlN substrate and the package, as compared to the AuSn plating shown in FIG. 7, carbon Due to the high heat dissipation of the nanotubes, the thermal resistance between the package and the AlN substrate can be reduced.
Other effects are the same as in Reference Example 1 except for the lateral thermal diffusion by graphene.

次に、図５を参照して、本発明の前提となる参考例３の高周波半導体装置実装構造を説明する。
図５参照
図５は、本発明の参考例３の高周波半導体装置実装構造を示す分解斜視図であり、ヒートシンクを兼ねるパッケージ１０上にカーボンナノチューブ束を例えば、１０μｍ成長させてカーボンナノチューブシート２０を形成し、カーボンナノチューブシート２０の上にＨＰＡチップ２５をフェイスアップに設置したものである。
また、ＨＰＡチップ２５の裏面は、空隙を介してメタルキャップ２６と対向している。 Next, with reference to FIG. 5, a high-frequency semiconductor device mounting structure of Reference Example 3 which is a premise of the present invention will be described.
See Figure 5
FIG. 5 is an exploded perspective view showing a high-frequency semiconductor device mounting structure according to Reference Example 3 of the present invention. A carbon nanotube bundle 20 is grown on a package 10 that also serves as a heat sink to form a carbon nanotube sheet 20 to form a carbon nanotube sheet 20. An HPA chip 25 is placed face up on the nanotube sheet 20.
Further, the back surface of the HPA chip 25 is opposed to the metal cap 26 through a gap.

また、カーボンナノチューブシート３０の上に設置されたＨＰＡチップ２５に設けた電極は、図７と同様に、金ワイヤ３５によって、パッケージ１０に設けた入力電極部３３及び出力電極部３４と接続する。
なお、この参考例３のパッケージ基部の構造及びカーボンナノチューブシート２０の製造条件は上記の参考例１と全く同様であり、接地導体３２の表面に選択的に成長させる。 In addition, the electrodes provided on the HPA chip 25 placed on the carbon nanotube sheet 30 are connected to the input electrode portion 33 and the output electrode portion 34 provided on the package 10 by the gold wire 35 as in FIG.
The structure and manufacturing conditions of the carbon nanotube sheet 20 of the package base in this Reference Example 3 are exactly the same as the above Reference Example 1, is selectively grown on the surface of the ground conductor 32.

このように、本発明の参考例３においては、フェイスアップ構造の場合にも熱伝導性に優れるカーボンナノチューブシートを用いているので、従来のＡｕＳｎメッキよりも低い熱抵抗を得ることが可能となる。 Thus, in Reference Example 3 of the present invention, since the carbon nanotube sheet having excellent thermal conductivity is used even in the face-up structure, it is possible to obtain a thermal resistance lower than that of the conventional AuSn plating. .

以上を前提として、図６を参照して、本発明の実施例１の高周波半導体装置実装構造を説明するが、基本的構成は上記の参考例１と同様であるので、カーボンナノチューブシート近傍のみを説明する。
図６参照
図６は、本発明の実施例１のカーボンナノチューブシートの構成説明図であり、Ｃｕ母材４３の表面を金メッキ層４４で被覆したパッケージ基部４１の全面に厚さが、例えば、１５ｎｍのＴａ拡散防止膜４５、厚さが、例えば、５ｎｍのＡｌ下地膜４６、及び、厚さが、例えば、２．５ｎｍのＦｅ触媒層４７を順次堆積させる。 Based on the above, the high-frequency semiconductor device mounting structure of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. 6. However, since the basic configuration is the same as that of Reference Example 1 , only the vicinity of the carbon nanotube sheet is used. explain.
See FIG.
FIG. 6 is an explanatory diagram of the structure of the carbon nanotube sheet of Example 1 of the present invention. Ta diffusion having a thickness of, for example, 15 nm is formed on the entire surface of the package base 41 in which the surface of the Cu base material 43 is covered with the gold plating layer 44. The prevention film 45, an Al underlayer 46 having a thickness of, for example, 5 nm, and an Fe catalyst layer 47 having a thickness of, for example, 2.5 nm are sequentially deposited.

次いで、パッケージ４０をＣＶＤ炉に導入し、熱フィラメントＣＶＤ法により、アセチレンとアルゴンの混合ガス（１：９）を原料とし、基板温度６２０℃、雰囲気圧１ｋＰａの条件にてカーボンナノチューブの成長を行う。
なお、この場合、成長前に例えば、１ｋＰａの水素中で１０分間の加熱処理を行うとともに、成長中は原料となる混合ガスを水素ガスにより、原料ガス：水素ガス＝３：７の分圧比になるように希釈する。 Next, the package 40 is introduced into a CVD furnace, and carbon nanotubes are grown by a hot filament CVD method using a mixed gas of acetylene and argon (1: 9) as a raw material at a substrate temperature of 620 ° C. and an atmospheric pressure of 1 kPa. .
In this case, for example, heat treatment is performed for 10 minutes in 1 kPa of hydrogen before growth, and a mixed gas as a raw material is grown with hydrogen gas during the growth to a partial pressure ratio of raw material gas: hydrogen gas = 3: 7. Dilute to

この本発明の実施例１においては、パッケージ基部４１に凹面部分４２が設けられており、凹面部分４２の窪みの深さや曲率はカーボンナノチューブシート４８の長さや面積によって変化する。
基本的には、ＨＰＡチップ２５を平行に設置するために、窪みの中央部分と端の部分から成長したカーボンナノチューブ束のパッケージ底面からの高さがほぼ同一になることが望ましい。 In the first embodiment of the present invention, the package base portion 41 is provided with a concave portion 42, and the depth and curvature of the depression of the concave portion 42 vary depending on the length and area of the carbon nanotube sheet 48.
Basically, in order to install the HPA chips 25 in parallel, it is desirable that the height from the bottom surface of the package of the carbon nanotube bundles grown from the central portion and the end portion of the recess is substantially the same.

この場合、カーボンナノチューブ束４９は直下の基板面から垂直方向に成長する特徴を有しているため、この凹面部分４２の上に成長したカーボンナノチューブ束４９はその上に搭載するＡｌＮ基板或いはＨＰＡチップ２５に集中するように成長する。   In this case, since the carbon nanotube bundle 49 has a feature that it grows in the vertical direction from the substrate surface immediately below, the carbon nanotube bundle 49 grown on the concave surface portion 42 is mounted on the AlN substrate or HPA chip. Grows to concentrate on 25.

カーボンナノチューブシート４８の長さを１０μｍとした場合には、窪みは１０μｍ未満、窪み部分の弧を成す角度は９０度未満である。
例えば、窪み中央部分の深さを２μｍとした場合、弧を成す角度はおよそ３７度で長さ１０μｍカーボンナノチューブシートの底面からの高さが揃うことになる。 When the length of the carbon nanotube sheet 48 is 10 μm, the depression is less than 10 μm and the angle forming the arc of the depression is less than 90 degrees.
For example, when the depth of the central portion of the recess is 2 μm, the angle forming the arc is approximately 37 degrees and the height from the bottom surface of the carbon nanotube sheet having a length of 10 μm is aligned.

このように、本発明の実施例１においては、パッケージ基部に凹面部分を設けているので、ＡｌＮ基板或いはＨＰＡチップに集中して接しているカーボンナノチューブ束はパッケージ基部においては広がっているので、面積の大きなパッケージからの熱拡散をより有効に行うことができるとともに、凹面により増加した面積分についてナノチューブ本数が増加するため放熱性の向上を図ることが可能となる。 Thus, in Example 1 of the present invention, since the concave portion is provided in the package base, the carbon nanotube bundle that is in contact with the AlN substrate or the HPA chip in a concentrated manner spreads in the package base. Heat diffusion from a large package can be performed more effectively, and since the number of nanotubes increases for the area increased by the concave surface, it is possible to improve heat dissipation.

以上、本発明の前提となる参考例及び実施例を説明してきたが、本発明は前提となる参考例及び実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の参考例１においては、カーボンナノチューブ束の先端部にグラフェンを成長させるために、触媒として、Ｃｏ（２．６ｎｍ）／ＴｉＮ（５ｎｍ）を用いているが、ＣｏとＴｉＮの膜厚は上記に限定されるわけではなく、典型的にはＣｏ：２〜５ｎｍ、ＴｉＮ：２〜２５ｎｍの範囲にあれば良い。 As mentioned above, the reference examples and examples which are the premise of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the preferential reference examples and examples, and various modifications are possible. Yes, for example, in Reference Example 1 described above, Co (2.6 nm) / TiN (5 nm) is used as a catalyst to grow graphene on the tip of the carbon nanotube bundle. The film thickness is not limited to the above, but typically only needs to be in the range of Co: 2 to 5 nm and TiN: 2 to 25 nm.

また、下地となるＴａ膜はカーボンナノチューブ束の成長そのものには関与せず、５ｎｍ前後あれば良いが、成長温度が低く金属拡散が発生しないような場合にはＴａ薄膜は必しも設ける必要はない。   Further, the underlying Ta film does not contribute to the growth of the carbon nanotube bundle itself, and may be around 5 nm. However, if the growth temperature is low and metal diffusion does not occur, the Ta thin film must be provided. Absent.

また、上記の参考例２においては、カーボンナノチューブ束のみを成長させるために、触媒として、Ｆｅ（２．５ｎｍ）／Ａｌ（５ｎｍ）を用いているが、ＦｅとＡｌの膜厚は上記に限定されるわけではなく、典型的にはＦｅ：０．１〜５ｎｍ、Ａｌ：１〜１００ｎｍの範囲にあれば良い。 In Reference Example 2 described above, Fe (2.5 nm) / Al (5 nm) is used as a catalyst to grow only the carbon nanotube bundle, but the film thickness of Fe and Al is limited to the above. However, typically, it may be in the range of Fe: 0.1 to 5 nm and Al: 1 to 100 nm.

また、Ｆｅ以外の触媒でもカーボンナノチューブ束のみの成長は可能であり、参考例１で示した触媒構造（Ｃｏ／ＴｉＮ）を用い、参考例２と同様の成長条件においてグラフェンなしのカーボンナノチューブ束のみを得ることができる。
但し、触媒により活性度が異なるためＦｅよりも成長時間が長く６０分で１９μｍの長さとなる。 Further, it is possible to grow only a carbon nanotube bundle even with a catalyst other than Fe, and using the catalyst structure (Co / TiN) shown in Reference Example 1 , only the carbon nanotube bundle without graphene under the same growth conditions as in Reference Example 2 Can be obtained.
However, since the activity varies depending on the catalyst, the growth time is longer than that of Fe, and the length becomes 19 μm in 60 minutes.

また、触媒種や触媒の下地膜も上記の前提となる参考例及び実施例に示した構成に限られるものではなく、触媒種としてはコバルト、ニッケル、鉄、金、銀、白金等のカーボンナノチューブの触媒と成り得る金属ないしはその合金であれば良い。
また、下地膜としてはモリブデン、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、バナジウム、タンタルナイトライド、チタンシリサイド、チタンナイトライド、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、タンタル、タングステン、銅、金、白金などのうち少なくとも一種含む金属ないしは合金からなる膜構造であれば良い。 In addition, the catalyst species and the catalyst base film are not limited to the configurations shown in the above-mentioned reference examples and examples, and the catalyst species are carbon nanotubes such as cobalt, nickel, iron, gold, silver, platinum, etc. Any metal or alloy thereof that can be used as a catalyst is acceptable.
In addition, the base film includes at least one of molybdenum, titanium, hafnium, zirconium, niobium, vanadium, tantalum nitride, titanium silicide, titanium nitride, aluminum, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum, tungsten, copper, gold, platinum, and the like. Any film structure made of one kind of metal or alloy may be used.

また、上記の前提となる参考例及び実施例においてはカーボンナノチューブの成長方法として、熱ＣＶＤ法或いは熱フィラメントＣＶＤ法を用いているが、このような成長方法に限られるものではなく、プラズマＣＶＤ、リモートプラズマＣＶＤ法等を用いても良いものである。 Further, in the reference examples and examples which are the above-mentioned premise , a thermal CVD method or a hot filament CVD method is used as a carbon nanotube growth method. However, the method is not limited to such a growth method. A remote plasma CVD method or the like may be used.

また、上記の前提となる参考例及び実施例においては、原料ガスとしてアセチレンを用いているが、アセチレンに限られるものではなく、メタン、エチレン等の炭化水素類や、或いは、エタノール、メタノール等のアルコール類を用いても良い。 Further, in the reference examples and examples which are the above-mentioned premise, acetylene is used as a raw material gas, but is not limited to acetylene, hydrocarbons such as methane and ethylene, or ethanol, methanol, etc. Alcohols may be used.

また、上記の前提となる参考例及び実施例においては、カーボンナノチューブシートをパッケージ基部に直接成長させているが、このような構成に限られるものではなく、別途成長したカーボンナノチューブ束を導電性接着剤等を用いて転写により貼り付けても良い。 In the reference examples and examples that are the above assumptions , the carbon nanotube sheet is directly grown on the package base. However, the present invention is not limited to such a configuration, and the separately grown carbon nanotube bundle is electrically bonded. You may stick by transcription | transfer using an agent.

また、上記の前提となる参考例及び実施例においては、カーボンナノチューブシートはそのままの状態であるが、樹脂材料によりカーボンナノチューブ束や接合部位を覆うないしは埋め込むことによりカーボンナノチューブシート構造を強化することも可能である。
この場合の樹脂材料としては、カーボンナノチューブと親和性の高い材料を用いることが望ましい。 Further, in the reference examples and examples that are the above premise , the carbon nanotube sheet remains as it is, but the carbon nanotube sheet structure may be strengthened by covering or embedding the carbon nanotube bundle and the bonding portion with a resin material. Is possible.
As the resin material in this case, it is desirable to use a material having high affinity with the carbon nanotube.

また、上記の実施例１においては、パッケージ基部に凹面部分を設けているが、窪みは凹面に限られるものではなく、直線的な傾斜でも良く、また、その平面形状としても円形に限られるものではなく、多角形などを始め特に制限はない。 In the first embodiment , the concave portion is provided on the package base. However, the depression is not limited to the concave surface, and may be linearly inclined, and the planar shape is limited to a circle. However, there are no particular restrictions such as polygons.

ここで、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
（付記１） 上面全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有するパッケージ基部と、前記パッケージ基部の上面に載置された複数のカーボンナノチューブ束からなるカーボンナノチューブシートと、前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面に載置された電子デバイスチップとを有し、前記パッケージ基部の上面の面積は前記電子デバイスを載置する前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面の面積より大きく、前記カーボンナノチューブ束は前記パッケージ基部の上面から前記載置面に集中するように配向していることを特徴とするカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記２） 前記電子デバイスチップをカーボンナノチューブバンプ基板を介して前記カーボンナノチューブシートに載置することを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記３） 前記カーボンナノチューブシートがカーボンナノチューブ束のみからなることを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記４） 前記カーボンナノチューブシートがカーボンナノチューブ束と前記カーボンナノチューブ束の先端に形成されたグラフェンとからなることを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記５） 前記カーボンナノチューブ束を構成するカーボンナノチューブが、前記載置面を構成するグランド電極上に設けた導電性膜並びに触媒膜から直接成長したカーボンナノチューブであることを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記６） 前記カーボンナノチューブ束間及びカーボンナノチューブ間の間隙を媒質により埋め込んだことを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記７） 前記媒質が、金属、金属を含む導電性物質、或いは、導電性樹脂のいずれかからなる導電性媒質であることを特徴とする付記６記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記８） 前記金属が、金、銀、チタン、白金、パラジウム、モリブデン、インジウム、錫、或いは、タンタルのいずれかからなることを特徴とする付記７記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記９） 前記金属を含む導電性物質には、金属ペースト、半田、或いは、メッキのいずれかからなることを特徴とする付記７記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記１０） 前記媒質が、カーボンナノチューブと親和性の高い有機材料或いは無機材料からなる非導電性媒質であることを特徴とする付記６記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記１１） 前記カーボンナノチューブシートの先端部分に導電性の金属、導電性を有する無機材料、或いは導電性を有する有機材料が配置されて前記電子デバイスチップとの接合面を構成することを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記１２） 前記カーボンナノチューブシートが、前記電子デバイスチップの裏面に対向するメタルキャップ側にも設けられたことを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記１３） 前記載置面を有するパッケージ基部１の母基材が、金、銀、銅、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、タングステン、或いは、鉄のうちの少なくとも１種含む構造からなることを特徴とする付記１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記１４） 前記パッケージ基部を含むパッケージ全体の表面が、金メッキ、或いはニッケルメッキにより被覆されていることを特徴とする付記１３記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。
（付記１５） 上面全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有するパッケージ基部と、前記パッケージ基部の上面に載置された複数のカーボンナノチューブ束からなるカーボンナノチューブシートと、前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面に載置された電子デバイスチップとを有し、前記パッケージ基部の上面の面積は前記電子デバイスを載置する前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面の面積より大きく、前記カーボンナノチューブ束は前記パッケージ基部の上面から前記載置面に集中するように配向し、前記電子デバイスチップとして、無線・携帯電話基地局用ハイパワーアンプ、サーバー・パーソナルコンピューター用半導体素子、車載半導体集積回路装置、或いは、電気自動車モーター駆動用トランジスタのいずれかを載置していることを特徴とする電子デバイス。 Here, the detailed features of the present invention will be described again.
(Additional remark 1) The package base which has a concave structure where the whole upper surface has a predetermined depression and curvature, a carbon nanotube sheet comprising a plurality of carbon nanotube bundles placed on the upper surface of the package base, and the upper surface of the carbon nanotube sheet The surface of the package base is larger than the area of the mounting surface of the carbon nanotube sheet on which the electronic device is mounted, and the carbon nanotubes. A package using carbon nanotubes, characterized in that the bundle is oriented so as to concentrate on the mounting surface from the upper surface of the package base.
(Additional remark 2) The package using the carbon nanotube of Additional remark 1 characterized by mounting the said electronic device chip | tip on the said carbon nanotube sheet | seat via a carbon nanotube bump substrate .
(Additional remark 3) The said carbon nanotube sheet | seat consists only of a carbon nanotube bundle , The package using the carbon nanotube of Additional remark 1 characterized by the above-mentioned.
(Additional remark 4) The package using the carbon nanotube of Additional remark 1 characterized by the said carbon nanotube sheet | seat consisting of the carbon nanotube bundle | flux and the graphene formed in the front- end | tip of the said carbon nanotube bundle | flux .
(Additional remark 5) The carbon nanotube which comprises the said carbon nanotube bundle | flux is the carbon nanotube which grew directly from the electroconductive film and catalyst film which were provided on the ground electrode which comprises the said mounting surface, The additional remark 1 characterized by the above-mentioned. Package using carbon nanotubes.
(Additional remark 6) The package using the carbon nanotube of Additional remark 1 characterized by embedding the space | interval between the said carbon nanotube bundles and the gap between carbon nanotubes with the medium.
(Additional remark 7) The package using the carbon nanotube of Additional remark 6 characterized by the above-mentioned medium being a conductive medium which consists of either a metal, the electroconductive substance containing a metal, or a conductive resin.
(Additional remark 8) The package using the carbon nanotube of Additional remark 7 characterized by the above-mentioned metal consisting of either gold, silver, titanium, platinum, palladium, molybdenum, indium, tin, or tantalum.
(Supplementary note 9) The package using the carbon nanotube according to supplementary note 7, wherein the conductive substance containing metal is any one of metal paste, solder, or plating.
(Additional remark 10) The package using the carbon nanotube of Additional remark 6 characterized by the said medium being a nonelectroconductive medium which consists of an organic material or an inorganic material with high affinity with a carbon nanotube.
(Appendix 11) A conductive metal, a conductive inorganic material, or a conductive organic material is disposed at a tip portion of the carbon nanotube sheet to form a bonding surface with the electronic device chip. A package using the carbon nanotube according to appendix 1.
(Additional remark 12) The said carbon nanotube sheet | seat was provided also in the metal cap side facing the back surface of the said electronic device chip | tip, The package using the carbon nanotube of Additional remark 1 characterized by the above-mentioned.
(Additional remark 13) The base material of the package base 1 having the mounting surface is at least one of gold, silver, copper, molybdenum, aluminum, titanium, tantalum, chromium, cobalt, nickel, tungsten, or iron A package using carbon nanotubes according to supplementary note 1, characterized by comprising a structure including the same.
(Additional remark 14) The package using the carbon nanotube of Additional remark 13 characterized by the surface of the whole package containing the said package base part being coat | covered with gold plating or nickel plating.
(Additional remark 15) The package base which has a concave structure where the entire upper surface has a predetermined depression and curvature, a carbon nanotube sheet comprising a plurality of carbon nanotube bundles placed on the upper surface of the package base, and the upper surface of the carbon nanotube sheet The surface of the package base is larger than the area of the mounting surface of the carbon nanotube sheet on which the electronic device is mounted, and the carbon nanotubes. bundle oriented to focus on the placement surface from the upper surface of the package base, the electronic device chip and to a wireless, mobile phone base station for high-power amplifier, a semiconductor device for server personal computers, in-vehicle semiconductor integrated Circuit device or electric vehicle motor drive transistor An electronic device characterized in that it placed or Re.

本発明の活用例としては、次世代以降の携帯電話基地局向けの高周波（３ＧＨｚ以上）高出力増幅器のパッケージ構造が典型的なものであるが、３ＧＨｚ以下の周波数の半導体装置用パッケージ構造や低出力半導体装置用のパッケージ構造としても適用されるものである。   As a practical example of the present invention, a package structure of a high-frequency (3 GHz or higher) high-power amplifier for mobile phone base stations of the next generation or later is typical, but a package structure for a semiconductor device having a frequency of 3 GHz or lower or a low The present invention is also applied as a package structure for an output semiconductor device.

本発明の原理的構成の説明図である。It is explanatory drawing of the fundamental structure of this invention. 本発明の参考例１の高周波半導体装置実装構造を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the high frequency semiconductor device mounting structure of the reference example 1 of this invention. 本発明の参考例１のカーボンナノチューブシートの構成説明図である。It is a structure explanatory view of the carbon nanotube sheet of reference example 1 of the present invention. 本発明の参考例２のカーボンナノチューブシートの構成説明図である。It is a structure explanatory view of the carbon nanotube sheet of reference example 2 of the present invention. 本発明の参考例３の高周波半導体装置実装構造を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the high frequency semiconductor device mounting structure of the reference example 3 of this invention. 本発明の実施例１のカーボンナノチューブシートの構成説明図である。It is a structure explanatory drawing of the carbon nanotube sheet of Example 1 of the present invention. 従来のフェイスアップ構造の説明図である。It is explanatory drawing of the conventional face-up structure. 従来のカーボンナノチューブ束を用いたフリップチップ構造の説明図である。It is explanatory drawing of the flip chip structure using the conventional carbon nanotube bundle | flux.

１ パッケージ基部
２ 母基材
３ Ａｕメッキ
４ カーボンナノチューブ束
５ カーボンナノチューブシート
６ 電子デバイスチップ
７ カーボンナノチューブバンプ基板
８ グラフェン
９ 下地層
１０ パッケージ
１１ パッケージ基部
１２ Ｃｕ母材
１３ 金メッキ層
１４ Ｔａ拡散防止膜
１５ ＴｉＮ下地膜
１６ Ｃｏ触媒層
１７ Ａｌ下地膜
１８ Ｆｅ触媒層
２０ カーボンナノチューブシート
２１ カーボンナノチューブ束
２２ グラフェン
２３ ＡｌＮ基板
２４ カーボンナノチューブバンプ
２５ ＨＰＡチップ
２６ メタルキャップ
２７ カーボンナノチューブシート
３０ カーボンナノチューブシート
３１ カーボンナノチューブ束
３２ 接地導体
３３ 入力電極部
３４ 出力電極部
３５ 金ワイヤ
４１ パッケージ基部
４２ 凹面部分
４３ Ｃｕ母材
４４ 金メッキ層
４５ Ｔａ拡散防止膜
４６ Ａｌ下地膜
４７ Ｆｅ触媒層
４８ カーボンナノチューブシート
４９ カーボンナノチューブ束
５１ 接地導体
５２ 入力電極部
５３ 出力電極部
５４ ＧａＮ−ＨＥＭＴ
５５ ＡｕＳｎメッキ層
５６ 金ワイヤ
６０ パッケージ
６１ 母基材
６２ Ｍｏ板
６３，６４ Ｃｕ板
６５ 金メッキ層
６６ ＡｕＳｎメッキ層
６７ メタルキャップ
７０ ＡｌＮ基板
７１ カーボンナノチューブバンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package base part 2 Base material 3 Au plating 4 Carbon nanotube bundle 5 Carbon nanotube sheet 6 Electronic device chip 7 Carbon nanotube bump board 8 Graphene 9 Underlayer 10 Package 11 Package base 12 Cu base material 13 Gold plating layer 14 Ta diffusion prevention film 15 TiN underlayer 16 Co catalyst layer 17 Al underlayer 18 Fe catalyst layer 20 Carbon nanotube sheet 21 Carbon nanotube bundle 22 Graphene 23 AlN substrate 24 Carbon nanotube bump 25 HPA chip 26 Metal cap 27 Carbon nanotube sheet 30 Carbon nanotube sheet 31 Carbon nanotube bundle 32 Ground conductor 33 Input electrode part 34 Output electrode part 35 Gold wire 41 Package base part 42 Concave surface part 43 Cu base material 44 Gold plating layer 45 T a diffusion prevention film 46 Al base film 47 Fe catalyst layer 48 Carbon nanotube sheet 49 Carbon nanotube bundle 51 Ground conductor 52 Input electrode part 53 Output electrode part 54 GaN-HEMT
55 AuSn plating layer 56 Gold wire 60 Package 61 Base substrate 62 Mo plate 63, 64 Cu plate 65 Gold plating layer 66 AuSn plating layer 67 Metal cap 70 AlN substrate 71 Carbon nanotube bump

Claims (7)

上面全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有するパッケージ基部と、
前記パッケージ基部の上面に載置された複数のカーボンナノチューブ束からなるカーボンナノチューブシートと、
前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面に載置された電子デバイスチップとを有し、
前記パッケージ基部の上面の面積は前記電子デバイスを載置する前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面の面積より大きく、
前記カーボンナノチューブ束は前記パッケージ基部の上面から前記載置面に集中するように配向していることを特徴とするカーボンナノチューブを用いたパッケージ。 A package base having a concave structure having a predetermined depression and curvature on the entire upper surface ;
A carbon nanotube sheet comprising a plurality of carbon nanotube bundles placed on the upper surface of the package base;
An electronic device chip mounted on the mounting surface of the upper surface of the carbon nanotube sheet,
The area of the upper surface of the package base is larger than the area of the mounting surface of the upper surface of the carbon nanotube sheet on which the electronic device is mounted,
A package using carbon nanotubes, characterized in that the carbon nanotube bundles are oriented so as to concentrate on the mounting surface from the upper surface of the package base. 前記カーボンナノチューブシートがカーボンナノチューブ束のみからなることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。   The package using carbon nanotubes according to claim 1, wherein the carbon nanotube sheet comprises only a carbon nanotube bundle. 前記カーボンナノチューブシートがカーボンナノチューブ束と前記カーボンナノチューブ束の先端に形成されたグラフェンとからなることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。   2. The package using carbon nanotubes according to claim 1, wherein the carbon nanotube sheet comprises a carbon nanotube bundle and graphene formed at a tip of the carbon nanotube bundle. 前記カーボンナノチューブ束間及びカーボンナノチューブ間の隙間を媒質により埋め込んだことを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。   2. The package using carbon nanotubes according to claim 1, wherein a gap between the carbon nanotube bundles and a gap between the carbon nanotubes is filled with a medium. 前記媒質が、金属、金属を含む導電性物質、導電性樹脂、或いは、非導電性樹脂のうちの少なくとも一種類含むことを特徴とする請求項４記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。   5. The package using carbon nanotubes according to claim 4, wherein the medium contains at least one of a metal, a conductive material containing a metal, a conductive resin, or a non-conductive resin. 前記カーボンナノチューブを用いたパッケージの母基材が、金属被膜により覆われた金、銀、銅、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、タングステン、或いは、鉄のうちの少なくとも一種含むことを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブを用いたパッケージ。   The base material of the package using the carbon nanotube includes at least one of gold, silver, copper, molybdenum, aluminum, titanium, tantalum, chromium, cobalt, nickel, tungsten, or iron covered with a metal film. The package using the carbon nanotube according to claim 1. 上面全面が所定の窪み及び曲率を持つ凹面構造を有するパッケージ基部と、
前記パッケージ基部の上面に載置された複数のカーボンナノチューブ束からなるカーボンナノチューブシートと、
前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面に載置された電子デバイスチップとを有し、
前記パッケージ基部の上面の面積は前記電子デバイスを載置する前記カーボンナノチューブシートの上面の載置面の面積より大きく、
前記カーボンナノチューブ束は前記パッケージ基部の上面から前記載置面に集中するように配向し、
前記電子デバイスチップとして、無線・携帯電話基地局用ハイパワーアンプ、サーバー・パーソナルコンピューター用半導体素子、車載半導体集積回路装置、或いは、電気自動車モーター駆動用トランジスタのいずれかを載置していることを特徴とする電子デバイス。 A package base having a concave structure having a predetermined depression and curvature on the entire upper surface ;
A carbon nanotube sheet comprising a plurality of carbon nanotube bundles placed on the upper surface of the package base;
An electronic device chip mounted on the mounting surface of the upper surface of the carbon nanotube sheet,
The area of the upper surface of the package base is larger than the area of the mounting surface of the upper surface of the carbon nanotube sheet on which the electronic device is mounted,
The carbon nanotube bundle is oriented so as to concentrate on the mounting surface from the upper surface of the package base,
As the electronic device chip, a wireless, mobile phone base station for high-power amplifier, a server personal computer for semiconductor devices, in-vehicle semiconductor integrated circuit device, or that it is placed on one of the electric vehicle motor driving transistor A featured electronic device.
JP2007303180A 2007-11-22 2007-11-22 Package and electronic device using carbon nanotube Active JP5746808B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007303180A JP5746808B2 (en) 2007-11-22 2007-11-22 Package and electronic device using carbon nanotube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007303180A JP5746808B2 (en) 2007-11-22 2007-11-22 Package and electronic device using carbon nanotube

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009130113A JP2009130113A (en) 2009-06-11
JP5746808B2 true JP5746808B2 (en) 2015-07-08

Family

ID=40820742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007303180A Active JP5746808B2 (en) 2007-11-22 2007-11-22 Package and electronic device using carbon nanotube

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5746808B2 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110057989A (en) * 2009-11-25 2011-06-01 삼성전자주식회사 Composite structure of graphene and nanostructure and method of manufacturing the same
CN102664171B (en) * 2012-05-08 2015-07-01 上海大学 Three-dimensional grid-type chip heat conduction model based on carbon nano tube
KR102055361B1 (en) 2013-06-05 2019-12-12 삼성전자주식회사 Semiconductor package
JP6186933B2 (en) 2013-06-21 2017-08-30 富士通株式会社 Joining sheet and manufacturing method thereof, heat dissipation mechanism and manufacturing method thereof
JP2016522996A (en) * 2014-05-30 2016-08-04 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Heat dissipation structure and synthesis method thereof
JP6582854B2 (en) * 2015-10-14 2019-10-02 富士通株式会社 Heat dissipation sheet, heat dissipation sheet manufacturing method, and electronic device
CN105244249B (en) * 2015-10-20 2017-07-07 天津师范大学 A kind of graphene film carbon nano-tube film flexible composite and preparation method and application
CN109467077A (en) * 2017-09-07 2019-03-15 上海基拉诺薄膜科技有限公司 A kind of stable pipe convex graphene dispersion combination liquid
CN110767604B (en) * 2019-10-31 2022-03-18 厦门市三安集成电路有限公司 Compound semiconductor device and back copper processing method of compound semiconductor device
DE102020216315A1 (en) 2020-12-18 2022-06-23 Zf Friedrichshafen Ag Power module for operating an electric vehicle drive with optimized cooling and contacting

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100565139B1 (en) * 2001-02-22 2006-03-30 니뽄 가이시 가부시키가이샤 Member for electronic circuit, method for manufacturing the member, and electronic part
JP4697829B2 (en) * 2001-03-15 2011-06-08 ポリマテック株式会社 Carbon nanotube composite molded body and method for producing the same
US6965513B2 (en) * 2001-12-20 2005-11-15 Intel Corporation Carbon nanotube thermal interface structures
DE10248644B4 (en) * 2002-10-18 2008-07-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg The power semiconductor module
JP4167212B2 (en) * 2004-10-05 2008-10-15 富士通株式会社 Carbon nanotube structure, semiconductor device, and semiconductor package
CN100358132C (en) * 2005-04-14 2007-12-26 清华大学 Thermal interface material producing method
JP4640975B2 (en) * 2005-10-20 2011-03-02 富士通株式会社 Thermal diffusion sheet and semiconductor device
JP2007287375A (en) * 2006-04-13 2007-11-01 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Anisotropic conductive sheet and manufacturing method of same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009130113A (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5746808B2 (en) Package and electronic device using carbon nanotube
JP5146256B2 (en) Sheet-like structure and manufacturing method thereof, and electronic device and manufacturing method thereof
JP5104688B2 (en) Sheet-like structure, method for producing the same, and electronic device
JP5506657B2 (en) Sheet-like structure, semiconductor device, and carbon structure growth method
US10396009B2 (en) Heat dissipation material and method of manufacturing thereof, and electronic device and method of manufacturing thereof
JP5842349B2 (en) Sheet-like structure, method for producing sheet-like structure, electronic device, and method for producing electronic device
JP6065410B2 (en) Sheet-like structure, method for producing sheet-like structure, electronic device, and method for producing electronic device
JP2013115094A (en) Heat radiating material and method for manufacturing the same
JP5636654B2 (en) Carbon nanotube sheet structure, manufacturing method thereof, and semiconductor device
JP2014060252A (en) Method of manufacturing heat dissipation material
JP5447117B2 (en) Manufacturing method of electronic equipment
JP2008210954A (en) Carbon nanotube bump structure, its manufacturing method and semiconductor device using the same
JP5013116B2 (en) Sheet-like structure, method for producing the same, and electronic device
JP2011096832A (en) Sheet type member and electronic apparatus
JP5760668B2 (en) Sheet-like structure, manufacturing method thereof, electronic device, and manufacturing method thereof
JP5343620B2 (en) Heat dissipation material and method for manufacturing the same, electronic device and method for manufacturing the same
JP2011035046A (en) Sheet-like structure, and method of manufacturing the same
US9644128B2 (en) Carbon nanotube sheet, electronic device, method of manufacturing carbon nanotube sheet, and method of manufacturing electronic device
JP5768786B2 (en) Sheet-like structure and electronic device
JP5786986B2 (en) Method for growing carbon structure and method for producing sheet-like structure
JP5864486B2 (en) Sheet-like structure and method for producing the same
TW201225342A (en) Light-emitting semiconductor chip and method for manufacturing the same
JP5935302B2 (en) Sheet-like structure, manufacturing method thereof, electronic device, and manufacturing method thereof
JP5098660B2 (en) Carbon nanotube sheet, method for producing the same, and electronic device
JP2010280528A (en) Sheet-like structure and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100616

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110915

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120410

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130319

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140304

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140526

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140603

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140627

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150511

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5746808

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150