JP5745973B2 - Thin-film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、薄膜太陽電池の製造装置および製造方法に関するものである。   The present invention relates to a manufacturing apparatus and a manufacturing method for a thin film solar cell.

太陽電池は、単結晶、多結晶、アモルファスシリコンからなるシリコン系のものが主流で、住宅用や事業所などに普及しつつあり、将来的には、更なる普及が見込まれている。このため、今後の太陽電池の需要は、大幅に増加することが予測される。   Solar cells are mainly made of silicon, consisting of single crystal, polycrystal, and amorphous silicon, and are becoming widespread in residential use and business establishments. In the future, further spread is expected. For this reason, future demand for solar cells is expected to increase significantly.

現在主流の太陽電池には、エネルギー変換効率が低いという欠点がある。この欠点を補うため、多結晶シリコン基板上にカーボンナノチューブ構造体を設けることで、良好なエネルギー変換および電子移動の効率を高めた太陽電池が知られている（例えば、特許文献１参照）。   Current mainstream solar cells have the disadvantage of low energy conversion efficiency. In order to compensate for this drawback, a solar cell is known in which a carbon nanotube structure is provided on a polycrystalline silicon substrate to improve the energy conversion and electron transfer efficiency (see, for example, Patent Document 1).

特開２００９−２５３２９６号公報JP 2009-253296 A

しかしながら、上記特許文献１に記載の太陽電池は、性能に優れるものの、大量生産に適しておらず、今後予測される需要の増加に対応することができない。このように、上記特許文献１に記載されたようなカーボンナノチューブ構造体を用いた太陽電池の製造方法では、低コスト且つ高い生産性で、大面積の太陽電池を製造することはできないというのが実状である。   However, although the solar cell described in Patent Document 1 is excellent in performance, it is not suitable for mass production and cannot cope with an increase in demand predicted in the future. As described above, the solar cell manufacturing method using the carbon nanotube structure as described in Patent Document 1 cannot manufacture a large-area solar cell at low cost and high productivity. It's real.

そこで本発明は、上記を鑑みて、低コスト且つ高い生産性で、カーボンナノチューブを用いた大面積の薄膜太陽電池を製造することができる製造装置および製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method capable of manufacturing a large-area thin film solar cell using carbon nanotubes at low cost and high productivity.

上記課題を解決するため、本発明の請求項１に係る薄膜太陽電池の製造方法は、連続的に送られる基板シート、電極シート、絶縁シート、対極シートおよび透明シートを積層して薄膜太陽電池を連続的に製造する製造装置であって、
上記基板シートに電極シートを積層してなる積層シートにｎ型半導体／ｐ型半導体の半導体膜を生成する半導体成膜装置と、
上記積層シートに生成された半導体膜の一部に絶縁シートを積層する絶縁層積層器と、
上記積層シートに生成された半導体膜およびこの半導体膜の一部に積層された絶縁シートにｐ型／ｎ型のカーボンナノチューブ膜を生成するカーボンナノチューブ成膜装置と、
上記絶縁シートに生成されたカーボンナノチューブ膜に対極シートを積層する対極層積層器と、
上記半導体膜に生成されたカーボンナノチューブ膜および対極シートに透明シートを積層して薄膜太陽電池を形成する透明層積層器とを備えたものである。 In order to solve the above-mentioned problems, a method for manufacturing a thin-film solar cell according to claim 1 of the present invention includes a substrate sheet, an electrode sheet, an insulating sheet, a counter electrode sheet, and a transparent sheet that are continuously fed to form a thin-film solar cell. A manufacturing apparatus for continuously manufacturing,
A semiconductor film forming apparatus that generates an n-type semiconductor / p-type semiconductor film on a laminated sheet obtained by laminating an electrode sheet on the substrate sheet;
An insulating layer laminator for laminating an insulating sheet on a part of the semiconductor film generated in the laminated sheet;
A carbon nanotube film forming apparatus for generating a p-type / n-type carbon nanotube film on a semiconductor film formed on the laminated sheet and an insulating sheet laminated on a part of the semiconductor film;
A counter electrode laminator for laminating a counter electrode sheet on the carbon nanotube film produced on the insulating sheet;
The carbon nanotube film produced | generated to the said semiconductor film and the transparent layer laminated device which laminates | stacks a transparent sheet on a counter electrode sheet | seat, and forms a thin film solar cell are provided.

さらに、本発明の請求項２に係る薄膜太陽電池の製造装置は、請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造装置において、積層シートが、基板シートの一部に電極シートを積層してなるものであり、
上記基板シートが透明であるものである。 Furthermore, the thin-film solar cell manufacturing apparatus according to claim 2 of the present invention is the thin-film solar cell manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the laminated sheet is formed by laminating an electrode sheet on a part of the substrate sheet. And
The substrate sheet is transparent.

また、本発明の請求項３に係る薄膜太陽電池の製造方法は、連続的に送られる基板シート、電極シート、絶縁シート、対極シートおよび透明シートを積層して薄膜太陽電池を連続的に製造する製造方法であって、
上記基板シートの一部に電極シートを積層してなる積層シートにｎ型半導体／ｐ型半導体の半導体膜を生成し、
上記積層シートに生成された半導体膜の一部に絶縁シートを積層し、
上記積層シートに生成された半導体膜およびこの半導体膜の一部に積層された絶縁シートにｐ型／ｎ型のカーボンナノチューブ膜を生成し、
上記絶縁シートに生成されたカーボンナノチューブ膜に対極シートを積層し、
上記半導体膜に生成されたカーボンナノチューブ膜および対極シートに透明シートを積層して薄膜太陽電池を形成するものである。 A method for manufacturing a thin film solar cell according to claim 3 of the present invention, board sheets Ru sent continuously, the electrode sheet, the insulating sheet, the thin-film solar cell continuously laminating counter electrode sheet and the transparent sheet A manufacturing method for manufacturing,
Generating an n-type semiconductor / p-type semiconductor of the semiconductor film electrode sheet in a part of the upper Kimoto plate sheet laminated sheet obtained by laminating,
Laminating an insulating sheet on a part of the semiconductor film generated in the laminated sheet,
A p-type / n-type carbon nanotube film is produced on the semiconductor film produced on the laminated sheet and the insulating sheet laminated on a part of the semiconductor film ,
Laminating a counter electrode sheet on the carbon nanotube film produced on the insulating sheet,
A thin film solar cell is formed by laminating a transparent sheet on the carbon nanotube film and the counter electrode sheet formed on the semiconductor film .

上記薄膜太陽電池の製造装置および製造方法によると、簡素な装置および方法で薄膜太陽電池を連続的に形成していくので、低コスト且つ高い生産性で、カーボンナノチューブを用いた大面積の薄膜太陽電池を製造することができる。   According to the above thin film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method, the thin film solar cell is continuously formed with a simple apparatus and method, so that the thin film solar cell with a large area using carbon nanotubes can be manufactured at low cost and high productivity. A battery can be manufactured.

本発明の実施例に係る薄膜太陽電池の製造装置の概略構成を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows schematic structure of the manufacturing apparatus of the thin film solar cell which concerns on the Example of this invention. 同製造装置における半導体成膜装置およびＣＮＴ成膜装置の斜視図であり、（ａ）が半導体成膜装置を示す図、（ｂ）がＣＮＴ成膜装置を示す図である。It is a perspective view of the semiconductor film-forming apparatus and CNT film-forming apparatus in the manufacturing apparatus, (a) is a figure which shows a semiconductor film-forming apparatus, (b) is a figure which shows a CNT film-forming apparatus. 同製造装置における積層シートの底面図であり、積層シートに成膜および積層されていく状態を示す図である。It is a bottom view of the lamination sheet in the manufacturing apparatus, and is a figure which shows the state which forms into a film and laminates | stacks on a lamination sheet. 図３における薄膜太陽電池のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of the thin film solar cell in FIG. 同製造装置における巻取りロールを上下反転させた斜視図である。It is the perspective view which turned up and down the winding roll in the manufacturing apparatus. 所望の長さに切断された薄膜太陽電池の斜視図であり、（ａ）が切断されたままの図、（ｂ）が切断された後に樹脂加工による封止がされた図である。It is the perspective view of the thin film solar cell cut | disconnected by the desired length, (a) is the figure as it was cut | disconnected, (b) is the figure sealed by resin processing after cut | disconnecting. 所望の長さに切断されたシースルー型の薄膜太陽電池の斜視図である。It is a perspective view of the see-through type thin film solar cell cut | disconnected by desired length.

［薄膜太陽電池の製造装置および製造方法］
以下、本発明の実施例に係る薄膜太陽電池を連続的に製造する製造装置について、図面に基づき説明する。 [Manufacturing apparatus and manufacturing method of thin film solar cell]
Hereinafter, the manufacturing apparatus which manufactures the thin film solar cell which concerns on the Example of this invention continuously is demonstrated based on drawing.

本実施例においては、薄膜太陽電池を構成するシートとして、基板シート、負極シート（電極シートの一例である）、絶縁シート、正極シート（対極シートの一例である）および透明シートを用いるようにしたもので、いずれも所定幅で長いもの、つまり帯状のものが用いられる。これらシートのうち、図３に示すように、絶縁シートＩが最も幅狭であり、次いで正極シートＰが絶縁シートＩよりも幅広で、基板シートＫ、負極シートＮおよび透明シートＴが略同一幅で且つ正極シートＰよりも幅広である。ところで、上記基板シートＫおよび透明シートＴには、それぞれ透明のプラスチックが用いられる。また、上記負極シートＮおよび正極シートＰには、それぞれ銅箔またはアルミ箔が用いられる。さらに、絶縁シートＩには、カプトン（登録商標）テープ、プラスチックテープまたはシリカ膜が用いられる。   In this example, a substrate sheet, a negative electrode sheet (which is an example of an electrode sheet), an insulating sheet, a positive electrode sheet (which is an example of a counter electrode sheet), and a transparent sheet are used as a sheet constituting the thin film solar cell. In any case, a long one having a predetermined width, that is, a belt-like one is used. Among these sheets, as shown in FIG. 3, the insulating sheet I is the narrowest, the positive electrode sheet P is wider than the insulating sheet I, and the substrate sheet K, the negative electrode sheet N, and the transparent sheet T are substantially the same width. And wider than the positive electrode sheet P. By the way, transparent plastic is used for the substrate sheet K and the transparent sheet T, respectively. Moreover, copper foil or aluminum foil is used for the negative electrode sheet N and the positive electrode sheet P, respectively. Further, Kapton (registered trademark) tape, plastic tape, or silica film is used for the insulating sheet I.

これらシートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔは、それぞれロールに巻き付けられており、薄膜太陽電池の製造に際しては、これらロールから引き出されて連続的に必要な加工および積層がなされて薄膜太陽電池が形成されるとともに、この薄膜太陽電池は、やはりロールに巻き取るようにされている。すなわち、一方の５つの巻出しロールから上記シートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔをそれぞれ引き出し、これら引き出されたシートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔから薄膜太陽電池が連続的に形成され、当該薄膜太陽電池を他方の１つの巻取りロールに巻き取るようにされている。したがって、製造される薄膜太陽電池は、上記シートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔと同様に帯状である。   These sheets K, N, I, P, and T are respectively wound around rolls, and in the production of thin film solar cells, the thin film solar cells are drawn out from these rolls and continuously processed and laminated. Once formed, the thin film solar cell is also wound around a roll. That is, the sheets K, N, I, P, and T are pulled out from one of the five unwinding rolls, and a thin film solar cell is continuously formed from the drawn sheets K, N, I, P, and T, The thin film solar cell is wound around one other winding roll. Therefore, the thin film solar cell to be manufactured has a strip shape like the sheets K, N, I, P, and T.

以下、上記帯状の薄膜太陽電池を連続的に製造する製造装置について、図１〜図３に基づき説明する。
上記製造装置には、図１に示すように、細長い空間部が設けられて成る装置本体１が具備されており、この装置本体１内は、区画壁９により３つの部屋に区画されている。また、当然ながら、各区画壁９には、基板シートＫを通過させ得る上流側連通口９ａおよび下流側連通口９ｂがそれぞれ形成されている。 Hereinafter, the manufacturing apparatus which manufactures the said strip | belt-shaped thin film solar cell continuously is demonstrated based on FIGS. 1-3.
As shown in FIG. 1, the manufacturing apparatus includes an apparatus main body 1 provided with an elongated space. The apparatus main body 1 is divided into three rooms by a partition wall 9. Naturally, each partition wall 9 is formed with an upstream communication port 9a and a downstream communication port 9b through which the substrate sheet K can pass.

すなわち、この装置本体１内には、その一端側に位置して太陽電池を構成するシートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔがそれぞれ供給される供給室２と、上記装置本体１１内の他端側に位置して形成された薄膜太陽電池を回収する回収室８と、上記供給室２と回収室８との間に位置して上記シートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔから薄膜太陽電池を形成する設備が配置された中間室３とが具備されている。なお、以下では便宜上、供給室２側を上流側、回収室８側を下流側といい、図１での奥側（下流側に向かって左側）を左側、図１での手前側（下流側に向かって右側）を右側という。   That is, in the apparatus main body 1, a supply chamber 2 that is located on one end side of the apparatus main body 1 and is supplied with sheets K, N, I, P, and T constituting the solar cell, and the other end in the apparatus main body 11. A thin film solar cell is collected from the sheets K, N, I, P, T located between the collection chamber 8 for collecting the thin film solar cell formed on the side and the supply chamber 2 and the collection chamber 8. And an intermediate chamber 3 in which the equipment to be formed is arranged. In the following, for convenience, the supply chamber 2 side is referred to as the upstream side, and the collection chamber 8 side is referred to as the downstream side, the back side (left side toward the downstream side) in FIG. 1 is the left side, and the near side (downstream side) in FIG. The right side) is called the right side.

上記供給室２の内部には、基板シートＫが巻き付けられた基板用巻出しロール２１と、この基板用巻出しロール２１の上流側に配置されて負極シートＮが巻き付けられた負極用巻出しロール２２と、この負極用巻出しロール２２の上流側に配置されて絶縁シートＩが巻き付けられた絶縁用巻出しロール２３と、この絶縁用巻出しロール２３の下方に配置されて正極シートＰが巻き付けられた絶縁用巻出しロール２４と、この絶縁用巻出しロール２４の下方に配置されて透明シートＴが巻き付けられた透明用巻出しロール２５とが設けられている。また、上から基板シートＫ、負極シートＮ、絶縁シートＩ、正極シートＰおよび透明シートＴをこの順で積層して圧着する圧着ロール２６が、上流側連通口９ａの上流側に配置されている。   Inside the supply chamber 2, a substrate unwinding roll 21 around which the substrate sheet K is wound, and a negative electrode unwinding roll disposed on the upstream side of the substrate unwinding roll 21 and around which the negative electrode sheet N is wound. 22, an insulating unwinding roll 23 disposed on the upstream side of the negative electrode unwinding roll 22 and wound with the insulating sheet I, and a positive electrode sheet P wound around the insulating unwinding roll 23. The insulating unwinding roll 24 and the transparent unwinding roll 25 around which the transparent sheet T is wound are provided below the insulating unwinding roll 24. Further, a pressure-bonding roll 26 for laminating the substrate sheet K, the negative electrode sheet N, the insulating sheet I, the positive electrode sheet P, and the transparent sheet T in this order from the top is disposed on the upstream side of the upstream communication port 9a. .

上記中間室３内には、この中部および下部に位置して上記シートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔが通過する加工室４と、この加工室４の上側に位置して上下流方向に５つの小部屋に区画された空間とがある。これら５つの小部屋のうち、上流側から２〜４番目の小部屋は、それぞれ第１加熱室５１、第２加熱室５２および第３加熱室５３である。これら第１加熱室５１、第２加熱室５２および第３加熱室５３の内部には、それぞれ複数（例えば３つ）の電熱ヒータ５４と、これら電熱ヒータ５４の上方に配置されて当該電熱ヒータ５４の熱を下方に反射するゴールドミラー５５とが設けられている。また、これら第１加熱室５１、第２加熱室５２および第３加熱室５３の下壁部（加工室４の上壁部でもある）には、電熱ヒータ５４の熱を加工室４の内部に伝達させるための石英窓５６がそれぞれ設けられている。すなわち、これら第１加熱室５１、第２加熱室５２および第３加熱室５３は、それぞれ下方を１５０℃程度にまで加熱し得るものである。なお、詳しくは後述するが、加工室４の内部に配置された半導体成膜装置（後述する）３６およびカーボンナノチューブ成膜装置（後述するが以下では略してＣＮＴ成膜装置３７という）のそれぞれ上方に、第１加熱室５１および第２加熱室５２が位置する。   In the intermediate chamber 3, a processing chamber 4 positioned in the middle and lower portions through which the sheets K, N, I, P, and T pass, and an upstream and downstream direction 5 positioned in the upper side of the processing chamber 4. There is a space divided into two small rooms. Among these five small rooms, the second to fourth small rooms from the upstream side are the first heating chamber 51, the second heating chamber 52, and the third heating chamber 53, respectively. Inside each of the first heating chamber 51, the second heating chamber 52, and the third heating chamber 53, a plurality of (for example, three) electric heaters 54 are disposed above the electric heaters 54, and the electric heaters 54 are arranged. And a gold mirror 55 that reflects the heat of the light downward. Further, the heat of the electric heater 54 is transferred to the inside of the processing chamber 4 at the lower wall portion of the first heating chamber 51, the second heating chamber 52, and the third heating chamber 53 (which is also the upper wall portion of the processing chamber 4). Quartz windows 56 are provided for transmission. That is, the first heating chamber 51, the second heating chamber 52, and the third heating chamber 53 can each be heated up to about 150 ° C. below. As will be described in detail later, a semiconductor film forming apparatus (described later) 36 and a carbon nanotube film forming apparatus (which will be described later but abbreviated as CNT film forming apparatus 37 hereinafter) disposed inside the processing chamber 4 are respectively provided. In addition, the first heating chamber 51 and the second heating chamber 52 are located.

上記加工室４の内部には、上記積層されて圧着されたシートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔを、基板シートＫおよび負極シートＮと、絶縁シートＩと、正極シートＰと、透明シートＴとに分離する分離ロール３１が、上流側連通口９ａの下流側に配置されている。なお、以下では、基板シートＫに負極シートＮを積層してなるシートを積層シートＫ，Ｎといい、この積層シートＫ，Ｎは、負極シートＮが基板シートＫよりも左側に突出するように（図３参照）されている。したがって、上記分離ロール３１は、上記供給室２からのシートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔを、積層シートＫ，Ｎ、絶縁シートＩ、正極シートＰおよび透明シートＴに分離するものである。   In the processing chamber 4, the laminated and pressure-bonded sheets K, N, I, P, and T, the substrate sheet K and the negative electrode sheet N, the insulating sheet I, the positive electrode sheet P, and the transparent sheet T The separation roll 31 that is separated into two is disposed downstream of the upstream communication port 9a. In the following, a sheet obtained by laminating the negative electrode sheet N on the substrate sheet K is referred to as laminated sheets K and N, and the laminated sheets K and N are arranged so that the negative electrode sheet N protrudes to the left side of the substrate sheet K. (See FIG. 3). Therefore, the separation roll 31 separates the sheets K, N, I, P, and T from the supply chamber 2 into the laminated sheets K and N, the insulating sheet I, the positive electrode sheet P, and the transparent sheet T.

また、上記加工室４の内部には、分離ロール３１の下流側上方に配置されて分離された積層シートＫ，Ｎ（基板シートＫおよび負極シートＮ）を加工室４内の上部に案内する基板負極層案内ロール４０と、この基板負極層案内ロール４０の下流側に配置されて加工室４の上部に案内された積層シートＫ，Ｎに下方側（負極シートＮ側）からｎ型半導体６（半導体膜の一例である）を生成する半導体成膜装置３６とが設けられている。さらに、分離ロール３１の下流側に配置されて分離された絶縁シートＩを積層シートＫ，Ｎの下方に案内する絶縁層案内ロール４１と、この絶縁層案内ロール４１の下流側に配置されて絶縁シートＩを上方に転向する絶縁層転向ロール４２と、この絶縁層転向ロール４２の上方に配置されて上記半導体成膜装置３６で生成されたｎ型半導体６の右側一部に絶縁シートＩを積層する絶縁層積層ロール（絶縁層積層器の一例であり図３参照）４３と、絶縁層積層ロール４３の下流側に配置されて上記ｎ型半導体６および絶縁シートＩにカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）膜７を生成するＣＮＴ成膜装置３７とが設けられている。加えて、分離ロール３１の下流側下方に配置されて分離された正極シートＰを絶縁シートＩの下方に案内する正極層案内ロール４４と、この正極層案内ロール４４の下流側に配置されて正極シートＰを上方に転向する正極層転向ロール４５と、この正極層転向ロール４５の上方に配置されて上記ＣＮＴ成膜装置３７で生成されたカーボンナノチューブ膜７の右側一部において右側から突出するように正極シートＰを積層する正極層積層ロール（対極層積層器の一例であり図３参照）４６とが設けられている。なお、この正極層積層ロール４６で正極シートＰが積層された半製品を、以下では半製品シートという。また、分離ロール３１の下流側最下方に配置されて分離された透明シートＴを正極シートＰの下方に案内する透明層案内ロール４７と、この透明層案内ロール４７の下流側に配置されて透明シートＴを上方に転向する透明層転向ロール４８とが設けられている。さらに、正極層積層ロール４６の下流側で且つ透明層転向ロール４８の上方に配置されて半製品シートを下方に転向する半製品転向ロール４９と、この半製品転向ロール４９と正極層積層ロール４６との間に配置されて半製品シートの張力制御および冷却を行う制御ロール３２とが設けられている。また、半製品シートの下面に透明シートＴを積層して圧着する製品形成ロール（透明層積層器の一例である）３３が、上記半製品転向ロール４９および透明層転向ロール４８と下流側連通口９ｂとの間に配置されている。この製品形成ロール３３で半製品シートの下面に透明シートＴを積層して圧着することにより、薄膜太陽電池が形成される。   Further, in the processing chamber 4, a substrate that guides the laminated sheets K and N (substrate sheet K and negative electrode sheet N) arranged and separated on the downstream side of the separation roll 31 to the upper part in the processing chamber 4. The n-type semiconductor 6 (from the lower side (negative electrode sheet N side) to the negative electrode layer guide roll 40 and the laminated sheets K and N arranged on the downstream side of the substrate negative electrode layer guide roll 40 and guided to the upper part of the processing chamber 4 ( And a semiconductor film forming apparatus 36 for generating (which is an example of a semiconductor film). Further, an insulating layer guide roll 41 that guides the insulating sheet I disposed and separated on the downstream side of the separating roll 31 to the lower side of the laminated sheets K and N, and disposed on the downstream side of the insulating layer guide roll 41 for insulation. An insulating layer turning roll 42 for turning the sheet I upward, and an insulating sheet I stacked on the right side portion of the n-type semiconductor 6 disposed above the insulating layer turning roll 42 and generated by the semiconductor film forming apparatus 36 An insulating layer laminating roll (an example of an insulating layer laminator, see FIG. 3) 43, and a carbon nanotube (CNT) film 7 disposed on the n-type semiconductor 6 and the insulating sheet I disposed on the downstream side of the insulating layer laminating roll 43. And a CNT film forming device 37 for generating In addition, a positive electrode layer guide roll 44 that guides the positive electrode sheet P disposed and separated below the separation roll 31 to the lower side of the insulating sheet I, and a positive electrode layer disposed on the downstream side of the positive electrode layer guide roll 44. A positive electrode layer turning roll 45 that turns the sheet P upward, and a portion of the right side of the carbon nanotube film 7 that is disposed above the positive electrode layer turning roll 45 and is generated by the CNT film forming device 37 so as to protrude from the right side. And a positive electrode layer laminating roll 46 (which is an example of a counter electrode layer laminator, see FIG. 3) for laminating the positive electrode sheet P. The semi-finished product in which the positive electrode sheet P is laminated by the positive electrode layer laminating roll 46 is hereinafter referred to as a semi-finished product sheet. Also, a transparent layer guide roll 47 that guides the transparent sheet T disposed and separated at the lowermost downstream side of the separation roll 31 to the lower side of the positive electrode sheet P, and is disposed downstream of the transparent layer guide roll 47 and is transparent. A transparent layer turning roll 48 that turns the sheet T upward is provided. Further, a semi-product turning roll 49 disposed downstream of the positive electrode layer stacking roll 46 and above the transparent layer turning roll 48 to turn the semi-finished product sheet downward, and the semi-product turning roller 49 and the positive electrode layer stacking roll 46. And a control roll 32 that is disposed between and for controlling the tension and cooling of the semi-finished product sheet. In addition, a product forming roll (an example of a transparent layer laminator) 33 that laminates and presses the transparent sheet T on the lower surface of the semi-finished product sheet is connected to the semi-finished product turning roll 49 and the transparent layer turning roll 48 on the downstream side communication port 9b. A thin film solar cell is formed by laminating and pressing the transparent sheet T on the lower surface of the semi-finished product sheet with the product forming roll 33.

さらに、上記加工室４の内部に雰囲気ガス（例えば、Ｏ２とＮ２との混合ガス）を供給するガス供給管３４が、分離ロール３１の下方の下壁部に設けられている。また、加工室４の内部からガスを排出するガス排出管３５が、第３加熱室５３の下流側の上壁部に設けられている。 Further, a gas supply pipe 34 for supplying an atmospheric gas (for example, a mixed gas of O 2 and N 2 ) into the processing chamber 4 is provided on the lower wall portion below the separation roll 31. Further, a gas discharge pipe 35 for discharging gas from the inside of the processing chamber 4 is provided on the upper wall portion on the downstream side of the third heating chamber 53.

ところで、上記半導体成膜装置３６およびＣＮＴ成膜装置３７は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、いずれもスプレー塗布装置であり、同一の構成を有する。すなわち、図２（ａ）に示すように、上記半導体成膜装置３６は、ｎ型半導体６を溶媒に溶かしてなる半導体原料を蓄えるタンク６１と、このタンク６１からホースを介して半導体原料を導きポンプ６２で上方に噴射して塗布するスプレーノズル６３と、このスプレーノズル６３を左右方向に移動させ得る駆動装置６４とを有する。また、図２（ｂ）に示すように、上記ＣＮＴ成膜装置３７も、カーボンナノチューブ膜７を溶媒に溶かしてなるＣＮＴ原料を蓄えるタンク７１と、このタンク７１からホースを介してＣＮＴ原料を導きポンプ７２で上方に噴射して塗布するスプレーノズル７３と、このスプレーノズル７３を左右方向に移動させ得る駆動装置７４とを有する。   Incidentally, as shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor film forming apparatus 36 and the CNT film forming apparatus 37 are both spray application apparatuses and have the same configuration. That is, as shown in FIG. 2A, the semiconductor film forming apparatus 36 guides a semiconductor material from a tank 61 that stores a semiconductor material obtained by dissolving the n-type semiconductor 6 in a solvent, and a hose through the tank 61. It has a spray nozzle 63 for spraying upward by a pump 62 and applying, and a drive device 64 that can move the spray nozzle 63 in the left-right direction. As shown in FIG. 2B, the CNT film forming apparatus 37 also introduces a CNT raw material from a tank 71 that stores a CNT raw material obtained by dissolving the carbon nanotube film 7 in a solvent, and a hose through the tank 71. It has a spray nozzle 73 for spraying upward by a pump 72 and applying, and a drive device 74 that can move the spray nozzle 73 in the left-right direction.

また、図１に示すように、上記半導体成膜装置３６は、第１加熱室５１の下方に配置されることで、当該第１加熱室５１で加熱してからｎ型半導体６を生成するようにされており、上記ＣＮＴ成膜装置３７も、第２加熱室５２の下方に配置されることで、当該第２加熱室５２で加熱してからカーボンナノチューブ膜７を生成するようにされている。すなわち、加熱された塗布対象に原料を塗布することで、原料の塗りムラを防止できるようにされている。一方、ＣＮＴ成膜装置３７で生成されるカーボンナノチューブ膜７は、加工室４の内部の雰囲気ガスがＯ２を含めばｐ型となり、Ｈ２を含めばｎ型となる。また、正極層積層ロール４６は、第３加熱室５３の下方から下流側に配置されることで、生成したｎ型半導体６およびカーボンナノチューブ膜７に残留する溶媒を確実に蒸発させて除去した後に、半製品シートを形成するようにされている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor film forming apparatus 36 is arranged below the first heating chamber 51 so as to generate the n-type semiconductor 6 after being heated in the first heating chamber 51. The CNT film forming device 37 is also arranged below the second heating chamber 52 so that the carbon nanotube film 7 is generated after being heated in the second heating chamber 52. . That is, by applying a raw material to a heated application target, uneven coating of the raw material can be prevented. On the other hand, the carbon nanotube film 7 generated by the CNT film forming device 37 is p-type when the atmospheric gas inside the processing chamber 4 includes O 2 and becomes n-type when H 2 is included. Further, the positive electrode layer laminating roll 46 is disposed downstream from the lower side of the third heating chamber 53 to reliably evaporate and remove the solvent remaining in the generated n-type semiconductor 6 and the carbon nanotube film 7. It is designed to form a semi-finished product sheet.

上記回収室８の内部には、下流側連通口９ｂの下流側に配置されて加工室４からの帯状の薄膜太陽電池を下流側に案内する製品案内ロール８１と、この製品案内ロール８１の下流側に配置されて薄膜太陽電池を巻き取る巻取りロール８２（製品回収ロールでもある）とが設けられている。   Inside the collection chamber 8, a product guide roll 81 disposed downstream of the downstream communication port 9 b and guiding the strip-shaped thin film solar cell from the processing chamber 4 to the downstream side, and downstream of the product guide roll 81 A winding roll 82 (also a product recovery roll) that is disposed on the side and winds the thin film solar cell is provided.

以下、上記製造装置の動作、すなわち薄膜太陽電池の製造方法について、図１〜図４に基づき説明する。
図１に示すように、予め加工室４は、Ｏ２とＮ２との混合ガスが、ガス供給管３４を介して供給されるとともに、ガス排出管３５を介して排出される。すなわち、Ｏ２とＮ２との混合ガスが、加工室４の雰囲気ガスとなる。 Hereinafter, the operation of the manufacturing apparatus, that is, a method for manufacturing a thin film solar cell will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, in the processing chamber 4, a mixed gas of O 2 and N 2 is supplied through a gas supply pipe 34 and discharged through a gas discharge pipe 35 in advance. That is, the mixed gas of O 2 and N 2 becomes the atmosphere gas in the processing chamber 4.

一方、供給室２の内部では、シートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔが各巻出しロール２１〜２５からそれぞれ引き出され、圧着ロール２６で積層されて圧着されるとともに、加工室４に送られる。   On the other hand, inside the supply chamber 2, the sheets K, N, I, P, and T are pulled out from the respective unwinding rolls 21 to 25, stacked and crimped by the crimping rolls 26, and sent to the processing chamber 4.

加工室４に送られたシートＫ，Ｎ，Ｉ，Ｐ，Ｔは、分離ロール３１により、積層シートＫ，Ｎと、絶縁シートＩと、正極シートＰと、透明シートＴとに分離される。分離ロール３１で分離された積層シートＫ，Ｎは、基板シートＫが上面側で負極シートＮが下面側となるようにして、基板負極層案内ロール４０で加工室４内の上部に案内されて、半導体成膜装置３６でｎ型半導体６が生成される（図３における半導体成膜装置３６を参照）。また、分離ロール３１で分離された絶縁シートＩは、絶縁層案内ロール４１で積層シートＫ，Ｎの下方に案内されるとともに、絶縁層転向ロール４２で上方に転向されて、絶縁層積層ロール４３でｎ型半導体６の右側一部に積層される（図３における絶縁層積層ロール４３を参照）。そして、ＣＮＴ成膜装置３７で、ｎ型半導体６および絶縁シートＩにカーボンナノチューブ膜７が生成されるとともに（図３におけるＣＮＴ成膜装置３７を参照）、第３加熱室５３の下方を通過することで、ｎ型半導体６およびカーボンナノチューブ膜７に残留する溶媒を確実に蒸発させて除去する。また、分離ロール３１で分離された正極シートＰは、正極層案内ロール４４で絶縁シートＩの下方に案内されるとともに、正極層転向ロール４５で上方に転向されて、正極層積層ロール４６でカーボンナノチューブ膜７の右側一部において右側から突出するように積層されて、半製品シートを形成する（図３における正極層積層ロール４６を参照）。そして、半製品シートは、制御ロール３２で張力制御および冷却が行われ、半製品転向ロール４９で下方に転向されるとともに、製品形成ロール３３で下面に透明シートＴが積層されて、薄膜太陽電池を形成する（図３における製品形成ロール３３を参照）。図３の薄膜太陽電池におけるＡ−Ａ断面を、図４に示す。   The sheets K, N, I, P, and T sent to the processing chamber 4 are separated into laminated sheets K and N, an insulating sheet I, a positive electrode sheet P, and a transparent sheet T by a separation roll 31. The laminated sheets K and N separated by the separation roll 31 are guided to the upper part in the processing chamber 4 by the substrate negative electrode layer guide roll 40 so that the substrate sheet K is on the upper surface side and the negative electrode sheet N is on the lower surface side. Then, the n-type semiconductor 6 is generated by the semiconductor film forming apparatus 36 (see the semiconductor film forming apparatus 36 in FIG. 3). Further, the insulating sheet I separated by the separation roll 31 is guided below the laminated sheets K and N by the insulating layer guide roll 41 and turned upward by the insulating layer turning roll 42 to be insulated by the insulating layer laminated roll 43. Is laminated on a part of the right side of the n-type semiconductor 6 (see the insulating layer lamination roll 43 in FIG. 3). Then, the carbon nanotube film 7 is generated on the n-type semiconductor 6 and the insulating sheet I by the CNT film forming device 37 (see the CNT film forming device 37 in FIG. 3) and passes below the third heating chamber 53. Thus, the solvent remaining in the n-type semiconductor 6 and the carbon nanotube film 7 is surely evaporated and removed. Further, the positive electrode sheet P separated by the separation roll 31 is guided below the insulating sheet I by the positive electrode layer guide roll 44 and turned upward by the positive electrode layer diverting roll 45, and the positive electrode layer stacking roll 46 produces carbon. A part of the right side of the nanotube film 7 is laminated so as to protrude from the right side to form a semi-finished product sheet (see the positive electrode layer laminating roll 46 in FIG. 3). The semi-finished product sheet is subjected to tension control and cooling by the control roll 32, and is turned downward by the semi-finished product turning roll 49, and the transparent sheet T is laminated on the lower surface by the product forming roll 33, and the thin film solar cell (See the product forming roll 33 in FIG. 3). The AA cross section in the thin film solar cell of FIG. 3 is shown in FIG.

ここで、ｎ型半導体６およびカーボンナノチューブ膜７のそれぞれの生成について詳細に説明するが、まずはｎ型半導体６の生成から説明する。
半導体成膜装置３６を通過する積層シートＫ，Ｎは、図１の第１加熱室５１で１５０℃を限度として加熱されるとともに、図２の駆動装置６４で左右に移動するスプレーノズル６３で半導体原料が噴射されて、均一に塗布される。同様に、ＣＮＴ成膜装置３７を通過するシート（正確には、積層シートＫ，Ｎにｎ型半導体６が生成されて絶縁シートＩが積層されたもの）は、図１の第２加熱室５２で１５０℃を限度として加熱されるとともに、図２の駆動装置７４で左右に移動するスプレーノズル７３でＣＮＴ原料が噴射されて、均一に塗布される。また、生成されたカーボンナノチューブ膜７は、加工室４の内部の雰囲気ガスがＯ２を含むのでｐ型となる。 Here, the generation of the n-type semiconductor 6 and the carbon nanotube film 7 will be described in detail. First, the generation of the n-type semiconductor 6 will be described.
The laminated sheets K and N passing through the semiconductor film forming device 36 are heated up to 150 ° C. in the first heating chamber 51 of FIG. 1 and are moved to the left and right by the drive device 64 of FIG. The raw material is sprayed and applied uniformly. Similarly, the sheet that passes through the CNT film forming device 37 (more precisely, the sheet in which the n-type semiconductor 6 is formed on the laminated sheets K and N and the insulating sheet I is laminated) is the second heating chamber 52 in FIG. The CNT raw material is sprayed and uniformly applied by the spray nozzle 73 that moves to the left and right by the driving device 74 of FIG. The generated carbon nanotube film 7 is p-type because the atmospheric gas inside the processing chamber 4 contains O 2 .

図１に示すように、回収室８の内部では、薄膜太陽電池が製品案内ロール８１で案内されて、巻取りロール８２で巻き取られて回収される。
このように、上記薄膜太陽電池の製造装置および製造方法によると、帯状の薄膜太陽電池を連続的に形成していくので、大面積の薄膜太陽電池を高い生産性で製造することができる。 As shown in FIG. 1, inside the collection chamber 8, the thin-film solar cell is guided by the product guide roll 81, wound up by the winding roll 82, and collected.
Thus, according to the said thin film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method, since a strip | belt-shaped thin film solar cell is formed continuously, a large area thin film solar cell can be manufactured with high productivity.

また、上記薄膜太陽電池の製造装置および製造方法は簡素なものであり、製造される太陽電池には、希少金属（レアメタル）であるインジュームや白金などを用いず、流通量が豊富な元素材料であるカーボンナノチューブなどを用いるので、低コストで薄膜太陽電池を製造することができる。
［薄膜太陽電池］
以下、上記製造装置および製造方法により製造される薄膜太陽電池について、図５〜図７に基づき説明する。 The thin-film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method are simple, and the solar cell to be manufactured does not use rare metals such as indium or platinum, and has an abundant distribution amount. Therefore, a thin film solar cell can be manufactured at low cost.
[Thin film solar cell]
Hereinafter, the thin film solar cell manufactured by the said manufacturing apparatus and manufacturing method is demonstrated based on FIGS.

図５は、薄膜太陽電池を巻き取っている巻取りロール８２を、上下反転させた斜視図である。この図５に示すように、製造される薄膜太陽電池は帯状であるから、所望の性能または長さだけ切断して用いることができる。以下、切断されたシートをシート部というとすれば、この切断された薄膜太陽電池は、図６（ａ）に示すように、基板シートＫ部と、この基板シートＫ部に積層されるとともに当該基板シートＫ部の左側から突出した負極シートＮ部と、上記基板シートＫ部および負極シートＮ部に生成されたｎ型半導体６と、このｎ型半導体６の右側一部に積層された絶縁シートＩ部と、上記ｎ型半導体６および絶縁シートＩ部に生成されたｐ型のカーボンナノチューブ膜７と、上記絶縁シートＩ部に生成されたカーボンナノチューブ膜７において右側から突出するように積層された正極シートＰ部と、上記ｎ型半導体６に生成されたカーボンナノチューブ膜７および正極シートＰ部に積層された透明シートＴ部とから構成される。   FIG. 5 is a perspective view in which the winding roll 82 winding the thin film solar cell is turned upside down. As shown in FIG. 5, since the thin film solar cell to be manufactured has a strip shape, it can be used after being cut by a desired performance or length. Hereinafter, when the cut sheet is referred to as a sheet portion, the cut thin film solar cell is laminated on the substrate sheet K portion and the substrate sheet K portion as shown in FIG. A negative electrode sheet N portion protruding from the left side of the substrate sheet K portion, an n-type semiconductor 6 generated in the substrate sheet K portion and the negative electrode sheet N portion, and an insulating sheet laminated on a part of the right side of the n-type semiconductor 6 The I portion, the p-type carbon nanotube film 7 generated in the n-type semiconductor 6 and the insulating sheet I portion, and the carbon nanotube film 7 generated in the insulating sheet I portion were laminated so as to protrude from the right side. The positive electrode sheet P part is comprised from the carbon nanotube film | membrane 7 produced | generated by the said n-type semiconductor 6, and the transparent sheet T part laminated | stacked on the positive electrode sheet P part.

これにより、上記切断された薄膜太陽電池は、透明シートＴ部から入った光がｐ型であるカーボンナノチューブ膜７とｎ型半導体６との接合面に達することで、ｎ型半導体６に発生した電子が負極シートＮ部に補足されるとともに、ｐ型であるカーボンナノチューブ膜７に発生した正孔が正極シートＰ部に補足されて、起電力が発生するものである。また、上記切断された薄膜太陽電池の耐久性を向上させるため、図６（ｂ）に示すように、上流側および下流側の各切断面を、樹脂Ｒ加工（またはラミネート加工）による封止で補強してもよい。   Thereby, the cut thin film solar cell is generated in the n-type semiconductor 6 by the light entering from the transparent sheet T part reaching the junction surface between the p-type carbon nanotube film 7 and the n-type semiconductor 6. Electrons are captured in the negative electrode sheet N portion, and holes generated in the p-type carbon nanotube film 7 are captured in the positive electrode sheet P portion, and an electromotive force is generated. Further, in order to improve the durability of the cut thin film solar cell, as shown in FIG. 6B, the upstream and downstream cut surfaces are sealed by resin R processing (or lamination processing). It may be reinforced.

一方、用いられる負極シートＮを正極シートＰと略同一幅まで幅狭にすることで、製造される薄膜太陽電池はシースルー型となり、切断された薄膜太陽電池は、図７に示すような構成となる。すなわち、この場合の薄膜太陽電池は、基板シートＫ部と、この基板シートＫ部の左側一部に積層されるとともに当該基板シートＫ部の左側から突出した負極シートＮ部と、上記基板シートＫ部および負極シートＮ部に生成されたｎ型半導体６と、このｎ型半導体６の右側一部に積層された絶縁シートＩ部と、上記ｎ型半導体６および絶縁シートＩ部に生成されたｐ型のカーボンナノチューブ膜７と、上記絶縁シートＩ部に生成されたカーボンナノチューブ膜７において右側から突出するように積層された正極シートＰ部と、上記ｎ型半導体６に生成されたカーボンナノチューブ膜７および正極シートＰ部に積層された透明シートＴ部とから構成される。   On the other hand, by making the used negative electrode sheet N narrow to substantially the same width as the positive electrode sheet P, the manufactured thin film solar cell becomes a see-through type, and the cut thin film solar cell has a configuration as shown in FIG. Become. That is, the thin film solar cell in this case includes a substrate sheet K portion, a negative electrode sheet N portion that is laminated on a part of the left side of the substrate sheet K portion and protrudes from the left side of the substrate sheet K portion, and the substrate sheet K. N-type semiconductor 6 produced in the N-type semiconductor 6 and the negative-electrode sheet N part, the insulating sheet I part laminated on the right part of the n-type semiconductor 6, and the p-type produced in the n-type semiconductor 6 and the insulating sheet I part. Type carbon nanotube film 7, positive electrode sheet P portion laminated so as to protrude from the right side in carbon nanotube film 7 generated in insulating sheet I portion, and carbon nanotube film 7 generated in n-type semiconductor 6 And a transparent sheet T portion laminated on the positive electrode sheet P portion.

これにより、上記切断された薄膜太陽電池は、透明シートＴ部から入った光により起電力が発生するだけでなく、一方の面から他方の面まで透けて見えるものである。
このように、上記薄膜太陽電池は、帯状をロールさせた状態で得られることから、運送および保管を容易にすることができ、また、所望の長さだけ切断して用いられることから、製品供給の自由度を高めることができる。 Thereby, the cut thin film solar cell not only generates an electromotive force due to the light entering from the transparent sheet T part, but can be seen through from one surface to the other surface.
As described above, since the thin film solar cell is obtained in a rolled state, it can be easily transported and stored, and can be used after being cut by a desired length. Can increase the degree of freedom.

さらに、負極シートＮを幅狭にすることで、得られる薄膜太陽電池をシースルー型にすることができる。
ところで、上記実施例では、半導体成膜装置３６およびＣＮＴ成膜装置３７でそれぞれｎ型半導体６およびｐ型のカーボンナノチューブ膜７が生成されるとして説明したが、それぞれｐ型半導体およびｎ型のカーボンナノチューブ膜が生成されるようにしてもよい。この場合、半導体成膜装置３６の半導体原料としてｐ型半導体を溶媒に溶かしてなるものを用い、雰囲気ガスとしてＨ２を含むガスを用いる。 Furthermore, the thin film solar cell obtained can be made into a see-through type by making the negative electrode sheet N narrow.
In the above embodiment, the semiconductor film forming apparatus 36 and the CNT film forming apparatus 37 have been described as generating the n-type semiconductor 6 and the p-type carbon nanotube film 7, respectively. A nanotube film may be generated. In this case, a semiconductor material obtained by dissolving a p-type semiconductor in a solvent is used as a semiconductor raw material of the semiconductor film forming apparatus 36, and a gas containing H 2 is used as an atmospheric gas.

また、上記実施例では、半導体成膜装置３６およびＣＮＴ成膜装置３７は、いずれもスプレー塗布装置であるとして説明したが、これに限定されるものではなく、静電塗布装置、ロールコータ装置であってもよい。さらに、半導体成膜装置３６については、スパッタ装置でもよい。この場合、スパッタ装置の上方に配置された第１加熱室５１は不要であり、スパッタ装置の内部の真空度を維持するために、スパッタ装置における積層シートの挿通口にシール部（ラビリンスシールなど）を設ける。   Moreover, in the said Example, although the semiconductor film-forming apparatus 36 and the CNT film-forming apparatus 37 demonstrated that all were spray coating apparatuses, it is not limited to this, An electrostatic coating apparatus and a roll coater apparatus are used. There may be. Further, the semiconductor film forming apparatus 36 may be a sputtering apparatus. In this case, the first heating chamber 51 disposed above the sputtering apparatus is unnecessary, and in order to maintain the degree of vacuum inside the sputtering apparatus, a sealing portion (such as a labyrinth seal) is inserted into the laminated sheet insertion port in the sputtering apparatus. Is provided.

さらに、上記実施例では、基板シートＫには透明のプラスチックが用いられるとして説明したが、製造される薄膜太陽電池をシースルー型としないのであれば、ステンレス箔を用いてもよい。   Furthermore, although the said Example demonstrated that the transparent plastic was used for the board | substrate sheet | seat K, as long as the thin film solar cell manufactured is not made into a see-through type, you may use a stainless steel foil.

また、上記実施例では、ｎ型またはｐ型のカーボンナノチューブ膜７を生成するために、雰囲気ガスとしてＯ２またはＮ２を含む混合ガスを供給するものとして説明したが、これらのガスに限定されるものではなく、他のガスを含む雰囲気ガスであってもよい。また、雰囲気ガスの代わりに、予めｎ型またはｐ型にされたカーボンナノチューブ膜を生成してもよい。 In the above embodiment, the mixed gas containing O 2 or N 2 is supplied as the atmospheric gas in order to generate the n-type or p-type carbon nanotube film 7. However, the present invention is limited to these gases. However, it may be an atmospheric gas containing other gases. Further, instead of the atmospheric gas, a carbon nanotube film previously made to be n-type or p-type may be generated.

Ｋ 基板シート
Ｎ 負極シート
Ｉ 絶縁シート
Ｐ 正極シート
Ｔ 透明シート
１ 装置本体
４ 加工室
６ ｎ型半導体
７ カーボンナノチューブ膜
８ 回収室
３３ 製品形成ロール
３６ 半導体成膜装置
３７ ＣＮＴ成膜装置
４３ 絶縁層積層ロール
４６ 正極層積層ロール
８２ 巻取りロール K substrate sheet N negative electrode sheet I insulating sheet P positive electrode sheet T transparent sheet 1 device main body 4 processing chamber 6 n-type semiconductor 7 carbon nanotube film 8 recovery chamber 33 product forming roll 36 semiconductor film forming device 37 CNT film forming device 43 insulating layer lamination Roll 46 Positive electrode layered roll 82 Winding roll

Claims (3)

連続的に送られる基板シート、電極シート、絶縁シート、対極シートおよび透明シートを積層して薄膜太陽電池を連続的に製造する製造装置であって、
上記基板シートに電極シートを積層してなる積層シートにｎ型半導体／ｐ型半導体の半導体膜を生成する半導体成膜装置と、
上記積層シートに生成された半導体膜の一部に絶縁シートを積層する絶縁層積層器と、
上記積層シートに生成された半導体膜およびこの半導体膜の一部に積層された絶縁シートにｐ型／ｎ型のカーボンナノチューブ膜を生成するカーボンナノチューブ成膜装置と、
上記絶縁シートに生成されたカーボンナノチューブ膜に対極シートを積層する対極層積層器と、
上記半導体膜に生成されたカーボンナノチューブ膜および対極シートに透明シートを積層して薄膜太陽電池を形成する透明層積層器とを備えたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造装置。 A manufacturing apparatus for continuously manufacturing a thin film solar cell by laminating a substrate sheet, an electrode sheet, an insulating sheet, a counter electrode sheet and a transparent sheet which are continuously sent,
A semiconductor film forming apparatus that generates an n-type semiconductor / p-type semiconductor film on a laminated sheet obtained by laminating an electrode sheet on the substrate sheet;
An insulating layer laminator for laminating an insulating sheet on a part of the semiconductor film generated in the laminated sheet;
A carbon nanotube film forming apparatus for generating a p-type / n-type carbon nanotube film on a semiconductor film formed on the laminated sheet and an insulating sheet laminated on a part of the semiconductor film;
A counter electrode laminator for laminating a counter electrode sheet on the carbon nanotube film produced on the insulating sheet;
An apparatus for manufacturing a thin-film solar cell, comprising: a carbon nanotube film formed on the semiconductor film; and a transparent layer stacker that forms a thin-film solar cell by laminating a transparent sheet on a counter electrode sheet. 積層シートが、基板シートの一部に電極シートを積層してなるものであり、
上記基板シートが透明であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造装置。 A laminated sheet is formed by laminating an electrode sheet on a part of a substrate sheet,
Thin-film solar cell manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the substrate sheet is transparent. 連続的に送られる基板シート、電極シート、絶縁シート、対極シートおよび透明シートを積層して薄膜太陽電池を連続的に製造する製造方法であって、
上記基板シートの一部に電極シートを積層してなる積層シートにｎ型半導体／ｐ型半導体の半導体膜を生成し、
上記積層シートに生成された半導体膜の一部に絶縁シートを積層し、
上記積層シートに生成された半導体膜およびこの半導体膜の一部に積層された絶縁シートにｐ型／ｎ型のカーボンナノチューブ膜を生成し、
上記絶縁シートに生成されたカーボンナノチューブ膜に対極シートを積層し、
上記半導体膜に生成されたカーボンナノチューブ膜および対極シートに透明シートを積層して薄膜太陽電池を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 Board sheet Ru sent continuously, the electrode sheet, the insulating sheet, the thin-film solar cell to a manufacturing method for continuously producing by laminating counter electrode sheet and the transparent sheet,
Generating an n-type semiconductor / p-type semiconductor of the semiconductor film electrode sheet in a part of the upper Kimoto plate sheet laminated sheet obtained by laminating,
Laminating an insulating sheet on a part of the semiconductor film generated in the laminated sheet,
A p-type / n-type carbon nanotube film is produced on the semiconductor film produced on the laminated sheet and the insulating sheet laminated on a part of the semiconductor film ,
Laminating a counter electrode sheet on the carbon nanotube film produced on the insulating sheet,
A method for producing a thin film solar cell, comprising forming a thin film solar cell by laminating a transparent sheet on a carbon nanotube film and a counter electrode sheet produced on the semiconductor film .
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