JP5743520B2 - 面発光レーザ及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
面発光レーザを画像形成装置の光源として利用する際、面発光レーザは単一の横モードで発振することが望ましい。
すなわち、この段差構造は、発光領域の中央部の反射率が周辺部の反射率よりも高くなるように構成されている。基本横モードは高次横モードよりも光強度が中央部に分布しており、かつ、表面段差構造により中央部の反射率が高くなっているため、基本横モードの光を選択的に発振させることができ、単一横モードの面発光レーザが得られる。
面発光レーザ200は、基板210上に、下部ミラー212、活性層214、上部216が積層されている積層構造体を有する。
下部ミラー212は、例えば光学厚さλ/4ずつ70ペア積層されたn型のAl0.5Ga0.5As/Al0.9Ga0.1Asからなる多層膜反射鏡である。
活性層214は、例えばGaInP/AlGaInPからなる多重量子井戸構造であり、電流注入によりレーザ発振波長λ=680nmにおいて光学利得を持つ。
活性層214および上部ミラー216をエッチングすることにより、例えば直径30μmの円筒状のメサ構造が形成されている。
上部ミラー216の一部には、例えば30nmのAl0.98Ga0.02Asからなる層があり、メサ構造の側壁から一部が酸化されて酸化領域を形成している。酸化領域は絶縁体となり、非酸化領域と比べて屈折率が低下している。
この酸化領域と未酸化領域により活性層214に流れる電流の空間分布を制限する電流狭窄構造218が形成されている。なお、未酸化領域は、例えば直径5μmの円形状である。
第1の構造体280は屈折率n1の第1の材料からなる。例えば、第1の材料はp型のAlGaAsでありn1=3.3である。また、環境媒質240は屈折率n0(<n1)の媒質であり、n0=1の空気である。
基板210の下には、例えばAuGe/Auからなる下部電極220が形成されている。また、第1の構造体280上には、例えばTi/Pt/Auからなる上部電極222が形成されている。
表面段差構造270の上部に位置している基板210に平行な面を第1の平面244とする。
上記数値を代入すると、L2−L1=(7λ/4−λ/2)×(1−1/3.3)=0.871λであり、Nは1となる。
N=1の場合、|L2−L1−Nλ|・2π/λ=0.258πとなる。
比較例ではL2−L1=(λ/4)×(1−n0/n1)=0.174λである。
ここで|L2−L1−Nλ|を最小にする整数Nは、0となる。
N=0の場合、|L2−L1−Nλ|・2π/λ=0.348πとなる。
|L2−L1−Nλ|<(λ/4)×(1−n0/n1)
また、|L2−L1−Nλ|=0を満たすことがより好ましい。
なお、上記実施例ではd11<d12である凹型の表面段差構造を説明したが、d11>d12である凸型の表面段差構造としてもよい。
例えば、d11=(λ/n1)×(3/2)、d12=(λ/n1)×(1/4)であり、上部ミラーおよび表面段差構造による反射率は第1の領域に比べて第2の領域で低くなっている。
図3(A)はFFP強度分布を角度0°の値で規格化して表示したものである。
図3(B)はFFPの位相を2πで除した値の分布について、それぞれ角度0°の値を0として表示したものである。
面発光レーザの基本横モードは、有効屈折率近似を用いて、コア直径5μm、円形のコア屈折率3.3、コア・クラッド間の比屈折率差が0.3%のLP01モードで与えられるとする。
上部電極222は、例えば第1の構造体280の上部に配されている。
第1の材料は例えばAlGaAsであり、n1=3.3である。
第2の材料は例えばSiO2であり、n2=1.5である。
図4に示すように、第1の領域260および第2の領域262における第1の構造体280の実厚さをそれぞれd11、d12とする。
ここでは、図4に示すように、d11<d12、および、d21<d22であるとする。
第1の構造体280の光学厚さは第1の領域においてλ/4の偶数倍、第2の領域においてλ/4の奇数倍となっている。
例えば、d11=(λ/n1)×(1/2)、d12=(λ/n1)×(3/4)である。
好ましくは、表面段差構造による透過係数の位相差が0(2πの整数倍)となるように第2の構造体282の実厚さを設定する。
実施例1と同様に、第1の領域260、第2の領域262における上部境界面242と第1の平面244との光学距離をそれぞれL1、L2とする。
表面段差構造による位相差の大きさは|L2−L1−Nλ|・2π/λで与えられる。ここでNは上記の値を最小にする整数である。
L2−L1
=(d12−d11)(n1−n0)+(d22−d21)(n2−n0)
=(d12 ×n1−d11 ×n1)(1−n0/n1)+(d22 ×n2−d21 ×n2)(1−n0/n2)である。
なお、第2の構造体282の光学厚さがλ/4の偶数倍であれば、第2の構造体282によって上部ミラー216および表面段差構造272による反射率は変化しない。
例えば、n0=1、n1=3.3、n2=1.5であるとき、
d11=(λ/n1)×(1/2)、
d12=(λ/n1)×(1/4)、
d21=(λ/n2)×3、
d22=(λ/n2)×(1/2)とすれば、
L2−L1=−1.01λとなり、N=−1として、表面段差構造による位相差の大きさを0.02πとすることができる。また、
d21=(λ/n2)×2.98、
d22=(λ/n2)×(1/2)とすれば、
L2−L1=−λとなり、N=−1として、表面段差構造による位相差の大きさを0とすることができる。
例えば、n0=1、n1=3.3、n2=1.5であるとき、
d11=(λ/n1)×(1/2)、
d12=(λ/n1)×(3/4)、
d21=(λ/n2)、
d22=(λ/n2)×(1/2)とすれば、
L2−L1=0.01λとなり、N=0として、表面段差構造による位相差の大きさを0.02πとすることができる。また、
d21=(λ/n2)×1.02、
d22=(λ/n2)×(1/2)とすれば、
L2−L1=0となり、N=0として、表面段差構造による位相差の大きさを0とすることができる。また、図7に示すように、d11>d12、および、d21<d22とすることもできる。すなわち、第1の構造体280が凸型であり、第2の構造体282が凹型である表面段差構造を設けてもよい。
d11=(λ/n1)×(1/2)、
d12=(λ/n1)×(1/4)、
d21=(λ/n2)×(1/2)、
d22=(λ/n2)とすれば、
L2−L1=−0.01λとなり、N=0として、表面段差構造による位相差の大きさを0.02πとすることができる。また、
d21=(λ/n2)×0.48、
d22=(λ/n2)とすれば、
L2−L1=0となり、N=0として、表面段差構造による位相差の大きさを0とすることができる。
なお、d11、d12、d21、d22はすべて正の値である必要はなく、本発明の主旨の範囲で一つまたは二つが0であっても良い。
実施例3の面発光レーザにおける表面段差構造272は、実施例2と同様、第1の構造体280と第2の構造体282からなることが特徴である。
実施例3の面発光レーザにおいては、実施例2と異なり、第1の構造体280は屈折率n1の第1の材料からなり、第2の構造体282は屈折率n2(>n1)の第2の材料からなる。
第1の材料は例えばSiO2であり、n1=1.5である。
第2の材料は例えばSiNであり、n 2 =2.0である。
上部電極222は、例えば上部ミラー216の上部に配されている。
n1<n2、かつ、n2>n0であるから、d11をλ/4の奇数倍、d21をλ/4の奇数倍とすることで、第1の領域260における上部ミラー216および表面段差構造272による反射率を高めることができる。
d11<d12でも良いし、d11>d12でも良い。
また、d21<d22でも良いし、d21>d22でも良い。
簡単のため、d12=0とし、参照構造をd11=d21=d22=λ/4とすると、L2−L1=−0.083λとなり、N=0として、表面段差構造による位相差の大きさは0.166πとなる。
これに対し、本実施例において、例えばd11=0.75、d21=1.75、d22=0.25とすることで、L2−L1=−λとなり、N=−1として、表面段差構造による位相差の大きさを0とすることができる。
本実施例の面発光レーザの製造方法の一例を示す。
基板210は例えばn型のGaAs基板である。
基板210上に、例えばMOCVD法により、下部ミラー212、活性層214、上部ミラー216を成膜する。
活性層214はGaInP/AlGaInPからなる多重量子井戸構造であり、電流注入によりレーザ発振波長λ=680nmにおいて光学利得を持つ。
上部ミラー216は光学厚さλ/4ずつ35ペア積層されたp型のAl0.5Ga0.5As/Al0.9Ga0.1Asである。
上部ミラー216の一部に実厚さ30nmのAl0.98Ga0.02Asからなる酸化可能層が含まれる。
第1の構造体280が成膜されている場合は第1の構造体280もエッチングする。
未酸化領域はメサ構造と中心を同じくする、直径5μmの円形状である。
表面段差構造272はエッチングなどにより形成することができる。
第1の層300は、例えば半導体層であり、AlGaAsである。あるいは、第1の層300は、例えば誘電体層であり、SiO2である。
第2の層302は、例えば誘電体層であり、SiNである。
第1の層300、第2の層302は例えばMOCVD法、プラズマCVD法やスパッタ法により形成する。
次に、図9(b)に示すように、レジスト320をマスクとして、第2の層302および第1の層300をエッチングする。
エッチングは例えばリン酸やバッファードフッ酸によるウエットエッチングにより行う。
次に、図9(d)に示すように、第1の層300および第2の層302の上部に、第3の層304を例えばプラズマCVD法やスパッタ法により成膜する。
第3の層304は、第2の層302と屈折率が近い、または屈折率が同じ材料である。
同様の手順で、レジスト320の除去位置を第1の領域260とすることで、図4に示す表面段差構造を形成することも可能である。
次に、図10(c)に示すように、第1の層300およびレジスト320の上部に、第2の層302を例えばスパッタ法により成膜する。
次に、図10(d)に示すように、例えば有機溶剤にてレジスト320を除去する。このとき、レジスト320上に形成されていた第2の層302も同時に除去される。
次に、図10(e)に示すように、第1の層300および第2の層302の上部に、第3の層304を例えばプラズマCVD法やスパッタ法により成膜する。
第3の層304は、第2の層302と屈折率が近い、または屈折率が同じ材料である。
同様の手順で、レジスト320の除去位置を第1の領域260とすることで、図6に示す表面段差構造を形成することも可能である。
本発明は上記形態に制限されるものではなく、様々な変更及び変形が可能である。例えば、第1の構造体を構成する第1の材料は、環境媒質や第2の材料との屈折率との差が大きければ、お互いに屈折率の近い複数の材料で構成されていてもよい。例えば、第2の構造体を構成する第2の材料は、環境媒質や第1の材料との屈折率との差が大きければ、お互いに屈折率の近い複数の材料で構成されていてもよい。
210 基板
212 下部ミラー
214 活性層
216 上部ミラー
218 電流狭窄構造
220 下部電極
222 上部電極
240 環境媒質
242 上部境界面
244 第1の平面
260 第1の領域
262 第2の領域
270 表面段差構造
280 第1の構造体
282 第2の構造体
300 第1の層
302 第2の層
304 第3の層
320 レジスト
Claims (11)
- 基板の上に、下部ミラーと、活性層と、上部ミラーと、を含む積層構造体を有し、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部ミラーの上部に設けられ、光出射領域内の中央部に位置する第1の領域と、該光出射領域内であって、該第1の領域より外側に位置する第2の領域との間に段差を有する表面段差構造を備え、
前記表面段差構造は環境媒質の屈折率n0よりも大きい屈折率n1の第1の材料からなる第1の構造体を含み、
前記第1の構造体の前記第1の領域における実厚さをd11、前記第1の構造体の前記第2の領域における実厚さをd12とすると、|n1(d11−d12)|=λ/4×(2M−1)であり(Mは整数)、
前記表面段差構造の上部に位置している前記基板に平行な面と、前記上部ミラーの上部境界面、との間の光路長に関して、
前記第1の領域における前記光路長L1と、前記第2の領域における前記光路長L2が、|L2−L1−Nλ|を最小にする整数Nに対し、以下の式を満たすことを特徴とする面発光レーザ。
|L2−L1−Nλ|<(λ/4)×(1−n0/n1) - |L2−L1−Nλ|=0であることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の構造体の前記第1の領域における光学厚さはλ/4の偶数倍であり、
前記第1の構造体の前記第2の領域における光学厚さはλ/4の奇数倍であることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ。 - 前記表面段差構造は、前記n0よりも大きく、前記n1とは異なる屈折率n2の第2の材料からなる第2の構造体を含み、
前記第2の構造体は前記第1の構造体の上に配されており、
前記第2の構造体の前記第1の領域における実厚さd21と、前記第2の領域における実厚さd22とは異なる厚さであることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ。 - (d11−d12)×(d21−d22)>0、かつ、|N|=1であることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ。
- (d11−d12)×(d21−d22)<0、かつ、N=0であることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ。
- n 2 <n 1 であることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の構造体の前記第1の領域における光学厚さはλ/4の偶数倍であり、
前記第1の構造体の前記第2の領域における光学厚さはλ/4の奇数倍であり、
前記第2の構造体の前記第1の領域における光学厚さと前記第2の構造体の前記第2の領域における光学厚さは、ともにλ/4の偶数倍であることを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザ。 - n 2 >n 1 であることを特徴とする請求項6に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の構造体の前記第1の領域における光学厚さはλ/4の奇数倍であり、
前記第1の構造体の前記第2の領域における光学厚さはλ/4の偶数倍であり、
前記第2の構造体の前記第1の領域における光学厚さと前記第2の構造体の前記第2の領域における光学厚さは、ともにλ/4の奇数倍であることを特徴とする請求項9に記載の面発光レーザ。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の面発光レーザと、
前記面発光レーザから射出されるレーザ光により露光される感光ドラムと、を有する画像形成装置。
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