JP5732376B2 - 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 - Google Patents
2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5732376B2 JP5732376B2 JP2011249589A JP2011249589A JP5732376B2 JP 5732376 B2 JP5732376 B2 JP 5732376B2 JP 2011249589 A JP2011249589 A JP 2011249589A JP 2011249589 A JP2011249589 A JP 2011249589A JP 5732376 B2 JP5732376 B2 JP 5732376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- gas
- processing
- fluid nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 297
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 147
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims description 76
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 119
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
2 基板
34 2流体ノズル
47 液体吐出口
48 液体吐出部
52 気体吐出口
Claims (11)
- 液体吐出部から吐出した処理液と気体吐出口から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する2流体ノズルにおいて、
前記液体吐出部は、前記気体吐出口の内側に同一円周上に配置した複数の液体吐出口で構成し、
前記複数の液体吐出口が円周中心部に対して外側方向へ向けて筋状に処理液を吐出することにより、前記液体吐出部と前記気体吐出口の下方近傍で前記筋状の処理液と気体とを衝突させて前記処理液の液滴を生成することを特徴とする2流体ノズル。 - 前記複数の液体吐出口は、隣接する液体吐出口の間隔を、各液体吐出口から吐出した処理液同士が接触しない間隔としたことを特徴とする請求項1に記載の2流体ノズル。
- 前記液体吐出口と前記気体吐出口との間隔は、隣接する液体吐出口から吐出した処理液同士が接触することなく気体と混合する間隔としたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の2流体ノズル。
- 前記複数の液体吐出口は、隣接する液体吐出口の間隔が前記液体吐出口の直径以上の間隔であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の2流体ノズル。
- 前記気体吐出口は、スリット形状であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の2流体ノズル。
- 前記気体吐出口は、下方へ向けて気体を吐出することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の2流体ノズル。
- 前記気体吐出口から気体を旋回させて吐出する旋回流発生部を有することを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の2流体ノズル。
- 基板を処理液の液滴で液処理する基板液処理装置において、
基板を保持しながら回転させる基板保持手段と、
基板保持手段で保持された基板を囲い、処理液を受けるカップと、
基板に処理液の液滴を吐出する2流体ノズルと、
を備え、
前記2流体ノズルは、液体吐出部から吐出した処理液と気体吐出口から吐出した気体とを混合して液滴を生成し、前記液体吐出部は、前記気体吐出口の内側に同一円周上に配置した複数の液体吐出口で構成し、前記複数の液体吐出口が円周中心部に対して外側方向へ向けて筋状に処理液を吐出することにより、前記液体吐出部と前記気体吐出口の下方近傍で前記筋状の処理液と気体とを衝突させて前記処理液の液滴を生成することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記複数の液体吐出口は、隣接する液体吐出口の間隔を、各液体吐出口から吐出した処理液同士が接触しない間隔としたことを特徴とする請求項8に記載の基板液処理装置。
- 前記液体吐出口と前記気体吐出口との間隔は、隣接する液体吐出口から吐出した処理液同士が接触することなく気体と混合する間隔としたことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の基板液処理装置。
- 2流体ノズルの液体吐出部から吐出した処理液と気体吐出口から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を基板に向けて噴霧することで基板を処理液の液滴で液処理する基板液処理方法において、
請求項1に記載の2流体ノズルで液処理することを特徴とする基板液処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011249589A JP5732376B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-11-15 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
CN201210169691.9A CN102842522B (zh) | 2011-06-21 | 2012-05-28 | 双流体喷嘴、基板液处理装置和基板液处理方法 |
TW101121922A TWI533938B (zh) | 2011-06-21 | 2012-06-19 | 2 fluid nozzle and substrate liquid treatment device and substrate liquid treatment method |
US13/529,121 US9214365B2 (en) | 2011-06-21 | 2012-06-21 | Two-fluid nozzle and substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method |
KR1020120066917A KR101582248B1 (ko) | 2011-06-21 | 2012-06-21 | 2 유체 노즐 및 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137696 | 2011-06-21 | ||
JP2011137696 | 2011-06-21 | ||
JP2011249589A JP5732376B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-11-15 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015081633A Division JP6069398B2 (ja) | 2011-06-21 | 2015-04-13 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013030729A JP2013030729A (ja) | 2013-02-07 |
JP5732376B2 true JP5732376B2 (ja) | 2015-06-10 |
Family
ID=47360666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011249589A Active JP5732376B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-11-15 | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9214365B2 (ja) |
JP (1) | JP5732376B2 (ja) |
KR (1) | KR101582248B1 (ja) |
CN (1) | CN102842522B (ja) |
TW (1) | TWI533938B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104952765B (zh) * | 2014-03-26 | 2017-10-03 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法 |
JP6600470B2 (ja) | 2014-04-01 | 2019-10-30 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP6392035B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
US10304705B2 (en) * | 2015-12-10 | 2019-05-28 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Cleaning device for atomizing and spraying liquid in two-phase flow |
US11355366B2 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for shuttered wafer cleaning |
JP6982771B2 (ja) * | 2019-04-12 | 2021-12-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 投影装置 |
JP7272161B2 (ja) * | 2019-07-31 | 2023-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
KR102319645B1 (ko) * | 2019-11-22 | 2021-11-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7356896B2 (ja) * | 2019-12-24 | 2023-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR20210113816A (ko) * | 2020-03-09 | 2021-09-17 | 주식회사 에이치에스하이테크 | 기판 세정용 2류체 노즐 |
KR102389224B1 (ko) | 2020-03-09 | 2022-04-21 | 주식회사 에이치에스하이테크 | 기판 세정용 2류체 노즐 |
CN116033971B (zh) * | 2020-08-13 | 2024-02-27 | 株式会社村田制作所 | 膜的制造方法和导电性膜 |
CN114453324B (zh) * | 2022-04-14 | 2022-06-28 | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 | 一种单片式晶圆清洗用喷嘴组件及单片式清洗机 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1015440A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-20 | Ransburg Ind Kk | 静電塗装機 |
JP3554302B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2004-08-18 | 大川原化工機株式会社 | 液体を微粒子にする方法及びこれに用いるノズル |
US20040235308A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus |
JP4222876B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2009-02-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
JP4312542B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 2流体ノズル装置、洗浄処理装置、およびミスト発生方法 |
US20070102841A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Nordson Corporation | Applicators and methods for dispensing a liquid material |
JP4763575B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008114183A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
JP4928234B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-05-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5293989B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2013-09-18 | ノードソン株式会社 | 少量液体の噴霧装置 |
JP2009088078A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 二流体ノズル、該二流体ノズルを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
CN101992160B (zh) * | 2009-08-27 | 2014-11-05 | 斯普瑞喷雾***(上海)有限公司 | 大调整比的双流体喷嘴装置及其大调整比方法 |
-
2011
- 2011-11-15 JP JP2011249589A patent/JP5732376B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-28 CN CN201210169691.9A patent/CN102842522B/zh active Active
- 2012-06-19 TW TW101121922A patent/TWI533938B/zh active
- 2012-06-21 US US13/529,121 patent/US9214365B2/en active Active
- 2012-06-21 KR KR1020120066917A patent/KR101582248B1/ko active IP Right Review Request
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102842522B (zh) | 2016-03-02 |
JP2013030729A (ja) | 2013-02-07 |
KR101582248B1 (ko) | 2016-01-04 |
TWI533938B (zh) | 2016-05-21 |
US20120325274A1 (en) | 2012-12-27 |
KR20120140633A (ko) | 2012-12-31 |
TW201311358A (zh) | 2013-03-16 |
US9214365B2 (en) | 2015-12-15 |
CN102842522A (zh) | 2012-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5732376B2 (ja) | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 | |
JP5470306B2 (ja) | 2流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP5832397B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100949090B1 (ko) | 스핀 유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치 | |
US8607807B2 (en) | Liquid treatment apparatus and method | |
KR102027725B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US9022045B2 (en) | Substrate liquid cleaning apparatus with controlled liquid port ejection angle | |
CN110769941B (zh) | 雾涂敷成膜装置的涂敷头及其维护方法 | |
KR101776019B1 (ko) | 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
CN112997277B (zh) | 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法 | |
KR101880232B1 (ko) | 기판 액처리 장치 및 방법 | |
JP6069398B2 (ja) | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 | |
KR101987711B1 (ko) | 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 | |
JP2009117826A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
KR20160008720A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2006294762A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20160005824A (ko) | 분사유닛 및 기판 처리 장치 | |
KR101641948B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 처리액 노즐 | |
KR20160114944A (ko) | 가열부 및 이를 구비하는 세정장치 | |
KR20150144915A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20160006359A (ko) | 분사 유닛 및 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150317 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5732376 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |