JP5731715B1 - Plasma processing equipment - Google Patents

Plasma processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5731715B1
JP5731715B1 JP2014534686A JP2014534686A JP5731715B1 JP 5731715 B1 JP5731715 B1 JP 5731715B1 JP 2014534686 A JP2014534686 A JP 2014534686A JP 2014534686 A JP2014534686 A JP 2014534686A JP 5731715 B1 JP5731715 B1 JP 5731715B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency power
power source
plasma
processing chamber
matching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014534686A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2015151148A1 (en
Inventor
利泰 速水
利泰 速水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPP Technologies Co Ltd
Original Assignee
SPP Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SPP Technologies Co Ltd filed Critical SPP Technologies Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP5731715B1 publication Critical patent/JP5731715B1/en
Publication of JPWO2015151148A1 publication Critical patent/JPWO2015151148A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183Matching circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32908Utilities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248Components associated with the control of the tube
    • H01J2237/2485Electric or electronic means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00Auxiliary systems
    • H05H2242/20Power circuits
    • H05H2242/26Matching networks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

高周波電力を供給する機器の交換作業が容易で、組み立て再現性が良く、高周波電力を供給する系全体のエネルギー効率が高い高周波電力システム等を提供する。高周波電力システムは、高周波電力を消費する負荷部5,6と、負荷部5,6に高周波電力を供給する高周波電源12,22と、負荷部5,6と高周波電源12,22との間に接続され、高周波電源12,22に対する負荷側のインピーダンスを、高周波電源12,22のインピーダンスに整合させる整合器14,24とを備える。負荷部5,6、高周波電源12,22及び整合器14,24は、接地された電磁遮蔽部材18,28により閉塞された空間内にそれぞれ配設される。The present invention provides a high-frequency power system and the like in which equipment for supplying high-frequency power is easily exchanged, assembly reproducibility is good, and energy efficiency of the entire system for supplying high-frequency power is high. The high-frequency power system includes load units 5 and 6 that consume high-frequency power, high-frequency power sources 12 and 22 that supply high-frequency power to the load units 5 and 6, and between the load units 5 and 6 and the high-frequency power sources 12 and 22. Matching devices 14 and 24 that are connected and match the impedance on the load side with respect to the high-frequency power sources 12 and 22 to the impedance of the high-frequency power sources 12 and 22 are provided. The load units 5 and 6, the high frequency power sources 12 and 22, and the matching units 14 and 24 are disposed in spaces closed by grounded electromagnetic shielding members 18 and 28, respectively.

Description

本発明は、高周波電力を消費する負荷部、及びこの負荷部に高周波電力を供給する高周波電源等を有する高周波電力システムを備えたプラズマ処理装置に関する。 The present invention, the load unit that consumes a high-frequency power, and relates to a plasma processing apparatus having a radio frequency power system having a supply high-frequency power source such as a high-frequency power to the load unit.

上記プラズマ処理装置の一例として、従来、下記特許文献1に開示されるようなエッチング装置が知られている。このエッチング装置は、上方にプラズマ生成空間が形成され、その下方に処理空間が形成される処理チャンバと、前記処理空間内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記プラズマ生成空間に対応する処理チャンバの外方に捲回されたコイルと、前記プラズマ生成空間内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記コイルに高周波電力を供給する第1高周波電源と、前記コイルと第1高周波電源との間に接続され、前記第1高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第1高周波電源のインピーダンスに整合させる第1整合器と、前記基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、前記基台と第2高周波電源との間に接続され、前記第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる第2整合器とを備えている。   As an example of the plasma processing apparatus, conventionally, an etching apparatus as disclosed in Patent Document 1 below is known. The etching apparatus includes a processing chamber in which a plasma generation space is formed above and a processing space is formed below, a base disposed in the processing space on which a substrate to be processed is placed, A coil wound outside the processing chamber corresponding to the plasma generation space, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the plasma generation space, a first high-frequency power source for supplying high-frequency power to the coil, A first matching unit connected between the coil and the first high-frequency power source and matching a load-side impedance with respect to the first high-frequency power source to an impedance of the first high-frequency power source, and supplying high-frequency power to the base A second high-frequency power source connected between the base and the second high-frequency power source, and an impedance on a load side with respect to the second high-frequency power source is determined by an impedance of the second high-frequency power source. And a second matching unit for matching the dance.

ところで、高周波電力を用いたプラズマ処理装置では、高周波の特性上、電磁波が周囲に発散しないように、従来、高周波機器を電磁遮蔽部材でシールドするようにしている。上記プラズマ処理装置を電磁遮蔽部材でシールドした概略的な構造を図6に示す。同図6に示すように、このプラズマ処理装置100は、前記特許文献1に開示されるエッチング装置と基本的な構造を同じくするものであり、処理チャンバ101、コイル104、ガス供給部106、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130及び第2整合器140を備える。   By the way, in a plasma processing apparatus using high-frequency power, conventionally, a high-frequency device is shielded by an electromagnetic shielding member so that electromagnetic waves do not diverge to the surroundings due to high-frequency characteristics. FIG. 6 shows a schematic structure in which the plasma processing apparatus is shielded by an electromagnetic shielding member. As shown in FIG. 6, the plasma processing apparatus 100 has the same basic structure as the etching apparatus disclosed in Patent Document 1, and includes a processing chamber 101, a coil 104, a gas supply unit 106, 1 high frequency power supply 110, first matching device 120, second high frequency power supply 130 and second matching device 140 are provided.

前記処理チャンバ101は、上部チャンバ102及びその下方に設けられた下部チャンバ103からなり、上部チャンバ102内にプラズマ生成空間102aが形成され、下部チャンバ103内に、前記プラズマ生成空間102aに連通する処理空間103aが形成されており、この処理空間103a内に、処理対象の基板が載置される基台105が配設され、また、前記上部チャンバ102の外方に前記コイル104が捲回されている。そして、この上部チャンバ102及びコイル104が、電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス107内に配設されている。前記上部チャンバ102の周壁部分(図においてハッチングで示した部分)は、絶縁性を有するセラミックから構成され、シールドボックス107は、前記上部チャンバ102の下部に接続している(図6中の黒丸印部分参照)。   The processing chamber 101 includes an upper chamber 102 and a lower chamber 103 provided below the upper chamber 102. A plasma generation space 102a is formed in the upper chamber 102, and a process communicating with the plasma generation space 102a is formed in the lower chamber 103. A space 103a is formed, a base 105 on which a substrate to be processed is placed is disposed in the processing space 103a, and the coil 104 is wound outside the upper chamber 102. Yes. The upper chamber 102 and the coil 104 are arranged in a shield box 107 made of an electromagnetic shielding member. A peripheral wall portion (hatched portion in the drawing) of the upper chamber 102 is made of an insulating ceramic, and the shield box 107 is connected to the lower portion of the upper chamber 102 (black circles in FIG. 6). Part reference).

また、基台105と下チャンバ103との間には絶縁部材105aが設けられ、この絶縁部材105aによって基台105と下チャンバ103との間が電気的に絶縁されており、更に、基台105の下方領域が、下チャンバ103の下端部に接続された(図6中の黒丸印部分参照)シールドボックス108によって下チャンバ103を含めてシールドされている。尚、ガス供給部106は高周波を伴わないため、シールドボックス107外に配設され、適宜配管を通して、前記上部チャンバ102のプラズマ生成空間102a内に処理ガスを供給する。また、シールドボックス107には、入力端子107aが設けられており、入力端子107aとコイル104の一方端の入力部とが伝送線によって接続され、コイル104の他方端が前記入力端子107aを介してシールドボックス107に接続されている。また、シールドボックス108には、入力端子108aが設けられており、この入力端子108aと基台105とが伝送線によって接続されている。   An insulating member 105a is provided between the base 105 and the lower chamber 103, and the base 105 and the lower chamber 103 are electrically insulated by the insulating member 105a. Is shielded including the lower chamber 103 by a shield box 108 connected to the lower end of the lower chamber 103 (see the black circled portion in FIG. 6). Since the gas supply unit 106 does not involve high frequency, the gas supply unit 106 is disposed outside the shield box 107 and supplies processing gas into the plasma generation space 102a of the upper chamber 102 through appropriate piping. The shield box 107 is provided with an input terminal 107a. The input terminal 107a and the input portion at one end of the coil 104 are connected by a transmission line, and the other end of the coil 104 is connected via the input terminal 107a. It is connected to the shield box 107. The shield box 108 is provided with an input terminal 108a, and the input terminal 108a and the base 105 are connected by a transmission line.

また、下チャンバ103は接地されており、シールドボックス107,108もこの下チャンバ103を介して接地されている。また、従来の一般的なサイズ(直径が2インチ〜12インチ)の基板を処理するための、前記上チャンバ102の内径は、100mm〜350mmに設定されている。   The lower chamber 103 is grounded, and the shield boxes 107 and 108 are also grounded via the lower chamber 103. Further, the inner diameter of the upper chamber 102 for processing a substrate having a conventional general size (diameter: 2 inches to 12 inches) is set to 100 mm to 350 mm.

前記第1高周波電源110は、前記コイル104に高周波電力を供給する電源であり、電気的に順次接続されたスイッチング電源111、発振・増幅器112及びRFセンサ113と、制御回路114とを備え、これらが同じく電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス115内に配設されている。前記スイッチング電源111は、入力端子115aを介し外部から供給される交流200Vの電力を直流に変換して発振・増幅器112に供給し、発振・増幅器112は、供給された直流電力を変換して、前記コイル104に供給すべき高周波電力を生成し、生成した高周波電力を、前記RFセンサ113を介して前記第1整合器120に伝送する。この発振・増幅器112は、入力端子115bを介し外部から入力される制御信号によって作動する制御回路114によって制御され、制御回路114は、RFセンサ113によって検出され、フィードバックされる周波数及び電力に応じて、前記発振・増幅器112を制御し、必要な周波数及び電力の高周波電力を生成させる。尚、従来、前記コイル104に供給されるべき高周波電力の周波数は、一般的には13.56MHzに設定され、電力は1000W〜6000W程度の範囲で適宜設定される。   The first high-frequency power source 110 is a power source that supplies high-frequency power to the coil 104, and includes a switching power source 111, an oscillation / amplifier 112, an RF sensor 113, and a control circuit 114, which are electrically connected sequentially. Are disposed in a shield box 115 which is also formed of an electromagnetic shielding member. The switching power supply 111 converts AC 200V power supplied from the outside through the input terminal 115a into DC and supplies it to the oscillation / amplifier 112. The oscillation / amplifier 112 converts the supplied DC power, High frequency power to be supplied to the coil 104 is generated, and the generated high frequency power is transmitted to the first matching unit 120 via the RF sensor 113. The oscillation / amplifier 112 is controlled by a control circuit 114 that is operated by a control signal input from the outside via the input terminal 115b. The control circuit 114 is detected by the RF sensor 113 and is fed back according to the frequency and power fed back. The oscillation / amplifier 112 is controlled to generate high-frequency power having a necessary frequency and power. Conventionally, the frequency of the high frequency power to be supplied to the coil 104 is generally set to 13.56 MHz, and the power is appropriately set in the range of about 1000 W to 6000 W.

前記第1整合器120は、前記第1高周波電源110と、前記コイル104との間に設けられるもので、電気的に順次接続されたRFセンサ121、整合回路122及びRFセンサ123と、制御回路124とを備え、これらが同じく電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス125内に配設されている。前記整合回路122は、第1高周波電源110のインピーダンスと、この第1高周波電源110に対する負荷側のインピーダンスとを整合させる、即ち、第1高周波電源110への反射波を最小にする回路であり、入力端子12aを介し外部から入力される制御信号によって作動する制御回路124により制御される。前記RFセンサ121は、入力側の高周波電力の周波数及び電力を検出し、一方、前記RFセンサ123は、出力側の高周波電力の周波数及び電力を検出するセンサであり、それぞれの検出信号が制御回路124に入力され、前記制御回路124は、これらの検出信号を基に、前記反射波が最小となるように、前記整合回路122のインピーダンスを調整する。   The first matching unit 120 is provided between the first high-frequency power source 110 and the coil 104. The RF sensor 121, the matching circuit 122, the RF sensor 123, and the control circuit which are electrically connected in sequence. 124, and these are disposed in a shield box 125 which is also formed of an electromagnetic shielding member. The matching circuit 122 is a circuit that matches the impedance of the first high-frequency power source 110 with the impedance on the load side of the first high-frequency power source 110, that is, minimizes the reflected wave to the first high-frequency power source 110. It is controlled by a control circuit 124 that operates according to a control signal input from the outside via the input terminal 12a. The RF sensor 121 detects the frequency and power of the high frequency power on the input side, while the RF sensor 123 is a sensor that detects the frequency and power of the high frequency power on the output side, and each detection signal is a control circuit. Based on these detection signals, the control circuit 124 adjusts the impedance of the matching circuit 122 so that the reflected wave is minimized.

尚、前記RFセンサ113の出力線は、シールドボックス115の出力端子115cに接続され、一方、RFセンサ121の入力線は、シールドボックス125の入力端子125aに接続され、これら出力端子115cと入力端子125aとが、同軸ケーブル116によって接続されている。また、RFセンサ123の出力線は、シールドボックス125の出力端子125cに接続され、この出力端子125cと、シールドボックス107に設けられた入力端子107aとが、同軸ケーブル126によって接続されている。また、シールドボックス115とシールドボックス125とは、同軸ケーブル116のシールド部によって接続され、同様に、シールドボックス125とシールドボックス107とは、同軸ケーブル126のシールド部によって接続されており、この結果、シールドボックス115,125、及び同軸ケーブル116,126のシールド部は、シールドボックス107、上チャンバ102及び下チャンバ103を介して、それぞれ接地されている。   The output line of the RF sensor 113 is connected to the output terminal 115c of the shield box 115, while the input line of the RF sensor 121 is connected to the input terminal 125a of the shield box 125. 125 a is connected by a coaxial cable 116. The output line of the RF sensor 123 is connected to the output terminal 125 c of the shield box 125, and the output terminal 125 c and the input terminal 107 a provided in the shield box 107 are connected by the coaxial cable 126. Further, the shield box 115 and the shield box 125 are connected by the shield portion of the coaxial cable 116, and similarly, the shield box 125 and the shield box 107 are connected by the shield portion of the coaxial cable 126. As a result, The shield portions 115 and 125 and the shield portions of the coaxial cables 116 and 126 are grounded via the shield box 107, the upper chamber 102, and the lower chamber 103, respectively.

前記第2高周波電源130は、前記基台105に高周波電力を供給するもので、前記第1高周波電源110と同様に、電気的に順次接続されたスイッチング電源131、発振・増幅器132、RFセンサ133及び制御回路134とを備え、これらが電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス135内に配設される。このスイッチング電源131、発振・増幅器132、RFセンサ133及び制御回路134は、前記基台105に供給する高周波電力が、50W〜6000W程度の範囲である点を除いて、前記第1高周波電源110のスイッチング電源111、発振・増幅器112、RFセンサ113及び制御回路114と、それぞれ同じ機能を有するものである。尚、スイッチング電源131には、入力端子135aを介し外部から交流200Vが供給され、制御回路134には、入力端子135bを介して制御信号が入力される。   The second high-frequency power supply 130 supplies high-frequency power to the base 105, and similarly to the first high-frequency power supply 110, a switching power supply 131, an oscillation / amplifier 132, and an RF sensor 133 that are electrically connected sequentially. And a control circuit 134, which are disposed in a shield box 135 made of an electromagnetic shielding member. The switching power supply 131, the oscillation / amplifier 132, the RF sensor 133, and the control circuit 134 are configured so that the high-frequency power supplied to the base 105 is in the range of about 50 W to 6000 W. The switching power supply 111, the oscillation / amplifier 112, the RF sensor 113, and the control circuit 114 have the same functions. The switching power supply 131 is supplied with AC 200V from the outside through the input terminal 135a, and the control signal is input to the control circuit 134 through the input terminal 135b.

前記第2整合器140は、前記第2高周波電源130と、前記基台105との間に設けられるもので、前記第1整合器120と同様に、電気的に順次接続されたRFセンサ141、整合回路142及びRFセンサ143と、制御回路144とを備え、これらが同じく電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス145内に配設されている。このRFセンサ141、整合回路142、RFセンサ143及び制御回路144は、前記第1整合器120のRFセンサ121、整合回路122、RFセンサ123及び制御回路124と同じ機能を有するものである。尚、制御回路144には、入力端子145bを介して制御信号が入力される。   The second matching unit 140 is provided between the second high-frequency power source 130 and the base 105. Like the first matching unit 120, the second matching unit 140 is electrically connected in sequence with an RF sensor 141, A matching circuit 142, an RF sensor 143, and a control circuit 144 are provided, and these are arranged in a shield box 145 that is also formed of an electromagnetic shielding member. The RF sensor 141, the matching circuit 142, the RF sensor 143, and the control circuit 144 have the same functions as the RF sensor 121, the matching circuit 122, the RF sensor 123, and the control circuit 124 of the first matching unit 120. Note that a control signal is input to the control circuit 144 via the input terminal 145b.

そして、前記RFセンサ133の出力線は、シールドボックス135の出力端子135cに接続され、一方、RFセンサ141の入力線は、シールドボックス145の入力端子145aに接続され、これら出力端子135cと入力端子145aとが、同軸ケーブル136によって接続されている。また、RFセンサ143の出力線は、シールドボックス145の出力端子145cに接続され、この出力端子145cと、シールドボックス108に設けられた入力端子108aとが、同軸ケーブル146によって接続されている。シールドボックス135とシールドボックス145とは、同軸ケーブル136のシールド部によって接続され、同様に、シールドボックス145とシールドボックス108とは、同軸ケーブル146のシールド部によって接続されており、この結果、シールドボックス135,145、及び同軸ケーブル136,146のシールド部は、シールドボックス108及び下チャンバ103を介して、それぞれ接地されている。   The output line of the RF sensor 133 is connected to the output terminal 135c of the shield box 135, while the input line of the RF sensor 141 is connected to the input terminal 145a of the shield box 145, and the output terminal 135c and the input terminal are connected. 145a is connected by a coaxial cable 136. The output line of the RF sensor 143 is connected to the output terminal 145 c of the shield box 145, and the output terminal 145 c and the input terminal 108 a provided in the shield box 108 are connected by the coaxial cable 146. The shield box 135 and the shield box 145 are connected by the shield part of the coaxial cable 136. Similarly, the shield box 145 and the shield box 108 are connected by the shield part of the coaxial cable 146. As a result, the shield box The shield portions 135 and 145 and the coaxial cables 136 and 146 are grounded via the shield box 108 and the lower chamber 103, respectively.

以上の構成を備えたプラズマ処理装置100によれば、第1高周波電源110により生成され、第1整合器120によって反射波が最小となるように調整された高周波電力がコイル104に供給され、プラズマ生成空間102aに供給された処理ガスがこの高周波電力によってプラズマ化される。一方、第2高周波電源130により生成され、第2整合器140によって反射波が最小となるように調整された高周波電力が基台105に供給され、この基台105にバイアス電位が生じる。そして、基台105上に載置された処理対象の基板が、バイアス電位を受けた状態でプラズマにより処理される。   According to the plasma processing apparatus 100 having the above configuration, high-frequency power generated by the first high-frequency power source 110 and adjusted so that the reflected wave is minimized by the first matching unit 120 is supplied to the coil 104, and the plasma The processing gas supplied to the generation space 102a is turned into plasma by this high frequency power. On the other hand, high frequency power generated by the second high frequency power supply 130 and adjusted by the second matching unit 140 so as to minimize the reflected wave is supplied to the base 105, and a bias potential is generated in the base 105. Then, the substrate to be processed placed on the base 105 is processed with plasma while receiving a bias potential.

そして、このプラズマ処理装置100では、上部チャンバ102及びコイル104がシールドボックス107内に配設され、基台105への伝送線がシールドボックス108によってシールドされるとともに、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130及び第2整合器140が、それぞれシールドボックス115,125,135及び145によってシールドされ、且つ、それぞれの間が、同軸ケーブル116,126,136及び146によって接続されているので、電磁波の外部への発散が防止される。   In the plasma processing apparatus 100, the upper chamber 102 and the coil 104 are disposed in the shield box 107, the transmission line to the base 105 is shielded by the shield box 108, and the first high-frequency power source 110, the first The matching unit 120, the second high-frequency power source 130, and the second matching unit 140 are shielded by shield boxes 115, 125, 135, and 145, respectively, and are connected by coaxial cables 116, 126, 136, and 146, respectively. As a result, electromagnetic waves can be prevented from spreading to the outside.

特開2008−53496号公報JP 2008-53496 A

ところが、上述した従来のプラズマ処理装置100では、上部チャンバ102及びコイル104が、シールドボックス107によってシールドされ、基台105への伝送線がシールドボックス108によってシールドされ、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130及び第2整合器140が、シールドボックス115,125,135及び145によってそれぞれシールドされるとともに、シールドボックス115,125間が同軸ケーブル116によって接続され、シールドボックス125,107間が同軸ケーブル126によって接続され、シールドボックス135,145間が同軸ケーブル136によって接続され、同様に、シールドボックス145,108間が同軸ケーブル146によって接続されているので、当該同軸ケーブル116,126,136及び146の接続部において、伝送線及びリターン回路の接触抵抗(反射波やロス)が生じて給電効率が低下するため、エネルギー効率が悪いという問題があった。   However, in the above-described conventional plasma processing apparatus 100, the upper chamber 102 and the coil 104 are shielded by the shield box 107, and the transmission line to the base 105 is shielded by the shield box 108. The matching unit 120, the second high frequency power supply 130, and the second matching unit 140 are shielded by shield boxes 115, 125, 135, and 145, respectively, and the shield boxes 115 and 125 are connected by the coaxial cable 116. 107 are connected by a coaxial cable 126, shield boxes 135 and 145 are connected by a coaxial cable 136, and similarly, shield boxes 145 and 108 are connected by a coaxial cable 146. , At a connection of the coaxial cables 116,126,136 and 146, since the power supply efficiency decreases transmission line and the contact resistance of the return circuit (reflected wave or loss) occurs, the energy efficiency is poor.

また、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130や第2整合器140に不具合が生じた場合、これらはシールドボックス115,125,135,145を含むユニットとして構成されているため、ユニット単位で交換する方が便利であるが、この場合、取り外し後、再接続させた同軸ケーブル116,126,136及び146の接続部の接続状態が変化し、これによって前記接触抵抗が変動するため、前記第1整合器120や第2整合器140による整合が必要となり、このため、組み立て再現性が悪く、また、高周波電力を供給する系全体が安定するまでに時間を要するという問題もある。尚、同軸ケーブル116,126,136及び146の接続状態が悪いと、最悪の場合、同部に焼き付きが生じるという問題も起こり得る。また、このため、接続には細心の注意が必要であり、作業性が悪いという問題もある。   Further, when a failure occurs in the first high-frequency power source 110, the first matching unit 120, the second high-frequency power source 130, and the second matching unit 140, these are configured as a unit including the shield boxes 115, 125, 135, and 145. However, in this case, after removal, the connection state of the reconnected coaxial cables 116, 126, 136 and 146 changes, and the contact resistance is thereby reduced. Therefore, the matching by the first matching unit 120 and the second matching unit 140 is necessary. Therefore, the assembly reproducibility is poor, and it takes time to stabilize the entire system for supplying high-frequency power. There is also. If the connection state of the coaxial cables 116, 126, 136, and 146 is poor, there may be a problem that seizure occurs in the same part in the worst case. For this reason, careful attention is required for connection, and there is a problem that workability is poor.

また、各シールドボックス115,125,135,145のインピーダンスは固有値であるため、第1高周波電源110や第2高周波電源130を交換すれば、電源側のインピーダンスが変動し、第1整合器120や第2整合器140を交換すれば負荷側のインピーダンスが変動するため、このインピーダンスの変動によって、第1整合器120や第2整合器140による整合が必要となり、この面でも、高周波電力を供給する系全体が安定するまでに時間を要するという問題がある。   Further, since the impedance of each shield box 115, 125, 135, 145 is an eigenvalue, if the first high frequency power supply 110 or the second high frequency power supply 130 is replaced, the impedance on the power supply side fluctuates, and the first matching unit 120 or If the second matching unit 140 is replaced, the impedance on the load side fluctuates. Therefore, matching by the first matching unit 120 and the second matching unit 140 is required due to the fluctuation of the impedance, and high-frequency power is supplied also in this aspect. There is a problem that it takes time to stabilize the entire system.

また、シールドボックス内に高周波機器を収納すると、当該高周波機器からシールドボックスに高周波エネルギーが伝播するリターン回路が形成され、この高周波エネルギーの伝播によって、エネルギーロスを生じるが、前記従来のプラズマ処理装置では、6つのシールドボックス107,108,115,125,135,145内にそれぞれ高周波機器が収納され、各シールドボックス107,108,115,125,135,145においてエネルギーロスを生じるので、高周波電力を供給する系全体としてのエネルギー効率が悪いという問題もある。   In addition, when a high-frequency device is housed in the shield box, a return circuit for transmitting high-frequency energy from the high-frequency device to the shield box is formed, and energy loss occurs due to the propagation of the high-frequency energy. In the conventional plasma processing apparatus, , High frequency devices are housed in the six shield boxes 107, 108, 115, 125, 135, and 145, respectively, and energy loss occurs in each shield box 107, 108, 115, 125, 135, and 145, so that high frequency power is supplied. There is also a problem that the energy efficiency of the entire system is poor.

本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、高周波電力を供給する機器を交換する作業が容易で、しかもその組み立て再現性が良く、更に、高周波電力を供給する系全体のエネルギー効率が高い高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置の提供を、その目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is easy to replace a device that supplies high-frequency power, and its assembly reproducibility is good. Furthermore, the energy efficiency of the entire system that supplies high-frequency power is improved. An object of the present invention is to provide a high-frequency high-frequency power system and a plasma processing apparatus including the same.

上記課題を解決するための本発明は、高周波電力を消費する負荷部と、前記負荷部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記負荷部と高周波電源との間に接続され、前記高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備えた高周波電力システムであって、
前記負荷部、高周波電源及び整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設され、
前記シールド空間を形成する電磁遮蔽部材がリターン回路を形成するとともに、
前記基台と整合器、並びに整合器と高周波電源とが、それぞれ同軸ケーブル以外の伝送線によって接続された高周波電力システムに係る。
The present invention for solving the above problems includes a load unit that consumes high-frequency power, a high-frequency power source that supplies high-frequency power to the load unit, and is connected between the load unit and the high-frequency power source. A high-frequency power system comprising a matching unit that matches the impedance on the load side with the impedance of the high-frequency power source,
The load unit, the high-frequency power source and the matching unit are arranged in one shield space closed by a grounded electromagnetic shielding member,
While the electromagnetic shielding member forming the shield space forms a return circuit,
The present invention relates to a high-frequency power system in which the base and the matching unit, and the matching unit and the high-frequency power source are respectively connected by transmission lines other than the coaxial cable.

この高周波電力システムによれば、負荷部、高周波電源及び整合器が、電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設されているので、従来のような、各シールドボックス間をエネルギーロスの大きな同軸ケーブルで接続する必要が無く、エネルギー効率を高めることができる。 According to this high-frequency power system, the load section, the high-frequency power source, and the matching unit are arranged in one shield space closed by the electromagnetic shielding member. It is not necessary to connect with a large coaxial cable, and energy efficiency can be improved.

また、負荷部、高周波電源及び整合器といった構成要素に不都合が生じた場合、これらを交換する必要があるが、これらが収納されるシールドボックスは交換する必要が無く、したがって、前記構成要素を交換した場合でも、従来のようなシールドボックスを交換する場合に比べて、インピーダンスの変動は小さく、また、従来のような同軸ケーブルの再接続による不都合が生じないため、組み立て再現性が良い。   Also, if there are problems with the components such as the load unit, high-frequency power supply, and matching unit, they need to be replaced, but the shield box that houses them does not need to be replaced. Even in this case, the impedance variation is smaller than in the case of replacing the shield box as in the conventional case, and the inconvenience due to the reconnection of the coaxial cable as in the conventional case does not occur, so that the assembly reproducibility is good.

また、従来では、負荷部、高周波電源、及び整合器が、それぞれ別個のシールドボックス内に配設されており、各シールドボックスには、内部の高周波機器から当該各シールドボックスに高周波エネルギーが伝播するリターン回路が形成されるため、各シールドボックスにおいて、エネルギーロスを生じ、全体としてのエネルギー効率の悪いものであったが、本発明によれば、負荷部、高周波電源及び整合器を一つのシールドボックス内に配設しているので、前記リターン回路によって喪失されるエネルギーを最小限にとどめることができ、全体としてのエネルギー効率を高めることができる。   Conventionally, the load unit, the high-frequency power source, and the matching unit are arranged in separate shield boxes, and high-frequency energy propagates from the internal high-frequency device to each shield box. Since a return circuit is formed, energy loss occurs in each shield box, resulting in poor energy efficiency as a whole. According to the present invention, the load unit, the high-frequency power source, and the matching unit are combined into one shield box. Since the energy is lost by the return circuit, the energy efficiency as a whole can be improved.

尚、シールドボックスを構成する電磁遮蔽部材は、特に限定されるものではなく、板金など、従来公知の全ての電磁遮蔽部材が含まれる In addition, the electromagnetic shielding member which comprises a shield box is not specifically limited, All conventionally well-known electromagnetic shielding members, such as sheet metal, are included .

の高周波電力システムは、プラズマ処理装置に好適に適用することができ、かかるプラズマ処理装置の態様としては、
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記負荷部は、前記処理室内に供給された処理ガスを、高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部である態様を挙げることができる。
This high-frequency power system, can be suitably applied to a plasma processing apparatus, as an embodiment of such a plasma processing apparatus,
A processing chamber having a processing chamber, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, a base disposed in the processing chamber on which a substrate to be processed is placed, and the high-frequency power system. A plasma processing apparatus comprising:
The load unit may include a plasma generation unit that converts the processing gas supplied into the processing chamber into plasma using high-frequency power.

そして、この場合に、直径が1インチ以下の基板を処理する場合には、前記処理チャンバの内径は60mm以下が好ましく、前記高周波電源は、前記プラズマ生成部に50W以下で、40MHz以上100MHz以下の高周波電力を供給するように構成されているのが好ましい。直径が1インチ以下の基板を処理する場合、処理チャンバの内径は60mm以下が適当であり、また、前記プラズマ生成部に、50W以下、且つ40MHz以上100MHz以下の周波数の高周波電力を供給することで、処理ガスをプラズマ化することができるとともに、生成したプラズマを維持することができ、当該プラズマによって基板を処理することができる。In this case, when processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, the inner diameter of the processing chamber is preferably 60 mm or less, and the high-frequency power source is 50 W or less, 40 MHz or more and 100 MHz or less in the plasma generation unit. It is preferably configured to supply high frequency power. When processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, it is appropriate that the inner diameter of the processing chamber is 60 mm or less, and high-frequency power having a frequency of 50 W or less and 40 MHz or more and 100 MHz or less is supplied to the plasma generation unit. The processing gas can be converted into plasma, and the generated plasma can be maintained, and the substrate can be processed by the plasma.

また、高周波電力が50W以下の場合には、高周波電源が高周波電力を生成するための電源は、AC200Vである必要はなく、DC24V程度でも流れる電流は4アンペア程度であるから、十分である。したがって、この構成によれば、高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、従来必要としたスイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、高周波電源をコンパクトな構成とすることができる。When the high frequency power is 50 W or less, the power source for the high frequency power source to generate the high frequency power does not need to be 200 VAC, and even if it is about 24 VDC, the flowing current is about 4 amperes. Therefore, according to this configuration, since a direct current can be used as a power source for generating high-frequency power, a conventionally required switching power source is not required, and the oscillation / amplifier for generating high-frequency power is downsized. Therefore, the high frequency power supply can be made compact.

また、上記高周波電力システムを適用した別の態様のプラズマ処理装置としては、
処理室を有する処理チャンバと、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と
記処理室内に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部と
前記プラズマ生成部に高周波電力を供給する第1高周波電源と、
記基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、
前記第2高周波電源と前記基台との間に接続され、該第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備えてなり、
前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記第2高周波電源及び前記整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設され、
前記シールド空間を形成する電磁遮蔽部材がリターン回路を形成するとともに、
前記基台と整合器、並びに整合器と第2高周波電源とが、それぞれ同軸ケーブル以外の伝送線によって接続された態様を挙げることができる。
Further, as the plasma processing apparatus of another embodiment according to the high-frequency power system,
A processing chamber having a processing chamber;
A processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber;
A base disposed in the processing chamber and on which a substrate to be processed is placed ;
The process gas supplied to the pre-Symbol processing chamber, a plasma generator for plasma by the high frequency power,
A first high-frequency power supply for supplying high-frequency power to the plasma generation unit;
A second high frequency power supply for supplying high frequency power to the front Kimoto stand,
Connected between the base and the second high frequency power supply, the impedance of the load side relative to the second high-frequency power source, it and a matching unit for matching the impedance of the second high-frequency power source,
The transmission line for supplying high-frequency power to the base, the second high-frequency power source, and the matching unit are arranged in one shield space closed by a grounded electromagnetic shielding member,
While the electromagnetic shielding member forming the shield space forms a return circuit,
A mode in which the base and the matching unit, and the matching unit and the second high-frequency power source are connected by transmission lines other than the coaxial cable can be cited.

この場合のプラズマ装置においても、直径が1インチ以下の基板を処理する場合には、前記処理チャンバの内径は60mm以下が好ましく、前記第1高周波電源は、50W以下で、40MHz以上100MHz以下の高周波電力を供給するように構成され、第2高周波電源は、50W以下の高周波電力を供給するように構成されているのが好ましい。直径が1インチ以下の基板を処理する場合、処理チャンバの内径は60mm以下が適当であり、また、前記プラズマ生成部に、50W以下、且つ40MHz以上100MHz以下の周波数の高周波電力を供給することで、処理ガスをプラズマ化することができるとともに、生成したプラズマを維持することができ、当該プラズマによって基板を処理することができる。Also in this plasma apparatus, when a substrate having a diameter of 1 inch or less is processed, the inner diameter of the processing chamber is preferably 60 mm or less, and the first high-frequency power source is 50 W or less and a high frequency of 40 MHz to 100 MHz. Preferably, the second high frequency power source is configured to supply power, and the second high frequency power source is configured to supply high frequency power of 50 W or less. When processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, it is appropriate that the inner diameter of the processing chamber is 60 mm or less, and high-frequency power having a frequency of 50 W or less and 40 MHz or more and 100 MHz or less is supplied to the plasma generation unit. The processing gas can be converted into plasma, and the generated plasma can be maintained, and the substrate can be processed by the plasma.

また、高周波電力が50W以下の場合には、第1高周波電源及び第2高周波電電が高周波電力を生成するための電源は、AC200Vである必要はなく、DC24V程度でも流れる電流は4アンペア程度であるから、十分である。したがって、この構成によれば、高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、従来必要としたスイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、第1高周波電源及び第2高周波電源をコンパクトな構成とすることができる。In addition, when the high frequency power is 50 W or less, the power source for generating the high frequency power by the first high frequency power supply and the second high frequency power supply does not need to be 200 VAC, and the current flowing is about 4 amperes even at about 24 VDC. Enough. Therefore, according to this configuration, since a direct current can be used as a power source for generating high-frequency power, a conventionally required switching power source is not required, and the oscillation / amplifier for generating high-frequency power is downsized. Therefore, the first high frequency power supply and the second high frequency power supply can be made compact.

また、上記高周波電力システムを適用した更に別の態様のプラズマ処理装置としては、
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力システムは、前記処理室内に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部を、前記負荷部として備えるとともに、該プラズマ生成部に高周波電力を供給する第1高周波電源と、該第1高周波電源と前記プラズマ生成部との間に接続され、該第1高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第1高周波電源のインピーダンスに整合させる第1整合器とを備え、更に、前記基台を前記負荷部として備えるとともに、該基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、該第2高周波電源と前記基台との間に接続され、該第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる第2整合器とを備えてなり、
前記プラズマ生成部、前記第1高周波電源及び前記第1整合器からなる群、並びに前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記第2高周波電源及び前記第2整合器からなる群が、それぞれ接地された電磁遮蔽部材により閉塞された別の一つのシールド空間内に配設されるか、又は、前記2つの群が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に共に配設され、
前記シールド空間を形成する電磁遮蔽部材がリターン回路を形成するとともに、
前記プラズマ生成部と第1整合器、第1整合器と第1高周波電源、基台と第2整合器、並びに第2整合器と第2高周波電源とが、それぞれ同軸ケーブル以外の伝送線によって接続された態様を挙げることができる。
Further, as the plasma processing apparatus of yet another embodiment of applying the high-frequency power system,
A processing chamber having a processing chamber, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, a base disposed in the processing chamber on which a substrate to be processed is placed, and the high-frequency power system. A plasma processing apparatus comprising:
The high-frequency power system includes, as the load unit, a plasma generation unit that converts the processing gas supplied into the processing chamber into plasma using high-frequency power, and a first high-frequency power source that supplies high-frequency power to the plasma generation unit; A first matching unit connected between the first high-frequency power source and the plasma generating unit, and matching a load-side impedance with respect to the first high-frequency power source to an impedance of the first high-frequency power source; A base is provided as the load section, and is connected between the second high-frequency power source for supplying high-frequency power to the base, the second high-frequency power source and the base, and on the load side with respect to the second high-frequency power source A second matching unit for matching the impedance with the impedance of the second high-frequency power source,
The plasma generator, the group consisting of the first high-frequency power source and the first matching unit, the transmission line supplying high-frequency power to the base, the group consisting of the second high-frequency power source and the second matching unit, respectively Either the two groups are disposed in one shielded space blocked by a grounded electromagnetic shielding member, or the two groups are arranged together in one shielded space blocked by a grounded electromagnetic shielding member. Established,
While the electromagnetic shielding member forming the shield space forms a return circuit,
The plasma generator and the first matching unit, the first matching unit and the first high-frequency power source, the base and the second matching unit, and the second matching unit and the second high-frequency power source are connected by transmission lines other than the coaxial cable, respectively. Can be mentioned.

そして、この構成のプラズマ装置においても、直径が1インチ以下の基板を処理する場合には、前記処理チャンバの内径は60mm以下が好ましく、前記第1高周波電源は、50W以下で、40MHz以上100MHz以下の高周波電力を供給するように構成され、前記第2高周波電源は50W以下の高周波電力を供給するように構成されているのが好ましい。直径が1インチ以下の基板を処理する場合、処理チャンバの内径は60mm以下が適当であり、また、前記プラズマ生成部に、50W以下、且つ40MHz以上100MHz以下の周波数の高周波電力を供給することで、処理ガスをプラズマ化することができるとともに、生成したプラズマを維持することができ、当該プラズマによって基板を処理することができる。 Also in the plasma apparatus of this configuration, when processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, the inner diameter of the processing chamber is preferably 60 mm or less, and the first high-frequency power source is 50 W or less, 40 MHz or more and 100 MHz or less. It is preferable that the second high frequency power supply is configured to supply a high frequency power of 50 W or less. When processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, it is appropriate that the inner diameter of the processing chamber is 60 mm or less, and high-frequency power having a frequency of 50 W or less and 40 MHz or more and 100 MHz or less is supplied to the plasma generation unit. The processing gas can be converted into plasma, and the generated plasma can be maintained, and the substrate can be processed by the plasma.

また、高周波電力が50W以下の場合には、上述と同様に、第1高周波電源及び第2高周波電源高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、スイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、プラズマ生成部及び基台の2か所に高周波電力を供給するシステムとしても、これをコンパクトな構成とすることができる。 Further, when the high-frequency power is less than 50W, like the above, the first high-frequency power source and the second RF power source since it is possible to use a DC as a power supply for generating a high-frequency power, the switching power supply is not required, In addition, since the oscillation / amplifier for generating high-frequency power can be reduced in size, it can be made compact in a system for supplying high-frequency power to two places, the plasma generator and the base. it can.

また、上記各プラズマ生成装置は、更に、そのプラズマ生成部が、前記基台より上方に配設されるとともに、前記処理チャンバの外方に配設された環状のコイルからなる態様を採ることができる。   In addition, each of the plasma generation apparatuses may further take an aspect in which the plasma generation unit is disposed above the base and includes an annular coil disposed outside the processing chamber. it can.

以上のように、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、負荷部(前記プラズマ生成部及び基台を含む)、高周波電源(前記第1高周波電源及び第2高周波電源を含む)及び整合器(前記第1整合器及び第2整合器を含む)を一つのシールドボックス内に配設しているので、従来のような、各シールドボックス間をエネルギーロスの大きな同軸ケーブルで接続する必要がなく、このため、エネルギー効率を高めることができる。 As described above, according to the engagement pulp plasma processing apparatus of the present invention, the load unit (including the plasma generation unit and the base), high frequency power supply (including the first high-frequency power source and the second high frequency power supply) and the matching Since the devices (including the first matching device and the second matching device) are arranged in one shield box, it is necessary to connect the shield boxes with a coaxial cable with a large energy loss as in the conventional case. Therefore, energy efficiency can be increased.

また、負荷部、高周波電源及び整合器といった構成要素を交換する際にも、シールドボックスの交換は必要なく、また、従来のような同軸ケーブルの再接続による不都合を生じないため、組み立て再現性が良い。更に、リターン回路によって喪失されるエネルギーを最小限にとどめることができ、この意味においてもエネルギー効率を高めることができる。   In addition, when replacing components such as the load section, high-frequency power supply, and matching unit, it is not necessary to replace the shield box, and there is no inconvenience due to reconnection of the coaxial cable as in the conventional case. good. Furthermore, the energy lost by the return circuit can be kept to a minimum, and in this sense, energy efficiency can be increased.

また、直径が1インチ以下の基板を処理する場合に、処理チャンバの内径を60mm以下とし、プラズマ生成部に供給する高周波電力を、50W以下、且つ40MHz以上100MHz以下の周波数とすることで、処理ガスを低電力でプラズマ化することができるとともに、生成したプラズマを維持することができ、当該プラズマによって基板を処理することができる。Further, when processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, the inner diameter of the processing chamber is set to 60 mm or less, and the high frequency power supplied to the plasma generation unit is set to 50 W or less and a frequency of 40 MHz to 100 MHz. The gas can be turned into plasma with low power, and the generated plasma can be maintained, and the substrate can be processed by the plasma.

更に、前記高周波電源を、前記負荷部に50W以下の電力を供給するように構成することで、高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、従来必要としたスイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、高周波電源をコンパクトな構成とすることができる。 Further, the high frequency power source, in Rukoto be configured to supply less power 50W to the load portion, it is possible to use the DC as a power supply for generating a high-frequency power, switching power supply which is conventionally required In addition, since the oscillation / amplifier for generating high-frequency power can be reduced in size, the high-frequency power supply can be made compact.

本発明の参考的形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示したブロック図である。It is the block diagram which showed schematic structure of the plasma processing apparatus which concerns on the reference form of this invention. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示したブロック図である。It is a block diagram showing a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to the implementation embodiments of the present invention. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を説明するための説明図である。It is an explanatory diagram for explaining the configuration of a plasma processing apparatus according to the present implementation embodiment. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を採り得る根拠を説明するための説明図である。It is an explanatory view for explaining the rationale which may take the configuration of a plasma processing apparatus according to the present implementation embodiment. 本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を採り得る根拠を説明するための説明図である。It is an explanatory view for explaining the rationale which may take the configuration of a plasma processing apparatus according to the present implementation embodiment. 従来のプラズマ処理装置の概略構成を示したブロック図である。It is the block diagram which showed schematic structure of the conventional plasma processing apparatus.

以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

参考的形態]
まず、本発明の参考的形態に係るプラズマ処理装置について、図1に基づき説明する。図1は、本例のプラズマ処理装置の概略構成を示したブロック図である。同図1に示すように、本例のプラズマ処理装置1は、処理チャンバ2、コイル5、ガス供給部7、第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20と、電磁遮蔽部材から構成された一つの空間を有するシールドボックス18,28を備える。尚、シールドボックス18,28を構成する電磁遮蔽部材は、特に限定されるものではなく、板金など、従来公知の全ての電磁遮蔽部材が含まれる。また、本例では、コイル5、後述の基台6、第1高周波供給部10、第2高周波供給部20、及びシールドボックス18,28が高周波電力システムを構成する。
[ Reference form]
First, a plasma processing apparatus according to a reference embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of the plasma processing apparatus of this example. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 of this example includes a processing chamber 2, a coil 5, a gas supply unit 7, a first high-frequency supply unit 10, a second high-frequency supply unit 20, and an electromagnetic shielding member. Shield boxes 18 and 28 having a single space are provided. In addition, the electromagnetic shielding member which comprises the shield boxes 18 and 28 is not specifically limited, All the conventionally well-known electromagnetic shielding members, such as sheet metal, are included. Moreover, in this example, the coil 5, the below-mentioned base 6, the 1st high frequency supply part 10, the 2nd high frequency supply part 20, and the shield boxes 18 and 28 comprise a high frequency electric power system.

前記処理チャンバ2は、上部チャンバ3及びその下方に設けられた下部チャンバ4からなり、上部チャンバ3内にプラズマ生成空間3aが形成され、下部チャンバ4内に、前記プラズマ生成空間3aに連通する処理空間4aが形成されており、この処理空間4a内に、処理対象の基板が載置される基台6が配設され、また、前記上部チャンバ3の外方に前記コイル5が捲回され、下チャンバ4は接地されている。また、前記上部チャンバ102の周壁部分(図においてハッチングで示した部分)は、絶縁性を有するセラミックから構成され、基台6と下チャンバ4との間には絶縁部材6aが設けれ、この絶縁部材6aによって基台6と下チャンバ4との間が電気的に絶縁されている。   The processing chamber 2 includes an upper chamber 3 and a lower chamber 4 provided therebelow, a plasma generation space 3a is formed in the upper chamber 3, and a process communicating with the plasma generation space 3a is formed in the lower chamber 4. A space 4a is formed, a base 6 on which a substrate to be processed is placed is disposed in the processing space 4a, and the coil 5 is wound outside the upper chamber 3, The lower chamber 4 is grounded. A peripheral wall portion (hatched portion in the figure) of the upper chamber 102 is made of an insulating ceramic, and an insulating member 6 a is provided between the base 6 and the lower chamber 4. The base 6 and the lower chamber 4 are electrically insulated by the member 6a.

そして、シールドボックス18内には、前記上部チャンバ3、コイル5及び第1高周波供給部10が配設されるとともに、シールドボックス28内には、前記第2高周波供給部20が配設されている。また、シールドボックス18は、前記上部チャンバ3の下部に接続し(図1中の黒丸印部分)、一方、シールドボックス28は下部チャンバ4の下端部に接続して(図1中の黒丸印部分)、基台6の下方領域をシールドしている。尚、ガス供給部7は、シールドボックス18の外側に配設され、前記処理チャンバ2のプラズマ生成空間3aに通じる適宜配管を通して、当該プラズマ生成空間3aに処理ガスを供給する。また、コイル5はシールドボックス18に接続されている。   In the shield box 18, the upper chamber 3, the coil 5, and the first high frequency supply unit 10 are disposed, and in the shield box 28, the second high frequency supply unit 20 is disposed. . The shield box 18 is connected to the lower portion of the upper chamber 3 (black circle portion in FIG. 1), while the shield box 28 is connected to the lower end portion of the lower chamber 4 (black circle portion in FIG. 1). ), The lower region of the base 6 is shielded. The gas supply unit 7 is disposed outside the shield box 18 and supplies processing gas to the plasma generation space 3a through appropriate piping that communicates with the plasma generation space 3a of the processing chamber 2. The coil 5 is connected to the shield box 18.

前記第1高周波供給部10は、前記コイル5に高周波電力を供給する供給部であり、電気的に順次接続されたスイッチング電源11、発振・増幅器12、RFセンサ13、整合回路14及びRFセンサ15と、制御回路16とを備える。スイッチング電源11は、入力端子18aを介し外部から供給される交流200Vの電力を直流に変換して発振・増幅器12に供給し、発振・増幅器12は、供給された直流電力を変換して、前記コイル5に供給すべき高周波電力を生成する。そして、生成された高周波電力は、前記RFセンサ13を介して前記第1整合器14に伝送される。   The first high-frequency supply unit 10 is a supply unit that supplies high-frequency power to the coil 5, and a switching power supply 11, an oscillation / amplifier 12, an RF sensor 13, a matching circuit 14, and an RF sensor 15 that are electrically connected in sequence. And a control circuit 16. The switching power supply 11 converts AC 200V power supplied from the outside via the input terminal 18a into DC and supplies it to the oscillation / amplifier 12. The oscillation / amplifier 12 converts the supplied DC power, High frequency power to be supplied to the coil 5 is generated. The generated high-frequency power is transmitted to the first matching unit 14 via the RF sensor 13.

整合回路14は、前記発振・増幅器12のインピーダンスと、自身及びRFセンサ13,15、並びにコイル5を含めた、前記発振・増幅器12に対する負荷側のインピーダンスとを整合させる、即ち、発振・増幅器12への反射波を最小にする回路であり、この整合回路14によって整合された高周波電力がRFセンサ15を介して前記コイル5に供給される。   The matching circuit 14 matches the impedance of the oscillation / amplifier 12 with the impedance on the load side of the oscillation / amplifier 12 including itself, the RF sensors 13 and 15, and the coil 5, that is, the oscillation / amplifier 12. The high-frequency power matched by the matching circuit 14 is supplied to the coil 5 through the RF sensor 15.

RFセンサ13は、前記発振・増幅器12から出力される高周波電力の周波数及び電力を検出して、制御回路16に検出信号を送信し、RFセンサ15は、前記整合回路14から出力される高周波電力の周波数及び電力を検出して、制御回路16に検出信号を送信する。   The RF sensor 13 detects the frequency and power of the high frequency power output from the oscillation / amplifier 12 and transmits a detection signal to the control circuit 16. The RF sensor 15 outputs the high frequency power output from the matching circuit 14. , And a detection signal is transmitted to the control circuit 16.

そして、前記制御回路16は、RFセンサ13からの検出信号を基に、前記発振・増幅器12の作動を、当該発振・増幅器12によって生成される高周波電力の周波数及び電力が、入力端子18bを介し制御信号として入力された設定値となるように、フィードバック制御する。また、制御回路16は、RFセンサ13及び15からの検出信号を基に、前記整合回路14の作動を、入力端子18bを介し入力される制御信号に従って、前記反射波が最小となるように制御する。   The control circuit 16 operates the oscillation / amplifier 12 based on the detection signal from the RF sensor 13 so that the frequency and power of the high-frequency power generated by the oscillation / amplifier 12 are input via the input terminal 18b. Feedback control is performed so that the set value is input as a control signal. The control circuit 16 controls the operation of the matching circuit 14 based on the detection signals from the RF sensors 13 and 15 so that the reflected wave is minimized in accordance with the control signal input through the input terminal 18b. To do.

尚、この第1高周波電力供給部10からコイル5に供給される高周波電力は、従来と同様、その周波数は13.56MHzであり、電力は1000W〜6000W程度である。   The high-frequency power supplied from the first high-frequency power supply unit 10 to the coil 5 has a frequency of 13.56 MHz and a power of about 1000 W to 6000 W, as in the past.

前記第2高周波供給部20は、前記基台6に高周波電力を供給する供給部であり、電気的に順次接続されたスイッチング電源21、発振・増幅器22、RFセンサ23、整合回路24及びRFセンサ25と、制御回路26とを備える。これらスイッチング電源21、発振・増幅器22、RFセンサ23、整合回路24、RFセンサ25及び制御回路26は、前記基台6に供給する高周波電力が50W〜6000W程度の範囲である点を除いて、第1高周波供給部10のスイッチング電源11、発振・増幅器12、RFセンサ13、整合回路14、RFセンサ15及び制御回路16と、それぞれ同じ機能を有するものであり、したがって、その詳しい説明については、これを省略する。尚、スイッチング電源21には、入力端子28aを介して外部から交流200Vが供給され、制御回路26には、入力端子28bを介して制御信号が入力される。また、RFセンサ25から前記基台6につながる伝送線は、シールドボックス28内に位置している。   The second high-frequency supply unit 20 is a supply unit that supplies high-frequency power to the base 6, and includes a switching power supply 21, an oscillation / amplifier 22, an RF sensor 23, a matching circuit 24, and an RF sensor that are electrically connected in sequence. 25 and a control circuit 26. The switching power supply 21, the oscillation / amplifier 22, the RF sensor 23, the matching circuit 24, the RF sensor 25, and the control circuit 26, except that the high frequency power supplied to the base 6 is in the range of about 50W to 6000W, The switching power supply 11, the oscillation / amplifier 12, the RF sensor 13, the matching circuit 14, the RF sensor 15, and the control circuit 16 of the first high-frequency supply unit 10 have the same functions. This is omitted. The switching power supply 21 is supplied with AC 200V from the outside through the input terminal 28a, and the control signal is input to the control circuit 26 through the input terminal 28b. The transmission line connected from the RF sensor 25 to the base 6 is located in the shield box 28.

以上の構成を備えた本例のプラズマ処理装置1によれば、第1高周波供給部10の発振・増幅器12により生成され、整合回路14によって反射波が最小となるように調整された高周波電力がコイル5に供給され、ガス供給部7からプラズマ生成空間3aに供給された処理ガスがこの高周波電力によってプラズマ化される。一方、第2高周波供給部20の発振・増幅器22により生成され、整合回路24によって反射波が最小となるように調整された高周波電力が基台6に供給され、当該基台6にバイアス電位が生じる。そして、この基台6上に載置された処理対象の基板が、バイアス電位を受けた状態でプラズマにより処理される。   According to the plasma processing apparatus 1 of the present example having the above configuration, the high-frequency power generated by the oscillation / amplifier 12 of the first high-frequency supply unit 10 and adjusted by the matching circuit 14 so that the reflected wave is minimized is generated. The processing gas supplied to the coil 5 and supplied from the gas supply unit 7 to the plasma generation space 3a is turned into plasma by this high frequency power. On the other hand, high-frequency power generated by the oscillation / amplifier 22 of the second high-frequency supply unit 20 and adjusted by the matching circuit 24 so as to minimize the reflected wave is supplied to the base 6, and a bias potential is applied to the base 6. Arise. Then, the substrate to be processed placed on the base 6 is processed with plasma while receiving a bias potential.

そして、このプラズマ処理装置1では、高周波電力を伴う構成要素である上部チャンバ3、コイル5、第1高周波供給部10を、接地された一つのシールドボックス18内に配設するとともに、第2高周波供給部20を、接地された一つのシールドボックス28内に配設しているので、従来のような、各シールドボックス間をエネルギーロスの大きな同軸ケーブルで接続する必要が無く、エネルギー効率を高めることができる。   In the plasma processing apparatus 1, the upper chamber 3, the coil 5, and the first high-frequency supply unit 10, which are components accompanying high-frequency power, are disposed in one grounded shield box 18 and the second high-frequency power is supplied. Since the supply unit 20 is disposed in one grounded shield box 28, it is not necessary to connect the shield boxes with a coaxial cable having a large energy loss as in the conventional case, and energy efficiency is improved. Can do.

また、上部チャンバ3及びコイル5、並びに第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20の各構成要素を交換する必要が生じた場合でも、これらが収納されるシールドボックス18,28は交換する必要がなく、したがって、この構成要素を交換しても、従来のようなシールドボックスを交換する場合に比べて、インピーダンスの変動が小さく、また、従来のような同軸ケーブルの再接続による不都合が生じないため、組み立て再現性が良い。   Moreover, even if it becomes necessary to replace each component of the upper chamber 3 and the coil 5, and the first high-frequency supply unit 10 and the second high-frequency supply unit 20, the shield boxes 18 and 28 in which they are stored are replaced. Therefore, even if this component is replaced, the fluctuation in impedance is smaller than when a conventional shield box is replaced, and inconvenience is caused by reconnection of a coaxial cable as in the conventional case. There is no assembly reproducibility.

また、第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20をそれぞれシールドボックス18,28内に収納することで、当該第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20では、同じ機能を発揮する上記従来の第1高周波電源110及び第1整合器120、並びに第1高周波電源130及び第1整合器140に比べて、その構成要素から、RFセンサ121及び141を省略することができ、また、従来別々に構成されていた制御回路114及び124を、本例では、一つの制御回路16に一体化し、同様に、従来の制御回路134及び144を、本例では、一つの制御回路26に一体化することができるので、その構成がコンパクトとなり、この結果、シールドボックス18,28の大きさもコンパクトにすることができる。したがって、シールドボックス18,28内に形成されるリターン回路によって、喪失される高周波エネルギーを、従来に比べて低減させることができ、装置全体としてのエネルギー効率を高めることができる。   Further, by storing the first high-frequency supply unit 10 and the second high-frequency supply unit 20 in the shield boxes 18 and 28, respectively, the first high-frequency supply unit 10 and the second high-frequency supply unit 20 exhibit the same function. Compared to the conventional first high-frequency power source 110 and the first matching unit 120, and the first high-frequency power source 130 and the first matching unit 140, the RF sensors 121 and 141 can be omitted from the constituent elements. The control circuits 114 and 124 that are conventionally configured separately are integrated into one control circuit 16 in this example, and similarly, the conventional control circuits 134 and 144 are integrated into one control circuit 26 in this example. Therefore, the size of the shield boxes 18 and 28 can be reduced. Therefore, the high frequency energy lost by the return circuit formed in the shield boxes 18 and 28 can be reduced as compared with the conventional case, and the energy efficiency of the entire apparatus can be improved.

[実施形態]
次に、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図2及び図3に基づき説明する。尚、本例のプラズマ処理装置1’において、上述した参考的形態に係るプラズマ処理装置1と同じ構成要素については、同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
[Implementation form]
Next, a plasma processing apparatus according to implementation embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. In the plasma processing apparatus 1 ′ of the present example, the same components as those in the plasma processing apparatus 1 according to the reference embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本例のプラズマ処理装置1’は、直径が1インチ以下の基板を処理対象とするものであり、図2に示すように、処理チャンバ2’、コイル5’、ガス供給部7、第1高周波供給部10’、第2高周波供給部20’及びシールドボックス18,28を備える。   The plasma processing apparatus 1 ′ of this example is for processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, and as shown in FIG. 2, the processing chamber 2 ′, the coil 5 ′, the gas supply unit 7, the first high frequency wave. A supply unit 10 ′, a second high frequency supply unit 20 ′, and shield boxes 18 and 28 are provided.

前記処理チャンバ2’は、直径が1インチ以下の基板を処理対象とする関係上、前記処理チャンバ2より全体的に小さいサイズであり、特に、図3に示すように、プラズマ生成空間3a’を形成する部分の内径Dが10mm以上60mm以下に設定されている。尚、図2及び図3において、符号3’は上部チャンバ、符号4’は下部チャンバ、符号4a’は処理空間、符号6’は基台、符号6a’は絶縁部材である。   The processing chamber 2 ′ is generally smaller in size than the processing chamber 2 in view of processing a substrate having a diameter of 1 inch or less. In particular, as shown in FIG. The inner diameter D of the part to be formed is set to 10 mm or more and 60 mm or less. 2 and 3, reference numeral 3 'denotes an upper chamber, reference numeral 4' denotes a lower chamber, reference numeral 4a 'denotes a processing space, reference numeral 6' denotes a base, and reference numeral 6a 'denotes an insulating member.

また、前記第1高周波供給部10’は、第1の実施形態に係る第1高周波供給部10のスイッチング電源11を省略するとともに、前記発振・増幅器12に、入力端子18aを介して外部から直流24Vの電力が供給されるように構成され、前記コイル5’に、周波数が40MHz以上100MHz以下、電力が2W以上50W以下の高周波電力を供給するように構成されている。   The first high-frequency supply unit 10 ′ omits the switching power supply 11 of the first high-frequency supply unit 10 according to the first embodiment, and directs the oscillation / amplifier 12 from the outside via the input terminal 18a. 24V power is supplied, and the coil 5 'is configured to supply high frequency power having a frequency of 40 MHz to 100 MHz and a power of 2 W to 50 W.

また、第2高周波供給部20’は、第1の実施形態に係る第2高周波供給部20のスイッチング電源21を省略するとともに、前記発振・増幅器22に、入力端子28aを介して外部から直流24Vの電力が供給されるように構成され、前記基台6’に周波数が100kHz以上、電力が50W以下の高周波電力を供給するように構成されている。   The second high-frequency supply unit 20 ′ omits the switching power supply 21 of the second high-frequency supply unit 20 according to the first embodiment, and is connected to the oscillation / amplifier 22 from the outside via the input terminal 28a. Power is supplied, and high frequency power having a frequency of 100 kHz or more and power of 50 W or less is supplied to the base 6 ′.

上述したように、処理チャンバのプラズマ生成空間を形成する部分の、従来の一般的な内径は100〜350mmであり、また、プラズマを生成するためのコイルに供給される高周波電力は、その周波数が13.56MHz、電力が1000W〜6000W程度であるのが一般的であり、従来、このような高電力の高周波電力を生成するために、AC200Vの電源が用いられてきた。   As described above, the conventional general inner diameter of the portion forming the plasma generation space of the processing chamber is 100 to 350 mm, and the high frequency power supplied to the coil for generating plasma has a frequency of Generally, the power is about 13.56 MHz and the power is about 1000 W to 6000 W. Conventionally, an AC 200 V power source has been used to generate such high-frequency high-frequency power.

ところが、本発明者らの知見によれば、直径が1インチ以下の基板を処理する場合、このような高電力は不要で、また、プラズマ生成空間を形成する前記処理チャンバの内径、即ち、図3に示す直径Dは、10mm以上60mm以下が適当であり、この場合、図4及び図5に示すように、周波数が40MHz以上100MHz以下、電力が2W以上の高周波電力を前記コイル5’に供給することで、処理ガスをプラズマ化することができるとともに、生成したプラズマを維持することができる、即ち、基板をプラズマによって処理することができることが判明した。   However, according to the knowledge of the present inventors, when processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, such high power is not required, and the inner diameter of the processing chamber forming the plasma generation space, that is, FIG. The diameter D shown in FIG. 3 is suitably 10 mm or more and 60 mm or less. In this case, as shown in FIGS. 4 and 5, high frequency power having a frequency of 40 MHz to 100 MHz and a power of 2 W or more is supplied to the coil 5 ′. Thus, it has been found that the processing gas can be converted into plasma and the generated plasma can be maintained, that is, the substrate can be processed with plasma.

尚、図4は、前記上部チャンバ3’の内径Dを50mm、コイル5’の内径を60mm、コイル5’の巻き数を1としたプラズマエッチング装置1’を用い、ガス供給部7から処理ガスとしてArガスを前記プラズマ生成空間3a’に供給して、処理チャンバ2’内の圧力を5Pa、コイル5’に供給する高周波電力の大きさを50Wに固定した状態で、当該コイル5’に供給する高周波電力の周波数を変化させ、各周波数におけるプラズマの状態を確認する試験を行った結果を示すものである。この図3から分かるように、周波数が40.68MHz、80MHz及び100MHzの場合、即ち、周波数が40MHz以上100MHz以下の場合に、プラズマ生成空間3a’内にプラズマが発生(着火)し、発生したプラズマが拡散した状態(プラズマ生成空間のほぼ全域に広がった状態)で安定に維持された。   Note that FIG. 4 uses a plasma etching apparatus 1 ′ in which the inner diameter D of the upper chamber 3 ′ is 50 mm, the inner diameter of the coil 5 ′ is 60 mm, and the number of turns of the coil 5 ′ is 1, and the processing gas is supplied from the gas supply unit 7. As Ar gas is supplied to the plasma generation space 3a ′, the pressure in the processing chamber 2 ′ is fixed to 5 Pa, and the magnitude of the high-frequency power supplied to the coil 5 ′ is fixed to 50 W. The result of having performed the test which changes the frequency of the high frequency electric power to check, and confirms the state of the plasma in each frequency is shown. As can be seen from FIG. 3, when the frequencies are 40.68 MHz, 80 MHz, and 100 MHz, that is, when the frequency is 40 MHz or more and 100 MHz or less, plasma is generated (ignited) in the plasma generation space 3a ′, and the generated plasma is generated. Was stably maintained in a diffused state (a state where it spreads over almost the entire plasma generation space).

また、図5は、安定なプラズマを維持することが可能な高周波電力の大きさの最小値を確認するために、コイル5’に供給する高周波電力の周波数を100MHz、処理チャンバ2’内の圧力を5Pa、処理ガスの流量を3sccmとし、前記上部チャンバ3’の前記内径D、コイル5’の内径、コイル5’の巻き数、処理ガスの種類を変えた種々の条件下において、プラズマが維持される高周波電力の大きさを測定した結果を示すものであり、(a)は前記内径Dを20mm、コイル5’の内径を30mm、コイル5’の巻き数を1とした場合、(b)は前記内径Dを20mm、コイル5’の内径を30mm、コイル5’の巻き数を2とした場合、(c)は前記内径Dを30mm、コイル5’の内径を36mm、コイル5’の巻き数を1とした場合である。同図5から分かるように、高周波電力の大きさを2W以上とすることで、プラズマを維持できることが分かる。尚、コイル5’に供給する電力が50Wを超える場合には、過大なエネルギーの消費につながるので、コイル5’に供給する電力は50W以下であるのが好ましい。   Further, FIG. 5 shows that the frequency of the high-frequency power supplied to the coil 5 ′ is 100 MHz and the pressure in the processing chamber 2 ′ is checked in order to confirm the minimum value of the high-frequency power that can maintain a stable plasma. 5 Pa, the flow rate of the processing gas is 3 sccm, and the plasma is maintained under various conditions in which the inner diameter D of the upper chamber 3 ′, the inner diameter of the coil 5 ′, the number of turns of the coil 5 ′, and the type of the processing gas are changed. (A) shows the result of measuring the magnitude of the high-frequency power to be generated, where (a) shows the case where the inner diameter D is 20 mm, the inner diameter of the coil 5 ′ is 30 mm, and the number of turns of the coil 5 ′ is 1. When the inner diameter D is 20 mm, the inner diameter of the coil 5 ′ is 30 mm, and the number of turns of the coil 5 ′ is 2, (c) is the inner diameter D of 30 mm, the inner diameter of the coil 5 ′ is 36 mm, and the winding of the coil 5 ′. The number is 1 The case was. As can be seen from FIG. 5, the plasma can be maintained by setting the magnitude of the high-frequency power to 2 W or more. If the power supplied to the coil 5 ′ exceeds 50 W, excessive energy is consumed. Therefore, the power supplied to the coil 5 ′ is preferably 50 W or less.

以上の背景から、本例のプラズマ処理装置1’では、プラズマ生成のためにコイル5’に供給されるべき高周波電力が50W以下で足りることに鑑み、直流電源から前記発振・増幅器12に、直接、電圧が24Vの電力を供給するようにした。第2高周波供給部20’においても同様であり、基台6’に供給すべき高周波電力は50W以下と低電力であるため、直流電源から前記発振・増幅器22に、直接、電圧が24Vの電力を供給するようにした。尚、24Vの直流電力を選択したのは、この電源が他の制御機器に使用され得る電圧で極めて一般的であり、入手し易く、また、価格も廉価であるからであり、当然のことながら、他の電圧の直流電源を用いることができる。   From the above background, in the plasma processing apparatus 1 ′ of this example, in view of the fact that the high frequency power to be supplied to the coil 5 ′ for plasma generation is 50 W or less, it is directly applied from the DC power source to the oscillation / amplifier 12. The voltage is 24V. The same applies to the second high-frequency supply unit 20 ′. Since the high-frequency power to be supplied to the base 6 ′ is as low as 50 W or less, the direct-current power from the DC power source to the oscillation / amplifier 22 is 24V. To supply. The reason why the 24V DC power is selected is that this power supply is very common voltage that can be used for other control devices, is easily available, and is inexpensive. Other voltage DC power supplies can be used.

斯くして、本例のプラズマ処理装置1’では、第1高周波電力10’の発振・増幅器12及び第1高周波電力20’の発振・増幅器22に、直接、直流電力を供給することができるので、第1の実施形態に係るスイッチング電源11及び21が不要であり、第1高周波供給部10’及び第2高周波供給部20’をコンパクトな構成とすることができる。因みに、前記発振・増幅器12,22を合せて一つのディバイス(チップ)で構成することができる。   Thus, in the plasma processing apparatus 1 ′ of this example, direct-current power can be directly supplied to the oscillation / amplifier 12 of the first high-frequency power 10 ′ and the oscillation / amplifier 22 of the first high-frequency power 20 ′. The switching power supplies 11 and 21 according to the first embodiment are unnecessary, and the first high-frequency supply unit 10 ′ and the second high-frequency supply unit 20 ′ can be made compact. Incidentally, the oscillation / amplifiers 12 and 22 can be combined to form a single device (chip).

このため、第1高周波供給部10’及び第2高周波供給部20’を処理チャンバ2’の上方に配設して、プラズマ処理装置1’の全体形状を縦長にしたコンパクトなものにすることができ、このようにすることで、当該プラズマ処理装置1’の設置面積を削減することができる。   For this reason, the first high-frequency supply unit 10 ′ and the second high-frequency supply unit 20 ′ may be disposed above the processing chamber 2 ′ so that the overall shape of the plasma processing apparatus 1 ′ is vertically long and compact. In this way, the installation area of the plasma processing apparatus 1 ′ can be reduced.

以上、本発明の具体的な実施の形態について説明したが、本発明が採り得る態様は、何らこれらに限定されるものではない。   As mentioned above, although specific embodiment of this invention was described, the aspect which this invention can take is not limited to these at all.

例えば、上例では、第2高周波供給部20及び20’を設けて、前記基台6,6’に高周波電力を供給するようにしたが、基台6,6’にバイアス電位を与える必要がない場合には、第2高周波供給部20及び20’を設けなくても良い。 For example, in the above example , the second high frequency supply units 20 and 20 ′ are provided to supply high frequency power to the bases 6 and 6 ′. However, it is necessary to apply a bias potential to the bases 6 and 6 ′. If not, the second high-frequency supply units 20 and 20 ′ may not be provided.

また、上例では、第1高周波供給部10(10’)、コイル5及び上部チャンバ3をシールドボックス18内に設けるとともに、第2高周波供給部20(20’)をシールドボックス28内に設ける構成としたが、これに限るものではなく、第1高周波供給部10(10’)、コイル5、上部チャンバ3及び第2高周波供給部20(20’)を1つのシールドボックス内に配設した構成としても良い。 In the above example , the first high-frequency supply unit 10 (10 ′), the coil 5 and the upper chamber 3 are provided in the shield box 18, and the second high-frequency supply unit 20 (20 ′) is provided in the shield box 28. However, the present invention is not limited to this, and the first high-frequency supply unit 10 (10 ′), the coil 5, the upper chamber 3, and the second high-frequency supply unit 20 (20 ′) are arranged in one shield box. It is also good.

更に、効果的な面ではやや劣るが、第1高周波供給部10(10’)、コイル5及び上部チャンバ3からなる群、第2高周波供給部20(20’)からなる群の、いずれか一方を1つのシールドボックス内に配設し、他方については、図6に示した構成と同様の構成を採用しても良い。   Furthermore, although it is somewhat inferior in terms of effectiveness, either one of the group consisting of the first high-frequency supply unit 10 (10 ′), the coil 5 and the upper chamber 3, and the group consisting of the second high-frequency supply unit 20 (20 ′). May be disposed in one shield box, and the other configuration may be the same as the configuration shown in FIG.

また、上例では、コイル5,5’を備えた所謂誘導結合形(ICP)のプラズマ処理装置1,1’としたが、これに限られるものではなく、本発明は、平行平板の電極を備えた所謂容量結合形(CCP)のプラズマ処理装置など、高周波電力を用いたあらゆるプラズマ処理装置として具現化できる。 In the above example , the so-called inductively coupled (ICP) plasma processing apparatuses 1 and 1 ′ having the coils 5 and 5 ′ are used. However, the present invention is not limited to this, and the present invention provides parallel plate electrodes. It can be embodied as any plasma processing apparatus using high-frequency power, such as a so-called capacitively coupled (CCP) plasma processing apparatus.

また、処理対象としての基板についても、何ら制限はなく、その一例としては、シリコン、炭化ケイ素、サファイア、化合物半導体、ガラス、樹脂などからなる基板を例示することができる。   Moreover, there is no restriction | limiting also about the board | substrate as a process target, The board | substrate which consists of a silicon | silicone, a silicon carbide, a sapphire, a compound semiconductor, glass, resin etc. can be illustrated as the example.

1 プラズマ処理装置
2 処理チャンバ
3 上部チャンバ
3a プラズマ生成空間
4 下部チャンバ
4a 処理空間
5 コイル
6 基台
7 ガス供給部
10 第1高周波供給部
11 スイッチング電源
12 発振・増幅器
13 RFセンサ
14 整合回路
15 RFセンサ
16 制御回路
18 シールドボックス
20 第2高周波供給部
21 スイッチング電源
22 発振・増幅器
23 RFセンサ
24 整合回路
25 RFセンサ
26 制御回路
28 シールドボックス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma processing apparatus 2 Processing chamber 3 Upper chamber 3a Plasma generation space 4 Lower chamber 4a Processing space 5 Coil 6 Base 7 Gas supply part 10 1st high frequency supply part 11 Switching power supply 12 Oscillation / amplifier 13 RF sensor 14 Matching circuit 15 RF Sensor 16 Control circuit 18 Shield box 20 Second high-frequency supply unit 21 Switching power supply 22 Oscillation / Amplifier 23 RF sensor 24 Matching circuit 25 RF sensor 26 Control circuit 28 Shield box

Claims (4)

処理室を有する処理チャンバと、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、
前記処理室内に供給された処理ガスを、高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記プラズマ生成部と高周波電源との間に接続され、前記高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備え
前記プラズマ生成部、高周波電源及び整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設され、
前記シールド空間を形成する電磁遮蔽部材がリターン回路を形成するとともに、
前記プラズマ生成部と整合器、並びに整合器と高周波電源とが、それぞれ同軸ケーブル以外の伝送線によって接続されてなり、
更に、前記処理チャンバの内径は60mm以下であり、
前記高周波電源が前記プラズマ生成部に供給する高周波電力は、50W以下で、その周波数が40MHz以上100MHz以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
A processing chamber having a processing chamber;
A processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber;
A base disposed in the processing chamber and on which a substrate to be processed is placed;
A plasma generating unit that converts the processing gas supplied into the processing chamber into plasma by high-frequency power;
A high-frequency power supply for supplying high-frequency power to the plasma generation unit ;
A matching unit connected between the plasma generator and the high-frequency power source, and matching a load-side impedance with respect to the high-frequency power source to an impedance of the high-frequency power source ;
The plasma generation unit , the high frequency power source and the matching unit are disposed in one shield space closed by a grounded electromagnetic shielding member,
While the electromagnetic shielding member forming the shield space forms a return circuit,
Matching device and the plasma generation unit, and the matching unit and a high frequency power source, Ri Na are connected by a transmission line other than the coaxial cable, respectively,
Furthermore, the inner diameter of the processing chamber is 60 mm or less,
The high frequency power source RF power supplied to the plasma generating unit is a 50W or less, a plasma processing apparatus to which the frequency is characterized der Rukoto or 100MHz or less 40 MHz.
処理室を有する処理チャンバと、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と
記処理室内に供給された処理ガスを、高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部と
前記プラズマ生成部に高周波電力を供給する第1高周波電源と、
前記基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、
前記第2高周波電源と前記基台との間に接続され、該第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備え、
前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記第2高周波電源及び前記整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設され、
前記シールド空間を形成する電磁遮蔽部材がリターン回路を形成するとともに、
前記基台と整合器、並びに整合器と第2高周波電源とが、それぞれ同軸ケーブル以外の伝送線によって接続されてなり、
更に、前記処理チャンバの内径は60mm以下であり、
前記第1高周波電源が前記プラズマ生成部に供給する高周波電力は、50W以下で、その周波数が40MHz以上100MHz以下であり、
前記第2高周波電源が供給する高周波電力は、50W以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
A processing chamber having a processing chamber;
A processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber;
A base disposed in the processing chamber and on which a substrate to be processed is placed ;
The process gas supplied to the pre-Symbol processing chamber, a plasma generator for plasma by high frequency power,
A first high-frequency power supply for supplying high-frequency power to the plasma generation unit;
A second high frequency power supply for supplying high frequency power to the base;
The second is connected between the RF power source and the base, the impedance of the load side relative to the second high-frequency power source, e Bei a matching unit for matching the impedance of the second high-frequency power source,
The transmission line for supplying high-frequency power to the base, the second high-frequency power source, and the matching unit are arranged in one shield space closed by a grounded electromagnetic shielding member,
While the electromagnetic shielding member forming the shield space forms a return circuit,
The base and the matching device, as well as matching unit and the second high-frequency power source, Ri Na are connected by a transmission line other than the coaxial cable, respectively,
Furthermore, the inner diameter of the processing chamber is 60 mm or less,
The high frequency power supplied from the first high frequency power source to the plasma generation unit is 50 W or less, and the frequency is 40 MHz or more and 100 MHz or less,
The second high frequency power source for supplying high frequency power, a plasma processing apparatus according to claim der Rukoto below 50 W.
処理室を有する処理チャンバと、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、
記処理室内に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に高周波電力を供給する第1高周波電源と、
前記第1高周波電源と前記プラズマ生成部との間に接続され、該第1高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第1高周波電源のインピーダンスに整合させる第1整合器と、
前記基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、
前記第2高周波電源と前記基台との間に接続され、該第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる第2整合器と
前記プラズマ生成部、前記第1高周波電源及び前記第1整合器からなる群、並びに前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記第2高周波電源及び前記第2整合器からなる群が、それぞれ接地された電磁遮蔽部材により閉塞された別の一つのシールド空間内に配設されるか、又は、前記2つの群が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に共に配設され、
前記シールド空間を形成する電磁遮蔽部材がリターン回路を形成するとともに、
前記プラズマ生成部と第1整合器、第1整合器と第1高周波電源、基台と第2整合器、並びに第2整合器と第2高周波電源とが、それぞれ同軸ケーブル以外の伝送線によって接続されてなり、
更に、前記処理チャンバの内径は60mm以下であり、
前記第1高周波電源が供給する高周波電力は、50W以下で、その周波数が40MHz以上100MHz以下であり、
前記第2高周波電源が供給する高周波電力は、50W以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
A processing chamber having a processing chamber;
A processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber;
A base disposed in the processing chamber and on which a substrate to be processed is placed;
A plasma generation unit for plasma processing gas supplied to the pre-Symbol processing chamber by a high-frequency power,
A first high-frequency power supply for supplying high-frequency power to the plasma generation unit;
Connected between the first RF power source and the plasma generator, the impedance of the load side relative to the first high-frequency power source, a first matching unit for matching the impedance of the first RF power source,
A second high frequency power supply for supplying high frequency power to the base ;
Connected between the base and the second high frequency power supply, the impedance of the load side relative to the second high-frequency power source, a second matching unit for matching the impedance of the second high-frequency power source,
The plasma generator, the group consisting of the first high-frequency power source and the first matching unit, the transmission line supplying high-frequency power to the base, the group consisting of the second high-frequency power source and the second matching unit, respectively Either the two groups are disposed in one shielded space blocked by a grounded electromagnetic shielding member, or the two groups are arranged together in one shielded space blocked by a grounded electromagnetic shielding member. Established ,
While the electromagnetic shielding member forming the shield space forms a return circuit,
The plasma generator and the first matching unit, the first matching unit and the first high-frequency power source, the base and the second matching unit, and the second matching unit and the second high-frequency power source are connected by transmission lines other than the coaxial cable, respectively. Ri name is,
Furthermore, the inner diameter of the processing chamber is 60 mm or less,
The high frequency power supplied by the first high frequency power source is 50 W or less, and the frequency is 40 MHz or more and 100 MHz or less,
The second high frequency power source for supplying high frequency power, a plasma processing apparatus according to claim der Rukoto below 50 W.
前記プラズマ生成部は、前記基台より上方に配設されるとともに、前記処理チャンバの外方に配設された環状のコイルからなることを特徴とする請求項乃至記載のいずれかのプラズマ処理装置。 The plasma generating section, while being disposed above said base, one of the plasma of claims 1 to 3, wherein the consisting disposed an annular coil outside of the processing chamber Processing equipment.
JP2014534686A 2014-03-31 2014-03-31 Plasma processing equipment Active JP5731715B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/059426 WO2015151148A1 (en) 2014-03-31 2014-03-31 High-frequency power system and plasma processing apparatus provided therewith

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015047950A Division JP6455783B2 (en) 2015-03-11 2015-03-11 High frequency power system and plasma processing apparatus equipped with the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5731715B1 true JP5731715B1 (en) 2015-06-10
JPWO2015151148A1 JPWO2015151148A1 (en) 2017-04-13

Family

ID=53486857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014534686A Active JP5731715B1 (en) 2014-03-31 2014-03-31 Plasma processing equipment

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5731715B1 (en)
KR (1) KR102114686B1 (en)
WO (1) WO2015151148A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7209483B2 (en) * 2017-10-10 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment and measurement circuit

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002530856A (en) * 1998-11-12 2002-09-17 ラム リサーチ コーポレーション Integrated power supply module for plasma processing system
JP2002313785A (en) * 2001-04-17 2002-10-25 Anelva Corp High frequency plasma treatment equipment
JP2002319576A (en) * 2001-02-02 2002-10-31 Anelva Corp High frequency plasma processing system
JP2005158980A (en) * 2003-11-26 2005-06-16 Kaneka Corp Cvd system
JP2006041539A (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Asm Japan Kk Dual-chamber plasma processing apparatus
JP2006073354A (en) * 2004-09-02 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment device
JP2007180596A (en) * 2007-04-17 2007-07-12 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and short circuit of high frequency current

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3066007B2 (en) * 1998-06-24 2000-07-17 株式会社日立製作所 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4592916B2 (en) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 Placement device for workpiece
JP3723060B2 (en) * 2000-08-11 2005-12-07 アルプス電気株式会社 Plasma processing apparatus and performance confirmation system for plasma processing apparatus
JP5082229B2 (en) * 2005-11-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
JP2008053496A (en) 2006-08-25 2008-03-06 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Etching device
JP4895920B2 (en) * 2007-06-08 2012-03-14 パナソニック株式会社 Plasma processing equipment
GB201021853D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002530856A (en) * 1998-11-12 2002-09-17 ラム リサーチ コーポレーション Integrated power supply module for plasma processing system
JP2002319576A (en) * 2001-02-02 2002-10-31 Anelva Corp High frequency plasma processing system
JP2002313785A (en) * 2001-04-17 2002-10-25 Anelva Corp High frequency plasma treatment equipment
JP2005158980A (en) * 2003-11-26 2005-06-16 Kaneka Corp Cvd system
JP2006041539A (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Asm Japan Kk Dual-chamber plasma processing apparatus
JP2006073354A (en) * 2004-09-02 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment device
JP2007180596A (en) * 2007-04-17 2007-07-12 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and short circuit of high frequency current

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160140333A (en) 2016-12-07
KR102114686B1 (en) 2020-05-25
WO2015151148A1 (en) 2015-10-08
JPWO2015151148A1 (en) 2017-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201944729A (en) Adaptive counter measure control thwarting IMD jamming impairments for RF plasma systems
JP2005285564A (en) Plasma treatment device
US20080241016A1 (en) Plasma processing system, plasma measurement system, plasma measurement method, and plasma control system
JP2007103102A (en) High-frequency power supply device
CN102301833A (en) Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source
CN109804452A (en) System for providing the circuit arrangement of high-frequency energy and for generating electric discharge
KR20070121014A (en) Termination of secondary frequency in rf power delivery
US10896810B2 (en) RF generating apparatus and plasma treatment apparatus
JP5731715B1 (en) Plasma processing equipment
JP6455783B2 (en) High frequency power system and plasma processing apparatus equipped with the same
TWI290331B (en) Apparatus and method of improving impedance matching between an RF signal and a multi-segmented electrode
US20030192475A1 (en) Method and apparatus for routing harmonics in a plasma to ground within a plasma enhanced semiconductor wafer processing chamber
KR101507738B1 (en) Apparatus and method for plasma ignition and power control
KR101371350B1 (en) System and method for controlling disparate phase over a rf plasma system
JP2008041398A (en) Microwave generator and microwave processor
TW202113907A (en) Radio frequency generator, plasma processing system, method for operating radio frequency generator controller, computer program element, and computer readable medium
TWI644597B (en) High frequency power system and plasma processing apparatus provided therewith
US6527927B1 (en) Vacuum treatment system
KR20230078406A (en) Radio frequency generator power control system for improving noise characteristics
WO2024004497A1 (en) Plasma treatment device
KR20200052531A (en) Plasma power apparatus with rapid response to load variations and its control method
KR101779463B1 (en) Plasma generator for plasma substrate processing apparatus
US11810759B2 (en) RF generator
WO2023074816A1 (en) Plasma treatment device, power supply system, control method, program, and storage medium
US8445988B2 (en) Apparatus and method for plasma processing

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150305

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150409

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5731715

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250