JP5726546B2

JP5726546B2 - Chamber equipment

Info

Publication number: JP5726546B2
Application number: JP2011012096A
Authority: JP
Inventors: 伸治永井; 若林　理; 理若林
Original assignee: Gigaphoton Inc
Current assignee: Gigaphoton Inc
Priority date: 2010-03-29
Filing date: 2011-01-24
Publication date: 2015-06-03
Anticipated expiration: 2031-01-24
Also published as: US20110253913A1; JP2012146613A

Description

本開示は、チャンバ装置に関する。 The present disclosure relates to a chamber apparatus.

従来、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ方式による極端紫外（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）光生成装置では、チャンバ内のターゲット物質にレーザ光を照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化し、このプラズマ化したターゲット物質から放射される光のうち所望の波長、たとえば１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ光を選択的に集光し反射する。ＥＵＶ光の反射には、ある一点で放射された光を集光する凹面状の反射面を備えた集光ミラーが用いられる。集光ミラーにより集光されたＥＵＶ光は、露光機に導波され、フォトリソグラフィやレーザ加工等に用いられる。 2. Description of the Related Art Conventionally, in an extreme ultraviolet (EUV) light generation apparatus using an LPP method using plasma generated by irradiating a target with a laser beam, the target material is irradiated by irradiating the target material in the chamber with laser light. Is converted into plasma, and EUV light having a desired wavelength, for example, 13.5 nm, is selectively collected and reflected from the light emitted from the plasma target material. For the reflection of EUV light, a condensing mirror having a concave reflecting surface that condenses light emitted at a certain point is used. The EUV light condensed by the condenser mirror is guided to the exposure machine and used for photolithography, laser processing, and the like.

特開２００７−２６６２３４号公報JP 2007-266234 A

概要Overview

本開示の一態様によるチャンバ装置は、レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、を備え、前記回収部は、ポーラス材料を含み、前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成されてもよい。
また、本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、を備え、前記回収部は、ポーラス材料を含み、前記回収部の前記帯電粒子の入射側に凹部が形成され、前記凹部の底部に前記スパッタ防止部が配置され、前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成されてもよい。 A chamber apparatus according to an aspect of the present disclosure is a chamber apparatus that is used together with a laser system and a condensing optical system that condenses laser light output from the laser system. A chamber having a mouth; a target supply system that is attached to the chamber and supplies a target material to a predetermined region in the chamber; and is disposed in the chamber, and the target material is irradiated with the laser light in the chamber A collecting unit for collecting the charged particles generated and a spatter preventing unit disposed on the charged particle incident side of the collecting unit, the collecting unit including a porous material, and preventing the spattering The portion may be formed of a material having lower wettability with respect to the target material in the molten state than the recovery portion .
A chamber apparatus according to another aspect of the present disclosure is a chamber apparatus used together with a laser system and a condensing optical system that condenses laser light output from the laser system, and introduces the laser light into the interior. A chamber having an inlet for the target, a target supply system that is attached to the chamber and supplies a target material to a predetermined region in the chamber, and is disposed in the chamber, and the laser is applied to the target material in the chamber A recovery unit for recovering the charged particles generated by light irradiation, and a spatter preventing unit disposed on the incident side of the charged particles of the recovery unit, the recovery unit includes a porous material, A concave portion is formed on the charged particle incident side of the collecting portion, the spatter preventing portion is disposed at the bottom of the concave portion, and the spatter is disposed. Preventing unit than said recovery section, may be formed by a low wettability with respect to the target material in the molten state material.

図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an EUV light generation apparatus according to Embodiment 1 of the present disclosure. 図２は、図１に示すＥＵＶ光生成装置をＥＵＶ光の中心軸を含む他の面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration when the EUV light generation apparatus shown in FIG. 1 is cut along another surface including the central axis of the EUV light. 図３Ａは、本開示の実施の形態１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 3A is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 1 of the present disclosure. 図３Ｂは、図３Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。FIG. 3B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 3A as viewed from the incident surface side of the ion flow. 図４は、本開示の実施の形態２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 2 of the present disclosure. 図５は、本開示の実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to a modification of the second embodiment of the present disclosure. 図６は、本開示の実施の形態３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 3 of the present disclosure. 図７は、本開示の実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to a modification of the third embodiment of the present disclosure. 図８は、本開示の実施の形態４によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 4 of the present disclosure. 図９は、本開示の実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 1 of Embodiment 4 of the present disclosure. 図１０は、本開示の実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 2 of Embodiment 4 of the present disclosure. 図１１は、本開示の実施の形態５によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 5 of the present disclosure. 図１２は、本開示の実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 1 of Embodiment 5 of the present disclosure. 図１３は、本開示の実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 2 of Embodiment 5 of the present disclosure. 図１４Ａは、本開示の実施の形態６によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 14A is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 6 of the present disclosure. 図１４Ｂは、図１４Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。FIG. 14B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 14A as viewed from the incident surface side of the ion flow. 図１５は、本開示の実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 15 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 1 of Embodiment 6 of the present disclosure. 図１６は、本開示の実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 16 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 2 of Embodiment 6 of the present disclosure. 図１７は、本開示の実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 17 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Modification 3 of Embodiment 6 of the present disclosure. 図１８Ａは、本開示の実施の形態７によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 18A is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 7 of the present disclosure. 図１８Ｂは、図１８Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。FIG. 18B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 18A viewed from the incident surface side of the ion flow. 図１９Ａは、本開示の実施の形態８によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。FIG. 19A is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to Embodiment 8 of the present disclosure. 図１９Ｂは、図１９Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。FIG. 19B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 19A as viewed from the incident surface side of the ion flow.

実施の形態Embodiment

以下、本開示を実施するための形態を図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, each drawing only schematically shows the shape, size, and positional relationship to the extent that the contents of the present disclosure can be understood. Accordingly, the present disclosure is the shape illustrated in each drawing. However, it is not limited only to the size and the positional relationship. Moreover, in each figure, a part of hatching in a cross section is abbreviate | omitted for clarification of a structure. Furthermore, the numerical values exemplified below are only suitable examples of the present disclosure, and therefore the present disclosure is not limited to the illustrated numerical values.

（実施の形態１）
まず、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。図１では、ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されるＥＵＶ光Ｌ２の中心軸ＡＸを含む面でＥＵＶ光生成装置１を切断した際の断面構成を示す。 (Embodiment 1)
First, an EUV light generation apparatus according to Embodiment 1 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of an EUV light generation apparatus according to the first embodiment. FIG. 1 shows a cross-sectional configuration when the EUV light generation apparatus 1 is cut along a plane including the central axis AX of the EUV light L2 reflected by the EUV collector mirror 12.

図１に示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、内部にＥＵＶ光の生成空間を画定するチャンバ１０を備える。このチャンバ１０には、ＥＵＶ光Ｌ２の発生源となるターゲット物質である錫（Ｓｎ）を溶融した状態で蓄えるドロップレットジェネレータ１３が設けられる。ドロップレットジェネレータ１３は、先端の開口がチャンバ１０内の所定の位置（プラズマ生成サイトＰ１）に向けられたノズル１３ａを備え、このノズル１３ａの先端からプラズマ生成サイトＰ１へ向けてＳｎのドロップレットＤを出力する。このドロップレットジェネレータ１３は、たとえば内部圧力を利用して溶融Ｓｎを液滴状のドロップレットＤとしてノズル１３ａ先端から出力する。ただし、これに限定されず、たとえばノズル１３ａ先端に対向するように溶融Ｓｎを引き出すための引出し電極が配置された、いわゆる静電引出し型のドロップレットジェネレータや、引出し電極に加えて引き出したドロップレットＤを加速させる加速電極が配置された、いわゆる静電引出し加速型のドロップレットジェネレータなど、種々変形可能である。 As shown in FIG. 1, the EUV light generation apparatus 1 includes a chamber 10 that defines an EUV light generation space therein. The chamber 10 is provided with a droplet generator 13 that stores in a molten state tin (Sn), which is a target material that is a generation source of the EUV light L2. The droplet generator 13 includes a nozzle 13a having an opening at the tip directed to a predetermined position (plasma generation site P1) in the chamber 10, and a Sn droplet D from the tip of the nozzle 13a toward the plasma generation site P1. Is output. The droplet generator 13 outputs, for example, molten Sn as a droplet-shaped droplet D from the tip of the nozzle 13a using internal pressure. However, the present invention is not limited to this, for example, a so-called electrostatic extraction type droplet generator in which an extraction electrode for extracting molten Sn so as to face the tip of the nozzle 13a is disposed, or a droplet extracted in addition to the extraction electrode. Various modifications are possible such as a so-called electrostatic extraction acceleration type droplet generator in which an acceleration electrode for accelerating D is arranged.

チャンバ１０内に供給されたドロップレットＤには、プラズマ生成サイトＰ１に到着するタイミングに合わせて、外部のドライバレーザから出力されたプラズマ化用のレーザ光Ｌ１がチャンバ１０に設けられたウィンドウ１１を介して集光される。これにより、ドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１付近でプラズマ化する。プラズマ化したドロップレットＤからは、プラズマが脱励起する際に所定の波長の光を含む光が放射される。また、チャンバ１０内には、プラズマ生成サイトＰ１付近で放射された光のうち所定の波長の光であるＥＵＶ光Ｌ２を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラー１２が配置される。ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光生成装置１と露光機（不図示）との接続部分である露光機接続部１９内の所定の点（中間集光点ＩＦ）に集光され、その後、露光機へ導波される。なお、プラズマ生成サイトＰ１のドロップレットＤには、ＥＵＶ集光ミラー１２の中央に設けられた貫通孔１２ａを介してレーザ光Ｌ１が集光される。 The droplet D supplied into the chamber 10 has a window 11 in which the laser beam L1 for plasma generation output from the external driver laser is provided in the chamber 10 in accordance with the timing of arrival at the plasma generation site P1. It is condensed through. As a result, the droplet D becomes plasma in the vicinity of the plasma generation site P1. The plasma-generated droplet D emits light including light of a predetermined wavelength when the plasma is deexcited. In the chamber 10, an EUV collector mirror 12 that selectively reflects EUV light L2, which is light having a predetermined wavelength, of light emitted near the plasma generation site P1 is disposed. The EUV light L2 reflected by the EUV collector mirror 12 is applied to a predetermined point (intermediate condensing point IF) in the exposure device connection section 19 that is a connection portion between the EUV light generation apparatus 1 and the exposure device (not shown). After being condensed, it is guided to an exposure machine. In addition, the laser beam L1 is condensed on the droplet D of the plasma generation site P1 through the through hole 12a provided in the center of the EUV collector mirror 12.

また、チャンバ１０には、プラズマ生成サイトＰ１を通過したドロップレットＤや、ドロップレットＤに対するレーザ光Ｌ１の照射によってもプラズマ化しなかったドロップレットＤの一部を回収するターゲット回収部１４が設けられる。このターゲット回収部１４は、たとえばドロップレットジェネレータ１３のノズル１３ａ先端とプラズマ生成サイトＰ１とを結ぶ直線の延長線上、または、ドロップレットＤの軌跡がカーブしているのであればその軌跡上に配置される。 In addition, the chamber 10 is provided with a target recovery unit 14 that recovers the droplet D that has passed through the plasma generation site P1 and a part of the droplet D that has not been converted to plasma by the irradiation of the laser light L1 on the droplet D. . For example, the target collection unit 14 is arranged on a straight line connecting the tip of the nozzle 13a of the droplet generator 13 and the plasma generation site P1, or on the locus of the droplet D if the locus of the droplet D is curved. The

つづいて、図１に示すＥＵＶ光生成装置１の他の断面による概略構成を図２に示す。図２は、図１に示すＥＵＶ光生成装置をＥＵＶ光の中心軸を含む他の面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。 Next, FIG. 2 shows a schematic configuration of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration when the EUV light generation apparatus shown in FIG. 1 is cut along another surface including the central axis of the EUV light.

図２に示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０外に配置された磁場生成部１５と、チャンバ１０内に配置されたデブリ回収部１６と、を備える。磁場生成部１５は、チャンバ１０を挟み込むように配置された一対の電磁石コイル１５ａよりなる。各電磁石コイル１５ａのボア中心を結ぶ線は、チャンバ１０内のプラズマ生成サイトＰ１を通る。したがって、磁場生成部１５は、中心の磁力線がプラズマ生成サイトＰ１を通る磁場Ｂを生成する。この磁場Ｂは、ＥＵＶ光生成の際にプラズマ生成サイトＰ１付近で発生したターゲット物質（Ｓｎ）のデブリのうち帯電しているデブリをトラップする。磁場Ｂにトラップされたデブリは、磁力線に巻きつくように移動することで、イオン流ＦＬを形成する。イオン流ＦＬの流れる先には、デブリ回収部１６がそれぞれ配置される。したがって、イオン流ＦＬが磁場Ｂに沿って流れることで、プラズマ生成サイトＰ１付近で発生したデブリがデブリ回収部１６に回収される。 As illustrated in FIG. 2, the EUV light generation apparatus 1 includes a magnetic field generation unit 15 disposed outside the chamber 10 and a debris collection unit 16 disposed within the chamber 10. The magnetic field generation unit 15 includes a pair of electromagnet coils 15 a arranged so as to sandwich the chamber 10. A line connecting the bore centers of the electromagnet coils 15 a passes through the plasma generation site P <b> 1 in the chamber 10. Therefore, the magnetic field generation unit 15 generates a magnetic field B whose central magnetic field line passes through the plasma generation site P1. This magnetic field B traps charged debris among the debris of the target material (Sn) generated near the plasma generation site P1 during EUV light generation. The debris trapped in the magnetic field B moves so as to wrap around the magnetic field lines, thereby forming an ion flow FL. A debris collection unit 16 is disposed at the destination of the ion flow FL. Therefore, when the ion flow FL flows along the magnetic field B, the debris generated in the vicinity of the plasma generation site P1 is recovered by the debris recovery unit 16.

ここで、本実施の形態１によるデブリ回収部１６を、図面を参照して詳細に説明する。図３Ａは、本実施の形態１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図３Ａは、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図３Ｂは、図３Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。 Here, the debris collection | recovery part 16 by this Embodiment 1 is demonstrated in detail with reference to drawings. FIG. 3A is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a debris collection unit according to the first embodiment. 3A shows a cross-sectional configuration when the debris collection unit is cut along a plane including the center of the magnetic field lines of the magnetic field B. FIG. FIG. 3B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 3A as viewed from the incident surface side of the ion flow.

図３Ａおよび図３Ｂに示すように、デブリ回収部１６は、イオン流ＦＬとして入射したＳｎのデブリを捕捉する部材として、たとえば円柱状の多孔質部材１０２を備える。多孔質部材１０２は、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、多孔質部材１０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、表面の開口から内部の空隙まで毛細管現象により染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵される。 As shown in FIGS. 3A and 3B, the debris collection unit 16 includes, for example, a cylindrical porous member 102 as a member that captures Sn debris incident as the ion flow FL. The porous member 102 has innumerable openings that communicate with the internal voids on the surface. Therefore, the debris that has entered the porous member 102 as the ion flow FL penetrates from the opening on the surface to the internal gap by capillary action. As a result, the debris D1 is captured and stored in the porous member 102.

また、デブリ回収部１６は、多孔質部材１０２を温めるヒータ１０１を備える。ヒータ１０１は、たとえばチャンバ１０の外部に配置された電源１０８から電流が供給されることで、多孔質部材１０２をデブリＤ１であるＳｎが溶融する温度（たとえば２３２℃）以上に温める。これにより、多孔質部材１０２が常に入射したデブリを捕捉できる状態に保たれる。ただし、多孔質部材１０２は、多孔質部材１０２自身の材料とターゲット物質（Ｓｎ）とが反応する温度未満に保たれる。たとえばターゲット物質をＳｎとし、多孔質部材１０２の材料にＣｕを用いた場合、ＳｎとＣｕとは２８０℃以上で反応するため、多孔質部材１０２は、２８０℃未満に保たれる。多孔質部材１０２の温度制御は、電源１０８がヒータ１０１に流す電流を電源１０８に接続された温度コントローラ１０９が制御することで行われる。 The debris collection unit 16 includes a heater 101 that warms the porous member 102. The heater 101 warms the porous member 102 to a temperature at which Sn as the debris D1 melts (for example, 232 ° C.) or more by supplying a current from a power source 108 disposed outside the chamber 10, for example. Thereby, the porous member 102 is always kept in a state where it can capture the incident debris. However, the porous member 102 is kept below the temperature at which the material of the porous member 102 itself reacts with the target substance (Sn). For example, when Sn is used as the target material and Cu is used as the material of the porous member 102, Sn and Cu react at 280 ° C. or higher, so the porous member 102 is kept below 280 ° C. The temperature control of the porous member 102 is performed by controlling the current that the power supply 108 flows to the heater 101 by the temperature controller 109 connected to the power supply 108.

また、多孔質部材１０２は、デブリである溶融したＳｎに対してぬれ性が高い材料で形成されていることが好ましい。この材料には、たとえば以下の表１に示すように、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）およびチタン（Ｔｉ）などがある。このようにぬれ性の高い材料を用いることで、入射したデブリを効率よく多孔質部材１０２内部へ染み込ませることができる。この結果、多孔質部材１０２の入射面付近に存在するＳｎ（デブリＤ１）を少なくすることが可能となるため、捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）のイオン流ＦＬによる再スパッタが低減される。 In addition, the porous member 102 is preferably formed of a material having high wettability with respect to molten Sn that is debris. Examples of this material include aluminum (Al), copper (Cu), silicon (Si), nickel (Ni), and titanium (Ti) as shown in Table 1 below. By using such a highly wettable material, the incident debris can be efficiently infiltrated into the porous member 102. As a result, Sn (debris D1) existing in the vicinity of the incident surface of the porous member 102 can be reduced, so that resputtering due to the trapped Sn (debris D1) ion flow FL is reduced.

以上のような構成を備えることで、本実施の形態１によれば、ＥＵＶ光Ｌ２の生成によって発生したデブリをデブリ回収部１６で回収することが可能となるため、デブリがチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制することができる。 With the configuration as described above, according to the first embodiment, the debris generated by the generation of the EUV light L2 can be collected by the debris collection unit 16, and therefore the debris is disposed in the chamber 10. It can suppress that the characteristic and performance deteriorate by adhering to the made element.

なお、以上の説明では、デブリ回収部１６について説明したが、たとえば同様の構成をターゲット回収部１４に対しても適用することが可能である。これにより、プラズマ生成サイトＰ１を通過したターゲット物質をターゲット回収部１４で回収することが可能となるため、ターゲット物質がチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制することができる。 In the above description, the debris collection unit 16 has been described. However, for example, a similar configuration can be applied to the target collection unit 14. As a result, the target material that has passed through the plasma generation site P1 can be recovered by the target recovery unit 14, and the characteristics and performance of the target material deteriorate due to the target material adhering to the elements disposed in the chamber 10. This can be suppressed.

（実施の形態２）
つぎに、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部２１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 (Embodiment 2)
Next, an EUV light generation apparatus and a debris collection unit according to Embodiment 2 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The EUV light generation apparatus according to the second embodiment has a configuration similar to that of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, and the debris collection unit 16 is replaced with a debris collection unit 216. The other configuration is the same as the configuration shown in FIGS. 1 and 2, and therefore, redundant description is omitted here.

図４は、本実施の形態２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図４では、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図４に示すように、デブリ回収部２１６は、図３に示すデブリ回収部１６と同様の構成に加え、多孔質部材１０２の温度を検出する温度センサ２１１をさらに備える。温度センサ２１１で検出された温度は、温度コントローラ１０９に入力される。温度コントローラ１０９は、入力された温度に基づいて電源１０８がヒータ１０１に流す電流をフィードバック制御する。これにより、多孔質部材１０２の温度が的確に目的の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内に制御される。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the second embodiment. In FIG. 4, the cross-sectional structure at the time of cut | disconnecting a debris collection | recovery part by the surface containing the center of the magnetic force line of the magnetic field B is shown. As shown in FIG. 4, the debris collection unit 216 further includes a temperature sensor 211 that detects the temperature of the porous member 102 in addition to the same configuration as the debris collection unit 16 shown in FIG. 3. The temperature detected by the temperature sensor 211 is input to the temperature controller 109. The temperature controller 109 feedback-controls the current that the power supply 108 flows to the heater 101 based on the input temperature. Thereby, the temperature of the porous member 102 is accurately controlled within a target temperature range (for example, 232 ° C. or higher and lower than 280 ° C.).

その他の構成および動作は、上述した実施の形態１と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 Other configurations and operations are the same as those in the first embodiment described above, and therefore, a duplicate description is omitted here.

・変形例
また、図５は、本実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態２で例示した多孔質部材１０２は、図５のデブリ回収部２１６Ａに示すような、たとえばワイヤやリボン等が３次元的に交差する３次元メッシュ構造を備えたメッシュ部材２０２に置き換えることも可能である。このメッシュ部材はスパッタ防止部であり、メッシュ部材２０２は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、メッシュ部材２０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、表面の開口から内部の空隙まで染み込む。これにより、デブリＤ１がメッシュ部材２０２の内部に捕捉され、貯蔵される。 Modified Example FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to a modified example of the second embodiment. The porous member 102 exemplified in the above-described second embodiment is a mesh member 202 having a three-dimensional mesh structure in which, for example, wires and ribbons intersect three-dimensionally as shown in the debris collection unit 216A in FIG. It is also possible to replace it. This mesh member is a spatter prevention part, and the mesh member 202 is provided with innumerable openings that communicate with the internal voids on the surface, like the porous member 102. Therefore, the debris that has entered the mesh member 202 as the ion flow FL penetrates from the surface opening to the internal gap. Thereby, the debris D1 is captured and stored in the mesh member 202.

なお、多孔質部材１０２は、３次元メッシュ構造のメッシュ部材２０２の他に、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材など、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なるものに置き換えてもよい。また、多孔質部材をメッシュ部材等に置き換えることは、他の実施の形態およびその変形例についても同様に適用することが可能である。 In addition to the mesh member 202 having a three-dimensional mesh structure, the porous member 102 is made of a liquid target material such as a member obtained by sintering fine particles of several μm or a member obtained by solidifying a fibrous member. Any member may be used as long as it has a structure that can be soaked inside. Further, replacing the porous member with a mesh member or the like can be similarly applied to other embodiments and modifications thereof.

（実施の形態３）
つぎに、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部３１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 (Embodiment 3)
Next, an EUV light generation apparatus and a debris collection unit according to Embodiment 3 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The EUV light generation apparatus according to the third embodiment has a configuration similar to that of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, and the debris collection unit 16 is replaced with a debris collection unit 316. The other configuration is the same as the configuration shown in FIGS. 1 and 2, and therefore, redundant description is omitted here.

図６は、本実施の形態３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図６は、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図６に示すように、デブリ回収部３１６は、図４に示すデブリ回収部２１６と同様の構成において、多孔質部材１０２のイオン流ＦＬの入射面にメッシュ部材３０３が設けられている。このメッシュ部材３０３には、たとえば図５に示すメッシュ部材２０２と同様の構造の部材を用いることができる。メッシュ部材３０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材３０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材１０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、メッシュ部材３０３は、多孔質部材１０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。 FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the third embodiment. FIG. 6 shows a cross-sectional configuration when the debris collection unit is cut along a plane including the center of the magnetic field lines of the magnetic field B. As shown in FIG. 6, the debris collection unit 316 has a configuration similar to that of the debris collection unit 216 shown in FIG. 4, and a mesh member 303 is provided on the incident surface of the ion member FL of the porous member 102. For this mesh member 303, for example, a member having the same structure as that of the mesh member 202 shown in FIG. The debris that has entered the mesh member 303 as the ion flow FL soaks into the inside from the opening on the surface of the mesh member 303 and then soaks into the porous member 102 that is disposed in contact with the incident surface on the opposite side. As a result, the debris D1 is captured and stored in the porous member 102. Note that the mesh member 303 preferably has lower wettability than the porous member 102.

メッシュ部材３０３は、たとえば上述の表１に示した、イオン流ＦＬの入射によってスパッタリングされ難い材料を用いて形成されることが好ましい。この材料には、たとえば炭素（Ｃ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステンカーバイト（ＷＣ）、チタニウム（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびアルミニウム（Ａｌ）などがある。 The mesh member 303 is preferably formed using a material that is difficult to be sputtered by the incidence of the ion flow FL shown in Table 1 above, for example. Examples of this material include carbon (C), tungsten (W), silicon (Si), tungsten carbide (WC), titanium (Ti), silicon carbide (SiC), and aluminum (Al).

その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 Other configurations and operations are the same as those in the above-described embodiment and its modification examples, and thus redundant description is omitted here.

・変形例
また、図７は、本実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態３で例示したメッシュ部材３０３は、図７のデブリ回収部３１６Ａに示すような多孔質部材３０４に置き換えることも可能である。多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、多孔質部材３０４にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、多孔質部材３０４の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材１０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉される。また、多孔質部材３０４は、イオン流ＦＬの入射によってスパッタリングされ難い材料を用いて形成される。なお、多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to a modification of the third embodiment. The mesh member 303 exemplified in the above-described third embodiment can be replaced with a porous member 304 as shown in a debris collection unit 316A in FIG. Similar to the porous member 102, the porous member 304 has innumerable openings on the surface that communicate with internal voids. Therefore, the debris that has entered the porous member 304 as the ion flow FL penetrates into the inside from the opening on the surface of the porous member 304 and then penetrates into the porous member 102 that is disposed in contact with the incident surface on the opposite side. Thereby, the debris D1 is captured inside the porous member 102. The porous member 304 is formed using a material that is difficult to be sputtered by the incidence of the ion flow FL. Note that the porous member 304 preferably has lower wettability than the porous member 102.

なお、メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４は、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材など、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なるものに置き換えてもよい。また、メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４のイオン流ＦＬの入射方向の厚さは数十μｍでもよい。イオン流ＦＬの入射面にメッシュ部材３０３または多孔質部材３０４を設けることは、他の実施の形態およびその変形例についても同様に適用することが可能である。 The mesh member 303 and the porous member 304 can soak a liquid target material into the inside by a capillary phenomenon or the like, for example, a member obtained by sintering fine particles of several μm or a member obtained by solidifying a fibrous member. Any structural member may be substituted. Further, the thickness of the mesh member 303 and the porous member 304 in the incident direction of the ion flow FL may be several tens of μm. Providing the mesh member 303 or the porous member 304 on the incident surface of the ion flow FL can be similarly applied to other embodiments and modifications thereof.

（実施の形態４）
つぎに、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部４１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 (Embodiment 4)
Next, an EUV light generation apparatus and a debris collection unit according to Embodiment 4 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment has a configuration similar to that of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, and the debris collection unit 16 is replaced with a debris collection unit 416. The other configuration is the same as the configuration shown in FIGS. 1 and 2, and therefore, redundant description is omitted here.

図８は、本実施の形態４によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図８では、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図８に示すように、デブリ回収部４１６は、図４に示すデブリ回収部２１６と同様の構成において、多孔質部材１０２が多孔質部材４０２に置き換えられている。多孔質部材４０２は、たとえば図４に示す多孔質部材１０２と同様の部材を用いることができる。ただし、多孔質部材４０２は、イオン流ＦＬの入射面に、たとえばイオン流ＦＬの入射断面よりも広く開口されたカップ状のポケット４１１を備える。このように、イオン流ＦＬの入射面にイオン流ＦＬを受けるカップ状のポケット４１１が設けられることで、イオン流ＦＬの入射によって発生したスパッタ物が、ポケット４１１の側面で捕捉される。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを防止できる。 FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the fourth embodiment. In FIG. 8, the cross-sectional structure at the time of cut | disconnecting a debris collection | recovery part in the surface containing the center of the magnetic force line of the magnetic field B is shown. As shown in FIG. 8, the debris collection unit 416 has the same configuration as the debris collection unit 216 shown in FIG. 4, and the porous member 102 is replaced with a porous member 402. As the porous member 402, for example, a member similar to the porous member 102 shown in FIG. 4 can be used. However, the porous member 402 includes, for example, a cup-shaped pocket 411 that is opened wider than the incident cross section of the ion flow FL on the incident surface of the ion flow FL. Thus, by providing the cup-shaped pocket 411 that receives the ion flow FL on the incident surface of the ion flow FL, the sputtered matter generated by the incidence of the ion flow FL is captured by the side surface of the pocket 411. Thereby, it is possible to prevent the spatter from scattering into the chamber 10.

・変形例１
また、図９は、本実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態４で例示した多孔質部材４０２は、図９に示すデブリ回収部４１６Ａのように、多孔質部材４０２ａに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ａでは、多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１が、円錐台形状のポケット４１２に置き換えられている。このように、側面がイオン流ＦＬの入射に対して斜めに傾斜していることで、個々のデブリによって側面が受ける単位面積当たりのＳｎの衝突密度を低減することが可能となる。この結果、イオン流ＦＬの入射による再スパッタを低減することが可能となる。・ Modification 1
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the first modification of the fourth embodiment. The porous member 402 exemplified in the above-described fourth embodiment can be replaced with a porous member 402a like a debris collection unit 416A shown in FIG. In the porous member 402 a, the cup-shaped pocket 411 in the porous member 402 is replaced with a frustoconical pocket 412. As described above, since the side surface is inclined with respect to the incidence of the ion flow FL, it is possible to reduce the Sn collision density per unit area that the side surface receives by the individual debris. As a result, it is possible to reduce resputtering due to incidence of the ion flow FL.

・変形例２
また、図１０は、本実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の多孔質部材４０２または４０２ａは、図１０に示すデブリ回収部４１６Ｂのように、多孔質部材４０２ｂに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ｂでは、たとえば多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１が、イオン流ＦＬの入射面に位置し、たとえばイオン流ＦＬの入射断面よりも幅広の開口部４１３と、イオン流ＦＬの入射面よりも多孔質部材４０２ｂの内部に位置し、開口部４１３と連続し且つ開口部４１３よりも幅広の空洞部４１４と、に置き換えられている。このように、多孔質部材４０２ｂの内部に開口部４１３よりも幅広い空間（空洞部４１４）を設けることで、イオン流ＦＬの入射により発生したスパッタ物がチャンバ１０内に飛散することをより確実に防止することが可能となる。・ Modification 2
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the second modification of the fourth embodiment. The porous member 402 or 402a described above can be replaced with a porous member 402b like a debris collection unit 416B shown in FIG. In the porous member 402b, for example, the cup-shaped pocket 411 in the porous member 402 is positioned on the incident surface of the ion flow FL, and for example, an opening 413 wider than the incident cross section of the ion flow FL and the ion flow FL incident. It is replaced with a hollow portion 414 that is located inside the porous member 402b rather than the surface, is continuous with the opening 413, and is wider than the opening 413. As described above, by providing a space (cavity 414) wider than the opening 413 inside the porous member 402b, it is possible to more reliably prevent spatter generated by the incidence of the ion flow FL from scattering into the chamber 10. It becomes possible to prevent.

（実施の形態５）
つぎに、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部５１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 (Embodiment 5)
Next, an EUV light generation apparatus and a debris collection unit according to Embodiment 5 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment has a configuration similar to that of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, and the debris collection unit 16 is replaced with a debris collection unit 516. The other configuration is the same as the configuration shown in FIGS. 1 and 2, and therefore, redundant description is omitted here.

図１１は、本実施の形態５によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図１１では、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１１に示すように、デブリ回収部５１６は、図８に示すデブリ回収部４１６と同様の構成において、カップ状のポケット４１１の底部、すなわちイオン流ＦＬの入射面に、メッシュ部材５１１が設けられている。このメッシュ部材５１１には、たとえば図６に示すメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いることができる。したがって、メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材４０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。 FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the fifth embodiment. In FIG. 11, the cross-sectional structure at the time of cut | disconnecting a debris collection | recovery part by the surface containing the center of the magnetic force line of the magnetic field B is shown. As shown in FIG. 11, the debris collection unit 516 has a configuration similar to that of the debris collection unit 416 shown in FIG. ing. For this mesh member 511, for example, a member having the same structure as that of the mesh member 303 shown in FIG. 6 can be used. Therefore, the debris that has entered the mesh member 511 as the ion stream FL penetrates into the inside from the opening on the surface of the mesh member 511 and then penetrates into the porous member 402 disposed in contact with the incident surface on the opposite side. Thereby, the debris D1 is captured and stored in the porous member 402. Note that the mesh member 511 preferably has lower wettability than the porous member 402.

・変形例１
また、図１２は、本実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例１によるデブリ回収部５１６Ａは、図９に示すデブリ回収部４１６Ａと同様の構成に加え、図１１に示すデブリ回収部５１６と同様に、円錐台形状のポケット４１２の底部、すなわちイオン流ＦＬの入射面に、メッシュ部材５１１が設けられている。したがって、メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材４０２ａに染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ａの内部に捕捉される。なお、メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ａよりもぬれ性が低いことが好ましい。・ Modification 1
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the first modification of the fifth embodiment. The debris collection unit 516A according to the first modification has the same configuration as the debris collection unit 416A shown in FIG. 9 and, similarly to the debris collection unit 516 shown in FIG. A mesh member 511 is provided on the FL incident surface. Therefore, the debris that has entered the mesh member 511 as the ion flow FL penetrates into the inside from the opening on the surface of the mesh member 511, and then penetrates into the porous member 402a disposed in contact with the incident surface on the opposite side. Thereby, the debris D1 is captured inside the porous member 402a. Note that the mesh member 511 preferably has lower wettability than the porous member 402a.

・変形例２
また、図１３は、本実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例２によるデブリ回収部５１６Ｂは、図１０に示すデブリ回収部４１６Ｂと同様の構成に加え、図１１に示すデブリ回収部５１６および図１２に示すデブリ回収部５１６Ａと同様に、多孔質部材４０２ｂ内の空洞部４１４におけるイオン流ＦＬの入射面に、メッシュ部材５１１が設けられている。したがって、メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材４０２ｂに染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ｂの内部に捕捉される。なお、メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ｂよりもぬれ性が低いことが好ましい。・ Modification 2
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the second modification of the fifth embodiment. The debris collection unit 516B according to the second modification has the same configuration as the debris collection unit 416B shown in FIG. 10, and similarly to the debris collection unit 516 shown in FIG. 11 and the debris collection unit 516A shown in FIG. A mesh member 511 is provided on the incident surface of the ion flow FL in the cavity 414 in 402b. Accordingly, the debris that has entered the mesh member 511 as the ion flow FL penetrates into the inside from the opening on the surface of the mesh member 511 and then penetrates into the porous member 402b that is disposed in contact with the incident surface on the opposite side. Thereby, the debris D1 is trapped inside the porous member 402b. Note that the mesh member 511 preferably has lower wettability than the porous member 402b.

（実施の形態６）
つぎに、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部６１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 (Embodiment 6)
Next, an EUV light generation apparatus and a debris collection unit according to Embodiment 6 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In the EUV light generation apparatus according to the sixth embodiment, the debris collection unit 16 is replaced with a debris collection unit 616 in the same configuration as the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. The other configuration is the same as the configuration shown in FIGS. 1 and 2, and therefore, redundant description is omitted here.

図１４Ａは、本実施の形態６によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図１４Ａでは、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、デブリ回収部６１６は、円板状の多孔質部材６０２と、多孔質部材６０２に対してイオン流ＦＬが入射する面に設けられた円板状のメッシュ部材６０３と、を備える。多孔質部材６０２には、たとえば図４に示す多孔質部材１０２と同様の部材を用いることができる。また、メッシュ部材６０３には、たとえば図６に示すメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いることができる。したがって、メッシュ部材６０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材６０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材６０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材６０２の内部に捕捉される。なお、メッシュ部材６０３は、多孔質部材６０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。また、多孔質部材６０２の代わりに、板材を用いてもよい。この板材は、溶融したデブリに対してぬれ性が低いことが好ましい。 FIG. 14A is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the sixth embodiment. 14A shows a cross-sectional configuration when the debris collection unit is cut along a plane including the center of the magnetic field lines of the magnetic field B. FIG. FIG. 14B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 14A as viewed from the incident surface side of the ion flow. As shown in FIGS. 14A and 14B, the debris collection unit 616 includes a disk-shaped porous member 602 and a disk-shaped mesh member provided on the surface on which the ion flow FL is incident on the porous member 602. 603. For the porous member 602, for example, a member similar to the porous member 102 shown in FIG. 4 can be used. For the mesh member 603, for example, a member having the same structure as the mesh member 303 shown in FIG. 6 can be used. Therefore, the debris that has entered the mesh member 603 as the ion stream FL penetrates into the inside from the opening on the surface of the mesh member 603 and then penetrates into the porous member 602 that is disposed in contact with the entrance surface on the opposite side. Thereby, the debris D1 is captured inside the porous member 602. Note that the mesh member 603 preferably has lower wettability than the porous member 602. Further, instead of the porous member 602, a plate material may be used. This plate material preferably has low wettability with respect to molten debris.

また、デブリ回収部６１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３を、デブリであるＳｎが溶融する温度以上に温めるヒータ６０１を備える。したがって、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３は、温度コントローラ１０９が、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて電源１０８からヒータ６０１に流れる電流を制御することで、的確に目的の温度範囲（たとえばＳｎの融点（２３２℃）以上）内に制御される。 Moreover, the debris collection | recovery part 616 is provided with the heater 601 which heats the porous member 602 and the mesh member 603 more than the temperature which Sn which is debris melts. Therefore, in the porous member 602 and the mesh member 603, the temperature controller 109 controls the current flowing from the power source 108 to the heater 601 based on the temperature detected by the temperature sensor 211, so that the target temperature range (for example, It is controlled within the melting point of Sn (232 ° C. or higher).

多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３がＳｎの融点以上に温度調節されると、主に多孔質部材６０２内部に捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）は、溶融の状態を保つため、重力方向（図面中下方向）に向かって流れる。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方には、少なくともメッシュ部材６０３との接続部分が開口した回収容器６１０が設けられる。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から下方へ流れる溶融Ｓｎは、回収容器６１０に流れ込む。これにより、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に捕捉されたデブリＤ１が、デブリＤ２として回収容器６１０内に貯蔵される。 When the temperature of the porous member 602 and the mesh member 603 is adjusted to be higher than the melting point of Sn, Sn (debris D1) trapped inside the porous member 602 mainly keeps a molten state, so that the gravity direction (in the drawing) Flows downward). Below the porous member 602 and the mesh member 603, a collection container 610 having at least a connection portion with the mesh member 603 is provided. Molten Sn flowing downward from the porous member 602 and the mesh member 603 flows into the recovery container 610. Thereby, the debris D1 captured by the porous member 602 and the mesh member 603 is stored in the collection container 610 as the debris D2.

このように、デブリＤ１を捕捉するユニットとは別にデブリＤ２を蓄えるユニットを設けることで、たとえば多孔質部材またはメッシュ部材の内部にＳｎ（デブリＤ１）を貯蔵する場合と比較して、より多くのＳｎを貯蔵しておくことが可能となる。この結果、メンテナンスの回数を低減することができる。また、メッシュ部材６０３のぬれ性をたとえば多孔質部材６０２のぬれ性よりも低くすることで、回収容器６１０への溶融Ｓｎの流込みをスムーズにすることができる。なお、回収容器６１０には、内部のＳｎが溶融する温度に保つヒータ６１１が設けられてもよい。回収容器６１０をＳｎの溶融温度に保つことで、回収容器６１０内でのＳｎを液体に保ち容積効率を向上できる。 Thus, by providing a unit that stores debris D2 separately from the unit that captures debris D1, for example, more Sn (debris D1) is stored in a porous member or mesh member. It becomes possible to store Sn. As a result, the number of maintenance can be reduced. Further, by making the wettability of the mesh member 603 lower than the wettability of the porous member 602, for example, the flow of molten Sn into the recovery container 610 can be made smooth. The recovery container 610 may be provided with a heater 611 that maintains a temperature at which internal Sn melts. By maintaining the recovery container 610 at the melting temperature of Sn, Sn in the recovery container 610 can be kept in a liquid and volume efficiency can be improved.

・変形例１
また、図１５は、本実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例１によるデブリ回収部６１６Ａは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデブリ回収部６１６と同様の構成に加え、メッシュ部材６０３の入射面に、たとえばイオン流ＦＬの入射断面よりも幅広の開口６１３が開口された円筒状の多孔質部材６１２を備える。このように、イオン流ＦＬの入射面にイオン流ＦＬを受ける円筒状の多孔質部材６１２を設けることで、イオン流ＦＬの入射によって発生したスパッタ物が、多孔質部材６１２の開口内部の側面で捕捉される。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを防止できる。図１４Ａおよび図１４Ｂのデブリ回収部６１６におけるヒータ６０１は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に加えて多孔質部材６１２を温めることが可能なヒータ６０１ａに置き換えられてもよい。・ Modification 1
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the first modification of the sixth embodiment. In addition to the same configuration as the debris collection unit 616 shown in FIGS. 14A and 14B, the debris collection unit 616A according to the first modification example has an opening 613 wider on the incident surface of the mesh member 603 than the incident cross section of the ion flow FL, for example. Is provided with a cylindrical porous member 612 opened. In this manner, by providing the cylindrical porous member 612 that receives the ion flow FL on the incident surface of the ion flow FL, the sputtered matter generated by the incidence of the ion flow FL is caused on the side surface inside the opening of the porous member 612. Be captured. Thereby, it is possible to prevent the spatter from scattering into the chamber 10. The heater 601 in the debris collection unit 616 in FIGS. 14A and 14B may be replaced with a heater 601 a that can warm the porous member 612 in addition to the porous member 602 and the mesh member 603.

・変形例２
また、図１６は、本実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例２によるデブリ回収部６１６Ｂは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデブリ回収部６１６と同様の構成において、回収容器６１０がチャンバ１０外に配置される。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３と回収容器６１０との間には、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方から流れ出した溶融Ｓｎを回収容器６１０に導くためのドレイン管６２０が設けられる。このドレイン管６２０は、たとえばヒータ６２１によってＳｎの融点（２３２℃）以上に温められる。このような構成によれば、他の構成要素による占積制約の多いチャンバ１０内に回収容器６１０を配置する必要がなくなる。したがって、大容量の回収容器６１０をチャンバ１０外に設けることが可能となる。結果として、メンテナンスの回数を低減できる。・ Modification 2
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the second modification of the sixth embodiment. The debris collection unit 616B according to the second modification has the same configuration as the debris collection unit 616 shown in FIGS. 14A and 14B, and the collection container 610 is disposed outside the chamber 10. Between the porous member 602 and the mesh member 603 and the recovery container 610, a drain pipe 620 for guiding the molten Sn flowing out from below the porous member 602 and the mesh member 603 to the recovery container 610 is provided. This drain pipe 620 is heated to, for example, a melting point (232 ° C.) or higher of Sn by a heater 621. According to such a configuration, it is not necessary to arrange the collection container 610 in the chamber 10 where there are many space restrictions due to other components. Therefore, a large-capacity collection container 610 can be provided outside the chamber 10. As a result, the number of maintenance can be reduced.

・変形例３
また、図１７は、本実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例３によるデブリ回収部６１６Ｃは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデブリ回収部６１６と同様の構成において、回収容器６１０が、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から分離した回収容器６３０に置き換えられている。回収容器６３０は、チャンバ１０の内壁面において多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方に取り付けられる。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３で捕捉されたデブリＤ１（溶融Ｓｎ）は、主にメッシュ部材６０３から流れ出し、下方にある回収容器６３０にデブリＤ２として回収される。このような構成によれば、チャンバ１０内から回収容器６３０のみを取り出せばよいため、メンテナンスの手間を低減することが可能となる。・ Modification 3
FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the third modification of the sixth embodiment. The debris collection unit 616C according to the third modification has the same configuration as the debris collection unit 616 shown in FIGS. 14A and 14B, and the collection container 610 is replaced with a collection container 630 separated from the porous member 602 and the mesh member 603. ing. The collection container 630 is attached below the porous member 602 and the mesh member 603 on the inner wall surface of the chamber 10. The debris D1 (molten Sn) captured by the porous member 602 and the mesh member 603 mainly flows out from the mesh member 603 and is collected as debris D2 in the collection container 630 below. According to such a configuration, since only the collection container 630 needs to be taken out from the chamber 10, it is possible to reduce maintenance work.

（実施の形態７）
つぎに、本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部７１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。 (Embodiment 7)
Next, an EUV light generation apparatus and a debris collection unit according to Embodiment 7 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The EUV light generation apparatus according to the seventh embodiment has a configuration similar to that of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2, and the debris collection unit 16 is replaced with a debris collection unit 716. The other configuration is the same as the configuration shown in FIGS. 1 and 2, and therefore, redundant description is omitted here.

図１８Ａは、本実施の形態７によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図１８Ａでは、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示すデブリ回収部をイオン流ＦＬの入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図１８Ａおよび図１８Ｂに示すように、デブリ回収部７１６は、縦長な板状の多孔質部材７０２を備える。多孔質部材７０２には、たとえば図４に示す多孔質部材１０２と同様の部材を用いることができる。 FIG. 18A is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a debris collection unit according to the seventh embodiment. 18A shows a cross-sectional configuration when the debris collection unit is cut along a plane including the center of the magnetic field lines of the magnetic field B. FIG. FIG. 18B is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the debris collection unit illustrated in FIG. 18A as viewed from the incident surface side of the ion flow FL. As shown in FIGS. 18A and 18B, the debris collection unit 716 includes a vertically long plate-like porous member 702. For the porous member 702, for example, a member similar to the porous member 102 shown in FIG. 4 can be used.

多孔質部材７０２の長手方向における一方の端は、半円形状をしており、重力方向における上方に配置される。多孔質部材７０２における半円形状の部分を含む一部は、温度コントローラ１０９に接続された温度センサ２１１および電源１０８に接続されたヒータ７０１が設けられ、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて目的の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内の温度となるようにフィードバック制御される。したがって、多孔質部材７０２に捕捉されたＳｎのデブリＤ１は、溶融した状態を維持しつつ、重力方向の下方へ流れる。 One end of the porous member 702 in the longitudinal direction has a semicircular shape and is disposed above in the direction of gravity. A part of the porous member 702 including a semicircular portion is provided with a temperature sensor 211 connected to the temperature controller 109 and a heater 701 connected to the power source 108, and based on the temperature detected by the temperature sensor 211. Feedback control is performed so that the temperature is within a target temperature range (for example, 232 ° C. or higher and lower than 280 ° C.). Therefore, the Sn debris D1 captured by the porous member 702 flows downward in the gravitational direction while maintaining a molten state.

多孔質部材７０２における重力方向下方に配置される他方の端は、ヒータ７０１から下方へ突出する。この突出した部分は、多孔質部材７０２の上方で捕捉されたＳｎを貯蔵する貯蔵部７０２ａとして機能する。この貯蔵部７０２ａは、ヒータ７０１によって直接温められないため、Ｓｎの融点より低い温度となる。したがって、多孔質部材７０２の上方から流れ落ちてきた溶融Ｓｎは、貯蔵部７０２ａに流れ込んだ後に冷やされて固化する。これにより、Ｓｎが貯蔵部７０２ａにデブリＤ３として貯蔵される。 The other end of the porous member 702 disposed below the gravity direction projects downward from the heater 701. The protruding portion functions as a storage unit 702a that stores Sn captured above the porous member 702. Since the storage unit 702a is not directly heated by the heater 701, the storage unit 702a has a temperature lower than the melting point of Sn. Therefore, the molten Sn flowing down from above the porous member 702 is cooled and solidified after flowing into the storage portion 702a. Thereby, Sn is stored as debris D3 in the storage unit 702a.

（実施の形態８）
また、上述の実施の形態では、デブリ回収部におけるイオン流ＦＬの入射部分を、多孔質部材やメッシュ部材などのデブリを液体として浸透させる部材で構成した。しかし、本開示は、これに限定されるものではない。たとえば、イオン流ＦＬの入射部分にデブリを浸透させない部材を配置してもよい。この部材は、溶融したデブリに対して濡れ性の低い材料で形成されていることが好ましい。以下、この場合を実施の形態８として、図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下の説明では、上述した実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部をベースとする。また、上述した実施の形態およびその変形例のいずれに対しても本実施の形態８を適用することは可能である。 (Embodiment 8)
Further, in the above-described embodiment, the incident portion of the ion flow FL in the debris collection unit is configured with a member that permeates debris such as a porous member or a mesh member as a liquid. However, the present disclosure is not limited to this. For example, a member that does not allow debris to penetrate into the incident portion of the ion flow FL may be disposed. This member is preferably made of a material having low wettability with respect to molten debris. Hereinafter, this case will be described in detail as an eighth embodiment with reference to the drawings. However, the following description is based on the debris collection unit according to Modification 2 of Embodiment 6 described above. Furthermore, the eighth embodiment can be applied to any of the above-described embodiments and modifications thereof.

図１９Ａは、磁場Ｂの磁力線の中心と重力方向とを含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１９Ｂは、図１９Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す。 FIG. 19A shows a cross-sectional configuration when the debris collection unit is cut along a plane including the center of the magnetic field lines of the magnetic field B and the direction of gravity. FIG. 19B shows a schematic configuration of the debris collection unit shown in FIG. 19A as viewed from the incident surface side of the ion flow.

図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、本実施の形態８によるデブリ回収部８１６は、図１６に示すデブリ回収部６１６Ｂと同様の構成を備える。ただし、デブリ回収部８１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３（図１６参照）の代わりに、板材８０２を備える。板材８０２は、たとえばホルダ８０１に保持されている。また、板材８０２の表面には、被膜８０３が形成されている。 As shown in FIGS. 19A and 19B, the debris collection unit 816 according to the eighth embodiment has the same configuration as the debris collection unit 616B shown in FIG. However, the debris collection unit 816 includes a plate member 802 instead of the porous member 602 and the mesh member 603 (see FIG. 16). The plate material 802 is held by a holder 801, for example. A coating 803 is formed on the surface of the plate material 802.

板材８０２には、熱伝導率が高い、たとえば銅などの金属材料、または、ＳｉＣ等のセラミック材料を用いるのが好ましい。被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、対スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。また、被膜８０３の材料はデブリ（本実施の形態ではＳｎ）との反応性が低いことが好ましい。さらに、デブリをクリーニングするために水素等の反応性ガスをチャンバ１０内に導入する場合は、被膜８０３の材料と反応性ガスとの反応性が低いことが好ましい。このような材料には、ＳｉＣやカーボン（Ｃ）などが挙げられる。材料にＳｉＣを用いた場合には、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて被膜８０３を形成することができる。また、被膜８０３の表面は、成膜したのみで研磨されていないか、ある程度荒いことが好ましい。 The plate member 802 is preferably made of a metal material having high thermal conductivity, such as copper, or a ceramic material such as SiC. For the coating 803, for example, it is preferable to use a material that has low wettability with respect to molten debris and has excellent sputtering properties. The material of the film 803 is preferably low in reactivity with debris (Sn in this embodiment). Further, when a reactive gas such as hydrogen is introduced into the chamber 10 for cleaning the debris, it is preferable that the reactivity between the material of the coating 803 and the reactive gas is low. Examples of such a material include SiC and carbon (C). In the case where SiC is used as the material, the coating 803 can be formed using CVD (Chemical Vapor Deposition). Further, it is preferable that the surface of the film 803 is not polished but is rough to some extent only after being formed.

また、デブリ回収部８１６の温度は、イオン流ＦＬの衝突によって上昇する。被膜８０３の表面は、デブリであるＳｎが溶融する温度以上であることが好ましい。しかしながら、必要以上に温度が高すぎると、表面に付着したＳｎがスパッタリングされ易くなる場合がある。このため、被膜８０３の表面温度は、所定の範囲内に収まるように調節されることが好ましい。そこで本実施の形態８では、図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、デブリ回収部８１６に冷却器８０８を設ける。冷却器８０８には、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの冷却媒体が流れる管８０９が連結されている。管８０９の一部は、板材８０２の内部または裏面を通るように配管されている。この管８０９に冷却器８０８で冷却された冷却媒体を流すことで、被膜８０３表面の温度が高くなりすぎないように、板材８０２を冷却することができる。なお、この冷却器８０８および管８０９は、上述したいずれの実施の形態に対しても適用することができる。 Further, the temperature of the debris collection unit 816 rises due to the collision of the ion flow FL. The surface of the coating 803 is preferably at or above the temperature at which Sn as debris melts. However, if the temperature is excessively higher than necessary, Sn attached to the surface may be easily sputtered. For this reason, it is preferable that the surface temperature of the coating 803 is adjusted so as to be within a predetermined range. Thus, in the eighth embodiment, as shown in FIGS. 19A and 19B, a cooler 808 is provided in the debris collection unit 816. The cooler 808 is connected to a pipe 809 through which a cooling medium such as cooled silicon oil or organic compound liquid flows. A part of the pipe 809 is piped so as to pass through the inside or the back surface of the plate member 802. By flowing the cooling medium cooled by the cooler 808 through the pipe 809, the plate material 802 can be cooled so that the surface temperature of the coating 803 does not become too high. The cooler 808 and the pipe 809 can be applied to any of the above-described embodiments.

温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１で検出された温度がたとえば予め設定しておいた第１の閾値温度を超えると、冷却器８０８を駆動することで、管８０９内に冷却された冷却媒体を送り出す。これにより、板材８０２が冷却される。結果として、板材８０２表面に形成された被膜８０３が冷却される。管８０９内への冷却媒体の送出は、たとえば温度センサ２１１で検出された温度が予め設定しておいた第２の閾値温度を下回るまで継続される。なお、第２の閾値温度（＜第１の閾値温度）は、たとえばターゲット物質（Ｓｎ）の溶融温度とすることができる。なお、冷却器８０８に代えて、加熱冷却が可能な恒温サーキュレータ等を用いてもよい。 When the temperature detected by the temperature sensor 211 exceeds a preset first threshold temperature, for example, the temperature controller 109 drives the cooler 808 to send out the cooled cooling medium into the pipe 809. . Thereby, the plate material 802 is cooled. As a result, the coating 803 formed on the surface of the plate material 802 is cooled. Delivery of the cooling medium into the pipe 809 is continued until, for example, the temperature detected by the temperature sensor 211 falls below a preset second threshold temperature. Note that the second threshold temperature (<first threshold temperature) can be, for example, the melting temperature of the target material (Sn). Instead of the cooler 808, a constant temperature circulator capable of heating and cooling may be used.

以上のような構成および動作を備えることで、本実施の形態８では、イオン流ＦＬが衝突する被膜８０３の表面温度がデブリ（Ｓｎ）の溶融温度以上に保たれる。また、被膜８０３の表面は、溶融したデブリに対するぬれ性が低い。このため、被膜８０３表面に付着したデブリは、溶融した状態で自重により重力方向下方へ流れる。デブリの流れた先には、図１６に示す構成と同様に、ドレイン管６２０が設けられている。ドレイン管６２０の先には、回収容器６１０が設けられている。したがって、重力方向下方へ流れるデブリは、ドレイン管６２０を通って回収容器６１０に回収される。 By providing the configuration and operation as described above, in the eighth embodiment, the surface temperature of the coating 803 on which the ion flow FL collides is maintained at or above the melting temperature of debris (Sn). Further, the surface of the coating 803 has low wettability with respect to molten debris. For this reason, the debris adhering to the surface of the coating 803 flows downward in the gravity direction by its own weight in a molten state. A drain pipe 620 is provided at the tip of the debris flow similarly to the configuration shown in FIG. A recovery container 610 is provided at the tip of the drain pipe 620. Therefore, debris that flows downward in the gravitational direction is collected in the collection container 610 through the drain pipe 620.

（実施の形態９）
つづいて、実施の形態８で例示した被膜８０３の材料について、以下により具体的に説明する。なお、実施の形態８における板材８０２を、以下に例示するような濡れ性の低い材料で形成してもよい。この場合、板材８０２の表面には、被膜８０３を形成しなくともよい。すなわち、デブリの入射面に、以下に例示するような濡れ性の低い材料が配置されていればよい。 (Embodiment 9)
Next, the material of the film 803 exemplified in Embodiment 8 will be described more specifically below. Note that the plate member 802 in Embodiment 8 may be formed using a material with low wettability as exemplified below. In this case, the coating 803 is not necessarily formed on the surface of the plate member 802. That is, a material with low wettability as exemplified below may be disposed on the incident surface of the debris.

上述の実施の形態８において触れたように、被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。一般に、接触角度θが０°＜θ≦９０°の材料は、浸漬濡れの特性を備える。そのため、そのような材料で被膜８０３を形成した場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、被膜８０３内に浸漬して沈み込む。一方、接触角度θがθ＞９０°の材料は、付着濡れの特性を備える。そのため、そのような材料で被膜８０３を形成した場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、濡れが進行しないまま、被膜８０３の表面に留まる。濡れが進行しないので、付着したデブリはやがて自重により重力方向下方へ移動する。 As described in the eighth embodiment, it is preferable to use a material having low wettability with respect to molten debris and excellent sputtering resistance, for example, for the coating 803. In general, a material having a contact angle θ of 0 ° <θ ≦ 90 ° has immersion wet characteristics. Therefore, when the coating 803 is formed using such a material, debris attached to the surface of the coating 803 is immersed in the coating 803 and sinks. On the other hand, a material having a contact angle θ of θ> 90 ° has adhesion wetting characteristics. Therefore, when the coating 803 is formed using such a material, debris attached to the surface of the coating 803 remains on the surface of the coating 803 without being wetted. Since wetting does not proceed, the attached debris eventually moves downward in the direction of gravity due to its own weight.

以下の表２に、上述の実施の形態において例示したデブリである溶融Ｓｎに対する接触角度と材料との関係を示す。 Table 2 below shows the relationship between the contact angle and the material for molten Sn, which is the debris exemplified in the above embodiment.

表２を参照すると明らかなように、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）は、接触角度がθ＞９０°であり、溶融Ｓｎに対する濡れ性が低い。そのため、これらの材料は、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であろう。 As is apparent from Table 2, silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), zirconium oxide (ZrO ₃ ), graphite, diamond, silicon oxide (SiOx) and molybdenum oxide (MoOx) has a contact angle of θ> 90 ° and low wettability with respect to molten Sn. Therefore, these materials will be suitable as materials for the coating 803 and the plate member 802.

また、上記表２に例示する材料以外にも、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）は、酸化処理することによって溶融Ｓｎに対する濡れ性が低くなる。そのため、これらの材料も、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であろう。 In addition to the materials exemplified in Table 2, molybdenum (Mo), tungsten (W), and tantalum (Ta) have low wettability with respect to molten Sn when oxidized. Therefore, these materials may be suitable as materials for the coating 803 and the plate material 802.

次に、溶融Ｓｎと各種材料との反応性について、以下に述べる。一般に、高融点材料であるタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）などは、Ｓｎに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、Ｓｎとの反応性が低い。 Next, the reactivity between molten Sn and various materials will be described below. In general, tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), and the like, which are high melting point materials, have stable characteristics with respect to Sn. That is, these materials have low reactivity with Sn.

また、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯタングステン）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）は、溶融Ｓｎに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、溶融Ｓｎとの反応性が低い。 Silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), zirconium oxide (ZrO tungsten), graphite, diamond, silicon oxide (SiOx), and molybdenum oxide (MoOx) are melted into Sn. On the other hand, it has stable characteristics. That is, these materials have low reactivity with molten Sn.

さらに、酸化タングステン（ＷＯ_３）および酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）に関しても、溶融Ｓｎに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、溶融Ｓｎとの反応性が低い。 Furthermore, tungsten oxide (WO ₃ ) and tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ) also have stable characteristics against molten Sn. That is, these materials have low reactivity with molten Sn.

以上のことから、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化タングステン（ＷＯ_３）または酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）を、被膜８０３および板材８０２の材料とするとよい。あるいは、これらの材料のうち１つ以上を含む材料を、被膜８０３および板材８０２の材料とするとよい。 From the above, silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), zirconium oxide (ZrO ₃ ), graphite, diamond, silicon oxide (SiOx), molybdenum oxide (MoOx), oxidation Tungsten (WO ₃ ) or tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ) may be used as the material for the coating 803 and the plate member 802. Alternatively, a material including one or more of these materials may be used as the material of the coating 803 and the plate material 802.

また、デブリに対するスパッタ率が低いという観点からは、炭素（Ｃ）を被膜８０３および板材８０２の材料とすることも考え得る。 From the viewpoint of a low sputtering rate for debris, it is also conceivable to use carbon (C) as a material for the coating 803 and the plate material 802.

なお、上述において例示したような濡れ性の低い材料は、上述の実施の形態１〜７で例示した各デブリ回収部（１６、２１６、２１６Ａ、３１６、３１６Ａ、４１６、４１６Ａ、４１６Ｂ、５１６、５１６Ａ、５１６Ｂ、６１６、６１６Ａ、６１６Ｂ、６１６Ｃ、７１６、８１６）におけるデブリが入射する部分に対しても適用することが可能である。なお、デブリが入射する部分とは、たとえば、デブリの回収部である、多孔質部材１０２、メッシュ部材２０２、多孔質部材４０２、多孔質部材４０２ａ、多孔質部材４０２ｂ、多孔質部材６０２および多孔質部材７０２、または、これらの回収部のスパッタを防止するためのスパッタ防止部である、メッシュ部材３０３、多孔質部材３０４、メッシュ部材５１１、メッシュ部材６０３および多孔質部材６１２である。 In addition, the material with low wettability as exemplified above is the debris collection unit (16, 216, 216A, 316, 316A, 416, 416A, 416B, 516, 516A) exemplified in the above-described first to seventh embodiments. 516B, 616, 616A, 616B, 616C, 716, 816) can also be applied to a portion where debris enters. The portion where the debris is incident is, for example, a porous member 102, a mesh member 202, a porous member 402, a porous member 402a, a porous member 402b, a porous member 602, and a porous member, which are debris collection portions. The mesh member 303, the porous member 304, the mesh member 511, the mesh member 603, and the porous member 612 are the member 702 or a spatter preventing portion for preventing the spattering of these collecting portions.

上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。 The above-described embodiments and modifications thereof are merely examples for carrying out the present disclosure, and the present disclosure is not limited thereto, and various modifications may be made according to specifications and the like within the scope of the present disclosure. Furthermore, it is obvious from the above description that various other embodiments are possible within the scope of the present disclosure. For example, it is needless to say that the modification examples illustrated as appropriate for each embodiment can be applied to other embodiments.

１ＥＵＶ光生成装置
１０チャンバ
１１ウィンドウ
１２ＥＵＶ集光ミラー
１２ａ貫通孔
１３ドロップレットジェネレータ
１３ａノズル
１４ターゲット回収部
１５磁場生成部
１５ａ電磁石コイル
１６、２１６、２１６Ａ、３１６、４１６、４１６Ａ、４１６Ｂ、５１６、５１６Ａ、５１６Ｂ、６１６、６１６Ａ、６１６Ｂ、６１６Ｃ、７１６、８１６デブリ回収部
１９露光機接続部
１０１、６０１、６０１ａ、６１１、６２１、７０１ヒータ
１０２、３０４、４０２、４０２ａ、４０２ｂ、６０２、６１２、７０２多孔質部材
１０８電源
１０９温度コントローラ
２０２、３０３、５１１、６０３メッシュ部材
２１１温度センサ
４１１、４１２ポケット
４１３開口部
４１４空洞部
６１０、６３０回収容器
６１３開口
６２０ドレイン管
７０２ａ貯蔵部
８０１ホルダ
８０２板材
８０３被膜
８０８冷却器
８０９管
ＡＸ中心軸
Ｂ磁場
Ｄドロップレット
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３デブリ
ＦＬイオン流
ＩＦ中間集光点
Ｌ１レーザ光
Ｌ２ＥＵＶ光
Ｐ１プラズマ生成サイト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 EUV light generation apparatus 10 Chamber 11 Window 12 EUV condensing mirror 12a Through-hole 13 Droplet generator 13a Nozzle 14 Target collection | recovery part 15 Magnetic field generation | occurrence | production part 15a Electromagnetic coil 16, 216, 216A, 316, 416, 416A, 416B, 516, 516A, 516B, 616, 616A, 616B, 616C, 716, 816 Debris collection unit 19 Exposure unit connection unit 101, 601, 601a, 611, 621, 701 Heater 102, 304, 402, 402a, 402b, 602, 612, 702 Porous member 108 Power supply 109 Temperature controller 202, 303, 511, 603 Mesh member 211 Temperature sensor 411, 412 Pocket 413 Opening 414 Cavity 610, 630 Collection container 613 Opening 620 drain tube 702a storage unit 801 holder 802 plate material 803 coating 808 cooler 809 tube AX central axis B magnetic field D droplets D1, D2, D3 debris FL ion flow IF intermediate condensing point L1 laser light L2 EUV light P1 plasma generation site

Claims

レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、
前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、
を備え、
前記回収部は、ポーラス材料を含み、
前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成される、
チャンバ装置。 A chamber apparatus used together with a laser system and a condensing optical system for condensing laser light output from the laser system,
A chamber having an entrance for introducing the laser beam into the interior;
A target supply system attached to the chamber and supplying a target material to a predetermined region in the chamber;
A collection unit disposed in the chamber and for collecting charged particles generated by irradiating the target material with the laser beam in the chamber;
A spatter preventing unit disposed on an incident side of the charged particles of the collecting unit;
Equipped with a,
The collection unit includes a porous material,
The spatter prevention unit is formed of a material having lower wettability with respect to the target material in a molten state than the recovery unit.
Chamber device.

レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、A chamber apparatus used together with a laser system and a condensing optical system for condensing laser light output from the laser system,
前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、A chamber having an entrance for introducing the laser beam into the interior;
前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、A target supply system attached to the chamber and supplying a target material to a predetermined region in the chamber;
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、A collection unit disposed in the chamber and for collecting charged particles generated by irradiating the target material with the laser beam in the chamber;
前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、A spatter preventing unit disposed on an incident side of the charged particles of the collecting unit;
を備え、With
前記回収部は、ポーラス材料を含み、The collection unit includes a porous material,
前記回収部の前記帯電粒子の入射側に凹部が形成され、A concave portion is formed on the incident side of the charged particles of the recovery unit,
前記凹部の底部に前記スパッタ防止部が配置され、The spatter prevention unit is disposed at the bottom of the recess,
前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成される、The spatter prevention unit is formed of a material having lower wettability with respect to the target material in a molten state than the recovery unit.
チャンバ装置。Chamber device.

前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するための温度調節部をさらに備える、請求項１または２に記載のチャンバ装置。 The chamber apparatus according to claim 1, further comprising a temperature adjusting unit for maintaining at least a part of the recovery unit within a predetermined temperature range.

前記温度調節部は、
前記回収部を加熱する加熱部と、
前記加熱部に電力を供給する電源と、
前記回収部の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサで検出された温度に基づいて前記電源を制御して、前記回収部の少なくとも一部の温度を前記所定の温度範囲内に維持する温度制御部と、
を含む、請求項３記載のチャンバ装置。 The temperature control unit is
A heating unit for heating the recovery unit;
A power source for supplying power to the heating unit;
A temperature sensor for detecting the temperature of the recovery unit;
A temperature control unit that controls the power supply based on the temperature detected by the temperature sensor and maintains the temperature of at least a part of the recovery unit within the predetermined temperature range;
The chamber apparatus of Claim 3 containing this.

前記所定の温度範囲は、前記ターゲット物質の融点以上の温度であり、かつ前記ターゲット物質と前記ポーラス材料とが反応する温度未満の範囲である、請求項４記載のチャンバ装置。 The chamber apparatus according to claim 4, wherein the predetermined temperature range is a temperature equal to or higher than a melting point of the target material and less than a temperature at which the target material reacts with the porous material.

前記回収部の重力方向下部に配置され、前記回収部で回収されたターゲット物質を貯蔵するための回収容器をさらに備える、請求項３記載のチャンバ装置。 The chamber apparatus according to claim 3, further comprising a recovery container disposed in a lower part of the recovery unit in the direction of gravity and storing the target material recovered by the recovery unit.

前記回収部の重力方向下方に離間して配置され、前記回収部で回収されたターゲット物質を貯蔵するための回収容器と、
前記回収部と前記回収容器との間に配置され、前記回収部から流出するターゲット物質を前記回収容器まで導くためのドレイン管と、
前記ドレイン管を前記ターゲット物質の融点以上の温度に維持するためのドレイン管加熱部と、
をさらに備える、請求項３記載のチャンバ装置。 A collection container for storing the target material collected in the collection unit, spaced apart below the collection unit in the direction of gravity;
A drain pipe disposed between the recovery part and the recovery container for guiding the target material flowing out of the recovery part to the recovery container;
A drain tube heating unit for maintaining the drain tube at a temperature equal to or higher than the melting point of the target material;
The chamber apparatus according to claim 3, further comprising:

前記回収部には、該回収部に入射した前記帯電粒子によって発生したスパッタ物がチャンバ内に飛散するのを防止するための飛散防止部が形成される、請求項１または２に記載のチャンバ装置。 The chamber apparatus according to claim 1, wherein the recovery unit is formed with a scattering prevention unit for preventing spatter generated by the charged particles incident on the recovery unit from scattering into the chamber. .

前記回収部における前記帯電粒子の入射面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくともいずれか１つを含む材料で形成される、請求項１または２に記載のチャンバ装置。 The incident surface of the charged particles in the recovery unit includes at least one of silicon carbide, silicon nitride, aluminum oxide, zirconium oxide, graphite, diamond, silicon oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, and carbon. The chamber apparatus according to claim 1, wherein the chamber apparatus is formed of a material.

前記温度調節部は、
前記回収部を冷却する冷却器と、
前記回収部の温度を検出する温度センサと、
を備える、請求項１０に記載のチャンバ装置。 The temperature control unit is
A cooler for cooling the recovery unit;
A temperature sensor for detecting the temperature of the recovery unit;
The chamber apparatus according to claim 10, comprising:

前記温度調節部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器を制御する、請求項１１に記載のチャンバ装置。 The chamber apparatus according to claim 11, wherein the temperature adjusting unit controls the cooler based on a temperature detected by the temperature sensor.

前記回収部における前記帯電粒子の入射面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくともいずれか１つを含む材料で形成される、請求項１０に記載のチャンバ装置。 The incident surface of the charged particles in the recovery unit includes at least one of silicon carbide, silicon nitride, aluminum oxide, zirconium oxide, graphite, diamond, silicon oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, and carbon. The chamber apparatus according to claim 10, wherein the chamber apparatus is formed of a material.