JP5714090B1 - 半導体装置用フィルムロール、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ダイシングフィルム付き接着フィルムが所定の間隔をおいてセパレータ上に積層された半導体装置用フィルムをロール状に巻き取った際の接着フィルムへの転写痕を抑制することが可能な半導体装置用フィルムロールを提供すること。【解決手段】 半導体装置用フィルムが円柱状の巻き芯にロール状に巻き取られた半導体装置用フィルムロールであって、半導体装置用フィルムは、ダイシングフィルムと接着フィルムとが積層されたダイシングフィルム付き接着フィルムが、所定の間隔をおいてセパレータ上に積層された構成を有しており、セパレータの２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上である半導体装置用フィルムロール。【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置用フィルムロール、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置に関する。

従来、半導体装置の製造の際における基板や電極部材への半導体チップの固定には、銀ペーストが用いられている。かかる固定処理は、半導体チップ又はリードフレームにペースト状接着剤を塗工し、ペースト状接着剤を介して半導体チップを基板に搭載し、最後にペースト状接着剤層を硬化させて行っている。

しかしながら、ペースト状接着剤では塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じて均一化が困難となったり、塗布に特殊装置や長時間を必要としたりする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固定用の接着フィルムをも付与するダイシングフィルム付き接着フィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この種のダイシングフィルム付き接着フィルムは、ダイシングフィルム上にダイボンドフィルム（接着フィルム）が積層された構造を有している。また、ダイシングフィルムは支持基材上に粘着剤層が積層された構造である。このダイシングフィルム付き接着フィルムは次のようにして使用される。すなわち、接着フィルムによる保持下に半導体ウェハ及び接着フィルムをダイシングした後、支持基材を延伸して半導体チップを接着フィルムと共に剥離しこれを個々に回収する。さらに、半導体チップを、接着フィルムを介して、ＢＴ基板やリードフレーム等の被着体に接着固定させる。半導体チップを多段階に積層する場合は、接着フィルムを介して固定した半導体チップ上に、さらに接着フィルム付きの半導体チップを接着固定する。

上述したダイシングフィルム付き接着フィルムとしては、半導体ウェハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性考慮して、貼り付ける半導体ウェハの形状（例えば、円形状）に予め加工しておく、プリカット加工が施されたものが存在する。

このようなダイシングフィルム付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルムに、円形状に打ち抜かれた接着フィルムを貼り合わせた後、リングフレームに対応した円形状にダイシングフィルムを打ち抜いて製造される。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に、ダイシングフィルムの外周部にリングフレームを貼り付けて、ダイシングフィルム付き接着フィルムを固定することができるようになる。

プリカット加工されたダイシングフィルム付き接着フィルムは、長尺のセパレータに所定の間隔をおいて貼り付けられた後、ロール状に巻回され、半導体装置用フィルムロールとして輸送や保管が行われる。

特開２０１０−０７４１４４号公報

しかしながら、上述した半導体装置用フィルムロールの場合、ダイシングフィルム付き接着フィルムが積層されている部分の厚みは、積層されていない部分の厚みよりも厚くなる。そのため、１の接着フィルムに、他の接着フィルムのエッジが押し当てられて巻き跡が転写され、接着フィルムの平滑性が損なわれる場合があった。そして、このような転写痕を有し、平滑性に欠陥のある接着フィルムが半導体ウェハ等の被着体に貼り付けられると、半導体ウェハと被着体との間にボイド（気泡）が発生することとなる。このようなボイドは、製造される半導体装置の歩留りを低下させるおそれがある。

本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダイシングフィルム付き接着フィルムが所定の間隔をおいてセパレータ上に積層された半導体装置用フィルムをロール状に巻き取った際の接着フィルムへの転写痕を抑制することが可能な半導体装置用フィルムロール、及び、その用途を提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置用フィルムロールについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、接着フィルムへの転写痕を抑制することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る半導体装置用フィルムロールは、半導体装置用フィルムが円柱状の巻き芯にロール状に巻き取られた半導体装置用フィルムロールであって、
前記半導体装置用フィルムは、ダイシングフィルムと接着フィルムとが積層されたダイシングフィルム付き接着フィルムが、所定の間隔をおいてセパレータ上に積層された構成を有しており、
前記セパレータの２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体装置用フィルムロール。

前記構成によれば、セパレータの２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であり、比較的硬いため、セパレータを介して、１の接着フィルムに、他の接着フィルムのエッジが押し当てられて巻き跡が転写されることを抑制することができる。

前記構成においては、前記接着フィルムの厚さが、８０〜１５０μｍであることが好ましい。

前記接着フィルムの厚さが、８０μｍ以上と比較的厚い場合、ロール状に巻いた際の転写痕はつき易い。しかしながら、前記セパレータの２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であるため、接着フィルムの厚さが８０μｍ以上であっても、転写痕は充分に抑制される。また、前記接着フィルムの厚さが、１５０μｍ以下であると、接着フィルムのエッジが過度に他の接着フィルムに押し当てられて巻き跡が転写されることを防止できる。

前記構成において、前記接着フィルムは、被着体上に固定された第１半導体素子を包埋し、かつ該第１半導体素子とは異なる第２半導体素子を被着体に固定するためのものでることが好ましい。

前記接着フィルムが、被着体上に固定された第１半導体素子を包埋し、かつ該第１半導体素子とは異なる第２半導体素子を被着体に固定するためのものである場合、ある程度の厚みが必要となる。しかしながら、前記セパレータの２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であるため、接着フィルムがある程度厚みを有する場合であっても、転写痕は充分に抑制される。

前記構成において、前記セパレータの厚さが、１０〜６０μｍであることが好ましい。

前記セパレータの厚さが１０μｍ以上であると、セパレータを介した巻き跡の転写がより抑制できる。一方、前記セパレータの厚さが６０μｍ以下であると、半導体装置用フィルムロールの径の増大を抑制できる。

前記構成において、前記接着フィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下であることが好ましい。

前記接着フィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であると、ダイシング後ピックアップ前の時点で、隣接する接着フィルム付き半導体素子の接着フィルム同士が、再融着することを防ぐことができる。一方、前記接着フィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が１００００ＭＰａ以下であると、接着フィルムとしての柔軟性を付与することができる。

前記構成において、前記接着フィルムは、無機充填剤を含み、前記無機充填剤の含有量が１０〜８０重量％であることが好ましい。

前記接着フィルムが所定量の無機充填剤を含むことで、包埋容易性、はみ出し防止性、作業容易性をより高いレベルで発揮することができる。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
第１半導体素子が固定された被着体を準備する被着体準備工程、
請求項１〜７のいずれか１に記載の半導体装置用フィルムロールから、ダイシングフィルム付き接着フィルムを剥離する剥離工程、
剥離したダイシングフィルム付き接着フィルムの接着フィルムと半導体ウェハとを貼り合わせる貼合せ工程、
前記半導体ウェハ及び接着フィルムをダイシングして第２半導体素子を形成するダイシング工程、
前記第２半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップするピックアップ工程、及び、
前記第２半導体素子とともにピックアップした接着フィルムにより、前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を該被着体に固定する固定工程を含むことを特徴とする。

前記構成によれば、前記半導体装置用フィルムロールから、剥離したダイシングフィルム付き接着フィルムを使用するため、接着フィルムへの転写痕が抑制されている。従って、当該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いて製造される半導体装置の歩留りを向上させることができる。

前記構成において、前記接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さＴ_１より厚い厚さＴを有し、前記被着体と前記第１半導体素子とがワイヤーボンディング接続され、かつ前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差が４０μｍ以上２６０μｍ以下であることが好ましい。

また、前記構成おいて、前記接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さＴ_１より厚い厚さＴを有し、前記被着体と前記第１半導体素子とがフリップチップ接続され、かつ前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

これにより、好適に第１半導体素子を包埋することができる。

本発明には、当該半導体装置の製造方法により得られる半導体装置も含まれる。

本実施形態に係る半導体装置用フィルムロールの概略を表す斜視図である。 （ａ）は、巻き芯に巻き取る前の半導体装置用フィルムの概略を示す平面図であり、（ｂ）は、その部分断面図である。 図１の拡大部分断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、半導体装置用フィルムの製造過程を説明するための概略図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。

本実施形態に係る半導体装置用フィルムロールについて、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。

図１は、本実施形態に係る半導体装置用フィルムロールの概略を表す斜視図である。

図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置用フィルムロール１０は、円柱状の巻き芯１２に半導体装置用フィルム２０がロール状に巻き取られたものである。半導体装置用フィルム２０の巻き取りは、巻き取るべき半導体装置用フィルム２０の巻き始めの端縁（セパレータ２２の端縁（図２（ａ）参照））を巻き芯１２に接着し、その後、巻き芯１２を巻取方向に回転させることにより行われる。

半導体装置用フィルム２０の巻き取りは、半導体装置用フィルム２０に巻き取り張力を加えながら行なうことが好ましい。巻き取り張力としては、好ましくは、２０〜１００Ｎ／ｍ、より好ましくは２５〜９０Ｎ／ｍ、さらに好ましくは３０〜８０Ｎ／ｍとすることができる。巻き取り張力を２０Ｎ／ｍ以上にすると、半導体装置用フィルム２０に歪みに起因した皺や、巻き端面の乱れの発生を防止することができる。その一方、巻き取り張力を１００Ｎ／ｍ以下にすると、半導体装置用フィルム２０に過度な張力が加わり伸長するのを防止することができる。

図２（ａ）は、巻き芯に巻き取る前の半導体装置用フィルムの概略を示す平面図であり、図２（ｂ）は、その部分断面図である。半導体装置用フィルム２０は、複数のダイシングフィルム付き接着フィルム３０が所定の間隔をおいてセパレータ２２上に積層された構成を有している。ダイシングフィルム付き接着フィルム３０は、ダイシングフィルム３２上に接着フィルム４０が積層された構造を有している。ダイシングフィルム３２は、基材３３上に粘着剤層３４が積層された構造を有している。

図３は、図１の拡大部分断面図である。図３に示すように、ロール状に巻回された半導体装置用フィルム２０には、ダイシングフィルム付き接着フィルム３０が積層されている部分と、積層されていない部分とに段差１９が存在する。また、セパレータ２２上の複数のダイシングフィルム付き接着フィルム３０は、互いに横方向にずれながら積層されている。そのため、セパレータ２２を介して、１のダイシングフィルム付き接着フィルム３０に、他のダイシングフィルム付き接着フィルム３０のエッジが押し当てられている。

セパレータ２２の２５℃での引張貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上であり、１ＧＰａ〜１０ＧＰａの範囲内が好ましく、１ＧＰａ〜５ＧＰａの範囲内がより好ましい。セパレータ２２の２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であり、比較的硬いため、セパレータ２２を介して、１の接着フィルム４０に、他の接着フィルム４０のエッジが押し当てられて巻き跡が転写されることを抑制することができる。また、セパレータ２２の２５℃での引張貯蔵弾性率を１０ＧＰａ以下にすることにより、接着フィルム４０のセパレータ２２のへの貼り合わせの際にセパレータ２２に折れが発生することをより抑制することができ、接着フィルム４０を傷つけたり、フィルム間に気泡が混入することを防止することができる。貯蔵弾性率の測定方法は実施例記載の通りである。

半導体装置用フィルム２０では、セパレータ２２上に積層されているダイシングフィルム付き接着フィルム３０の枚数が３５０枚以下であることが好ましく、３００枚以下がより好ましく、２００枚以下がさらに好ましい。半導体装置用フィルム２０は、上述の通り、ある程度の張力を加えながらロール状に巻き取られる。そのため、巻き数が多いと、下層の接着フィルム４０（はじめの方に巻かれた接着フィルム４０）ほど大きな圧力が加わる。
そこで、セパレータ２２上に積層されているダイシングフィルム付き接着フィルム４０の枚数を３５０枚以下とすれば、下層の接着フィルム４０に大きな圧力が加わることを防止できる。その結果、接着フィルム４０への転写痕を抑制することができる。

半導体装置用フィルムロール１０の直径ｒ２は、２５０ｍｍ以下であることが好ましく、２３０ｍｍ以下であることがより好ましく、２００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。半導体装置用フィルムロール１０の直径ｒ２が２５０ｍｍ以下であると、下層の接着フィルム４０に加わる圧力をより小さくすることができる。

接着フィルム４０の厚さは、８０〜１５０μｍであることが好ましく、９０〜１４０μｍであることがより好ましく、１００〜１３０μｍであることがさらに好ましい。接着フィルム４０の厚さが、８０μｍ以上と比較的厚い場合、ロール状に巻いた際の転写痕はつき易い。しかしながら、セパレータ２２の２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であるため、接着フィルム４０の厚さが８０μｍ以上であっても、転写痕は充分に抑制される。また、接着フィルム４０の厚さが、１５０μｍ以下であると、接着フィルム４０のエッジが過度に他の接着フィルム４０に押し当てられて巻き跡が転写されることを防止できる。

巻き芯１２の直径ｒ１は、一般的に、７０〜１００ｍｍの範囲内である。なかでも、下層の接着フィルム４０に過度の圧力がかかるのを防止する観点から、８０ｍｍ以上であることが好ましい。また、フィルムロールの直径が大きくなり過ぎて、取り扱い性が低下するのを防止する観点から、１００ｍｍ以下であることが好ましい。

巻き芯１２の構成材料は特に限定されず、例えば、金属製やプラスチック製等のものを使用することができる。

半導体装置用フィルム２０が備える接着フィルム４０は、被着体上に固定された第１半導体素子を包埋し、かつ該第１半導体素子とは異なる第２半導体素子を被着体に固定するために用いることができる。具体的には、後述するように、包埋用の接着フィルム４０（図５Ｆ参照）として使用することができる。この用途に使用する場合、「包埋用の接着フィルムとして使用する」ということにする。
また、半導体装置用フィルム２０が備える接着フィルム４０は、半導体素子を被着体に固定するために用いることができる。例えば、後述する第１接着フィルム５４（図５Ａ参照）として使用することができる。以下、この用途に使用する場合、「ダイボンドフィルムとして使用する」ということにする。

接着フィルム４０をダイボンドフィルムとして使用する場合、接着フィルム４０の厚さは、５〜８０μｍであることが好ましく、１０〜６０μｍであることがより好ましく、２０〜５０μｍであることがさらに好ましい。すなわち、接着フィルム４０をダイボンドフィルムとして使用する場合、厚さを比較的薄くすることができる。
接着フィルム４０をダイボンドフィルムとして使用する場合、厚さを比較的薄くすることができるため、セパレータ２２上に積層するダイシングフィルム付き接着フィルム３０の枚数は、３５０枚以下が好ましく、３００枚以下がより好ましく、２００枚以下がさらに好ましい。
また、接着フィルム４０をダイボンドフィルムとして使用する場合、厚さを比較的薄くすることができるため、半導体装置用フィルムロール１０の直径ｒ２は、２５０ｍｍ以下であることが好ましく、２３０ｍｍ以下であることがより好ましく、２００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。

接着フィルム４０を包埋用の接着フィルムとして使用する場合、接着フィルム４０の厚さは、８０〜１５０μｍであることが好ましく、９０〜１４０μｍであることがより好ましく、１００〜１３０μｍであることがさらに好ましい。すなわち、接着フィルム４０を包埋用の接着フィルムとして使用する場合、ある程度の厚さを要する。
接着フィルム４０を包埋用の接着フィルムとして使用する場合、ある程度の厚さを要するため、セパレータ２２上に積層するダイシングフィルム付き接着フィルム３０の枚数は、２００枚以下が好ましく、１５０枚以下がより好ましく、１００枚以下がさらに好ましい。
また、接着フィルム４０を包埋用の接着フィルムとして使用する場合、ある程度の厚さを要するため、半導体装置用フィルムロール１０の直径ｒ２は、２５０ｍｍ以下であることが好ましく、２３０ｍｍ以下であることがより好ましく、２００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。

＜接着フィルム＞
接着フィルム４０の構成は特に限定されず、例えば接着フィルムの単層のみからなる接着フィルムや、複数の接着フィルムを積層した多層構造の接着フィルム等が挙げられる。

接着フィルム４０は接着機能を有する層であり、その構成材料としては熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。また、熱可塑性樹脂単独でも使用可能である。

（熱可塑性樹脂）
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリプタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ボリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はエイコシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

（熱硬化性樹脂）
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型，ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

さらに前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは０．８〜１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

なお、本実施形態においては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着フィルムが特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の好適な配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１００〜１３００重量部である。

（架橋剤）
本実施形態の接着フィルムは、予めある程度架橋をさせておくため、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部が好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、このようなポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

（無機充填剤）
また、本実施形態の接着フィルムには、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリ力が好適に用いられる。また、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、錫、亜鉛等からなる導電性微粒子を添加して導電性接着フィルムとすることにより、静電気の発生を抑制することができる。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。

前記無機充填剤の含有量は、接着フィルムを組成する成分（溶媒を除く。）の合計重量に対し１０〜８０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは２０〜６０重量％である。

（熱硬化触媒）
接着フィルムの構成材料として熱硬化触媒を用いてもよい。その含有量としては、接着フィルムがアクリル樹脂、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む場合、アクリル樹脂成分１００重量部に対し０．０１〜３重量部が好ましく、０．０５〜１重量部がより好ましい。含有量を上記下限以上にすることにより、ダイボンディング時においては未反応であったエポキシ基同士を、後工程において重合させ、当該未反応のエポキシ基を低減ないしは消失させることができる。その結果、被着体上に半導体素子を接着固定させ剥離のない半導体装置の製造が可能になる。その一方、配合割合を上記上限以下にすることにより、硬化阻害の発生を防止することができる。

前記熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。

前記イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。

前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）等が例示できる。なお、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。

前記トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。

前記アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。

前記トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。

（他の添加剤）
なお、本実施形態の接着フィルムには、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば灘燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。

前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。

前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。

前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用することができる。

熱硬化前の接着フィルム４０の２５℃における貯蔵弾性率は、１０ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下が好ましく、５０ＭＰａ以上７０００ＭＰａ以下がより好ましく、１００ＭＰａ以上５０００ＭＰａ以下がさらに好ましい。上記上限の採用により、接着フィルムとしての柔軟性を付与することができる。同時に、上記下限の採用により、ダイシング後ピックアップ前の時点で、隣接する接着フィルム付き半導体素子の接着フィルム同士が、再融着することを防ぐことができる。このように２５℃における貯蔵弾性率を上記範囲とすることで、接着フィルムとしての柔軟性とピックアップ性を良好することができる。貯蔵弾性率の測定方法は実施例記載の通りである。

＜ダイシングフィルム＞
ダイシングフィルム３２は、上述の通り、基材３３上に粘着剤層３４が積層された構造を有している。

（基材）
上記基材３３はダイシングフィルム付き接着フィルム４０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層３４が紫外線硬化型である場合、基材３３は紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。

また基材３３の材料としては、上記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。上記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材３３を熱収縮させることにより粘着剤層３４と接着フィルム４０との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。

基材３３の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

基材３３は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材３３には、帯電防止能を付与するため、上記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３３は単層又は２種以上の複層でもよい。

基材３３の厚さは、フィルムの搬送性を確保し、且つ、ピックアップ工程での拡張時においても裂け・破れ・塑性変形の発生を防止するために、５０〜１５０μｍが好ましく、より好ましくは、８０〜１４０μｍであり、さらに好ましくは、１００〜１３０μｍである。

なお、基材３３には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等）が含まれていてもよい。

（粘着剤層）
粘着剤層３４の形成に用いる粘着剤は、接着フィルム４０を剥離可能に制御できるものであれば特に制限されない。例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

上記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。上記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

さらに、上記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

上記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、上記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、１０重量部程度以下、さらには０．１〜１０重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

粘着剤層３４は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、粘着剤層３４の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分のみを紫外線照射することにより他の部分との粘着力の差を設けることができる。

ここで、接着フィルム４０は、平面視で貼り付ける半導体ウェハと同一の形状又は１まわり大きい形状とすることができる。この場合、接着フィルム４０の形状に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層３４を硬化させることにより、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分の粘着力を容易に低下させることができる。粘着力の低下した前記部分に接着フィルム４０が貼付けられる為、粘着剤層３４の前記部分と接着フィルム４０との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有している。紫外線を照射していない部分には、ウェハリングが固定される。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、上記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。

上記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと上記化合物のいずれの側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。

上記内在型の放射線硬化性粘着剤は、上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に上記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

上記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェニル−１，２―プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層３４の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層３４の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層３４の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜４０μｍ、さらには好ましくは５〜３０μｍである。

また、基材３３の厚さと粘着剤層３４の厚さの合計、すなわち、ダイシングフィルム３２の厚みは、搬送性、チップ切断面の欠け防止や接着フィルムの固定保持の観点、ピックアップ性の観点から５５〜１８０μｍが好ましく、より好ましくは、７０〜１５０μｍであり、さらに好ましくは、１００〜１３０μｍである。

（セパレータ）
セパレータ２２には、複数のダイシングフィルム付き接着フィルム３０が積層される（図２（ａ）参照）。セパレータ２２は、本発明のセパレータに相当する。セパレータ２２は、実用に供するまで接着フィルム４０を保護する保護材としての機能を有している。ダイシングフィルム付き接着フィルム３０は、接着フィルム４０上に半導体ウェハを貼着する際にセパレータ２２から剥がされる。セパレータ２２は前述の通り、２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上である。セパレータ２２としては、２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であれば特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム、紙等が使用可能である。

セパレータ２２の厚さは、１０〜６０μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましく、３０〜４０μｍであることがさらに好ましい。前記セパレータの厚さが１０μｍ以上であると、セパレータを介した巻き跡の転写がより抑制できる。一方、前記セパレータの厚さが６０μｍ以下であると、半導体装置用フィルムロールの径の増大を抑制できる。

＜半導体装置用フィルムの製造方法＞
次に、本実施形態に係る半導体装置用フィルム２０の製造方法について、以下に説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、半導体装置用フィルムの製造過程を説明するための概略図である。
本実施の形態に係る半導体装置用フィルム２０の製造方法は、基材３３上に粘着剤層３４を形成してダイシングフィルム３２を作製する工程と、基材セパレータ４２上に接着フィルム４０を形成する工程と、接着フィルム４０を、貼り付ける半導体ウェハの形状に合わせて打ち抜く工程と、ダイシングフィルム３２の粘着剤層３４と接着フィルム４０を貼り合わせ面として積層させる工程と、リングフレームに対応した円形状にダイシングフィルム３２を打ち抜く工程と、接着フィルム４０上の基材セパレータ４２を剥離することによりダイシングフィルム付き接着フィルム３０を作製する工程と、セパレータ２２上に、所定の間隔をおいてダイシングフィルム付き接着フィルム３０を貼り合わせる工程とを含む。

ダイシングフィルム３２の作製工程は、例えば、次の通りにして行われる。先ず、基材３３は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材３３上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層３４を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、第１基材セパレータ３８上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層３４を形成してもよい。その後、基材３３上に粘着剤層３４を第１基材セパレータ３８と共に貼り合わせる。これにより、第１基材セパレータ３８で粘着剤層３４が保護されたダイシングフィルム３２が作製される（図４（ａ）参照）。作製されたダイシングフィルム３２は、ロール状に巻回された長尺の形態を有していてもよい。この場合、ダイシングフィルム３２に弛みや巻ズレ、位置ズレが生じない様に、その長手方向や幅方向に引張張力を加えながら巻回するのが好ましい。但し、引張張力を加えることにより、ダイシングフィルム３２は引張残留歪みが残存した状態でロール状に巻回される。尚、ダイシングフィルム３２の巻き取りの際に、前記引張張力が加わることによりダイシングフィルム３２が延伸される場合があるが、巻き取りは延伸操作を目的とするものではない。

粘着剤層３４として、紫外線硬化型粘着剤からなり、かつ、予め紫外線硬化されたものを採用する場合は、次の通りにして形成する。即ち、基材３３上に紫外線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層を形成する。塗布方法、塗布条件、及び乾燥条件は前記と同様に行うことができる。また、第１基材セパレータ３８上に紫外線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層を形成してもよい。その後、基材３３上に粘着剤層を転写する。更に、粘着剤層に所定条件下で紫外線を照射してもよい。紫外線の照射条件としては特に限定されないが、通常は積算光量が３０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２となる範囲内が好ましく、５０〜８００ｍＪ／ｃｍ^２となる範囲内がより好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ^２となる範囲内がさらに好ましい。積算光量を前記数値範囲内に調節することで、接着フィルム４０とダイシングフィルム３２の間の剥離力を適当な値に制御することができる。

接着フィルム４０の作製工程は次の通りにして行われる。即ち、接着フィルム４０を形成するための接着剤組成物溶液を基材セパレータ４２上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成する。その後、塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着フィルム４０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、第２セパレータ４４上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着フィルム４０を形成してもよい。その後、基材セパレータ４２上に接着フィルム４０を第２セパレータ４４と共に貼り合わせる。これにより、基材セパレータ４２上に接着フィルム４０及び第２セパレータ４４が順次積層された積層フィルムが作製される（図４（ｂ）参照）。この積層フィルムは、ロール状に巻回された長尺の形態を有していてもよい。この場合、接着フィルム４０に弛みや巻ズレ、位置ズレが生じない様に、その長手方向や幅方向に引張張力を加えながら巻回するのが好ましい。

次に、接着フィルム４０を、貼り付ける半導体ウェハの形状に合わせて打ち抜き、ダイシングフィルム３２に所定の間隔をあけて複数貼り合わせる（図４（ｃ）参照）。即ち、ダイシングフィルム３２から第１基材セパレータ３８を剥離すると共に、打ち抜かれた接着フィルム４０から第２セパレータ４４を剥離し、接着フィルム４０と粘着剤層３４とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。このとき、ダイシングフィルム３２又は接着フィルム４０の少なくとも何れか一方に対し、周縁部に引張張力を加えながら圧着を行う。また、ダイシングフィルム３２がロール状に巻回された長尺のものである場合、ダイシングフィルム３２に対しては、その長手方向において極力引張張力を加えずに搬送するのが好ましい。フィルムの引張残留歪みを抑制するためである。但し、ダイシングフィルム３２に弛みや巻ズレ、位置ズレ、ボイド（気泡）等の発生を防止する観点からは、１０〜２５Ｎの範囲内で引張張力を加えてもよい。当該範囲内であれば、ダイシングフィルム３２に引張残留歪みが残存していても、ダイシングフィルム３２と接着フィルム４０の間の界面剥離が発生するのを防止することができる。

また、ダイシングフィルム３２と接着フィルム４０の貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されないが、通常は３０〜８０℃が好ましく、３０〜６０℃がより好ましく、３０〜５０℃が特に好ましい。また、線圧は特に限定されないが、通常は０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。

次に、接着フィルム４０上の基材セパレータ４２を剥離し、引張り張力を加えながらセパレータ２２に貼り合せる。続いて、所定の間隔をおいてリングフレームに対応した円形状にダイシングフィルム３２を打ち抜く。これにより、プリカットされたダイシングフィルム付き接着フィルム３０が所定の間隔をおいてセパレータ２２に積層された半導体装置用フィルム２０（図２（ａ）参照）が作製される。

ダイシングフィルム付き接着フィルム３０（接着フィルム４０）のセパレータ２２への貼り合わせは、圧着により行うことが好ましい。このとき、ラミネート温度は特に限定されないが、通常は２０〜８０℃が好ましく、２０〜６０℃がより好ましく、２０〜５０℃が特に好ましい。また、線圧は特に限定されないが、通常は０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、０．２〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。

なお、ダイシングフィルム３２の粘着剤層３４上に貼り合わされる第１基材セパレータ３８、接着フィルム４０の基材セパレータ４２、及びその接着フィルム４０上に貼り合わされる第２セパレータ４４としては特に限定されず、従来公知の離型処理されたフィルムを用いることができる。第１基材セパレータ３８及び第２セパレータ４４は、それぞれ保護材としての機能を有している。また、基材セパレータ４２は、接着フィルム４０をダイシングフィルム３２の粘着剤層３４上に転写する際の基材としての機能を有している。これらの各フィルムを構成する材料としては特に限定されず、従来公知のものを採用することができる。具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が挙げられる。

＜半導体装置の製造方法＞
［第１実施形態］
第１実施形態では、被着体と第１半導体素子との電気的接続をワイヤーボンディング接続により図る態様を説明する。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第１固定工程及び第１ワイヤーボンディング工程を経て、少なくとも１つの第１半導体素子が実装（固定）された被着体を予め準備しておき（被着体準備工程）、この第１半導体素子を、ダイシング及びピックアップを経た接着フィルムにより、前記第１半導体素子を包埋しながら前記第１半導体素子とは異なる第２半導体素子を前記被着体に固定する。図５Ａ〜図５Ｈは、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。

（第１固定工程）
図５Ａに示すように、第１固定工程では、少なくとも１つの第１半導体素子５２を被着体５０上に固定する。第１半導体素子５２は第１接着フィルム５４を介して被着体５０に固定されている。図５Ａ中では第１半導体素子５２は、１つのみ示されているものの、目的とする半導体装置の仕様に応じて２つ、３つ、４つ又は５つ以上の複数の第１半導体素子５２を被着体５０に固定してもよい。

（第１半導体素子）
第１半導体素子５２としては、第２段目に積層される半導体素子（第２半導体素子６２；図５Ｆ参照）より平面視寸法が小さい素子であれば特に限定されず、例えば半導体素子の一種であるコントローラやメモリチップやロジックチップを好適に用いることができる。コントローラは積層されている各半導体素子の作動を制御することから、一般的に多数のワイヤーが接続される。半導体パッケージの通信速度はワイヤー長の影響を受けるところ、本実施形態では第１半導体素子５２が被着体５０に固定され最下段に位置するので、ワイヤー長を短縮することができ、これにより半導体素子の積層数を増加させても半導体パッケージ（半導体装置）の通信速度の低下を抑制することができる。

第１半導体素子５２の厚さは特に限定されないものの、通常１００μｍ以下の場合が多い。また、近年の半導体パッケージの薄型化に伴い７５μｍ以下、さらには５０μｍ以下の第１半導体素子５２も用いられつつある。

（被着体）
被着体５０としては、基板やリードフレーム、他の半導体素子等が挙げられる。基板としては、プリント配線基板等の従来公知の基板を使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

（第１接着フィルム）
第１接着フィルム５４としては、前記包埋用接着フィルムを用いてもよく、従来公知の半導体素子固定用の接着フィルムを用いてもよい。ただし、包埋用接着フィルムを用いる場合、第１接着フィルム５４は半導体素子を包埋する必要がないので、厚さを５μｍから６０μｍ程度に薄くして用いればよい。

（固定方法）
図５Ａに示すように、第１半導体素子５２を、第１接着フィルム５４を介して被着体５０にダイボンドする。第１半導体素子５２を被着体５０上に固定する方法としては、例えば被着体５０上に第１接着フィルム５４を積層した後、この第１接着フィルム５４上に、ワイヤーボンド面が上側となるようにして第１半導体素子５２を積層する方法が挙げられる。また、予め第１接着フィルム５４が貼り付けられた第１半導体素子５２を被着体５０上に配置して積層してもよい。

第１接着フィルム５４は半硬化状態であるので、第１接着フィルム５４の被着体５０上への載置後、所定条件下での熱処理を行うことにより、第１接着フィルム５４を熱硬化させて第１半導体素子５２を被着体５０上に固定させる。熱処理を行う際の温度は、１００〜２００℃で行うのが好ましく、１２０℃〜１８０℃の範囲内で行うのがより好ましい。また、熱処理時間は０．２５〜１０時間で行うことが好ましく、０．５〜８時間で行うことがより好ましい。

（第１ワイヤーボンディング工程）
第１ワイヤーボンディング工程は、被着体５０の端子部（例えばインナーリード）の先端と第１半導体素子５２上の電極パッド（図示せず）とをボンディングワイヤー５６で電気的に接続する工程である（図５Ｂ参照）。ボンディングワイヤー５６としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となるように加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。

（ウェハ貼合せ工程）
一方、半導体装置用フィルムロール１０から、ダイシングフィルム付き接着フィルム３０を剥離する。次に、図５Ｃに示すように、ダイシングフィルム付き接着フィルム３０における包埋用接着フィルム４０上に半導体ウェハ６０を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼合せ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。

（ダイシング工程）
次に、図５Ｄに示すように、半導体ウェハ６０のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ６０を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ６２を製造する（ダイシング工程）。ダイシングは、例えば半導体ウェハ６０の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングフィルム３２まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングフィルム付き接着フィルム３０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ６０の破損も抑制できる。また、包埋用接着フィルム４０を用いているので、ダイシング後の再接着を防止することができ、次のピックアップ工程を良好に行うことができる。

（ピックアップ工程）
図５Ｅに示すように、ダイシングフィルム付き接着フィルム３０に接着固定された半導体チップ６２を剥離するために、包埋用接着フィルム４０とともに半導体チップ６２のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ６２を基材３３側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ６２をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ここでピックアップは、粘着剤層３４が紫外線硬化型の場合、該粘着剤層３４に紫外線を照射した後に行ってもよい。これにより、粘着剤層３４の接着フィルム４０に対する粘着力が低下し、半導体チップ６２の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、高圧水銀灯、マイクロ波励起型ランプ、ケミカルランプ等を使用することができる。また、粘着剤層３４に予め紫外線が照射されている場合には、紫外線照射を行なうことなくピックアップを行なってもよい。

（第２固定工程）
第２固定工程では、第２半導体素子６２とともにピックアップした包埋用接着フィルム４０を介して、別途被着体５０上に固定しておいた第１半導体素子５２を包埋しながら前記第１半導体素子５２とは異なる第２半導体素子６２を前記被着体５０に固定する（図５Ｆ参照）。包埋用接着フィルム４０は、前記第１半導体素子５２の厚さＴ_１より厚い厚さＴを有している。本実施形態では、前記被着体５０と前記第１半導体素子５２との電気的接続がワイヤーボンディング接続により達成されることから、前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差を４０μｍ以上２６０μｍ以下が好ましい。前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差の下限は４０μｍ以上が好ましいものの、５０μｍ以上がより好ましく、６０μｍ以上がさらに好ましい。また、前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差の上限は２６０μｍ以下が好ましいものの、２００μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましい。これにより、半導体装置全体の薄型化を図りながらも、第１半導体素子５２と第２半導体素子６２との接触を防止しつつ第１半導体素子５２全体を包埋用接着フィルム４０の内部に包埋することができ、コントローラとしての第１半導体素子５２の被着体５０上への固定（すなわちワイヤー長が最短となる最下段での固定）を可能にする。

包埋用接着フィルム４０の厚さＴは第１半導体素子５２を包埋可能なように第１半導体素子５２の厚さＴ_１及びワイヤー突出量を考慮して適宜設定すればよいが、その下限は８０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましく、６２０μｍ以上がさらに好ましい。一方、厚さＴの上限は３００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましい。このように接着フィルムを比較的厚くすることにより、一般的なコントローラの厚さをほぼカバーすることができ、第１半導体素子５２の包埋用接着フィルム４０への包埋を容易に行うことができる。

（第２半導体素子）
第２半導体素子６２としては特に限定されず、例えばコントローラとしての第１半導体素子５２の作動制御を受けるメモリチップを用いることができる。

（固定方法）
第２半導体素子６２を被着体５０上に固定する方法としては、第１固定工程と同様に、例えば被着体５０上に包埋用接着フィルム４０を積層した後、この包埋用接着フィルム４０上に、ワイヤーボンド面が上側となるようにして第２半導体素子６２を積層する方法が挙げられる。また、予め包埋用接着フィルム４０が貼り付けられた第２半導体素子６２を被着体５０に配置して積層してもよい。

第１半導体素子５２の包埋用接着フィルム４０への進入及び包埋を容易にするために、ダイボンド時には包埋用接着フィルム４０に対する加熱処理を行うことが好ましい。加熱温度としては包埋用接着フィルム４０が軟化し、かつ完全に熱硬化しない温度であればよく、８０℃以上１５０℃以下が好ましく、１００℃以上１３０℃以下がより好ましい。このとき０．１ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下で加圧してもよい。

包埋用接着フィルム４０は半硬化状態であるので、包埋用接着フィルム４０の被着体５０上への載置後、所定条件下での熱処理を行うことにより、包埋用接着フィルム４０を熱硬化させて第２半導体素子６２を被着体５０上に固定させる。熱処理を行う際の温度は、１００〜２００℃で行うのが好ましく、１２０℃〜１８０℃の範囲内で行うのがより好ましい。また、熱処理時間は０．２５〜１０時間で行うことが好ましく、０．５〜８時間で行うことがより好ましい。

このとき、熱硬化後の包埋用接着フィルム４０の被着体５０に対する剪断接着力は、２５〜２５０℃において０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。包埋用接着フィルム４０の剪断接着力を０．１ＭＰａ以上とすると、第２半導体素子６２に対するワイヤーボンディング工程における超音波振動や加熱により、包埋用接着フィルム４０と第２半導体素子６２又は被着体５０との接着面でのずり変形の発生を抑制できる。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により第２半導体素子６２が動くのを抑制し、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止することができる。

（第３固定工程）
第３固定工程では、前記第２半導体素子６２上に該第２半導体素子と同種又は異種の第３半導体素子７３を固定する（図５Ｇ参照）。第３半導体素子７３は第３接着フィルム７４を介して第２半導体素子６２に固定されている。

（第３半導体素子）
第３半導体素子７３は、第２半導体素子６２と同種のメモリチップや第２半導体素子６２と異種のメモリチップであってもよい。第３半導体素子７３の厚さも目的とする半導体装置の仕様に応じて適宜設定することができる。

（第３接着フィルム）
第３接着フィルム７４としては、第１固定工程における第１接着フィルム５４と同様のものを好適に用いることができる。第３接着フィルム７４として包埋用接着フィルム４０を用いる場合は、他の半導体素子の包埋が不要であるので、厚さを５μｍから６０μｍ程度に薄くして用いればよい。

（固定方法）
図５Ｇに示すように、第３半導体素子７３を、第３接着フィルム７４を介して第２半導体素子６２にダイボンドする。第３半導体素子７３を第２半導体素子６２上に固定する方法としては、例えば第２半導体素子６２上に第３接着フィルム７４を積層した後、この第３接着フィルム７４上に、ワイヤーボンド面が上側となるようにして第３半導体素子７３を積層する方法が挙げられる。また、予め第３接着フィルム７４が貼り付けられた第３半導体素子７３を第２半導体素子６２上に配置して積層してもよい。ただし、後述する第２半導体素子６２と第３半導体素子７３との間でのワイヤーボンディングのために、第２半導体素子６２のワイヤーボンド面（上面）の電極パッドを避けるように第３半導体素子７３を第２半導体素子６２に対してずらして固定することがある。この場合、第３接着フィルム７４を先に第２半導体素子６２の上面に貼り付けておくと、第３接着フィルム７４の第２半導体素子６２の上面からはみ出た部分（いわゆるオーバーハング部）が折れ曲がって第２半導体素子６２の側面や包埋用接着フィルム４０の側面に付着し、予期せぬ不具合が生じるおそれがある。従って、第３固定工程では、予め第３接着フィルム７４を第３半導体素子７３に貼り付けておき、これを第２半導体素子６２上に配置して積層することが好ましい。

第３接着フィルム７４も半硬化状態であるので、第３接着フィルム７４の第２半導体素子６２上への載置後、所定条件下での熱処理を行うことにより、第３接着フィルム７４を熱硬化させて第３半導体素子７３を第２半導体素子６２上に固定させる。なお、第３接着フィルム７４の弾性率やプロセス効率を考慮して、熱処理を行わずに第３半導体素子７３を固定させることもできる。熱処理を行う際の温度は、１００〜２００℃で行うのが好ましく、６２０℃〜１８０℃の範囲内で行うのがより好ましい。また、熱処理時間は０．２５〜１０時間で行うことが好ましく、０．５〜８時間で行うことがより好ましい。

（第２ワイヤーボンディング工程）
第２ワイヤーボンディング工程は、第２半導体素子６２上の電極パッド（図示せず）と第３半導体素子７３上の電極パッド（図示せず）をボンディングワイヤー７５で電気的に接続する工程である（図５Ｈ参照）。ワイヤーの材料やワイヤーボンディング条件は第１ワイヤーボンディング工程と同様のものを好適に採用することができる。

（半導体装置）
以上の工程により、３つの半導体素子が所定の接着フィルムを介して多段積層された半導体装置１００を製造することができる。さらに、第３固定工程及び第２ワイヤーボンディング工程と同様の手順を繰り返すことにより、４つ以上の半導体素子が積層された半導体装置を製造することができる。

（封止工程）
所望の数の半導体素子を積層した後、半導体装置１００全体を樹脂封止する封止工程を行ってもよい。封止工程は、封止樹脂により半導体装置１００を封止する工程である（図示せず）。本工程は、被着体５０に搭載された半導体素子やボンディングワイヤーを保護するために行われる。本工程は、例えば封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本実施形態はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で数分間キュアすることができる。また本工程に於いては、樹脂封止の際に加圧してもよい。この場合、加圧する圧力は１〜１５ＭＰａであることが好ましく、３〜１０ＭＰａであることがより好ましい。

（後硬化工程）
本実施形態においては、封止工程の後に、封止樹脂をアフターキュアする後硬化工程を行ってもよい。本工程においては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂を完全に硬化させる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。封止工程又は後硬化工程を経ることにより半導体パッケージを作製することができる。

［第２実施形態］
第１実施形態では、第１半導体素子の被着体への固定を接着フィルムにより行い、両者間の電気的接続をワイヤーボンディングにより図っていたが、第２実施形態では、第１半導体素子に設けられた突起電極を用いたフリップチップ接続により両者間の固定及び電気的接続を図っている。従って、第２実施形態は、第１固定工程における固定様式のみ第１実施形態と異なるので、以下では主にこの相違点について説明する。

（第１固定工程）
本実施形態では、前記第１固定工程において、第１半導体素子８１を被着体５０にフリップチップ接続により固定する（図６Ａ参照）。フリップチップ接続では、第１半導体素子８１の回路面が被着体５０と対向するいわゆるフェイスダウン実装となる。第１半導体素子８１にはバンプ等の突起電極８３が複数設けられており、突起電極８３と被着体５０上の電極（図示せず）とが接続されている。また、被着体５０と第１半導体素子８１との間には、両者間の熱膨張率の差の緩和や両者間の空間の保護を目的として、アンダーフィル材８４が充填されている。

接続方法としては特に限定されず、従来公知のフリップチップボンダーにより接続することができる。例えば、第１半導体素子８１に形成されているバンプ等の突起電極８３を、被着体５０の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、第１半導体素子８１と被着体５０との電気的導通を確保し、第１半導体素子８１を被着体５０に固定させることができる（フリップチップボンディング）。一般的に、フリップチップ接続の際の加熱条件としては２４０〜３００℃であり、加圧条件としては０．５〜４９０Ｎである。

突起電極８３としてバンプを形成する際の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

アンダーフィル材８４としては従来公知の液状又はフィルム状のアンダーフィル材を用いることができる。

（第２固定工程）
第２固定工程では、第１実施形態と同様、包埋用接着フィルム４０により、前記第１半導体素子８１を包埋しながら前記第１半導体素子８１とは異なる第２半導体素子６２を前記被着体５０に固定する（図６Ｂ参照）。本工程における条件は第１実施形態での第２固定工程と同様である。本実施形態でも、特定の溶融粘度を有する包埋用接着フィルム４０を用いているので、第２半導体素子６２からのフィルムはみ出しを防止しつつ、包埋用接着フィルム４０の被着体５０への密着性を高めてボイドの発生を防止することができる。

包埋用接着フィルム４０は、前記第１半導体素子８１の厚さＴ_１より厚い厚さＴを有している。本実施形態では前記被着体５０と前記第１半導体素子８１とがフリップチップ接続されることから、前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差は１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差の下限は１０μｍ以上が好ましいものの、２０μｍ以上がより好ましく、３０μｍ以上がさらに好ましい。また、前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差の上限は２００μｍ以下が好ましいものの、１５０μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。このような構成により、半導体装置全体の薄型化を図ると同時に、第１半導体素子８１と第２半導体素子６２との接触を防止しつつ第１半導体素子８１全体を包埋用接着フィルム４０の内部に包埋することができ、コントローラとしての第１半導体素子８１の被着体５０上への固定（すなわち通信経路長が最短となる最下段での固定）を可能にする。

包埋用接着フィルム４０の厚さＴは第１半導体素子８１を包埋可能なように第１半導体素子８１の厚さＴ_１及び突起電極の高さを考慮して適宜設定すればよいが、その下限は５０μｍ以上が好ましく、６０μｍ以上がより好ましく、７０μｍ以上がさらに好ましい。一方、厚さＴの上限は２５０μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましい。このように包埋用接着フィルム４０を比較的厚くすることにより、一般的なコントローラの厚さをほぼカバーすることができ、第１半導体素子８１の包埋用接着フィルム４０への包埋を容易に行うことができる。

続いて第１実施形態と同様、第２半導体素子６２上に該第２半導体素子６２と同種又は異種の第３半導体素子７３を固定する第３固定工程（図６Ｃ参照）、及び前記第２半導体素子６２と前記第３半導体素子７３とをボンディングワイヤー７５により電気的に接続する第２ワイヤーボンディング工程（図６Ｄ参照）を経ることにより、コントローラが最下段に積層され、その上方に半導体素子が複数段積層された半導体装置２００を作製することができる。

（その他の実施形態）
第１実施形態では、ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いるダイシング工程及びピックアップ工程を経て第２半導体素子６２を作製している。さらに、第１半導体素子５２も同様にダイシングフィルム付き接着フィルムを用いて作製してもよい。この場合、第１半導体素子５２を切り出すための半導体ウェハを別途準備し、その後は上記ウェハ貼合せ工程、ダイシング工程、ピックアップ工程を経て、第１半導体素子５２を被着体５０に固定すればよい。第３半導体素子７３及びこれより上段に積層される半導体素子も同様に作製することができる。

被着体上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されていてもよい。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。

各実施形態においては、第２半導体素子以降の半導体素子を積層する度にワイヤーボンディング工程を行う態様について説明したが、複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。なお、第１半導体素子については包埋用接着フィルムにより包埋されるので、一括のワイヤーボンディングの対象とすることはできない。

フリップチップ接続の態様としては、第２実施形態で説明した突起電極としてのバンプによる接続に限定されず、導電性接着剤組成物による接続や、バンプと導電性接着剤組成物とを組み合わせた突起構造による接続等も採用することができる。なお、本発明では、第１半導体素子の回路面が被着体と対向して接続されるフェイスダウン実装となる限り、突起電極や突起構造等の接続様式の相違にかかわらずフリップチップ接続と称することとする。導電性接着剤組成物としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に金、銀、銅等の導電性フィラーを混合させた従来公知の導電性ペースト等を用いることができる。導電性接着剤組成物を用いる場合、被着体への第１半導体素子の搭載後、８０〜１５０℃で０．５〜１０時間程度熱硬化処理することにより第１半導体素子を固定することができる。

上述した実施形態では、本発明の接着フィルムが、被着体上に固定された第１半導体素子を包埋し、かつ該第１半導体素子とは異なる第２半導体素子を被着体に固定するための包埋用の接着フィルム（図４Ｆに示す接着フィルム４０）である場合について説明した。しかしながら、本発明の接着フィルムはこの例に限定されず、半導体素子を被着体に固定するためのダイボンドフィルム（例えば、図５Ａに示す第１接着フィルム５４）であってもよい。
また、本発明の接着フィルムは、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとして用いることもできる。フリップチップ型半導体裏面用フィルムとは、被着体（例えば、リードフレームや回路基板等の各種基板）上にフリップチップ接続された半導体素子（例えば、半導体チップ）の裏面に形成するために用いられるものである。
また、本発明の接着フィルムは、半導体素子を封止するための封止フィルムであってもよい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。

［実施例及び比較例］
（接着フィルムの作製）
表１に示した割合でアクリル樹脂Ａ、エポキシ樹脂Ａ及びＢ、フェノール樹脂、シリカ、及び熱硬化触媒をメチルエチルケトンに溶解して濃度４０〜５０重量％の接着剤組成物溶液を調製した。

この接着剤組成物溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ３０〜４０μｍのフィルムを作製し、これを複数枚貼り合せることによって、表１に示す通りの厚さの接着フィルムを作製した。具体的に、厚さ１２０μｍの接着フィルムは、厚さ４０μｍのフィルムを３枚貼り合わせて作成した。厚さ８０μｍの接着フィルムは、厚さ４０μｍのフィルムを２枚貼り合わせて作成した。厚さ１５０μｍの接着フィルムは、厚さ４０μｍのフィルムを３枚と厚さ３０μｍのフィルムを１枚貼り合わせて作成した。
ラミネーター装置：ロールラミネーター
ラミネート速度：１０ｍｍ／ｍｉｎ
ラミネート圧力：０．１５ＭＰａ
ラミネーター温度：６０℃

なお、下記表１中の略号及び成分の詳細は以下のとおりである。
アクリル樹脂Ａ：ナガセケムテックス社製 ＳＧ−７０Ｌ
エポキシ樹脂Ａ：東都化成株式会社製 ＫＩ−３０００
エポキシ樹脂Ｂ：三菱化学株式会社製 ＪＥＲ ＹＬ９８０
フェノール樹脂：明和化成株式会社製 ＭＥＨ−７８００Ｈ
シリカ ：アドマテックス株式会社製 ＳＥ−２０５０ＭＣ
熱硬化触媒 ：北興化学株式会社製 ＴＰＰ−Ｋ

（接着フィルムの熱硬化前の２５℃での弾性率）
熱硬化前の接着フィルムＡについて、粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて２５℃における貯蔵弾性率を測定した。より詳細には、接着フィルムを切断してサンプルサイズを長さ３０ｍｍ×幅１０ｍｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−３０〜１００℃の温度域で周波数１．０Ｈｚ、歪み０．０２５％、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で測定し、２５℃での測定値を読み取ることにより得た。結果を表１に示す。

（ダイシングフィルムの作製）
基材として、厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）を準備した。

冷却管、窒素導入管、温度計、及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８６．４部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１３．６部、過酸化ベンゾイル０．２部、及びトルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。

アクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１４．６部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成物溶液を得た。

準備した上記基材上に、得られた粘着剤組成物溶液を塗布、乾燥して厚さ３０μｍの粘着剤層を形成することによりダイシングフィルムを得た。

（ダイシングフィルム付き接着フィルムの作製）
次に、前記接着フィルムＡを直径３３０ｍｍの円形状に切り出し、前記ダイシングフィルムの粘着剤層と円形状に切り出した接着フィルムＡとを貼り合わせた。貼り合わせ枚数は、表２に示す通りとした。貼り合わせ条件（ラミネート条件１）は、下記の通りである。
＜ラミネート条件１＞
ラミネーター装置：ロールラミネーター
ラミネート速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ
ラミネート圧力：０．１５ＭＰａ
ラミネーター温度：３５℃

次に、接着フィルム上の離型処理フィルムを剥離して、セパレータに貼り合わせた。接着フィルムとセパレータとの貼り合わせは、表２に示す組み合わせで行なった。このとき、位置ズレ、ボイド（気泡）等が発生するのを防止するため、セパレータに対し、ダンサーロールを用いて１７Ｎの引張張力をＭＤ方向に加えながら、ラミネート温度はかけずに、線圧２ｋｇｆ／ｃｍで貼り合せた。セパレータとしては、表２に示す通りものを用いた。これらを実施例１〜２、比較例１に係るサンプルとした。
なお、下記表２中の成分等の詳細は以下のとおりである。
セパレータＡ：ポリエチレンテレフタレート（厚さ：５０μｍ）
セパレータＢ：ポリプロピレン（厚さ：５０μｍ）
セパレータＣ：ポリエチレン（厚さ：５０μｍ）

＜半導体装置用フィルムの作製＞
更に、接着フィルムＡが中心となるように直径３７０ｍｍの円形状にダイシングフィルムを打ち抜くことにより、セパレータ上に、１０mｍの間隔をあけて表２に示す枚数のダイシングシート付き接着フィルムが貼り合わされた半導体装置用フィルムを得た。

＜半導体装置用フィルムロールの作成＞
作成した半導体装置用フィルムを、直径が８．９ｃｍの巻き芯に巻き取った。このときの半導体装置用フィルムに加えた巻き取り張力は、１５Ｎ／ｍとした。また、巻き取り後のフィルムロールの直径は表２に示す通りである。これにより半導体装置用フィルムロールを得た。

（ウェハラミネート後の気泡の有無評価）
実施例及び比較例の半導体装置用フィルムロールから、ダイシングフィルム付き接着フィルムを剥離した。具体的には、巻き始めから数えて、５枚目のダイシングフィルム付き接着フィルムを剥離した。次に、剥離したダイシングフィルム付き接着フィルムを、片面バンプ付きシリコンウェハの回路面と反対側の面に、接着フィルムを貼り合わせ面として貼り合わせた。片面バンプ付きシリコンウェハとしては、以下のものを用いた。また、貼り合わせ条件は以下の通りである。

＜片面バンプ付きシリコンウェハ＞
シリコンウェハの厚さ：１００μｍ
低誘電材料層の材質：ＳｉＮ膜
低誘電材料層の厚さ：０．３μｍ
バンプの高さ：６０μｍ
バンプのピッチ：１５０μｍ
バンプの材質：ハンダ

＜貼り合わせ条件＞
貼り合わせ装置：ＤＲ−３０００ＩＩＩ（日東精機（株）社製）
ラミネート速度：１０ｍｍ／ｓ
ラミネート圧力：０．１５ＭＰａ
ラミネーター温度：６０℃

ウェハラミネート後の気泡の有無の評価を行なった。具体的には、ウェハラミネート後のサンプルをダイシングテープ側から目視し、気泡が残っているものを×、気泡が無いものを○のようにして評価した。結果を表２に示す。

（凹凸段差評価）
接着フィルム表面における巻跡の凹凸の測定を行った。具体的には、まず、実施例及び比較例の半導体装置用フィルムロールから、ダイシングフィルム付き接着フィルムを剥離した。巻き始めから数えて、５枚目のダイシングフィルム付き接着フィルムを剥離した。次に、表面荒さ計（Ｖｅｅｃｏ社製、ＤＥＫＴＡＫ８）を用いて接着フィルム表面の凹凸を測定し、両端を平衡に補正した（０にした）時の最大値の値を読み取った。（測定速度：１．５ｍｍ／Ｓ，加重：１ｍｇ）凹凸が１５μｍより小さいものを○、１５μｍ以上のものを×とした。

（セパレータの２５℃での弾性率）
セパレータＡ〜Ｃについて、粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて２５℃における貯蔵弾性率を測定した。より詳細には、セパレータを切断してサンプルサイズを長さ３０ｍｍ×幅１０ｍｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−３０〜１００℃の温度域で周波数１．０Ｈｚ、歪み０．０２５％、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で測定し、２５℃での測定値を読み取ることにより得た。結果を表２に示す。

１０ 半導体装置用フィルムロール
１２ 巻き芯
２０ 半導体装置用フィルム
２２ セパレータ
３０ ダイシングフィルム付き接着フィルム
３２ ダイシングフィルム
３３ 基材
３４ 粘着剤層
４０ 接着フィルム
５０ 被着体
６０ 半導体ウェハ
５２ 第１半導体素子
６２ 第２半導体素子
７３ 第３半導体素子
１００、２００ 半導体装置
Ｔ 接着フィルムの厚さ
Ｔ_１ 第１半導体素子の厚さ

Claims (7)

1. 半導体装置用フィルムが円柱状の巻き芯にロール状に巻き取られた半導体装置用フィルムロールであって、
   前記半導体装置用フィルムは、ダイシングフィルムと接着フィルムとが積層されたダイシングフィルム付き接着フィルムが、所定の間隔をおいてセパレータ上に積層された構成を有しており、
   前記接着フィルムは、被着体上に固定された第１半導体素子を包埋し、かつ該第１半導体素子とは異なる第２半導体素子を被着体に固定するためのものであり、
   前記接着フィルムの厚さが、１００〜１５０μｍ（ただし、１００μｍを除く）であり、
   前記セパレータの２５℃での引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体装置用フィルムロール。
2. 前記セパレータの厚さが、１０〜６０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用フィルムロール。
3. 前記接着フィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用フィルムロール。
4. 前記接着フィルムは、無機充填剤を含み、前記無機充填剤の含有量が１０〜８０重量％である請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置用フィルムロール。
5. 第１半導体素子が固定された被着体を準備する被着体準備工程、
   請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体装置用フィルムロールから、ダイシングフィルム付き接着フィルムを剥離する剥離工程、
   剥離したダイシングフィルム付き接着フィルムの接着フィルムと半導体ウェハとを貼り合わせる貼合せ工程、
   前記半導体ウェハ及び接着フィルムをダイシングして第２半導体素子を形成するダイシング工程、
   前記第２半導体素子を前記接着フィルムとともにピックアップするピックアップ工程、及び、
   前記第２半導体素子とともにピックアップした接着フィルムにより、前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を該被着体に固定する固定工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さＴ_１より厚い厚さＴを有し、
   前記被着体と前記第１半導体素子とがワイヤーボンディング接続され、かつ前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差が４０μｍ以上２６０μｍ以下である請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さＴ_１より厚い厚さＴを有し、
   前記被着体と前記第１半導体素子とがフリップチップ接続され、かつ前記厚さＴと前記厚さＴ_１との差が１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項５に記載の半導体装置の製造方法。

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