JP5710176B2

JP5710176B2 - Radiation detector

Info

Publication number: JP5710176B2
Application number: JP2010176094A
Authority: JP
Inventors: 主鉉柳; 秀貴川内
Original assignee: Hitachi Aloka Medical Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2010-08-05
Filing date: 2010-08-05
Publication date: 2015-04-30
Anticipated expiration: 2030-08-05
Also published as: JP2012037311A

Description

本発明は、放射線検出器に関する。 The present invention relates to a radiation detector.

従来の半導体放射線検出器として、基板の表面側にブロック状に形成された４つの半導体素子がほぼ隙間なく、２行２列のマトリックス状に設けられた半導体放射線検出器が知られている（例えば、特許文献１参照）。 As a conventional semiconductor radiation detector, there is known a semiconductor radiation detector in which four semiconductor elements formed in a block shape on the surface side of a substrate are provided in a matrix of 2 rows and 2 columns with almost no gap (for example, , See Patent Document 1).

特許文献１に記載の半導体放射線検出器は、複数の半導体素子を隙間なく並べることで、分解能を向上させることができる。 The semiconductor radiation detector described in Patent Document 1 can improve resolution by arranging a plurality of semiconductor elements without gaps.

特開２００５−２６４１９号公報JP 2005-26419 A

しかし、特許文献１に係る半導体放射線検出器は、半導体素子を基板に接着することによる残留応力に起因する基板の反り、及び組み立て時の外力による半導体素子の損傷を考慮していないので、半導体素子の特性が劣化する場合がある。 However, the semiconductor radiation detector according to Patent Document 1 does not consider the warpage of the substrate due to the residual stress caused by bonding the semiconductor element to the substrate and the damage of the semiconductor element due to the external force during assembly. May deteriorate.

したがって、本発明の目的は、半導体素子の特性の劣化を抑制する放射線検出器を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a radiation detector that suppresses deterioration of characteristics of a semiconductor element.

本発明は、上記目的を達成するため、放射線を検出可能な半導体素子と、半導体素子が設置される搭載領域、及び搭載領域に設置される半導体素子の輪郭に対応する領域を切り欠いて形成された切り欠き部を有する放射線検出用基板と、を備える放射線検出器が提供される。 In order to achieve the above object, the present invention is formed by cutting out a semiconductor element capable of detecting radiation, a mounting area where the semiconductor element is installed, and a region corresponding to the outline of the semiconductor element installed in the mounting area. There is provided a radiation detector comprising a radiation detection substrate having a notch.

また、上記切り欠き部が、半導体素子の角部分に対応する領域に形成されることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said notch part is formed in the area | region corresponding to the corner | angular part of a semiconductor element.

また、上記切り欠き部が、半導体素子の辺部分に対応する領域に形成されることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said notch part is formed in the area | region corresponding to the side part of a semiconductor element.

また、上記半導体素子と電気的に接続する複数の素子接続部を有し、上記切り欠き部が、素子接続部間を切り欠いて形成されることが好ましい。 Preferably, the semiconductor device includes a plurality of element connection portions that are electrically connected to the semiconductor element, and the notch portions are formed by notching between the element connection portions.

また、放射線検出用基板の角部分に対応する切り欠き部が、他の切り欠き部よりも大きく形成されることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the notch corresponding to the corner | angular part of a radiation detection board | substrate is formed larger than another notch.

また、上記放射線検出用基板が、０．４ｍｍ以下の厚さを有することが好ましい。 The radiation detection substrate preferably has a thickness of 0.4 mm or less.

また、上記放射線検出用基板を挟み込んで支持する支持部材を備える放射線検出器が提供される。
Moreover , a radiation detector provided with the supporting member which pinches | interposes and supports the said board | substrate for radiation detection is provided.

本発明に係る放射線検出器によれば、半導体素子の特性の劣化を抑制する放射線検出器を提供することができる。 The radiation detector according to the present invention can provide a radiation detector that suppresses deterioration of characteristics of a semiconductor element.

図１は、第１の実施の形態に係る放射線検出器の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of the radiation detector according to the first exemplary embodiment. 図２は、第１の実施の形態に係る基板の正面図である。FIG. 2 is a front view of the substrate according to the first embodiment. 図３（ａ）は、第１の実施の形態に係る基板の輪郭領域近傍の拡大図であり、（ｂ）は、基板の角部近傍の拡大図である。FIG. 3A is an enlarged view of the vicinity of the outline region of the substrate according to the first embodiment, and FIG. 3B is an enlarged view of the vicinity of the corner portion of the substrate. 図４は、第１の実施の形態に係る基板とＣｄＴｅ素子との位置関係を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a positional relationship between the substrate and the CdTe element according to the first embodiment. 図５は、第１の実施の形態に係る基板にＣｄＴｅ素子を搭載した状態の一部分を上面から示した模式的な拡大図である。FIG. 5 is a schematic enlarged view showing a part of the state in which the CdTe element is mounted on the substrate according to the first embodiment from the upper surface. 図６は、第１の実施の形態に係る放射線検出器上にコリメータを備えた付けた場合の模式的な断面の部分的な拡大図である。FIG. 6 is a partial enlarged view of a schematic cross section when a collimator is provided on the radiation detector according to the first exemplary embodiment. 図７は、第２の実施の形態に係る基板の正面図である。FIG. 7 is a front view of the substrate according to the second embodiment. 図８は、第２の実施の形態に係る基板の輪郭領域近傍の拡大図である。FIG. 8 is an enlarged view of the vicinity of the outline region of the substrate according to the second embodiment. 図９は、第３の実施の形態に係る基板の正面図である。FIG. 9 is a front view of a substrate according to the third embodiment. 図１０は、第３の実施の形態に係る基板の角部近傍の拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the corner of the substrate according to the third embodiment. 図１１は、第３の実施の形態に係る基板とＣｄＴｅ素子の位置関係を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing the positional relationship between the substrate and the CdTe element according to the third embodiment. 図１２は、第４の実施の形態に係る基板の正面図である。FIG. 12 is a front view of a substrate according to the fourth embodiment. 図１３は、第４の実施の形態に係る基板とＣｄＴｅ素子の位置関係を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing the positional relationship between the substrate and the CdTe element according to the fourth embodiment. 図１４（ａ）及び（ｂ）は、変形例に係る基板の拡大図である。14A and 14B are enlarged views of a substrate according to a modification.

［実施の形態の要約］
実施の形態に係る放射線検出器は、放射線を検出可能な半導体素子と、半導体素子が設置される搭載領域、及び搭載領域に設置される半導体素子の輪郭に対応する領域を切り欠いて形成された切り欠き部を有する放射線検出用基板と、を備える。 [Summary of embodiment]
The radiation detector according to the embodiment is formed by cutting out a semiconductor element capable of detecting radiation, a mounting area where the semiconductor element is installed, and a region corresponding to the outline of the semiconductor element installed in the mounting area A radiation detection substrate having a notch.

［第１の実施の形態］
（放射線検出器１の構成の概要）
図１は、第１の実施の形態に係る放射線検出器の斜視図である。 [First Embodiment]
(Outline of configuration of radiation detector 1)
FIG. 1 is a perspective view of the radiation detector according to the first exemplary embodiment.

本実施の形態に係る放射線検出器１は、γ線、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出器である。図１において放射線６は、紙面の上方から下方に沿って入射してくる。すなわち、放射線６は、放射線検出器１の半導体素子としてのＣｄＴｅ素子１０からカードホルダ３１に向かう方向に沿って伝搬して放射線検出器１に入射する。そして、放射線検出器１は、ＣｄＴｅ素子１０の側面（つまり、図１の上方に面している面）に放射線６が入射する。したがって、ＣｄＴｅ素子１０の側面が放射線６の入射面となっている。このように、半導体素子の側面を放射線６の入射面とする放射線検出器を、エッジオン型の放射線検出器と称する。なお、放射線検出器１は、特定の方向（例えば、被検体から放射線検出器１に向かう方向）に沿って入射してくる放射線６が通過する複数の開口を有する後述するコリメータを介して放射線６を検出する複数の放射線検出器１が並べられて構成されるエッジオン型の放射線検出装置用の放射線検出器１として構成することができる。また、本実施の形態に係る放射線検出器１は、カード型の形状を呈する。 The radiation detector 1 according to the present embodiment is a radiation detector that detects radiation such as γ rays and X rays. In FIG. 1, the radiation 6 enters from the upper side to the lower side of the page. That is, the radiation 6 propagates along the direction from the CdTe element 10 as the semiconductor element of the radiation detector 1 toward the card holder 31 and enters the radiation detector 1. In the radiation detector 1, the radiation 6 enters the side surface of the CdTe element 10 (that is, the surface facing upward in FIG. 1). Therefore, the side surface of the CdTe element 10 is an incident surface for the radiation 6. A radiation detector in which the side surface of the semiconductor element is the incident surface of the radiation 6 is referred to as an edge-on type radiation detector. Note that the radiation detector 1 has a radiation 6 via a collimator described later having a plurality of openings through which the radiation 6 incident along a specific direction (for example, a direction from the subject toward the radiation detector 1) passes. Can be configured as a radiation detector 1 for an edge-on-type radiation detection apparatus configured by arranging a plurality of radiation detectors 1 for detecting. Further, the radiation detector 1 according to the present embodiment has a card shape.

なお、本実施の形態に係る放射線検出器１は、コリメータを備えることができる。また、放射線検出器１は、コリメータを備えずに用いることもできる。コリメータを用いる場合、多孔平行コリメータ、ピンホールコリメータ等を用いることができる。本実施の形態では、一例として、多孔平行コリメータを用いることとし、その詳細については、後述する。 In addition, the radiation detector 1 which concerns on this Embodiment can be equipped with a collimator. The radiation detector 1 can also be used without a collimator. When using a collimator, a porous parallel collimator, a pinhole collimator, or the like can be used. In the present embodiment, a porous parallel collimator is used as an example, and details thereof will be described later.

また、詳細は後述するが、放射線検出用基板としての基板２０は支持部材としてのカードホルダ３０とカードホルダ３１とに挟み込まれて支持される。カードホルダ３０とカードホルダ３１とはそれぞれ同一形状を有して形成され、カードホルダ３０が有する溝付穴３４にカードホルダ３１が有する突起部３６が嵌め合わされると共に、カードホルダ３１が有する溝付穴３４（図示しない）にカードホルダ３０が有する突起部３６（図示しない）が嵌め合わされることにより基板２０を支持する。 Although details will be described later, the substrate 20 as a radiation detection substrate is sandwiched and supported by a card holder 30 and a card holder 31 as support members. The card holder 30 and the card holder 31 are formed to have the same shape, and the protrusion 36 of the card holder 31 is fitted into the grooved hole 34 of the card holder 30, and the grooved of the card holder 31 is provided. The board | substrate 20 is supported by the projection part 36 (not shown) which the card holder 30 has fitted in the hole 34 (not shown).

また、弾性部材実装部３２及び凹部３２ａは、複数の放射線検出器１を支持する放射線検出器立てに放射線検出器１が挿入された場合に、放射線検出器１を放射線検出器立てに押し付けて固定する弾性部材が設けられる部分である。なお、放射線検出器立てはカードエッジ部２９が挿入されるコネクタを有しており、放射線検出器１は、カードエッジ部２９がコネクタに挿入され、コネクタとパターン２９ａとが電気的に接続することにより外部の電気回路としての制御回路、外部からの電源線、グランド線等に電気的に接続される。 The elastic member mounting portion 32 and the recess 32a are fixed by pressing the radiation detector 1 against the radiation detector stand when the radiation detector 1 is inserted into the radiation detector stand supporting the plurality of radiation detectors 1. This is a portion where an elastic member is provided. The radiation detector stand has a connector into which the card edge portion 29 is inserted. In the radiation detector 1, the card edge portion 29 is inserted into the connector, and the connector and the pattern 29a are electrically connected. Thus, the circuit is electrically connected to a control circuit as an external electric circuit, an external power supply line, a ground line, and the like.

図１を参照すると、放射線検出器１は、一対のＣｄＴｅ素子１０の基板２０の反対側に、各ＣｄＴｅ素子１０の電極パターンと基板２０に設けられた複数の基板端子２２とのそれぞれを電気的に接続する配線パターン（ＣｄＴｅ素子１０の基板２０の反対側の素子表面１０ａの電極パターン、及びフレキシブル基板４０のＣｄＴｅ素子１０側の配線パターンは図示しない）を有するフレキシブル基板４０を更に備える。 Referring to FIG. 1, the radiation detector 1 electrically connects an electrode pattern of each CdTe element 10 and a plurality of substrate terminals 22 provided on the substrate 20 on the opposite side of the substrate 20 of the pair of CdTe elements 10. And a flexible substrate 40 having a wiring pattern (an electrode pattern on the element surface 10a opposite to the substrate 20 of the CdTe element 10 and a wiring pattern on the CdTe element 10 side of the flexible substrate 40 are not shown).

フレキシブル基板４０は、一対のＣｄＴｅ素子１０の一方のＣｄＴｅ素子１０側、及び他方のＣｄＴｅ素子１０側の双方に設けられる（本実施の形態においては、４組の一対のＣｄＴｅ素子１０の一方のＣｄＴｅ素子１０側のそれぞれと、他方のＣｄＴｅ素子１０側のそれぞれとの双方に、フレキシブル基板４０がそれぞれ設けられる）。そして、フレキシブル基板４０の複数の配線パターンの一端はそれぞれ、基板端子２２に電気的に接続する。 The flexible substrate 40 is provided on both the one CdTe element 10 side and the other CdTe element 10 side of the pair of CdTe elements 10 (in the present embodiment, one CdTe of the four pairs of CdTe elements 10). A flexible substrate 40 is provided on each of the element 10 side and each of the other CdTe element 10 side). Then, one end of each of the plurality of wiring patterns of the flexible substrate 40 is electrically connected to the substrate terminal 22.

（基板２０の詳細）
図２は、第１の実施の形態に係る基板の正面図である。図３（ａ）は、第１の実施の形態に係る基板の輪郭領域近傍の拡大図であり、（ｂ）は、基板の角部近傍の拡大図である。図４は、第１の実施の形態に係る基板とＣｄＴｅ素子との位置関係を示す斜視図である。 (Details of substrate 20)
FIG. 2 is a front view of the substrate according to the first embodiment. FIG. 3A is an enlarged view of the vicinity of the outline region of the substrate according to the first embodiment, and FIG. 3B is an enlarged view of the vicinity of the corner portion of the substrate. FIG. 4 is a perspective view showing a positional relationship between the substrate and the CdTe element according to the first embodiment.

本実施の形態に係る基板２０は、金属導体等の導電性材料からなる導電性薄膜（例えば、銅箔）が表面に形成された薄肉基板（例えば、ＦＲ４等のガラスエポキシ基板）を、ソルダーレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層２０ｃで挟んで形成される。 The substrate 20 according to the present embodiment is a thin substrate (for example, a glass epoxy substrate such as FR4) on which a conductive thin film (for example, copper foil) made of a conductive material such as a metal conductor is formed. The insulating layer 20c made of an insulating material such as is sandwiched.

また、基板２０は、図１及び図２に示すように、ＣｄＴｅ素子１０が設置される搭載領域２１、及び搭載領域２１に設置されるＣｄＴｅ素子１０の輪郭に対応する領域の一部を切り欠いて形成された切り欠き部２１ａを備えている。 Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 20 has a mounting area 21 where the CdTe element 10 is installed and a part of the area corresponding to the outline of the CdTe element 10 installed in the mounting area 21. The cutout portion 21a is formed.

搭載領域２１は、基板２０のカードエッジ部２９が設けられる側の反対側の辺近傍に位置する。本実施の形態における搭載領域２１は、基板２０の両面に設けられ、各搭載領域２１に、一例として、４つのＣｄＴｅ素子１０が搭載される。 The mounting area 21 is located in the vicinity of the side opposite to the side on which the card edge portion 29 of the substrate 20 is provided. The mounting areas 21 in the present embodiment are provided on both surfaces of the substrate 20, and four CdTe elements 10 are mounted on each mounting area 21 as an example.

切り欠き部２１ａは、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＣｄＴｅ素子１０の角部分に対応する領域である角部２００に形成される。この角部２００は、図２の紙面において基板２０の上端部の両側にあたる。 As shown in FIGS. 3A and 3B, the notch 21 a is formed in the corner 200 that is a region corresponding to the corner of the CdTe element 10. The corner portions 200 correspond to both sides of the upper end portion of the substrate 20 in the paper surface of FIG.

図３（ａ）に点線で示す輪郭領域１００ａは、搭載領域２１に設置されるＣｄＴｅ素子１０の輪郭に対応する領域である。切り欠き部２１ａは、図３（ｂ）に示すように、この輪郭領域１００ａの４つの角部分１００ｂのうち、基板２０の角部２００に対応する角部分１００ｂに基づいて形成される。切り欠き部２１ａは、例えば、略１／４円形状となるように形成される。切り欠き部２１ａは、基板２０の正面視にて、この略１／４円内にＣｄＴｅ素子１０の角部が見えるように形成される。 A contour region 100 a indicated by a dotted line in FIG. 3A is a region corresponding to the contour of the CdTe element 10 installed in the mounting region 21. As shown in FIG. 3B, the notch 21a is formed based on a corner portion 100b corresponding to the corner portion 200 of the substrate 20 among the four corner portions 100b of the contour region 100a. The notch 21a is formed, for example, in a substantially quarter circle shape. The cutout portion 21a is formed so that the corner portion of the CdTe element 10 can be seen in the approximately ¼ circle when the substrate 20 is viewed from the front.

この輪郭領域１００ａは、例えば、複数の素子接続部２０ａと、素子接続部２０ａ間の領域である複数の間隙領域２０ｂとを含んでいる。 The contour region 100a includes, for example, a plurality of element connection portions 20a and a plurality of gap regions 20b that are regions between the element connection portions 20a.

素子接続部２０ａは、例えば、導電性を有する金属材料を用いて形成される。また、素子接続部２０ａは、基板２０の正面視にて長手方向が基板２０の短手方向に沿った略長方形状を有する。そして、素子接続部２０ａは、一例として、幅Ｗ_１が０．６ｍｍである。間隙領域２０ｂは、一例として、幅Ｗ_２が０．８ｍｍである。 The element connection portion 20a is formed using, for example, a conductive metal material. In addition, the element connection portion 20 a has a substantially rectangular shape in which the longitudinal direction is along the short direction of the substrate 20 in a front view of the substrate 20. The element connecting portion 20a, as an example, is 0.6mm width _{W 1.} Gap region 20b, as an example, is 0.8mm width _{W 2.}

また、図４に示す隣り合うＣｄＴｅ素子１０の間隔Ｗ_３は、一例として、０．１ｍｍである。 The interval _{W 3} of CdTe element 10 adjacent shown in FIG. 4, as an example, is 0.1 mm.

図５は、第１の実施の形態に係る基板にＣｄＴｅ素子を搭載した状態の一部分を上面から示した模式的な拡大図である。 FIG. 5 is a schematic enlarged view showing a part of the state in which the CdTe element is mounted on the substrate according to the first embodiment from the upper surface.

本実施の形態においては、基板２０の一方の面と他方の面とのそれぞれに複数のＣｄＴｅ素子１０が搭載される。各ＣｄＴｅ素子１０は、図５に示すように、フレキシブル基板４０の配線パターンに接続する電極パターン（図示しない）を素子表面１０ａに有すると共に、複数の溝部１０ｃを基板２０側の素子表面１０ｂに有する。また、ＣｄＴｅ素子１０はそれぞれ、複数の溝部１０ｃの間の素子表面１０ｂに、基板２０の素子接続部２０ａに接続する電極パターンを有する（図示しない）。 In the present embodiment, a plurality of CdTe elements 10 are mounted on each of one surface and the other surface of the substrate 20. As shown in FIG. 5, each CdTe element 10 has an electrode pattern (not shown) connected to the wiring pattern of the flexible substrate 40 on the element surface 10 a and a plurality of grooves 10 c on the element surface 10 b on the substrate 20 side. . Each of the CdTe elements 10 has an electrode pattern (not shown) connected to the element connecting portion 20a of the substrate 20 on the element surface 10b between the plurality of groove portions 10c.

また、一のＣｄＴｅ素子１０の複数の溝部１０ｃは、素子表面１０ｂに略等間隔で設けられる。一例として、一のＣｄＴｅ素子１０は、７つの溝部１０ｃを有する。ＣｄＴｅ素子１０は、溝部１０ｃが基板２０の間隙領域２０ｂと対向するように設置される。 Further, the plurality of groove portions 10c of one CdTe element 10 are provided on the element surface 10b at substantially equal intervals. As an example, one CdTe element 10 has seven groove portions 10c. The CdTe element 10 is installed such that the groove 10c faces the gap region 20b of the substrate 20.

溝部１０ｃで分けられるＣｄＴｅ素子１０の部分のそれぞれが、放射線を検出する１つの画素（ピクセル）に対応する。これにより、一のＣｄＴｅ素子１０は、複数の画素を有することになる。そして、１つの放射線検出器１が８つのＣｄＴｅ素子１０（４組の一対のＣｄＴｅ素子１０）を備え、１つのＣｄＴｅ素子１０がそれぞれ８つのピクセルを有する場合、１つの放射線検出器１は、６４ピクセルの解像度を有することになる。溝部１０ｃの数を増減させることにより、一のＣｄＴｅ素子１０のピクセル数を増減させることができる。よって素子接続部２０ａは、１つのピクセルごとに形成されるので、図２に示すように、基板２０の片面に３２個の素子接続部２０ａが形成されることになる。 Each portion of the CdTe element 10 divided by the groove 10c corresponds to one pixel (pixel) that detects radiation. Thereby, one CdTe element 10 has a plurality of pixels. When one radiation detector 1 includes eight CdTe elements 10 (four pairs of CdTe elements 10), and one CdTe element 10 includes eight pixels, one radiation detector 1 has 64 It will have pixel resolution. The number of pixels of one CdTe element 10 can be increased or decreased by increasing or decreasing the number of grooves 10c. Therefore, since the element connection portion 20a is formed for each pixel, 32 element connection portions 20a are formed on one surface of the substrate 20 as shown in FIG.

ＣｄＴｅ素子１０は、図５に示すように、基板２０の素子接続部２０ａに導電性接着剤５０によって固定される。ここで、本実施の形態においては、一方のＣｄＴｅ素子１０の一のピクセル部分と、この一のピクセル部分に基板２０を対称面として対称の位置に設けられる他方のＣｄＴｅ素子１０の一のピクセル部分とは、導電性接着剤５０ａと導電性接着剤５０ｂとで基板２０に固定される。 As shown in FIG. 5, the CdTe element 10 is fixed to the element connecting portion 20 a of the substrate 20 with a conductive adhesive 50. Here, in the present embodiment, one pixel portion of one CdTe element 10 and one pixel portion of the other CdTe element 10 provided at a symmetrical position with the substrate 20 as a symmetry plane in the one pixel portion. Is fixed to the substrate 20 with the conductive adhesive 50a and the conductive adhesive 50b.

ここで、基板２０は、ＣｄＴｅ素子１０が導電性接着剤５０により固定されるとき、接着による残留応力等で反りが生じることがある。この反りにより、仮に切り欠き部２１ａがない場合、例えば、基板２０がＣｄＴｅ素子１０に接触することがある。この場合、ＣｄＴｅ素子１０にストレス、欠け等が発生し、放射線検出器１の放射線検出特性が低下する。しかし、基板２０には、切り欠き部２１ａが形成されているので、反りが生じてもＣｄＴｅ素子１０と基板２０との接触が防止される。 Here, when the CdTe element 10 is fixed by the conductive adhesive 50, the substrate 20 may be warped due to residual stress or the like due to adhesion. Due to this warpage, if there is no notch 21 a, for example, the substrate 20 may come into contact with the CdTe element 10. In this case, stress, chipping or the like occurs in the CdTe element 10 and the radiation detection characteristics of the radiation detector 1 are deteriorated. However, since the notch 21a is formed in the substrate 20, contact between the CdTe element 10 and the substrate 20 is prevented even if warpage occurs.

溝部１０ｃの幅Ｔ_３は、一例として、０．２ｍｍである。そして、ＣｄＴｅ素子１０の厚さＴ_２は、一例として、１．２ｍｍである。更に、図５を参照すると、一のピクセルの幅もＣｄＴｅ素子１０の厚さＴ_２に等しい幅Ｔ_２を有して形成される。したがって、一のピクセルは、上面視にて一の隅部が溝部１０ｃで欠けた略正方形状を有する。また、本実施の形態においては、複数のＣｄＴｅ素子１０それぞれの溝部１０ｃの幅を、例えば、コリメータの開口径又は複数の開口を隔てる壁の厚さに応じて決定できる。以下に、基板２０の厚さについて説明する。 Width _{T 3} of the groove 10c is, for example, is 0.2 mm. Then, the thickness _{T 2} of the CdTe device 10, as an example, is 1.2 mm. Further, referring to FIG. 5, the width of one pixel is formed with a width T ₂ equal to the thickness T ₂ of the CdTe element 10. Accordingly, one pixel has a substantially square shape in which one corner is cut off by the groove 10c in a top view. Further, in the present embodiment, the width of the groove 10c of each of the plurality of CdTe elements 10 can be determined according to, for example, the opening diameter of the collimator or the thickness of the wall separating the plurality of openings. Hereinafter, the thickness of the substrate 20 will be described.

図６は、第１の実施の形態に係る放射線検出器上にコリメータを備えた付けた場合の模式的な断面の部分的な拡大図である。 FIG. 6 is a partial enlarged view of a schematic cross section when a collimator is provided on the radiation detector according to the first exemplary embodiment.

基板２０は、コリメータ７の複数の開口７１を隔てる壁部７０と同程度又は当該壁部７０の厚さｄ_２以下の厚さＴ_１を有する。一例として、図６に示すように、コリメータ７の複数の開口７１は略四角形状に形成される。そして、複数の開口７１の開口径ｄ_１のサイズは一辺が１．２ｍｍに形成され、各開口７１が１．４ｍｍピッチでマトリックス状に並べられて形成される。したがって、コリメータ７において、一の開口７１と、この一の開口７１に隣接する他の開口７１とを隔てる壁部７０の厚さｄ_２が０．２ｍｍである。 The substrate 20 has a thickness T ₁ that is about the same as the wall portion 70 that separates the plurality of openings 71 of the collimator 7 or is equal to or less than the thickness d ₂ of the wall portion 70. As an example, as shown in FIG. 6, the plurality of openings 71 of the collimator 7 are formed in a substantially square shape. Then, the opening size of the diameter _{d 1} of the plurality of openings 71 side is formed in 1.2 mm, the openings 71 are formed are arranged in a matrix at 1.4mm pitch. Accordingly, the collimator 7, the first opening 71, the thickness _{d 2} of the wall portion 70 separating the other opening 71 adjacent to the one opening 71 is 0.2 mm.

また、コリメータ７は、複数の放射線検出器１を覆うように設けられる。そして、コリメータ７を用いる場合において、コリメータ７の複数の開口７１それぞれの位置と、ＣｄＴｅ素子１０の複数のピクセルそれぞれの位置とを対応させることが要求される。この対応関係がずれた場合、ピクセルの位置にコリメータ７の複数の開口７１を隔てる壁部７０（「隔壁」、「セプタ」という場合もある）が位置することになる。この場合、ピクセル上に壁部７０が位置するので、このピクセルにおいて放射線を適切に検出することはできない。 The collimator 7 is provided so as to cover the plurality of radiation detectors 1. When the collimator 7 is used, it is required that the positions of the plurality of openings 71 of the collimator 7 correspond to the positions of the plurality of pixels of the CdTe element 10. When this correspondence is deviated, a wall portion 70 (also referred to as “partition wall” or “sceptor”) that separates the plurality of openings 71 of the collimator 7 is positioned at the pixel position. In this case, since the wall portion 70 is located on the pixel, the radiation cannot be appropriately detected at the pixel.

したがって、コリメータ７の壁部７０にＣｄＴｅ素子１０のピクセル部分が覆われることを防止すべく、複数の放射線検出器１間の間隔を狭めることにより、複数の放射線検出器１のコリメータ７に対する高い位置精度を実現することが要求される。なお、コリメータ７の複数の開口７１の開口径ｄ_１を小さくして分解能を向上させる場合には、更に高い位置精度が要求される。 Therefore, the positions of the plurality of radiation detectors 1 with respect to the collimator 7 are reduced by narrowing the interval between the plurality of radiation detectors 1 in order to prevent the pixel portion of the CdTe element 10 from being covered with the wall 70 of the collimator 7. Realization of accuracy is required. Incidentally, in the case of improving the resolution by reducing the opening diameter d ₁ of the plurality of apertures 71 of the collimator 7 it is required to further high positional accuracy.

本実施の形態に係る放射線検出器１は、コリメータ７の開口７１を隔てる壁部７０の厚さｄ_２と同程度若しくはｄ_２以下の厚さＴ_１を有する基板２０を備えているので、複数の放射線検出器１間の間隔Ｘを壁部７０の厚さｄ_２以下に設定できる。また、放射線検出器１とコリメータ７の間隔ｄ_３は、例えば、１〜５ｍｍである。 Since the radiation detector 1 according to the present embodiment includes a substrate 20 having a thickness d ₂ and equal to or d ₂ less thickness T ₁ of the wall portion 70 that separates the opening 71 of the collimator 7, a plurality The distance X between the radiation detectors 1 can be set to be equal to or less than the thickness d ₂ of the wall 70. The distance _{d 3} of the radiation detector 1 and the collimator 7 is, for example, 1 to 5 mm.

ここで、放射線６が、図６に示すように、放射線検出器１の検出面１００に対して斜め方向から入射する場合、開口７１の直下にあるＣｄＴｅ素子１０ではなく、基板２０を介して対向するＣｄＴｅ素子１０に入射してしまう現象、いわゆるクロストークが発生することが考えられる。このクロストークを防止するためには、コリメータ７の開口７１の開口径ｄ１を狭くしたり、壁部７０の厚さｄ_２を厚くしたり、放射線検出器１とコリメータ７との間隔ｄ_３を狭くしたり、コリメータ７の入射方向の長さを長くする等の対策が考えられる。しかし、コリメータ７は、放射線６が透過しない鉛等の比較的比重が大きい金属を用いて構成されるので、厚さｄ_２を厚くしたり、コリメータ７の入射方向の長さを長くしたりすることは、コリメータ７の重さが増大する原因になる。そこで、基板２０は、クロストークの防止の観点から、その厚さＴ_１は、０．４ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ程度であることがより好ましい。０．４ｍｍという厚さは、放射線検出器１の分解能とコリメータ７の重さから設定される。また、０．２ｍｍという厚さは、壁部７０が放射線６を透過させない厚さであることから設定される。 Here, when the radiation 6 is incident on the detection surface 100 of the radiation detector 1 from an oblique direction as shown in FIG. 6, the radiation 6 faces through the substrate 20 instead of the CdTe element 10 immediately below the opening 71. It is conceivable that a phenomenon that is incident on the CdTe element 10, that is, so-called crosstalk occurs. In order to prevent this crosstalk, or narrowing the opening diameter d1 of the aperture 71 of the collimator 7, or increase the thickness d ₂ of the wall portion 70, the distance d ₃ between the radiation detector 1 and the collimator 7 Measures such as narrowing or increasing the length of the collimator 7 in the incident direction can be considered. However, collimator 7, since radiation 6 is constructed using a relatively high specific gravity metal such as lead which does not transmit, or thicker d _2, or increasing the length of the incident direction of the collimator 7 This causes the weight of the collimator 7 to increase. Therefore, the thickness T ₁ of the substrate 20 is preferably 0.4 mm or less, and more preferably about 0.2 mm, from the viewpoint of preventing crosstalk. The thickness of 0.4 mm is set based on the resolution of the radiation detector 1 and the weight of the collimator 7. The thickness of 0.2 mm is set because the wall portion 70 is a thickness that does not transmit the radiation 6.

また、基板２０は、複数のＣｄＴｅ素子１０のそれぞれが搭載される第一の端部側の幅が、複数のＣｄＴｅ素子１０が搭載される第一の端部側の反対側の第二の端部側よりも広く形成される。なお、第二の端部側において基板２０はカードホルダ３０及びカードホルダ３１によって支持される。また、第二の端部側には、放射線検出器１と外部の制御回路とを電気的に接続可能である複数のパターン２９ａが設けられたカードエッジ部２９が設けられる。また、素子接続部２０ａとカードエッジ部２９との間には、複数のＣｄＴｅ素子１０のそれぞれと、素子接続部２０ａを介して電気的に接続する抵抗、コンデンサ等の電子部品を搭載する複数の電子部品搭載部２６が設けられる。なお、電子部品搭載部２６に、ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ（ＡＳＩＣ）、ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＧａｔｅＡｒｒａｙ（ＦＰＧＡ）等を搭載することもできる。 In addition, the substrate 20 has a width on the first end side on which each of the plurality of CdTe elements 10 is mounted, the second end on the opposite side of the first end side on which the plurality of CdTe elements 10 are mounted. It is formed wider than the part side. The substrate 20 is supported by the card holder 30 and the card holder 31 on the second end side. On the second end side, a card edge portion 29 provided with a plurality of patterns 29a capable of electrically connecting the radiation detector 1 and an external control circuit is provided. Further, between the element connecting portion 20a and the card edge portion 29, a plurality of CdTe elements 10 and a plurality of electronic components such as resistors and capacitors that are electrically connected via the element connecting portion 20a are mounted. An electronic component mounting unit 26 is provided. Note that an application specific integrated circuit (ASIC), a field programmable gate array (FPGA), or the like can be mounted on the electronic component mounting unit 26.

なお、基板２０は、一例として、幅広の方向、すなわち長手方向は４０ｍｍ程度の長さを有して形成される。そして、基板２０は、幅広の部分の端部から幅が狭くなっている部分の端部まで、すなわち、素子接続部２０ａが設けられている部分の端からカードエッジ部２９の端までの短手方向において、２０ｍｍ程度の長さを有して形成される。 As an example, the substrate 20 is formed to have a length of about 40 mm in the wide direction, that is, the longitudinal direction. The substrate 20 is short from the end of the wide portion to the end of the narrowed portion, that is, from the end of the portion where the element connecting portion 20a is provided to the end of the card edge portion 29. In the direction, it is formed with a length of about 20 mm.

更に、基板２０は、素子接続部２０ａと電子部品搭載部２６との間に、基板２０の表面からこの表面の法線方向に沿って突き出て形成される柱状の複数の基板端子２２を有する。本実施の形態では、一例として、基板２０の一表面に４つの円柱状の基板端子２２が形成される。なお、基板端子２２は、断面が矩形の柱状にすることもできる。更に、基板２０は、幅広の部分の角部にグランド２８を有すると共に、グランド２８が設けられる領域に、カードホルダ３０及びカードホルダ３１の突起部３６が挿入される複数の貫通穴２４が設けられる。 Further, the substrate 20 has a plurality of columnar substrate terminals 22 formed to protrude from the surface of the substrate 20 along the normal direction of the surface between the element connection portion 20a and the electronic component mounting portion 26. In the present embodiment, as an example, four columnar substrate terminals 22 are formed on one surface of the substrate 20. The substrate terminal 22 may be a column having a rectangular cross section. Further, the substrate 20 has a ground 28 at the corner of the wide portion, and a plurality of through holes 24 into which the card holder 30 and the protrusions 36 of the card holder 31 are inserted are provided in the area where the ground 28 is provided. .

また、素子接続部２０ａと、基板端子２２と、電子部品搭載部２６と、グランド２８と、パターン２９ａとはそれぞれ、基板２０の厚さ方向の中心に位置する導電性薄膜を対称面として、基板２０の一方の表面と他方の表面とのそれぞれに設けられる。ここで、素子接続部２０ａと、電子部品搭載部２６と、グランド２８と、パターン２９ａとはそれぞれ、一方の表面と他方の表面とに基板を対称面として略対称の位置に設けられる。一方、複数の基板端子２２は、一方の面と他方の面とで互い違いになる位置に設けられる。更に、複数のグランド２８はそれぞれ、導電性薄膜を被覆する絶縁層２０ｃを除去することにより導電性薄膜を外部に露出させて形成される。 In addition, the element connection portion 20a, the substrate terminal 22, the electronic component mounting portion 26, the ground 28, and the pattern 29a are each formed by using a conductive thin film located at the center in the thickness direction of the substrate 20 as a symmetry plane. 20 is provided on each of one surface and the other surface. Here, the element connecting portion 20a, the electronic component mounting portion 26, the ground 28, and the pattern 29a are provided at substantially symmetrical positions on one surface and the other surface, respectively, with the substrate as a symmetry plane. On the other hand, the plurality of substrate terminals 22 are provided at positions that alternate between one surface and the other surface. Further, each of the plurality of grounds 28 is formed by exposing the conductive thin film to the outside by removing the insulating layer 20c covering the conductive thin film.

本実施の形態において、半導体素子を構成する化合物半導体としては、例えば、ＣｄＴｅを用いたがこれに限定されず、γ線等の放射線を検出するＣｄＺｎＴｅ（ＣＺＴ）素子、ＨｇＩ_２素子等の化合物半導体素子を用いることもできる。 In the present embodiment, for example, CdTe is used as a compound semiconductor constituting the semiconductor element, but the compound semiconductor is not limited to this. For example, a compound semiconductor such as a CdZnTe (CZT) element or an HgI ₂ element that detects radiation such as γ rays An element can also be used.

（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態に係る放射線検出器１によれば、基板２０が反ったとしても、切り欠き部２１ａによりＣｄＴｅ素子１０と基板２０との接触が避けられるので、放射線検出器１の放射線を検出する特性の劣化を防止することができる。また、この放射線検出器１によれば、組立て時にＣｄＴｅ素子１０が基板２０に接触することによるＣｄＴｅ素子１０の欠けを防止することができる。 (Effects of the first embodiment)
According to the radiation detector 1 according to the first embodiment, even if the substrate 20 is warped, the contact between the CdTe element 10 and the substrate 20 is avoided by the notch 21a. It is possible to prevent deterioration of the characteristics to be detected. In addition, according to the radiation detector 1, chipping of the CdTe element 10 due to the CdTe element 10 coming into contact with the substrate 20 at the time of assembly can be prevented.

［第２の実施の形態］
第２の実施の形態は、上記の切り欠き部２１ａの他に切り欠き部を形成した点で第１の実施の形態と異なっている。なお、以下に示す各実施の形態及び変形例において、第１の実施の形態と同じ構成及び機能を有する部分については、第１の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。 [Second Embodiment]
The second embodiment is different from the first embodiment in that a notch is formed in addition to the notch 21a. In the following embodiments and modifications, portions having the same configuration and functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and description thereof is omitted. And

図７は、第２の実施の形態に係る基板の正面図である。図８は、第２の実施の形態に係る基板の輪郭領域近傍の拡大図である。 FIG. 7 is a front view of the substrate according to the second embodiment. FIG. 8 is an enlarged view of the vicinity of the outline region of the substrate according to the second embodiment.

本実施の形態に係る基板２０は、図７に示すように、基板２０の搭載領域２１の短手方向の両端部に、切り欠き部２１ｂを有する。この切り欠き部２１ｂは、切り欠き部２１ａに対応する角部分１００ｂとは異なる領域であり、かつ、搭載領域２１の端部であって、隣り合うＣｄＴｅ素子１０がないＣｄＴｅ素子１０の短手方向の角部分１００ｂに形成される。また、切り欠き部２１ｂは、例えば、半円形状となるように形成される。切り欠き部２１ｂは、基板２０の正面視にて、この半円内にＣｄＴｅ素子１０の角部が露出するように形成される。 As shown in FIG. 7, the substrate 20 according to the present embodiment has notches 21 b at both ends in the short direction of the mounting region 21 of the substrate 20. This notch portion 21b is a region different from the corner portion 100b corresponding to the notch portion 21a, and is an end portion of the mounting region 21, and the short direction of the CdTe element 10 without the adjacent CdTe element 10 Is formed at the corner portion 100b. Moreover, the notch part 21b is formed so that it may become a semicircle shape, for example. The notch 21b is formed so that the corner of the CdTe element 10 is exposed in this semicircle when the substrate 20 is viewed from the front.

（第２の実施の形態の効果）
第２の実施の形態に係る放射線検出器１によれば、基板２０が反ったとしても、切り欠き部２１ａ及び切り欠き部２１ｂによりＣｄＴｅ素子１０と基板２０との接触が避けられるので、放射線検出器１の放射線を検出する特性の劣化を防止することができる。また、この放射線検出器１によれば、組立て時にＣｄＴｅ素子１０が基板２０に接触することによるＣｄＴｅ素子１０の欠けを防止することができる。 (Effect of the second embodiment)
According to the radiation detector 1 according to the second embodiment, even if the substrate 20 is warped, the contact between the CdTe element 10 and the substrate 20 is avoided by the notch portion 21a and the notch portion 21b. It is possible to prevent deterioration of the characteristics of detecting the radiation of the device 1. In addition, according to the radiation detector 1, chipping of the CdTe element 10 due to the CdTe element 10 coming into contact with the substrate 20 at the time of assembly can be prevented.

［第３の実施の形態］
第３の実施の形態は、ＣｄＴｅ素子の４つの角部に対応する領域に切り欠き部を形成する点で上記の他の実施の形態と異なっている。 [Third Embodiment]
The third embodiment differs from the other embodiments described above in that notches are formed in regions corresponding to the four corners of the CdTe element.

図９は、第３の実施の形態に係る基板の正面図である。図１０は、第３の実施の形態に係る基板の角部近傍の拡大図である。図１１は、第３の実施の形態に係る基板とＣｄＴｅ素子の位置関係を示す斜視図である。 FIG. 9 is a front view of a substrate according to the third embodiment. FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the corner of the substrate according to the third embodiment. FIG. 11 is a perspective view showing the positional relationship between the substrate and the CdTe element according to the third embodiment.

本実施の形態に係る基板２０は、図９乃至図１１に示すように、搭載領域２１に位置するＣｄＴｅ素子１０の４つの角部に対応する領域に切り欠き部２１ａ〜２１ｄを有する。 As shown in FIGS. 9 to 11, the substrate 20 according to the present embodiment includes notches 21 a to 21 d in regions corresponding to the four corners of the CdTe element 10 located in the mounting region 21.

切り欠き部２１ｃは、例えば、輪郭領域１００ａの上部の辺部分１００ｃであり、かつ、ＣｄＴｅ素子１０の角部に対応する領域に形成され、半円形状を有する。この切り欠き部２１ｃは、例えば、図１０及び図１１に示すように、基板２０の正面視にて、ＣｄＴｅ素子１０の角部１０４と、角部１０４に隣り合うＣｄＴｅ素子１０の角部１０６とが、この半円内に露出するように形成される。角部１０４と角部１０６とが露出していることにより、ＣｄＴｅ素子１０を設置する際、ＣｄＴｅ素子１０の角部が基板２０に接触することを防ぐことができる。本実施の形態における放射線検出器１では、基板２０の片側に搭載されるＣｄＴｅ素子１０は、４つであるから、３つの切り欠き部２１ｃが形成される。 The notch 21c is, for example, the upper side portion 100c of the contour region 100a and is formed in a region corresponding to the corner of the CdTe element 10 and has a semicircular shape. For example, as shown in FIGS. 10 and 11, the notch 21 c includes a corner 104 of the CdTe element 10 and a corner 106 of the CdTe element 10 adjacent to the corner 104 in the front view of the substrate 20. Is formed so as to be exposed in the semicircle. Since the corner portion 104 and the corner portion 106 are exposed, the corner portion of the CdTe element 10 can be prevented from coming into contact with the substrate 20 when the CdTe element 10 is installed. In the radiation detector 1 according to the present embodiment, since there are four CdTe elements 10 mounted on one side of the substrate 20, three notches 21c are formed.

一方、切り欠き部２１ｄは、例えば、輪郭領域１００ａの下部の辺部分１００ｃに形成され、かつ、ＣｄＴｅ素子１０の角部に対応する領域に形成され、円形状を有する。この切り欠き部２１ｄは、例えば、図１０及び図１１に示すように、ＣｄＴｅ素子１０の角部１０５と、角部１０５に隣り合うＣｄＴｅ素子１０の角部１０７とが、この円内に露出するように形成される。露出していることにより、ＣｄＴｅ素子１０を設置する際、ＣｄＴｅ素子１０の角部が基板２０に接触することを防ぐことができる。本実施の形態における放射線検出器１では、基板２０の片側に搭載されるＣｄＴｅ素子１０は、４つであるから、３つの切り欠き部２１ｄが形成される。 On the other hand, the notch 21d is formed in, for example, the lower side portion 100c of the contour region 100a and in a region corresponding to the corner of the CdTe element 10, and has a circular shape. For example, as shown in FIG. 10 and FIG. 11, the notch 21 d has a corner 105 of the CdTe element 10 and a corner 107 of the CdTe element 10 adjacent to the corner 105 exposed in this circle. Formed as follows. By being exposed, it is possible to prevent the corners of the CdTe element 10 from contacting the substrate 20 when the CdTe element 10 is installed. In the radiation detector 1 according to the present embodiment, since there are four CdTe elements 10 mounted on one side of the substrate 20, three cutout portions 21d are formed.

切り欠き部２１ｃ及び切り欠き部２１ｄの直径Ｗ_４は、隣り合うＣｄＴｅ素子１０の間隔Ｗ_３が０．１ｍｍであることから、例えば、０．２ｍｍ以上であることが好ましい。また、切り欠き部２１ｃ及び切り欠き部２１ｄの直径Ｗ_４は、間隙領域２０ｂの間隔Ｗ_２が０．８ｍｍであることから、例えば、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。よって、本実施の形態に係る直径Ｗ_４は、一例として、０．６ｍｍである。 The diameter _{W 4} of the notches 21c and the notches 21d, since interval _{W 3} of CdTe element 10 adjacent is 0.1 mm, for example, is preferably 0.2mm or more. The diameter _{W 4} of the notches 21c and the notches 21d, since the distance _{W 2} of the gap region 20b is 0.8mm, for example, is preferably 0.8mm or less. Therefore, the diameter _{W 4} according to the present embodiment, as an example, is 0.6 mm.

（第３の実施の形態の効果）
第３の実施の形態に係る放射線検出器１によれば、基板２０が反ったとしても、切り欠き部２１ａ〜２１ｄによりＣｄＴｅ素子１０との接触を避けられるので、放射線検出器１の放射線を検出する特性の劣化を防止することができる。また、この放射線検出器１によれば、組立て時にＣｄＴｅ素子１０が基板２０に接触することによるＣｄＴｅ素子１０の欠けを防止することができる。 (Effect of the third embodiment)
According to the radiation detector 1 according to the third embodiment, even if the substrate 20 is warped, the contact with the CdTe element 10 can be avoided by the notches 21a to 21d, so that the radiation of the radiation detector 1 is detected. It is possible to prevent the deterioration of characteristics. In addition, according to the radiation detector 1, chipping of the CdTe element 10 due to the CdTe element 10 coming into contact with the substrate 20 at the time of assembly can be prevented.

［第４の実施の形態］
第４の実施の形態は、輪郭領域１００ａの辺部分１００ｃの間隙領域２０ｂに対応する領域に切り欠き部を形成する点で上記の他の実施の形態と異なっている。 [Fourth Embodiment]
The fourth embodiment is different from the other embodiments described above in that a notch is formed in a region corresponding to the gap region 20b of the side portion 100c of the contour region 100a.

図１２は、第４の実施の形態に係る基板の正面図である。図１３は、第４の実施の形態に係る基板とＣｄＴｅ素子の位置関係を示す斜視図である。 FIG. 12 is a front view of a substrate according to the fourth embodiment. FIG. 13 is a perspective view showing the positional relationship between the substrate and the CdTe element according to the fourth embodiment.

本実施の形態に係る基板２０は、図１２及び図１３に示すように、切り欠き部２１ａ〜２１ｄ以外に切り欠き部２１ｅ、２１ｆを有する。 As shown in FIGS. 12 and 13, the substrate 20 according to the present embodiment has notches 21 e and 21 f in addition to the notches 21 a to 21 d.

切り欠き部２１ｅは、例えば、輪郭領域１００ａの上部の辺部分１００ｃであり、かつ、間隙領域２０ｂに対応する領域に形成され、半円形状を有する。この切り欠き部２１ｅは、例えば、図１３に示すように、基板２０の正面視にて、ＣｄＴｅ素子１０の溝部１０ｃが、この半円内に露出するように形成される。本実施の形態における放射線検出器１では、一のＣｄＴｅ素子１０の溝部１０ｃの数は、７個であるから、基板２０では、２８個の切り欠き部２１ｅが形成される。 The notch 21e is, for example, the upper side portion 100c of the contour region 100a, is formed in a region corresponding to the gap region 20b, and has a semicircular shape. For example, as shown in FIG. 13, the notch 21e is formed so that the groove 10c of the CdTe element 10 is exposed in the semicircle when the substrate 20 is viewed from the front. In the radiation detector 1 according to the present embodiment, since the number of the groove portions 10c of one CdTe element 10 is 7, 28 cutout portions 21e are formed on the substrate 20.

一方、切り欠き部２１ｆは、例えば、輪郭領域１００ａの下部の辺部分１００ｃであり、かつ、間隙領域２０ｂに対応する領域に形成され、円形状を有する。この切り欠き部２１ｆは、例えば、図１３に示すように、ＣｄＴｅ素子１０の溝部１０ｃが、この円内に露出するように形成される。本実施の形態における放射線検出器１では、一のＣｄＴｅ素子１０の溝部１０ｃの数は、７個であるから、基板２０では、２８個の切り欠き部２１ｆが形成される。 On the other hand, the notch 21f is, for example, a side portion 100c below the contour region 100a and is formed in a region corresponding to the gap region 20b, and has a circular shape. For example, as shown in FIG. 13, the notch 21f is formed so that the groove 10c of the CdTe element 10 is exposed in the circle. In the radiation detector 1 according to the present embodiment, since the number of the groove portions 10c of one CdTe element 10 is seven, the substrate 20 has 28 cutout portions 21f.

切り欠き部２１ｅ及び切り欠き部２１ｆの直径は、例えば、切り欠き部２１ｃ及び切り欠き部２１ｄの直径と同じであるが、これに限定されない。 The diameters of the notch 21e and the notch 21f are, for example, the same as the diameters of the notch 21c and the notch 21d, but are not limited thereto.

（第４の実施の形態の効果）
第４の実施の形態に係る放射線検出器１によれば、基板２０が反ったとしても、切り欠き部２１ａ〜切り欠き部２１ｆによりＣｄＴｅ素子１０と基板２０との接触を避けられるので、放射線検出器１の放射線を検出する特性の劣化を防止することができる。また、この放射線検出器１によれば、組立て時にＣｄＴｅ素子１０が基板２０に接触することによるＣｄＴｅ素子１０の溝部１０ｃ周辺の欠けを、特に防止することができる。 (Effect of the fourth embodiment)
According to the radiation detector 1 according to the fourth embodiment, even if the substrate 20 is warped, the contact between the CdTe element 10 and the substrate 20 can be avoided by the cutout portion 21a to the cutout portion 21f. It is possible to prevent deterioration of the characteristics of detecting the radiation of the device 1. Moreover, according to this radiation detector 1, the chip | tip of the groove part 10c periphery of the CdTe element 10 by the CdTe element 10 contacting the board | substrate 20 at the time of an assembly can be especially prevented.

（変形例）
図１４（ａ）及び（ｂ）は、変形例に係る基板の拡大図である。本変形例では、切り欠き部の変形例について説明する。 (Modification)
14A and 14B are enlarged views of a substrate according to a modification. In this modification, a modification of the notch will be described.

図１４（ａ）に示す基板２０は、上記の各実施の形態における切り欠き部のような円弧形状ではなく、直線を組み合わせた三角形状、矩形状を有している。 The substrate 20 shown in FIG. 14A has a triangular shape or a rectangular shape in which straight lines are combined, not an arc shape like the notch in each of the above embodiments.

切り欠き部２１ａは、例えば、基板２０の端部を直線的に切り欠いた形状を有している。この切り欠き部２１ａは、図１４（ａ）に示す形状であっても、基板２０の反りによる、基板２０とＣｄＴｅ素子１０との接触を防止することができる。 The notch 21a has, for example, a shape obtained by linearly notching the end of the substrate 20. Even if the notch 21a has the shape shown in FIG. 14A, the contact between the substrate 20 and the CdTe element 10 due to the warpage of the substrate 20 can be prevented.

切り欠き部２１ｂ及び切り欠き部２１ｃは、例えば、輪郭領域１００ａの角部分１００ｂであって、基板２０の辺部分に対応する領域を三角形状に切り欠いて形成される。この切り欠き部２１ｂ及び切り欠き部２１ｃは、図１４（ａ）に示す形状であっても、基板２０の反りによる、基板２０とＣｄＴｅ素子１０との接触を防止することができる。 The notch portion 21b and the notch portion 21c are formed by, for example, corner portions 100b of the contour region 100a and notching a region corresponding to the side portion of the substrate 20 in a triangular shape. Even if the notch 21b and the notch 21c have the shape shown in FIG. 14A, the contact between the substrate 20 and the CdTe element 10 due to the warpage of the substrate 20 can be prevented.

切り欠き部２１ｄは、例えば、輪郭領域１００ａの角部分１００ｂであって、基板２０の内側の領域に対応する領域を矩形状に切り欠いて形成される。この切り欠き部２１ｄは、図１４（ａ）に示す形状であっても、基板２０の反りによる、基板２０とＣｄＴｅ素子１０の接触を防止することができる。 The notch 21d is formed by, for example, cutting a region corresponding to the inner region of the substrate 20 into a rectangular shape, which is the corner portion 100b of the contour region 100a. Even if the notch 21d has the shape shown in FIG. 14A, the contact between the substrate 20 and the CdTe element 10 due to the warpage of the substrate 20 can be prevented.

また、図１４（ｂ）に示す基板２０は、基板２０の角部に形成された切り欠き部２１ａが、他の切り欠き部２１ｂ〜切り欠き部２１ｄよりも大きく形成されている。これは、基板２０の反りが一番大きい部分が、基板２０の角部であることによる。切り欠き部２１ａを大きく形成することにより、基板２０が反ったとしても、特に切り欠き部２１ａによりＣｄＴｅ素子１０と基板２０との接触を避けられるので、放射線検出器１の放射線を検出する特性の劣化を防止することができる。 Further, in the substrate 20 shown in FIG. 14B, the notch 21a formed at the corner of the substrate 20 is formed larger than the other notch 21b to notch 21d. This is because the portion with the largest warpage of the substrate 20 is the corner portion of the substrate 20. By forming the cutout portion 21a large, even if the substrate 20 is warped, the contact between the CdTe element 10 and the substrate 20 can be avoided particularly by the cutout portion 21a, so that the radiation of the radiation detector 1 can be detected. Deterioration can be prevented.

なお、切り欠き部は、上記の各実施の形態及び変形例を組み合わせて基板２０に形成されても良い。 Note that the cutout portion may be formed on the substrate 20 by combining the above-described embodiments and modifications.

以上、本発明の実施の形態及びその変形例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び変形例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。 As mentioned above, although embodiment of this invention and its modification were demonstrated, embodiment and modification which were described above do not limit the invention which concerns on a claim. In addition, it should be noted that not all combinations of features described in the embodiments and the modifications are necessarily essential to the means for solving the problems of the invention.

１…放射線検出器
６…放射線
７…コリメータ
１０…ＣｄＴｅ素子
１０ａ、１０ｂ…素子表面
１０ｃ…溝部
２０…基板
２０ａ…素子接続部
２０ｂ…間隙領域
２０ｃ…絶縁層
２１…搭載領域
２１ａ〜２１ｆ…切り欠き部
２２…基板端子
２４…貫通穴
２６…電子部品搭載部
２８…グランド
２９…カードエッジ部
２９ａ…パターン
３０、３１…カードホルダ
３２…弾性部材実装部
３２ａ…凹部
３４…溝付穴
３６…突起部
４０…フレキシブル基板
５０、５０ａ、５０ｂ…導電性接着剤
７０…壁部
７１…開口
１００…検出面
１００ａ…輪郭領域
１００ｂ…角部分
１００ｃ…辺部分
１０４〜１０７、２００…角部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Radiation detector 6 ... Radiation 7 ... Collimator 10 ... CdTe element 10a, 10b ... Element surface 10c ... Groove part 20 ... Board | substrate 20a ... Element connection part 20b ... Gap area | region 20c ... Insulating layer 21 ... Mounting area | region 21a-21f ... Notch Part 22 ... Board terminal 24 ... Through hole 26 ... Electronic component mounting part 28 ... Ground 29 ... Card edge part 29a ... Pattern 30, 31 ... Card holder 32 ... Elastic member mounting part 32a ... Recess 34 ... Grooved hole 36 ... Projection part 40 ... flexible substrates 50, 50a, 50b ... conductive adhesive 70 ... wall 71 ... opening 100 ... detection surface 100a ... contour region 100b ... corner portion 100c ... side portions 104 to 107, 200 ... corner portion

Claims

放射線を検出可能な半導体素子と、
前記半導体素子と接着され、前記半導体素子が設置される搭載領域、及び前記搭載領域に設置される前記半導体素子の輪郭に対応する領域を切り欠いて形成された切り欠き部を有する放射線検出用基板と、
を備え、
前記切り欠き部は、前記放射線検出用基板の前記半導体素子の角部分に対応する領域に形成されていることを特徴とする放射線検出器。 A semiconductor element capable of detecting radiation;
A radiation detection substrate having a mounting area bonded to the semiconductor element, the mounting area on which the semiconductor element is installed, and a notch formed by cutting out an area corresponding to the outline of the semiconductor element installed in the mounting area When,
With
The radiation detector is characterized in that the notch is formed in a region corresponding to a corner portion of the semiconductor element of the radiation detection substrate .

前記切り欠き部が、前記放射線検出用基板の前記半導体素子の辺部分に対応する領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。 The radiation detector according to claim 1, wherein the notch is formed in a region corresponding to a side portion of the semiconductor element of the radiation detection substrate .

前記半導体素子と電気的に接続する複数の素子接続部を有し、
前記切り欠き部が、前記素子接続部間を切り欠いて形成されていることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の放射線検出器。 A plurality of element connecting portions electrically connected to the semiconductor element;
The radiation detector according to claim 1, wherein the notch is formed by notching between the element connecting portions .

前記放射線検出用基板の前記角部分に対応する切り欠き部が、他の前記切り欠き部よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項２または３のいずれか１項に記載の放射線検出器。 4. The radiation detection according to claim 2, wherein a cutout portion corresponding to the corner portion of the radiation detection substrate is formed to be larger than the other cutout portions. 5. vessel.

前記放射線検出用基板が、０．４ｍｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線検出器。 The radiation detector according to claim 1 , wherein the radiation detection substrate has a thickness of 0.4 mm or less .

前記放射線検出用基板を挟み込んで支持する支持部材を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線検出器。 The radiation detector according to any one of claims 1 to 5, further comprising a support member that sandwiches and supports the radiation detection substrate .