JP5708055B2 - Substrate processing method - Google Patents
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Description
この発明は、例えば液晶表示パネル用のガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造用のマスク基板などの基板(以下、単に「基板」という)をプレート、チャックなどの基板支持部材の上に支持しつつ、この基板に例えば加熱、冷却、レジスト塗布、HMDS処理、洗浄、現像などの所定の処理を施す基板処理装置に関し、特に処理終了後に基板を基板支持部材から剥離する際の剥離帯電を効果的に防止するための改良に関する。 The present invention supports, for example, a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display panel, a semiconductor wafer, a mask substrate for manufacturing a semiconductor (hereinafter simply referred to as “substrate”) on a substrate support member such as a plate or a chuck, The substrate processing apparatus that performs predetermined processing such as heating, cooling, resist coating, HMDS processing, cleaning, and development on the substrate, and particularly effectively prevents peeling charging when the substrate is peeled off from the substrate support member after the processing is completed. Related to improvements.
例えば、液晶表示パネルの製造工程においては、所定の表面処理を施されたガラス基板を供給し、レジスト液やカラーフィルタ用インク等の塗布、乾燥、冷却、洗浄等の各種処理を施すための処理工程が設けられている。これらの処理工程においては、ガラス基板を真空吸着テーブル装置に吸着させて搬送しながらコーターによってレジスト液等を塗布したり、ホットプレートに吸着保持させてガラス基板を乾燥させたり、クールプレートに吸着保持させて冷却したりしている。 For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display panel, a glass substrate that has been subjected to a predetermined surface treatment is supplied, and various treatments such as application of resist solution and color filter ink, drying, cooling, and washing are performed. A process is provided. In these processing steps, a glass substrate is adsorbed to a vacuum adsorption table device and transferred while applying a resist solution, etc. by a coater, or adsorbed and held on a hot plate to dry the glass substrate, or adsorbed and held on a cool plate. Or let it cool.
上記真空吸着テーブル装置やホットプレート、クールプレート等は、いずれも、ガラス基板をエアー吸引して吸着保持するための吸着保持プレートを備えている。この吸着保持プレートは、アルミニウム製プレート本体の上面に平滑な基板保持面(盤面)を形成し、基板保持面の表面にAl2O3等をベースとするアルマイト処理によって絶縁被膜を形成し、プレート本体内に設けた気体通路を基板保持面で開口させたものである。 The vacuum suction table device, the hot plate, the cool plate, etc. all include a suction holding plate for sucking and holding the glass substrate by air suction. This suction holding plate forms a smooth substrate holding surface (board surface) on the upper surface of the aluminum plate body, and an insulating film is formed on the surface of the substrate holding surface by alumite treatment based on Al2O3 or the like. The provided gas passage is opened at the substrate holding surface.
そして、基板保持面にガラス基板を載置し、気体通路を通じて基板保持面に開口した吸気孔からガラス基板と基板保持面の間に挟まれている空気を排気することにより基板保持面にガラス基板を吸着保持する。逆に、気体通路からの排気を停止してガラス基板を解放し、プレート本体から突出させたエジェクトピンでガラス基板を基板保持面から押し上げることにより、ガラス基板を基板保持面から剥離する。 Then, the glass substrate is placed on the substrate holding surface, and the glass substrate is placed on the substrate holding surface by exhausting air sandwiched between the glass substrate and the substrate holding surface from the air intake holes opened in the substrate holding surface through the gas passage. Adsorb and hold. Conversely, the exhaust from the gas passage is stopped to release the glass substrate, and the glass substrate is peeled from the substrate holding surface by pushing up the glass substrate from the substrate holding surface with the eject pin protruding from the plate body.
ガラス基板は帯電し易いので、処理開始前には静電気を除去されているが、吸着保持プレートへ至るまでのハンドリング中や吸着保持プレートへの吸着時にも帯電し易い。このように吸着保持プレートに保持されているガラス基板が静電気を帯びていると、それが原因で塗布液がはじかれて塗布ムラが生じたり、ガラス基板にゴミ等が付着して製品の良品率を低下させたりする問題がある。また、ガラス基板が帯電していると、プレート本体からエジェクトピンを突き出してガラス基板を基板保持面から剥離させる際、静電気力によってガラス基板が基板表面に引き付けられて弓成りに湾曲し、そこへロボットハンドが進入してガラス基板を割ってしまったり、液晶表示パネル用の薄いガラス基板では大きな反りによって割れたりすることがあった。さらに、基板保持面からガラス基板を剥離する際、帯電しているガラス基板と基板保持面との間で放電してスパークが走ることがあり、ガラス基板が破損したり、液晶表示素子用ガラス基板に形成されたTFT(薄膜トランジスタ)が破壊したりすることがあった。 Since the glass substrate is easily charged, static electricity is removed before the start of processing, but it is easily charged during handling up to the suction holding plate and during suction to the suction holding plate. If the glass substrate held on the suction holding plate is charged with static electricity as described above, the coating solution is repelled and uneven coating occurs, or dust adheres to the glass substrate and the product yield rate is good. There is a problem of lowering. In addition, when the glass substrate is charged, when ejecting the eject pin from the plate body and peeling the glass substrate from the substrate holding surface, the glass substrate is attracted to the substrate surface by electrostatic force and bent into a bow shape. A robot hand may enter and break the glass substrate, or a thin glass substrate for a liquid crystal display panel may break due to a large warp. Further, when the glass substrate is peeled off from the substrate holding surface, a spark may run due to discharge between the charged glass substrate and the substrate holding surface, the glass substrate may be damaged, or the glass substrate for a liquid crystal display element In some cases, the TFT (thin film transistor) formed on the substrate was destroyed.
このため、従来の基板処理装置では、前記盤面で開口する気体通路を内部に設け、当該気体通路を通じて盤面からエアーを吸引排気すると共に当該気体通路を通じて盤面へイオン化ガスを吹き出すようにした構成をとったものが知られている。(特許文献1,2を参照)この基板処理装置においては、イオン化ガスは盤面から吹き出されるので、ガラス基板と盤面の密着面に直接にイオン化ガスを送り込んで効率良く静電気を除去でき、さらに、イオン化ガスの流れによってガラス基板を盤面から浮き上がらせることができるので、確実かつ速やかにガラス基板を盤面から剥離することができる。
For this reason, the conventional substrate processing apparatus has a structure in which a gas passage opening in the board surface is provided inside, and air is sucked and exhausted from the board surface through the gas passage and ionized gas is blown out to the board surface through the gas passage. Is known. (Refer to
しかしながら、このような帯電除去方法においては、イオン生成箇所から基板保持面の表面に至るまでの配管の中でイオンが再結合することによる効果を見落としているため、効果的な除電ができない。配管の中でイオンが再結合する効果について、図6を用いて説明する。図6(a)では、配管の中でイオンが再結合する状況を示している。このようにイオンが再結合をすると、イオン生成箇所から基板保持面に到達するイオン数が減少するため、基板が基板保持面から剥離する際の帯電を効果的な除電ができないことになる。 However, in such a charge removal method, since the effect due to recombination of ions in the piping from the ion generation site to the surface of the substrate holding surface is overlooked, effective charge removal cannot be performed. The effect of recombination of ions in the piping will be described with reference to FIG. FIG. 6A shows a situation where ions are recombined in the pipe. When ions are recombined in this way, the number of ions that reach the substrate holding surface from the ion generation site is reduced, so that the charge when the substrate is peeled from the substrate holding surface cannot be effectively neutralized.
これに対しては、イオン生成手段に交流式、パルスDC方式、あるいはパルスAC方式といった、発生するイオンの極性が時間的に切り替わるタイプのイオナイザを用いる場合、イオンの再結合を防ぐためにイオナイザの周波数を低くする手段が考えられる。すなわち、イオナイザの周波数とは、発生するイオンの極性が時間的に切り替わる周波数のことであるが、この切り替えの時間を長くすることによってイオンの再結合を防ぐということである。この状況を示したのが図6(b)であるが、配管内でイオンの時間的なムラができてしまい、かえってガラス基板を帯電させてしまう弊害を生じさせてしまう。 On the other hand, when using an ionizer of the type in which the polarity of generated ions is switched over time, such as an alternating current, pulsed DC method, or pulsed AC method, the ionizer frequency is used to prevent ion recombination. A means of lowering can be considered. That is, the ionizer frequency is a frequency at which the polarity of the generated ions is switched over time, and the ion recombination is prevented by increasing the switching time. FIG. 6 (b) shows this situation, however, the time unevenness of ions is generated in the pipe, which causes the adverse effect of charging the glass substrate.
本発明では、イオン化ガスの中のイオンが再結合することなく基板保持表面に到達し、効果的にガラス基板の裏面を除電し、なおかつイオンの時間的なムラもできないような装置と方法を提供する。 In the present invention, there is provided an apparatus and method in which ions in an ionized gas reach the substrate holding surface without recombination, effectively neutralize the back surface of the glass substrate, and do not cause unevenness of ions over time. To do.
本発明にかかる基板処理方法は、絶縁性の基板を載置するためのステージと、
上記ステージ内にあって上記基板をリフトアップさせるリフトピンと、
上記ステージ表面の孔につながる配管と、
上記配管に接続される真空排気部と気体供給部と、
上記孔と上記真空排気部との間に設けられた真空用バルブと、
上記孔と上記気体供給部との間に設けられた真空破壊用バルブと、
上記気体供給部と上記真空破壊用バルブとの間で上記配管に接続し、上記気体供給部より導入される気体をイオン化し、さらに発生するイオンの極性が時間的に切り替わるイオナイザと、
上記イオナイザから発生するイオンの極性の切り替わる周波数を変更できる周波数制御部と、
上記リフトピンの昇降動作を制御するリフトアップ制御部とを備えた基板処理装置を用いて、
前記基板が前記ステージ上に載置されている状態で、
前記真空破壊用バルブを開けることにより、前記気体を前記配管内に導入させる工程と、
前記周波数制御部により第1の周波数にて前記イオナイザを動作させ、
前記リフトピンの上昇による前記基板の前記ステージからの離間を開始する工程と、
前記基板が前記ステージから離間している間、
前記周波数制御部により前記イオナイザの周波数を増大させる工程とを含む基板処理方法である。
A substrate processing method according to the present invention includes a stage for placing an insulating substrate,
A lift pin in the stage for lifting the substrate;
Piping connected to the holes on the stage surface,
A vacuum exhaust unit and a gas supply unit connected to the pipe;
A vacuum valve provided between the hole and the vacuum exhaust part;
A vacuum breaking valve provided between the hole and the gas supply unit;
An ionizer connected to the pipe between the gas supply unit and the vacuum breaking valve, ionizing the gas introduced from the gas supply unit, and further switching the polarity of the generated ions in time;
A frequency control unit capable of changing a frequency at which the polarity of ions generated from the ionizer is switched;
Using a substrate processing apparatus provided with a lift-up control unit that controls the lifting operation of the lift pins,
In a state where the substrate is placed on the stage,
A step of introducing the gas into the pipe by opening the vacuum breaking valve;
Operating the ionizer at a first frequency by the frequency controller;
Starting the separation of the substrate from the stage by raising the lift pins;
While the substrate is spaced from the stage,
And a step of increasing the frequency of the ionizer by the frequency control unit .
基板のリフトアップを開始した時は、基板裏面の蓄積電荷が最も多く、これを低い周波数のイオナイザにてイオンを効率よく基板裏面に到達させることで、蓄積電荷を減少させる。この時点ではイオンの偏り(ムラ)が残るので、その後徐々に周波数を高くすることによって、イオンのムラを除去する。周波数が高いことによる再結合は発生するが、リフトアップ開始時の周波数が低いイオナイザからのイオンにより基板裏面の蓄積電荷量は少なくなっているので、問題にはならない。 When the lift-up of the substrate is started, the accumulated charge on the back surface of the substrate is the largest, and the accumulated charge is reduced by making ions efficiently reach the back surface of the substrate by using a low frequency ionizer. At this point in time, the ion bias (unevenness) remains, so that the unevenness of the ions is removed by gradually increasing the frequency thereafter. Recombination due to the high frequency occurs, but this is not a problem because the amount of accumulated charge on the back surface of the substrate is reduced by ions from the ionizer having a low frequency at the start of lift-up.
以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。図1に、本実施の形態1にかかる基板処理装置について示す。図中、1は液晶表示パネル用のガラス基板、2はガラス基板1に処理を施すためにガラス基板1を保持するためのステージ、3はガラス基板1をステージ2に対して昇降させるためのリフトピンである。ステージ2の表面には、孔4が開いており、孔4は配管5につながっている。さらに、配管5内には、真空用バルブ6、真空破壊用バルブ7があり、それぞれの配管の末端には、真空排気部8、気体供給部9がある。言い換えれば、真空排気部8と孔4との間に真空用バルブ6があり、気体供給部9と孔4との間に真空破壊用バルブ7が設けられている。
The preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 shows a substrate processing apparatus according to the first embodiment. In the figure, 1 is a glass substrate for a liquid crystal display panel, 2 is a stage for holding the
真空破壊用バルブ7と気体供給部9との間には、配管5内のエアー内にイオンを混入させるためのAC型イオナイザ10が設けられている。イオナイザ10は、交流高電圧が印加される針先を有し、その交流高電圧の周波数は外部の周波数制御部11から制御できるようになっている。つまり、周波数制御部11によって、イオナイザ10から発生するイオンの極性を時間的に切り替える周波数であるところのイオナイザの周波数を制御することができる。12は、リフトピン3を上下させるリフトアップ制御部であり、周波数制御部11との信号のやりとりを行う。
Between the
次に、本発明に係る基板処理装置の動作について説明する。まず、基板が塗布、乾燥、冷却などの処理をされている間は、真空破壊用バルブ7が閉じ、真空用バルブ6が開いており、ガラス基板1はステージ2に真空吸着されることにより固定されている。
Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. First, while the substrate is being processed such as coating, drying, and cooling, the
基板への処理が終わると、真空用バルブ6が閉じ、真空破壊用バルブ7が開くことにより、気体供給部9よりエアーや窒素等の気体が配管5内に導入される。そして、真空破壊用バルブ7が開くと同時、あるいは開いた後に、イオナイザ10に例えば1Hzの第一周波数の交流高電圧が印加されてイオン生成の動作を開始する。
When the processing on the substrate is completed, the vacuum valve 6 is closed and the
一方、気体供給部9から供給されたエアーは配管5内を通り、孔4を介してガラス基板1とステージ2の間に供給される。配管5内の孔4近辺が大気圧に到達した段階でリフトピン3が上昇し始め、ガラス基板1をステージ2より離間すなわちリフトアップさせ始める。
On the other hand, the air supplied from the
リフトアップ開始直後はイオナイザ10の周波数は第一周波数として、例えば1Hzと低いため、イオナイザ10から発生するイオンの極性には時間的なムラが生じる。しかし、その反面、配管5内でのイオンの再結合が生じにくい。したがって、再結合によるイオンの消失は多少あるものの、十分な量のイオンがガラス基板1まで到達することができる。
Immediately after the start of lift-up, the frequency of the
また、ガラス基板1に供給されるイオンは前述のとおり時間的に極性のムラが生じるため、ガラス基板1の裏面に蓄積した静電気と同極性のイオンが供給される時間帯では、イオンは反発され、ガラス基板1の裏面に蓄積した静電気が増加することはない。その一方で、イオンの極性が切り替わり、逆極性のイオンが供給される時間帯では、ガラス基板1の裏面の静電気は効果的に中和される。
Further, since the ions supplied to the
リフトアップ制御部12は、リフトピン3を上昇させると共に、その上昇量に合せた情報を周波数制御部11へ送る。周波数制御部11はその情報を処理して、リフトピン3の上昇量にあわせてイオナイザ10の周波数が連続的に増大するよう制御する。この際、イオナイザ10により電離したイオンがガラス基板1に到達するまでの時間も考慮して制御するとなおよい。
The lift-up
イオナイザ10の交流高電圧の周波数を上げていくにつれて、ガラス基板1に供給されるイオンの極性の時間的なムラは減少していく。また、ガラス基板1に供給されるイオンの量も、リフトアップ当初よりも減少する。しかし、リフトアップが進んだ時点の基板1は、リフトアップ当初の第一周波数のような低周波のイオンにより十分中和されているため、問題にならない。
As the frequency of the AC high voltage of the
むしろ、基板1の剥離帯電が十分中和されている状況になっても尚、時間的に極性のムラを生じるような低周波のイオンを照射することにより、基板1の帯電の不安定な増大を引き起こす弊害がある。本発明の実施の形態では、基板1の帯電が中和するにつれて、イオンの極性の時間的なムラも少なくしていくことにより、基板1の剥離帯電を減少させている。
Rather, even if the peeling charge of the
そして、周波数制御部11は、リフトピン3が完全に上昇した時点で、イオナイザ10の周波数として第二周波数、例えば60Hzで動作するように制御する。ここで、第二周波数は第一周波数よりも高く設定されている。
Then, the
以上の除電状況とリフトピン3の上昇状況とを時系列のグラフで、図2に示す。図2において、グラフ中の細線は、リフトピン3の上昇高さを示し、太線は基板1の帯電量を示す。横軸は時間経過を示している。基板1の帯電量については、横軸ではゼロであり、横軸よりも上側と下側とでは極性が異なり、横軸よりも離れるに従い帯電量が大きいことを示している。
The above-described static elimination situation and the lift pin 3 rise situation are shown in FIG. 2 as a time-series graph. In FIG. 2, the thin line in the graph indicates the lift height of the lift pin 3, and the thick line indicates the charge amount of the
図2において、リフトピン3の上昇の初期は、イオナイザの極性切替の周波数が低いため、基板1の帯電量が大きく変動するものの、リフトピン3が上昇するに従い、周波数が増大し、基板1の帯電量もゼロに収束していく。
In FIG. 2, since the frequency of switching the polarity of the ionizer is low at the initial stage of the lift pin 3 rising, the charge amount of the
一方、比較例として同様のグラフを図3に示す。グラフの表記は、図2と同じである。ここで、図3(a)とは、従来の基板処理装置で、イオナイザ10の周波数が低く一定の場合の、基板リフトアップ動作と基板の帯電量との関係を示した図である。また、図3(b)とは、従来の基板処理装置で、イオナイザ10の周波数が高く一定の場合の、基板リフトアップ動作と基板の帯電量との関係を示した図である。
On the other hand, a similar graph is shown in FIG. 3 as a comparative example. The notation of the graph is the same as in FIG. Here, FIG. 3A is a diagram showing the relationship between the substrate lift-up operation and the substrate charge amount when the frequency of the
図3(a)においては、イオナイザ10の極性切替の周波数が低いため、基板1の帯電量の変動は収束せず、大きなままとなっている。一方、図3(b)においては、イオナイザ10の周波数が高いため、前述したイオンの再結合により除電効果が抑制されてしまい、リフトアップ動作に伴う基板1の帯電量の増大を抑えきれずに、結果として基板1の帯電量の増大を引き起こしている。ここで、リフトアップ動作に伴い、基板の帯電量が増大するというのは、例えば、特開平11−271735号にもあるように、リフトアップによる基板とステージとの間の距離の変化に伴う電気的容量の変化によるものが一般的である。
In FIG. 3 (a), since the frequency of polarity switching of the
リフトアップが完了した時点で、真空破壊用バルブ7を閉じ、同時にイオナイザ10も停止する。この時点で、ガラス基板1の裏面には、静電気が蓄積していない状態とすることができる。
When the lift-up is completed, the
ここでは、イオナイザ10を真空破壊用バルブ7の気体供給部9側に設けたため、イオナイザ10の内部が真空に晒されることがなく、イオナイザ10自体に真空漏れの防止などの特別の配慮をする必要がないという効果を奏する。
Here, since the
また、イオナイザ10内をエアーが流れていないときにイオナイザ10が動作すると、その針先近傍にイオンが滞留し、針先への異物付着や配管の劣化等が進行してしまい、短期間でのメンテナンスが必要となるが、本実施の形態ではイオナイザ10の動作を、真空破壊用バルブ7が開いているときのみ動作させるようにしたため、その劣化も少なく、好ましい。
In addition, if the
また、リフトピン3が完全に上昇した時点で、イオナイザ10の交流高電圧の周波数が第二周波数に達する形態について説明したが、必ずしもこの形態には限定されない。リフトピン3が完全に上昇する前に基板1の帯電が中和されるのであれば、リフトピン3の上昇中に、イオナイザ10の交流高電圧の周波数が増大する工程が含まれていればよい。リフトピン3が完全に上昇する前に基板1の帯電が中和されるのであれば、リフトピン3が完全に上昇した時点でイオナイザ10の動作は停止していてもよい。
Moreover, although the form in which the frequency of the alternating high voltage of the
また、ここでは、最も低い周波数を1Hz、最も高い周波数を60Hzとしたが、最も効果的な周波数は、配管の長さ、エアーの流速、イオナイザの位置、リフトアップの量、リフトアップの速度などにもよるため、これらを考慮して適宜周波数を決定すればよい。 Here, the lowest frequency is 1 Hz and the highest frequency is 60 Hz. However, the most effective frequencies are the pipe length, air flow rate, ionizer position, lift-up amount, lift-up speed, etc. Therefore, the frequency may be determined appropriately in consideration of these.
たとえば、リフトアップが開始してから完了するまでの所要時間に、第一周波数における一周期が経過すると、基板1には極性の異なるイオンが両方とも照射されることになるため、帯電を中和するのによい。すなわち、第一周波数は、リフトアップ所要時間の逆数よりも高く設定するとよい。
For example, if one cycle at the first frequency elapses in the time required from the start to completion of lift-up, the
さらに、本実施の形態においては、リフトピンの上昇量に合せて、第一周波数から連続的・直線的に増大するように周波数を上げていき、第二周波数に到達するような形態について説明したが、必ずしもそれに限定されず、ステップごとや段階的に上昇してもよく、例えば、リフトアップの所要時間が6秒として、最初の2秒間を1Hz、次の2秒間を30Hz、最後の2秒間を60Hzで動作させるようにしてもよい。また、リフトアップが進むにつれて加速的に交流高電圧の周波数が増大するように制御してもよい。 Furthermore, in the present embodiment, a mode has been described in which the frequency is increased so as to increase continuously and linearly from the first frequency in accordance with the lift amount of the lift pin, and the second frequency is reached. However, it is not necessarily limited to this, and it may rise step by step or stepwise. For example, if the time required for lift-up is 6 seconds, the first 2 seconds is 1 Hz, the next 2 seconds is 30 Hz, and the last 2 seconds. You may make it operate | move at 60 Hz. Moreover, you may control so that the frequency of an alternating current high voltage increases acceleratingly as lift-up progresses.
実施の形態2
実施の形態1では、リフトピン3の昇降を制御するリフトアップ制御部12からの情報によりイオナイザ10の周波数を制御するようにしたが、図4に示すように、ガラス基板1のステージ3からの距離を検出するセンサー13を設け、そのセンサー13からのガラス基板1の高さに見合った信号を周波数制御部11に送って、イオナイザ6の周波数を制御するようにしてもよい。
In the first embodiment, the frequency of the
実施の形態3
実施の形態1では、イオナイザ10を真空破壊用バルブ7のエアー供給側に設けたが、図5に示すように、真空破壊用バルブ7のステージ側に設けてもよく、この場合、イオナイザ10をガラス基板1により近く配することができるため、配管5内でのイオン同士の再結合が生じにくく、周波数の高い領域でも、実施の形態1よりも多くのイオンをガラス基板1に供給することができ、除電能力は高くなる。
Embodiment 3
In the first embodiment, the
実施の形態4
実施の形態1では、真空破壊用バルブ7が開いているときのみイオナイザ10を動作するようにしたが、真空破壊用バルブ7が開く前からイオナイザ10を動作させると、真空破壊用バルブ7が開いてエアーが供給され始めた時のイオン発生に遅れがなく、エアーを供給された瞬間から十分なイオンが供給されて、好ましい。
In the first embodiment, the
実施の形態5
実施の形態1では、イオナイザ10として1本の放電針に交流高電圧が印加される交流型を用いたが、発生するイオンの極性が時間的に変化するタイプのイオナイザであればよく、放電針毎に発生するイオンの極性が決まっており、その極性が切り替わるパルスDCタイプや、1本の放電針にパルス的に極性が切り替わる高電圧が印加されるパルスACタイプを用いてもよい。
Embodiment 5
In the first embodiment, an AC type in which an AC high voltage is applied to one discharge needle is used as the
1 基板、2 ステージ、3 リフトピン、4 孔、5 配管、
6 真空用バルブ、7 真空破壊用バルブ、8 真空排気部、9 気体供給部、
10 イオナイザ、11 周波数制御部、12 リフトアップ制御部、
13 センサー
1 substrate, 2 stages, 3 lift pins, 4 holes, 5 piping,
6 Valve for vacuum, 7 Valve for vacuum break, 8 Vacuum exhaust part, 9 Gas supply part,
10 ionizer, 11 frequency control unit, 12 lift-up control unit,
13 sensors
Claims (4)
上記ステージ内にあって上記基板をリフトアップさせるリフトピンと、
上記ステージ表面の孔につながる配管と、
上記配管に接続される真空排気部と気体供給部と、
上記孔と上記真空排気部との間に設けられた真空用バルブと、
上記孔と上記気体供給部との間に設けられた真空破壊用バルブと、
上記気体供給部と上記真空破壊用バルブとの間で上記配管に接続し、上記気体供給部より導入される気体をイオン化し、さらに発生するイオンの極性が時間的に切り替わるイオナイザと、
上記イオナイザから発生するイオンの極性の切り替わる周波数を変更できる周波数制御部と、
上記リフトピンの昇降動作を制御するリフトアップ制御部とを備えた基板処理装置を用いて、
前記基板が前記ステージ上に載置されている状態で、
前記真空破壊用バルブを開けることにより、前記気体を前記配管内に導入させる工程と、
前記周波数制御部により第1の周波数にて前記イオナイザを動作させ、
前記リフトピンの上昇による前記基板の前記ステージからの離間を開始する工程と、
前記基板が前記ステージから離間している間、
前記周波数制御部により前記イオナイザの周波数を増大させる工程とを含む基板処理方法。 And stages for placing the insulating substrate,
A lift pin in the stage for lifting the substrate;
Piping connected to the holes on the stage surface,
A vacuum exhaust unit and a gas supply unit connected to the pipe;
A vacuum valve provided between the hole and the vacuum exhaust part;
A vacuum breaking valve provided between the hole and the gas supply unit;
An ionizer connected to the pipe between the gas supply unit and the vacuum breaking valve, ionizing the gas introduced from the gas supply unit, and further switching the polarity of the generated ions in time;
A frequency control unit capable of changing a frequency at which the polarity of ions generated from the ionizer is switched ;
By using a substrate processing apparatus including the lifting-up control unit for controlling the vertical movement of the upper Symbol lift pins,
In a state where the substrate is placed on the stage,
A step of introducing the gas into the pipe by opening the vacuum breaking valve;
Operating the ionizer at a first frequency by the frequency controller;
Starting the separation of the substrate from the stage by raising the lift pins;
While the substrate is spaced from the stage,
And a step of increasing the frequency of the ionizer by the frequency control unit.
前記イオナイザは第2の周波数で動作しており、
前記第2の周波数は、前記第1の周波数よりも高いことを特徴とする
請求項1に記載の基板処理方法。 At the time when the lifting of the lift pin is completed,
The ionizer is operating at a second frequency;
The substrate processing method according to claim 1 , wherein the second frequency is higher than the first frequency.
前記イオナイザの周波数を増大させる工程においては、前記センサーあるいは前記リフトアップ制御部から前記周波数制御部に信号を送ることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。3. The substrate processing method according to claim 1, wherein in the step of increasing the frequency of the ionizer, a signal is sent from the sensor or the lift-up control unit to the frequency control unit.
Priority Applications (1)
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