JP5706469B2 - メタルpcbを有するledパッケージ - Google Patents

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Description

本発明は、LEDパッケージに関し、より詳しくは、メタルPCBを有するLEDパッケージに関する。
一般に、LED(Light Emitting Diode)は、電流印加によりP−N半導体接合(P-N junction))において、電子と正孔が会って光を発する素子であり、通常、LEDチップが搭載されたパッケージの構造で作製され、多く「LEDパッケージ」と呼ばれている。このようなLEDパッケージは、一般に、印刷回路基板(PCB;Printed Circuit Board)
上に装着され、その印刷回路基板に形成された電極から電流を印加され、発光動作するように構成される。
LEDパッケージにおいて、LEDチップから発生した熱は、LEDパッケージの発光性能及び寿命に直接的な影響を及ぼす。これは、LEDチップで発生した熱が、そのLEDチップに長く留まっていると、LEDチップをなす結晶構造に転位及び不整合を引き起こすからである。しかも、近年、高出力のLEDパッケージが開発されているが、このような高出力のLEDパッケージは、高電圧の電力により動作され、その高電圧により、LEDチップで多くの熱が発生してしまうので、その発生した熱を効果的に放出させるための別途の装置が要求される。
これに対して、従来は、アルミニウムベース上に絶縁層及び金属パターン層が順次形成されたメタルPCBを用いて放熱性を向上させたLEDパッケージが開発されたことがある。このような従来のLEDパッケージは、例えば、切削加工等の溝加工により、アルミニウムベースの一部を上部に露出させたホールカップを形成し、そのホールカップにLEDチップを取り付けた後、LEDチップと金属パターン層を導電性ワイヤで連結して製造される。
しかしながら、このような従来のLEDパッケージは、アルミニウムベースの大きな厚さのため、コンパクトな構造に作製し難く、外部電極とLEDチップを電気的に連結させるリード構造を含んでいないため、通常用いられる印刷回路基板上に搭載することが困難であるという問題点があった。これは、従来のLEDパッケージが、既存の電子機器又は照明機器との互換性が極めて低いことを意味する。また、現在のLEDパッケージメーカが、リード構造を含むLEDパッケージの製造に適合した設備を主に保有しており、上記従来のLEDパッケージは、上述したような既存設備の使用を制限するので、非経済的であるという問題点もあった。
しかも、従来のLEDパッケージは、切削加工等のような溝加工によりホールカップが形成されるので、その溝加工によりLEDチップの実装面が不規則となり、それにより、LEDチップのダイアタッチ工程を難しくし、また、ダイアタッチされたLEDチップが熱衝撃と機械的衝撃により損傷しやすいという問題点を引き起こす。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、優れた放熱性とコンパクトな構造を有し、既存設備の使用をあまり制限せず、現在広く用いられる電子機器又は照明機器との互換性もよい、メタルPCBを有するLEDパッケージを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の一側面によるLEDパッケージは、電気絶縁層を間に介在したまま、第1及び第2の金属薄板を積層して形成されたメタルPCBと、前記メタルPCBの前記第1の金属薄板に実装されるLEDチップと、を備え、前記第1の金属薄板は、電極パターンと、前記電極パターンからそれぞれ延長されたリードとで構成される。
この際、前記リードのそれぞれは、前記メタルPCBから側面外方に延長された前記第1の金属薄板の一部を折り曲げて形成されることが好ましい。より好ましくは、前記リードのそれぞれは、前記第1の金属薄板の一部を2段に折曲してなり、これにより、前記リードのそれぞれは、外部電極との接触面積が拡張され得る。
その代わりに、前記リードのそれぞれは、前記電極パターンに応じて、前記第2の金属薄板をパターニングして形成された端子パターンと、前記メタルPCBを貫通し、前記電極パターンと前記端子パターンを結ぶビア導電部と、を有してなってもよい。
本発明の好適な実施例により、前記第1及び第2の金属薄板は、銅又は銅合金からなる。また、前記LEDパッケージは、前記LEDチップを覆うように、前記第1の金属薄板上に形成された封止部材をさらに備え、また、前記LEDチップから発せられた光の指向角の調整のために、前記LEDチップの周辺に設けられるホールカップをさらに備えてもよい。前記ホールカップは、樹脂、金属、セラミック、又はそれらの複合物を用いて形成されるものであり、FR4材質からなってもよい。また、前記ホールカップは、開口部をそれぞれ有したまま、前記第1の金属薄板上に順次形成される絶縁板と金属反射板からなってもよい。また、前記金属反射板は、アルミニウムからなることが好ましい。
本発明のLEDパッケージによると、優れた放熱性と共にコンパクトな構造を有し、メタルPCBを利用しながらも、一般のLEDパッケージと略同一の構造を有したまま、外部電極と連結されるリードを備え、既存の電子機器又は照明機器との互換性があるという利点がある。また、その作製工程が、メタルPCBを有していない一般のLEDパッケージと略同じであり、現LEDパッケージメーカが保有している多くの設備をそのまま利用可能であるという利点もある。また、LEDチップが位置するホールカップの形成のために、別途の溝加工が要求されないので、平坦なチップ実装面を有し、これにより、LEDチップのダイアタッチ工程が、従来のメタルPCB型LEDパッケージに比べて容易であり、また、ダイアタッチされたLEDチップが熱衝撃と機械的衝撃に強いという利点がある。
本発明の一実施例によるLEDパッケージを示す斜視図である。 図1に示したLEDパッケージの断面図である。 一つの大きなメタルPCBをベースとして、多数のLEDパッケージが作製される例を説明するための図である。 本発明の他の実施例によるLEDパッケージを示す断面図である。
以下、添付した図面に基づき、本発明の好適な実施例について詳述する。
図1は、本発明の一実施例によるLEDパッケージを示す斜視図であり、図2は、図1に示したLEDパッケージの断面図である。
図1及び図2に示すように、本実施例のLEDパッケージ1は、メタルPCB10と、前記メタルPCB10に実装されるLEDチップ2等を備える。また、前記メタルPCB10には、前記LEDチップ2を保護するための光透過性の封止部材31が略半球状に形成される。また、前記封止部材31は、それと一体で拡張形成され、前記メタルPCB10の上面及び側面の一部を覆う拡張部32をさらに有し、その拡張部32により、前記LEDチップ2はもとより、前記メタルPCB10まで外部から保護することができる。
本実施例によるメタルPCB10は、第1及び第2の金属薄板16、12と、その金属
薄板16、12の間に介在された絶縁層14とを有し、前記第1及び第2の金属薄板16、12は、前記絶縁層14を挟んで積層されている。前記第2の金属薄板12は、銅又は銅合金からなったまま、前記メタルPCB10のベースをなし、前記第1の金属薄板16は、銅又は銅合金からなったまま、前記絶縁層14により、前記第2の金属薄板12と電気的に絶縁されている。
前記第1の金属薄板16は、前記LEDチップ2が取り付けられる第1の電極パターン162aと、その第1の電極パターン162aから離隔してパターニングされた第2の電極パターン162bとを有し、前記第1の電極パターン162a上のLEDチップ2は、ボンディングワイヤWにより、前記第2の電極パターン162bと電気的に連結される。この際、前記絶縁層14は、電気的に絶縁性を有するが、前記LEDチップ2から発生した熱の円滑な放出のために、熱伝導性の良好な素材で形成されることが好ましい。
本発明の実施例により、前記第1の金属薄板16は、前記メタルPCB10の側面外方に延長されたリード164a、164bをさらに有する。前記リード164a、164bは、LEDパッケージ1が装着される外部の印刷回路基板(図示せず)上の外部電極に連結される部分であり、2段の折曲により、下方に配向されると共に、外部電極(図示せず)との広い接触面積を有するようになる。すなわち、前記リード164a、164bのそれぞれは、1番目の折曲により下方に配向され、2番目の折曲により、面同士で重畳されて、第1の金属薄板16の実際の厚さに比べて大きな厚さの端部を有するようになる。
図1及び図2に示したLEDパッケージ1が、リード164a、164bの折曲位置及び方向により、パッケージ装着面と光放出面が互いに反対に位置したトップビュータイプであるが、前記リード164a、164bの折曲位置及び方向を異にして、パッケージ装着面と光放出面が垂直をなすようにすることも考えられ、このようにパッケージ装着面と光放出面が垂直をなす構造は、通常、サイドビュータイプと称されるLEDパッケージの具現に適合である。
また、本実施例によるLEDパッケージ1は、所望の光指向角を得るための、すなわち、LEDチップ2から発せられた光の指向角の調整のためのホールカップ20をさらに備える。前記ホールカップ20は、前記封止部材31の一部が充填される開口部を有するものであり、前記第1の金属薄板16上において、前記LEDチップ2の周辺を取り囲み、光を所望の指向角の範囲内に反射させる役割を果たす。前記ホールカップ20は、前記メタルPCB10の第1の金属薄板16上に直接積層されて形成されるので、メタルPCBに溝を加工してホールカップを形成する必要がなく、したがって、従来の技術とは異なり、メタルPCBのチップ実装面が平坦に形成される。
本発明の実施例により、前記ホールカップ20は、板状部材に開口部を形成したものが用いられ、その材質は、樹脂、金属、セラミック又はそれらの複合物であってもよい。一例として、前記ホールカップ20としては、FR4のような素材が用いられてもよいが、前記FR4は、ガラス繊維をエポキシと結合して補強した素材(略語で、ERBGF;Epoxy Resin Bonded Glass Fiber)であり、強度と光反射性がよく、通常、印刷回路基板の原資
材として用いられている。
別例として、前記ホールカップ20は、図2の拡大図に示すように、開口部がそれぞれ形成され、互いに接合されている絶縁板21と金属反射板22により形成されてもよい。この際、前記絶縁板21は、その下方に位置した第1の金属薄板16と前記金属反射板22との間を電気的に絶縁させる役割を果たす。また、前記金属反射板22は、アルミニウム素材からなることが好ましい。
本発明の実施例により、上述したメタルPCB10は、図3に示すような、一つの大きなメタルPCB10’(以下、「積層原資材」という。)から切断分離された単位メタルPCB10であり、そのメタルPCB10を含む多数のLEDパッケージ1は、図3に示すように、前記積層原資材10’をベースとして予め形成される。前記積層原資材10’は、予め定められた形状にパターニング加工された第1の金属薄板16、絶縁層14、第2の金属薄板12の積層物であり、前記第1の金属薄板16から延長されたリード164a、164bと各層の支持部102’により、多数のLEDパッケージ1が前記積層原資材10’に支持される。また、前記支持部102’と前記リード164a、164bを切断し、そのリード164a、164bを、上述したように折り曲げると、図1及び図2に示した構造を有する単位LEDパッケージ1となる。
図4は、本発明の他の実施例によるLEDパッケージ1を示す断面図である。本実施例のLEDパッケージ1は、第1の金属薄板16の電極パターン162a、162bから延長されたリードの構造を除いては、残りの構成が上記の実施例と実質的に同一であり、したがって、以下では、上記の実施例と異なるリードの構造について、主に説明する。
図4に示すように、本実施例のリードは、第1の金属薄板16の電極パターン162a、162bに応じて、第2の金属薄板12をパターニングして形成された端子パターン121、122と、前記メタルPCB10を貫通し、前記電極パターン162a、162bと前記端子パターン121、122を結ぶビア導電部165a、165bと、を有する。この際、前記ビア導電部165a、165bは、前記メタルPCB10を上下に貫通する開口部を予め形成した後、例えば、メッキ等の方式で、前記開口部に前記第1の金属薄板16及び/又は第2の金属薄板12と同一の素材の金属を充填することにより形成されてもよい。
以上、本発明が特定の実施例を中心として説明されたが、本発明の趣旨及び特許請求の範囲内で、様々な変形、変更又は修正が当該技術の分野において可能であり、したがって、上述した説明及び図面は、本発明の技術思想を限定するものではなく、本発明を例示するものと解釈されなければならない。
2 LEDチップ
10 メタルPCB
16 第1の金属薄板
14 絶縁層
12 第2の金属薄板
31 封止部材
32 封止部材の拡張部
20 ホールカップ
162a、162b 電極パターン
164a、164b リード
165a、165b ビア導電部
121、122 端子パターン

Claims (7)

  1. 互いに離隔された第1の電極パターン及び第2の電極パターンを含む第1の金属薄板と、
    互いに離隔された第1の端子パターン及び第2の端子パターンを含む第2の金属薄板と、
    前記第1の金属薄板と前記第2の金属薄板との間に介在され、それ自体に形成された第1の開口部及び第2の開口部を含む絶縁層と、
    前記第1の電極パターンと前記第1の端子パターンを接続するために前記第1の開口部内に充填される第1のビア導電部と、
    前記第2の電極パターンと前記第2の端子パターンを接続するために前記第2の開口部内に充填される第2のビア導電部と、
    前記第1の金属薄板上に配置され、前記第1の電極パターン及び第2の電極パターンを露出させる第3の開口部を含むホールカップと、
    前記第3の開口部内に位置したLEDチップと、
    前記第3の開口部を覆うように、前記ホールカップ上に配置された封止部材と、を含み、
    前記LEDチップは前記第1の電極パターンに取り付けられ、ボンディングワイヤにより、前記第2の電極パターンと電気的に連結され、
    前記封止部材は、前記ホールカップの上部表面、前記ホールカップ、前記第1の金属薄板、前記絶縁層、及び前記第2の金属薄板の側面を覆う拡張部を含むことを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 前記ホールカップは、前記第1の金属薄板上に直接配置された絶縁板と、前記絶縁板上に直接配置された反射板と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 前記封止部材は、前記第3の開口部に対応する位置の凸部を含むことを特徴とする請求項に記載のLEDパッケージ。
  4. 前記絶縁層は、樹脂、セラミック、またはFR4材質を含むことを特徴とする請求項に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記反射板は、金属を含むことを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
  6. 前記反射板は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項2に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記第1の金属薄板及び前記第2の金属薄板は、それぞれ銅または銅合金を含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
JP4780203B2 (ja) * 2009-02-10 2011-09-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
TWI380486B (en) 2009-03-02 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Heat dissipation module for a light emitting device and light emitting diode device having the same
JP5574667B2 (ja) * 2009-10-21 2014-08-20 キヤノン株式会社 パッケージ、半導体装置、それらの製造方法及び機器
KR101108984B1 (ko) * 2009-12-03 2012-01-31 (주) 아모엘이디 멀티칩 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
KR200462269Y1 (ko) 2010-03-30 2012-09-03 에스디아이 코퍼레이션 향상된 신뢰성을 구비한 발광 장치 패키지 프레임
EP2418700B1 (en) 2010-08-09 2017-11-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR101626412B1 (ko) * 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102163600A (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装模块
CN102163599A (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装模块
KR101825473B1 (ko) * 2011-02-16 2018-02-05 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101846356B1 (ko) * 2011-07-29 2018-04-09 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101846364B1 (ko) * 2011-07-29 2018-04-09 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2013042079A (ja) 2011-08-19 2013-02-28 Sharp Corp 半導体発光装置
CN104684414A (zh) 2011-12-19 2015-06-03 可口可乐公司 纯化甜叶菊醇糖苷的方法和其用途
SG11201405651VA (en) 2012-03-12 2014-10-30 Zhejiang Ledison Optoelectronics Co Ltd Led light-emitting column and led light using the same
KR20130107536A (ko) * 2012-03-22 2013-10-02 삼성전자주식회사 Led패키지 및 그 제조방법
CN103366645A (zh) * 2013-03-22 2013-10-23 美的集团武汉制冷设备有限公司 一种发光显示装置
WO2014196833A1 (ko) * 2013-06-07 2014-12-11 서울반도체 주식회사 발광 디바이스
US9516995B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Biovision Technologies, Llc Surgical device for performing a sphenopalatine ganglion block procedure
US9694163B2 (en) 2013-12-17 2017-07-04 Biovision Technologies, Llc Surgical device for performing a sphenopalatine ganglion block procedure
US10016580B2 (en) 2013-12-17 2018-07-10 Biovision Technologies, Llc Methods for treating sinus diseases
US9510743B2 (en) 2013-12-17 2016-12-06 Biovision Technologies, Llc Stabilized surgical device for performing a sphenopalatine ganglion block procedure
US9876152B2 (en) * 2014-05-27 2018-01-23 Epistar Corporation Light emitting device with an adhered heat-dissipating structure
KR101637328B1 (ko) * 2015-03-30 2016-07-07 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9829524B2 (en) * 2015-05-05 2017-11-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electric field sensor
US9823718B2 (en) 2016-01-13 2017-11-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Device cooling
JP6857496B2 (ja) * 2016-12-26 2021-04-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109216516B (zh) * 2017-06-30 2021-04-20 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管及显示面板
WO2020005910A1 (en) 2018-06-28 2020-01-02 Sandler Scientific, Llc Sino-nasal rinse delivery device with agitation, flow-control and integrated medication management system
KR102032419B1 (ko) 2019-03-11 2019-10-15 주식회사 제이케이테크원 구리 베이스의 메탈 pcb 및 그 제조방법
KR102270848B1 (ko) * 2019-05-10 2021-06-29 주식회사 옵티맥 Led모듈 패키지

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03237752A (ja) * 1990-02-15 1991-10-23 Mitsubishi Electric Corp 電子部品パッケージ
JPH08139257A (ja) * 1994-11-07 1996-05-31 Hitachi Ltd 面実装型半導体装置
JP4846087B2 (ja) * 1999-11-01 2011-12-28 ローム株式会社 発光表示装置およびその製造方法
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
TW578280B (en) * 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
JP4633333B2 (ja) * 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ledランプ
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
JP4238693B2 (ja) * 2003-10-17 2009-03-18 豊田合成株式会社 光デバイス
JP4645089B2 (ja) * 2004-07-26 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および蛍光体
KR100671979B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-19 윤성만 발광다이오드용 방열 패키지
JP2007013066A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Element Denshi:Kk 発光装置
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

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