JP5705786B2 - Semiconductor optical phase modulator - Google Patents
Semiconductor optical phase modulator Download PDFInfo
- Publication number
- JP5705786B2 JP5705786B2 JP2012118216A JP2012118216A JP5705786B2 JP 5705786 B2 JP5705786 B2 JP 5705786B2 JP 2012118216 A JP2012118216 A JP 2012118216A JP 2012118216 A JP2012118216 A JP 2012118216A JP 5705786 B2 JP5705786 B2 JP 5705786B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- layer
- barrier layer
- semiconductor
- phase modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 344
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 223
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 298
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 162
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 28
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 13
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
本発明は光通信などに用いる光変調器に関し、より詳細には半導体からなる光位相変調器に関する。 The present invention relates to an optical modulator used for optical communication, and more particularly to an optical phase modulator made of a semiconductor.
インターネット等により通信トラフィックの大容量化が求められている。そのため、波長分割多重(WDM)システムにおいて、1チャネル当たりの伝送速度の増加や波長数の増加が求められている。
具体的には、WDMシステムの伝送には40Gbit/sや100Gbit/sといった高い伝送速度が求められている。これらの伝送を可能にする光変調器として、現時点ではLiNbO3からなるマッハツェンダ型光変調器が主流である。
しかし、半導体からなるマッハツェンダ型光変調器は、大幅な小型化が可能であり、駆動電圧が小さいといった特徴があり注目されている。
There is a demand for an increase in communication traffic volume via the Internet and the like. Therefore, in a wavelength division multiplexing (WDM) system, an increase in transmission speed per channel and an increase in the number of wavelengths are required.
Specifically, high transmission rates such as 40 Gbit / s and 100 Gbit / s are required for transmission in the WDM system. At present, a Mach-Zehnder type optical modulator made of LiNbO 3 is mainly used as an optical modulator that enables these transmissions.
However, Mach-Zehnder type optical modulators made of semiconductors are attracting attention because they can be significantly reduced in size and have a low drive voltage.
半導体マッハツェンダ型光変調器の中でも、図16(a)に示すように半導体基板1上に下部のn型半導体クラッド層2と、少なくともコアとなる層3a(i−core)を含んだi型半導体層3(コア層3a、第1のi型半導体層3b、第2のi型半導体層3c)と、p型半導体バリア層4と、上部のn型半導体クラッド層5とが順次積層されたnpin構造(上からnpinとなっている構造)の光導波路を有する半導体光位相変調器を備えた半導体マッハツェンダ型光変調器(npin−MZ)が知られている。
ここで、コア層3aは、動作光波長で電気光学効果が有効に働くように構成される。また、p型半導体バリア層4は、電子バリアとして機能する。(特許文献1)なお、図中の6はシグナル電極、Fは伝搬光フィールドを示す円である。
Among semiconductor Mach-Zehnder optical modulators, as shown in FIG. 16A, an i-type semiconductor including a lower n-type
Here, the
上記のような構造の半導体マッハツェンダ型光変調器は、従来の半導体マッハツェンダ型光変調器の構造であるpin型半導体マッハツェンダ型光変調器に比べて、p層で発生する損失を抑えることができ比較的長い変調器を低損失に形成できる。また、低抵抗なn層を用いることで進行波を効率よく伝えることができ、空乏層の厚さを任意に最適設計できるという自由度があるため、駆動電圧の低減と電気速度/光速度の整合を同時に満足しやすく、変調器の応答速度を上げる上で有利である。 The semiconductor Mach-Zehnder type optical modulator having the above-described structure can suppress the loss generated in the p layer compared with the pin-type semiconductor Mach-Zehnder type optical modulator which is the structure of the conventional semiconductor Mach-Zehnder type optical modulator. A long modulator can be formed with low loss. In addition, since a traveling wave can be transmitted efficiently by using a low-resistance n-layer, and there is a degree of freedom that the thickness of the depletion layer can be arbitrarily designed arbitrarily, the drive voltage can be reduced and the electric speed / light speed can be reduced. It is easy to satisfy the matching at the same time, which is advantageous in increasing the response speed of the modulator.
しかし、npin型半導体光位相変調器は、トランジスタと同様の半導体層構造となっているので有限の光吸収がある場合、発生したホールキャリアがp型半導体バリア層4に蓄積するという現象が発生する。この現象は、半導体光位相変調器の電気的、光学的特性に不安定性を与える要因になる。通電履歴によってホールキャリアがp型半導体バリア層4にどれ程蓄積されたかにより、半導体マッハツェンダ型光変調器の半導体光位相変調器部分の駆動を開始した後、この半導体光位相変調器部分に流れる電流が変化してしまうことが起こる。また、ホールキャリアがp型半導体バリア層4に完全に蓄積するまでの間、半導体光位相変調器部分の光学特性の変化が起こってしまうことが問題となっていた。
However, since the npin-type semiconductor optical phase modulator has a semiconductor layer structure similar to that of a transistor, a phenomenon occurs in which generated hole carriers accumulate in the p-type
そこで、p型半導体バリア層に蓄積したホールを引き抜くことで安定性化を図る試みが為されている。ここで、npin型半導***相変調器において重要なのがp型半導体バリア層のホールを如何に引き抜くかである。 Therefore, attempts have been made to achieve stability by extracting holes accumulated in the p-type semiconductor barrier layer. Here, what is important in the npin type semiconductor phase modulator is how to pull out holes in the p type semiconductor barrier layer.
特許文献2では、第2のn型半導体クラッド層5の一部の電導タイプをn型からp型に変えた領域を形成しそれらに接触する電極を形成して同電位にすることで、p型半導体バリア層4のホールを第2のn型半導体クラッド層5上に設けた電極6に流すことが示されている。しかしながら、電導タイプをn型からp型に変更するために、Znを熱拡散させる、Beをインプランテーションするなどの工程が必要になる。これらの方法は、工程が複雑になるだけではなく、ZnやBeが光伝搬する領域に達すると光導波路の光伝搬損失が容易に増加するという欠点があった。
In
そこで、特許文献3では、図16(a)のような上からnpinとなっている構造を、上下入れ替えて逆に上からnipnの構造となるように積層し、コア層3aより下にあるp型半導体バリア層4を半導体基板1上に設けられた電極(図示省略)に電気的に接続することによって、p型半導体バリア層4に蓄積したホールを抜き出す構造が示されている。
図16(b)のように単純に構造だけを上下入れ替えてnipn構造とした場合には、図16(a)のnpin構造の場合と比べて、電位が逆になるため電界がかかる方向も逆になるが、機能的に全く同じで特性も同じである。即ち、図16(a)のnpin構造と図16(b)のnipn構造の基本動作は変わらない(極性の変更はある)。従って、図16(b)のnipn構造でも、光吸収がある場合、発生したホールキャリアがp型バリア層4に蓄積するという現象は回避されない。
そこで特許文献3では、p型半導体バリア層を光導波路のメサ構造の側面より飛び出した構造とし、この飛び出したp型半導体バリア層の一部をカソードに接続(この場合、下側の電極)に電気的に接続することによって、p型半導体バリア層にホールキャリアが蓄積して特性が不安定になることを回避している。
Therefore, in
As shown in FIG. 16B, when the structure is simply switched up and down to form the nipn structure, the potential is reversed compared to the case of the npin structure in FIG. However, they are functionally identical and have the same characteristics. That is, the basic operation of the npin structure in FIG. 16A and the nipn structure in FIG. 16B is not changed (there is a change in polarity). Therefore, even in the nipn structure of FIG. 16B, the phenomenon that the generated hole carriers accumulate in the p-
Therefore, in
しかしながら、この構造の場合、上下逆にしたnipn構造では特性が得られないことがある。何故なら、図17(a)のようにp型半導体バリア層4が伝搬光フィールドF内にある場合、伝搬光フィールドFの形をゆがめる。即ち、p型半導体バリア層4が光導波路のメサ構造の幅よりも広いため、伝搬光フィールドFの形状がだるま形状になる。すると電界のかかる箇所と、伝搬光のオーバーラップ積分が小さくなるため、単位電界を与えた際の屈折率変調量(位相変調量)が小さくなってしまう。伝搬光フィールドFがp型半導体バリア層4によって広がるため、閉じ込め係数が小さくなり、変調効率が劣化してしまう。
However, in the case of this structure, characteristics may not be obtained with the nipn structure upside down. This is because when the p-type
nipn構造では実際は、上記の問題を避けるため、図17(b)に示すようにp型半導体バリア層4に伝搬光フィールドFがかからないようにするためにp型半導体バリア層4と光が伝搬するコア層3aとの間に十分な厚さのコア層3aより屈折率の低いi型半導体層3bを挿入する必要がある。この場合は、i型半導体層3の厚さが図16(a),(b)よりも厚くなってしまうため、単位電圧あたりの電界強度の低下を起こし、駆動電圧の増加を招く。このため、変調効率が図16(a),(b)の場合よりも悪くなってしまうといった問題がある。また、図17(b)のようにコア層3aをi型半導体層3内の上部に寄せた場合、コア層3aと上部電極6との距離が短くなる。このため、伝搬光フィールドFが金属の上部電極6にかからないように十分な厚さのn型半導体クラッド層5(オーバークラッド)をコア層3aの上部に用意しなければならない。
In the nipn structure, in order to avoid the above problem, light propagates with the p-type
このようにnipn構造とし、更にコア層3aより下になるp型半導体バリア層4を光導波路のメサ構造の幅よりも広くし、この広くしたp型半導体バリア層4の箇所を下層の電極へ電気的に接続することによって、光吸収がある場合に発生したホールキャリアがp型半導体バリア層4に蓄積して特性を不安定にすることは避けられるが、半導体光位相変調器としての層構造の設計自由度が低くなるといった問題が発生する。また、分離溝形成、埋めもどしの難易度が上昇し、プロセス負荷が増大する。
Thus, the ppn
そもそも、nipn構造では横に張り出したp型半導体バリア層4を形成することができるが、印加する極性の反転を嫌い、npin構造を半導体光位相変調器として採用したい場合については、p型半導体バリア層に溜まったホールを引き出す方法が特許文献3には示されてはいない。
In the first place, a p-type
従って本発明は上記の事情に鑑み、npin構造、nipn構造を問わず、プロセス負荷、ドーパントの拡散、インプランテーションによる伝搬損失を増加させことなく、p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造を実現することができ、また、設計の自由度を小さくせずにp型半導体バリア層からホールを引き出す効果があり、電気的、光学的に安定な半導体光位相変調器を提供することを課題としている。 Therefore, in view of the above circumstances, the present invention realizes a structure for extracting holes in the p-type semiconductor barrier layer without increasing the propagation loss due to process load, dopant diffusion, and implantation regardless of the npin structure or nipn structure. It is also an object of the present invention to provide an electrically and optically stable semiconductor optical phase modulator that has the effect of extracting holes from the p-type semiconductor barrier layer without reducing the degree of design freedom.
上記課題を解決する第1発明の半導体光位相変調器は、半導体基板上に設けた下部の第1のn型半導体クラッド層と、少なくともコアとなる層を含んだi型半導体層と、p型半導体バリア層と、上部の第2のn型半導体クラッド層とを含む構造の光導波路を備えた半導体光位相変調器において、
前記光導波路における前記p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造が、前記光導波路の少なくとも1箇所に設けられており、
このp型半導体バリア層のホールを抜き出す構造は、
前記光導波路に交わるように設けられた前記p型半導体バリア層を含む半導体からなる配線部と、
この配線部の先に接続された前記p型半導体バリア層を含む半導体からなるものであって、前記p型半導体バリア層の少なくとも一部が露出しているp型半導体バリア層接続部とを有し、
且つ、前記p型半導体バリア層接続部における前記p型半導体バリア層の露出部が、前記第2のn型半導体クラッド層の上部に設けられた電極に電気的に接続されている構成であること、
を特徴とする。A semiconductor optical phase modulator according to a first aspect of the present invention for solving the above-described problems is a lower first n-type semiconductor cladding layer provided on a semiconductor substrate, an i-type semiconductor layer including at least a core layer, and a p-type semiconductor layer. In a semiconductor optical phase modulator comprising an optical waveguide having a structure including a semiconductor barrier layer and an upper second n-type semiconductor cladding layer,
A structure for extracting holes in the p-type semiconductor barrier layer in the optical waveguide is provided in at least one location of the optical waveguide;
The structure for extracting holes in this p-type semiconductor barrier layer is as follows:
A wiring portion made of a semiconductor including the p-type semiconductor barrier layer provided so as to cross the optical waveguide;
A p-type semiconductor barrier layer connecting portion that is made of a semiconductor including the p-type semiconductor barrier layer connected to the tip of the wiring portion and at least a part of the p-type semiconductor barrier layer is exposed. And
The exposed portion of the p-type semiconductor barrier layer in the p-type semiconductor barrier layer connecting portion is electrically connected to an electrode provided on the second n-type semiconductor cladding layer. ,
It is characterized by.
また、第2発明の半導体光位相変調器は、第1発明の半導体光位相変調器において、
前記p型半導体バリア層接続部における前記p型半導体バリア層の露出部が、前記p型半導体バリア層接続部上と前記配線部上と前記光導波路上に設けられたn型電極層を介して、前記光導波路上の前記n型電極層上に設けられた前記電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
The semiconductor optical phase modulator of the second invention is the semiconductor optical phase modulator of the first invention.
An exposed portion of the p-type semiconductor barrier layer in the p-type semiconductor barrier layer connection portion is interposed via an n-type electrode layer provided on the p-type semiconductor barrier layer connection portion, the wiring portion, and the optical waveguide. The electrode is electrically connected to the electrode provided on the n-type electrode layer on the optical waveguide.
また、第3発明の半導体光位相変調器は、第1又は第2発明の半導体光位相変調器において、
前記光導波路の少なくとも一部分が、幅の広い側が対向するように前記光導波路に形成された対のテーパー部によって太くなっており、
この対のテーパー部によって太くなった部分に交わるように前記配線部が設けられていること、
を特徴とする。
The semiconductor optical phase modulator of the third invention is the semiconductor optical phase modulator of the first or second invention.
At least a portion of the optical waveguide is thickened by a pair of tapered portions formed in the optical waveguide such that the wide side is opposed,
The wiring part is provided so as to cross the thickened part by this pair of tapered parts,
It is characterized by.
また、第4発明の半導体光位相変調器は、第3発明の半導体光位相変調器において、
前記対のテーパー部の何れか一方又は両方が、パラボラ形状のテーパー部であることを特徴とする。
The semiconductor optical phase modulator of the fourth invention is the semiconductor optical phase modulator of the third invention.
One or both of the pair of tapered portions is a parabolic tapered portion.
また、第5発明の半導体光位相変調器は、第3又は第4発明の半導体光位相変調器において、
前記対のテーパー部によって太くなった部分が、前記光導波路の少なくとも伝搬光が進入してくる方に設けられており、
前記電極によって電界が前記コアとなる層を含んだi型半導体層に印加され始める箇所が、前記伝搬光が進入してくる方に設けられた前記対のテーパー部によって太くなった部分内に設置され、前記コアとなる層を含んだi型半導体層に前記電極によって電界が印加される箇所と印加されない箇所との境界が、前記伝搬光が進入してくる方に設けられた前記対のテーパー部によって太くなった部分内に存在していること、
を特徴とする。
The semiconductor optical phase modulator of the fifth invention is the semiconductor optical phase modulator of the third or fourth invention.
A portion thickened by the pair of tapered portions is provided at least in the direction of propagating light of the optical waveguide,
The portion where the electric field starts to be applied to the i-type semiconductor layer including the core layer by the electrode is installed in a portion thickened by the pair of tapered portions provided in the direction in which the propagating light enters. And the pair of tapers provided at the boundary between the portion where the electric field is applied by the electrode and the portion where the electric field is not applied to the i-type semiconductor layer including the core layer. Exists in the part thickened by the part,
It is characterized by.
本発明の半導体光位相変調器によれば、半導体基板上に設けた下部の第1のn型半導体クラッド層と、少なくともコアとなる層を含んだi型半導体層と、p型半導体バリア層と、上部の第2のn型半導体クラッド層とを含む構造の光導波路を備えた半導体光位相変調器において、プロセス負荷、ドーパントの拡散、インプランテーションによる伝搬損失の増加が少なく、p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造を実現することができる。また、設計の自由度を小さくせず、ホールを引きぬく効果があり、電気的、光学的に安定な半導体光位相変調器を提供することができる。 According to the semiconductor optical phase modulator of the present invention, a lower first n-type semiconductor cladding layer provided on a semiconductor substrate, an i-type semiconductor layer including at least a core layer, a p-type semiconductor barrier layer, In the semiconductor optical phase modulator having an optical waveguide having a structure including the upper second n-type semiconductor clad layer, the p-type semiconductor barrier layer has a small increase in propagation loss due to process load, dopant diffusion, and implantation. It is possible to realize a structure for extracting the holes. In addition, it is possible to provide an electrically and optically stable semiconductor optical phase modulator that has the effect of pulling holes without reducing the design freedom.
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
<実施の形態例1>
図1〜図9に基づき、本発明の実施の形態例1に係る半導体光位相変調器を備えたマッハツェンダ型光変調器について説明する。
<
A Mach-Zehnder optical modulator including the semiconductor optical phase modulator according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
まず、図3及び図4に基づき、本実施の形態例1の半導体光位相変調器41の特徴について説明する。
図3及び図4に示すように、本実施の形態例1では、半導体基板11上に設けた下部の第1のn型半導体クラッド層12と、少なくともコアとなる層13aを含んだi型半導体層13と、p型半導体バリア層14と、上部の第2のn型半導体クラッド層15とを含む構造の光導波路31を備えた半導体光位相変調器41において、この光導波路31におけるp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51が、光導波路31の少なくとも1箇所に設けられている。
そして、このp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51は、光導波路31に交わるように設けられたp型半導体バリア層14を含む半導体からなる配線部52と、この配線部52の先に接続されたp型半導体バリア層14を含む半導体からなるものであって、このp型半導体バリア層14の少なくとも一部が露出(露出部14a)しているp型半導体バリア層接続部53とを有し、且つ、このp型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14の露出部14aが、第2のn型半導体クラッド層15の上部に設けられたシグナル電極16に電気的に接続されている構成であることを特徴としている。
更には、光導波路31の少なくとも一部分31Cが、幅の広い側31A−1,31B−1が対向するように光導波路31に形成された対のテーパー部31A,31Bによって太く(幅が広く)なっており、この対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cに交わるように配線部52が設けられていることを特徴としている。First, the characteristics of the semiconductor
As shown in FIGS. 3 and 4, in the first embodiment, an i-type semiconductor including a lower first n-type semiconductor clad
A
Furthermore, at least a
次に、図1〜図9に基づき、このような半導体光位相変調器41を備えたマッハツェンダ型光変調器について説明する。なお、図2には下層のGND電極17を図示しているが、簡略化のために図1では下層のGND電極17を図示していない。
Next, a Mach-Zehnder type optical modulator including such a semiconductor
図1に示すように、本実施の形態例1のマッハツェンダ型光変調器101は、半導体からなるハイメサ光導波路から形成される、2つの3dBカップラー61とそれらを繋ぐ2つのアーム光導波路31に形成される2つの半導体光位相変調器41とを有してなるものである。
本実施の形態例1では、半導体光位相変調器41部のアーム光導波路31の長さを1.5mmとし、アーム光導波路31の幅は1.6μmとした。半導体光位相変調器41部の両端には、それぞれのアーム光導波路31を電気的に絶縁する分離溝62が形成してある。本実施の形態例1では、分離溝62の幅を10μmとした。なお、分離溝に関しては特許文献4に開示されており、ここでの詳細な説明は省略する。
また、半導体光位相変調器41部には素子外部との電気的接続を行うパッド63が設けられ、パッド61の下にはポリイミドにより台64が設けられている。パッド63は、その上面視を、1辺の長さが75μmの正方形状とした。
As shown in FIG. 1, the Mach-Zehnder type
In the first embodiment, the length of the arm
The semiconductor
図2に示すように、半絶縁性(SI(semi−insulating))−InP基板11上には第1のn型電極層18が形成されている。
そして、第1のn型電極層18上には、下部の第1のn型半導体クラッド層12と、コア層13aを含んだi型半導体層13(コア層13a、第1のi型半導体層13b、第2のi型半導体層13c)と、低濃度クラッド層19と、p型半導体バリア層14と、第2のn型半導体クラッド層15とが順次積層されることにより、ハイメサ構造でnpin構造の光導波路31が形成されている。
また、第2のn型半導体クラッド層15上には第2のn型電極層20が形成され、第2のn型電極層20上にはシグナル電極16が形成されている。GND電極17は、ハイメサ構造の光導波路31の両側において第1のn型電極層18上に形成されている。
As shown in FIG. 2, the first n-
Then, on the first n-
A second n-
そして、本実施の形態例1のマッハツェンダ型光変調器101では、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51が、2つのアーム光導波路31に形成された半導体光位相変調器41のそれぞれに設けられている。
In the Mach-Zehnder
図3及び図4に基づき、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51について詳述する。
A
図3及び図4に示すように、半導体光位相変調器41部において光導波路31の一部には、対のテーパー部31A,31Bが形成されている。テーパー部31A,31Bは、その上面視が三角形状になっており、幅の広い側31A−1,31B−1が、光導波路31の長さ方向(光の伝搬方向)において互いに対向するように配置されている。本実施の形態例1ではテーパー部31A,31Bの長さをそれぞれ100μmとし、テーパー31A,31Bの幅の広い側31A−1,31B−1の幅は5μmとした。この対のテーパー部31A,31Bによって、光導波路31の一部分31Cが太く(幅が広く)なっている。
As shown in FIGS. 3 and 4, a pair of tapered
この対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cに交わるように配線部52が設けられている。配線部52は光導波路31と同じ構造を持っている。即ち、配線部52は、p型半導体バリア層14を含む半導体からなるものである。配線部52の半導体幅は1.0μmとした。
A
配線部52に続いてp型半導体バリア層接続部53があり、これが配線部52の先に接続されている。即ち、この配線部52を介して、光導波路31(対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C)とp型半導体バリア層接続部53とが接続されている。p型半導体バリア層接続部53は光導波路31と同じ構造を持っている。即ち、p型半導体バリア層53はp型半導体バリア層14を含む半導体からなるものである。また、p型半導体バリア層接続部53には、その第2のn型電極層20及び第2のn型半導体クラッド層15に開けられた露出孔53aが設けられている。このため、p型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14の一部(露出部14a)が、露出孔53aから露出する。
Following the
そして、このp型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14の露出部14aが、第2のn型半導体クラッド層15の上部に設けられたシグナル電極16に電気的に接続されている。図示例では、p型半導体バリア層14の露出部14aが、金属配線71によって直接シグナル電極16に電気的に接続されている。金属配線71は、p型半導体バリア層接続部53と配線部52と光導波路31(対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C)における第2のn型電極層20上及び露出孔53a内に配設されて、一端がp型半導体バリア層14の露出部14aに接続され、他端がシグナル電極16に接続されている。
p型半導体バリア層接続部53は、その上面視を、1辺の長さが75μmの正方形状とした。p型半導体バリア層接続部53における露出孔53a(即ちp型半導体バリア層14の露出部14a)は、その上面視を、1辺の長さが50μmの正方形状とした。
なお、図4(a)において、W1が光導波路31の幅、W2が対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cの最大幅、W3が配線部52の長さ、W4がp型半導体バリア層接続部53の1辺の長さ、W5が露出孔53a(露出部14a)の1辺の長さである(図9(a)、図12(a)においても同様)。
The exposed
The p-type semiconductor barrier
In FIG. 4A, W1 is the width of the
このような構成のホールを抜き出す構造51を設けることにより、半導体光位相変調器41の光導波路31におけるp型半導体バリア層14のホールを、配線部52におけるp型半導体バリア層14及びp型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14を介して、抜き出すことができる。
By providing the
次に、図1〜図5に基づき、マッハツェンダ型光変調器の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a Mach-Zehnder optical modulator will be described with reference to FIGS.
まず、図5(a)に示すようにSI−InP基板11上に各層18,12,13(13a,13b,13c),19,14,15,20を順次成長させて積層する
詳述すると、SI−InP基板11上には、下部の第1のn型電極層18(n+−InGaAs)を成長させて形成する。
続いて、この第1のn型電極層18の上には、下部の第1のn型半導体クラッド層12(n−InP)を成長させて形成する。
この第1のn型半導体クラッド層12の上には、第1の中間層である第1のi型半導体層13b(i−InGaAsP)と、コア層13a(i−core)と、第2の中間層である第2のi型半導体層13c(i−InGaAsP)とを順次成長させて形成する。即ち、コア層13aを含んだi型半導体層13を形成する。
このi型半導体層13(第2のi型半導体層13c)の上には、低濃度クラッド層19(i−InP)を成長させて形成する。
この低濃度クラッド層19の上には、電子バリアとして機能するp型半導体バリア層14(p−InAlAs)を成長させて形成する。
このp型半導体バリア層14の上には、上部の第2のn型半導体クラッド層15(n−InP)を成長させて形成する。
更に、この第2のn型半導体クラッド層15には、上部の第2のn型電極層20(n+−InP)を成長させて形成する。
First, as shown in FIG. 5A, the
Subsequently, a lower first n-type semiconductor clad layer 12 (n-InP) is grown and formed on the first n-
On the first n-type semiconductor clad
A low-concentration cladding layer 19 (i-InP) is grown and formed on the i-type semiconductor layer 13 (second i-
A p-type semiconductor barrier layer 14 (p-InAlAs) functioning as an electron barrier is grown and formed on the low-
On the p-type
Further, the second n-type semiconductor clad
ここでコア層13aは、動作光波長で電気光学効果が有効に働くように構成され、例えば、1.5μm帯のデバイスであれば、InGaAlAsのGa/Al組成を変えた層を、それぞれ量子井戸層と量子バリア層にした多重量子井戸構造とすることができる。また、第1の中間層である第1のi型半導体層13bは、光吸収で発生したキャリアをヘテロ界面でトラップされないようにするための接続層として機能する。
Here, the
次に、半導体マッハツェンダ型光変調器101を製作するには、2つのアーム光導波路31を電気的に分離する必要があるため、これらのアーム光導波路31に分離溝62を形成する。変調電極とバランス電極が分かれているMZ構造の場合は、その間にも分離溝を設けて電気的分離を行う。
2つのアーム光導波路31が電気的に分離されていないと、一方のアーム光導波路31に設けた半導体光位相変調器41に変調のため印加した電圧が、他方のアーム光導波路31に設けた半導体光位相変調器41の変調に影響を及ぼすためである。分離溝62は、第2のn型電極層20から電子バリアとして機能するp型半導体バリア層14までの一部を、標準的なフォトリソグラフィーでパター二ングし、ウエットエッチング技術を用いて光導波路のアーム部分の何処かにおいて幅数ミクロンの溝となるように取り除くことによって形成する。
Next, in order to manufacture the semiconductor Mach-Zehnder type
If the two arm
なお、ここでは分離溝62によって2つのアーム光導波路31の電気的分離を行ったが、電極16が接触する半導体光位相変調器41部分の周辺以外を、石英のハードマスクを用いて第2のn型電極層20から電子バリアとして機能するp型半導体バリア層14までを除去した後、この除去した部分に半絶縁性のInPを再度成長して、半絶縁性のInPへの置き換を実施してもよい。
In this case, the two arm
次に、標準的なフォトリソグラフィー技術を用いて図1に示すようなマッハツェンダ型光変調器のパターンを、レジストを介してウエハー上に形成し、ドライエッチング技術を用いて第2のn型電極層20から第1のn型半導体クラッド層12の中間までをエッチングすることにより、ハイメサ型の光導波路構造を形成する。このときにp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51(テーパー部31A,31B、配線部52、p型半導体バリア層接続部53)の外形も同時に形成する(図3,図4)。その後、第1のn型半導体クラッド層12をウエットエッチングすることにより、図5(b)に示すように第1のn型電極層18を露出させる。
Next, a pattern of a Mach-Zehnder type optical modulator as shown in FIG. 1 is formed on the wafer through a resist using a standard photolithography technique, and a second n-type electrode layer is formed using a dry etching technique. A high mesa type optical waveguide structure is formed by etching from 20 to the middle of the first n-type semiconductor clad
続いて、フォトリソグラフィー技術を用いて、p型半導体バリア層接続部53となるべき箇所以外を保護し、ウエットエッチングを用いてp型半導体バリア層接続部53における第2のn型電極層20及び第2のn型半導体クラッド層15の一部に露出孔53aを設けることにより、p型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14の一部(露出部14a)を露出させる。
続いて、図5(c)に示すように半導体光位相変調器41のシグナル電極(変調電極)16となる第1のn型電極を第2のn型電極層20上に形成し、GND電極17となる第2のn型電極を第1のn型電極層18上に形成する。
そして、このとき同時に金属配線71を、p型半導体バリア層接続部53と配線部52と光導波路31(対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C)における第2のn型電極層20上及び露出孔53a内に配設することにより、この金属配線71によってp型半導体バリア層14の露出部14aと上部電極であるシグナル電極16とを電気的に接続する。
Subsequently, a portion other than the portion to be the p-type semiconductor barrier
Subsequently, as shown in FIG. 5C, a first n-type electrode to be a signal electrode (modulation electrode) 16 of the semiconductor
At the same time, the
また、必要に応じて、パッシベーション膜を堆積してハイメサ構造の表面を保護するようにしてもよいし、ポリマーなどを利用してハイメサ構造を保護してもよい。その後、リフトオフ工程を用いて電極のパターンを形成する。必要がればメッキ工程を用いて金属電極を形成してもよい。 If necessary, a passivation film may be deposited to protect the surface of the high mesa structure, or the high mesa structure may be protected using a polymer or the like. Thereafter, an electrode pattern is formed using a lift-off process. If necessary, the metal electrode may be formed using a plating process.
本実施の形態例1では、SI−InP基板11上に素子を形成し、GND電極17を第1のn型電極層18(n+−InGaAs)上に設置しているが、n基板を用いてGND電極は形成しない場合なども同様の効果が得られるのは言うまでもない。また、本実施の形態例1では、ハイメサ構造の光導波路を用いた場合を示しているが、電界を印加して位相変化を行う半導体からなる光導波路の構成であればその他の光導波路構造であっても差支えない。
In the first embodiment, an element is formed on the SI-
図6(a)には従来構造である、p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造がない半導体光位相変調器を備えたマッハツェンダ型光変調器(図示省略)の消光特性を示している。図6(b)には本実施の形態例1のp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51を有する半導体光位相変調器41を備えたマッハツェンダ型光変調器101の消光特性を示している。
なお、図6(a),(b)では便宜上、上側の半導体光位相変調器にマイナスの電圧を印加した際の消光特性を横軸の負側に表示し、下側の半導体光位相変調器にマイナスの電圧を印加した際の特性をこの電圧に−1をかけて横軸の正側に表示している。つまり横軸の正側にプロットはしているが、実際に印加している電位はマイナスである。
FIG. 6A shows the extinction characteristics of a Mach-Zehnder optical modulator (not shown) having a semiconductor optical phase modulator that does not have a structure for extracting holes in the p-type semiconductor barrier layer, which is a conventional structure. FIG. 6B shows the extinction characteristic of the Mach-Zehnder
In FIGS. 6A and 6B, for convenience, the extinction characteristic when a negative voltage is applied to the upper semiconductor optical phase modulator is displayed on the negative side of the horizontal axis, and the lower semiconductor optical phase modulator is displayed. The characteristic when a negative voltage is applied to is shown on the positive side of the horizontal axis by multiplying this voltage by -1. That is, although the plot is on the positive side of the horizontal axis, the potential actually applied is negative.
図6(a),(b)において、実線は半導体光位相変調器に電圧を印加し始めて直ぐの消光特性であり、点線は一定電圧である−8Vを上側の半導体光位相変調器にのみ10分
間印加し続けた後に消光特性を取得した結果である。
6 (a) and 6 (b), the solid line shows the extinction characteristic immediately after applying a voltage to the semiconductor optical phase modulator, and the dotted line shows a constant voltage of −8V only to the upper semiconductor optical phase modulator. It is the result of acquiring the extinction characteristic after continuing applying for minutes.
図6(a)の場合には、電圧を印加した側の半導体光位相変調器での消光特性が時間とともに変化しているのが確認できる。これは、p型半導体バリア層にホールが蓄積し、完全に蓄積が飽和するまでの間に起こる現象であり、npin構造のマッハツェンダ型光変調器の特性であり、初期的に不安定性を示すことを示している。
一方、図6(b)の場合には、初期特性と10分後の特性に差分はなく、全く同じ特性を示した。これは本実施の形態例1のp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51により、p型半導体バリア層14にホールの蓄積が起こらないため、特性を維持していることを示している。
In the case of FIG. 6A, it can be confirmed that the extinction characteristic of the semiconductor optical phase modulator on the side to which the voltage is applied changes with time. This is a phenomenon that occurs between the time when holes accumulate in the p-type semiconductor barrier layer and the accumulation completely saturates. This is a characteristic of the Mpin-Zehnder type optical modulator having the npin structure, and initially shows instability. Is shown.
On the other hand, in the case of FIG. 6B, there is no difference between the initial characteristic and the characteristic after 10 minutes, and the characteristic is exactly the same. This shows that the
従って、本実施の形態例1によれば、npin型半導***相変調器41において有限の光吸収がある場合、発生したホールキャリアがp型半導体バリア層14に蓄積するという現象により消光特性が不安定になることを改善し安定させる効果が得られる。
Therefore, according to the first embodiment, when the npin type
次に、図7に基づき、テーパー部31A,31Bの効果について説明する。
図7(a)に示すようにテーパー部で光導波路31の幅を広げず、この光導波路31に半導体からなる配線部52を接続した場合、配線部52を接続した箇所での光導波路モードフィールドとのモード不整合により損失が発生して透過強度が劣化する。
これに対して、図7(b)に示すように、対のテーパー部31A,31Bにより光導波路モードフィールドを断熱変換して広げ、この広がった箇所に配線部52を接続させた場合、光導波路モードフィールドとのモード不整合が抑えられ、半導体からなる配線部52を設置した影響を最小限に抑えることができる。発明者らの検討によると5μm幅まで対のテーパー部31A,31Bによって光導波路31の幅を広げ、半導体からなる配線部52の幅を1μmとした場合、1箇所あたり0.11dBの過剰損失まで低減することができた。
無論、過剰損失は大きくなるが、テーパー部31A,31Bを設けなくても、本発明の効果である特性の安定性は得られる。
Next, the effect of the
As shown in FIG. 7A, when the width of the
On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the optical waveguide mode field is expanded by adiabatic conversion by the pair of tapered
Of course, the excess loss becomes large, but the stability of the characteristics that is the effect of the present invention can be obtained without providing the
また、テーパー部として本実施の形態例1では、光導波路31の幅が線形に変化する、上面視が三角形状のテーパー部31A,31Bを用いたが、この形状に限らず、例えば図8(a)に示すような上面視がパラボラ形状のテーパー部31A,31Bを用いてもよい。この場合にも、光導波路31の一部分31Cが、幅の広い側31A−1,31B−1が対向するように光導波路31に形成された対のテーパー部31A,31Bによって太くなり、この対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cに交わるように配線部52が設けられる。
このパラボラ形状のテーパー部31A,31Bの場合、光導波路31の幅が線形的に変化する三角形状のテーパー部31A,31Bよりも短距離で光導波路モードフィールドの拡大ができるため、占有面積を小さくする効果がある。
In the first embodiment, the
In the case of the parabolic
また、テーパー部31A,31Bを対向させる点では、同じ形状のテーパー部31A,31Bを対向させる必要もないことは言うまでもない。
Needless to say, the
また、対向するテーパー部31A,31Bの間であれば、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51は半導体光位相変調器41における光導波路31のどこに設置してもよいし、また複数設置してもよい。図8(b)には、対向するテーパー部31A,31Bの間隔を長くすることにより、この対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cを長くし、この太くなった部分31Cにp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51を3つ設けた例を示す。p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51を複数設置した場合には、p型半導体バリア層14からホールが抜けやすくなるため、ホールを抜き出す効果がより得られる。
Further, the
また、本発明の構成では、光導波路の層構造が上からnpin構造であっても、その逆に上からnipn構造であっても、p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造を提供できる。
nipn構造の例を図9に示す。図9ではSI−InP基板11上に第1のn型電極層18が形成され、この第1のn型電極層18上に下部の第1のn型半導体クラッド層12が形成され、この第1のn型半導体クラッド層12上にp型半導体バリア層14が形成されている。更にp型半導体バリア層14上には、コア層13aを含んだi型半導体層13(コア層13a、第1のi型半導体層13b、第2のi型半導体層13c)と、低濃度クラッド層19と、第2のn型半導体クラッド層15とが順次積層されてハイメサ構造でnpin構造の光導波路31が形成されている。また、第2のn型半導体クラッド層15上に第2のn型電極層20が形成され、第2のn型電極層20上にシグナル電極16が形成され、第1のn型電極層18上にGND電極(図示省略)が形成されている。
In addition, the structure of the present invention can provide a structure for extracting holes in the p-type semiconductor barrier layer regardless of whether the layer structure of the optical waveguide is an npin structure from the top, or vice versa.
An example of the nipn structure is shown in FIG. In FIG. 9, a first n-
このようなnipn構造の場合には、p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造53におけるp型半導体バリア層14を露出させる工程で、同構造53におけるi型半導体層
13もエッチングして露出孔53aを形成することにより、p型半導体バリア層14の一部(露出部14a)を露出させれば、この露出部14aを金属配線71によって電極16に電気的に接続させることができる。このため、nipn構造の光導波路31においても、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51を実現することができる。
In the case of such a nipn structure, in the step of exposing the p-type
<実施の形態例2>
図10〜図12に基づき、本発明の実施の形態例2に係る半導体光位相変調器を備えたマッハツェンダ型光変調器について説明する。なお、これらの図において上記実施の形態例1と同様の部分には同一の符号を付している。
<
A Mach-Zehnder optical modulator provided with the semiconductor optical phase modulator according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In these drawings, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
図11及び図12に示すように、実施の形態例1と同様に本実施の形態例2でも、半導体基板11上に設けた下部の第1のn型半導体クラッド層12と、少なくともコアとなる層13aを含んだi型半導体層13と、p型半導体バリア層14と、上部の第2のn型半導体クラッド層15とを含む構造の光導波路31を備えた半導体光位相変調器41において、この光導波路31におけるp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51が、光導波路31の少なくとも1箇所に設けられている。
そして、このp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51は、光導波路31に交わるように設けられたp型半導体バリア層14を含む半導体からなる配線部52と、配線部52の先に接続されたp型半導体バリア層14を含む半導体からなるものであって、このp型半導体バリア層14の少なくとも一部が露出(露出部14a)しているp型半導体バリア層接続部53とを有し、且つ、このp型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14の露出部14aが、第2のn型半導体クラッド層15の上部に設けられた進行波型電極81に電気的に接続されている構成であることを特徴としている。
更には、光導波路31の少なくとも一部分31Cが、幅の広い側31A−1,31B−1が対向するように光導波路31に形成された対のテーパー部31A,31Bによって太く(幅が広く)なっており、この対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cに交わるように配線部52が設けられていることを特徴としている。
As shown in FIGS. 11 and 12, in the second embodiment as well as the first embodiment, the lower first n-type semiconductor clad
The
Furthermore, at least a
そして、本実施の形態例2では、このような構成の半導***相変調器41を備えたマッハツェンダ型光変調器であって、図10に示すように高速動作をする進行波型電極81を設けた高速光位相変調部82と、動作点調整を行う光位相調整部83を持つマッハツェンダ型光変調器102を作製した。
In the second embodiment, a Mach-Zehnder optical modulator including the
このマッハツェンダ型光変調器102の製造方法は、実施の形態例1と同じである。
実寸で、前段の進行波型電極81による高速光位相変調部82部分の長さは2mm、後段の光位相調整部83部分の長さは1mmとした。それ以外は実施の形態例1と同じである。
The manufacturing method of the Mach-Zehnder type
In actual size, the length of the high-speed optical
実施の形態例1に示したp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51では、p型半導体バリア層14を第1のn型半導体クラッド層15の上部に設けられた電極16に電気的に接続するために金属配線71を、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51における配線部52上及びp型半導体バリア層接続部53上と、光導波路31(対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C)上とに形成して、p型半導体バリア層14の露出部14aと電極16とを接続した。
In the
しかし、本実施の形態例1で作製したマッハツェンダ型光変調器102は、進行波型電極81を形成している。高周波配線回路においては、ハイメサ光導波路上の金属とp型半導体バリア層とを金属をもって接続するとこの箇所は、高周波からみるとスタブ(Stub)として動作してしまうため、高周波配線回路の伝搬に影響を及ぼす。スタブとは高周波配線回路において伝送線路に並列に接続される分布定数線路のことである。
However, the Mach-Zehnder type
そこで、本実施の形態例2では、npin構造における第2のn型電極層20を通じて、p型半導体バリア層接続部53におけるp型半導体バリア層14(露出部14a)と、高速光位相変調部82における光導波路31上の進行波型電極81との電気的な接続を行っている。即ち、p型半導体バリア層14の露出部14aが、p型半導体バリア層接続部53上と配線部52上と光導波路31上に設けられた第2のn型電極層20を介して、光導波路31における第2のn型電極層20上に設けられた進行波型電極81に電気的に接続されている。
Therefore, in the second embodiment, the p-type semiconductor barrier layer 14 (exposed
p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51における配線部52の上には、金属による配線を実施しない。p型半導体バリア層14の露出部14aと、npin構造の光導波路31における第2のn型電極層20上の進行波型電極81との電気的接続を行うため、p型半導体バリア層接続部53における第2のn型電極層20上と露出孔53内にだけ金属配線71を形成している。即ち、金属配線71の一端はp型半導体バリア層14の露出部14aに接続され、金属配線71の他端はp型半導体バリア層接続部53における第2のn型電極層20に接続されている。
Metal wiring is not performed on the
この場合、進行波型電極81には直接金属配線71を接続させずに済み、第2のn型電極層20を介して電気的な接続を行う分には、スタブとしてはあまり機能せず、その影響を最小限に抑える効果がある。第2のn型電極層20は金属に比べて抵抗値は大きいが、p型半導体バリア層14内に蓄積するホールを抜き出すには十分な導電性が得られる。
本実施の形態例2でも、実施の形態例1と同じように安定性を評価したが、実施の形態例1と同じく安定性が得られていることを確認した。また、本実施の形態例2の構造を採用している場合とそうでない場合とにおいて、高周波応答性を評価した結果、EOレスポンスにおいて3dB帯域が28GHzであって両者に差分は見られなかった。
In this case, it is not necessary to directly connect the
In the second embodiment, the stability was evaluated in the same manner as in the first embodiment, but it was confirmed that the same stability as in the first embodiment was obtained. In addition, as a result of evaluating the high frequency response in the case of adopting the structure of the second embodiment and in the case of not using it, the 3 dB band in the EO response was 28 GHz, and no difference was found between the two.
本実施の形態例2によると、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51によって特性の安定化をはかりつつ、高速応答性の劣化を抑える効果が得られる。
According to the second embodiment, it is possible to obtain the effect of suppressing the deterioration of the high-speed response while stabilizing the characteristics by the
<実施の形態例3>
図13〜図15に基づき、本発明の実施の形態例3に係る半導体光位相変調器を備えたマッハツェンダ型光変調器について説明する。なお、これらの図において上記実施の形態例1と同様の部分には同一の符号を付している。
<
A Mach-Zehnder optical modulator including the semiconductor optical phase modulator according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In these drawings, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
図13及び図14に示すように、実施の形態例1と同様に本実施の形態例3でも、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51によって、光導波路31におけるp型半導体バリア層14が第2のn型半導体クラッド層15の上部に設けられた電極16に電気的に接続されていることを特徴とする半導***相変調器41を備えたマッハツェンダ型光変調器103を作製した。
As shown in FIGS. 13 and 14, in the third embodiment as well as the first embodiment, the p-type
このマッハツェンダ型光変調器103の製造方法で実施の形態例1と異なる点は、2つのアーム光導波路31間の電気的分離を行う方法として分離溝ではなく、半絶縁InPによるオーバークラッド置換を実施している点である。
The manufacturing method of the Mach-Zehnder type
まず、SI−InP基板11上に実施の形態例1に示した層構造にて結晶成長を行う。その後、ガラスからなる選択マスクを製膜し、半導体光位相変調器41部分の周辺のみを残すようにパターン化を行い、エッチングにより半導体光位相変調器41部分以外の箇所(図13の点線範囲Jの中の箇所)をp型半導体バリア層14まで除去する。その後、絶縁性の高いInPにてオーバークラッド部を埋めもどして、半絶縁InPの層21を形成する。そうすることでオーバークラッドの一部を絶縁性の高いInPに置き換えることができる。
First, crystal growth is performed on the SI-
そして、本実施の形態例3では、光導波路31に対向配置した対のテーパー部31A,31Bによって太く(幅が広く)なった部分31C内に、この半絶縁InP層21を形成した部分と元からあるエピ構造の部分との境界を設定し、且つ、対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cにp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51を設けている。
図14(b)に示すように電界Eは元からあるエピ構造の部分のi型半導体層31に印加され、半絶縁InP層21にて置き換えた部分ではi型半導体層31に電界Eが印加されない。
In the third embodiment, the
As shown in FIG. 14B, the electric field E is applied to the i-
即ち、本実施の形態例3では、対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cが、光導波路31の少なくとも、矢印Eのように伝搬光が光導波路31へ進入してくる方に設けられている。そして、電極16によって電界Eがコア層13aを含んだi型半導体層13に印加され始める箇所が、前記伝搬光が進入してくる方に設けられた対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C内に設置され、コア層13aを含んだi型半導体層13に電極16によって電界Eが印加される箇所と印加されない箇所との境界が、前記伝搬光が進入してくる方に設けられた対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C内に存在している。
That is, in the third embodiment, the
ここで、図15に基づき、このような半導***相変調器41を備えたマッハツェンダ型光変調器103の1つの故障モードについて説明する。
Here, based on FIG. 15, one failure mode of the Mach-Zehnder
電界Eが印加された箇所では、電界Eが印加されない箇所に比べてバンドギャップが動作波長に近づく。そのため電界Eが印加され始める点から条件によっては光の吸収が発生する。この光の吸収により伝搬光はexp(−αL)で示される関数で減少していく。ここでαは吸収係数であり電界の関数でもある。Lは伝搬距離を示す。 In the place where the electric field E is applied, the band gap approaches the operating wavelength as compared with the place where the electric field E is not applied. Therefore, light absorption occurs depending on conditions from the point where the electric field E starts to be applied. Due to the absorption of this light, the propagation light decreases with a function represented by exp (−αL). Here, α is an absorption coefficient and a function of the electric field. L represents the propagation distance.
マッハツェンダ型光変調器103の1つの故障モードとしては、この光の吸収が動作条件によってはかなり大きくなり、光の吸収が発生して大きなフォトカレントが流れ、そのために発熱が大きくなり、光導波路31自体を破損させる程度の温度上昇を引き起こして故障に至るという故障モードがある。しかも光の吸収はexp(−αL)で減衰していくので光の伝搬方向からみて初めに電界Eが印加され始める箇所で故障は起こる。従って、この故障モードによる故障限界を引き上げる構造が求められる。
As one failure mode of the Mach-Zehnder type
ここで、流れる電流密度を落とすと単位体積当たりの発熱量は抑えられるので故障限界を拡張することが可能である。電流密度を落とす方法としては、電界Eが印加される箇所での光導波路幅を広くし、同じ電流が流れても、電流密度を抑えられれば良い。そこで、対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cを光導波路31の伝搬光が進入してくる方に設けることにより、電界Eが印加され始める点で光導波路31の幅を広くする。しかも、光導波路31の幅を広くするだけではなく、対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31Cにp型半導体バリア層14のホール抜き出す構造51を設けることにより、p型半導体バリア層14内に蓄積するホールを抜き出す効果も同時に与えることができる。
Here, if the current density flowing is reduced, the amount of heat generation per unit volume can be suppressed, so that the failure limit can be extended. As a method of reducing the current density, the width of the optical waveguide at the portion to which the electric field E is applied is widened, and the current density may be suppressed even when the same current flows. Therefore, by providing a
本実施の形態例3によれば、対のテーパー部31A,31Bにより太くなった部分31Cにp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51を設け、且つ、対のテーパー部31A,31Bにより太くなった部分31C内に電界Eが印加される箇所と絶縁される箇所(電界Eが印加されない箇所)との境界を設定することで、p型半導体バリア層14内に蓄積するホールを抜き出す特性を安定化させるだけでなく、故障限界を引き上げて故障しにくい素子を提供することが可能になる。
According to the third embodiment, the
無論、電界Eが印加される箇所と絶縁される箇所(電界Eが印加されない箇所)との境界を対のテーパー部31A,31Bで広げて電流密度を下げる構造と、p型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51とを別々に半導体光位相変調器31内に設けても効果はあるが、占有面積が大きくなるだけなので、これらの機能を併用することで小型化できる効果もある。
Of course, a structure in which the boundary between the portion to which the electric field E is applied and the portion to be insulated (the portion to which the electric field E is not applied) is widened by the pair of tapered
また、本実施の形態例3では、半絶縁InPの成長によるオーバークラッド部の置き換えについて説明したが、重要なのは、電界Eが印加され始める箇所が対のテーパー部31A,31Bによって太くなった部分31C内にあり、この太くなった部分31Cにp型半導体バリア層14のホールを抜き出す構造51が設けられることであるため、このような構造を有していれば、分離溝によって絶縁を実現した場合でも、同様の効果が得られる。
In the third embodiment, the replacement of the over clad portion by the growth of semi-insulating InP has been described. The important point is that the portion where the electric field E starts to be applied is thickened by the pair of tapered
本発明は光通信などに用いる半導体光位相変調器に関するものであり、この半導体光位相変調器を備えたマッハツェンダ型光変調器などに適用して有用なものである。 The present invention relates to a semiconductor optical phase modulator used for optical communication and the like, and is useful when applied to a Mach-Zehnder optical modulator equipped with this semiconductor optical phase modulator.
11 SI−InP基板
12 第1のn型半導体クラッド層
13 i型半導体層
13a コア層
13b 第1のi型半導体層13b
13c 第2のi型半導体層
14 p型半導体バリア層
14a p型半導体バリア層の露出部
15 第2のn型半導体クラッド層15
16 シグナル電極
17 GND電極
18 第1のn型電極層
19 低濃度クラッド層
20 第2のn型電極層
21 半絶縁InP層
31 光導波路
31A テーパー部
31A−1 テーパー部の幅の広い側
31B テーパー部
31B−1 テーパー部の幅の広い側
31C 対のテーパー部によって太くなった部分
41 半導体光位相変調器
51 p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造
52 配線部
53 p型半導体バリア層接続部
53a p型半導体バリア層接続部の露出孔
61 3dBカップラー
62 分離溝
63 パッド
64 パッドの台
71 金属配線
81 進行波型電極
82 高速光位相変調部
83 光位相調整部
11 SI-
13c Second i-type semiconductor layer 14 p-type
16
Claims (5)
前記光導波路における前記p型半導体バリア層のホールを抜き出す構造が、前記光導波路の少なくとも1箇所に設けられており、
このp型半導体バリア層のホールを抜き出す構造は、
前記光導波路に交わるように設けられた前記p型半導体バリア層を含む半導体からなる配線部と、
この配線部の先に接続された前記p型半導体バリア層を含む半導体からなるものであって、前記p型半導体バリア層の少なくとも一部が露出しているp型半導体バリア層接続部とを有し、
且つ、このp型半導体バリア層接続部における前記p型半導体バリア層の露出部が、前記第2のn型半導体クラッド層の上部に設けられた電極に電気的に接続されている構成であること、
を特徴とする半導体光位相変調器。A lower first n-type semiconductor cladding layer provided on a semiconductor substrate; an i-type semiconductor layer including at least a core layer; a p-type semiconductor barrier layer; and an upper second n-type semiconductor cladding layer; In a semiconductor optical phase modulator comprising an optical waveguide having a structure including:
A structure for extracting holes in the p-type semiconductor barrier layer in the optical waveguide is provided in at least one location of the optical waveguide;
The structure for extracting holes in this p-type semiconductor barrier layer is as follows:
A wiring portion made of a semiconductor including the p-type semiconductor barrier layer provided so as to cross the optical waveguide;
A p-type semiconductor barrier layer connecting portion that is made of a semiconductor including the p-type semiconductor barrier layer connected to the tip of the wiring portion and at least a part of the p-type semiconductor barrier layer is exposed. And
In addition, the exposed portion of the p-type semiconductor barrier layer in the p-type semiconductor barrier layer connecting portion is electrically connected to an electrode provided on the second n-type semiconductor cladding layer. ,
A semiconductor optical phase modulator.
前記p型半導体バリア層接続部における前記p型半導体バリア層の露出部が、前記p型半導体バリア層接続部上と前記配線部上と前記光導波路上に設けられたn型電極層を介して、前記光導波路上の前記n型電極層上に設けられた前記電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体光位相変調器。 The semiconductor optical phase modulator according to claim 1.
An exposed portion of the p-type semiconductor barrier layer in the p-type semiconductor barrier layer connection portion is interposed via an n-type electrode layer provided on the p-type semiconductor barrier layer connection portion, the wiring portion, and the optical waveguide. A semiconductor optical phase modulator characterized by being electrically connected to the electrode provided on the n-type electrode layer on the optical waveguide.
前記光導波路の少なくとも一部分が、幅の広い側が対向するように前記光導波路に形成された対のテーパー部によって太くなっており、
この対のテーパー部によって太くなった部分に交わるように前記配線部が設けられていること、
を特徴とする半導体光位相変調器。 The semiconductor optical phase modulator according to claim 1 or 2,
At least a portion of the optical waveguide is thickened by a pair of tapered portions formed in the optical waveguide such that the wide side is opposed,
The wiring part is provided so as to cross the thickened part by this pair of tapered parts,
A semiconductor optical phase modulator.
前記対のテーパー部の何れか一方又は両方が、パラボラ形状のテーパー部であることを特徴とする半導体光位相変調器。 The semiconductor optical phase modulator according to claim 3,
One or both of the pair of taper portions are parabolic taper portions, and the semiconductor optical phase modulator.
前記対のテーパー部によって太くなった部分が、前記光導波路の少なくとも伝搬光が進入してくる方に設けられており、
前記電極によって電界が前記コアとなる層を含んだi型半導体層に印加され始める箇所が、前記伝搬光が進入してくる方に設けられた前記対のテーパー部によって太くなった部分内に設置され、前記コアとなる層を含んだi型半導体層に前記電極によって電界が印加される箇所と印加されない箇所との境界が、前記伝搬光が進入してくる方に設けられた前記対のテーパー部によって太くなった部分内に存在していること、
を特徴とする半導体光位相変調器。 The semiconductor optical phase modulator according to claim 3 or 4,
A portion thickened by the pair of tapered portions is provided at least in the direction of propagating light of the optical waveguide,
The portion where the electric field starts to be applied to the i-type semiconductor layer including the core layer by the electrode is installed in a portion thickened by the pair of tapered portions provided in the direction in which the propagating light enters. And the pair of tapers provided at the boundary between the portion where the electric field is applied by the electrode and the portion where the electric field is not applied to the i-type semiconductor layer including the core layer. Exists in the part thickened by the part,
A semiconductor optical phase modulator.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012118216A JP5705786B2 (en) | 2012-05-24 | 2012-05-24 | Semiconductor optical phase modulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012118216A JP5705786B2 (en) | 2012-05-24 | 2012-05-24 | Semiconductor optical phase modulator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013246223A JP2013246223A (en) | 2013-12-09 |
JP5705786B2 true JP5705786B2 (en) | 2015-04-22 |
Family
ID=49846059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012118216A Expired - Fee Related JP5705786B2 (en) | 2012-05-24 | 2012-05-24 | Semiconductor optical phase modulator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5705786B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6394454B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-09-26 | 住友電気工業株式会社 | Mach-Zehnder modulator |
JP6417346B2 (en) * | 2016-03-03 | 2018-11-07 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor Mach-Zehnder optical modulator |
WO2018052013A1 (en) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor optical modulation element |
JP6947113B2 (en) * | 2018-04-23 | 2021-10-13 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor optical device |
JP2020095131A (en) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 住友電気工業株式会社 | Optical modulator |
JP7404711B2 (en) * | 2019-08-23 | 2023-12-26 | 住友電気工業株式会社 | light modulator |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2982835B2 (en) * | 1991-07-22 | 1999-11-29 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor optical modulator |
JP4105618B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-06-25 | Nttエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor optical modulation waveguide |
JP4141451B2 (en) * | 2005-03-08 | 2008-08-27 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor optical modulator |
WO2006095776A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor light modulator |
JP2007072133A (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Waveguide type band rejection filter |
JP5265929B2 (en) * | 2008-01-10 | 2013-08-14 | Nttエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor optical modulator and optical modulator |
JP5300807B2 (en) * | 2010-09-03 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | Light modulation element |
JP2012083473A (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Anritsu Corp | Optical gate element |
-
2012
- 2012-05-24 JP JP2012118216A patent/JP5705786B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013246223A (en) | 2013-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5705786B2 (en) | Semiconductor optical phase modulator | |
US9448425B2 (en) | Optical waveguide element and optical modulator | |
JP4663712B2 (en) | Semiconductor optical modulator | |
JP6458143B2 (en) | Semiconductor light modulator | |
JP6622228B2 (en) | Optical modulator and manufacturing method thereof | |
JP5428987B2 (en) | Mach-Zehnder light modulator | |
JP4870518B2 (en) | Semiconductor optical modulator | |
JP5831165B2 (en) | Semiconductor optical device | |
SG173939A1 (en) | Silicon-based electro-optic device | |
JP5916414B2 (en) | Optical semiconductor device | |
JP2011203382A (en) | Semiconductor optical device | |
JP3839710B2 (en) | Semiconductor optical modulator, Mach-Zehnder optical modulator, and optical modulator integrated semiconductor laser | |
WO2020062662A1 (en) | Electro-absorption modulation integrated laser chip and manufacture method therefor | |
JP2019054107A (en) | Semiconductor optical element | |
JP5494216B2 (en) | Waveguide type optical device | |
JP4909159B2 (en) | Semiconductor waveguide device, manufacturing method thereof, and semiconductor laser | |
JP2019008179A (en) | Semiconductor optical element | |
US20130207140A1 (en) | Semiconductor Optical Element Semiconductor Optical Module and Manufacturing Method Thereof | |
JP2011029595A (en) | Optical module, integrated semiconductor optical device, and method of manufacturing the same | |
JP5257638B2 (en) | Semiconductor optical modulator and semiconductor Mach-Zehnder optical modulator | |
JP2005116644A (en) | Semiconductor opto-electronic waveguide | |
US20220066280A1 (en) | Optical modulator | |
JP2012083473A (en) | Optical gate element | |
JP4105618B2 (en) | Semiconductor optical modulation waveguide | |
WO2024084708A1 (en) | Semiconductor optical waveguide and method for manufacturing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5705786 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |