JP5701050B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 22
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Description
本発明は、プラズマ処理装置に関し、より具体的には、プラズマを利用して被処理基板の表面に薄膜を形成する、または被処理物の表面をエッチングするといった、プラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more specifically, plasma processing for processing a substrate with plasma, such as forming a thin film on the surface of a substrate to be processed using plasma or etching the surface of an object to be processed. Relates to the device.
従来の、例えばエッチング装置では、主に磁石を用いたマグネトロン型、電子サイクロトロン共鳴を用いたＥＣＲ放電型、ヘリコン波を用いたヘリコン型のプラズマ発生装置が用いられてきた。 In conventional etching apparatuses, for example, a magnetron type using a magnet, an ECR discharge type using electron cyclotron resonance, and a helicon type plasma generator using a helicon wave have been used.
従来，気密な処理室内に電極を備えた非処理体を保持するステージを配置すると共に，そのステージに対向する,すなわち処理室の天井部をなす誘電体壁上に高周波アンテナを配置した誘導結合型エッチング装置が提案されている。係る装置では，まず高周波アンテナにプラズマ生成用高周波電力を印加することにより誘電体壁を介して処理室内に高周波エネルギーを導入し，処理室内に導入された処理ガスを乖離して高密度の誘導結合プラズマを励起する。ついで電極に印加されているバイアス用高周波電力により，ステージ上の非処理体にプラズマを引き込み，所定のエッチング処理を施すように構成されている。 Conventionally, an inductive coupling type in which a stage for holding a non-processed body with an electrode is disposed in an airtight process chamber, and a high-frequency antenna is disposed on a dielectric wall facing the stage, that is, forming the ceiling of the process chamber An etching apparatus has been proposed. In such a device, first, high frequency energy for plasma generation is applied to a high frequency antenna to introduce high frequency energy into the processing chamber through the dielectric wall, and the processing gas introduced into the processing chamber is separated to provide high-density inductive coupling. Excites the plasma. Next, the plasma is drawn into the non-processed body on the stage by the high frequency power for bias applied to the electrode, and a predetermined etching process is performed.
ところで上記のように構成された誘導結合型エッチング装置では，高周波アンテナとプラズマが誘導結合するだけではなく，容量結合もする。その結果，高周波アンテナ近傍の誘電体壁表面にプラズマに対する負のバイアスが付加されるため，そのプラズマとの電位差により，プラズマ中の陽イオンが加速されて誘電体壁をたたき，放電空間内に不純物が発生したり，誘電体壁が消耗する問題が生じていた。 In the inductively coupled etching apparatus configured as described above, not only the high frequency antenna and the plasma are inductively coupled, but also capacitively coupled. As a result, a negative bias to the plasma is applied to the dielectric wall surface in the vicinity of the high-frequency antenna. Therefore, the positive ions in the plasma are accelerated by the potential difference with the plasma and strike the dielectric wall, causing impurities in the discharge space. There was a problem in that the dielectric wall was generated and the dielectric wall was consumed.
また，容量結合により生じたバイアス電圧は，高周波アンテナのＲＦ電力導入側が高く、ＲＦ電力導出側が低くなるため，プラズマ密度もRF導入側が高く，ＲＦ導出側が低くなる。このことによりプラズマ密度の面内均一性が取れなくなるという問題があった。 The bias voltage generated by capacitive coupling is high on the RF power introduction side of the high-frequency antenna and low on the RF power introduction side, so that the plasma density is high on the RF introduction side and low on the RF extraction side. As a result, there is a problem that in-plane uniformity of plasma density cannot be obtained.
上記問題を解決するため、特許文献１には、誘導アンテナとベルジャの間に誘導アンテナとプラズマ間の静電容量結合を制御するための遮蔽電極を挿入したプラズマ反応容器において，前記遮蔽電極を薄膜にて形成しベルジャに物理的に密着させたプラズマ発生装置が開示されている。係る装置では，ベルジャに直接遮蔽電極を形成することで，部品点数を減らしかつ複雑な構造を持つベルジャ表面に高寸法精度に遮蔽電極を構成させることができる。 In order to solve the above problem, Patent Document 1 discloses that in a plasma reaction vessel in which a shielding electrode for controlling the capacitive coupling between the induction antenna and the plasma is inserted between the induction antenna and the bell jar, the shielding electrode is a thin film. And a plasma generating device physically attached to a bell jar is disclosed. In such an apparatus, by forming the shielding electrode directly on the bell jar, the number of parts can be reduced and the shielding electrode can be configured with high dimensional accuracy on the surface of the bell jar having a complicated structure.
また，前記問題を解決するため、特許文献２には、誘電体壁を２重以上の構造として，そのうちのひとつに高周波アンテナから形成される磁界方向に対して垂直方向に配置される導電体層を蒸着にて形成し,この導電体層を誘電体で挟み込む構造を持つプラズマ発生装置が開示されている。係る装置では，誘導アンテナとプラズマ間の静電容量結合を制御するだけでなく，導電体膜の厚さおよび材質を制御することで，熱応力による誘電体層の損傷発生を抑えることができる。 In order to solve the above problem, Patent Document 2 discloses a conductive layer arranged in a direction perpendicular to a magnetic field direction formed from a high-frequency antenna in one of the dielectric walls having a double or more structure. A plasma generator having a structure in which the conductive layer is sandwiched between dielectric layers is disclosed. In such an apparatus, not only the capacitive coupling between the induction antenna and the plasma is controlled, but also the thickness and material of the conductor film are controlled, so that the occurrence of damage to the dielectric layer due to thermal stress can be suppressed.
しかしながら、特許文献１および特許文献２に示されるベルジャ外壁とアンテナ間にスリット構造の遮蔽電極を何らかの方法で設置する装置構成では，高周波アンテナとプラズマ間の容量結合成分を除くことはできるが，ベルジャなどの誘電体壁が導電性のエッチング生成物に覆われた場合にＲＦ電力を放電空間へ伝達できず，放電維持および着火ができなくなる問題が残る。また、ベルジャなどの誘電体壁が導電性のエッチング生成物に覆われた場合のメンテナンス時には誘電体壁自体を交換する必要があり，特にベルジャなど複雑な構造をしたものの場合ではメンテナンス性が劣るという問題がある。 However, in the device configuration in which the shield electrode having the slit structure is installed between the outer wall of the bell jar and the antenna shown in Patent Document 1 and Patent Document 2, the capacitive coupling component between the high-frequency antenna and the plasma can be removed. When the dielectric wall is covered with a conductive etching product, the RF power cannot be transmitted to the discharge space, and the discharge cannot be maintained and ignited. In addition, it is necessary to replace the dielectric wall itself during maintenance when the dielectric wall such as a bell jar is covered with a conductive etching product. Especially, in the case of a complicated structure such as a bell jar, the maintainability is inferior. There's a problem.
上記問題を解決するためのプラズマ発生装置が特許文献３、特許文献４に開示されている。図８及び図９は特許文献３のプラズマ発生装置を示す。図８には、プラズマチャンバの誘電チャンバ壁１２４外部に配置されたＲＦ付勢コイル１２６を有する誘導結合プラズマリアクタと，誘電チャンバ内に形成され該コイル１２６によって付勢されるプラズマ１２０と，チャンバ内の該プラズマ１２０とＲＦコイル１２６との間に配置されるスロットを有するファラデースパッタシール１２４、１３０とを有するプラズマ発生装置が開示されている。図９に示すように、内側シールド1２８と外側シールド１３０は、スロット幅Ｗを有し、見通し経路が無い状態になるように間隔ｄで、共通のアース端子に接続されている。なお図９において、１２１はプラズマ形成領域、１３２は上側アダプタエンドフランジ、１３４は下側アダプタエンドフランジ、１３６はリアクタチャンバフランジ、１３８はマグネトロンターゲット組立体、１４０はマグネトロンターゲット、１４２はセラミックインシュレータ、１４４は接地シールドである。図８及び図９記載のプラズマ発生装置によれば、プラズマを付勢するべくＲＦ信号の誘導成分がシールド１２４、１３０を通過することを可能とし、同時にリアクタチャンバ内で粒子汚染の形成及び飛散を防止することが可能となる。 A plasma generator for solving the above problem is disclosed in Patent Documents 3 and 4. 8 and 9 show the plasma generator of Patent Document 3. FIG. FIG. 8 shows an inductively coupled plasma reactor having an RF energized coil 126 disposed outside the dielectric chamber wall 124 of the plasma chamber, a plasma 120 formed in the dielectric chamber and energized by the coil 126, A plasma generator having a Faraday sputter seal 124, 130 having a slot disposed between the plasma 120 and the RF coil 126 is disclosed. As shown in FIG. 9, the inner shield 128 and the outer shield 130 have a slot width W and are connected to a common ground terminal at a distance d so that there is no line-of-sight path. In FIG. 9, 121 is a plasma formation region, 132 is an upper adapter end flange, 134 is a lower adapter end flange, 136 is a reactor chamber flange, 138 is a magnetron target assembly, 140 is a magnetron target, 142 is a ceramic insulator, 144 Is a ground shield. 8 and 9 allows the inductive component of the RF signal to pass through the shields 124, 130 to energize the plasma, while at the same time forming and scattering particle contamination within the reactor chamber. It becomes possible to prevent.
図１０及び図１１は特許文献４のプラズマ発生装置を示す。図１０及び図１１には、誘導アンテナ２０５と減圧処理室２０１を隔てる隔板２０７を、非磁性金属板２７１と誘電体２７２とから構成したプラズマ発生装置２２０が開示されている。なお、図１０において、２０２はサセプタ、２０３は被処理物、２０６は高周波電源、２０８は絶縁部材、２０９はプラズマトーチ、２１１は高周波バイアス電源である。図１０及び図１１記載のプラズマ発生装置によれば、誘導アンテナ２０５と減圧処理室２０１の間の隔板２０７を誘電体で塞いだ非磁性金属２７１としたので、製造が容易で強度が高く、かつイオンアタックを避けることができる。 10 and 11 show the plasma generator of Patent Document 4. FIG. FIGS. 10 and 11 disclose a plasma generator 220 in which a partition plate 207 that separates the induction antenna 205 and the decompression processing chamber 201 is composed of a nonmagnetic metal plate 271 and a dielectric 272. In FIG. 10, 202 is a susceptor, 203 is a workpiece, 206 is a high-frequency power source, 208 is an insulating member, 209 is a plasma torch, and 211 is a high-frequency bias power source. According to the plasma generator shown in FIGS. 10 and 11, since the partition plate 207 between the induction antenna 205 and the decompression processing chamber 201 is a non-magnetic metal 271 closed with a dielectric, the manufacturing is easy and the strength is high. And ion attack can be avoided.
しかし、特許文献３記載のプラズマ発生装置のように、内側シールド1２８と外側シールド１３０が共通のアース端子に接続される構成されると、プラズマ着火時に内側シールド1２８と外側シールド１３０に高周波電圧を印加しても、高周波電圧はアース端子を通し、アース側に流れるため、プラズマ着火が起きないという問題がある。そのため、特許文献３では、マグネトロンターゲット組立体に高周波電源から高周波電圧を印加し、誘電チャンバ内にプラズマを形成しなければならないという問題があった
また、特許文献４記載のプラズマ発生装置のように、サセプタ２０３に対向する面がほぼ金属板２７１で構成されると、プラズマ着火が起こりにくくなるという問題がある。特許文献４では、このような場合に備えて、減圧処理室２０１にプラズマ着火手段としてプラズマトーチ２０９を設けなければならないという問題があった
However, when the inner shield 128 and the outer shield 130 are connected to a common ground terminal as in the plasma generator described in Patent Document 3, a high frequency voltage is applied to the inner shield 128 and the outer shield 130 during plasma ignition. However, since the high-frequency voltage flows to the ground side through the ground terminal, there is a problem that plasma ignition does not occur. Therefore, Patent Document 3 has a problem that a high-frequency voltage must be applied to the magnetron target assembly from a high-frequency power source to form plasma in the dielectric chamber. Also, as in the plasma generator described in Patent Document 4 When the surface facing the susceptor 203 is substantially composed of the metal plate 271, there is a problem that plasma ignition is difficult to occur. In Patent Document 4, there is a problem that a plasma torch 209 must be provided as a plasma ignition means in the decompression processing chamber 201 in preparation for such a case.
本発明は、上記の問題点を解決することを目的とし、より具体的には、本発明の目的は、別途のプラズマ着火手段を設けることなく、プラズマ着火が可能であり、かつ、高周波アンテナとプラズマが容量結合することを抑制し，かつ誘電体壁が導電性のエッチング生成物に覆われた場合に生じる放電空間へのＲＦ電力の伝達効率の悪化を抑えるための防着シールドを備えたプラズマ処理装置を提供することを目的とするものである。 An object of the present invention is to solve the above problems, and more specifically, the object of the present invention is to enable plasma ignition without providing a separate plasma ignition means, and to provide a high-frequency antenna. Plasma having an adhesion shield for suppressing the capacitive coupling of the plasma and suppressing deterioration of the efficiency of RF power transmission to the discharge space that occurs when the dielectric wall is covered with a conductive etching product The object is to provide a processing apparatus.
本発明の他の目的は、高周波アンテナとプラズマの容量結合を抑制し，かつ放電空間へのＲＦ電力の伝達効率の維持を容易に実施することを可能とするプラズマ処理装置を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that suppresses capacitive coupling between a high-frequency antenna and plasma and can easily maintain the efficiency of transmitting RF power to a discharge space. .
このような目的を達成するために，請求項１記載の発明は，内部に被処理基板を配置可能な真空容器と、前記真空容器の一部を構成する誘電体壁と、前記誘電体壁を介して前記真空容器の外側に配置され、該真空容器内にプラズマを発生させるための高周波誘導アンテナと、前記被処理基板を支持するための基板ホルダと、を備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体壁と対向する真空容器内に、絶縁部材を介して前記真空容器に取り付けられており、スリット状の形状を持つ金属性のシールドを設け、前記誘電体壁と対向する真空容器内であって、前記金属性のシールドと前記誘電体壁との間に、前記誘電体壁を覆うように形成された誘電体製のシールドを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置としたものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記金属製のシールドのスリットの隙間Ｗは、１ｍｍ以上４ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置としたものである。
In order to achieve such an object, the invention described in claim 1 includes a vacuum vessel in which a substrate to be processed can be placed, a dielectric wall constituting a part of the vacuum vessel, and the dielectric wall. A high-frequency induction antenna that is disposed outside the vacuum vessel and generates plasma in the vacuum vessel, and a substrate holder for supporting the substrate to be processed, In the vacuum container facing the dielectric wall , attached to the vacuum container through an insulating member, a metallic shield having a slit shape is provided, and in the vacuum container facing the dielectric wall, The plasma processing apparatus is characterized in that a dielectric shield formed so as to cover the dielectric wall is provided between the metallic shield and the dielectric wall. .
According to a second aspect of the present invention, there is provided the plasma processing apparatus according to the first aspect of the invention, wherein the gap W between the slits of the metal shield is 1 mm or more and 4 mm or less.
本発明によれば，誘電体壁と対向する真空容器内に、絶縁部材を介して真空容器に取り付けられており、スリット状の形状を持つ金属性のシールドを設け、誘電体壁と対向する真空容器内であって、金属性のシールドと誘電体壁との間に、誘電体壁を覆うように形成された誘電体製のシールドを設けた。このため、放電着火時には、金属性のシールドはプラズマ形成のための第１の電極として機能し、容易に放電着火することができる。一方、放電着火後は、金属性のシールドはプラズマと同電位となるため、高周波アンテナとプラズマ容量結合が容量結合することを抑制するファラデーシールドとして機能させることができる。また、誘電体製のシールドは、スリット状の形状を持つ金属性のシールドの外側に配置されているため、誘電体製のシールド内壁にプラズマやデポ物の進入を防ぐことができる。また、仮に、誘電体製のシールド内壁にプラズマやデポ物が付着した場合でも，誘電体製のシールドに付着したエッチング生成物が高周波誘導アンテナ周辺でつながらずに隙間ができるため，ある程度のＲＦ電力を常に金属性のシールドを通して、放電空間へ伝達することができる。遮蔽電極の機能を持つ金属性のシールドを真空容器内に設けることにより，大気側に設けられた高周波アンテナを誘電体壁に接するまで近づけることができ，ＲＦ電力を効率よく放電空間内へ伝えることができるため，遮蔽電極の機能を持つ金属性のシールドと高周波アンテナ間の異常放電の危険なく，プラズマ密度を増加させることが可能である。 According to the present invention, a metal shield having a slit-like shape is provided in a vacuum container via an insulating member in a vacuum container facing the dielectric wall, and a vacuum facing the dielectric wall is provided. Inside the container, a dielectric shield formed so as to cover the dielectric wall was provided between the metallic shield and the dielectric wall. For this reason, at the time of discharge ignition, the metallic shield functions as the first electrode for plasma formation, and can easily be ignited by discharge. On the other hand, after the discharge is ignited, the metallic shield has the same potential as the plasma, so that it can function as a Faraday shield that suppresses capacitive coupling between the high-frequency antenna and the plasma capacitive coupling. In addition, since the dielectric shield is disposed outside the metallic shield having a slit shape, it is possible to prevent plasma and deposits from entering the inner wall of the dielectric shield. Furthermore, Even if the plasma and deposits a shield inner wall made of a dielectric is attached, since a gap etching products deposited on the dielectric made of shield without lead at high frequency induction antennas neighborhood, some RF power Can always be transmitted to the discharge space through a metallic shield. By providing a metallic shield with the function of a shielding electrode in the vacuum vessel, the high-frequency antenna provided on the atmosphere side can be brought close to the dielectric wall, and RF power can be efficiently transmitted into the discharge space. Therefore, it is possible to increase the plasma density without risk of abnormal discharge between the metallic shield having the function of the shielding electrode and the high frequency antenna.
以下に、本発明について好ましい実施形態を挙げ、図面を参照して説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.
本発明の第１の特徴点は、内部に被処理基板を配置可能な真空容器と、真空容器の一部を構成する誘電体壁と、誘電体壁を介して前記真空容器の外側に配置され、該真空容器内にプラズマを発生させるための高周波誘導アンテナと、記被処理基板を支持するための基板ホルダと、を備えたプラズマ処理装置であって、誘電体壁と対向する真空容器内に、前記誘電体壁を覆うように形成された誘電体製の第１のシールドを設け、第１のシールドを防着シールドとして機能するようにした点である。
本発明の第２の特徴点は、第１のシールドの内側に、スリット状の形状を持つ金属性の第２のシールドを、絶縁部材を介して真空容器に取り付け、放電着火時には、真空容器内にプラズマを生成するための第１に電極として機能し、放電着火後には、ファラデーシールドとして機能するようにした点である。
The first feature of the present invention is that a vacuum vessel in which a substrate to be processed can be placed inside, a dielectric wall constituting a part of the vacuum vessel, and an outside of the vacuum vessel via the dielectric wall. A plasma processing apparatus comprising a high frequency induction antenna for generating plasma in the vacuum vessel and a substrate holder for supporting the substrate to be processed, wherein the plasma processing device is disposed in the vacuum vessel facing the dielectric wall. The first shield made of a dielectric formed so as to cover the dielectric wall is provided, and the first shield functions as an adhesion shield.
The second feature of the present invention is that a metallic second shield having a slit shape is attached to the inside of the first shield via the insulating member to the vacuum vessel. First, it functions as an electrode for generating plasma, and after discharge ignition, it functions as a Faraday shield.
（第１の実施形態）
図１は、本発明のプラズマ発生装置の好ましい実施形態である誘導結合型のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す断面図であり、図２は図１中のシールドの構造を示す図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an inductively coupled plasma processing apparatus which is a preferred embodiment of the plasma generator of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the structure of the shield in FIG. .
図１のプラズマ処理装置は、内部に被処理基板６を配置可能な空間２を有する真空容器１と、真空容器１の一部を構成する誘電体壁３と、誘電体壁３を介して真空容器１の外側に配置され、真空容器１内にプラズマを発生させるための高周波誘導アンテナ（ＳＬＡ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｌｏｏｐ Ａｎｔｅｎｎａ）４と、被処理基板を支持するための基板ホルダ７と、誘電体製の第１のシールド１１と、金属性の第２のシールド１２と、高周波誘導アンテナ４に接続された高周波電源１０と、を備える。真空容器１には、さらにプラズマの生成に用いられるガスを導入するガス供給口に接続されたガス供給機構（不図示）と、真空容器１内を所要の減圧状態にする排気機構（不図示）とを備える。ガス供給機構と排気機構は一般的に良く知られているため、その詳細図示を省略する。 The plasma processing apparatus of FIG. 1 has a vacuum vessel 1 having a space 2 in which a substrate 6 to be processed can be placed, a dielectric wall 3 constituting a part of the vacuum vessel 1, and a vacuum through the dielectric wall 3. A high frequency induction antenna (SLA (Single Loop Antenna) 4), a substrate holder 7 for supporting a substrate to be processed, and a dielectric first electrode are disposed outside the container 1 and generate plasma in the vacuum container 1. 1 shield 11, a metallic second shield 12, and a high-frequency power source 10 connected to the high-frequency induction antenna 4. In the vacuum vessel 1, a gas for introducing a gas used for generating plasma is further introduced. A gas supply mechanism (not shown) connected to the supply port and an exhaust mechanism (not shown) for bringing the inside of the vacuum vessel 1 into a required reduced pressure state are generally well known. Therefore, the detailed illustration is omitted.
プラズマ発生機構は必ずしも高周波誘導アンテナ４（ＳＬＡ）である必要は無く、プラズマが発生できるならば別の形状のアンテナを使用しても良い。 The plasma generation mechanism does not necessarily need to be the high frequency induction antenna 4 (SLA), and an antenna having another shape may be used as long as plasma can be generated.
本実施形態において，シールドは誘電体壁３の内側、即ち真空側に配置されている。シールドは、外周部の防着シールドとして機能する第１のシールド１１と内周部の防着シールドとして機能する第２のシールド１２の２重構造となっている。外周部の防着シールド１１は誘電体製にて誘電体壁３を覆うように形成されており，内周部の防着シールド１２は遮蔽電極として機能するように金属で作成され，高周波アンテナ４からのRF電力を伝達するためのスリット２０を備えた構造となっている。内周部の防着シールド１２は真空容器１の上壁と下壁に、フローティング電位（浮遊電位）になるように絶縁部材を介して取り付けられている。なお、図１では、内周部の防着シールド１２は、外周部の防着シールド１１の内側に１つ設けられているが、２つ以上設けてもよい。 In the present embodiment, the shield is disposed inside the dielectric wall 3, that is, on the vacuum side. The shield has a double structure of a first shield 11 that functions as an adhesion shield at the outer periphery and a second shield 12 that functions as an adhesion shield at the inner periphery. The outer peripheral shield 11 is made of a dielectric so as to cover the dielectric wall 3, and the inner shield 12 is made of metal so as to function as a shielding electrode. It is the structure provided with the slit 20 for transmitting RF electric power from. The inner shield shield 12 is attached to the upper and lower walls of the vacuum vessel 1 via an insulating member so as to have a floating potential (floating potential). In FIG. 1, one inner shield shield 12 is provided inside the outer shield 11, but two or more shields may be provided.
また，図３に示すように，エッチング生成物２２により外周部の防着シールド１１が覆われた場合でもＲＦ電力２３を放電空間へ伝達できるように，外周部の防着シールド１１と内周部の防着シールド１２とは互いに任意の隙間Ｓを設けて設置される。このことと外周部の防着シールド１１のスリット２０により，外周部の防着シールド１１に付着したエッチング生成物２２が高周波アンテナ４周辺でつながらずに隙間ができるため，ある程度のＲＦ電力２３を常に内周部の防着シールド１２のスリット２０を通して、放電空間へ伝達することができる。 Further, as shown in FIG. 3, the outer shield shield 11 and the inner peripheral shield 11 can be transmitted to the discharge space even when the outer shield shield 11 is covered with the etching product 22. The anti-adhesion shield 12 is installed with an arbitrary gap S therebetween. Because of this and the slit 20 of the outer periphery shield shield 11, the etching product 22 attached to the outer periphery shield shield 11 is not connected around the high frequency antenna 4, so that a gap is formed, so that a certain amount of RF power 23 is always applied. It can be transmitted to the discharge space through the slit 20 of the inner shield shield 12.
また内周部の防着シールド１２は一般にファラデーシールドと呼ばれる遮蔽電極として機能するが，本構造では次のように機能する。まず図４に示すように，放電着火時は前記内周部の防着シールド１２は浮遊電位であり、真空容器内にプラズマを形成するための第１の電極として機能する。つまり誘導結合成分と，ある程度は抑制されるものの容量結合成分の寄与もあり，放電着火が比較的容易に行われる。この点を図６により説明する。図６（Ａ）（Ｂ）は、本発明と特許文献３のプラズマ着火時のＲＦ電力の導入経路を示した図である。本発明においては、図６（Ａ）に示すように、相対向する内周部の防着シールド１２は、高周波電力を印加可能な第１の電極として機能し、真空容器１はアースに接地されているので、前記第１の電極との間でプラズマを発生させるための第２の電極として機能する。これにより、高周波誘導アンテナ４に印加されたＲＦ（高周波）電力が、スリット２０及び内周部の防着シールド１２を介して、プラズマ生成空間に導入され、第２の電極として機能する真空容器１との間で放電着火が起こり、プラズマが生成される。これに対し、特許文献３では、図６（Ｂ）に示すように、ＲＦコイル２６の導入されたＲＦ（高周波）電力は、アース端子を介してアースに流れる。このため、特許文献３では、内側シールド２８間で放電着火が起こらず、プラズマが生成されない。次に、内周部の防着シールド１２と真空容器との間にプラズマが一度形成されると、図５に示すように，放電着火後には前記内周部の防着シールド１２はプラズマと同電位となり，内周部の防着シールド１２とプラズマ間の容量結合成分は著しく小さくなり，殆ど高周波誘導アンテナ４による誘導結合成分のみのプラズマが生成される。このことにより，容量結合性に起因するプラズマ密度分布の悪化を低減させることができる。また、図３に示すように，エッチング生成物２２により外周部の防着シールド１１が覆われた場合でも，外周部の防着シールド１１に付着したエッチング生成物２２が高周波アンテナ４周辺でつながらずに隙間ができるため，ある程度のＲＦ電力２３を常に内周部の防着シールド１２のスリット２０を通して、放電空間へ伝達することができる。この点を考慮すると、図２において、内周部の防着シールド１２のスリット２０隙間Ｗは、１ｍｍ以上４ｍｍ以下にすることが好ましい。スリット２０隙間Ｗを１ｍｍ以下とすると、放電着火時、内周部の防着シールド１２はＲＦ電力の導入経路として機能しないためである。スリット２０隙間Ｗを４ｍｍ以上とすると、放電着火後、内周部の防着シールド１２はファラデーシールドとして機能しないためである。 Further, the inner shield shield 12 functions as a shield electrode generally called a Faraday shield, but functions as follows in this structure. First, as shown in FIG. 4, during discharge ignition, the inner shield shield 12 has a floating potential and functions as a first electrode for forming plasma in the vacuum vessel. In other words, the inductive coupling component and the capacitive coupling component, which is suppressed to some extent, also contribute, and discharge ignition is performed relatively easily. This point will be described with reference to FIG. 6 (A) and 6 (B) are diagrams showing an RF power introduction path during plasma ignition according to the present invention and Patent Document 3. FIG. In the present invention, as shown in FIG. 6A, the opposing shields 12 on the inner periphery function as a first electrode to which high frequency power can be applied, and the vacuum vessel 1 is grounded to the ground. Therefore, it functions as a second electrode for generating plasma with the first electrode. Thereby, RF (high frequency) power applied to the high frequency induction antenna 4 is introduced into the plasma generation space through the slit 20 and the inner shield shield 12 and functions as the second electrode. Discharge ignition occurs between the two and plasma is generated. On the other hand, in Patent Document 3, as shown in FIG. 6B, the RF (high frequency) power introduced into the RF coil 26 flows to the ground via the ground terminal. For this reason, in Patent Document 3, discharge ignition does not occur between the inner shields 28, and plasma is not generated. Next, once the plasma is formed between the inner periphery of the deposition shield 12 and the vacuum vessel, as shown in FIG. 5, after the discharge ignition, the inner periphery of the deposition shield 12 is the same as the plasma. As a result, the capacitive coupling component between the inner shield shield 12 and the plasma is remarkably reduced, so that only the inductive coupling component plasma is generated by the high frequency induction antenna 4. This can reduce the deterioration of the plasma density distribution caused by capacitive coupling. Further, as shown in FIG. 3, even when the outer shield shield 11 is covered with the etching product 22, the etching product 22 attached to the outer shield 11 is not connected around the high frequency antenna 4. Therefore, a certain amount of RF power 23 can always be transmitted to the discharge space through the slit 20 of the deposition shield 12 on the inner periphery. Considering this point, in FIG. 2, the slit 20 gap W of the inner shield shield 12 is preferably 1 mm or more and 4 mm or less. This is because when the slit 20 gap W is 1 mm or less, the inner shield shield 12 does not function as an RF power introduction path during discharge ignition. This is because, when the slit W gap W is 4 mm or more, the anti-adhesion shield 12 on the inner periphery does not function as a Faraday shield after the discharge ignition.
高周波アンテナ４の設置場所は任意に設定できる。例示とは異なり天井に配置する場合には，誘電体壁を天井に設置し，同様な防着シールドを設置することで，同様な効果を得ることができる。 The installation place of the high frequency antenna 4 can be set arbitrarily. Unlike the example, when it is arranged on the ceiling, a similar effect can be obtained by installing a dielectric wall on the ceiling and installing a similar deposition shield.
内側の防着シールド１２のスリット２０は，高周波アンテナ近傍のエッチング生成物２２による膜形成を分断し，ＲＦ電力を放電空間へ伝達するための隙間を確保できる構造であれば任意に設定することができる。 The slit 20 of the inner shield 12 can be arbitrarily set as long as it can divide film formation by the etching product 22 in the vicinity of the high-frequency antenna and secure a gap for transmitting RF power to the discharge space. it can.
内側の金属製の防着シールド１２のスリット２０の隙間は任意に設定することができる。一般的にスリット２０の隙間が狭いと，高周波アンテナ４とプラズマ間の容量結合性が弱くなり，プラズマ密度の均一性が増すが，RF電力の伝達量が減るためにプラズマ密度が低下する傾向にある。逆にスリット２０の隙間が広いと，ＲＦ電力の伝達量が増えるためにプラズマ密度が増加するが，高周波アンテナ４とプラズマ間の容量結合性が強くなり，プラズマ密度の均一性が悪化する傾向にある。 The clearance gap between the slits 20 of the inner metal deposition shield 12 can be set arbitrarily. In general, when the gap between the slits 20 is narrow, the capacitive coupling between the high-frequency antenna 4 and the plasma is weakened, and the uniformity of the plasma density is increased. However, the plasma density tends to be lowered because the amount of RF power transmitted is reduced. is there. Conversely, if the gap between the slits 20 is wide, the plasma density increases because the amount of RF power transmitted increases, but the capacitive coupling between the high-frequency antenna 4 and the plasma becomes stronger, and the uniformity of the plasma density tends to deteriorate. is there.
内側の防着シールド１２の枚数は任意に設定してもよい。枚数が増加するほど防着シールドが厚くなり，高周波アンテナ４とプラズマ間の容量結合性が弱くなるが，プラズマ密度は低下する傾向にある。また，枚数が減るほど防着シールドは薄くなり，高周波アンテナ４とプラズマ間の容量結合性が強くなるが，プラズマ密度は増加する傾向にある。 The number of inner deposition shields 12 may be set arbitrarily. As the number increases, the deposition shield becomes thicker and the capacitive coupling between the high frequency antenna 4 and the plasma becomes weaker, but the plasma density tends to decrease. Further, as the number decreases, the deposition shield becomes thinner and the capacitive coupling between the high frequency antenna 4 and the plasma becomes stronger, but the plasma density tends to increase.
図２において、内側の防着シールド１２の上下方向の幅２１は高周波アンテナ４の位置を中心にして設置しているなら任意に設定してもよい。幅が狭いと，内側の防着シールド１２で覆われた箇所の上下の領域は，基板など導体の試料を処理した際に生じるエッチング生成物２２により一面に覆われて，ＲＦ電力を伝達しなくなるため，プラズマ密度が低下する。逆に幅が広いと，防着シールド１２に使用している金属による汚染の可能性が高くなる事になり，効果的な防着シールドの上下方向の幅２１は各プロセスにより任意に決定される。 In FIG. 2, the vertical width 21 of the inner deposition shield 12 may be arbitrarily set as long as it is installed around the position of the high frequency antenna 4. When the width is narrow, the upper and lower regions of the portion covered with the inner deposition shield 12 are covered with the etching product 22 generated when the conductor sample such as the substrate is processed, and the RF power is not transmitted. As a result, the plasma density decreases. On the contrary, if the width is wide, the possibility of contamination by the metal used in the deposition shield 12 increases, and the effective vertical width 21 of the deposition shield is arbitrarily determined by each process. .
また，外側，内側それぞれの防着シールド１１，１２には基板６など導体の試料を処理した際に生じるエッチング生成物２２が付着し，これが剥離してパーティクルになる事を抑制するために，ブラストなどの表面処理を施してもよい。しかし外周の防着シールド１１に金属溶射を施すなど各防着シールド表面の電気的状態を変更するような処理では所定の効果が得られない。 Further, in order to prevent the etching products 22 generated when the conductor sample such as the substrate 6 is processed from being adhered to the outer and inner shields 11 and 12, respectively, and to be separated into particles. A surface treatment such as However, a predetermined effect cannot be obtained by a process that changes the electrical state of each surface of the deposition shield, such as metal spraying on the outer circumferential deposition shield 11.
図１のプラズマ処理装置で基板処理を行うためには、先ず真空容器１を不図示の排気機構（真空ポンプ等）を用いて所定の圧力まで排気した後、不図示のガス供給機構を用いて、所定の圧力までガスを導入する。 In order to perform substrate processing by the plasma processing apparatus of FIG. 1, first, the vacuum vessel 1 is evacuated to a predetermined pressure using an evacuation mechanism (not shown) (vacuum pump or the like), and then a gas supply mechanism (not shown) is used. The gas is introduced to a predetermined pressure.
基板保持機構５は被処理基板６を載置するための基板ホルダ７を含み、例えば基板ホルダ７は固定軸８により真空容器１の内部に設置される。基板ホルダ７及び固定軸８は接地されているが、基板６に高周波などのバイアス電圧を印加したい場合には、真空容器１と固定軸８の間に絶縁体などを挟んで基板保持機構５を浮遊電位としても良い。基板ホルダ７と固定軸８の内部には、基板６を冷却または加熱するための機構を設けることもできる。 The substrate holding mechanism 5 includes a substrate holder 7 for placing a substrate 6 to be processed. For example, the substrate holder 7 is installed inside the vacuum vessel 1 by a fixed shaft 8. The substrate holder 7 and the fixed shaft 8 are grounded. However, when a bias voltage such as a high frequency is to be applied to the substrate 6, the substrate holding mechanism 5 is sandwiched between the vacuum vessel 1 and the fixed shaft 8. It may be a floating potential. A mechanism for cooling or heating the substrate 6 may be provided inside the substrate holder 7 and the fixed shaft 8.
処理される被処理基板６は基板ホルダ７の上に配置される。基板６の処理面は高周波アンテナ４側を向いている。本例のように、高周波アンテナ（ＳＬＡ）４を誘電体壁３の側壁の外に配置した場合には、基板６の処理面は誘電体壁３に向けて配置され，さらに本発明による２重以上の構造をもつ防着シールドが誘電体壁３の内側に配置される。そして、高周波アンテナ４にＲＦ電源１０からＲＦ電力を印加することで真空容器１内にプラズマが形成される。そして、基板６にバイアス電圧を印加するなどにてプラズマ電位を接地より高めることで、基板６の表面にイオンエッチングなど所定の処理を行うことができる。尚、基板６を搬入または搬出する機構の図示は省略している。 A substrate 6 to be processed is placed on a substrate holder 7. The processing surface of the substrate 6 faces the high-frequency antenna 4 side. When the high-frequency antenna (SLA) 4 is arranged outside the side wall of the dielectric wall 3 as in this example, the processing surface of the substrate 6 is arranged toward the dielectric wall 3, and the double surface according to the present invention is further provided. The deposition shield having the above structure is arranged inside the dielectric wall 3. Then, plasma is formed in the vacuum chamber 1 by applying RF power from the RF power source 10 to the high-frequency antenna 4. A predetermined process such as ion etching can be performed on the surface of the substrate 6 by raising the plasma potential from the ground by applying a bias voltage to the substrate 6 or the like. In addition, illustration of the mechanism which carries in or carries out the board | substrate 6 is abbreviate | omitted.
尚、図１に示された構成は概念的なものであり、具体的なプラズマ発生機構や磁気回路の構造によって、作用が等価な任意の構造を採用することができる。 The configuration shown in FIG. 1 is conceptual, and an arbitrary structure with an equivalent action can be adopted depending on the specific plasma generation mechanism and the structure of the magnetic circuit.
（第２の実施形態）
次に、図７を用いて、本発明のプラズマ発生装置をイオンビームエッチング装置に適用した第２の実施形態を図示する。本実施形態により広範囲に均一性良く発生したプラズマから，複数枚のグリッド３０、３１、３２からなるイオンビームレンズ系によりイオンビームとして引き出すことで，広範囲に均一なイオン密度を持つイオンビームを得ることができる。引き出したイオンビームを基板ホルダ（不図示）上に配置された被処理基板（不図示）へ入射させることにより，イオン衝撃による物理的エッチングが可能となる。具体的には、図７においては、縦方向に２ｍｍから３ｍｍの間隔を設けて３枚のグリッド（第１のグリッド３０、第２のグリッド３１、第３のグリッド３１）を配置している。第１のグリッド３０の穴径は４ｍｍ、第２のグリッド３１の穴径は５ｍｍ、第３のグリッド３２の穴径は６ｍｍにするのが望ましい。また、第２の実施形態では、第１のグリッド３０は直流電源３０ａに接続されており、真空容器１は浮遊電位（フローティング電位）となっている。その他の構成は第１の実施形態と同様である。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment in which the plasma generator of the present invention is applied to an ion beam etching apparatus will be illustrated with reference to FIG. An ion beam having a uniform ion density in a wide range can be obtained by extracting from the plasma generated in a wide range and with high uniformity according to the present embodiment as an ion beam by an ion beam lens system including a plurality of grids 30, 31, and 32. Can do. By making the extracted ion beam enter a substrate to be processed (not shown) disposed on a substrate holder (not shown), physical etching by ion bombardment is possible. Specifically, in FIG. 7, three grids (first grid 30, second grid 31, and third grid 31) are arranged at intervals of 2 to 3 mm in the vertical direction. It is desirable that the hole diameter of the first grid 30 is 4 mm, the hole diameter of the second grid 31 is 5 mm, and the hole diameter of the third grid 32 is 6 mm. In the second embodiment, the first grid 30 is connected to the DC power supply 30a, and the vacuum vessel 1 is at a floating potential (floating potential). Other configurations are the same as those of the first embodiment.
次に、図７（ａ）を用いて、真空容器１内にプラズマを発生させる場合について説明する。図７（ａ）に示すように、相対向する内周部の防着シールド１２は、高周波電力を印加可能な第１の電極として機能する。また、真空容器１はフローティング電位（浮遊電位）となっているので、内周部の防着シールド１２と同様に、高周波電力を印加可能な第１の電極として機能する。また、第１のグリッド３０は、直流電源３０ａによりＧ１電位になっているため、第２の電極として機能する。これにより、高周波誘導アンテナ４に印加されたＲＦ（高周波）電力が、スリット２０及び内周部の防着シールド１２を介して、プラズマ生成空間に導入され、第２の電極として第１のグリッド３０との間で放電着火が起こり、プラズマが生成される。次に、内周部の防着シールド１２・真空容器１と第１のグリッド３０との間にプラズマが一度形成されると、図７（ｂ）に示すように，放電着火後には前記内周部の防着シールド１２はプラズマと同電位となり，内周部の防着シールド１２とプラズマ間の容量結合成分は著しく小さくなり，殆ど高周波誘導アンテナ４による誘導結合成分のみのプラズマが生成される。このことにより，容量結合性に起因するプラズマ密度分布の悪化を低減させることができる。図７（ｂ）に示すように、真空容器１内にプラズマが生成されると、イオンビームとは、複数枚のグリッド３０、３１、３２からなるイオンビームレンズ系により引き出され、非処理基板に対してイオンビームを均一に入射することが可能となる。また、図３に示すように，エッチング生成物２２により外周部の防着シールド１１が覆われた場合でも，外周部の防着シールド１１に付着したエッチング生成物２２が高周波アンテナ４周辺でつながらずに隙間ができるため，ある程度のＲＦ電力２３を常に内周部の防着シールド１２のスリット２０を通して、放電空間へ伝達することができる。 Next, the case where plasma is generated in the vacuum vessel 1 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7A, the opposing shields 12 on the inner periphery function as first electrodes to which high-frequency power can be applied. Further, since the vacuum vessel 1 has a floating potential (floating potential), it functions as a first electrode to which high-frequency power can be applied, like the deposition shield 12 on the inner periphery. Moreover, since the 1st grid 30 is G1 electric potential with the DC power supply 30a, it functions as a 2nd electrode. As a result, RF (high frequency) power applied to the high frequency induction antenna 4 is introduced into the plasma generation space via the slit 20 and the inner shield shield 12, and the first grid 30 is used as the second electrode. Discharge ignition occurs between the two and plasma is generated. Next, once plasma is formed between the inner shield shield 12 / vacuum vessel 1 and the first grid 30, as shown in FIG. The part of the shield 12 has the same potential as the plasma, and the capacitive coupling component between the inner shield 12 and the plasma is remarkably reduced, so that only the inductively coupled plasma by the high frequency induction antenna 4 is generated. This can reduce the deterioration of the plasma density distribution caused by capacitive coupling. As shown in FIG. 7B, when plasma is generated in the vacuum vessel 1, the ion beam is extracted by an ion beam lens system including a plurality of grids 30, 31, and 32, and is applied to a non-processed substrate. On the other hand, the ion beam can be uniformly incident. Further, as shown in FIG. 3, even when the outer shield shield 11 is covered with the etching product 22, the etching product 22 attached to the outer shield 11 is not connected around the high frequency antenna 4. Therefore, a certain amount of RF power 23 can always be transmitted to the discharge space through the slit 20 of the deposition shield 12 on the inner periphery.
また、図７のプラズマ処置装置は，基板保持機構に基板の傾き角度を調節する機構を搭載することで，非処理基板に対してイオンビームを斜めに入射することも可能であり，素子の形状補正に有効である。特にＭＲＡＭ素子を初めとする半導体素子においては，従来使用されているＲＩＥなどの化学的なエッチングではエッチング処理時に素子側面などに予期せぬ反応層を形成させ，素子の特性を低下させることがあるが，上記の基板傾き角度調節機構を利用することで，この反応層を除去することができる。 In addition, the plasma treatment apparatus of FIG. 7 is capable of making an ion beam obliquely incident on a non-processed substrate by mounting a mechanism for adjusting the tilt angle of the substrate on the substrate holding mechanism. It is effective for correction. In particular, in semiconductor elements such as MRAM elements, conventionally used chemical etching such as RIE may cause unexpected reaction layers to be formed on the side surfaces of the element during the etching process, thereby degrading the characteristics of the elements. However, this reaction layer can be removed by using the substrate tilt angle adjusting mechanism.
次に、第２の実施形態の装置を、イオンビームを照射する工程に用いる場合について説明する。
ここで、磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜としては、例えば、多層磁性膜（ＭＲ層）の一種で、基板の上に下部電極を形成し、その上に磁気抵抗効果素子を構成する７層の多層膜が形成されているものなどがある。この場合、７層の多層膜は、例えば、一番下側に下地層となるＴａ層、その上に、反強磁性層となるＰｔＭｎ層、磁化固着層（Ｐｉｎｎｅｄ Ｌａｙｅｒ、Ｒｕ、Ｐｉｎｎｅｄ Ｌａｙｅｒ）、絶縁層（Ｂａｒｒｉｅｒ Ｌａｙｅｒ）、フリー層が順に積層され、その上にハードマスク層が積層されているものなどがある。
Next, the case where the apparatus of 2nd Embodiment is used for the process of irradiating an ion beam is demonstrated.
Here, the multilayer magnetic film constituting the magnetoresistive effect element is, for example, a kind of multilayer magnetic film (MR layer), in which a lower electrode is formed on a substrate, and a magnetoresistive effect element is configured thereon. In some cases, a multilayer film is formed. In this case, for example, the seven-layer multilayer film includes, for example, a Ta layer serving as an underlayer on the bottom side, a PtMn layer serving as an antiferromagnetic layer, a pinned layer (Pinned Layer, Ru, Pinned Layer), In some cases, an insulating layer (Barrier Layer) and a free layer are sequentially stacked, and a hard mask layer is stacked thereon.
反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程は、反応性イオンエッチングが行われた際に多層磁性膜上に形成されていたダメージ層をイオンビーム照射によって除去する工程である。これによって反応性イオンエッチングの際に酸化によるダメージが生じていた層を除去して高品質な多層磁性膜（ＭＲ層）を形成することができる。 The step of irradiating the multilayer magnetic film subjected to the reactive ion etching with the ion beam is a step of removing the damaged layer formed on the multilayer magnetic film by the ion beam irradiation when the reactive ion etching is performed. It is. As a result, it is possible to form a high-quality multilayer magnetic film (MR layer) by removing a layer that has been damaged by oxidation during reactive ion etching.
また、イオンビームを照射する工程においては、イオンビームを多層磁性膜の積層面に対して５〜９０度の入射角度で入射させるようにすることが好ましい。この範囲の入射角度にすることが、イオンビームエッチングで除去したダメージ層の原子、分子が、除去された後に、再度、多層磁性膜の主に側壁面に対して付着することを防止ないしは低減する上で好ましいからである。 In the step of irradiating the ion beam, the ion beam is preferably incident on the laminated surface of the multilayer magnetic film at an incident angle of 5 to 90 degrees. By making the incident angle within this range, the atoms and molecules of the damaged layer removed by ion beam etching are prevented or reduced from adhering to the side wall surface of the multilayer magnetic film again after being removed. It is because it is preferable in the above.
更に、イオンビームを照射する工程は、イオンビームの加速電圧を５０〜６００Ｖとした条件の下で行うことが好ましい。この範囲にすることが、多層磁性膜に対するイオンビームの衝撃を小さくする上で好ましいからである。かかる観点から、より好ましいイオンビームの加速電圧は、５０〜２００Ｖである。 Further, the ion beam irradiation step is preferably performed under the condition that the acceleration voltage of the ion beam is 50 to 600V. This is because this range is preferable in order to reduce the impact of the ion beam on the multilayer magnetic film. From this viewpoint, a more preferable acceleration voltage of the ion beam is 50 to 200V.
また、イオンビームを照射する工程は、上記多層磁性膜を回転させながら行うことが好ましい。多層磁性膜を回転させながらイオンビームを照射することにより、イオンビームエッチングで除去したダメージ層の原子、分子が、除去された後に、再度、多層磁性膜の主に側壁面に対して付着することを防止ないしは低減する上で有効となるためである。 The step of irradiating the ion beam is preferably performed while rotating the multilayer magnetic film. By irradiating an ion beam while rotating the multilayer magnetic film, the atoms and molecules of the damaged layer removed by the ion beam etching are removed, and then adhere to the side wall surface of the multilayer magnetic film again. This is effective in preventing or reducing the above.
１ 真空容器図
３ 誘電体壁
４ 高周波誘導アンテナ
６ 被処理基板
７ 基板ホルダ
１０ 高周波電源
１１ 第１のシールド
１２ 第２のシールド
1 Vacuum container Fig. 3 Dielectric wall 4 High frequency induction antenna 6 Substrate 7 Substrate holder 10 High frequency power source 11 First shield 12 Second shield
Claims (2)
前記真空容器の一部を構成する誘電体壁と、
前記誘電体壁を介して前記真空容器の外側に配置され、該真空容器内にプラズマを発生させるための高周波誘導アンテナと、
前記被処理基板を支持するための基板ホルダと、
を備えたプラズマ処理装置であって、
前記誘電体壁と対向する真空容器内に、絶縁部材を介して前記真空容器に取り付けられており、スリット状の形状を持つ金属性のシールドを設け、
前記誘電体壁と対向する真空容器内であって、前記金属性のシールドと前記誘電体壁との間に、前記誘電体壁を覆うように形成された誘電体製のシールドを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 A vacuum vessel in which a substrate to be processed can be placed;
A dielectric wall constituting a part of the vacuum vessel;
A high frequency induction antenna disposed outside the vacuum vessel via the dielectric wall and for generating plasma in the vacuum vessel;
A substrate holder for supporting the substrate to be processed;
A plasma processing apparatus comprising:
In the vacuum container facing the dielectric wall, it is attached to the vacuum container via an insulating member, and a metallic shield having a slit shape is provided,
A dielectric shield formed so as to cover the dielectric wall is provided in the vacuum container facing the dielectric wall, between the metallic shield and the dielectric wall. A plasma processing apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010288341A JP5701050B2 (en) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | Plasma processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010288341A JP5701050B2 (en) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | Plasma processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012138411A JP2012138411A (en) | 2012-07-19 |
| JP5701050B2 true JP5701050B2 (en) | 2015-04-15 |
Family
ID=46675613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010288341A Active JP5701050B2 (en) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | Plasma processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5701050B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10184178B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-01-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) apparatus and method of operating the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013099372A1 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | Discharge vessel and plasma treatment device |
| CN104342632B (en) * | 2013-08-07 | 2017-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pre-cleaning cavity and plasma processing device |
| JP6341690B2 (en) * | 2014-02-26 | 2018-06-13 | 学校法人トヨタ学園 | Inductively coupled microplasma source with floating electrode shielded |
| US10730082B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for differential in situ cleaning |
| JP7224621B2 (en) * | 2018-10-19 | 2023-02-20 | サムコ株式会社 | Anti-adhesion plate for inductively coupled plasma processing equipment |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5540800A (en) * | 1994-06-23 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing |
| GB9812852D0 (en) * | 1998-06-16 | 1998-08-12 | Surface Tech Sys Ltd | Plasma processing apparatus |
| JP4091445B2 (en) * | 2003-01-21 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
2010
- 2010-12-24 JP JP2010288341A patent/JP5701050B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10184178B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-01-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) apparatus and method of operating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012138411A (en) | 2012-07-19 |
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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