JP5700325B2 - 紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源 - Google Patents
紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5700325B2 JP5700325B2 JP2010045741A JP2010045741A JP5700325B2 JP 5700325 B2 JP5700325 B2 JP 5700325B2 JP 2010045741 A JP2010045741 A JP 2010045741A JP 2010045741 A JP2010045741 A JP 2010045741A JP 5700325 B2 JP5700325 B2 JP 5700325B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- ultraviolet
- semiconductor layer
- electron beam
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 37
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Description
電子線EBは、メタルバック電極4を透過して、発光層3に到達する。電子線照射の際に発光層3で発生する紫外線UVは、バッファ層2およびサファイア基板1を介して外部へ出射される。電子源12は、大面積の電子線を出射する電子源(例えばカーボンナノチューブ等の冷陰極、或いは熱陰極)を用いることができる。
・成長温度:1190℃
・成長チャンバ内圧力:50Torr(6.7×103Pa)
・昇温時のキャリアガス:N2
・昇温時に供給される原料ガス:NH3
・成長開始時刻:昇温完了時
・成長時間:136分
・成長時に供給されるキャリアガス:H2
・成長時に供給される原料ガス:NH3、TMG、TMA、CH3SiH3
・成長終了時刻:降温開始時
・降温初期(基板温度300℃以上の期間)のキャリアガス:N2
・降温初期に供給される原料ガス:NH3
・降温後期(基板温度が300℃未満になった場合)のキャリアガス:H2
グラフG21:0.22
グラフG22:0.45
グラフG23:0.67(図4のグラフG11と同じ)
グラフG24:0.89
グラフG25:1.35
グラフG26:2.25
グラフG27:ノンドープ(図4のグラフG12と同じ)
Claims (2)
- 電子線を受けて紫外線を発生する化合物半導体層と、
前記化合物半導体層から発生する前記紫外線の波長に対して透過特性を有し、前記化合物半導体層を支持する基板と、
前記基板とは反対側の前記化合物半導体層の表面上に設けられたメタルバック電極と、
前記化合物半導体層から発生する前記紫外線の波長に対して透過特性を有し、前記基板と前記化合物半導体層との間に設けられたAl X Ga 1−X N(0<X≦1)からなるバッファ層と、
を備え、
前記電子線は前記メタルバック電極を透過して前記化合物半導体層に入射し、前記化合物半導体層において発生した前記紫外線は前記バッファ層及び前記基板を透過して出射され、
前記化合物半導体層が前記バッファ層上においてエピタキシャル成長により形成されたAl Y Ga 1−Y N(0<Y<1,X>Y)結晶からなり、
前記化合物半導体層にはSiがドープされており、
前記化合物半導体層におけるキャリア密度が6×1016(cm−3)以上2×1018(cm−3)以下であり、
前記化合物半導体層におけるSiドープ濃度が6×1016(cm−3)以上1.3×1018(cm−3)以下であることを特徴とする、紫外線発生用ターゲット。 - 請求項1に記載の紫外線発生用ターゲットと、
前記紫外線発生用ターゲットに電子線を与える電子源とを備えることを特徴とする、電子線励起紫外光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010045741A JP5700325B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010045741A JP5700325B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011178928A JP2011178928A (ja) | 2011-09-15 |
JP5700325B2 true JP5700325B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=44690785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010045741A Active JP5700325B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5700325B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102361046B (zh) * | 2011-09-30 | 2013-06-05 | 天津大学 | AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器及其制备方法 |
JP5943738B2 (ja) * | 2012-07-02 | 2016-07-05 | スタンレー電気株式会社 | 深紫外レーザ光源 |
JP6475928B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2019-02-27 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起型発光エピタキシャル基板及びその製造方法、並びに電子線励起型発光装置 |
KR101690430B1 (ko) * | 2015-11-04 | 2016-12-27 | 전남대학교산학협력단 | 자외선 발광 소자 |
CN105846310B (zh) * | 2016-04-20 | 2019-05-14 | 北京大学 | 一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321955A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子線励起発光素子 |
WO2002061458A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Detecteur de faisceau electronique, microscope electronique de type a balayage, spectrometre de masse et detecteur d'ions |
JP2003273398A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体材料およびそれを用いた半導体装置 |
JP2004131567A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置 |
JP2006104338A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蛍光体およびこれを用いた紫外発光蛍光ランプ |
JP2006190541A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Dialight Japan Co Ltd | Uv光源 |
JP2007294698A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 紫外線ランプ及びこれを用いた露光装置 |
JP5665036B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2015-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 化合物半導体層構造の製造方法 |
-
2010
- 2010-03-02 JP JP2010045741A patent/JP5700325B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011178928A (ja) | 2011-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5833325B2 (ja) | 深紫外光源 | |
JP5700325B2 (ja) | 紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源 | |
JP5388041B2 (ja) | 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法 | |
Tawfik et al. | Cathodoluminescence of a 2 inch ultraviolet-light-source tube based on the integration of AlGaN materials and carbon nanotube field emitters | |
WO2014007098A1 (ja) | 電子線励起による深紫外レーザ光源 | |
WO2006038567A1 (ja) | p型Ga2O3膜の製造方法およびpn接合型Ga2O3膜の製造方法 | |
JP5665036B2 (ja) | 化合物半導体層構造の製造方法 | |
CN1311284A (zh) | 紫外短波长区域发光的InAlGaN及其制备方法和使用它的紫外发光装置 | |
JP5580777B2 (ja) | 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法 | |
WO2007024017A1 (ja) | 発光層形成用基材、発光体及び発光物質 | |
JP5187634B2 (ja) | ZnO単結晶層及び半導体発光素子とその製造方法 | |
JP4780757B2 (ja) | 亜鉛酸化物結晶の分子線エピタキシ(mbe)成長装置及びそれを使用した製造方法 | |
US8686401B2 (en) | Ultraviolet irradiation apparatus | |
JP6475928B2 (ja) | 電子線励起型発光エピタキシャル基板及びその製造方法、並びに電子線励起型発光装置 | |
Lee et al. | Large-area far ultraviolet-C emission of Al0. 73Ga0. 27N/AlN multiple quantum wells using carbon nanotube based cold cathode electron-beam pumping | |
JP2006348244A (ja) | 酸化亜鉛紫外発光体、酸化亜鉛紫外発光体薄膜、およびそれらの製造方法 | |
JP7000062B2 (ja) | Iii族窒化物エピタキシャル基板、電子線励起型発光エピタキシャル基板及びそれらの製造方法、並びに電子線励起型発光装置 | |
JP3468644B2 (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
JP4856666B2 (ja) | 発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
JPH11233822A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR20120064866A (ko) | 전계발광형 자외광 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2004006970A (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
JP2015046415A (ja) | 窒化物半導体発光素子および電子線励起型光源装置 | |
KR102189353B1 (ko) | 자외광 고투과성 단결정 양극기판 기반 면발광 소자 및 그의 제작방법 | |
TWI816705B (zh) | 半導體型螢光體 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5700325 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |