JP5700291B2 - 薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5700291B2 JP5700291B2 JP2011066259A JP2011066259A JP5700291B2 JP 5700291 B2 JP5700291 B2 JP 5700291B2 JP 2011066259 A JP2011066259 A JP 2011066259A JP 2011066259 A JP2011066259 A JP 2011066259A JP 5700291 B2 JP5700291 B2 JP 5700291B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- thin film
- film transistor
- gate
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
まず、本実施形態に係る薄膜トランジスタについて説明する。以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付け、重複する説明は省略する。また、以下に説明する薄膜トランジスタの構成は一例であって、本発明に係る薄膜トランジスタはこの構成に限定されるものではない。
次に、本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の一例について説明する。
次に、薄膜トランジスタを用いた画像表示装置について説明する。図4は、本実施形態に係る薄膜トランジスタ100を用いた画像表示装置400の概略断面図である。
まず、基板1上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてAlを成膜(膜厚40nm)することにより、ゲートバス電極2を形成した。そして、当該Al(ゲートバス電極2)を梯子状にパターニングするため、感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、塩酸によりエッチングを行い、剥離液により感光型フォトレジストを剥離した(以下、フォトリソグラフィー法と言う)。
実施例2に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜(膜厚10nm)し、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが10nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様であり、同様に実施例2に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を作製した。
実施例3に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜(膜厚190nm)し、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが190nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様であり、同様に実施例3に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を作製した。
比較例1に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜(膜厚8nm)し、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが8nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様である。
比較例2に係る薄膜トランジスタは、ゲートバス電極2としてAlを成膜(膜厚210nm)し、ゲート絶縁体層5の凹部13の深さが210nmになるように作製した以外は、実施例1に係る薄膜トランジスタと同様であり、同様に比較例2に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を作製した。
2…ゲートバス電極
3…ゲート電極
4…キャパシタ電極
5…ゲート絶縁体層
6…半導体層
7…保護膜
8…ソース電極
9…ドレイン電極
10…層間絶縁膜
11…画素電極
12…表示要素
13…凹部
14…隔壁
100…実施形態に係る薄膜トランジスタ
400…実施形態に係る薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
500…従来の薄膜トランジスタ
600…従来の薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
Claims (10)
- 薄膜トランジスタであって、
基板と、
前記基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、
前記ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上と前記基板上とに形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の凹凸に沿うように当該ゲート電極上と前記基板上とに形成されたゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、
前記半導体層の中央に形成された保護膜と、
前記半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える、薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート電極の凹部の深さは、10nm以上200nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁体層の凹部の深さは、10nm以上200nm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は、有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項1乃至3の何れか1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は、金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項1乃至3の何れか1に記載の薄膜トランジスタ。
- 薄膜トランジスタの製造方法であって、
基板上に梯子状の凸部を有するゲートバス電極を形成する工程と、
前記ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の凹凸に沿うように前記ゲート電極上と前記基板上とにゲート絶縁体層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁体層の凹部内に塗布法により半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の中央に保護膜を形成する工程と、
前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極とを形成する工程とを備える、薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲートバス電極の凸部は、フォトリソグラフィー法で形成されることを特徴とする、請求項6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれかであることを特徴とする、請求項6または7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1に記載の薄膜トランジスタと、
前記ソース電極上と前記ドレイン電極上とに形成された層間絶縁膜と、
前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体とを備える、画像表示装置。 - 前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置、および無機EL表示装置のいずれかであることを特徴とする、請求項9に記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011066259A JP5700291B2 (ja) | 2011-03-24 | 2011-03-24 | 薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011066259A JP5700291B2 (ja) | 2011-03-24 | 2011-03-24 | 薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204502A JP2012204502A (ja) | 2012-10-22 |
JP5700291B2 true JP5700291B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=47185185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011066259A Expired - Fee Related JP5700291B2 (ja) | 2011-03-24 | 2011-03-24 | 薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5700291B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103165471A (zh) | 2013-02-19 | 2013-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法和显示装置 |
WO2016121230A1 (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 富士フイルム株式会社 | 酸化物保護膜の製造方法、酸化物保護膜、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス |
TWI555183B (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 薄膜電晶體以及畫素結構 |
TWI673555B (zh) * | 2018-05-07 | 2019-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 半導體結構及其製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3980312B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2007-09-26 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US6861716B1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-03-01 | International Business Machines Corporation | Ladder-type gate structure for four-terminal SOI semiconductor device |
KR100669762B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
KR101137865B1 (ko) * | 2005-06-21 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 기판 |
JP2010087063A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-03-24 JP JP2011066259A patent/JP5700291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012204502A (ja) | 2012-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5835221B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに画像表示装置 | |
KR101891841B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법, 박막 트랜지스터를 구비하는 화상 표시 장치 | |
TWI377675B (en) | Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
US8487308B2 (en) | Thin film transistor and image display unit | |
WO2011122205A1 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び画像表示装置 | |
US20170222168A1 (en) | Thin-film transistor and method of fabricating the same | |
JP5700291B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 | |
JP5853390B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 | |
JP6064353B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2013201201A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイ製造方法、画像表示装置 | |
WO2017208923A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタおよび画像表示装置 | |
JP5375058B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 | |
WO2014049970A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP2016163029A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイの製造方法及び画素表示装置 | |
JP6123413B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP6209920B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JP5782695B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを備える画像表示装置、薄膜トランジスタの製造方法、画像表示装置の製造方法 | |
JP6064356B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
JPWO2018038107A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタとその製造方法および画像表示装置 | |
JP2015185789A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2014107280A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
WO2019078267A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、アクティブマトリクスアレイおよび画像表示装置 | |
JP2013074192A (ja) | 薄膜トランジスタ、画像表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5700291 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |