JP5697922B2 - 磁界センサ - Google Patents
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Description
112 磁気ディスク
113 スライダ
114 スピンドル
115 サスペンション
118 ドライブモータ
119 アクチュエータアーム
121 磁気ヘッドアセンブリ
122 ディスク表面
123 ライン
125 記録チャネル
127 アクチュエータ手段
128 ライン
129 制御ユニット
200 センサ
202 第1電極
204 第2電極
206 nグラフェン層
208 絶縁層
210 ボトムゲート電極
212 トップゲート電極
214 基板
216 保護層
500 磁界センサ
502 nグラフェン層
504 第1電流リード電極
506 第2電流リード電極
512 第1電圧リード電極
514 第2電圧リード電極
520 非磁性の電気的絶縁材料
600 磁界センサ
602 nグラフェン層
604 第1縁
606 第2縁
608 第1電流リード
610 第2電流リード
612 第1電圧リード
614 第2電圧リード
616 分路構造
618 非磁性の電気的絶縁層
620 経路
622 経路
H 磁界
Claims (19)
- 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
表面を有し、
前記ゲート電極は、前記nグラフェン層と前記表面との間に配置される、
磁界センサ。 - 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
表面を有し、
前記ゲート電極は、前記nグラフェン層が前記ゲート電極と前記表面との間に配置されるように配置される、
磁界センサ。 - 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
前記ゲート電極は第1ゲート電極であり、
第2ゲート電極をさらに備え、
前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極は、前記nグラフェン層の法線方向の両側に、前記nグラフェン層を挟むように配置される、
磁界センサ。 - 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
前記nグラフェン層は、第1縁と、前記第1縁とは反対側に設けられた第2縁と、を有し、
前記複数の電極として、前記nグラフェン層の前記第1縁に接続された第1コンタクト電極と、前記nグラフェン層の前記第2縁に接続された第2コンタクト電極と、を備える、
磁界センサ。 - 前記第1コンタクト電極および前記第2コンタクト電極は、前記nグラフェン層に電流を注入し、前記nグラフェン層における電圧変化の測定に使用される請求項4に記載の磁界センサ。
- 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
前記複数の電極として、
前記nグラフェン層の面内方向の両側に配置され、各々が前記nグラフェン層の縁に接続された第1電流リードおよび第2電流リードと、
前記nグラフェン層の面内方向の両側に配置され、各々が前記nグラフェン層の縁の前記第1電流リードと前記第2電流リードとの間の位置に接続された第1電圧リードおよび第2電圧リードと、を備える、
磁界センサ。 - 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
前記nグラフェン層は、第1縁と、前記第1縁とは反対側に設けられた第2縁と、を有し、
前記複数の電極は、前記nグラフェン層の前記第1縁に接続され、
前記nグラフェン層の前記第2縁に接続された導電性分路をさらに備える、
磁界センサ。 - 1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、
前記nグラフェン層の縁に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、
前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、
を備え、
前記nグラフェン層は、第1縁と、前記第1縁とは反対側に設けられた第2縁と、を有し、
前記複数の電極として、前記nグラフェン層の前記第1縁に接続される第1電流リードおよび第2電流リードと、前記nグラフェン層の前記第1縁に接続される第1電圧リードおよび第2電圧リードと、を備え、
前記nグラフェン層の前記第2縁に接続される導電性分路をさらに備える、
磁界センサ。 - 前記第1電流リードおよび前記第2電流リードのうちの一方が、前記第1電圧リードと前記第2電圧リードとの間に配置される請求項8に記載の磁界センサ。
- 前記nグラフェン層は、単一のグラフェン層からなる請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記nグラフェン層は、複数のグラフェン層を含む請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記nグラフェン層は、1〜5層のグラフェン層を含む請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記電圧変化は、前記nグラフェン層の電荷キャリアに働くローレンツ力により起こる請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記nグラフェン層は、前記非磁性の電気的絶縁材料の層の間に配置される請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記nグラフェン層は、検知されるべき磁気ビットを検出する請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記磁界センサは、表面を有し、
前記nグラフェン層が前記表面から20nm未満に配置される請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。 - 前記電流が正孔キャリアを含む請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- 前記電流が同時に存在する正孔キャリアおよび電子キャリアを含む請求項1ないし9の何れかに記載の磁界センサ。
- センサ応答の2f成分が磁界振幅および周波数の測定に使用される請求項18に記載の磁界センサ。
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