JP5689407B2 - ケイ酸塩緑色発光蛍光体 - Google Patents

ケイ酸塩緑色発光蛍光体 Download PDF

Info

Publication number
JP5689407B2
JP5689407B2 JP2011288727A JP2011288727A JP5689407B2 JP 5689407 B2 JP5689407 B2 JP 5689407B2 JP 2011288727 A JP2011288727 A JP 2011288727A JP 2011288727 A JP2011288727 A JP 2011288727A JP 5689407 B2 JP5689407 B2 JP 5689407B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
green light
silicate
emitting phosphor
crystal phase
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011288727A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013136697A (ja
Inventor
福田 晃一
晃一 福田
仁 天谷
仁 天谷
稲垣 徹
徹 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Material Industries Ltd
Original Assignee
Ube Material Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Material Industries Ltd filed Critical Ube Material Industries Ltd
Priority to JP2011288727A priority Critical patent/JP5689407B2/ja
Priority to KR1020120154758A priority patent/KR20130076763A/ko
Priority to US13/729,314 priority patent/US8956554B2/en
Publication of JP2013136697A publication Critical patent/JP2013136697A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5689407B2 publication Critical patent/JP5689407B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/55Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing beryllium, magnesium, alkali metals or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、緑色発光材料として有用なケイ酸塩蛍光体に関する。
従来より、白色LEDとして、電気エネルギーの付与によって青色光を放出する半導体発光素子と黄色発光蛍光体とを組み合わせて、半導体発光素子からの青色光と、その青色光で黄色発光蛍光体を励起することによって発生した黄色光との混色により白色光を得る二色混色タイプのものが広く利用されている。しかしながら、この二色混色タイプの白色LEDが発する白色光は純度が低いという問題がある。このため、最近では、電気エネルギーの付与によって波長350〜430nmの光を発光する半導体発光素子と、青色発光蛍光体、緑色発光蛍光体そして赤色発光蛍光体の三種類の蛍光体を組み合わせて、半導体発光素子からの光で、それぞれの蛍光体を励起することによって発生した青色光と緑色光及び赤色光の三色の混色により白色光を得る三色混色タイプの白色LEDの開発が行なわれている。
白色LED用の緑色発光蛍光体として、ケイ酸ストロンチウムバリウムなどのアルカリ土類金属ケイ酸塩をユウロピウムで付活したケイ酸塩緑色発光蛍光体が知られている。
特許文献1には、下記の式で表されるケイ酸塩緑色発光蛍光体が記載されている。
(MI (1-x)II x)αSiOβ
但し、MIは、Ba、Ca、Sr、Zn及びMgからなる群より選ばれる1種以上の元素を表し、MIIは、2価及び3価の原子価を取り得る1種以上の金属元素を表し、x、α及びβは、各々、0.01<x<0.3、1.5≦α≦2.5、3.5≦β≦4.5を満たす数である。
上記特許文献1には、MIは、Ba及びSrを含有し、M1全体に対するBa及びSrのモル比をそれぞれ[Ba]及び[Sr]とした場合に、[Ba]及び[Sr]が、0.5<{[Ba]/([Ba]+[Sr])}≦1を満たすことが好ましいことが記載されている。
特許文献2には、SrxBa2-xSiO4:Eu(0≦x≦2)の式で表される緑色発光蛍光体にマグネシウム塩を添加することによって、青色域光による励起効率が向上する旨の記載がある。特許文献2には、マグネシウム塩として記載されているのは、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、フッ化マグネシウムである。
特許文献3には、LEDの作動温度について、LEDを長時間駆動させたり、発光輝度を高めるために高電流駆動させた場合には、LEDチップ(半導体発光素子)が発熱し、120℃にまで達する高温状態となることがある旨の記載がある。従って、白色LEDの可視光発光源として利用する蛍光体は、LED作動時の発熱による温度の変化によって発光強度が変動しにくいこと、すなわち120℃の付近の温度での発光強度の安定性が高いことが要求される。
特開2008−88399号公報 特開2007−238814号公報 特開2010−3790号公報
上記特許文献3に記載されているように、白色LEDに用いる蛍光体は、室温〜120℃付近での温度範囲において発光強度の温度安定性が高いことが要求される。しかしながら、本発明者の検討によるとケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活したケイ酸塩緑色発光蛍光体は、環境温度の上昇に伴って発光強度が低下する傾向が高い。
従って、本発明の目的は、熱に対する発光強度の安定性が高いケイ酸塩緑色発光蛍光体を提供することにある。
本発明者は、ケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活したケイ酸塩緑色発光蛍光体に、ケイ素の含有量1モルに対してマグネシウムを0.15〜0.90モルの量にて添加して、酸化マグネシウムの結晶相またはメルウィナイトの結晶相のうちの少なくとも一つの相をケイ酸塩緑色発光蛍光体内に生成させることによって、ケイ酸塩緑色発光蛍光体の熱に対する発光強度の安定性が向上することを見出し、本発明に到達した。
従って、本発明は、ケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活してなるケイ酸塩緑色発光蛍光体であって、酸化マグネシウムの結晶相またはメルウィナイトの結晶相のうちの少なくとも一つの相を有し、ケイ素の含有量1モルに対してマグネシウムを0.15〜0.90モルの量にて含有することを特徴とするケイ酸塩緑色発光蛍光体にある。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体の好ましい態様は次の通りである。
(1)酸化マグネシウムの結晶相とメルウィナイトの結晶相とを有する。
(2)酸化マグネシウムの結晶相を有し、入射角θのCuKα線を用いて測定されるX線回折パターンにおいて、2θで31.3〜31.6度の範囲にある、ケイ酸ストロンチウムバリウムの結晶相の回折ピークの強度を1としたときに、2θで42.8〜43.1度の範囲にある、酸化マグネシウムの結晶相の回折ピークの強度が0.02〜0.20の範囲にある。
(3)メルウィナイトの結晶相を有し、入射角θのCuKα線を用いて測定されるX線回折パターンにおいて、2θで31.3〜31.6度の範囲にある、ケイ酸ストロンチウムバリウムの結晶相の回折ピークの強度を1としたときに、2θで32.4〜32.7度の範囲にある、メルウィナイトの結晶相の回折ピークの強度が0.02〜0.50の範囲にある。
(4)ストロンチウム化合物粉末、バリウム化合物粉末、ケイ素化合物粉末及びユウロピウム化合物粉末を、ケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活してなるケイ酸塩緑色発光蛍光体を生成する比率で含み、さらにマグネシウム化合物粉末をケイ素の含有量1モルに対するマグネシウムの含有量が0.15〜0.90モルの範囲となる割合にて含有する粉末混合物を焼成して得た物である。
(5)波長400nmの光で励起したときに、ピーク波長が510〜530nmの範囲にある緑色光を発光し、さらにピーク波長が波長435〜450nmの範囲にあって、該緑色光の発光強度を1としたときの発光強度が0.0015〜0.020の範囲にある青色光を発光する。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、熱(特に、室温〜100℃の温度範囲)に対する発光強度の安定性が向上することから、白色LEDのような作動時に温度が120℃にまで上昇することがある発光装置の緑色発光源として有利に使用することができる。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体を利用した白色LEDの一例の断面図である。 実施例7で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体のX線回折パターンである。 比較例1で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体のX線回折パターンである。 実施例7で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体の発光スペクトルであり、(a)は410〜590nmの波長範囲の発光スペクトル、(b)は波長440nm付近の発光スペクトルを拡大した図である。 比較例1で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体の発光スペクトルであり、(a)は410〜590nmの波長範囲の発光スペクトル、(b)は波長440nm付近の発光スペクトルを拡大した図である。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、ユウロピウムで付活されたケイ酸ストロンチウムバリウムを主成分として含有する。ユウロピウムで付活されたケイ酸ストロンチウムバリウムは、下記の式(I)で表される化合物であることが好ましい。
xBaO・ySrO・zEuO・SiO2・・・(I)
但し、式(I)において、x、yはそれぞれ独立して0.10〜2.00の数を示し、zは、0.005〜0.20の数を表し、x、y及びzの合計は、1.50〜2.50を表す。
x、yはそれぞれ独立して、0.50〜1.50の範囲にあることが好ましく、0.80〜1.10の範囲にあることがさらに好ましく、0.90〜1.10の範囲にあることが特に好ましい。zは、0.01〜0.10の範囲にあることが好ましく、0.02〜0.07の範囲にあることが特に好ましい。x、y及びzの合計は、1.70〜2.10の範囲にあることが好ましく、1.80〜1.98の範囲にあることが特に好ましい。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体はさらにマグネシウムを含有する。マグネシウムの含有量は、ケイ素の含有量1モルに対する量として、一般に0.15〜0.90モルの範囲、好ましくは0.20〜0.80モルの範囲である。マグネシウムは酸化マグネシウムの結晶相またはメルウィナイトの結晶相を形成している。ここで、本発明においてメルウィナイトの結晶相とは、メルウィナイト(Ca3MgSi28)と同じ結晶構造を有する化合物の結晶相を意味する。本発明の蛍光体では、メルウィナイトと同じ結晶構造を有する化合物として(Ba,Sr)3MgSi28が生成していると考えられる。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、酸化マグネシウムの結晶相とメルウィナイトの結晶相の両方を有していることが好ましい。なお、ケイ酸塩緑色発光蛍光体に含まれているマグネシウムの全てが酸化マグネシウムもしくはメルウィナイトの結晶相を形成している必要はない。マグネシウムの一部はケイ酸マグネシウムを形成していてもよい。
ケイ酸塩緑色発光蛍光体が、酸化マグネシウムの結晶相またはメルウィナイトの結晶相を有していることは、ケイ酸塩緑色発光蛍光体のX線回折パターンより確認することができる。酸化マグネシウム結晶相のX線回折ピークは、入射角θのCuKα線を用いて測定されるX線回折パターンにおいて2θで42.8〜43.1度の範囲にある。この酸化マグネシウム結晶相のX線回折ピークの強度は、2θで31.3〜31.6度の範囲にある、ケイ酸ストロンチウムバリウム結晶相の回折ピークの強度を1としたときに、0.02〜0.20の範囲にあることが好ましい。メルウィナイト結晶相のX線回折ピークは、入射角θのCuKα線を用いて測定されるX線回折パターンにおいて2θで32.4〜32.7度の範囲にある。このメルウィナイト結晶相のX線回折ピークの強度は、2θで31.3〜31.6度の範囲にある、ケイ酸ストロンチウムバリウム結晶相の回折ピークの強度を1としたときに、0.02〜0.50の範囲にあることが好ましい。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、波長400nmの光で励起したときに、ピーク波長が510〜530nmの範囲にある緑色光を発光すると共に、ピーク波長が波長435〜450nmの範囲にある青色光を発光することが好ましい。青色光の発光強度は、緑色光の発光強度を1としたときの発光強度が0.0015〜0.020の範囲にあることが好ましく、0.005〜0.010の範囲にあることが特に好ましい。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、例えば、ストロンチウム化合物粉末、バリウム化合物粉末、ケイ素化合物粉末、ユウロピウム化合物粉末及びマグネシウム化合物粉末を混合し、得られた粉末混合物を焼成する方法によって製造することができる。ストロンチウム化合物粉末、バリウム化合物粉末、ケイ素化合物粉末及びユウロピウム化合物粉末の混合比率は、ケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活したケイ酸塩緑色発光蛍光体を生成する比率である。マグネシウム化合物粉末の混合割合は、粉末混合物中のケイ素含有量1モルに対してマグネシウムの含有量が0.15〜0.90モルの範囲となる割合である。
ストロンチウム化合物粉末、バリウム化合物粉末、ケイ素化合物粉末、ユウロピウム化合物粉末及びマグネシウム化合物粉末の各原料粉末はそれぞれ、酸化物粉末であってもよいし、水酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩(塩基性炭酸塩を含む)、硝酸塩、シュウ酸塩などの加熱により酸化物を生成する化合物の粉末であってもよい。原料粉末はそれぞれ一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。各原料粉末は、純度が99質量%以上であることが好ましい。
粉末混合物には、フラックスを添加してもよい。フラックスはハロゲン化物であることが好ましく、塩素化合物であることが特に好ましい。フラックスとして原料粉末の一部に塩素化合物粉末を用いることが好ましい。特に、ストロンチウムの塩素化合物粉末を用いることが好ましい。フラックスの添加量は、粉末混合物中のケイ素含有量を1モルとして、ハロゲン量が0.0001〜0.5モルの範囲となる量であることが好ましく、0.01〜0.5モルの範囲となる量であることが特に好ましい。
原料粉末の混合方法には、乾式混合法及び湿式混合法のいずれの方法も採用することができる。湿式混合法で原料粉末を混合する場合は、回転ボールミル、振動ボールミル、遊星ミル、ペイントシェーカー、ロッキングミル、ロッキングミキサー、ビーズミル、撹拌機などを用いることができる。溶媒には、水や、エタノール、イソプロピルアルコールなどの低級アルコールを用いることができる。
粉末混合物の焼成は、還元性ガス雰囲気下で行なうことが好ましい。還元性ガスとしては、0.5〜5.0体積%の水素と99.5〜95.0体積%の不活性気体との混合ガスを用いることができる。不活性気体の例としては、アルゴン及び窒素を挙げることができる。焼成温度は、一般に900〜1300℃の範囲である。焼成時間は、一般に0.5〜100時間の範囲であり、0.5〜10時間の範囲にあることが好ましい。
原料粉末に加熱により酸化物を生成する化合物の粉末を用いる場合には、還元性ガス雰囲気下で焼成する前に、粉末混合物を大気雰囲気下にて600〜850℃の温度で0.5〜100時間仮焼することが好ましい。仮焼時間は、0.5〜10時間であることが特に好ましい。焼成により得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体は、必要に応じて分級処理、塩酸や硝酸などの鉱酸による酸洗浄処理、ベーキング処理を行なってもよい。
本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、真空紫外光から青色光までの光によって励起されることによって緑色光を発光する。このため、本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体は、プラズマディスプレイパネル及び白色LEDなどの各種発光装置の緑色発光源として有利に使用することができる。次に、本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体を用いた発光装置について、添付図面の図1を参照しながら説明する。
図1に示す発光装置は三色混色タイプの白色LEDである。図1において、白色LEDは、基板1と、基板1の上に接着剤2により固定された半導体発光素子3、基板1の上に形成された一対の電極4a、4b、半導体発光素子3と電極4a、4bとを電気的に接続するリード線5a、5b、半導体発光素子3を被覆する樹脂層6、樹脂層6の上に設けられた蛍光体含有樹脂組成物層7、そして樹脂層6と蛍光体含有樹脂組成物層7の周囲を覆う光反射材8、そして電極4a、4bと外部電源(図示せず)とを電気的に接続するための導電線9a、9bからなる。
基板1は、高い絶縁性と高い熱導電性とを有していることが好ましい。基板1の例としては、アルミナや窒素アルミニウムなどのセラミックから形成された基板及び金属酸化物やガラスなどの無機物粒子を分散させた樹脂材料から形成された基板を挙げることができる。半導体発光素子3は、電気エネルギーの付与によって波長350〜430nmの光を発光するものであることが好ましい。半導体発光素子3の例としては、AlGaN系半導体発光素子を挙げることができる。
樹脂層6は透明樹脂から形成される。樹脂層6を形成する透明樹脂材料の例としては、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂を挙げることができる。蛍光体含有樹脂組成物層7は、青色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、そして赤色発光蛍光体がそれぞれ樹脂バインダ中に分散された蛍光体含有樹脂組成物から形成される。緑色発光蛍光体は、本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体を含む。青色発光蛍光体の例としては、(Ba,Sr,Ca)3MgSi28:Eu、(Ba,Sr,Ca)MgAl1017:Eu、(Ba,Sr,Mg、Ca)10(PO46(Cl,F)2:Euを挙げることができる。赤色発光蛍光体の例としては、(Ba,Sr,Ca)3MgSi28:Eu,Mn、Y22S:Eu、La23S:Eu、(Ca,Sr,Ba)2Si58:Eu、CaAlSiN3:Eu、Eu229、(Ca,Sr,Ba)2Si58:Eu,Mn、CaTiO3:Pr,Bi、(La,Eu)2312を挙げることができる。樹脂バインダは透明樹脂であり、その例としてはエポキシ樹脂及びシリコーン樹脂を挙げることができる。光反射材8は、蛍光体含有樹脂組成物層7にて発生した可視光を外部に向けて反射することによって可視光の発光効率を向上させる。光反射材8の形成材料の例としては、Al、Ni、Fe、Cr、Ti、Cu、Rh、Ag、Au、Ptなどの金属、アルミナ、ジルコニア、チタニア、マグネシア、酸化亜鉛、炭酸カルシウムなどの白色金属化合物、及び白色顔料を分散させた樹脂材料を挙げることができる。
図1の白色LEDにおいて、導電線9a、9bを介して電極4a、4bに電圧を印加すると、半導体発光素子3が発光して波長350〜430nmの範囲にピークを有する発光光が発生し、この発光光が蛍光体含有樹脂組成物層7中の各色発光蛍光体を励起させることによって青色、緑色及び赤色の可視光が発生する。そして、それらの青色光、緑色光及び赤色光の混色により白色光が発生する。
白色LEDは、例えば、次のようにして製造することができる。基板1に所定のパターンで電極4a、4bを形成する。次に、基板1の上に接着剤2により半導体発光素子3を固定した後、ワイヤボンディングなどの方法により、半導体発光素子3と電極4a、4bとを電気的に接続するリード線5a、5bを形成する。次に、半導体発光素子3の周囲に光反射材8を固定した後、半導体発光素子3の上に透明樹脂材料を流し込み、その透明樹脂材料を固化させて樹脂層6を形成する。そして、樹脂層6の上に蛍光体含有樹脂組成物を流し込み、その蛍光体含有樹脂組成物を固化させて、蛍光体含有樹脂組成物層7を形成する。
白色LEDには、蛍光体含有樹脂組成物層7の代わりにガラスに蛍光体を分散させた蛍光体含有ガラス組成物層を用いたものも知られている。この蛍光体含有ガラス組成物層にも本発明のケイ酸塩緑色発光蛍光体を分散させることができる。
[実施例1]
炭酸ストロンチウム粉末(純度:99.99質量%、平均粒子径:2.73μm)、炭酸バリウム粉末(純度:99.8質量%、平均粒子径:1.26μm)、酸化マグネシウム粉末(気相法により製造したもの、純度:99.98質量%、BET比表面積:8m2/g)、二酸化ケイ素粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:3.87μm)、三酸化二ユウロピウム粉末(純度:99.9質量%、平均粒子径:2.71μm)、塩化ストロンチウム粉末(純度:99.9質量%)を、SrCO3:BaCO3:MgO:SiO2:Eu23:SrCl2のモル比がそれぞれ0.945:0.900:0.200:1:0.020:0.015となるように秤量した。なお、各原料粉末の平均粒子径はいずれもレーザー回折散乱法により測定した値である。秤量した各原料粉末を純水と共にボールミルに投入し、24時間湿式混合して、粉末混合物のスラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーにより噴霧乾燥して、平均粒子径が40μmの粉末混合物を得た。
得られた粉末混合物をアルミナ坩堝に入れて、大気雰囲気下にて800℃の温度で3時間焼成し、次いで、室温まで放冷した後、2体積%水素−98体積%アルゴンの混合ガス雰囲気下にて1200℃の温度で6時間焼成してケイ酸塩緑色発光蛍光体を得た。
[実施例2〜12及び比較例1〜2]
SrCO3:BaCO3:MgO:SiO2:Eu23:SrCl2のモル比を、下記表1に示すモル比としたこと以外は、実施例1と同様の操作を行なってケイ酸塩緑色発光蛍光体を得た。
表1
────────────────────────────────────────
SrCO3 :BaCO3 :MgO :SiO2 :Eu23 :SrCl2
────────────────────────────────────────
実施例1 0.945:0.900:0.200: 1 :0.020:0.015
実施例2 0.945:0.900:0.450: 1 :0.020:0.015
実施例3 0.945:0.900:0.500: 1 :0.020:0.015
実施例4 0.945:0.900:0.600: 1 :0.020:0.015
────────────────────────────────────────
実施例5 0.945:0.950:0.200: 1 :0.020:0.015
実施例6 0.945:0.950:0.450: 1 :0.020:0.015
実施例7 0.945:0.950:0.500: 1 :0.020:0.015
実施例8 0.945:0.950:0.600: 1 :0.020:0.015
────────────────────────────────────────
実施例9 0.945:1.000:0.300: 1 :0.020:0.015
実施例10 0.945:1.000:0.450: 1 :0.020:0.015
実施例11 0.945:1.000:0.600: 1 :0.020:0.015
実施例12 0.945:1.000:0.800: 1 :0.020:0.015
────────────────────────────────────────
比較例1 0.945:1.000:0 : 1 :0.020:0.015
比較例2 0.945:0.990:0.100: 1 :0.020:0.015
────────────────────────────────────────
[評価]
実施例1〜12及び比較例1〜2で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体について、(1)酸化マグネシウム結晶相及びメルウィナイト結晶相のX線回折ピーク強度、(2)波長400nmの光で励起させたときの発光スペクトル、(3)緑色光の発光強度の温度安定性、そして(4)粒度分布を下記の通り測定した。
(1)酸化マグネシウム結晶相及びメルウィナイト結晶相のX線回折ピーク強度
ケイ酸塩緑色発光蛍光体のX線回折パターンは下記の条件にて測定した。図2は実施例7で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体のX線回折パターンである。図3は比較例1で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体のX線回折パターンである。図2と図3とを比較すると、比較例1のケイ酸塩緑色発光蛍光体はケイ酸ストロンチウムバリウム結晶相のみを有するのに対して、実施例7のケイ酸塩緑色発光蛍光体はケイ酸ストロンチウムバリウム結晶相に加えて、酸化マグネシウムとメルウィナイトの結晶相を有することが分かる。
X線回折パターンから、ケイ酸ストロンチウムバリウム結晶相のX線回折ピーク強度を1としたときの、酸化マグネシウム結晶相とメルウィナイト結晶相のX線回折ピーク強度を算出した。表2にその結果を示す。なお、ケイ酸ストロンチウムバリウム結晶相のX線回折ピーク強度は2θで31.3〜31.6度の範囲にある回折ピークから、酸化マグネシウム結晶相のX線回折ピーク強度は2θで42.8〜43.1度の範囲にある回折ピークから、メルウィナイト結晶相のX線回折ピーク強度は2θで32.4〜32.7度の範囲にある回折ピークから求めた。
[X線回折パターンの測定条件]
測定:連続測定
X線源:CuKα
管電圧:40kV
管電流:40mA
発散スリット幅:0.3deg
散乱スリット幅:0.3deg
受光スリット幅:5.56mm
スキャンモード:4deg/分
スキャンステップ:0.005deg
(2)波長400nmの光で励起させたときの発光スペクトル
ケイ酸塩緑色発光蛍光体にキセノンランプを用いて波長400nmの光を照射し、ケイ酸塩緑色発光蛍光体を励起させて発光スペクトルを測定した。図4は実施例7で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体の発光スペクトルであり、(a)は410〜590nmの波長範囲の発光スペクトル、(b)は波長440nm付近の発光スペクトルを拡大した図である。図5は比較例1で得られたケイ酸塩緑色発光蛍光体の発光スペクトルであり、(a)は410〜590nmの波長範囲の発光スペクトル、(b)は波長440nm付近の発光スペクトルを拡大した図である。図4と図5とを比較すると、比較例1のケイ酸塩緑色発光蛍光体はピーク波長が510〜530nmの範囲にある緑色光のみを発光するのに対して、実施例7のケイ酸塩緑色発光蛍光体は緑色光と共に波長435〜450nmの範囲に発光ピークを有する青色光を発光することが分かる。
発光スペクトルから、緑色光の発光ピーク強度を1としたときの、青色光の発光ピーク強度を算出した。表2にその結果を示す。
(3)緑色光の発光強度の温度安定性
ケイ酸塩緑色発光蛍光体を10℃/分の昇温速度で加熱し、25℃、50℃、100℃、150℃の各温度となった時点で、該温度で5分間維持した後に、該温度を維持したままケイ酸塩緑色発光蛍光体に、キセノンランプを用いて波長400nmの光を照射して発光スペクトルを測定する。得られた発光スペクトルの510〜530nmの波長範囲の中でピーク強度を求め、これを発光強度とする。発光強度は、各実施例および比較例で製造したケイ酸塩緑色発光蛍光体を25℃に加熱したときの発光強度を100とした相対値とする。表3にその結果を示す。
(4)粒度分布
100mLビーカーにケイ酸塩緑色発光蛍光体0.2gとエタノール40mLとを入れ、ホモジナイザー((株)日本精機製作所製、ultrasonic generator US−150T)を用いて、400μAの条件で3分間分散処理した。得られた分散液を粒度分布測定装置(日機装(株)製、MICROTARC HRA9320−X100)に全量投入し、ケイ酸塩緑色発光蛍光体の粒度分布を測定した。表3にその結果を示す。
表2
────────────────────────────────────────
酸化マグネシウム結晶相 メルウィナイト結晶相 青色光の発光ピーク強度
のX線回折ピーク強度 のX線回折ピーク強度
────────────────────────────────────────
実施例1 0.050 0.304 0.0075
実施例2 0.089 0.280 0.0135
実施例3 0.108 0.320 0.0163
実施例4 0.135 0.371 0.0172
────────────────────────────────────────
実施例5 0.054 0.046 0.0019
実施例6 0.074 0.121 0.0076
実施例7 0.106 0.164 0.0070
実施例8 0.124 0.174 0.0080
────────────────────────────────────────
実施例9 0.059 検出されず 0.0025
実施例10 0.089 検出されず 0.0022
実施例11 0.127 検出されず 0.0018
実施例12 0.134 検出されず 0.0016
────────────────────────────────────────
比較例1 検出されず 検出されず 検出されず
比較例2 検出されず 検出されず 検出されず
────────────────────────────────────────
1)酸化マグネシウム結晶相及びメルウィナイト結晶相のX線回折ピーク強度:ケイ酸ストロンチウムバリウムのX線回折ピークの強度を1とした相対値。
2)青色光の発光ピーク強度:緑色光の発光ピーク強度を1とした相対値。
表3
────────────────────────────────────────
緑色光の発光強度の温度安定性 粒度分布
───────────────────────────────────
25℃ 50℃ 100℃ 150℃ D10 D50 D90
────────────────────────────────────────
実施例1 100 95.6 87.1 75.6 8.1 43.2 190.2
実施例2 100 96.0 89.7 79.2 4.2 8.8 11.1
実施例3 100 95.4 88.3 78.1 3.2 5.5 10.9
実施例4 100 96.4 88.8 77.7 4.6 6.3 9.7
────────────────────────────────────────
実施例5 100 95.6 87.9 77.6 6.2 47.3 217.6
実施例6 100 95.8 88.7 78.8 3.8 6.2 9.2
実施例7 100 97.0 91.0 79.6 3.1 5.3 11.2
実施例8 100 96.8 89.5 78.6 4.3 6.6 10.1
────────────────────────────────────────
実施例9 100 95.8 87.6 72.7 7.7 49.8 210.5
実施例10 100 97.2 88.5 74.5 3.1 5.0 8.2
実施例11 100 96.7 88.2 73.2 3.1 5.3 11.2
実施例12 100 96.0 87.2 72.4 2.5 4.8 8.0
────────────────────────────────────────
比較例1 100 94.4 84.8 74.2 27.5 83.8 220.8
比較例2 100 94.9 85.0 72.9 7.7 62.2 209.5
────────────────────────────────────────
表2と表3の結果から、ケイ酸ストロンチウムバリウムの結晶相と酸化マグネシウムの結晶相とを有するケイ酸塩緑色発光蛍光体(実施例1〜12)は、ケイ酸ストロンチウムバリウムの結晶相のみを有するケイ酸塩緑色発光蛍光体(比較例1)と比較して、100℃での発光強度の維持率が87%以上と高い値を示すことが分かる。特に、メルウィナイトの結晶相を有するケイ酸塩緑色発光蛍光体(実施例1〜8)は、150℃での発光強度の維持率が75%以上と高い値を示すことが分かる。
1 基板
2 接着剤
3 半導体発光素子
4a、4b 電極
5a、5b リード線
6 樹脂層
7 蛍光体含有樹脂組成物層
8 光反射材
9a、9b 導電線

Claims (6)

  1. ケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活してなるケイ酸塩緑色発光蛍光体であって、酸化マグネシウムの結晶相またはメルウィナイトの結晶相のうちの少なくとも一つの相を有し、ケイ素の含有量1モルに対してマグネシウムを0.15〜0.90モルの量にて含有することを特徴とするケイ酸塩緑色発光蛍光体。
  2. 酸化マグネシウムの結晶相とメルウィナイトの結晶相とを有する請求項1に記載のケイ酸塩緑色発光蛍光体。
  3. 酸化マグネシウムの結晶相を有し、入射角θのCuKα線を用いて測定されるX線回折パターンにおいて、2θで31.3〜31.6度の範囲にある、ケイ酸ストロンチウムバリウムの結晶相の回折ピークの強度を1としたときに、2θで42.8〜43.1度の範囲にある、酸化マグネシウムの結晶相の回折ピークの強度が0.02〜0.20の範囲にある請求項1に記載のケイ酸塩緑色発光蛍光体。
  4. メルウィナイトの結晶相を有し、入射角θのCuKα線を用いて測定されるX線回折パターンにおいて、2θで31.3〜31.6度の範囲にある、ケイ酸ストロンチウムバリウムの結晶相の回折ピークの強度を1としたときに、2θで32.4〜32.7度の範囲にある、メルウィナイトの結晶相の回折ピークの強度が0.02〜0.50の範囲にある請求項1に記載のケイ酸塩緑色発光蛍光体。
  5. ストロンチウム化合物粉末、バリウム化合物粉末、ケイ素化合物粉末及びユウロピウム化合物粉末を、ケイ酸ストロンチウムバリウムをユウロピウムで付活してなるケイ酸塩緑色発光蛍光体を生成する比率で含み、さらにマグネシウム化合物粉末をケイ素の含有量1モルに対するマグネシウムの含有量が0.15〜0.90モルの範囲となる割合にて含有する粉末混合物を焼成して得た物である請求項1に記載のケイ酸塩緑色発光蛍光体。
  6. 波長400nmの光で励起したときに、ピーク波長が510〜530nmの範囲にある緑色光を発光し、さらにピーク波長が波長435〜450nmの範囲にあって、該緑色光の発光強度を1としたときの発光強度が0.0015〜0.020の範囲にある青色光を発光する請求項1に記載のケイ酸塩緑色発光蛍光体。
JP2011288727A 2011-12-28 2011-12-28 ケイ酸塩緑色発光蛍光体 Expired - Fee Related JP5689407B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011288727A JP5689407B2 (ja) 2011-12-28 2011-12-28 ケイ酸塩緑色発光蛍光体
KR1020120154758A KR20130076763A (ko) 2011-12-28 2012-12-27 규산염 녹색 발광 형광체
US13/729,314 US8956554B2 (en) 2011-12-28 2012-12-28 Green light-emitting silicate phosphor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011288727A JP5689407B2 (ja) 2011-12-28 2011-12-28 ケイ酸塩緑色発光蛍光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013136697A JP2013136697A (ja) 2013-07-11
JP5689407B2 true JP5689407B2 (ja) 2015-03-25

Family

ID=48694103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011288727A Expired - Fee Related JP5689407B2 (ja) 2011-12-28 2011-12-28 ケイ酸塩緑色発光蛍光体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8956554B2 (ja)
JP (1) JP5689407B2 (ja)
KR (1) KR20130076763A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6241812B2 (ja) * 2013-11-01 2017-12-06 宇部興産株式会社 白色発光蛍光体及び白色発光装置
US9758725B2 (en) 2014-01-22 2017-09-12 Ube Industries, Ltd. Fluorescent material and light-emitting device
CN107887482A (zh) * 2017-11-10 2018-04-06 江苏稳润光电科技有限公司 一种led固晶方法
CN116904186B (zh) * 2023-07-17 2024-08-09 松山湖材料实验室 绿色荧光材料及其制备方法、发光器件

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4122752B2 (ja) * 2001-10-30 2008-07-23 株式会社日立製作所 発光装置
FR2869159B1 (fr) * 2004-04-16 2006-06-16 Rhodia Chimie Sa Diode electroluminescente emettant une lumiere blanche
TWI435927B (zh) 2006-02-10 2014-05-01 Mitsubishi Chem Corp 螢光體及其製造方法,含螢光體之組成物,發光裝置,暨影像顯示裝置及照明裝置
JP4438761B2 (ja) 2006-03-09 2010-03-24 ソニー株式会社 発光組成物及び光源装置
JP5399617B2 (ja) * 2007-05-14 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置
JP5036454B2 (ja) * 2007-08-29 2012-09-26 京セラ株式会社 蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置
JP2010003790A (ja) 2008-06-19 2010-01-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2010006850A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置ならびに照明装置
DE102008060680A1 (de) * 2008-12-08 2010-06-10 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Silikat-Leuchtstoffe

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013136697A (ja) 2013-07-11
KR20130076763A (ko) 2013-07-08
US8956554B2 (en) 2015-02-17
US20130168604A1 (en) 2013-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6315212B2 (ja) 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置
JP5770192B2 (ja) 青色発光蛍光体及び該青色発光蛍光体を用いた発光装置
US20190067530A1 (en) Blue light-emitting phosphor and light emitting device using same
JP5689407B2 (ja) ケイ酸塩緑色発光蛍光体
JP5770365B2 (ja) 深赤色発光性フルオロゲルマニウム酸マグネシウム蛍光体及びその製造方法
JP4904694B2 (ja) 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置
US9011718B2 (en) Blue light-emitting phosphor and light-emitting device using the blue light-emitting phosphor
JP5736272B2 (ja) 青色発光蛍光体及び該青色発光蛍光体を用いた発光装置
JP6729393B2 (ja) 蛍光体及び発光装置並びに蛍光体の製造方法
JP6241812B2 (ja) 白色発光蛍光体及び白色発光装置
JP2016121300A (ja) 蛍光体
JPWO2014167762A1 (ja) 蛍光体および発光装置
JP2016155893A (ja) アルミン酸塩蛍光体及び発光装置
JP2016117808A (ja) 蛍光体およびそれを使用した発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140313

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5689407

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees