JP5683539B2 - Liquid processing apparatus, liquid processing method, and liquid processing storage medium - Google Patents

Liquid processing apparatus, liquid processing method, and liquid processing storage medium Download PDF

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Description

この発明は、液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体に関するものである。   The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a liquid processing storage medium.

半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板表面に処理液を供給して液膜を形成して処理を施し、その後基板表面に乾燥流体を供給して液膜を除去して乾燥する液処理装置及び液処理方法が用いられている。   In the semiconductor manufacturing process, for example, while rotating a substrate such as a semiconductor wafer horizontally, a processing liquid is supplied to the surface of the substrate to form a liquid film, and then processing is performed. Then, a dry fluid is supplied to the surface of the substrate. Then, a liquid processing apparatus and a liquid processing method for removing the liquid film and drying are used.

例えば、フォトリソグラフィ工程においては、基板の上にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、現像処理することにより回路パターンを形成する。このフォトリソグラフィ工程には、通常、塗布・現像処理装置に露光装置を接続した処理システムが用いられる。   For example, in the photolithography process, a circuit pattern is formed by applying a photoresist on a substrate, exposing the resist film in accordance with a predetermined circuit pattern, and developing the resist film. In this photolithography process, a processing system in which an exposure apparatus is connected to a coating / development processing apparatus is usually used.

フォトリソグラフィ工程では、基板上に現像液を液盛りし、レジストの可溶性部位を溶解させて回路パターンが形成される。その後、一般に、レジストの溶解生成物を現像液と共に基板表面から除去するために液処理が行われる。   In the photolithography step, a circuit pattern is formed by depositing a developer on the substrate and dissolving the soluble portion of the resist. Thereafter, in general, a liquid treatment is performed to remove the dissolved product of the resist together with the developer from the substrate surface.

従来、この種の液処理の手法として、水平に保持された基板を回転させながら、基板の中心から周縁に向かって移動する処理液供給ノズルから基板表面に処理液を供給して液膜を形成すると共に、処理液供給ノズルに追従して基板の中心から周縁に向かって移動する乾燥流体例えば不活性ガス等の乾燥ガス供給ノズルから基板表面に乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥する装置（方法）が知られている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, as this type of liquid processing method, a liquid film is formed by supplying a processing liquid to a substrate surface from a processing liquid supply nozzle that moves from the center of the substrate toward the peripheral edge while rotating a horizontally held substrate. At the same time, the drying fluid that moves from the center of the substrate toward the periphery following the processing solution supply nozzle, such as an inert gas, supplies the drying fluid to the substrate surface to remove the liquid film on the substrate surface. Then, an apparatus (method) for drying is known (see, for example, Patent Document 1).

また、別の液処理の手法として、表面が処理液の液膜で覆われた基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板の回転中心の上方に設けられた気体噴射手段から基板表面に環状に気体を噴射して液膜を除去して乾燥する装置（方法）が知られている（例えば、特許文献２参照）。   Further, as another liquid processing technique, the substrate whose surface is covered with the liquid film of the processing liquid is rotated while being held in a horizontal state, while the gas jetting means provided above the rotation center of the substrate is moved to the substrate surface. An apparatus (method) for ejecting gas in a ring shape to remove a liquid film and drying is known (see, for example, Patent Document 2).

特開２００１−５３０５１号公報（特許請求の範囲）JP 2001-53051 A (Claims) 特開２００９−１１１２１９号公報（特許請求の範囲）JP 2009-1111219 A (Claims)

しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、処理液供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルを同時に基板の中心から周縁に向かって移動させるため、基板Ｗの回転に対する処理液供給ノズル６０と乾燥ガス供給ノズル７０の位置関係を模式的に示すと、図１７（ａ）のようになる。したがって、処理液供給ノズル６０と乾燥ガス供給ノズル７０が位置する領域Ａにおいては、処理液供給ノズル６０から供給される処理液Ｌの液膜と乾燥ガス供給ノズル７０から供給される乾燥ガスによって液膜が除去される乾燥領域Ｄの境界面が制御される（図１７（ｂ）参照）。しかし、処理液供給ノズル６０と乾燥ガス供給ノズル７０が位置する領域Ａより基板Ｗの中心側の領域Ｂ，Ｃにおいては、領域Ａに近い領域Ｂでは境界面の液膜に若干の崩れが生じ（図１７（ｃ）参照）、領域Ｂより離れた領域Ｃにおいては境界面の液膜が完全に崩れ、場合によっては液膜がちぎれて水滴化する（図１７（ｄ）参照）。このように、液膜の境界面が崩れると、基板面内に残渣が生じて基板Ｗに欠陥を与える。特に、微細かつ高アスペクト比の回路パターンを形成する基板Ｗの洗浄処理においては回路パターン間に処理液（洗浄液）が残り、回路パターン間の処理液（洗浄液）の表面張力が支配的な状態になると、回路パターン間の応力のバランスの影響でパターン倒れが生じる。そして、これが現像欠陥として現れる。   However, in the technique described in Patent Document 1, since the processing liquid supply nozzle and the dry gas supply nozzle are simultaneously moved from the center of the substrate toward the peripheral edge, the processing liquid supply nozzle 60 and the dry gas supply nozzle with respect to the rotation of the substrate W are used. FIG. 17A schematically shows the positional relationship 70. Therefore, in the region A where the processing liquid supply nozzle 60 and the dry gas supply nozzle 70 are located, the liquid is formed by the liquid film of the processing liquid L supplied from the processing liquid supply nozzle 60 and the dry gas supplied from the dry gas supply nozzle 70. The boundary surface of the dry region D from which the film is removed is controlled (see FIG. 17B). However, in the regions B and C closer to the center of the substrate W than the region A where the processing liquid supply nozzle 60 and the dry gas supply nozzle 70 are located, in the region B close to the region A, a slight collapse occurs in the liquid film on the boundary surface. (Refer to FIG. 17 (c)), in the region C away from the region B, the liquid film on the boundary surface completely collapses, and in some cases, the liquid film is broken to form water droplets (see FIG. 17 (d)). As described above, when the boundary surface of the liquid film is broken, a residue is generated in the substrate surface, and the substrate W is defective. In particular, in the cleaning process of the substrate W that forms a fine and high aspect ratio circuit pattern, the processing liquid (cleaning liquid) remains between the circuit patterns, and the surface tension of the processing liquid (cleaning liquid) between the circuit patterns is dominant. Then, pattern collapse occurs due to the influence of stress balance between circuit patterns. This appears as a development defect.

また、基板Ｗが疎水性を有する場合、例えば現像処理後の露光部と未露光部においては、露光部は親水性を有し、未露光部は疎水性を有する。疎水性（未露光部）においては、親水性（露光部）と同様に処理液供給ノズルの近傍では処理液の液膜と乾燥領域の境界面は維持されるが、処理液供給ノズルから離れた部分では、基板が１回転する前に乾燥するため、境界面において液膜がちぎれて水滴化し（図１７（ｄ）参照）、その液滴が基板内面側に飛散して、基板面にしみ等の汚れを来す。そして、これが現像欠陥として現れる。この現象は、特に超撥水性の保護膜を用いて露光、現像処理された後の洗浄処理においては顕著に現れる。   Further, when the substrate W has hydrophobicity, for example, in an exposed part and an unexposed part after development processing, the exposed part has hydrophilicity and the unexposed part has hydrophobicity. In the case of hydrophobicity (unexposed area), the boundary surface between the liquid film of the processing liquid and the drying area is maintained in the vicinity of the processing liquid supply nozzle in the same manner as the hydrophilicity (exposed area), but is separated from the processing liquid supply nozzle In the portion, since the substrate is dried before one rotation, the liquid film is broken at the boundary surface to form water droplets (see FIG. 17 (d)), and the droplets are scattered on the inner surface of the substrate, so that the substrate surface is stained. Will bring the dirt. This appears as a development defect. This phenomenon is particularly noticeable in a cleaning process after exposure and development processing using a super-water-repellent protective film.

一方、特許文献２に記載の技術は、表面が処理液の液膜で覆われた基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板の回転中心の上方に設けられた気体噴射手段から基板表面に環状に気体を噴射して液膜を除去して乾燥するものであるが、気体噴射手段から噴射される気体によって液膜を除去する部分に着目すると、特許文献１に記載の技術と同様であり、液膜の崩れや液ちぎれが生じる。   On the other hand, in the technique described in Patent Document 2, the substrate surface is rotated from the gas injection means provided above the rotation center of the substrate while rotating the substrate whose surface is covered with the liquid film of the processing liquid while being held horizontally. In this case, the liquid film is removed in an annular shape to remove the liquid film and dried. However, when attention is paid to the part where the liquid film is removed by the gas injected from the gas injection means, the technique is similar to the technique described in Patent Document 1. Yes, the liquid film collapses and the liquid tears.

また、特許文献２に記載の技術は特許文献１に記載の技術と比較すると、液膜と乾燥領域の境界面の制御能力は更に小さく、仮にこの境界面の制御能力を高めようとすると、非常に大量の気体を使う必要が生じて実用的でない上、気体噴射手段が上方に移動することに気体を基板外周に移動させるため外周面に行くほど境界面の制御が困難になる。   In addition, the technology described in Patent Document 2 has a smaller control capability of the boundary surface between the liquid film and the dry region than the technology described in Patent Document 1, and if it is attempted to increase the control capability of this boundary surface, In addition, it is not practical because a large amount of gas needs to be used, and the gas jetting means moves upward so that the gas moves to the outer periphery of the substrate.

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板表面に処理液の液膜を形成して処理を施し、液膜を除去して乾燥する液処理において、液膜と乾燥領域の境界面を制御することにより、基板表面の処理液の残渣防止及び液ちぎれ防止を図ると共に、基板表面の欠陥防止を図れるようにした液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a liquid processing in which a liquid film of a processing liquid is formed on a substrate surface, the processing is performed, and the liquid film is removed and dried, the boundary surface between the liquid film and the drying region The liquid processing apparatus, the liquid processing method, and the liquid processing storage medium that can prevent the residue of the processing liquid on the substrate surface and prevent the liquid from tearing, and prevent defects on the surface of the substrate, are provided. Objective.

上記課題を解決するために、この発明の第１の液処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、上記基板の表面に処理液を供給する第１の処理液供給部と、上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、上記基板に乾燥流体を供給する第２の乾燥流体供給部と、上記第１の乾燥流体供給部を上記基板の中心部から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、上記第２の乾燥流体供給部を上記基板の中心部と周縁の間における上記第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向けて移動する第２の移動機構と、上記回転機構、上記処理液供給部、上記第１及び第２の乾燥流体供給部、上記第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成し、基板の中心部から周縁に向かって上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする（請求項１）。 In order to solve the above-described problems, a first liquid processing apparatus of the present invention includes a substrate holding unit that horizontally holds a substrate, a rotation mechanism that rotates the substrate holding unit around a rotation center axis, and a surface of the substrate. A first processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the substrate, a first drying fluid supply unit that supplies a drying fluid to the substrate, a second drying fluid supply unit that supplies a drying fluid to the substrate, and A first moving mechanism for moving the first dry fluid supply unit from the center of the substrate toward the periphery; and the second dry fluid supply unit between the center and the periphery of the substrate. A second moving mechanism that moves from a second drying fluid supply start position in which the center and diameter of the substrate that do not interfere with the drying fluid supply unit are set to positions on the same circle, and moves toward the periphery of the substrate; and the rotation mechanism , The treatment liquid supply unit, and the first and second dry fluid supplies And a controller that controls the driving of the first and second moving mechanisms, and the substrate is rotated from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while the substrate is rotated by the controller. Supplying a liquid to form a liquid film, supplying a drying fluid from the first dry fluid supply unit from the center of the substrate toward the periphery to remove the liquid film on the surface of the substrate to form a dry region; When the first dry fluid supply section moves to a position on the same circle where the center and diameter of the substrate are the same as the second dry fluid supply start position, the second dry fluid supply start position moves from the second dry fluid supply start position to the periphery of the substrate. The drying fluid is supplied from the second drying fluid supply unit to the boundary surface between the liquid film and the drying region, and the first drying fluid supply unit and the second drying fluid supply unit are disposed on the periphery of the substrate. It moves concentrically toward the direction (Claim 1).

請求項１に記載の液処理装置において、上記第２の乾燥流体供給部を複数設け、これら複数の第２の乾燥流体供給部を上記第２の移動機構によって移動可能に形成するのが好ましい（請求項２）。また、上記第２の乾燥流体供給部を基板の周縁に向かって凸状円弧状に形成してもよい（請求項３）。   In the liquid processing apparatus according to claim 1, it is preferable that a plurality of the second dry fluid supply units are provided, and the plurality of second dry fluid supply units are formed to be movable by the second moving mechanism ( Claim 2). In addition, the second dry fluid supply unit may be formed in a convex arc shape toward the periphery of the substrate.

請求項１ないし３のいずれかに記載の液処理装置において、上記第１の処理液供給部を基板の中心から周縁に向かって移動する第３の移動機構を更に具備し、上記制御部によって上記第３の移動機構の駆動を制御するようにしてもよい（請求項４）。この場合、上記第１の乾燥流体供給部が上記第１の処理液供給部の移動方向に対して後方側に配設され、上記第１の処理液供給部の移動に追従して上記第１の乾燥流体供給部が移動するのが好ましい（請求項５）。また、上記第１の移動機構と第３の移動機構を共通の移動機構とするのが好ましい（請求項６）。   4. The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a third moving mechanism that moves the first processing liquid supply unit from a center of the substrate toward a peripheral edge, and the control unit performs the above-described operation. You may make it control the drive of a 3rd moving mechanism (Claim 4). In this case, the first dry fluid supply unit is disposed on the rear side with respect to the moving direction of the first processing liquid supply unit, and follows the movement of the first processing liquid supply unit. It is preferable that the dry fluid supply part of the second part moves. Preferably, the first moving mechanism and the third moving mechanism are a common moving mechanism.

また、請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理装置において、上記第２の乾燥流体供給部を上記基板保持部により保持された基板の周縁より外方に待機させる待機位置を具備し、上記制御部により、上記第１の乾燥流体供給部が基板の中心部から周縁に向かって移動の際には、上記第２の乾燥流体供給部は上記待機位置に位置し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給部を上記第２の乾燥流体供給開始位置に移動し、その後、上記第１の乾燥流体供給部と上記第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動するのが好ましい（請求項７）。 The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a standby position for waiting the second dry fluid supply unit outward from the periphery of the substrate held by the substrate holding unit, When the first drying fluid supply unit moves from the center of the substrate toward the periphery by the control unit, the second drying fluid supply unit is positioned at the standby position, and the first drying fluid supply unit When the fluid supply unit moves to a position on the same circle where the center and diameter of the substrate are the same as the second dry fluid supply start position, the second dry fluid supply unit is set to the second dry fluid supply start position. It is preferable that the first dry fluid supply unit and the second dry fluid supply unit be moved concentrically toward the periphery of the substrate.

また、請求項１ないし７のいずれかに記載の液処理装置において、上記基板の周縁部における上記第２の乾燥流体供給部からの乾燥流体の供給を、上記第１の乾燥流体供給部からの供給より前に停止するのが好ましい（請求項８）。   Further, in the liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, supply of the drying fluid from the second drying fluid supply unit at the peripheral portion of the substrate is performed from the first drying fluid supply unit. It is preferable to stop before supply (Claim 8).

また、この発明の第２の液処理装置は、請求項１に記載の液処理装置において、上記基板に処理液を供給する第２の処理液供給部と、上記第２の処理液供給部と上記第２の乾燥流体供給部とを上記第２の処理液供給部を先にして基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を更に具備し、上記制御部により、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする（請求項９）。この場合、上記第２の処理液供給部、第２の乾燥流体供給部及び第２の移動機構を複数設けるのが好ましい（請求項１０）。 According to a second liquid processing apparatus of the present invention, in the liquid processing apparatus according to claim 1, a second processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate, the second processing liquid supply unit, The second dry fluid supply unit does not interfere with the first process liquid supply unit and the first dry fluid supply unit between the center and the periphery of the substrate with the second process liquid supply unit first. A second moving mechanism that moves from the second processing liquid supply start position and the second drying fluid supply start position, which are set to positions on the same circle, with the center and diameter of the substrate moving toward the periphery, and the second And a control unit that controls driving of the second moving mechanism, and the control unit causes the first processing liquid supply unit and the first dry fluid supply unit to be in the second state. center and diameter processing solution supply start position and a second drying fluid supply start position and the substrate is Flip when moving to the position on the circle, the second processing liquid supply start position and the liquid film from the second from the drying fluid supply start position toward the periphery of the substrate the second processing liquid supply unit drying area And supplying a drying fluid from a second drying fluid supply unit, the first processing solution supply unit, the first drying fluid supply unit, and the second processing solution supply unit. And the second dry fluid supply section moves concentrically toward the periphery of the substrate (claim 9). In this case, it is preferable to provide a plurality of the second processing liquid supply unit, the second dry fluid supply unit, and the second moving mechanism.

また、この発明の第３の液処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、上記基板に処理液を供給する第１及び第２の処理液供給部と、上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、上記第１の処理液供給部と上記第１の乾燥流体供給部とを上記第１の処理液供給部を先にして基板の中心から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、上記第２の処理液供給部を基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、上記回転機構、第１及び第２の処理液供給部、第１の乾燥流体供給部、第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成すると共に、上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする（請求項１１）。この場合、上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構を複数設けるのが好ましい（請求項１２）。 According to a third liquid processing apparatus of the present invention, there is provided a substrate holding part for holding the substrate horizontally, a rotating mechanism for rotating the substrate holding part around a rotation center axis, and a first for supplying the processing liquid to the substrate. And a second processing liquid supply unit, a first drying fluid supply unit that supplies a drying fluid to the substrate, the first processing liquid supply unit, and the first drying fluid supply unit. A first moving mechanism that moves from the center of the substrate toward the peripheral edge with the processing liquid supply portion first, and the first processing liquid supply portion between the center and the peripheral edge of the substrate. And a second moving mechanism that moves from the second treatment liquid supply start position set to a position on the same circle where the center and diameter of the substrate do not interfere with the first dry fluid supply unit to move toward the periphery, and Rotating mechanism, first and second processing liquid supply units, first dry fluid supply unit, first and first And a control unit that controls the driving of the moving mechanism, and the control unit supplies the processing liquid from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while rotating the substrate. And a drying fluid is supplied from the first drying fluid supply unit to remove the liquid film on the substrate surface to form a drying region, and the first processing liquid supply unit and the first drying fluid supply are formed. When the portion moves to a position on the same circle where the center and diameter of the substrate are the same as the second processing liquid supply start position, the second processing liquid is moved from the second processing liquid supply start position toward the periphery of the substrate. A processing liquid is supplied from the liquid supply unit to the boundary surface between the liquid film and the drying region, and the first processing liquid supply unit, the first drying fluid supply unit, and the second processing liquid supply unit are connected to the periphery of the substrate. It moves to concentric shape toward the (claim 11). In this case, it is preferable to provide a plurality of the second processing liquid supply unit and the second moving mechanism.

この発明の第１の液処理方法は、基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する工程と、を具備することを特徴とする（請求項１３）。 According to the first liquid processing method of the present invention, the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while holding the substrate horizontally and rotating around the central axis of the substrate. A step of forming a liquid film on the surface of the substrate; and the center and diameter of the substrate on the same circle so that the first dry fluid supply unit does not interfere with the first dry fluid supply unit while rotating the substrate When the second dry fluid supply start position set at the position and the center and diameter of the substrate move to a position on the same circle , the second dry fluid supply start position moves from the second dry fluid supply start position toward the periphery. A drying fluid is supplied from the drying fluid supply unit to the boundary surface between the liquid film and the drying region, and the first drying fluid supply unit and the second drying fluid supply unit are concentrically formed toward the periphery of the substrate. And a moving step. (Claim 13) .

また、この発明の第２の液処理方法は、請求項１３に記載の液処理方法において、上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の処理液供給部に追従して上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給し、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する工程と、を更に具備することを特徴とする（請求項１４）。 According to a second liquid processing method of the present invention, in the liquid processing method according to claim 13, the first dry fluid supply unit interferes with the first dry fluid supply unit while rotating the substrate. When the second processing liquid supply start position where the center and diameter of the substrate are set to the same circle position and the position where the center and diameter of the substrate move to the same circle position , the second processing liquid supply is performed. The processing liquid is supplied to the boundary surface between the liquid film and the drying region from the second processing liquid supply unit that moves from the start position toward the periphery, and the second drying is performed following the second processing liquid supply unit. A drying fluid is supplied to the boundary surface between the liquid film and the drying region from a second drying fluid supply unit that moves toward the periphery from the fluid supply start position, and the first drying fluid supply unit and the second processing liquid supply And the second dry fluid supply unit concentrically toward the periphery of the substrate Further characterized by comprising the steps of moving to (claim 14).

また、この発明の第３の液処理方法は、基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する工程と、を具備することを特徴とする（請求項１５）。 The third liquid processing method of the present invention supplies the processing liquid from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while holding the substrate horizontally and rotating it around the central axis of the substrate. Forming the liquid film on the surface of the substrate, and the center and diameter of the substrate are the same so that the first drying fluid supply unit does not interfere with the first drying fluid supply unit while rotating the substrate. When the second processing liquid supply start position set at a position on the circle and the center and diameter of the substrate move to the same circular position , the substrate moves from the second processing liquid supply start position toward the periphery. A processing liquid is supplied from the second processing liquid supply unit to the boundary surface between the liquid film and the drying region, and the first drying fluid supply unit and the second processing liquid supply unit are concentrically arranged toward the periphery of the substrate. And a step of moving in a shape (claim 15).

請求項１３ないし１５のいずれかに記載の液処理方法において、上記第１の処理液供給部を基板の表面の中心部から周縁に向かって移動し、上記第１の処理液供給部から処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成すると共に、上記第１の処理液供給部に追従する第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成するようにしてもよい（請求項１６）。   16. The liquid processing method according to claim 13, wherein the first processing liquid supply unit is moved from the center of the surface of the substrate toward the periphery, and the processing liquid is transferred from the first processing liquid supply unit. To form a liquid film on the surface of the substrate, and supply a drying fluid from a first drying fluid supply unit that follows the first processing liquid supply unit to remove the liquid film on the substrate surface. A dry region may be formed (claim 16).

この発明の液処理用記憶媒体は、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、上記制御プログラムは、実行時に請求項１３ないし１６のいずれかに記載の工程が実行されるように、コンピュータが液処理装置を制御するものである、ことを特徴とする（請求項１７）。   The liquid processing storage medium according to the present invention is a computer-readable storage medium storing software for causing a computer to execute a control program, and the control program is executed according to any one of claims 13 to 16. The computer controls the liquid processing apparatus so that the following process is executed (claim 17).

この発明の第１の液処理装置（方法）によれば、基板を水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して基板の表面に液膜を形成し、次いで、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する。その後、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部（又は第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部）が第１の乾燥流体供給部と干渉しない基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、第１の乾燥流体供給部（又は第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部）と第２の乾燥流体供給部を基板の周縁に向かって同心円状に移動することにより、基板表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域の境界面を制御して処理液の残渣や液ちぎれを防止することができる。 According to the first liquid processing apparatus (method) of the present invention, the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while the substrate is held horizontally and rotated around the central axis. Then, a liquid film is formed on the surface of the substrate, and then, while rotating the substrate, the drying fluid is supplied from the center of the surface of the substrate toward the peripheral edge of the substrate by rotating the substrate, and the liquid on the surface of the substrate is The film is removed to form a dry area. Thereafter, while rotating the substrate, the center and diameter of the substrate are such that the first drying fluid supply unit (or the first processing liquid supply unit and the first drying fluid supply unit) does not interfere with the first drying fluid supply unit. When the second dry fluid supply start position set at the same circle position and the center and diameter of the substrate move to the same circle position , the second dry fluid supply start position moves toward the periphery. The drying fluid is supplied from the second drying fluid supply unit to the boundary surface between the liquid film and the drying region, and the first drying fluid supply unit (or the first processing liquid supply unit and the first drying fluid supply unit) is supplied. And the second dry fluid supply section are moved concentrically toward the peripheral edge of the substrate, thereby controlling the boundary between the liquid film formed on the substrate surface and the dry region formed by removing the liquid film. It is possible to prevent residue of the processing liquid and liquid tearing.

この発明の第２の液処理装置（方法）によれば、基板を水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して基板の表面に液膜を形成し、次いで、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する。その後、基板を回転させながら、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が第１の乾燥流体供給部と干渉しない基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部から液膜と乾燥領域の境界面に処理液及び乾燥流体を供給すると共に、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を基板の周縁に向かって同心円状に移動することにより、基板表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域の境界面を制御して処理液の残渣や液ちぎれを防止することができる。 According to the second liquid processing apparatus (method) of the present invention, the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while the substrate is held horizontally and rotated around the central axis. Then, a liquid film is formed on the surface of the substrate, and then, while rotating the substrate, the drying fluid is supplied from the center of the surface of the substrate toward the peripheral edge of the substrate by rotating the substrate, and the liquid on the surface of the substrate is The film is removed to form a dry area. Thereafter, while rotating the substrate, the first processing liquid supply unit and the first dry fluid supply unit are set to positions on the same circle where the center and diameter of the substrate do not interfere with the first dry fluid supply unit. When the second processing liquid supply start position and the second drying fluid supply start position and the center and diameter of the substrate move to the same circle , the second processing liquid supply start position and the second drying fluid supply The processing liquid and the drying fluid are supplied to the boundary surface between the liquid film and the drying region from the second processing liquid supply unit and the second drying fluid supply unit that move from the start position toward the periphery, and the first processing liquid supply The liquid film and the liquid formed on the substrate surface by moving the first and second drying fluid supply units, the second processing liquid supply unit, and the second drying fluid supply unit concentrically toward the periphery of the substrate. Process liquid by controlling the boundary surface of the dry area formed by removing the film The residue and liquid tearing can be prevented.

この発明の第３の液処理装置（方法）によれば、基板を水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して基板の表面に液膜を形成し、次いで、基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する。その後、基板を回転させながら、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が第１の乾燥流体供給部と干渉しない基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部を基板の周縁に向かって同心円状に移動することにより、基板表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域の境界面を制御して処理液の残渣や液ちぎれを防止することができる。この第３の液処理装置（方法）は、特に基板表面に超撥水性の膜が形成された場合において液膜と乾燥領域の境界面の液ちぎれを抑制できる点で効果的である。
According to the third liquid processing apparatus (method) of the present invention, the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while the substrate is held horizontally and rotated around the central axis. Then, a liquid film is formed on the surface of the substrate, and then, while rotating the substrate, the drying fluid is supplied from the center of the surface of the substrate toward the peripheral edge of the substrate by rotating the substrate, and the liquid on the surface of the substrate is supplied. The film is removed to form a dry area. Thereafter, while rotating the substrate, the first processing liquid supply unit and the first dry fluid supply unit are set to positions on the same circle where the center and diameter of the substrate do not interfere with the first dry fluid supply unit. When the processing liquid supply start position of No. 2 and the center and diameter of the substrate move to the same circular position , the liquid from the second processing liquid supply section moves from the second processing liquid supply start position toward the periphery. The processing liquid is supplied to the boundary surface between the film and the drying region, and the first processing liquid supply unit, the first drying fluid supply unit, and the second processing liquid supply unit are moved concentrically toward the peripheral edge of the substrate. Thus, the liquid film formed on the substrate surface and the boundary surface of the dry region formed by removing the liquid film can be controlled to prevent the residue and tearing of the processing liquid. This third liquid processing apparatus (method) is effective in that the liquid tearing of the boundary surface between the liquid film and the dry region can be suppressed particularly when a super water-repellent film is formed on the substrate surface.

この発明によれば、基板表面に処理液の液膜を形成して処理を施し、液膜を除去して乾燥する液処理において、液膜と乾燥領域の境界面を制御することにより、基板表面の処理液の残渣防止及び液ちぎれの防止を図ることができると共に、基板表面の欠陥防止を図ることができる。   According to the present invention, in the liquid processing in which the liquid film of the processing liquid is formed on the surface of the substrate, the processing is performed, and the liquid film is removed and dried, by controlling the interface between the liquid film and the drying region, In addition to preventing residues of the treatment liquid and preventing liquid tearing, it is possible to prevent defects on the substrate surface.

この発明に係る液処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing an entire processing system in which an exposure apparatus is connected to a coating / development processing apparatus to which a liquid processing apparatus according to the present invention is applied. 上記処理システムの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the said processing system. この発明の第１実施形態に係る液処理装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。1 is a schematic longitudinal sectional view of a development processing apparatus to which a liquid processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied. 上記第１実施形態に係る液処理装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid processing apparatus which concerns on the said 1st Embodiment. この発明の第１実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 1st Embodiment of this invention. この発明の第２実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 2nd Embodiment of this invention. この発明の第３実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 3rd Embodiment of this invention. この発明の第４実施形態に係る液処理装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the image development processing apparatus to which the liquid processing apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention is applied. 上記第４実施形態に係る液処理装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid processing apparatus which concerns on the said 4th Embodiment. この発明の第４実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 4th Embodiment of this invention. この発明の第５実施形態に係る液処理装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the image development processing apparatus to which the liquid processing apparatus concerning 5th Embodiment of this invention is applied. 上記第５実施形態に係る液処理装置を示す平面図である。It is a top view which shows the liquid processing apparatus which concerns on the said 5th Embodiment. この発明の第５実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 5th Embodiment of this invention. この発明の第６実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 6th Embodiment of this invention. この発明の第７実施形態に係る液処理方法の一例の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of an example of the liquid processing method which concerns on 7th Embodiment of this invention. この発明の第７実施形態に係る液処理方法の別の例の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of another example of the liquid processing method which concerns on 7th Embodiment of this invention. この発明の第８実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the process of the liquid processing method which concerns on 8th Embodiment of this invention. 第８実施形態に係る液処理方法の工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the process of the liquid processing method which concerns on 8th Embodiment. 従来の液処理方法における基板に対する処理液供給ノズルと乾燥ガス供給ノズルの位置関係を示す概略平面図（ａ）及び（ａ）の領域Ａ，Ｂ，Ｃの概略断面図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）である。Schematic plan views (a) showing the positional relationship between the processing liquid supply nozzle and the dry gas supply nozzle with respect to the substrate in the conventional liquid processing method, and schematic cross-sectional views (b) and (c) of regions A, B, and C in FIG. (D).

以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る液処理装置を基板洗浄装置に適用し、塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムに適用した場合について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the liquid processing apparatus according to the present invention is applied to a substrate cleaning apparatus and applied to a processing system in which an exposure processing apparatus is connected to a coating / development processing apparatus will be described.

上記処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚を密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。   The processing system includes a carrier station 1 for carrying in / out a carrier 10 for hermetically storing a plurality of, for example, 25 semiconductor wafers W (hereinafter referred to as wafers W), which are substrates to be processed, and a carrier station 1 for taking out the carrier 10. A processing unit 2 that performs resist coating, development processing, and the like on the wafer W, an exposure unit 4 that performs immersion exposure of the surface of the wafer W in a state where a liquid layer that transmits light is formed on the surface of the wafer W, and the processing unit 2. And an exposure unit 4, and an interface unit 3 that transfers the wafer W.

キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。   The carrier station 1 includes a mounting unit 11 on which a plurality of carriers 10 can be placed side by side, an opening / closing unit 12 provided on a front wall as viewed from the mounting unit 11, and a wafer from the carrier 10 via the opening / closing unit 12. Delivery means A1 for taking out W is provided.

また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２にはキャリアステーション１から見て左手手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を配置し、右手に液処理ユニットＵ４，Ｕ５を配置する。棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３の間に、各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３が棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に配設されている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。   Further, a processing unit 2 surrounded by a casing 20 is connected to the back side of the carrier station 1, and the processing unit 2 has a heating / cooling system in order from the left front side when viewed from the carrier station 1. Shelving units U1, U2, and U3 having multiple units are arranged, and liquid processing units U4 and U5 are arranged on the right hand. Between the shelf units U1, U2, and U3, main transfer means A2 and A3 for transferring the wafer W between the units are provided alternately with the shelf units U1, U2, and U3. The main transport means A2 and A3 include one surface portion on the shelf unit U1, U2 and U3 side arranged in the front-rear direction when viewed from the carrier station 1, and one surface portion on the right liquid processing unit U4 and U5 side which will be described later. And a space surrounded by a partition wall 21 constituted by a rear surface portion forming one surface on the left side. Further, between the carrier station 1 and the processing unit 2 and between the processing unit 2 and the interface unit 3, a temperature / humidity provided with a temperature control device for the processing liquid used in each unit, a duct for temperature / humidity control, and the like. An adjustment unit 22 is arranged.

インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。   The interface unit 3 includes a first transfer chamber 3A and a second transfer chamber 3B that are provided between the processing unit 2 and the exposure unit 4 in the front-rear direction, and includes a first wafer transfer unit 30A and a second transfer chamber 3B, respectively. A second wafer transfer unit 30B is provided.

棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＨＰ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ）等が含まれる。また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３、塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。この発明に係る液処理装置である基板洗浄装置は現像ユニット（ＤＥＶ）２５に設けられている。   The shelf units U1, U2, and U3 are configured such that various units for performing pre-processing and post-processing of the processing performed in the liquid processing units U4 and U5 are stacked in a plurality of stages, for example, 10 stages. A heating unit (HP) for heating (baking) the wafer W, a cooling unit (CPL) for cooling the wafer W, and the like are included. In addition, as shown in FIG. 2, for example, the liquid processing units U4 and U5 include a bottom antireflection film coating unit (BCT) 23 for coating an antireflection film on a chemical solution storage unit such as a resist or a developer, and a coating unit ( COT) 24, a developing unit (DEV) 25 for supplying a developing solution to the wafer W and developing it, and the like are stacked in a plurality of stages, for example, five stages. A substrate cleaning apparatus which is a liquid processing apparatus according to the present invention is provided in a developing unit (DEV) 25.

次に、上記の処理システムにおけるウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず外部からウエハＷの収納されたキャリア１０が載置台１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットを介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、棚ユニットＵ１〜Ｕ３内の一つの棚にて、塗布処理の前処理として、反射防止膜の形成や冷却ユニットによる基板の温度調整などが行われる。   Next, the flow of the wafer W in the above processing system will be briefly described. First, when the carrier 10 in which the wafer W is stored is placed on the mounting table 11 from the outside, the lid of the carrier 10 is removed together with the opening / closing part 12, and the wafer W is taken out by the transfer means A1. Then, the wafer W is transferred to the main transfer means A2 through a transfer unit that forms one stage of the shelf unit U1, and the antireflection film is pre-processed as a pretreatment of the coating process on one shelf in the shelf units U1 to U3. The temperature of the substrate is adjusted by formation or a cooling unit.

その後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは塗布ユニット（ＣＯＴ）２４内に搬入され、ウエハＷの表面にレジスト膜が成膜される。レジスト膜が成膜されたウエハＷは主搬送手段Ａ２により外部に搬出され、加熱ユニットに搬入されて所定の温度でベーク処理がなされる。ベーク処理を終えたウエハＷは、冷却ユニットにて冷却された後、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へと搬入され、このインターフェース部３を介して露光部４内に搬入される。なお、液浸露光用の保護膜をレジスト膜の上に塗布する場合には、上記冷却ユニットにて冷却された後、処理部２における図示しないユニットにて保護膜用の薬液の塗布が行われる。その後、ウエハＷは露光部４に搬入されて液浸露光が行われる。このとき、液浸露光の前にインターフェース部３に設けられた図示しないこの発明の基板洗浄装置にて洗浄するようにしてもよい。   Thereafter, the wafer W is carried into the coating unit (COT) 24 by the main transfer means A2, and a resist film is formed on the surface of the wafer W. The wafer W on which the resist film has been formed is unloaded by the main transfer means A2, loaded into the heating unit, and baked at a predetermined temperature. The wafer W that has been baked is cooled by the cooling unit, and then transferred to the interface unit 3 via the transfer unit of the shelf unit U3, and then transferred into the exposure unit 4 via the interface unit 3. The In the case where a protective film for immersion exposure is applied on the resist film, after cooling by the cooling unit, a chemical solution for protective film is applied in a unit (not shown) in the processing unit 2. . Thereafter, the wafer W is carried into the exposure unit 4 and immersion exposure is performed. At this time, cleaning may be performed by a substrate cleaning apparatus of the present invention (not shown) provided in the interface unit 3 before immersion exposure.

液浸露光を終えたウエハＷは第２のウエハ搬送部３０Ｂにより露光部４から取り出され、棚ユニットＵ６の一段をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬入される。その後、ウエハＷは第１のウエハ搬送部３０Ａによって加熱ユニット（ＰＥＢ）から搬出され、主搬送手段Ａ３に受け渡される。そしてこの主搬送手段Ａ３により現像ユニット２５内に搬入される。現像ユニット２５では、現像処理に兼用するこの発明に係る基板洗浄装置により基板の現像が行われ、更に洗浄が行われる。その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ３により現像ユニット２５から搬出され、主搬送手段Ａ２、受け渡し手段Ａ１を経由して載置台１１上の元のキャリア１０へと戻される。   The wafer W that has been subjected to the immersion exposure is taken out from the exposure unit 4 by the second wafer transfer unit 30B and is carried into a heating unit (PEB) that forms one stage of the shelf unit U6. Thereafter, the wafer W is unloaded from the heating unit (PEB) by the first wafer transfer unit 30A and transferred to the main transfer means A3. Then, it is carried into the developing unit 25 by this main transport means A3. In the developing unit 25, the substrate is developed by the substrate cleaning apparatus according to the present invention, which is also used for the developing process, and further cleaning is performed. Thereafter, the wafer W is unloaded from the developing unit 25 by the main transfer unit A3, and returned to the original carrier 10 on the mounting table 11 via the main transfer unit A2 and the transfer unit A1.

＜第１実施形態＞
この発明の基板洗浄装置を現像処理装置に組み合わせた実施の形態について図３及び図４を参照して説明する。 <First Embodiment>
An embodiment in which the substrate cleaning apparatus of the present invention is combined with a development processing apparatus will be described with reference to FIGS.

図３及び図４に示すように、上記基板洗浄装置１００は、ケーシング２６内に、ウエハＷの裏面中央部を吸引吸着して水平姿勢に保持する基板保持部であるスピンチャック３０を具備している。スピンチャック３０は軸部３１を介して、例えばサーボモータ等の回転機構３２と連結されており、この回転機構３２によりウエハＷを保持した状態で回転可能なように構成されている。なお、回転機構３２は、制御手段である制御コンピュータ９０の制御部９０ａに電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの制御信号に基づいてスピンチャック３０の回転数が制御される。また、ケーシング２６には、ウエハＷの搬入出口２７が設けられ、この搬入出口２７にはシャッタ２８が開閉可能に配設されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the substrate cleaning apparatus 100 includes a spin chuck 30 that is a substrate holding unit that sucks and sucks the central portion of the back surface of the wafer W and holds it in a horizontal position in the casing 26. Yes. The spin chuck 30 is connected to a rotation mechanism 32 such as a servo motor via a shaft portion 31 and is configured to be rotatable while the wafer W is held by the rotation mechanism 32. The rotation mechanism 32 is electrically connected to a control unit 90a of a control computer 90 that is a control means, and the number of rotations of the spin chuck 30 is controlled based on a control signal from the control computer 90. Also, the casing 26 is provided with a loading / unloading port 27 for the wafer W, and a shutter 28 is disposed at the loading / unloading port 27 so as to be opened and closed.

上記スピンチャック３０上のウエハＷの側方を囲むようにして上方側が開口するカップ体４０が設けられている。このカップ体４０は、円筒状の外カップ４１と、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ４２とからなり、外カップ４１の下端部に接続された例えばシリンダ等の昇降機構４３により外カップ４１が昇降し、更に内カップ４２は外カップ４１の下端側内周面に形成された段部に押し上げられて昇降可能なように構成されている。なお、昇降機構４３は、制御コンピュータ９０に電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの制御信号に基づいて外カップ４１が昇降するように構成されている。   A cup body 40 having an opening on the upper side is provided so as to surround the side of the wafer W on the spin chuck 30. The cup body 40 includes a cylindrical outer cup 41 and a cylindrical inner cup 42 whose upper side is inclined inward. The outer cup 41 is connected to the lower end of the outer cup 41 by an elevating mechanism 43 such as a cylinder. 41 is moved up and down, and the inner cup 42 is configured to be lifted and lowered by being pushed up by a step formed on the inner peripheral surface of the lower end side of the outer cup 41. The lifting mechanism 43 is electrically connected to the control computer 90, and is configured so that the outer cup 41 moves up and down based on a control signal from the control computer 90.

また、スピンチャック３０の下方側には円形板４４が設けられており、この円形板４４の外側には断面が凹部状に形成された液受け部４５が全周に亘って設けられている。液受け部４５の底面にはドレイン排出口４６が形成されており、ウエハＷからこぼれ落ちるか、あるいは振り切られて液受け部４５に貯留された現像液や洗浄液は、このドレイン排出口４６を介して装置の外部に排出される。また円形板４４の外側には断面山形のリング部材４７が設けられている。なお、円形板４４を貫通する例えば３本の基板支持ピンである昇降ピン（図示せず）が設けられており、この昇降ピンと基板搬送手段（図示せず）との協働作用によりウエハＷはスピンチャック３０に受け渡しされるように構成されている。   A circular plate 44 is provided on the lower side of the spin chuck 30, and a liquid receiving portion 45 whose cross section is formed in a concave shape is provided around the entire circumference of the circular plate 44. A drain discharge port 46 is formed on the bottom surface of the liquid receiving part 45, and the developer and the cleaning liquid spilled from the wafer W or shaken off and stored in the liquid receiving part 45 are passed through the drain discharge port 46. Discharged outside the device. A ring member 47 having a mountain-shaped cross section is provided outside the circular plate 44. Incidentally, for example, three lift pins (not shown) which are substrate support pins penetrating the circular plate 44 are provided, and the wafer W is caused to cooperate by the lift pins and the substrate transfer means (not shown). It is configured to be delivered to the spin chuck 30.

一方、スピンチャック３０に保持されたウエハＷの上方側には、現像液ノズル５０と、ウエハ表面に処理液例えば洗浄液を供給する第１の処理液供給部である洗浄液ノズル６０と、洗浄液ノズル６０からの洗浄液の供給により形成された液膜に乾燥流体であるガス、例えばＮ２（窒素），Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスを吐出（供給）して乾燥領域Ｄを形成する第１の乾燥流体供給部である第１のガスノズル７０及び乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する溶解生成物を含む洗浄液を除去する第２の乾燥流体供給部である第２のガスノズル８０が昇降可能及び水平移動可能に設けられている。   On the other hand, on the upper side of the wafer W held by the spin chuck 30, a developing solution nozzle 50, a cleaning solution nozzle 60 that is a first processing solution supply unit that supplies a processing solution, for example, a cleaning solution to the wafer surface, and a cleaning solution nozzle 60. First drying that forms a dry region D by discharging (supplying) an inert gas such as N2 (nitrogen) or Ar (argon) to a liquid film formed by supplying a cleaning liquid from The first gas nozzle 70 that is a fluid supply unit and the second gas nozzle 80 that is a second dry fluid supply unit that removes cleaning liquid containing dissolved products remaining between circuit patterns in the drying region D can be moved up and down and moved horizontally. It is provided as possible.

現像液ノズル５０は、例えば、スピンチャック３０に保持されたウエハＷに、帯状に現像液を供給するスリット状の吐出口５０Ａを備えている。この吐出口５０Ａは、長手方向がウエハＷの直径方向に沿うように配置されている。現像液ノズル５０は、流量調整器５２を介設した現像液供給管５１を介して現像液供給源５３に接続されている。現像液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器５２で調整される。   The developer nozzle 50 includes, for example, a slit-like discharge port 50 </ b> A that supplies the developer to the wafer W held by the spin chuck 30 in a strip shape. The discharge ports 50A are arranged such that the longitudinal direction is along the diameter direction of the wafer W. The developer nozzle 50 is connected to a developer supply source 53 via a developer supply pipe 51 provided with a flow rate regulator 52. The flow rate and supply time of the developer are adjusted by a flow rate regulator 52 such as a flow rate adjustment valve.

また、現像液ノズル５０は支持部材であるノズルアーム５５の一端側に支持されており、このノズルアーム５５の他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５６と接続されている。更に、移動基台５６は、例えばケーシング２６の底面にてＸ方向に伸びるガイド部材５７に沿って、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構２００により横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の一方の外側には、現像液ノズル５０の待機部５８が設けられ、この待機部５８ではノズル先端部の洗浄などが行われる。   Further, the developer nozzle 50 is supported on one end side of a nozzle arm 55 as a support member, and the other end side of the nozzle arm 55 is connected to a moving base 56 provided with an elevating mechanism (not shown). Further, the moving base 56 can be moved in the lateral direction by a nozzle moving mechanism 200 such as a ball screw mechanism or a timing belt mechanism, for example, along a guide member 57 extending in the X direction on the bottom surface of the casing 26. It is configured. Further, a standby portion 58 of the developer nozzle 50 is provided on one outer side of the cup 40, and the nozzle tip is cleaned in the standby portion 58.

また、スピンチャック３０の上方には、洗浄液ノズル６０が設けられ、流量調整器６２を介設した洗浄液供給管６１を介して洗浄液供給源６３に接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２で調整される。   A cleaning liquid nozzle 60 is provided above the spin chuck 30 and is connected to a cleaning liquid supply source 63 via a cleaning liquid supply pipe 61 provided with a flow rate regulator 62. The flow rate and supply time of the cleaning liquid are adjusted by a flow rate regulator 62 such as a flow rate adjustment valve.

洗浄液供給源６３には、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１は、流量調整器６２を含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、洗浄液ノズル６０からウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。   For example, a temperature regulator (not shown) equipped with a heating device such as a heater is connected to the cleaning liquid supply source 63 to adjust the cleaning liquid to a predetermined temperature. Further, the cleaning liquid supply pipe 61 is surrounded by a temperature maintaining member (not shown) including a heat insulating member including the flow rate regulator 62, and when the cleaning liquid is supplied onto the wafer W from the cleaning liquid nozzle 60. Until then, the cleaning liquid is maintained at a predetermined temperature.

また、洗浄液ノズル６０は、図４に示すように、ノズル保持部６５を介してノズルアーム６６に固定されており、このノズルアーム６６は昇降機構を備えた移動基台６７と接続されている。この移動基台６７は、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構３００により、例えばガイド部材５７Ａに沿って現像液ノズル５０と干渉しないで横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の現像液ノズル５０の待機部５８の他方の外側には、洗浄液ノズル６０の待機部６８が設けられている。   Further, as shown in FIG. 4, the cleaning liquid nozzle 60 is fixed to a nozzle arm 66 via a nozzle holding portion 65, and this nozzle arm 66 is connected to a moving base 67 provided with an elevating mechanism. The moving base 67 is configured to be movable in the lateral direction without interfering with the developer nozzle 50, for example, along the guide member 57A by a nozzle moving mechanism 300 including, for example, a ball screw mechanism or a timing belt mechanism. ing. Further, a standby unit 68 of the cleaning liquid nozzle 60 is provided on the other outer side of the standby unit 58 of the developer nozzle 50 of the cup 40.

第１のガスノズル７０は、ガス流量調整器７２を介設したガス供給管７１を介してガス供給源７３に接続されている。また第１のガスノズル７０は、例えば洗浄液ノズル６０と共通のノズル保持部６５に固定されており、ノズルアーム６６により洗浄液ノズル６０と一体的に移動するように構成されている。   The first gas nozzle 70 is connected to a gas supply source 73 via a gas supply pipe 71 provided with a gas flow rate regulator 72. The first gas nozzle 70 is fixed to, for example, a nozzle holding portion 65 common to the cleaning liquid nozzle 60, and is configured to move integrally with the cleaning liquid nozzle 60 by a nozzle arm 66.

一方、第２のガスノズル８０は、ガス流量調整器８２を介設したガス供給管８１を介してガス供給源８３に接続されている。また第２のガスノズル８０は、ノズル保持部８５を介してノズルアーム８６に固定されており、このノズルアーム８６は昇降機構を備えた移動基台８７と接続されている。この移動基台８７は、ノズル移動機構４００により、例えば上記ガイド部材５７Ａに沿って現像ノズル５０，洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と干渉しない横方向に移動可能に構成されている。また、カップ４０の洗浄ノズル６０の待機部６８の他方の外側に、第２のガスノズル８０の待機位置８８が設けられている。   On the other hand, the second gas nozzle 80 is connected to a gas supply source 83 via a gas supply pipe 81 provided with a gas flow rate regulator 82. The second gas nozzle 80 is fixed to a nozzle arm 86 via a nozzle holding portion 85, and the nozzle arm 86 is connected to a moving base 87 provided with an elevating mechanism. The moving base 87 is configured to be movable in the lateral direction by the nozzle moving mechanism 400 so as not to interfere with the developing nozzle 50, the cleaning nozzle 60, and the first gas nozzle 70, for example, along the guide member 57A. Further, a standby position 88 of the second gas nozzle 80 is provided on the other outer side of the standby portion 68 of the cleaning nozzle 60 of the cup 40.

現像液ノズル５０を移動させるためのノズル移動機構２００、洗浄液ノズル６０、第１のガスノズル７０及び第２のガスノズル８０を移動させるためのノズル移動機構３００，４００、スピンチャック３０を回転させる回転機構３２及びカップ４０の昇降機構４３、現像液、洗浄液、ガスの流量を調整する流量調整器５２，６２，７２，８２は、制御部９０ａにより制御される。   A nozzle moving mechanism 200 for moving the developer nozzle 50, a cleaning liquid nozzle 60, nozzle moving mechanisms 300 and 400 for moving the first gas nozzle 70 and the second gas nozzle 80, and a rotating mechanism 32 for rotating the spin chuck 30. Further, the elevating mechanism 43 of the cup 40, the flow rate adjusters 52, 62, 72, and 82 for adjusting the flow rates of the developing solution, the cleaning solution, and the gas are controlled by the control unit 90a.

制御部９０ａは制御コンピュータ９０に内蔵されており、制御コンピュータ９０は、制御部９０ａの他に、基板洗浄装置１００が行う後述の動作における各処理工程を実行するためのプログラムを格納する制御プログラム格納部９０ｂと、読取部９０ｃを内蔵している。また、制御コンピュータ９０は、制御部９０ａに接続された入力部９０ｅと、処理工程を作成するための処理工程画面を表示する表示部９０ｄと、読取部９０ｃに挿着されると共に、制御コンピュータ９０に制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が備えられており、制御プログラムに基づいて上記各部に制御信号を出力するように構成されている。   The control unit 90a is built in the control computer 90, and the control computer 90 stores a control program for storing a program for executing each processing step in the operation described below performed by the substrate cleaning apparatus 100 in addition to the control unit 90a. The unit 90b and the reading unit 90c are incorporated. The control computer 90 is inserted into the input unit 90e connected to the control unit 90a, a display unit 90d for displaying a processing step screen for creating a processing step, and a reading unit 90c. A computer-readable storage medium storing software for executing the control program is provided, and a control signal is output to each unit based on the control program.

また、制御プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどの記憶媒体９０ｆに格納され、これら記憶媒体９０ｆから制御コンピュータ９０にインストールされて使用される。   The control program is stored in a storage medium 90f such as a hard disk, a compact disk, a flash memory, a flexible disk, or a memory card, and is used by being installed in the control computer 90 from the storage medium 90f.

次に、上記のように構成される基板洗浄装置１００の動作態様について説明する。最初に、ウエハＷが基板洗浄装置１００内に搬入されていない時には、外カップ４１、内カップ４２は下降位置にあり、現像液ノズル５０、洗浄液ノズル６０、第１のガスノズル７０及び第２のガスノズル８０は所定の待機位置にて夫々待機している。上記処理システムにおいて、液浸露光された後のウエハＷが、加熱処理された後、主搬送手段Ａ３（図１参照）により基板洗浄装置１００内に搬入されると、主搬送手段Ａ３と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウエハＷはスピンチャック３０に受け渡される。   Next, the operation | movement aspect of the board | substrate cleaning apparatus 100 comprised as mentioned above is demonstrated. First, when the wafer W is not carried into the substrate cleaning apparatus 100, the outer cup 41 and the inner cup 42 are in the lowered position, and the developer nozzle 50, the cleaning liquid nozzle 60, the first gas nozzle 70, and the second gas nozzle. 80 stands by at a predetermined standby position. In the above processing system, when the wafer W after being subjected to the immersion exposure is heated and then carried into the substrate cleaning apparatus 100 by the main transfer means A3 (see FIG. 1), the main transfer means A3 is not shown. The wafer W is delivered to the spin chuck 30 by the cooperative action with the lift pins.

その後、外カップ４１及び内カップ４２が上昇位置に設定されると共に、現像液ノズル５０からウエハＷ上に現像液が供給され、公知の手法により現像液の供給が行われる。この実施形態では、現像液の供給開始の際には、現像液ノズル５０はウエハＷの周縁部上方、例えばウエハＷの表面から数ｍｍ上方に配置される。ウエハＷを例えば１０００〜１２００ｒｐｍの回転速度で回転させると共に、現像液ノズル５０から現像液を帯状に吐出しながら、現像液ノズル５０をウエハＷの周縁から中央部に向かって移動させる。現像液ノズル５０から帯状に吐出された現像液は、ウエハＷの外側から内側に向かって互いに隙間のないように並べられていき、これによりウエハＷの表面全体に螺旋状に現像液が供給される。そしてウエハＷの回転による遠心力によりウエハＷの表面に沿って現像液は外側に広がり、薄膜状の液膜が形成される。こうして、現像液にレジストの溶解性部位が溶解して、不溶解性の部位が残って回路パターンが形成される。   Thereafter, the outer cup 41 and the inner cup 42 are set at the raised position, and the developer is supplied from the developer nozzle 50 onto the wafer W, and the developer is supplied by a known method. In this embodiment, when the supply of the developer is started, the developer nozzle 50 is disposed above the peripheral edge of the wafer W, for example, several mm above the surface of the wafer W. The wafer W is rotated at a rotational speed of, for example, 1000 to 1200 rpm, and the developer nozzle 50 is moved from the periphery of the wafer W toward the center while discharging the developer from the developer nozzle 50 in a strip shape. The developer discharged in a strip shape from the developer nozzle 50 is arranged from the outside to the inside of the wafer W so that there is no gap between them, so that the developer is supplied spirally to the entire surface of the wafer W. The The developer spreads outward along the surface of the wafer W due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W, and a thin liquid film is formed. In this way, the soluble portion of the resist is dissolved in the developer, and the insoluble portion remains to form a circuit pattern.

次に、この現像液ノズル５０と入れ替わるようにして洗浄液ノズル６０がウエハＷの中心部上方に配置され、現像液ノズル５０が現像液の供給を停止した直後に速やかに洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを吐出してウエハＷの表面の洗浄を行う。以下に、この洗浄工程について図５を参照して詳細に説明する。この実施形態の洗浄工程は、以下のステップにより行われる。   Next, the cleaning liquid nozzle 60 is arranged above the central portion of the wafer W so as to be replaced with the developing liquid nozzle 50, and immediately after the developing liquid nozzle 50 stops supplying the developing liquid, the cleaning liquid L is quickly supplied from the cleaning liquid nozzle 60. The surface of the wafer W is cleaned by discharging. Hereinafter, this cleaning step will be described in detail with reference to FIG. The cleaning process of this embodiment is performed by the following steps.

（ステップ１）洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部の上方、例えばウエハＷの表面から１５ｍｍの高さの位置に配置する。スピンチャック３０を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの中心部に例えば純水などの洗浄液Ｌを例えば３５０ｍＬ／分の流量で例えば５秒間吐出（供給）する。洗浄液Ｌは遠心力によりウエハＷの中心部から周縁に向かって広がり、現像液が洗浄液Ｌにより置換される。こうして、ウエハＷの表面全体に洗浄液Ｌの液膜が形成される。 (Step 1) The cleaning liquid nozzle 60 is disposed above the center of the wafer W, for example, at a height of 15 mm from the surface of the wafer W. While the spin chuck 30 is rotated at, for example, 1000 rpm, the cleaning liquid L such as pure water is discharged (supplied) from the cleaning liquid nozzle 60 to the center of the wafer W at a flow rate of, for example, 350 mL / min for 5 seconds, for example. The cleaning liquid L spreads from the center of the wafer W toward the periphery by centrifugal force, and the developer is replaced with the cleaning liquid L. Thus, a liquid film of the cleaning liquid L is formed on the entire surface of the wafer W.

（ステップ２）次に、スピンチャック３０を１５００ｒｐｍ以上、例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、図５（ａ）に示すように、ノズルアーム６６（図４参照）を移動させることにより、洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって一定の距離だけ移動させると共に、洗浄液ノズル６０に追従して第１のガスノズル７０からＮ２ガスＧを吐出（供給）しながらウエハＷの中心部から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動する。このように、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを供給して洗浄液Ｌの液膜を形成すると共に、洗浄液Ｌの供給に追従して第１のガスノズル７０からＮ2ガスＧを吹き付けて、液膜を薄くして除去し、乾燥領域Ｄを形成する（図５（ａ）参照）。なお、乾燥領域Ｄとは、洗浄液Ｌが蒸発することによりウエハＷの表面が露出した領域をいい、ここではウエハＷの回路パターン間に洗浄液Ｌが残存している場合も含む。この乾燥領域Ｄのコアは、遠心力により中心部から洗浄液Ｌの供給位置まで広がっていく。 (Step 2) Next, as shown in FIG. 5 (a), the cleaning liquid nozzle is moved by rotating the nozzle arm 66 (see FIG. 4) while rotating the spin chuck 30 at a rotation speed of 1500 rpm or higher, for example, 2500rpm. 60 is moved from the central portion of the wafer W toward the periphery of the wafer W by a certain distance, and the center of the wafer W is discharged (supplied) from the first gas nozzle 70 following the cleaning liquid nozzle 60. The wafer N moves from the portion toward the periphery to the second N 2 gas supply start position where the center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to positions on the same circle . In this way, the cleaning liquid L is supplied from the cleaning liquid nozzle 60 toward the periphery of the wafer W from the center of the wafer W to form a liquid film of the cleaning liquid L, and the first gas nozzle 70 follows the supply of the cleaning liquid L. Then, N2 gas G is sprayed to thin the liquid film and removed to form a dry region D (see FIG. 5A). The dry region D refers to a region where the surface of the wafer W is exposed by the evaporation of the cleaning liquid L, and here includes a case where the cleaning liquid L remains between circuit patterns of the wafer W. The core of the dry region D spreads from the center to the supply position of the cleaning liquid L by centrifugal force.

（ステップ３）上記のようにして、洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、第２のガスノズル８０を洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図５（ｂ）参照）。この場合、洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２のガスノズル８０の移動速度Ｖを同一にして、第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０のＮ２ガスの吐出（供給）位置を同期させている。このようにして、第１及び第２のガスノズル７０，８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図５（ｃ）参照）。 (Step 3) When the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are moved from the center of the wafer W toward the periphery to the second N 2 gas supply start position as described above , the second gas nozzle 80 is moved to the standby position. The second gas nozzle 80 is moved to the second N2 gas supply start position from 88 and the second gas nozzle 80 is discharged (supplied) from the second gas nozzle 80 to the boundary surface between the liquid film and the drying region D, while the second gas nozzle 80 is moved to the cleaning nozzle 60. And it moves concentrically toward the periphery of the wafer W together with the first gas nozzle 70 (see FIG. 5B). In this case, the moving speed V of the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 is the same as the moving speed V of the second gas nozzle 80, and N2 gas is discharged (supplied) from the first gas nozzle 70 and the second gas nozzle 80. The position is synchronized. In this way, by moving the first and second gas nozzles 70 and 80 concentrically to the periphery of the wafer W, it is possible to control liquid collapse and liquid tearing at the interface between the liquid film and the drying region D. The residue of the cleaning liquid L that could not be removed by the N 2 gas G discharged from the first gas nozzle 70 can be removed by the N 2 gas G discharged from the second gas nozzle 80 (see FIG. 5C). .

なお、ウエハＷの周縁部において、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止を第１のガスノズル７０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止前に行ってもよい。このようにしても、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）を停止しても、ウエハＷの周縁部の遠心力によって洗浄液Ｌの残渣を振り切って除去することができる。   Note that the discharge (supply) of the N 2 gas G from the second gas nozzle 80 may be stopped at the periphery of the wafer W before the discharge (supply) of the N 2 gas G from the first gas nozzle 70 is stopped. . Even in this manner, even if the discharge (supply) of the N 2 gas G from the second gas nozzle 80 is stopped, the residue of the cleaning liquid L can be shaken off by the centrifugal force at the peripheral edge of the wafer W.

以上の一連のステップ１，２，３は、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1, 2, and 3, the control computer 90 reads out the control program stored in the memory of the control computer 90, and controls to operate each mechanism described above based on the read command. It is executed by outputting a signal.

第１実施形態によれば、微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷを水平に保持して中心軸回りに回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面の中心部に洗浄液Ｌを吐出（供給）してウエハＷの表面に液膜を形成し、次いで、ウエハＷを回転させながら、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に向かってＮ２ガスＧを吐出（供給）してウエハＷ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成する。その後、ウエハＷを回転させながら、洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０が洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置に移動した際、第２のＮ２ガス供給開始位置から周縁に向かって移動する第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを供給すると共に、洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０をウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動することにより、ウエハＷ表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域Ｄの境界面を制御して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）する。第１実施形態のこの構成により、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。更に、第１実施形態では、第２のガスノズル８０からＮ２ガスＧを吐出（供給）して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）することによって、ウエハＷの乾燥を促進することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができる。こうして、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。 According to the first embodiment, after developing the wafer W on which the fine and high aspect ratio circuit pattern P is formed, the wafer W is held horizontally and rotated from the cleaning liquid nozzle 60 while rotating around the central axis. The cleaning liquid L is discharged (supplied) to the center of the surface of the wafer W to form a liquid film on the surface of the wafer W, and then the wafer W is rotated from the first gas nozzle 70 from the center of the surface of the wafer W. A dry region D is formed by discharging (supplying) N 2 gas G toward the periphery of the wafer W to remove the liquid film on the surface of the wafer W. After that, while rotating the wafer W, the second and the cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to positions on the same circle where the center and the diameter of the wafer W do not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 . N2 when moving the gas supply starting position, and supplies the second N2 N2 gas G to the boundary surface of the second from the gas nozzle 80 and the liquid film drying area D that moves from the gas supply start position toward the periphery, the cleaning solution The liquid film and the liquid film formed on the surface of the wafer W are removed by moving the nozzle 60, the first gas nozzle 70 and the second gas nozzle 80 concentrically toward the peripheral edge of the wafer W, and the drying formed. The boundary surface of the region D is controlled to remove (discharge) the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns in the dry region D. With this configuration of the first embodiment, a high cleaning effect can be realized, and development defects can be reduced to almost none. Furthermore, in the first embodiment, the wafer W is dried by discharging (supplying) the N2 gas G from the second gas nozzle 80 to remove (discharge) the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns in the drying region D. Can be promoted. Thereby, the moving speed of the cleaning liquid nozzle 60 can be increased. Thus, effective cleaning can be performed in a shorter time.

＜第２実施形態＞
第２実施形態は、第２のガスノズル８０を複数（ここでは２個の場合を示す）設けて、乾燥効率の向上及び洗浄液Ｌの残渣の除去を確実に行えるようにした場合である。この場合、２個の第２のガスノズル８０はノズルアーム８６におけるウエハＷの中心線に対して対称の２箇所に設けられており、制御部９０ａの制御により、２個の第２のガスノズル８０が、第１のガスノズル７０の移動に対応してウエハＷの同心円上に位置するように構成されている。 Second Embodiment
In the second embodiment, a plurality of second gas nozzles 80 (here, two cases are shown) are provided so that the drying efficiency can be improved and the residue of the cleaning liquid L can be reliably removed. In this case, the two second gas nozzles 80 are provided at two positions symmetrical with respect to the center line of the wafer W in the nozzle arm 86, and the two second gas nozzles 80 are controlled by the control unit 90a. The first gas nozzle 70 is configured to be located on a concentric circle of the wafer W in correspondence with the movement of the first gas nozzle 70.

なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   In the second embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, so the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

このように構成される第２実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図６を参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method by the substrate cleaning apparatus (method) of the second embodiment configured as described above will be briefly described with reference to FIG. In this embodiment, Step 1 and Step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ａ）洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、２個の第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、２個の第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、２個の第２のガスノズル８０を洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図６（ｂ）参照）。このとき、洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０の移動速度Ｖに対して第２のガスノズル８０の移動速度Ｖａを遅く制御して、第１のガスノズル７０と２個の第２のガスノズル８０がウエハＷの同心円上に位置する。 (Step 3a) The center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to positions on the same circle from the center of the wafer W toward the peripheral edge of the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70. When the second N 2 gas supply start position is moved, the two second gas nozzles 80 are moved from the standby position 88 to the second N 2 gas supply start position, and the liquid film is transferred from the two second gas nozzles 80 to the liquid film. The two second gas nozzles 80 move concentrically toward the peripheral edge of the wafer W together with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 while discharging (supplying) the N2 gas G to the boundary surface of the dry region D. (See FIG. 6 (b)). At this time, the movement speed Va of the second gas nozzle 80 is controlled to be slower than the movement speed V of the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70, and the first gas nozzle 70 and the two second gas nozzles 80 are moved to the wafer. Located on the concentric circle of W.

このようにして、第１のガスノズル７０と２個の第２のガスノズル８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を２個の第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図６（ｃ）参照）。したがって、２個の第２のガスノズル８０からウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。   In this way, the first gas nozzle 70 and the two second gas nozzles 80 are moved concentrically to the peripheral edge of the wafer W, thereby controlling liquid collapse and liquid breakage at the boundary surface between the liquid film and the drying region D. The residue of the cleaning liquid L that could not be removed by the N 2 gas G discharged from the first gas nozzle 70 can be removed by the N 2 gas G discharged from the two second gas nozzles 80 ( (Refer FIG.6 (c)). Accordingly, the N2 gas discharged (supplied) from the two second gas nozzles 80 onto the surface of the wafer W can be efficiently blown to the boundary surface between the liquid film and the drying region D, so that the drying efficiency is improved and the drying time is increased. Can be shortened.

以上の一連のステップ１，２，３ａは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1, 2, and 3a described above, the control computer 90 reads out the control program stored in the memory of the control computer 90, and controls for operating each of the mechanisms described above based on the read instructions. It is executed by outputting a signal.

＜第３実施形態＞
第３実施形態は、上記第１実施形態における第２のガスノズル８０に代えて、ウエハＷの周縁に向かって凸状円弧状のガスノズル８０Ａを用いた場合である。このようにウエハＷの周縁に向かって凸状円弧状に形成される第２のガスノズル８０Ａは、吐出孔も同様に凸状円弧状に形成されており、該第２のガスノズル８０Ａから吐出されるＮ２ガスの断面を円弧状にするように構成されている。 <Third Embodiment>
In the third embodiment, instead of the second gas nozzle 80 in the first embodiment, a convex arc-shaped gas nozzle 80A toward the periphery of the wafer W is used. Thus, the second gas nozzle 80A formed in a convex arc shape toward the peripheral edge of the wafer W has a discharge arc similarly formed in a convex arc shape, and is discharged from the second gas nozzle 80A. The cross section of the N2 gas is configured to have an arc shape.

なお、第３実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   In the third embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment. Therefore, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

このように構成される第３実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図７を参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method by the substrate cleaning apparatus (method) of the third embodiment configured as described above will be briefly described with reference to FIG. In this embodiment, Step 1 and Step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ｂ）洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、第２のガスノズル８０Ａを待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２のガスノズル８０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを断面円弧状の状態で吐出（供給）しながら、第２のガスノズル８０を洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図７（ｂ）参照）。このようにして、第１及び第２のガスノズル７０，８０ＡをウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０Ａから吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図５（ｃ）参照）。したがって、第２のガスノズル８０ＡからウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの円弧状の境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。 (Step 3b) The center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to positions on the same circle from the center of the wafer W toward the peripheral edge of the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70. and when moving to the second N2 gas supply start position, a second gas nozzle 80A moves from the standby position 88 to the second N2 gas supply starting position, the boundary of the liquid film and drying area D from the second gas nozzles 80A The second gas nozzle 80 is moved concentrically toward the peripheral edge of the wafer W together with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 while discharging (supplying) the N2 gas G in a circular arc shape on the surface (FIG. 7). (See (b)). In this way, by moving the first and second gas nozzles 70 and 80A concentrically to the periphery of the wafer W, it is possible to control liquid collapse and liquid breakage at the boundary surface between the liquid film and the dry region D. The residue of the cleaning liquid L that could not be removed by the N2 gas G discharged from the first gas nozzle 70 can be removed by the N2 gas G discharged from the second gas nozzle 80A (see FIG. 5C). . Therefore, since the N2 gas discharged (supplied) from the second gas nozzle 80A onto the surface of the wafer W can be efficiently blown onto the arc-shaped boundary surface between the liquid film and the drying region D, the drying efficiency is improved and the drying time is increased. Can be shortened.

以上の一連のステップ１，２，３ｂは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1, 2, and 3b described above, the control computer 90 reads the control program stored in the memory of the control computer 90, and controls for operating each of the mechanisms described above based on the read command. It is executed by outputting a signal.

＜第４実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第４実施形態について、図８ないし図１０Ａを参照して説明する。第４実施形態は、第１実施形態で用いられる基板洗浄装置における洗浄液ノズル６０（以下に第１の洗浄液ノズル６０という）と第１のガスノズル７０と第２のガスノズル７０に加えて、液膜と乾燥領域Ｄの境界面にウエハＷの表面に例えば純水等の洗浄液Ｌを吐出（供給）する第２の洗浄ノズル６０Ａを設けた場合である。 <Fourth embodiment>
Next, a substrate cleaning apparatus and method according to a fourth embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. 8 to 10A. In the fourth embodiment, in addition to the cleaning liquid nozzle 60 (hereinafter referred to as the first cleaning liquid nozzle 60), the first gas nozzle 70, and the second gas nozzle 70 in the substrate cleaning apparatus used in the first embodiment, a liquid film and This is a case where a second cleaning nozzle 60A for discharging (supplying) a cleaning liquid L such as pure water is provided on the surface of the wafer W at the boundary surface of the dry region D.

この場合、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、第２のガスノズル８０と共通のノズル保持部８５に固定されており、ノズルアーム８６により第２のガスノズル８０と一体的に移動するように構成されている。   In this case, the second cleaning liquid nozzle 60 </ b> A is fixed to a nozzle holding portion 85 common to the second gas nozzle 80, and is configured to move integrally with the second gas nozzle 80 by the nozzle arm 86. .

また、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、流量調整器６２Ａを介設した洗浄液供給管６１Ａを介して洗浄液供給源６３Ａに接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２Aで調整される。なお、洗浄液供給源６３Ａには、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１Ａは、流量調整器６２Ａを含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、第２の洗浄液ノズル６０ＡからウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。   The second cleaning liquid nozzle 60A is connected to a cleaning liquid supply source 63A via a cleaning liquid supply pipe 61A provided with a flow rate regulator 62A. The flow rate and supply time of the cleaning liquid are adjusted by a flow rate regulator 62A such as a flow rate adjustment valve, for example. The cleaning liquid supply source 63A is connected to a temperature regulator (not shown) equipped with a heating device such as a heater to adjust the cleaning liquid to a predetermined temperature. The cleaning liquid supply pipe 61A is surrounded by a temperature maintaining member (not shown) including a heat insulating member including the flow rate regulator 62A, and the cleaning liquid is supplied onto the wafer W from the second cleaning liquid nozzle 60A. The cleaning liquid is maintained at a predetermined temperature until it is supplied.

なお、第４実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   In the fourth embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

このように構成される第４実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図８ないし図１０を参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method by the substrate cleaning apparatus (method) of the fourth embodiment configured as described above will be briefly described with reference to FIGS. In this embodiment, Step 1 and Step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ｃ）上記のようにして、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを第１の洗浄液ノズル６０からの吐出量（３５０ｍＬ／分）より少ない量（例えば２５０ｍＬ／分）を吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１０（ｂ）参照）。 (Step 3c) As described above, the center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 from the center of the wafer W toward the peripheral edge of the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70. Are moved to the second cleaning liquid supply start position and the second N2 gas supply start position set at the same circle position, the second cleaning liquid nozzle 60A and the second gas nozzle 80 are moved from the standby position 88 to the second position. The cleaning liquid supply start position and the second N 2 gas supply start position are moved, and the discharge amount (350 mL) of the cleaning liquid L from the second cleaning liquid nozzle 60A to the boundary surface between the liquid film and the drying region D is (350 mL). (Min) (for example, 250 mL / min) is discharged (supplied), and N2 gas G is discharged (supplied) from the second gas nozzle 80 to the boundary surface between the liquid film and the dry region D. The second cleaning liquid nozzles 60A and a second gas nozzle 80 toward the periphery of the wafer W with the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 moves concentrically (see Figure 10 (b)).

この場合、第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０の移動速度Ｖを同一にして、第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０のＮ２ガスの吐出（供給）位置を同期させている。このようにして、第１及び第２の洗浄液ノズル６０，６０Ａと第１及び第２のガスノズル７０，８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図１０（ｃ）参照）。   In this case, the moving speed V of the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 and the moving speed V of the second cleaning liquid nozzle 60A and the second gas nozzle 80 are set to be the same, and the first gas nozzle 70 and the second gas nozzle 70 are moved. The N2 gas discharge (supply) position of the gas nozzle 80 is synchronized. In this way, the first and second cleaning liquid nozzles 60 and 60A and the first and second gas nozzles 70 and 80 are moved concentrically to the peripheral edge of the wafer W, whereby the boundary surface between the liquid film and the drying region D is obtained. Of the cleaning liquid L that could not be removed by the N 2 gas G discharged from the first gas nozzle 70 is removed by the N 2 gas G discharged from the second gas nozzle 80. (See FIG. 10C).

第４実施形態によれば、微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷを水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面の中心部に洗浄液Ｌを吐出（供給）してウエハＷの表面に液膜を形成し、次いで、ウエハＷを回転させながら、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に向かってＮ２ガスＧを吐出（供給）してウエハＷ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成する。その後、ウエハＷを回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０が洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置に移動した際、第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを供給し、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０をウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動することにより、ウエハＷ表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域Ｄの境界面を制御して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）する。第４実施形態のこの構成により、撥水性の保護膜を用いて露光、現像された後の疎水性を有する露光部に付着する洗浄液Ｌを第２のガスノズル８０から吐出（供給）されるＮ２ガスによって除去でき、疎水性を有する未露光部によって生じる液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液膜の液ちぎれによって不足した量を第２の洗浄液ノズル６０Ａから吐出（供給）される洗浄液Ｌによって補足して液膜と乾燥領域Ｄの境界面を制御することができる。したがって、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができ、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。 According to the fourth embodiment, after developing the wafer W on which the fine and high aspect ratio circuit pattern P is formed, the first cleaning liquid is held while the wafer W is held horizontally and rotated around the central axis. The cleaning liquid L is discharged (supplied) from the nozzle 60 to the center of the surface of the wafer W to form a liquid film on the surface of the wafer W, and then the surface of the wafer W is rotated from the first gas nozzle 70 while rotating the wafer W. N2 gas G is discharged (supplied) from the center toward the periphery of the wafer W to remove the liquid film on the surface of the wafer W to form a dry region D. Thereafter, while rotating the wafer W, the center and diameter of the wafer W where the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70 do not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to the same circular position. The second cleaning liquid nozzle 60 </ b> A that moves toward the periphery from the second cleaning liquid supply start position and the second N 2 gas supply start position when moved to the second cleaning liquid supply start position and the second N 2 gas supply start position The cleaning liquid L is discharged (supplied) to the boundary surface between the liquid film and the drying region D from the second gas nozzle 80, and the N 2 gas G is supplied from the second gas nozzle 80 to the boundary surface between the liquid film and the drying region D. and the first gas nozzle 70 by moving concentrically toward a second cleaning liquid nozzles 60A and a second gas nozzle 80 to the peripheral edge of the wafer W, a liquid film formed on the wafer W surface Removing the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns by controlling the boundary surface of the drying area D that is formed by removing the film in the drying zone D to (discharged). With this configuration of the fourth embodiment, the N 2 gas discharged (supplied) from the second gas nozzle 80 is the cleaning liquid L adhering to the hydrophobic exposed portion after being exposed and developed using the water-repellent protective film. The amount deficient due to liquid tearing between the liquid film produced by the unexposed portion having hydrophobicity and the liquid film at the boundary surface of the dry region D is supplemented by the cleaning liquid L discharged (supplied) from the second cleaning liquid nozzle 60A. Thus, the interface between the liquid film and the dry region D can be controlled. Therefore, a high cleaning effect can be realized and development defects can be reduced to almost none. Thereby, the moving speed of the cleaning liquid nozzle 60 can be increased, and effective cleaning can be performed in a shorter time.

以上の一連のステップ１，２，３ｃは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1, 2, and 3c described above, the control computer 90 reads out the control program stored in the memory of the control computer 90, and controls to operate each mechanism described above based on the read command. It is executed by outputting a signal.

＜第５実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第５実施形態について、図１１ないし図１３を参照して説明する。第５実施形態に係る基板洗浄装置及び方法は、ウエハＷの液処理面が多くの疎水性を有する場合に適用するものであり、第１実施形態で用いられる基板洗浄装置における第２のガスノズル８０に代えて、液膜と乾燥領域Ｄの境界面にウエハＷの表面に例えば純水等の洗浄液Ｌを吐出（供給）する第２の洗浄ノズル６０Ａを設けた場合である。すなわち、第５実施形態の基板洗浄装置は、ウエハ表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル６０（以下に第１の洗浄液ノズル６０という）と、第１の洗浄液ノズル６０からの洗浄液の供給により形成された液膜に乾燥流体であるガス、例えばＮ２（窒素），Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスを吐出して乾燥領域Ｄを形成する第１のガスノズル７０及び液膜と乾燥領域の境界面に洗浄液を吐出（供給）して境界面の液膜の崩れや液ちぎれを補修する第２の洗浄液ノズル６０Ａを設けた場合である。 <Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment of the substrate cleaning apparatus and method according to the present invention will be described with reference to FIGS. The substrate cleaning apparatus and method according to the fifth embodiment are applied when the liquid processing surface of the wafer W has a lot of hydrophobicity, and the second gas nozzle 80 in the substrate cleaning apparatus used in the first embodiment. Instead, a second cleaning nozzle 60A for discharging (supplying) cleaning liquid L such as pure water is provided on the surface of the wafer W at the boundary surface between the liquid film and the dry region D. That is, the substrate cleaning apparatus of the fifth embodiment is formed by supplying a cleaning liquid nozzle 60 (hereinafter referred to as a first cleaning liquid nozzle 60) for supplying a cleaning liquid to the wafer surface and supplying the cleaning liquid from the first cleaning liquid nozzle 60. A gas that is a drying fluid, such as N2 (nitrogen) or Ar (argon), is discharged to the liquid film to form a dry region D, and a cleaning liquid is formed on the boundary surface between the liquid film and the dry region. This is a case where the second cleaning liquid nozzle 60 </ b> A for repairing the breakage and tearing of the liquid film on the boundary surface by discharging (supplying) the liquid is provided.

この場合、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、図１２に示すように、ノズル保持部６５Ａを介してノズルアーム６６Ａに固定されており、このノズルアーム６６Ａは昇降機構を備えた移動基台６７Ａに接続されている。この移動基台６７Ａ、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構４００により、例えばガイド部材５７Ａに沿って現像液ノズル５０と干渉しないで横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の現像液ノズル５０の待機部５８の他方の外側には、第２の洗浄液ノズル６０Ａの待機部（待機位置）６８Ａが設けられている。   In this case, as shown in FIG. 12, the second cleaning liquid nozzle 60A is fixed to a nozzle arm 66A via a nozzle holding portion 65A, and this nozzle arm 66A is connected to a moving base 67A equipped with a lifting mechanism. Has been. The moving base 67A, for example, a nozzle moving mechanism 400 including a ball screw mechanism, a timing belt mechanism, and the like is configured to be movable in the lateral direction along the guide member 57A without interfering with the developer nozzle 50, for example. Yes. Further, a standby part (standby position) 68A of the second cleaning liquid nozzle 60A is provided on the other outer side of the standby part 58 of the developer nozzle 50 of the cup 40.

また、第２の洗浄液ノズル６０Ａは、流量調整器６２Ａを介設した洗浄液供給管６１Ａを介して洗浄液供給源６３Ａに接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２Aで調整される。なお、洗浄液供給源６３Ａには、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１Ａは、流量調整器６２Ａを含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、第２の洗浄液ノズル６０ＡからウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。   The second cleaning liquid nozzle 60A is connected to a cleaning liquid supply source 63A via a cleaning liquid supply pipe 61A provided with a flow rate regulator 62A. The flow rate and supply time of the cleaning liquid are adjusted by a flow rate regulator 62A such as a flow rate adjustment valve, for example. The cleaning liquid supply source 63A is connected to a temperature regulator (not shown) equipped with a heating device such as a heater to adjust the cleaning liquid to a predetermined temperature. The cleaning liquid supply pipe 61A is surrounded by a temperature maintaining member (not shown) including a heat insulating member including the flow rate regulator 62A, and the cleaning liquid is supplied onto the wafer W from the second cleaning liquid nozzle 60A. The cleaning liquid is maintained at a predetermined temperature until it is supplied.

なお、第５実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   In the fifth embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

このように構成される第５実施形態の基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図１１ないし図１３Ａを参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method by the substrate cleaning apparatus (method) of the fifth embodiment configured as described above will be briefly described with reference to FIGS. 11 to 13A. In this embodiment, Step 1 and Step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ｄ）上記のようにして、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置まで移動した際、第２の洗浄液ノズル６０Ａを待機位置６８Ａから第２の洗浄液供給開始位置へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを第１の洗浄液ノズル６０からの吐出量（３５０ｍＬ／分）より少ない量（例えば２５０ｍＬ／分）を吐出（供給）しながら、第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１３（ｂ）参照）。 (Step 3d) As described above, the center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 from the center of the wafer W toward the peripheral edge of the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70. Are moved to the second cleaning liquid supply start position set at the same circle position, the second cleaning liquid nozzle 60A is moved from the standby position 68A to the second cleaning liquid supply start position, and the second cleaning liquid nozzle 60A is moved. The second cleaning liquid is discharged (supplied) from the first cleaning liquid nozzle 60 at a boundary surface between the liquid film and the drying region D at a lower amount (for example, 250 mL / min) than the discharge amount (350 mL / min) from the first cleaning liquid nozzle 60. The nozzle 60A is moved concentrically toward the periphery of the wafer W together with the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 (see FIG. 13B).

この場合、第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２の洗浄液ノズル６０Ａの移動速度Ｖを同一にして、第１の洗浄液ノズル６０と第２の洗浄液ノズル６０Ａの洗浄液Ｌの吐出（供給）位置を同期させている。   In this case, the moving speed V of the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 and the moving speed V of the second cleaning liquid nozzle 60A are the same, and the cleaning liquid of the first cleaning liquid nozzle 60 and the second cleaning liquid nozzle 60A is used. The discharge (supply) position of L is synchronized.

このようにして、第１の洗浄液ノズル６０及び第のガスノズル７０と第２のガ洗浄液ノズル６０ＡをウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができる。なお、第１のガスノズル７０から吐出（供給）されたＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌは露光部に残存するがウエハＷの回転による遠心力によって除去（排出）される（図１３（ｃ）参照）。   In this way, the first cleaning liquid nozzle 60, the second gas nozzle 70, and the second gas cleaning liquid nozzle 60A are moved concentrically to the peripheral edge of the wafer W, whereby the liquid collapses at the boundary surface between the liquid film and the drying region D. And can control liquid tearing. Note that the cleaning liquid L that could not be removed by the N2 gas discharged (supplied) from the first gas nozzle 70 remains in the exposure unit but is removed (discharged) by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W (FIG. 13C). )reference).

第５実施形態によれば、特に超撥水性のレジストを用いた微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷを水平に保持して中心軸回りに回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面の中心部に洗浄液Ｌを吐出（供給）してウエハＷの表面に液膜を形成し、次いで、ウエハＷを回転させながら、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に向かってＮ２ガスＧを吐出（供給）してウエハＷ表面の液膜を除去して乾燥領域Ｄを形成する。その後、ウエハＷを回転させながら、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０が洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置に移動した際、第２の洗浄液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と第２の洗浄液ノズル６０ＡをウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動することにより、ウエハＷ表面に形成された液膜と液膜を除去して形成された乾燥領域Ｄの境界面を制御して液膜の液崩れや液ちぎれを補修して適正な液膜を形成する。第５実施形態のこの構成により、撥水性の保護膜を用いて露光、現像された後の疎水性を有する疎水性を有する未露光部によって生じる液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液膜の液ちぎれによって不足した量を第２の洗浄液ノズル６０Ａから吐出（供給）される洗浄液Ｌによって補足して液膜と乾燥領域Ｄの境界面を制御することができる。なお、第１のガスノズル７０から吐出（供給）されるＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌが露光部に付着するがウエハＷの回転による遠心力によって除去できる。したがって、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができ、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。 According to the fifth embodiment, after developing a wafer W on which a fine and high aspect ratio circuit pattern P using a super-water-repellent resist is developed, the wafer W is held horizontally and is rotated around the central axis. , The cleaning liquid L is discharged (supplied) from the first cleaning liquid nozzle 60 to the center of the surface of the wafer W to form a liquid film on the surface of the wafer W, and then the wafer W is rotated while being rotated. The N2 gas G is discharged (supplied) from the center of the surface of the wafer W toward the periphery of the wafer W from one gas nozzle 70 to remove the liquid film on the surface of the wafer W, thereby forming a dry region D. Thereafter, while rotating the wafer W, the center and diameter of the wafer W where the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70 do not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to the same circular position. when moved to the second cleaning liquid supply starting position, discharging the cleaning liquid L on the boundary surface of the drying area D from the second cleaning liquid nozzle 60A and a liquid film moves toward the periphery from the second cleaning liquid supply start position (feed) At the same time, the first cleaning liquid nozzle 60, the first gas nozzle 70, and the second cleaning liquid nozzle 60A are moved concentrically toward the peripheral edge of the wafer W, thereby forming a liquid film and a liquid film formed on the surface of the wafer W. An appropriate liquid film is formed by repairing the liquid collapse and tearing of the liquid film by controlling the boundary surface of the dry region D formed by removing the liquid. With this configuration of the fifth embodiment, the liquid film produced by the hydrophobic unexposed portion having hydrophobicity after being exposed and developed using the water-repellent protective film and the liquid film at the boundary surface of the dry region D It is possible to control the boundary surface between the liquid film and the dry region D by supplementing the amount deficient due to the liquid tearing with the cleaning liquid L discharged (supplied) from the second cleaning liquid nozzle 60A. Note that the cleaning liquid L that could not be removed by the N 2 gas discharged (supplied) from the first gas nozzle 70 adheres to the exposure unit, but can be removed by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. Therefore, a high cleaning effect can be realized and development defects can be reduced to almost none. Thereby, the moving speed of the cleaning liquid nozzle 60 can be increased, and effective cleaning can be performed in a shorter time.

以上の一連のステップ１，２，３ｄは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1, 2, and 3d described above, the control computer 90 reads the control program stored in the memory of the control computer 90, and controls for operating each of the mechanisms described above based on the read command. It is executed by outputting a signal.

＜第６実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第６実施形態について、図１４を参照して説明する。第６実施形態は、第１の洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心から周縁に移動させずに、ウエハＷの中心上方に位置する第１の洗浄液ノズル６０からウエハＷの表面に洗浄液Ｌを吐出（供給）して液膜を形成し、その後、上記実施形態と同様の手法で洗浄液Ｌを除去して乾燥させる場合である。以下に、第６実施形態に係る基板洗浄装置及び方法について、図３及び図４に示す上記第１実施形態と同様の構造の基板洗浄装置を用いた場合について説明する。 <Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment of the substrate cleaning apparatus and method according to the present invention will be described with reference to FIG. In the sixth embodiment, the cleaning liquid L is discharged from the first cleaning liquid nozzle 60 located above the center of the wafer W onto the surface of the wafer W without moving the first cleaning liquid nozzle 60 from the center of the wafer W to the periphery ( Supply) to form a liquid film, and then the cleaning liquid L is removed and dried in the same manner as in the above embodiment. The substrate cleaning apparatus and method according to the sixth embodiment will be described below in the case where the substrate cleaning apparatus having the same structure as that of the first embodiment shown in FIGS. 3 and 4 is used.

なお、第６実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   In the sixth embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, so the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

第６実施形態の洗浄工程は、以下のステップにより行われる。   The cleaning process of the sixth embodiment is performed by the following steps.

（ステップ１ａ）洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部の上方、例えばウエハＷの表面から１５ｍｍの高さの位置に配置する。スピンチャック３０を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの中心部に洗浄液Ｌを例えば３５０ｍＬ／分の流量で例えば５秒間吐出（供給）する。洗浄液Ｌは遠心力によりウエハＷの中心部から周縁に向かって広がり、現像液が洗浄液Ｌにより置換される。こうして、ウエハＷの表面全体に洗浄液Ｌの液膜が形成される（図１４（ａ）参照）。 (Step 1a) The cleaning liquid nozzle 60 is disposed above the center of the wafer W, for example, at a height of 15 mm from the surface of the wafer W. For example, the cleaning liquid L is discharged (supplied) from the cleaning liquid nozzle 60 to the center of the wafer W at a flow rate of 350 mL / min for 5 seconds, for example, while rotating the spin chuck 30 at a rotation speed of 1000 rpm, for example. The cleaning liquid L spreads from the center of the wafer W toward the periphery by centrifugal force, and the developer is replaced with the cleaning liquid L. Thus, a liquid film of the cleaning liquid L is formed on the entire surface of the wafer W (see FIG. 14A).

（ステップ２ａ）次に、スピンチャック３０を１５００ｒｐｍ以上、例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ノズルアーム６６によって第１のガスノズル７０をウエハＷの中心の上方へ移動させ、第１のガスノズル７０からウエハＷの表面にＮ２ガスを吐出（供給）させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって所定の位置まで移動する（図１４（ｂ）参照）。このように、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって第１のガスノズル７０からＮ2ガスＧを吹き付けて、液膜を薄くして除去し、乾燥領域Ｄを形成する（図１４（ｂ）参照）。なお、乾燥領域Ｄとは、洗浄液Ｌが蒸発することによりウエハＷの表面が露出した領域をいい、ここではウエハＷの回路パターン間に洗浄液Ｌが残存している場合も含む。この乾燥領域Ｄのコアは、遠心力により中心部から洗浄液Ｌの供給位置まで広がっていく。   (Step 2a) Next, while rotating the spin chuck 30 at 1500 rpm or more, for example, 2500 rpm, the nozzle arm 66 moves the first gas nozzle 70 above the center of the wafer W, and the first gas nozzle 70 While discharging (supplying) N2 gas to the surface of the wafer W, the wafer W moves from the center of the wafer W to a predetermined position toward the periphery of the wafer W (see FIG. 14B). In this way, the N2 gas G is blown from the first gas nozzle 70 toward the periphery of the wafer W from the center of the wafer W, and the liquid film is thinned and removed to form the dry region D (FIG. 14B). )reference). The dry region D refers to a region where the surface of the wafer W is exposed by the evaporation of the cleaning liquid L, and here includes a case where the cleaning liquid L remains between circuit patterns of the wafer W. The core of the dry region D spreads from the center to the supply position of the cleaning liquid L by centrifugal force.

（ステップ３ｅ）上記のようにして、第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、第２のガスノズル８０を待機位置８８から第２のＮ２ガス供給開始位置へ移動し、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）しながら、第２のガスノズル８０を第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１４（ｃ）参照）。この場合、第１のガスノズル７０の移動速度Ｖと第２のガスノズル８０の移動速度Ｖを同一にして、第１のガスノズル７０と第２のガスノズル８０のＮ２ガスの吐出（供給）位置を同期させている。このようにして、第１及び第２のガスノズル７０，８０をウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスＧによって除去することができる（図１４（ｄ）参照）。 (Step 3e) As described above, the center and diameter of the wafer W that does not interfere with the first gas nozzle 70 from the center of the wafer W toward the periphery are set to positions on the same circle . when it moved to the N2 gas supply start position of 2, the second nozzle 80 moves from the standby position 88 to the second N2 gas supply starting position, on the boundary surface between the liquid film from the second gas nozzle 80 drying area D While discharging (supplying) the N 2 gas G, the second gas nozzle 80 moves concentrically toward the periphery of the wafer W together with the first gas nozzle 70 (see FIG. 14C). In this case, the moving speed V of the first gas nozzle 70 and the moving speed V of the second gas nozzle 80 are the same, and the N2 gas discharge (supply) positions of the first gas nozzle 70 and the second gas nozzle 80 are synchronized. ing. In this way, by moving the first and second gas nozzles 70 and 80 concentrically to the periphery of the wafer W, it is possible to control liquid collapse and liquid tearing at the interface between the liquid film and the drying region D. The residue of the cleaning liquid L that could not be removed by the N2 gas G discharged from the first gas nozzle 70 can be removed by the N2 gas G discharged from the second gas nozzle 80 (see FIG. 14D). .

なお、ウエハＷの周縁部において、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止を第１のガスノズル７０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）の停止前に行ってもよい。このようにしても、第２のガスノズル８０からのＮ２ガスＧの吐出（供給）を停止しても、ウエハＷの周縁部の遠心力によって洗浄液Ｌの残渣を振り切って除去することができる。   Note that the discharge (supply) of the N 2 gas G from the second gas nozzle 80 may be stopped at the periphery of the wafer W before the discharge (supply) of the N 2 gas G from the first gas nozzle 70 is stopped. . Even in this manner, even if the discharge (supply) of the N 2 gas G from the second gas nozzle 80 is stopped, the residue of the cleaning liquid L can be shaken off by the centrifugal force at the peripheral edge of the wafer W.

以上の一連のステップ１ａ，２ａ，３ｅは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1a, 2a, and 3e described above, the control computer 90 reads out the control program stored in the memory of the control computer 90, and controls to operate each mechanism described above based on the read instructions. It is executed by outputting a signal.

＜第７実施形態＞
上記実施形態では、第２のガスノズル８０又は第２のガスノズル８０及び第２の洗浄液ノズル６０Ａが、１つのノズルアーム８６によって第１の洗浄液ノズル及び第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２のＮ２ガス供給開始位置（及び又は第２の洗浄液供給開始位置）からウエハＷの周縁に移動する場合について説明したが、複数の第２のガスノズル８０又は第２のガスノズル８０及び第２の洗浄液ノズル６０Ａをそれぞれノズルアーム８６Ａ，８６Ｂによって互いに干渉しない方向に移動させるようにしてもよい。 <Seventh embodiment>
In the above-described embodiment, the second gas nozzle 80 or the second gas nozzle 80 and the second cleaning liquid nozzle 60 </ b> A are arranged so that the center of the wafer W that does not interfere with the first cleaning liquid nozzle and the first gas nozzle 70 by one nozzle arm 86 and The case of moving from the second N 2 gas supply start position (and / or the second cleaning liquid supply start position) set to a position on the same circle to the periphery of the wafer W has been described. A plurality of second gas nozzles The 80 or the second gas nozzle 80 and the second cleaning liquid nozzle 60A may be moved in directions that do not interfere with each other by the nozzle arms 86A and 86B.

例えば、図１５Ａに示すように、２組の第２のガスノズル８０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０に対して水平の１２０度の位置に配置する。   For example, as shown in FIG. 15A, two sets of the second gas nozzle 80 and the second cleaning liquid nozzle 60A are arranged at a position of 120 degrees horizontal with respect to the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70.

このように構成される基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図１５Ａを参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method using the substrate cleaning apparatus (method) configured as described above will be briefly described with reference to FIG. 15A. In this embodiment, Step 1 and Step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ｆ）洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、２組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０のそれぞれを待機位置８８から第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置（具体的には、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０に対して水平の１２０度の位置）へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスＧを吐出（供給）し、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１５Ａ（ｂ）参照）。このようにして、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と２組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を互いに１２０度の間隔をおいてウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を２組の第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスによって除去することができる（図１５Ａ（ｃ）参照）。したがって、２個の第２のガスノズル８０からウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。 (Step 3f) The center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are set to positions on the same circle from the center of the wafer W toward the peripheral edge of the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70. When the second cleaning liquid supply start position and the second N 2 gas supply start position are moved, the second cleaning liquid supply start of the two sets of the second cleaning liquid nozzle 60A and the second gas nozzle 80 from the standby position 88 is started. Position and the second N 2 gas supply start position (specifically, a position of 120 degrees horizontal with respect to the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70), and the liquid is discharged from the second cleaning liquid nozzle 60A. The cleaning liquid L is discharged (supplied) to the boundary surface between the film and the dry region D, and the N2 gas G is discharged (supplied) from the second gas nozzle 80 to the boundary surface between the liquid film and the dry region D, thereby The 60A and a second gas nozzle 80 toward the periphery of the first cleaning nozzle 60 and the wafer W with the first gas nozzle 70 moves concentrically (see FIG. 15A (b)). In this manner, the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70 and the two sets of the second cleaning liquid nozzle 60A and the second gas nozzle 80 are concentrically formed to the periphery of the wafer W at an interval of 120 degrees. By moving, it is possible to control liquid collapse and liquid tearing at the boundary surface between the liquid film and the dry region D, and to remove 2 residues of the cleaning liquid L that could not be removed by the N 2 gas discharged from the first gas nozzle 70. The N2 gas discharged from the second gas nozzle 80 in the set can be removed (see FIG. 15A (c)). Accordingly, the N2 gas discharged (supplied) from the two second gas nozzles 80 onto the surface of the wafer W can be efficiently blown to the boundary surface between the liquid film and the drying region D, so that the drying efficiency is improved and the drying time is increased. Can be shortened.

また、上記実施形態に代えて、３組の第２のガスノズル８０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０に対して水平の９０度の位置に配置し、３組の第２のガスノズル８０又は第２のガスノズル８０及び第２の洗浄液ノズル６０Ａをそれぞれノズルアーム８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃによって互いに干渉しない方向に移動させるようにしてもよい。   Further, instead of the above embodiment, three sets of the second gas nozzle 80 and the second cleaning liquid nozzle 60A are arranged at a position of 90 degrees horizontally with respect to the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70, The three sets of the second gas nozzle 80 or the second gas nozzle 80 and the second cleaning liquid nozzle 60A may be moved by the nozzle arms 86A, 86B, 86C in directions that do not interfere with each other.

例えば、図１５Ｂに示すように、３組の第２のガスノズル８０と第２の洗浄液ノズル６０Ａを第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０に対して水平の９０度の位置に配置する。   For example, as shown in FIG. 15B, three sets of the second gas nozzle 80 and the second cleaning liquid nozzle 60A are arranged at a position of 90 degrees horizontal with respect to the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70.

このように構成される基板洗浄装置（方法）による基板洗浄方法について、図１５Ｂを参照して簡単に説明する。なお、本実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method using the substrate cleaning apparatus (method) configured as described above will be briefly described with reference to FIG. 15B. In this embodiment, Step 1 and Step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ｇ）第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置まで移動した際、３組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０のそれぞれを待機位置８８から第２の洗浄液供給開始位置及び第２のＮ２ガス供給開始位置（具体的には、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０に対して水平の９０度と１８０度の位置）へ移動し、第２の洗浄液ノズル６０Ａから液膜と乾燥領域Ｄの境界面に洗浄液Ｌを吐出（供給）すると共に、第２のガスノズル８０から液膜と乾燥領域Ｄの境界面にＮ２ガスを吐出（供給）し、第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１５Ｂ（ｂ）参照）。このようにして、第１の洗浄液ノズル６０及び第１のガスノズル７０と３組の第２の洗浄液ノズル６０Ａ及び第２のガスノズル８０を互いに９０度の間隔をおいてウエハＷの周縁まで同心円状に移動することにより、液膜と乾燥領域Ｄの境界面の液崩れや液ちぎれを制御することができ、第１のガスノズル７０から吐出されるＮ２ガスによって除去しきれなかった洗浄液Ｌの残渣を３組の第２のガスノズル８０から吐出されるＮ２ガスによって除去することができる（図１５Ｂ（ｃ）参照）。したがって、２個の第２のガスノズル８０からウエハＷの表面に吐出（供給）されるＮ２ガスを液膜と乾燥領域Ｄの境界面に効率よく吹き付けることができるので、乾燥効率の向上及び乾燥時間の短縮化が図れる。 (Step 3g) Positions of the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 on the circle having the same center and diameter of the wafer W that do not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 from the center of the wafer W toward the periphery. When moving to the second cleaning liquid supply start position and the second N 2 gas supply start position set to the second set of the second cleaning liquid nozzle 60A and the second gas nozzle 80 from the standby position 88 to the second Move to the cleaning liquid supply start position and the second N 2 gas supply start position (specifically, the positions 90 degrees and 180 degrees horizontal with respect to the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70), and the second The cleaning liquid L is discharged (supplied) from the cleaning liquid nozzle 60A to the boundary surface between the liquid film and the dry region D, and N2 gas is discharged (supplied) from the second gas nozzle 80 to the boundary surface between the liquid film and the dry region D. Second The cleaning liquid nozzles 60A and a second gas nozzle 80 toward the periphery of the wafer W with the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 moves concentrically (see FIG. 15B (b)). In this way, the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70, and the three sets of the second cleaning liquid nozzle 60A and the second gas nozzle 80 are concentrically formed to the peripheral edge of the wafer W at an interval of 90 degrees. By moving, it is possible to control the liquid collapse and liquid breakage at the boundary surface between the liquid film and the dry region D, and the residue of the cleaning liquid L that could not be removed by the N 2 gas discharged from the first gas nozzle 70 is 3 The N2 gas discharged from the second gas nozzle 80 in the set can be removed (see FIG. 15B (c)). Accordingly, the N2 gas discharged (supplied) from the two second gas nozzles 80 onto the surface of the wafer W can be efficiently blown to the boundary surface between the liquid film and the drying region D, so that the drying efficiency is improved and the drying time is increased. Can be shortened.

以上の一連のステップ１，２，３ｆ、１，２，３ｇは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   The series of steps 1, 2, 3f, 1, 2 and 3g described above is performed by the control computer 90 reading out the control program stored in the memory of the control computer 90, and each of the mechanisms described above based on the read instructions. This is executed by outputting a control signal for operating.

＜第８実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第８実施形態について、図１６及び図１６Ａを参照して説明する。図１６Ａに示すように、第８実施形態では第２の乾燥流体供給ノズルは、ウエハＷの表面に高揮発性の有機溶剤例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を吐出する有機溶剤吐出ノズル８０Ｇ（以下に、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇという）にて形成されている。この場合、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇは、流量調整器８０ｊを介設したＩＰＡ供給管８０ｋを介してＩＰＡ供給源８０ｌに接続されている。なお、第８実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。 <Eighth Embodiment>
Next, an eighth embodiment of the substrate cleaning apparatus and method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 16 and 16A. As shown in FIG. 16A, in the eighth embodiment, the second dry fluid supply nozzle is an organic solvent discharge nozzle 80G (hereinafter referred to as “an organic solvent discharge nozzle 80G”) that discharges a highly volatile organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) onto the surface of the wafer W. IPA discharge nozzle 80G). In this case, the IPA discharge nozzle 80G is connected to an IPA supply source 80l via an IPA supply pipe 80k provided with a flow rate regulator 80j. In the eighth embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, so the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

このように構成される第８実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置からウエハＷの周縁にＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを移動することで、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧからＩＰＡを吐出して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液ＬをＩＰＡに置換してより早く乾燥除去することができる。 According to the eighth embodiment configured as described above , the IPA discharge nozzle 80G is moved from the position on the circle having the same center and diameter of the wafer W to the periphery of the wafer W while rotating the wafer W. The IPA is discharged from the discharge nozzle 80G and the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns in the dry region D is replaced with the IPA, so that it can be dried and removed earlier.

このように構成される第８実施形態に係る基板洗浄方法について、図１６及び図１６Ａを参照して簡単に説明する。なお、第８実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。   A substrate cleaning method according to the eighth embodiment configured as described above will be briefly described with reference to FIGS. 16 and 16A. In the eighth embodiment, step 1 and step 2 are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

（ステップ３ｈ）図１６（ａ）に示すように、第１の洗浄液ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成し、第１の洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０をウエハＷの中心から周縁に向かって洗浄ノズル６０と第１のガスノズル７０と干渉しないウエハＷの中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の乾燥流体（ＩＰＡ）供給開始位置まで移動した際、ウエハＷを回転したまま、待機位置８８に位置するＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを待機位置８８から第２の乾燥流体（ＩＰＡ）供給開始位置へ移動し、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧからＩＰＡを吐出（供給）し、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを第１の洗浄ノズル６０及び第１のガスノズル７０と共にウエハＷの周縁に向かって同心円状に移動する（図１６（ｂ）参照）。これにより、乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液ＬをＩＰＡに置換して乾燥除去する（図１６（ｂ）、図１６Ａ参照）。更に、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する（図１６（ｃ）参照）。 (Step 3h) As shown in FIG. 16A, the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are moved from the central portion of the wafer W toward the peripheral edge of the wafer W, and are spread over the entire surface of the wafer W. The dry region D is formed, and the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are moved from the center of the wafer W toward the periphery, and the center and diameter of the wafer W that does not interfere with the cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are the same. When moving to the second dry fluid (IPA) supply start position set at the upper position, the IPA discharge nozzle 80G positioned at the standby position 88 is moved from the standby position 88 to the second dry fluid while the wafer W is rotated. (IPA) Moves to the supply start position, discharges (supplies) IPA from the IPA discharge nozzle 80G, and uses the IPA discharge nozzle 80G together with the first cleaning nozzle 60 and the first gas nozzle 70. Moves concentrically towards the W periphery (see FIG. 16 (b)). As a result, the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns in the dry region D is replaced with IPA and removed by drying (see FIGS. 16B and 16A). Further, the IPA discharge nozzle 80G moves to the peripheral edge of the wafer W to reliably remove (discharge) the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns of the wafer W (see FIG. 16C).

（ステップ４）ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、第１の洗浄液ノズル６０、第１のガスノズル７０及びＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇは待機位置に戻される。   (Step 4) After the IPA discharge nozzle 80G moves to the peripheral edge of the wafer W and removes (discharges) the cleaning liquid L remaining between the circuit patterns of the wafer W, the rotational speed of the wafer W is set to 2000 rpm, for example. Drying is performed by shaking off micro-level droplets on the wafer W by centrifugal force. At the same time, the first cleaning liquid nozzle 60, the first gas nozzle 70, and the IPA discharge nozzle 80G are returned to the standby position.

以上の一連のステップ１，２，３ｈ，４は、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。   In the series of steps 1, 2, 3h, and 4 described above, the control computer 90 reads the control program stored in the memory of the control computer 90, and operates the above-described mechanisms based on the read instructions. This is executed by outputting the control signal.

＜その他の実施形態＞
以上、いくつかの実施形態を参照しながらこの発明を説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。 <Other embodiments>
The present invention has been described above with reference to several embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the matters included in the appended claims. It is.

例えば、第１ないし第３実施形態では、第２のガスノズル８０，８０Ａが１つのノズルアーム８６によってウエハＷの所定の位置から周縁に向かって移動する場合について説明したが、第７実施形態と同様に複数（複数組）の第２のガスノズル８０，８０Ａをそれぞれ複数のノズルアームによってウエハＷの中心から放射方向へ移動させるようにしてもよい。   For example, in the first to third embodiments, the case where the second gas nozzles 80 and 80A are moved from a predetermined position of the wafer W toward the peripheral edge by one nozzle arm 86 has been described, but the same as in the seventh embodiment. In addition, a plurality (a plurality of sets) of the second gas nozzles 80 and 80A may be moved in the radial direction from the center of the wafer W by a plurality of nozzle arms.

また、上記実施形態において、第１の洗浄液ノズル６０と第１のガスノズル７０は、共通のノズルアーム６６に一体的に固定されていたが、それぞれ個別のノズルアームに固定するようにしてもよい。この場合、第１のガスノズル７０は、Ｎ2ガスを吐出する時にだけウエハＷの表面上方に配置されるため、洗浄液Ｌのミスト等が第１のガスノズル７０に付着して結露が発生するのを防止することができる。   In the above embodiment, the first cleaning liquid nozzle 60 and the first gas nozzle 70 are integrally fixed to the common nozzle arm 66, but may be fixed to individual nozzle arms. In this case, since the first gas nozzle 70 is arranged above the surface of the wafer W only when N2 gas is discharged, it is possible to prevent the mist of the cleaning liquid L from adhering to the first gas nozzle 70 and causing dew condensation. can do.

また、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置（方法）を基板洗浄装置に適用した場合について説明したが、この発明は、基板洗浄装置以外にウエハ等の基板の表面に処理液供給部から処理液を供給して処理液の液膜を形成し、乾燥流体供給部から基板の表面に乾燥流体を供給して液膜を除去して乾燥領域を形成して乾燥処理する液処理装置にも適用できる。   In the above embodiment, the case where the liquid processing apparatus (method) according to the present invention is applied to the substrate cleaning apparatus has been described. However, the present invention is not limited to the substrate cleaning apparatus, and the processing liquid supply unit is provided on the surface of the substrate such as a wafer. To a liquid processing apparatus that forms a liquid film of a processing liquid by supplying a processing liquid from the drying fluid supply unit, and supplies a drying fluid to the surface of the substrate from a drying fluid supply unit to remove the liquid film to form a drying region and perform a drying process. Is also applicable.

また、この発明は、シリコンウエハだけでなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。   The present invention can be applied not only to a silicon wafer but also to a glass substrate for a flat panel display.

５０ 現像液ノズル
６０ 第１の洗浄液ノズル（第１の処理液供給部）
６０Ａ 第２の洗浄液ノズル（第２の処理液供給部）
６３，６３Ａ 洗浄液供給源
６５，６５Ａ，８５ ノズル保持部
６６，６６Ａ，８６ ノズルアーム
６８A,８８ 待機位置
７０ 第１のガスノズル（第１の乾燥流体供給部）
７３ Ｎ2ガス供給源
８０ 第２のガスノズル（第２の乾燥流体供給部）
８０Ｇ ＩＰＡ吐出ノズル
９０ 制御コンピュータ（制御手段）
１００ 基板洗浄装置
３００ 第１の洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構
４００ 第２の洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構 50 Developer nozzle 60 First cleaning liquid nozzle (first processing liquid supply unit)
60A Second cleaning liquid nozzle (second processing liquid supply unit)
63, 63A Cleaning liquid supply source 65, 65A, 85 Nozzle holding part 66, 66A, 86 Nozzle arm 68A, 88 Standby position 70 First gas nozzle (first dry fluid supply part)
73 N2 gas supply source 80 Second gas nozzle (second drying fluid supply unit)
80G IPA discharge nozzle 90 Control computer (control means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Substrate cleaning apparatus 300 1st cleaning liquid nozzle and gas nozzle moving mechanism 400 2nd cleaning liquid nozzle and gas nozzle moving mechanism

Claims (17)

基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
上記基板の表面に処理液を供給する第１の処理液供給部と、
上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、
上記基板に乾燥流体を供給する第２の乾燥流体供給部と、
上記第１の乾燥流体供給部を上記基板の中心部から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、
上記第２の乾燥流体供給部を上記基板の中心部と周縁の間における上記第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向けて移動する第２の移動機構と、
上記回転機構、上記処理液供給部、上記第１及び第２の乾燥流体供給部、上記第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、
上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成し、基板の中心部から周縁に向かって上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。 A substrate holder for horizontally holding the substrate;
A rotation mechanism for rotating the substrate holder around the rotation center axis;
A first processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the surface of the substrate;
A first drying fluid supply unit for supplying a drying fluid to the substrate;
A second drying fluid supply unit for supplying a drying fluid to the substrate;
A first moving mechanism for moving the first dry fluid supply unit from the center of the substrate toward the periphery;
Second drying in which the center and the diameter of the substrate that do not interfere with the first drying fluid supply unit between the center and the periphery of the substrate are set at the same circular position. A second moving mechanism that moves from the fluid supply start position toward the periphery of the substrate;
A control unit that controls driving of the rotation mechanism, the processing liquid supply unit, the first and second dry fluid supply units, and the first and second moving mechanisms,
While the substrate is rotated by the control unit, a processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate to form a liquid film, and the first film is formed from the center of the substrate toward the periphery. The drying fluid is supplied from the drying fluid supply unit to remove the liquid film on the substrate surface to form a drying region, and the first drying fluid supply unit has the second drying fluid supply start position and the center of the substrate. And when the fluid moves to a position on a circle having the same diameter, the drying fluid flows from the second drying fluid supply unit toward the peripheral edge of the substrate from the second drying fluid supply unit to the boundary surface between the liquid film and the drying region. And the first dry fluid supply unit and the second dry fluid supply unit move concentrically toward the periphery of the substrate. 請求項１に記載の液処理装置において、
上記第２の乾燥流体供給部が複数設けられ、これら複数の第２の乾燥流体供給部が上記第２の移動機構によって移動可能に形成されている、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus of Claim 1,
A liquid processing apparatus comprising a plurality of the second dry fluid supply units, wherein the plurality of second dry fluid supply units are formed to be movable by the second moving mechanism. 請求項１に記載の液処理装置において、
上記第２の乾燥流体供給部が基板の周縁に向かって凸状円弧状に形成されている、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus of Claim 1,
The liquid processing apparatus, wherein the second dry fluid supply unit is formed in a convex arc shape toward the periphery of the substrate. 請求項１ないし３のいずれかに記載の液処理装置において、
上記第１の処理液供給部を基板の中心から周縁に向かって移動する第３の移動機構を更に具備し、上記制御部によって上記第３の移動機構の駆動を制御する、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus in any one of Claims 1 thru | or 3,
The apparatus further comprises a third moving mechanism that moves the first processing liquid supply unit from the center of the substrate toward the periphery, and the driving of the third moving mechanism is controlled by the control unit. Liquid processing equipment. 請求項４に記載の液処理装置において、
上記第１の乾燥流体供給部が上記第１の処理液供給部の移動方向に対して後方側に配設され、上記第１の処理液供給部の移動に追従して上記第１の乾燥流体供給部が移動する、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus of Claim 4,
The first dry fluid supply unit is disposed on the rear side with respect to the moving direction of the first processing liquid supply unit, and follows the movement of the first processing liquid supply unit, so that the first dry fluid is supplied. A liquid processing apparatus, wherein the supply unit moves. 請求項４又は５に記載の液処理装置において、
上記第１の移動機構と第３の移動機構が共通の移動機構である、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus of Claim 4 or 5,
The liquid processing apparatus, wherein the first moving mechanism and the third moving mechanism are a common moving mechanism. 請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理装置において、
上記第２の乾燥流体供給部を上記基板保持部により保持された基板の周縁より外方に待機させる待機位置を具備し、上記制御部により、上記第１の乾燥流体供給部が基板の中心部から周縁に向かって移動の際には、上記第２の乾燥流体供給部は上記待機位置に位置し、上記第１の乾燥流体供給部が上記第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給部を上記第２の乾燥流体供給開始位置に移動し、その後、上記第１の乾燥流体供給部と上記第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 6,
A standby position for waiting the second dry fluid supply unit outward from the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding unit; and the control unit causes the first dry fluid supply unit to be centered on the substrate. When moving from the edge toward the periphery, the second drying fluid supply unit is positioned at the standby position, and the first drying fluid supply unit is positioned at the second drying fluid supply start position and the center of the substrate. And the second dry fluid supply unit is moved to the second dry fluid supply start position, and then the first dry fluid supply unit and the second dry fluid supply unit are moved to a position on the same circle . A liquid processing apparatus, wherein the drying fluid supply unit moves concentrically toward the periphery of the substrate. 請求項１ないし７のいずれかに記載の液処理装置において、
上記基板の周縁部における上記第２の乾燥流体供給部からの乾燥流体の供給が上記第１の乾燥流体供給部からの供給より前に停止される、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 7,
The liquid processing apparatus, wherein the supply of the drying fluid from the second drying fluid supply unit at the peripheral edge of the substrate is stopped before the supply from the first drying fluid supply unit. 請求項１に記載の液処理装置において、
上記基板に処理液を供給する第２の処理液供給部と、
上記第２の処理液供給部と上記第２の乾燥流体供給部とを上記第２の処理液供給部を先にして基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、
上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を更に具備し、
上記制御部により、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置及び第２の乾燥流体供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus of Claim 1,
A second processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate;
The first processing liquid supply unit and the second dry fluid supply unit are arranged between the first processing liquid supply unit and the first periphery between the center and the periphery of the substrate with the second processing liquid supply unit first. The second processing liquid supply start position and the second drying fluid supply start position, which are set to positions on the same circle, where the center and diameter of the substrate do not interfere with the dry fluid supply section of the substrate move toward the periphery. A moving mechanism of
A control unit that controls driving of the second processing liquid supply unit and the second moving mechanism, and
The control unit causes the first processing liquid supply unit and the first dry fluid supply unit to have the same center and diameter of the substrate as the second processing liquid supply start position and the second dry fluid supply start position. When moved to the upper position , the boundary between the liquid film and the drying region from the second processing liquid supply unit toward the periphery of the substrate from the second processing liquid supply start position and the second drying fluid supply start position. The processing liquid is supplied to the surface, and the drying fluid is supplied from the second drying fluid supply unit. The first processing liquid supply unit, the first drying fluid supply unit, the second processing liquid supply unit, and the second 2. A liquid processing apparatus, wherein the two dry fluid supply sections move concentrically toward the periphery of the substrate. 請求項９に記載の液処理装置において、
上記第２の処理液供給部、第２の乾燥流体供給部及び第２の移動機構が複数設けられていることを特徴とする液処理装置。 In the liquid processing apparatus according to claim 9,
A liquid processing apparatus comprising a plurality of the second processing liquid supply unit, the second drying fluid supply unit, and the second moving mechanism. 基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
上記基板に処理液を供給する第１及び第２の処理液供給部と、
上記基板に乾燥流体を供給する第１の乾燥流体供給部と、
上記第１の処理液供給部と上記第１の乾燥流体供給部とを上記第１の処理液供給部を先にして基板の中心から周縁に向けて移動する第１の移動機構と、
上記第２の処理液供給部を基板の中心と周縁の間における上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置から周縁に向けて移動する第２の移動機構と、
上記回転機構、第１及び第２の処理液供給部、第１の乾燥流体供給部、第１及び第２の移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、
上記制御部により、上記基板を回転させながら、上記第１の処理液供給部から基板の表面中心に処理液を供給して液膜を形成すると共に、上記第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部が上記第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から基板の周縁に向かって上記第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給し、上記第１の処理液供給部及び第１の乾燥流体供給部と上記第２の処理液供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する、ことを特徴とする液処理装置。 A substrate holder for horizontally holding the substrate;
A rotation mechanism for rotating the substrate holder around the rotation center axis;
First and second processing liquid supply units for supplying a processing liquid to the substrate;
A first drying fluid supply unit for supplying a drying fluid to the substrate;
A first moving mechanism for moving the first processing liquid supply unit and the first dry fluid supply unit from the center of the substrate toward the periphery with the first processing liquid supply unit first;
The second processing liquid supply unit is set at a position on the same circle where the center and diameter of the substrate do not interfere with the first processing liquid supply unit and the first drying fluid supply unit between the center and the periphery of the substrate. A second moving mechanism that moves toward the periphery from the second processing liquid supply start position,
A control unit that controls driving of the rotation mechanism, the first and second processing liquid supply units, the first dry fluid supply unit, and the first and second moving mechanisms;
While the substrate is rotated by the control unit, the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate to form a liquid film, and the drying fluid is supplied from the first drying fluid supply unit. And the liquid film on the substrate surface is removed to form a dry region, and the first processing liquid supply unit and the first drying fluid supply unit are connected to the second processing liquid supply start position and the center of the substrate. And when the diameter moves to a position on the same circle, the processing liquid is supplied from the second processing liquid supply section toward the peripheral edge of the substrate from the second processing liquid supply start position to the boundary surface between the liquid film and the drying region. And the first processing liquid supply unit, the first dry fluid supply unit, and the second processing liquid supply unit move concentrically toward the periphery of the substrate. apparatus. 請求項１１に記載の液処理装置において、
上記第２の処理液供給部及び第２の移動機構が複数設けられていることを特徴とする液処理装置。 The liquid processing apparatus according to claim 11, wherein
A liquid processing apparatus comprising a plurality of the second processing liquid supply unit and the second moving mechanism. 基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の乾燥流体供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する工程と、
を具備することを特徴とする液処理方法。 A process of forming a liquid film on the surface of the substrate by holding the substrate horizontally and supplying the processing liquid from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while rotating around the central axis of the substrate. When,
A step of supplying a drying fluid from the center of the surface of the substrate toward the periphery of the substrate while rotating the substrate to remove a liquid film on the surface of the substrate to form a drying region; ,
While the substrate is rotated, the second drying fluid supply is started such that the first drying fluid supply unit does not interfere with the first drying fluid supply unit, and the center and diameter of the substrate are set at the same circle. When the position and the center and diameter of the substrate move to a position on the same circle, the liquid film and the drying region are moved from the second drying fluid supply unit that moves toward the periphery from the second drying fluid supply start position. Supplying a drying fluid to the boundary surface, and moving the first drying fluid supply unit and the second drying fluid supply unit concentrically toward the periphery of the substrate;
The liquid processing method characterized by comprising. 請求項１３に記載の液処理方法において、
上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、第２の処理液供給部に追従して上記第２の乾燥流体供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の乾燥流体供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に乾燥流体を供給し、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部及び第２の乾燥流体供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する工程と、
を更に具備することを特徴とする液処理方法。 In the liquid processing method of Claim 13,
While the substrate is rotated, the supply of the second processing liquid is started in which the center and the diameter of the substrate are set to the same circle so that the first drying fluid supply unit does not interfere with the first drying fluid supply unit. When the position and the center and the diameter of the substrate move to a position on the same circle, the liquid film and the drying region are moved from the second processing liquid supply unit that moves toward the periphery from the second processing liquid supply start position. The process liquid is supplied to the boundary surface, and the liquid film and the drying liquid are dried from the second dry fluid supply part that moves from the second dry fluid supply start position toward the periphery following the second process liquid supply part. Supplying a drying fluid to the boundary surface of the region, and moving the first drying fluid supply unit, the second processing liquid supply unit, and the second drying fluid supply unit concentrically toward the periphery of the substrate; ,
The liquid processing method characterized by further comprising. 基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら、第１の処理液供給部から基板の表面の中心部に処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、第１の乾燥流体供給部から上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、上記第１の乾燥流体供給部が該第１の乾燥流体供給部と干渉しない上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に設定された第２の処理液供給開始位置と上記基板の中心及び径が同じ円上の位置に移動した際、上記第２の処理液供給開始位置から周縁に向かって移動する第２の処理液供給部から上記液膜と乾燥領域の境界面に処理液を供給すると共に、上記第１の乾燥流体供給部と第２の処理液供給部を上記基板の周縁に向かって同心円状に移動する工程と、
を具備することを特徴とする液処理方法。 A process of forming a liquid film on the surface of the substrate by holding the substrate horizontally and supplying the processing liquid from the first processing liquid supply unit to the center of the surface of the substrate while rotating around the central axis of the substrate. When,
A step of supplying a drying fluid from the center of the surface of the substrate toward the periphery of the substrate while rotating the substrate to remove a liquid film on the surface of the substrate to form a drying region; ,
While the substrate is rotated, the supply of the second processing liquid is started in which the center and the diameter of the substrate are set to the same circle so that the first drying fluid supply unit does not interfere with the first drying fluid supply unit. When the position and the center and the diameter of the substrate move to a position on the same circle, the liquid film and the drying region are moved from the second processing liquid supply unit that moves toward the periphery from the second processing liquid supply start position. Supplying a treatment liquid to the boundary surface, and moving the first dry fluid supply unit and the second treatment liquid supply unit concentrically toward the periphery of the substrate;
The liquid processing method characterized by comprising. 請求項１３ないし１５のいずれかに記載の液処理方法において、
上記第１の処理液供給部を基板の表面の中心部から周縁に向かって移動し、上記第１の処理液供給部から処理液を供給して上記基板の表面に液膜を形成すると共に、上記第１の処理液供給部に追従する第１の乾燥流体供給部から乾燥流体を供給して基板表面の液膜を除去して乾燥領域を形成する、ことを特徴とする液処理方法。 In the liquid processing method in any one of Claim 13 thru | or 15,
The first processing liquid supply unit is moved from the center of the surface of the substrate toward the periphery, the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply unit to form a liquid film on the surface of the substrate, and A liquid processing method comprising: supplying a drying fluid from a first drying fluid supply section that follows the first processing liquid supply section to remove a liquid film on a substrate surface to form a dry region. コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
上記制御プログラムは、実行時に請求項１３ないし１６のいずれかに記載の工程が実行されるように、コンピュータが液処理装置を制御するものである、ことを特徴とする液処理用記憶媒体。 A computer-readable storage medium storing software for causing a computer to execute a control program,
17. A storage medium for liquid processing, wherein the control program causes the computer to control the liquid processing apparatus so that the process according to claim 13 is executed at the time of execution.
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