JP5682076B2 - 研磨具及び研磨装置 - Google Patents
研磨具及び研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5682076B2 JP5682076B2 JP2013215415A JP2013215415A JP5682076B2 JP 5682076 B2 JP5682076 B2 JP 5682076B2 JP 2013215415 A JP2013215415 A JP 2013215415A JP 2013215415 A JP2013215415 A JP 2013215415A JP 5682076 B2 JP5682076 B2 JP 5682076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polishing
- polishing tool
- base material
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 205
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 220
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 49
- 239000002585 base Substances 0.000 description 45
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 33
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000011949 solid catalyst Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008832 photodamage Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910001038 basic metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000008055 phosphate buffer solution Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Weting (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
本発明の好ましい態様は、前記基材は、光およびイオン電流の少なくとも一方を通過させるための多数の貫通穴を有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記導電性部材は、貴金属、遷移金属、グラファイト、導電性樹脂、または導電性ゴムのいずれか1以上からなることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記導電性部材の厚さは100〜1000nmであることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記支持定盤は、ガラスまたは光透過性樹脂からなることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記触媒パッドは、石英ガラスからなることを特徴とする。
このように、パッド基材の表面に酸性または塩基性を有する金属酸化物膜を蒸着により形成することで、金属酸化物膜がパッド基材から剥がれ難くすることができる。
30A,30B、30C,30D 研磨装置
134 研磨具
130 処理液
132 容器
136 回転軸
140 光源
142 GaN基板
144 基板ホルダ
146 主軸
154 金属膜(金属配線)
230 回転テーブル
230 水
232 容器
238 ガス溶解器
241 水供給ライン(水供給部)
242 研磨パッド
244 基板ホルダ
246 回転軸
260,282 弾性基材
262.284 中間層
264,286 導電性部材
300,310,314 支持定盤
302 金属線(金属配線)
304 パッド基材
306 触媒層
308 触媒パッド
312 金属膜(金属配線)
316 配線フィルム
318 配線パターン(金属配線)
Claims (8)
- ゴム、樹脂、発泡性の樹脂または不織布のうち1つ以上の弾性体からなる基材と、
前記基材の少なくとも基板と接触する部位に配置される導電性部材と、
前記基材と前記導電性部材との間に両者の密着性を向上させるために介装されるカーボンまたはクロムからなる中間膜とを有することを特徴とする研磨具。 - 前記基材の表面には、処理液を効率的に供給するための複数の溝または孔が形成されていることを特徴とする請求項1記載の研磨具。
- 前記基材は、光およびイオン電流の少なくとも一方を通過させるための多数の貫通穴を有することを特徴とする請求項1または2記載の研磨具。
- 前記導電性部材は、貴金属、遷移金属、グラファイト、導電性樹脂、または導電性ゴムのいずれか1以上からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨具。
- 前記導電性部材の厚さは100〜1000nmであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の研磨具。
- 処理液を保持する容器と、
前記容器内に前記処理液に浸漬させて配置される請求項1乃至5のいずれかに記載の研磨具と、
基板を保持して前記容器内の前記処理液中に浸漬させ前記研磨具に接触させる基板ホルダと、
前記研磨具と前記基板ホルダで保持した基板とを互いに接触させつつ相対移動させる移動機構とを有することを特徴とする研磨装置。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の研磨具と、
基板を保持して前記研磨具に接触させる基板ホルダと、
前記研磨具と前記基板ホルダで保持した基板とを互いに接触させつつ相対移動させる移動機構と、
前記研磨具と前記基板ホルダで保持した基板との接触部に処理液を供給する処理液供給部とを有することを特徴とする研磨装置。 - 前記処理液は、弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水で、前記基板は、Ga元素を含有する化合物半導体からなることを特徴とする請求項6または7記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215415A JP5682076B2 (ja) | 2009-12-15 | 2013-10-16 | 研磨具及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009284494A JP5403359B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 研磨具及び研磨装置 |
JP2013215415A JP5682076B2 (ja) | 2009-12-15 | 2013-10-16 | 研磨具及び研磨装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009284494A Division JP5403359B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 研磨具及び研磨装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014263598A Division JP2015128161A (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014027299A JP2014027299A (ja) | 2014-02-06 |
JP5682076B2 true JP5682076B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=44291900
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009284494A Active JP5403359B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 研磨具及び研磨装置 |
JP2013215415A Active JP5682076B2 (ja) | 2009-12-15 | 2013-10-16 | 研磨具及び研磨装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009284494A Active JP5403359B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 研磨具及び研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5403359B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6534507B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2019-06-26 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
JP6328502B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2018-05-23 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 |
JP6534506B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2019-06-26 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
JP6400360B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2018-10-03 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 |
KR102127547B1 (ko) * | 2013-07-19 | 2020-06-26 | 국립대학법인 나고야공업대학 | 금속제 연마 패드 및 그 제조 방법 |
KR102193325B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2020-12-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
JP6309333B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-04-11 | ヤマハ発動機株式会社 | 接触式測定装置、塗布液塗布装置、電子部品実装装置およびプリント基板用スクリーン印刷装置 |
JP2015208840A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨パッドプロファイル計測用治具、及び、研磨パッドプロファイル計測方法 |
US10879087B2 (en) | 2017-03-17 | 2020-12-29 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP6827663B2 (ja) | 2017-04-24 | 2021-02-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置 |
JP6547146B1 (ja) * | 2018-05-11 | 2019-07-24 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 加工装置 |
JP6757011B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2020-09-16 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 触媒基準装置 |
JP7281226B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-05-25 | 大連理工大学 | 半導体ウェーハの光電気化学機械研磨加工装置及び加工方法 |
JP6620291B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2019-12-18 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 加工装置 |
JP7479668B2 (ja) | 2020-01-28 | 2024-05-09 | 株式会社東邦鋼機製作所 | 触媒パッド、その製造方法および製造装置 |
CN117020936B (zh) * | 2023-10-10 | 2023-12-29 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种光催化复合抛光垫及其制备方法与抛光方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01253239A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | AlGaAs表面研磨方法 |
JPH09239663A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-16 | Speedfam Co Ltd | 研磨用工具 |
JP2007109777A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | GaN化合物半導体基板のメカノケミカル研磨方法及び研磨装置 |
JP4982742B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2012-07-25 | 国立大学法人 熊本大学 | 磁性微粒子を用いた触媒化学加工方法及び装置 |
JP5436770B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-03-05 | 三菱レイヨン株式会社 | 導電性研磨パッドおよびその製造方法 |
JP5306677B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-10-02 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP2009241213A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッドの製造方法 |
-
2009
- 2009-12-15 JP JP2009284494A patent/JP5403359B2/ja active Active
-
2013
- 2013-10-16 JP JP2013215415A patent/JP5682076B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011129596A (ja) | 2011-06-30 |
JP2014027299A (ja) | 2014-02-06 |
JP5403359B2 (ja) | 2014-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5682076B2 (ja) | 研磨具及び研磨装置 | |
KR101754550B1 (ko) | 연마 공구 및 연마 장치 | |
US10916455B2 (en) | Flattening method and flattening apparatus | |
JP4887266B2 (ja) | 平坦化方法 | |
JP5364959B2 (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JP5552648B2 (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
CN111584355B (zh) | 基板处理装置及基板处理*** | |
JPH10303152A (ja) | 自動研磨装置 | |
JP2004327561A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2015128161A (ja) | 研磨方法 | |
JP4127926B2 (ja) | ポリッシング方法 | |
JP2007301697A (ja) | 研磨方法 | |
JP2011125938A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JP2004209588A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP2020178085A (ja) | 表面除去加工装置 | |
JP7118417B2 (ja) | 光照射触媒基準エッチング装置 | |
TW202042298A (zh) | 觸媒基準裝置 | |
JPH10270392A (ja) | ウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20131112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5682076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |