JP5681377B2 - Manufacturing method of semiconductor device and flip chip type semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに関する。フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体チップ等の半導体素子の裏面の保護と、強度向上等のために用いられる。また本発明は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法及びフリップチップ実装の半導体装置に関する。 The present invention relates to a flip-chip type semiconductor back film and a dicing tape-integrated semiconductor back film. The flip chip type semiconductor back film is used for protecting the back surface of a semiconductor element such as a semiconductor chip and improving the strength. The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device using a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, and a flip-chip mounted semiconductor device.
近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された(フリップチップ接続された)フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある。 In recent years, there has been a further demand for thinner and smaller semiconductor devices and their packages. Therefore, a flip chip type semiconductor device in which a semiconductor element such as a semiconductor chip is mounted on a substrate by flip chip bonding (flip chip connection) is widely used as a semiconductor device and its package. The flip chip connection is fixed in such a manner that the circuit surface of the semiconductor chip faces the electrode forming surface of the substrate. In such a semiconductor device or the like, the back surface of the semiconductor chip may be protected by a protective film to prevent the semiconductor chip from being damaged.
しかしながら、前記保護フィルムにより半導体チップの裏面を保護するためには、ダイシング工程で得られた半導体チップに対し、その裏面に保護フィルムを貼り付けるための新たな工程を追加する必要がある。その結果、工程数が増え、製造コスト等が増加することになる。また、近年の薄型化により、半導体チップのピックアップ工程において、半導体チップに損傷が生じる場合がある。その為、ピックアップ工程までは、半導体ウエハ又は半導体チップの機械的強度を増すため、これらを補強することが求められている。特に、半導体チップの薄型化により、当該半導体チップに反りが生じる場合があり、その抑制又は防止が求められている。 However, in order to protect the back surface of the semiconductor chip with the protective film, it is necessary to add a new process for attaching the protective film to the back surface of the semiconductor chip obtained in the dicing process. As a result, the number of processes increases and manufacturing costs and the like increase. In addition, due to the recent thinning, the semiconductor chip may be damaged in the semiconductor chip pickup process. Therefore, in order to increase the mechanical strength of the semiconductor wafer or the semiconductor chip until the pickup process, it is required to reinforce them. In particular, the semiconductor chip may be warped due to the thinning of the semiconductor chip, and suppression or prevention thereof is required.
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a flip-chip type semiconductor back surface capable of suppressing or preventing warpage of a semiconductor element flip-chip connected on an adherend. It is providing the film for semiconductors, and the film for semiconductor back surfaces integrated with a dicing tape.
また、本発明の他の目的は、反りの発生を抑制させて、被着体上に半導体素子をフリップチップ接続させることができ、その結果、歩留まりを向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can suppress the occurrence of warpage and flip-chip-connect a semiconductor element on an adherend, thereby improving yield. Is to provide.
本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化による収縮量を制御することにより被着体上にフリップチップ接続させた半導体素子に反りが発生するのを低減できることを見出し本発明を完成させるに至った。 The inventors of the present application have studied to solve the above-mentioned conventional problems, and as a result, the semiconductor element flip-chip connected to the adherend by controlling the amount of shrinkage caused by thermal curing of the film for flip-chip type semiconductor back surface. The inventors have found that the occurrence of warpage can be reduced and have completed the present invention.
即ち、本発明に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成されるためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が2体積%以上30体積%以下である。 That is, the flip chip type semiconductor back film according to the present invention is a flip chip type semiconductor back film to be formed on the back side of a semiconductor element flip chip connected on an adherend, The shrinkage due to thermosetting with respect to the entire volume of the flip chip type semiconductor back film is 2% by volume or more and 30% by volume or less.
フリップチップ実装においては、半導体パッケージ全体を封止するモールド樹脂は使用されず、アンダーフィルと呼ばれる封止樹脂で、被着体と半導体素子の間のバンプ接続部分のみを封止するのが一般的である。この為、半導体素子の裏面は剥き出しになっている。ここで、例えば、封止樹脂を熱硬化させる際には、その硬化収縮により半導体素子に応力が加わり、この応力に起因して半導体素子に反りが生じることがある。特に、厚さが300μm以下(更に厚さが200μm以下)の様な薄型の半導体素子においては、当該反りの発生は顕著となる。 In flip chip mounting, a mold resin that seals the entire semiconductor package is not used, and only a bump connection portion between the adherend and the semiconductor element is generally sealed with a sealing resin called an underfill. It is. For this reason, the back surface of the semiconductor element is exposed. Here, for example, when the sealing resin is thermally cured, stress is applied to the semiconductor element due to the curing shrinkage, and the semiconductor element may be warped due to the stress. In particular, in a thin semiconductor element having a thickness of 300 μm or less (further, a thickness of 200 μm or less), the occurrence of the warp becomes significant.
本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成されることで、当該半導体素子を保護する機能を果たすものである。また、本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が2体積%以上であるため、前記の様な封止樹脂の熱硬化の際に、同時に硬化収縮する。従って、半導体素子に作用する前記応力に対して、これを相殺し、又は緩和させる応力を当該半導体素子に加えることができる。その結果、半導体素子の反りを有効に抑制又は防止することができる。また、前記収縮量を30体積%以下にすることにより、アンダーフィルの収縮量と相関させることができる。尚、前記半導体素子の裏面とは、回路が形成された面とは反対側の面を意味する。 The film for flip chip type semiconductor back surface of the present invention is formed on the back surface of the semiconductor element flip-chip connected on the adherend, thereby fulfilling the function of protecting the semiconductor element. In addition, the flip chip type semiconductor back film of the present invention has a shrinkage amount of 2% by volume or more with respect to the total volume of the flip chip type semiconductor back film before thermosetting, and thus the sealing as described above. When the resin is thermally cured, it simultaneously cures and shrinks. Therefore, it is possible to apply a stress that cancels or relaxes the stress acting on the semiconductor element to the semiconductor element. As a result, the warpage of the semiconductor element can be effectively suppressed or prevented. Moreover, by making the said shrinkage amount 30 volume% or less, it can correlate with the shrinkage amount of an underfill. The back surface of the semiconductor element means a surface opposite to the surface on which a circuit is formed.
前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの厚さは2μm〜200μmの範囲内であることが好ましい。前記厚さを2μm以上にすることにより、当該フィルムの機械的強度を向上させ、良好な自己支持性を確保することができる。その一方、前記厚さを200μm以下にすることにより、被着体上にフリップチップ実装された半導体素子からなる半導体装置の薄型化が可能になる。 The thickness of the flip chip type semiconductor back film is preferably in the range of 2 μm to 200 μm. By setting the thickness to 2 μm or more, the mechanical strength of the film can be improved and good self-supporting properties can be ensured. On the other hand, by setting the thickness to 200 μm or less, it is possible to reduce the thickness of a semiconductor device made of a semiconductor element flip-chip mounted on an adherend.
前記半導体素子の厚さは20μm〜300μmの範囲内であることが好ましい。 The thickness of the semiconductor element is preferably in the range of 20 μm to 300 μm.
また、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、前記に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが、ダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、前記ダイシングテープは基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されている。 The dicing tape integrated semiconductor back film according to the present invention is a dicing tape integrated semiconductor back film in which the flip chip type semiconductor back film described above is laminated on a dicing tape. The tape has a structure in which an adhesive layer is laminated on a base material, and the flip-chip type semiconductor back film is laminated on the adhesive layer of the dicing tape.
前記構成のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、ダイシングテープとフリップチップ型半導体裏面用フィルムが一体的に形成されているので、半導体ウエハをダイシングして半導体素子を作製するダイシング工程やその後のピックアップ工程にも供することができる。即ち、ダイシング工程の前にダイシングテープを半導体ウエハ裏面に貼着させる際に、前記半導体裏面用フィルムも貼着させることができるので、半導体裏面用フィルムのみを貼着させる工程(半導体裏面用フィルム貼着工程)を必要としない。その結果、工程数の低減が図れる。しかも、半導体ウエハや、ダイシングにより形成された半導体素子の裏面を半導体裏面用フィルムが保護するので、ダイシング工程やそれ以降の工程(ピックアップ工程など)において、当該半導体素子の損傷を低減又は防止することができる。その結果、フリップチップ型半導体装置の製造歩留まりの向上が図れる。 Since the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface having the above-described configuration is formed integrally with the dicing tape and the film for flip chip type semiconductor back surface, the dicing process for dicing the semiconductor wafer to produce a semiconductor element and the subsequent pickup It can also be used for the process. That is, when the dicing tape is attached to the back surface of the semiconductor wafer before the dicing step, the film for semiconductor back surface can also be attached, so the step of attaching only the film for semiconductor back surface (film attachment for semiconductor back surface) No wearing process is required. As a result, the number of processes can be reduced. In addition, since the semiconductor back film protects the semiconductor wafer and the back surface of the semiconductor element formed by dicing, damage to the semiconductor element can be reduced or prevented in the dicing process and subsequent processes (pickup process, etc.). Can do. As a result, the manufacturing yield of the flip chip type semiconductor device can be improved.
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおけるフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、前記半導体素子を前記被着体上にフリップチップ接続する工程とを具備する。 A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface as described above, wherein the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface is a flip chip type. A step of adhering a semiconductor wafer on a film for semiconductor back surface, a step of dicing the semiconductor wafer to form a semiconductor element, and a semiconductor chip and the adhesive layer of the dicing tape together with the film for flip chip type semiconductor back surface And a step of flip-chip connecting the semiconductor element onto the adherend.
前記方法に於いては、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハの裏面に貼着させるので、半導体裏面用フィルムのみを貼着させる工程(半導体裏面用フィルム貼着工程)を必要としない。また、半導体ウエハのダイシングや、当該ダイシングにより形成された半導体素子のピックアップでは、半導体ウエハ及び半導体素子の裏面が半導体裏面用フィルムにより保護されているので、損傷等を防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させて、フリップチップ型の半導体装置を製造することができる。 In the above method, since the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface is adhered to the back surface of the semiconductor wafer, the step of adhering only the film for semiconductor back surface (film pasting step for semiconductor back surface) is not required. Further, in the semiconductor wafer dicing and the pickup of the semiconductor element formed by the dicing, the semiconductor wafer and the back surface of the semiconductor element are protected by the film for semiconductor back surface, so that damage or the like can be prevented. As a result, a manufacturing yield can be improved and a flip chip type semiconductor device can be manufactured.
前記フリップチップ接続の工程に於いては、前記被着体上にフリップチップボンディングされた半導体素子と、当該被着体との間の間隙に封止樹脂を封入した後、前記封止樹脂を熱硬化させる工程を具備することが好ましい。 In the flip-chip connection step, a sealing resin is sealed in a gap between a semiconductor element flip-chip bonded on the adherend and the adherend, and then the sealing resin is heated. It is preferable to provide the process to harden.
封止樹脂を熱硬化させる際には、その硬化収縮により半導体素子に応力が加わり、この応力に起因して半導体素子に反りが生じることがある。特に、厚さが300μm以下(更に厚さが200μm以下)の様な薄型の半導体素子においては、当該反りの発生は顕著となる。しかし、前記方法においては、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が2体積%以上のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを使用するので、封止樹脂の熱硬化の際に、当該半導体裏面用フィルムも硬化収縮する。これにより、封止樹脂の硬化収縮に起因して半導体素子に加えられる応力を相殺し、又は緩和することができ、半導体素子の反りの発生を抑制又は防止することができる。 When the sealing resin is thermally cured, stress is applied to the semiconductor element due to the curing shrinkage, and the semiconductor element may be warped due to the stress. In particular, in a thin semiconductor element having a thickness of 300 μm or less (further, a thickness of 200 μm or less), the occurrence of the warp becomes significant. However, in the above method, since the shrinkage amount due to thermal curing is 2% by volume or more with respect to the entire volume of the flip chip type semiconductor back film before thermosetting, During the thermosetting, the film for semiconductor back surface also cures and shrinks. Thereby, the stress applied to the semiconductor element due to the curing shrinkage of the sealing resin can be offset or alleviated, and the occurrence of warpage of the semiconductor element can be suppressed or prevented.
また、本発明に係るフリップチップ型半導体装置は、前記に記載の半導体装置の製造方法により製造されたものである。 A flip chip type semiconductor device according to the present invention is manufactured by the semiconductor device manufacturing method described above.
本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムによれば、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成されるので、当該半導体素子を保護する機能を果たす。また、本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が2体積%以上であるので、被着体上に半導体素子をフリップチップ接続させる際に生じる半導体素子の反りを有効に抑制又は防止することができる。 According to the flip chip type semiconductor back film of the present invention, since the film is formed on the back surface of the semiconductor element flip-chip connected on the adherend, the function of protecting the semiconductor element is achieved. In addition, since the flip chip type semiconductor back film of the present invention has a shrinkage amount of 2% by volume or more with respect to the total volume of the flip chip type semiconductor back film before thermosetting, the semiconductor is formed on the adherend. It is possible to effectively suppress or prevent the warpage of the semiconductor element that occurs when the elements are flip-chip connected.
また、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムによれば、ダイシングテープとフリップチップ型半導体裏面用フィルムが一体的に形成されているので、半導体ウエハをダイシングして半導体素子を作製するダイシング工程やその後のピックアップ工程にも供することができる。その結果、半導体裏面用フィルムのみを貼着させる工程(半導体裏面用フィルム貼着工程)を必要としない。更に、その後のダイシング工程やピックアップ工程では、半導体ウエハの裏面又はダイシングにより形成された半導体素子の裏面に半導体裏面用フィルムが貼着されているので、半導体ウエハや半導体素子を有効に保護することができ、半導体素子の損傷を抑制又は防止することができる。また、半導体素子を被着体上にフリップチップ接続させる際に、半導体素子の反りが発生するのを防止することができる。 Further, according to the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface of the present invention, since the dicing tape and the film for flip chip type semiconductor back surface are integrally formed, a dicing process for manufacturing a semiconductor element by dicing the semiconductor wafer It can also be used for the subsequent pick-up process. As a result, a step of attaching only the film for semiconductor back surface (film attaching step for semiconductor back surface) is not required. Further, in the subsequent dicing process and pick-up process, the film for semiconductor back surface is adhered to the back surface of the semiconductor wafer or the back surface of the semiconductor element formed by dicing, so that the semiconductor wafer and the semiconductor element can be effectively protected. And damage to the semiconductor element can be suppressed or prevented. In addition, when the semiconductor element is flip-chip connected to the adherend, the semiconductor element can be prevented from warping.
更に、本発明の半導体装置の製造方法によれば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハの裏面に貼着させるので、半導体裏面用フィルムのみを貼着させる工程を必要としない。また、半導体ウエハのダイシングや、当該ダイシングにより形成された半導体素子のピックアップでは、半導体ウエハ及び半導体素子の裏面が半導体裏面用フィルムにより保護されているので、損傷等を防止することができる。また、半導体素子を被着体上にフリップチップ接続させる際に、半導体素子の反りが発生するのを防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させて、フリップチップ型の半導体装置を製造することができる。 Furthermore, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, since the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface is adhered to the back surface of the semiconductor wafer, the step of adhering only the film for semiconductor back surface is not required. Further, in the semiconductor wafer dicing and the pickup of the semiconductor element formed by the dicing, the semiconductor wafer and the back surface of the semiconductor element are protected by the film for semiconductor back surface, so that damage or the like can be prevented. In addition, when the semiconductor element is flip-chip connected to the adherend, the semiconductor element can be prevented from warping. As a result, a manufacturing yield can be improved and a flip chip type semiconductor device can be manufactured.
本発明の実施の一形態について、図1を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。図1は、本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。 One embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited to these examples. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface according to the present embodiment. Note that in this specification, parts unnecessary for description are omitted in the drawings, and there are parts illustrated in an enlarged or reduced manner for ease of description.
(ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム)
図1で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、基材31上に粘着剤層32が設けられたダイシングテープ3と、前記粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム(以下、「半導体裏面用フィルム」という場合がある)2とを備える構成である。また、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、図1で示されているように、ダイシングテープ3の粘着剤層32上において、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分33のみに半導体裏面用フィルム2が形成された構成であってもよいが、粘着剤層32の全面に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよく、また、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分33より大きく且つ粘着剤層32の全面よりも小さい部分に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよい。なお、半導体裏面用フィルム2の表面(ウエハの裏面に貼着される側の表面)は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。
(Dicing tape integrated film for semiconductor backside)
As shown in FIG. 1, the dicing tape-integrated film for semiconductor back
(フリップチップ型半導体裏面用フィルム)
半導体裏面用フィルム2はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィルム2は、通常、製品としてのダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの形態では、未硬化状態(半硬化状態を含む)であり、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着させた後に熱硬化される(詳細については後述する)。
(Flip chip type film for semiconductor backside)
The
本実施の形態に係る半導体裏面用フィルム2は、熱硬化前の半導体裏面用フィルム2の全体積に対する、熱硬化による収縮量(以下、「熱硬化収縮量」という場合がある)が2体積%以上30体積%以下の特性を有している。前記熱硬化収縮量が2体積%以上であると、被着体上にフリップチップ接続させた半導体素子が薄型であっても(例えば、厚さが300μm以下、更に200μm以下であっても)、その反りを有効に抑制又は防止することができる。フリップチップ接続においては、被着体上に半導体素子をフリップチップボンディングした後、被着体と半導体素子の接続部分のみを封止材(アンダーフィルと呼ばれる封止樹脂など)により封止させる。更に、封止材を熱硬化させるが、その際の封止材の硬化収縮等により、半導体素子に応力(硬化収縮に起因する応力)が加わり反りが生じる。しかし、本実施の形態に係る半導体裏面用フィルム2は、前記熱硬化収縮量が2体積%以上であるので、前記封止材を熱硬化させる際に、封止材と共に硬化収縮する。これにより、半導体裏面用フィルム2からも半導体素子に応力を加えることが可能になり、封止材の硬化収縮に起因する応力を相殺ないし緩和させることができる。その結果、半導体素子の反りの発生を抑制又は防止することができる。また、前記熱硬化収縮量を30体積%以下にすることにより、封止材の収縮量に対応した適度な収縮量とすることができる。半導体裏面用フィルム2の前記熱硬化収縮量の下限値としては、好ましくは3体積%以上(より好ましくは3.5体積%以上)である。また、半導体裏面用フィルム2の前記熱硬化収縮量の上限値としては、好ましくは20体積%以下(より好ましくは10体積%以下)である。
The film for semiconductor back
ここで、半導体裏面用フィルムは単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、半導体裏面用フィルムが積層フィルムである場合、前記熱硬化収縮量は積層フィルム全体として2体積%以上30体積%以下の範囲であればよい。半導体裏面用フィルムの前記熱硬化収縮量は、熱硬化性樹脂の種類とその含有量などによりコントロールすることができる。なお、半導体裏面用フィルムの前記熱硬化収縮量は、実施例に記載の方法に従って測定することができる。 Here, the film for semiconductor back surface may be a single layer or a laminated film in which a plurality of layers are laminated. However, when the film for semiconductor back surface is a laminated film, the thermosetting shrinkage amount is 2 as the whole laminated film. It may be in the range of volume% or more and 30 volume% or less. The thermosetting shrinkage amount of the film for semiconductor back surface can be controlled by the type and content of the thermosetting resin. In addition, the said thermosetting shrinkage amount of the film for semiconductor back surfaces can be measured according to the method as described in an Example.
前記半導体裏面用フィルムは、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、更に少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることがより好ましい。少なくとも熱硬化性樹脂により形成することで、半導体裏面用フィルムは接着剤層としての機能を有効に発揮させることができる。 The film for semiconductor back surface is preferably formed of at least a thermosetting resin, and more preferably formed of at least a thermosetting resin and a thermoplastic resin. By forming it with at least a thermosetting resin, the film for semiconductor back surface can effectively exhibit the function as an adhesive layer.
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。 Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, and polycarbonate resin. , Thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET (polyethylene terephthalate) and PBT (polybutylene terephthalate), polyamideimide resins, or fluorine Examples thereof include resins. A thermoplastic resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下(好ましくは炭素数4〜18、更に好ましくは炭素数6〜10、特に好ましくは炭素数8又は9)の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基(ラウリル基)、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。 The acrylic resin is not particularly limited, and is linear or branched having 30 or less carbon atoms (preferably 4 to 18 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 8 or 9 carbon atoms). And polymers having one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having an alkyl group as a component. That is, in the present invention, acrylic resin has a broad meaning including methacrylic resin. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, pentyl group, isopentyl group, hexyl group, heptyl group, and 2-ethylhexyl group. Octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, dodecyl group (lauryl group), tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group and the like.
また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー(アルキル基の炭素数が30以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー)としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル若しくは(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、(メタ)アクリル酸とはアクリル酸及び/又はメタクリル酸をいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。 Further, the other monomer for forming the acrylic resin (a monomer other than an alkyl ester of acrylic acid or methacrylic acid having an alkyl group with 30 or less carbon atoms) is not particularly limited. For example, acrylic acid , Methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid-containing monomer, such as maleic anhydride or itaconic anhydride, etc. ) 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, (meta ) Acrylic acid 10-hydroxyde , Hydroxyl group-containing monomers such as 12-hydroxylauryl (meth) acrylic acid or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methyl acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane Sulfonic acid, methacrylamidopropane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or sulfonic acid group-containing monomer such as (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid or the like, or phosphoric acid group content such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate And monomers. In addition, (meth) acrylic acid means acrylic acid and / or methacrylic acid, and (meth) of the present invention has the same meaning.
また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は2種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。 Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. A thermosetting resin can be used individually or in combination of 2 or more types. As the thermosetting resin, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor elements is particularly suitable. Moreover, a phenol resin can be used suitably as a hardening | curing agent of an epoxy resin.
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy. Bifunctional epoxy such as resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin Epoxy resin such as resin, polyfunctional epoxy resin, hydantoin type epoxy resin, trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin or glycidylamine type epoxy resin It can be used.
エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。 As the epoxy resin, among the above examples, novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and tetraphenylolethane type epoxy resin are particularly preferable. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。 Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, for example, a novolac type phenol resin such as a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolac resin, a nonylphenol novolac resin, Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. A phenol resin can be used individually or in combination of 2 or more types. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5当量〜2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8当量〜1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。 The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 equivalent to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 equivalent to 1.2 equivalent. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
前記熱硬化性樹脂の含有量としては、半導体裏面用フィルムにおける全樹脂成分に対して5重量%以上90重量%以下であることが好ましく、10重量%以上85重量%以下であることがより好ましく、15重量%以上80重量%以下であることがさらに好ましい。前記含有量を、5重量%以上にすることにより、熱硬化収縮量を2体積%以上とし易くすることができる。また、封止樹脂を熱硬化させる際に、半導体裏面用フィルムを十分に熱硬化させることができ、半導体素子の裏面に確実に接着固定させて、剥離のないフリップチップ型の半導体装置の製造が可能になる。一方、前記含有量を90重量%以下にすることにより、パッケージ(PKG:フリップチップ型の半導体装置)の反りを抑制することができる。
The content of the thermosetting resin is preferably 5% by weight or more and 90% by weight or less, and more preferably 10% by weight or more and 85% by weight or less, based on all resin components in the film for semiconductor back surface. More preferably, it is 15 wt% or more and 80 wt% or less. By making the
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。 The thermosetting acceleration catalyst for epoxy resin and phenol resin is not particularly limited, and can be appropriately selected from known thermosetting acceleration catalysts. A thermosetting acceleration | stimulation catalyst can be used individually or in combination of 2 or more types. As the thermosetting acceleration catalyst, for example, an amine curing accelerator, a phosphorus curing accelerator, an imidazole curing accelerator, a boron curing accelerator, a phosphorus-boron curing accelerator, or the like can be used.
前記半導体裏面用フィルムとしては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。 The semiconductor back film is preferably formed of a resin composition containing an epoxy resin and a phenol resin, or a resin composition containing an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured.
半導体裏面用フィルム2は、半導体ウエハの裏面(回路非形成面)に対して接着性(密着性)半導体裏面用フィルム2は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。半導体裏面用フィルム2を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
The film for semiconductor back
半導体裏面用フィルムの半導体ウエハに対する接着力(23℃、剥離角度180度、剥離速度300mm/分)は、0.5N/20mm〜15N/20mmの範囲が好ましく、0.7N/20mm〜10N/20mmの範囲がより好ましい。0.5N/20mm以上にすることにより、優れた密着性で半導体ウエハや半導体素子に貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。また、半導体ウエハのダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。一方、15N/20mm以下にすることにより、ダイシングテープから容易に剥離することができる。 The adhesive strength of the film for semiconductor back surface to the semiconductor wafer (23 ° C., peeling angle 180 °, peeling speed 300 mm / min) is preferably in the range of 0.5 N / 20 mm to 15 N / 20 mm, and 0.7 N / 20 mm to 10 N / 20 mm. The range of is more preferable. By setting it to 0.5 N / 20 mm or more, it is stuck to a semiconductor wafer or a semiconductor element with excellent adhesion, and the occurrence of floating or the like can be prevented. Further, it is possible to prevent the occurrence of chip jumping during dicing of the semiconductor wafer. On the other hand, by setting it to 15 N / 20 mm or less, it can be easily peeled from the dicing tape.
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。 The crosslinking agent is not particularly limited, and a known crosslinking agent can be used. Specifically, for example, an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent, a metal salt Examples thereof include a system crosslinking agent, a carbodiimide crosslinking agent, an oxazoline crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, and an amine crosslinking agent. As the crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent or an epoxy crosslinking agent is suitable. Moreover, the said crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types.
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、1,2−エチレンジイソシアネート、1,4−ブチレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類;シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類;2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン/トリレンジイソシアネート3量体付加物[日本ポリウレタン工業(株)製、商品名「コロネートL」]、トリメチロールプロパン/ヘキサメチレンジイソシアネート3量体付加物[日本ポリウレタン工業(株)製、商品名「コロネートHL」]なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、1,3−ビス(N,N−グリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、o−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−S−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。 Examples of the isocyanate-based crosslinking agent include lower aliphatic polyisocyanates such as 1,2-ethylene diisocyanate, 1,4-butylene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate; cyclopentylene diisocyanate, cyclohexylene diisocyanate, Cycloaliphatic polyisocyanates such as isophorone diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, hydrogenated xylene diisocyanate; 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'- Aromatic polyisocyanates such as diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, and the like, and other trimethylolpropane / tolylene diisocyanate trimer adducts [Japan Polyurethane Industry Co., Ltd.] , Trade name "Coronate L"], trimethylolpropane / hexamethylene diisocyanate trimer adduct [Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. under the trade name "Coronate HL"], and the like are also used. Examples of the epoxy-based crosslinking agent include N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylenediamine, diglycidylaniline, 1,3-bis (N, N-glycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether , Pentaerythritol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, sorbitan polyglycidyl ether, trimethylolpropane poly In addition to lysidyl ether, adipic acid diglycidyl ester, o-phthalic acid diglycidyl ester, triglycidyl-tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate, resorcin diglycidyl ether, bisphenol-S-diglycidyl ether, epoxy in the molecule Examples thereof include an epoxy resin having two or more groups.
なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分(特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体)100重量部に対し、通常7重量部以下(例えば、0.05重量部〜7重量部)とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分100重量部に対して7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分100重量部に対して0.05重量部以上であることが好ましい。 In addition, the usage-amount in particular of a crosslinking agent is not restrict | limited, According to the grade to bridge | crosslink, it can select suitably. Specifically, the amount of the crosslinking agent used is, for example, usually 7 parts by weight or less (for example, 0.05 parts by weight) with respect to 100 parts by weight of the polymer component (particularly, the polymer having a functional group at the molecular chain end). ~ 7 parts by weight). When the amount of the crosslinking agent used is more than 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer component, the adhesive force is lowered, which is not preferable. From the viewpoint of improving cohesive strength, the amount of crosslinking agent used is preferably 0.05 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the polymer component.
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。 In the present invention, instead of using a cross-linking agent or using a cross-linking agent, it is possible to carry out a cross-linking treatment by irradiation with an electron beam or ultraviolet rays.
前記半導体裏面用フィルムは着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報(文字情報、図形情報など)を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されているので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。半導体裏面用フィルムを有色にする場合(無色・透明ではない場合)、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。 The film for semiconductor back surface is preferably colored. Thereby, excellent marking properties and appearance can be exhibited, and a semiconductor device having an added-value appearance can be obtained. Thus, since the colored film for semiconductor back surface has excellent marking properties, the film for semiconductor back surface is applied to the surface of the semiconductor element or the non-circuit surface side of the semiconductor device using the semiconductor element. Accordingly, by using various marking methods such as a printing method and a laser marking method, marking can be performed and various information such as character information and graphic information can be given. In particular, by controlling the coloring color, it is possible to visually recognize information (character information, graphic information, etc.) given by marking with excellent visibility. Further, since the film for semiconductor back surface is colored, the dicing tape and the film for semiconductor back surface can be easily distinguished, and workability and the like can be improved. Further, for example, as a semiconductor device, it is possible to color-code according to products. When the film for semiconductor back surface is colored (when it is not colorless or transparent), the color exhibited by coloring is not particularly limited, but is preferably a dark color such as black, blue, red, etc., particularly black It is preferable that
本実施の形態において、濃色とは、基本的には、L*a*b*表色系で規定されるL*が、60以下(0〜60)[好ましくは50以下(0〜50)、さらに好ましくは40以下(0〜40)]となる濃い色のことを意味している。 In the present embodiment, the dark, basically, L * a * b * L defined by the color system * is 60 or less (0 to 60) [preferably 50 or less (0 to 50) More preferably, it means a dark color of 40 or less (0 to 40)].
また、黒色とは、基本的には、L*a*b*表色系で規定されるL*が、35以下(0〜35)[好ましくは30以下(0〜30)、さらに好ましくは25以下(0〜25)]となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、L*a*b*表色系で規定されるa*やb*は、それぞれ、L*の値に応じて適宜選択することができる。a*やb*としては、例えば、両方とも、−10〜10であることが好ましく、より好ましくは−5〜5であり、特に−3〜3の範囲(中でも0又はほぼ0)であることが好適である。 Also, black and basically, L * a * b * L defined by the color system * is 35 or less (0 to 35) [preferably 30 or less (0 to 30), more preferably 25 This means a black color which is (0-25) below. In black, a * and b * defined in the L * a * b * color system can be appropriately selected according to the value of L * . As a * and b * , for example, both are preferably −10 to 10, more preferably −5 to 5, particularly in the range of −3 to 3 (among others 0 or almost 0). Is preferred.
なお、本実施の形態において、L*a*b*表色系で規定されるL*、a*、b*は、色彩色差計(商品名「CR−200」ミノルタ社製;色彩色差計)を用いて測定することにより求められる。なお、L*a*b*表色系は、国際照明委員会(CIE)が1976年に推奨した色空間であり、CIE1976(L*a*b*)表色系と称される色空間のことを意味している。また、L*a*b*表色系は、日本工業規格では、JIS Z 8729に規定されている。 In the present embodiment, L * , a * , and b * defined by the L * a * b * color system are color difference meters (trade name “CR-200” manufactured by Minolta Co .; color difference meter). It is calculated | required by measuring using. The L * a * b * color system is a color space recommended by the International Commission on Illumination (CIE) in 1976, and is a color space called the CIE 1976 (L * a * b * ) color system. It means that. The L * a * b * color system is defined in JIS Z 8729 in the Japanese Industrial Standard.
半導体裏面用フィルムを着色する際には、目的とする色に応じて、色材(着色剤)を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。 When coloring the film for semiconductor back surface, a color material (colorant) can be used according to the target color. As such a color material, various dark color materials such as a black color material, a blue color material, and a red color material can be suitably used, and a black color material is particularly suitable. As the color material, any of a pigment, a dye and the like may be used. Color materials can be used alone or in combination of two or more. As the dye, any form of dyes such as acid dyes, reactive dyes, direct dyes, disperse dyes, and cationic dyes can be used. Also, the form of the pigment is not particularly limited, and can be appropriately selected from known pigments.
特に、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導体裏面用フィルム(ひいてはダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム)を容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。 In particular, when a dye is used as a coloring material, the dye is dissolved or uniformly dispersed in the semiconductor back film, so that the film for semiconductor back (and hence dicing tape) having a uniform or almost uniform coloring density is obtained. Integrated film for semiconductor back surface) can be easily manufactured. Therefore, when a dye is used as the coloring material, the film for semiconductor back surface in the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface can make the coloring density uniform or almost uniform, and can improve the marking property and appearance.
黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材(青緑系色材)、マゼンダ系色材(赤紫系色材)およびイエロー系色材(黄系色材)が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。 Although it does not restrict | limit especially as a black color material, For example, it can select suitably from an inorganic black pigment and a black dye. In addition, as a black color material, a color material mixture in which a cyan color material (blue-green color material), a magenta color material (red purple color material) and a yellow color material (yellow color material) are mixed. It may be. Black color materials can be used alone or in combination of two or more. Of course, the black color material can be used in combination with a color material other than black.
具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック(ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど)、グラファイト(黒鉛)、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料(アゾメチンアゾブラックなど)、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト(非磁性フェライト、磁性フェライトなど)、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。 Specifically, as the black color material, for example, carbon black (furnace black, channel black, acetylene black, thermal black, lamp black, etc.), graphite (graphite), copper oxide, manganese dioxide, azo pigment (azomethine) Azo black, etc.), aniline black, perylene black, titanium black, cyanine black, activated carbon, ferrite (nonmagnetic ferrite, magnetic ferrite, etc.), magnetite, chromium oxide, iron oxide, molybdenum disulfide, chromium complex, complex oxide black Examples thereof include dyes and anthraquinone organic black dyes.
本発明では、黒系色材としては、C.I.ソルベントブラック3、同7、同22、同27、同29、同34、同43、同70、C.I.ダイレクトブラック17、同19、同22、同32、同38、同51、同71、C.I.アシッドブラック1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119、同154C.I.ディスパーズブラック1、同3、同10、同24等のブラック系染料;C.I.ピグメントブラック1、同7等のブラック系顔料なども利用することができる。
In the present invention, as the black color material, C.I. I.
このような黒系色材としては、例えば、商品名「Oil Black BY」、商品名「OilBlack BS」、商品名「OilBlack HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(オリエント化学工業株式会社製)などが市販されている。 Examples of such a black color material include a product name “Oil Black BY”, a product name “OilBlack BS”, a product name “OilBlack HBB”, a product name “Oil Black 803”, a product name “Oil Black 860”, The product name “Oil Black 5970”, the product name “Oil Black 5906”, the product name “Oil Black 5905” (manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.) and the like are commercially available.
黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、C.I.ソルベントブルー25、同36、同60、同70、同93、同95;C.I.アシッドブルー6、同45等のシアン系染料;C.I.ピグメントブルー1、同2、同3、同15、同15:1、同15:2、同15:3、同15:4、同15:5、同15:6、同16、同17、同17:1、同18、同22、同25、同56、同60、同63、同65、同66;C.I.バットブルー4;同60、C.I.ピグメントグリーン7等のシアン系顔料などが挙げられる。
Examples of the color material other than the black color material include a cyan color material, a magenta color material, and a yellow color material. Examples of cyan color materials include C.I. I. Solvent Blue 25, 36, 60, 70, 93, 95; I. Cyan dyes such as
また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、C.I.ソルベントレッド1、同3、同8、同23、同24、同25、同27、同30、同49、同52、同58、同63、同81、同82、同83、同84、同100、同109、同111、同121、同122;C.I.ディスパースレッド9;C.I.ソルベントバイオレット8、同13、同14、同21、同27;C.I.ディスパースバイオレット1;C.I.ベーシックレッド1、同2、同9、同12、同13、同14、同15、同17、同18、同22、同23、同24、同27、同29、同32、同34、同35、同36、同37、同38、同39、同40;C.I.ベーシックバイオレット1、同3、同7、同10、同14、同15、同21、同25、同26、同27、28などが挙げられる。
In the magenta color material, examples of the magenta dye include C.I. I.
マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、C.I.ピグメントレッド1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同8、同9、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同18、同19、同21、同22、同23、同30、同31、同32、同37、同38、同39、同40、同41、同42、同48:1、同48:2、同48:3、同48:4、同49、同49:1、同50、同51、同52、同52:2、同53:1、同54、同55、同56、同57:1、同58、同60、同60:1、同63、同63:1、同63:2、同64、同64:1、同67、同68、同81、同83、同87、同88、同89、同90、同92、同101、同104、同105、同106、同108、同112、同114、同122、同123、同139、同144、同146、同147、同149、同150、同151、同163、同166、同168、同170、同171、同172、同175、同176、同177、同178、同179、同184、同185、同187、同190、同193、同202、同206、同207、同209、同219、同222、同224、同238、同245;C.I.ピグメントバイオレット3、同9、同19、同23、同31、同32、同33、同36、同38、同43、同50;C.I.バットレッド1、同2、同10、同13、同15、同23、同29、同35などが挙げられる。
In the magenta color material, examples of the magenta pigment include C.I. I.
また、イエロー系色材としては、例えば、C.I.ソルベントイエロー19、同44、同77、同79、同81、同82、同93、同98、同103、同104、同112、同162等のイエロー系染料;C.I.ピグメントオレンジ31、同43;C.I.ピグメントイエロー1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同23、同24、同34、同35、同37、同42、同53、同55、同65、同73、同74、同75、同81、同83、同93、同94、同95、同97、同98、同100、同101、同104、同108、同109、同110、同113、同114、同116、同117、同120、同128、同129、同133、同138、同139、同147、同150、同151、同153、同154、同155、同156、同167、同172、同173、同180、同185、同195;C.I.バットイエロー1、同3、同20等のイエロー系顔料などが挙げられる。
Examples of yellow color materials include C.I. I. Solvent Yellow 19, 44, 77, 79, 81, 82, 93, 98, 103, 104, 112, 162 and the like yellow dyes; C.I. I.
シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を2種以上用いる場合、これらの色材の混合割合(または配合割合)としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。 Various color materials such as a cyan color material, a magenta color material, and a yellow color material can be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds of various color materials such as a cyan color material, a magenta color material, and a yellow color material are used, the mixing ratio (or blending ratio) of these color materials is not particularly limited, and each color material. It can be selected as appropriate according to the type and the target color.
半導体裏面用フィルム2を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、半導体裏面用フィルムは、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム2が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム2としては、樹脂層/着色剤層/樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の2つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。
When coloring the
半導体裏面用フィルム2には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤(フィラー)、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
The film for semiconductor back
前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルムに導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム2としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は2種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は0.1μm〜80μmの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
The filler may be either an inorganic filler or an organic filler, but an inorganic filler is suitable. By blending a filler such as an inorganic filler, it is possible to impart conductivity to the film for semiconductor back surface, improve thermal conductivity, adjust the elastic modulus, and the like. The film for semiconductor back
前記充填剤(特に無機充填剤)の配合量は、有機樹脂成分100重量部に対して80重量部以下(0重量部〜80重量部)であることが好ましく、特に0重量部〜70重量部であることが好適である。 The blending amount of the filler (particularly inorganic filler) is preferably 80 parts by weight or less (0 to 80 parts by weight), particularly 0 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. It is preferable that
また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。 Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. A flame retardant can be used individually or in combination of 2 or more types. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. A silane coupling agent can be used individually or in combination of 2 or more types. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. An ion trap agent can be used individually or in combination of 2 or more types.
半導体裏面用フィルム2は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、前記樹脂組成物を、ダイシングテープの粘着剤層32上に塗布する方法、適当なセパレータ(剥離紙など)上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層(又は接着剤層)を形成し、これを粘着剤層32上に転写(移着)する方法などにより、半導体裏面用フィルムとしてのフィルム状の層(接着剤層)を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。
The film for semiconductor back
なお、半導体裏面用フィルム2が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、半導体裏面用フィルムは、半導体ウエハに適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合、半導体ウエハに適用後に(具体的には、通常、フリップチップボンディング工程で封止材をキュアする際に)、半導体裏面用フィルム中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。
In addition, when the
このように、半導体裏面用フィルムは、熱硬化性樹脂を含んでいても、該熱硬化性樹脂は未硬化又は部分硬化の状態であるため、半導体裏面用フィルムのゲル分率としては、特に制限されないが、例えば、50重量%以下(0重量%〜50重量%)の範囲より適宜選択することができ、好ましくは30重量%以下(0重量%〜30重量%)であり、特に10重量%以下(0重量%〜10重量%)であることが好適である。半導体裏面用フィルムのゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定することができる。
<ゲル分率の測定方法>
半導体裏面用フィルムから約0.1gをサンプリングして精秤し(試料の重量)、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約50mlのトルエン中に室温で1週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分(メッシュ状シートの内容物)をトルエンから取り出し、130℃で約2時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し(浸漬・乾燥後の重量)、下記式(a)よりゲル分率(重量%)を算出する。
ゲル分率(重量%)=[(浸漬・乾燥後の重量)/(試料の重量)]×100 (a)
Thus, even if the film for semiconductor back surface contains a thermosetting resin, since the thermosetting resin is in an uncured or partially cured state, the gel fraction of the film for semiconductor back surface is particularly limited. For example, it can be appropriately selected from the range of 50% by weight or less (0% by weight to 50% by weight), preferably 30% by weight or less (0% by weight to 30% by weight), particularly 10% by weight. The following (0 to 10% by weight) is preferable. The measuring method of the gel fraction of the film for semiconductor back surface can be measured by the following measuring method.
<Method for measuring gel fraction>
About 0.1 g from the film for semiconductor back surface is sampled and weighed accurately (weight of the sample). After wrapping the sample in a mesh-like sheet, it is immersed in about 50 ml of toluene at room temperature for 1 week. Thereafter, the solvent-insoluble matter (the contents of the mesh sheet) is taken out from toluene and dried at 130 ° C. for about 2 hours. The solvent-insoluble matter after drying is weighed (weight after immersion / drying), and the following formula (a) From this, the gel fraction (% by weight) is calculated.
Gel fraction (% by weight) = [(weight after immersion / drying) / (weight of sample)] × 100 (a)
なお、半導体裏面用フィルムのゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。 In addition, the gel fraction of the film for semiconductor back surfaces can be controlled by the heating temperature, the heating time, etc., in addition to the type and content of the resin component, the type and content of the crosslinking agent.
本発明において、半導体裏面用フィルムは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体ウエハに対する密着性を有効に発揮することができる。 In the present invention, when the film for semiconductor back surface is a film-like product formed of a resin composition containing a thermosetting resin such as an epoxy resin, it can effectively exhibit adhesion to a semiconductor wafer.
尚、半導体ウエハのダイシング工程では切削水を使用することから、半導体裏面用フィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、フリップチップボンディングを行うと、半導体裏面用フィルム2と半導体ウエハ又はその加工体(半導体)との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、半導体裏面用フィルムとしては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、コア材料の片面又は両面に半導体裏面用フィルム2、12を形成した多層構造を半導体裏面用フィルムとして用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム(例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等)、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
In addition, since the cutting water is used in the dicing process of the semiconductor wafer, the film for the back surface of the semiconductor may absorb moisture, resulting in a moisture content higher than that in the normal state. When flip-chip bonding is performed with such a high water content, water vapor may accumulate at the bonding interface between the semiconductor back
半導体裏面用フィルム2の厚さ(積層フィルムの場合は総厚)は特に限定されないが、例えば、2μm〜200μm程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは4μm〜160μm程度が好ましく、6μm〜100μm程度がより好ましく、10μm〜80μm程度が特に好ましい。
Although the thickness (total thickness in the case of a laminated film) of the
前記半導体裏面用フィルム2の未硬化状態における23℃での引張貯蔵弾性率は1GPa以上(例えば、1GPa〜50GPa)であることが好ましく、より好ましくは2GPa以上であり、特に3GPa以上であることが好適である。前記引張貯蔵弾性率が1GPa以上であると、半導体チップを半導体裏面用フィルム2と共に、ダイシングテープの粘着剤層32から剥離させた後、半導体裏面用フィルム2を支持体上に載置して、輸送等を行った際に、半導体裏面用フィルムが支持体に貼着するのを有効に抑制又は防止することができる。尚、前記支持体は、例えば、キャリアテープにおけるトップテープやボトムテープなどをいう。なお、半導体裏面用フィルム2が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前述のように、熱硬化性樹脂は、通常、未硬化又は部分硬化の状態であるので、半導体裏面用フィルムの23℃における弾性率は、通常、熱硬化性樹脂が未硬化状態又は部分硬化状態での23℃における弾性率となる。
The tensile storage elastic modulus at 23 ° C. in the uncured state of the
ここで、半導体裏面用フィルム2は単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記未硬化状態における23℃での引張貯蔵弾性率は積層フィルム全体として1GPa以上(例えば、1GPa〜50GPa)の範囲であればよい。また、半導体裏面用フィルムの未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率(23℃)は、樹脂成分(熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂)の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。なお、半導体裏面用フィルム2が複数の層が積層された積層フィルムである場合(半導体裏面用フィルムが積層の形態を有している場合)、その積層形態としては、例えば、ウエハ接着層とレーザーマーク層とからなる積層形態などを例示することができる。また、このようなウエハ接着層とレーザーマーク層との間には、他の層(中間層、光線遮断層、補強層、着色層、基材層、電磁波遮断層、熱伝導層、粘着層など)が設けられていてもよい。なお、ウエハ接着層はウエハに対して優れた密着性(接着性)を発揮する層であり、ウエハの裏面と接触する層である。一方、レーザーマーク層は優れたレーザーマーキング性を発揮する層であり、半導体チップの裏面にレーザーマーキングを行う際に利用される層である。
Here, the film for semiconductor back
尚、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ3に積層させずに、未硬化状態の半導体裏面用フィルム2を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Solid Analyzer RS A2」を用いて、引張モードにて、サンプル幅:10mm、サンプル長さ:22.5mm、サンプル厚さ:0.2mmで、周波数:1Hz、昇温速度:10℃/分、窒素雰囲気下、所定の温度(23℃)にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。
The tensile storage elastic modulus is not laminated on the dicing
前記半導体裏面用フィルム2は、少なくとも一方の面がセパレータ(剥離ライナー)により保護されていることが好ましい(図示せず)。例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1の場合、半導体裏面用フィルムの一方の面のみにセパレータが設けられていてもよく、一方、ダイシングテープと一体化されていない半導体裏面用フィルムの場合、半導体裏面用フィルムの片面又は両面にセパレータが設けられていてもよい。セパレータは、実用に供するまで半導体裏面用フィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1の場合、セパレータは、更に、ダイシングテープの基材上の粘着剤層32に半導体裏面用フィルム2を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータは、半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム(ポリエチレンテレフタレートなど)や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
It is preferable that at least one surface of the
半導体裏面用フィルム2がダイシングテープ3に積層されていない場合、半導体裏面用フィルム2は、両面に剥離層を有するセパレータを1枚用いてロール状に巻回された形態で、両面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよく、少なくとも一方の面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよい。
When the semiconductor back
また、半導体裏面用フィルム2における可視光(波長:400nm〜800nm)の光線透過率(可視光透過率)は、特に制限されないが、例えば、20%以下(0%〜20%)の範囲であることが好ましく、より好ましくは10%以下(0%〜10%)、特に好ましくは5%以下(0%〜5%)である。半導体裏面用フィルム2は、可視光透過率が20%より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある。また、前記可視光透過率(%)は、半導体裏面用フィルム2の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤(顔料や染料など)の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。
Further, the light transmittance (visible light transmittance) of visible light (wavelength: 400 nm to 800 nm) in the
半導体裏面用フィルム2の可視光透過率(%)は、次の通りにして測定することができる。即ち、厚さ(平均厚さ)20μmの半導体裏面用フィルム2単体を作製する。次に、半導体裏面用フィルム2に対し、波長:400nm〜800nmの可視光線[装置:島津製作所製の可視光発生装置(商品名「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETR」)]を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。更に、可視光線が半導体裏面用フィルム2を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。尚、20μmの厚さでない半導体裏面用フィルム2の可視光透過率(%;波長:400nm〜800nm)の値により、厚さ:20μmの半導体裏面用フィルム2の可視光透過率(%;波長:400nm〜800nm)を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ20μmの半導体裏面用フィルム2の場合における可視光透過率(%)を求めているが、本発明に係る半導体裏面用フィルムは厚さ20μmのものに限定される趣旨ではない。
The visible light transmittance (%) of the
また、半導体裏面用フィルム2としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体的には、前記吸湿率は1重量%以下が好ましく、より好ましくは0.8重量%以下である。前記吸湿率を1重量%以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、半導体裏面用フィルム2と半導体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、半導体裏面用フィルム2を、温度85℃、相対湿度85%RHの雰囲気下で168時間放置する前後の重量変化により算出した値である。半導体裏面用フィルム2が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、温度85℃、相対湿度85%RHの雰囲気下で168時間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を変化させることにより調整することができる。
Moreover, as the
また、半導体裏面用フィルム2としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面用フィルム2の重量減少率(重量減少量の割合)が1重量%以下が好ましく、0.8重量%以下がより好ましい。加熱処理の条件は、例えば、加熱温度250℃、加熱時間1時間である。前記重量減少率を1重量%以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、半導体裏面用フィルム2が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、加熱温度250℃、加熱時間1時間の条件下で加熱したときの値を意味する。
Moreover, as the
(ダイシングテープ)
前記ダイシングテープ3は、基材31上に粘着剤層32が形成されて構成されている。このように、ダイシングテープ3は、基材31と、粘着剤層32とが積層された構成を有していればよい。基材(支持基材)は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。前記基材31は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材31としては、例えば、紙などの紙系基材;布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材;金属箔、金属板などの金属系基材;プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材;ゴムシートなどのゴム系基材;発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体[特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム(又はシート)同士の積層体など]等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;アクリル系樹脂;ポリ塩化ビニル(PVC);ポリウレタン;ポリカーボネート;ポリフェニレンスルフィド(PPS);ポリアミド(ナイロン)、全芳香族ポリアミド(アラミド)等のアミド系樹脂;ポリエーテルエーテルケトン(PEEK);ポリイミド;ポリエーテルイミド;ポリ塩化ビニリデン;ABS(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体);セルロース系樹脂;シリコーン樹脂;フッ素樹脂などが挙げられる。
(Dicing tape)
The dicing
また基材31の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材31を熱収縮させることにより粘着剤層32と半導体裏面用フィルム2との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
Moreover, as a material of the
基材31の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤(例えば、後述する粘着物質)によるコーティング処理を施すことができる。
The surface of the
前記基材31は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材31には、帯電防止能を付与する為、前記の基材31上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30〜500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材31は単層あるいは2種以上の複層でもよい。
As the
基材31の厚さ(積層体の場合は総厚)は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には1000μm以下(例えば、1μm〜1000μm)、好ましくは10μm〜500μm、さらに好ましくは20μm〜300μm、特に30μm〜200μm程度であるが、これらに限定されない。 The thickness of the substrate 31 (total thickness in the case of a laminated body) is not particularly limited and can be appropriately selected according to strength, flexibility, purpose of use, and the like. For example, it is generally 1000 μm or less (for example, 1 μm to 1000 μm), preferably 10 μm to 500 μm, more preferably 20 μm to 300 μm, particularly about 30 μm to 200 μm, but is not limited thereto.
なお、基材31には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤(着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など)が含まれていてもよい。
The
前記粘着剤層32は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約200℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤(例えば、特開昭56−61468号公報、特開昭61−174857号公報、特開昭63−17981号公報、特開昭56−13040号公報等参照)の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤(又はエネルギー線硬化型粘着剤)や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。
The
前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、(メタ)アクリル酸アルキルエステルの1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体(単独重合体又は共重合体)をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。 As the pressure-sensitive adhesive, acrylic pressure-sensitive adhesives and rubber-based pressure-sensitive adhesives can be suitably used, and acrylic pressure-sensitive adhesives are particularly preferable. As an acrylic adhesive, an acrylic adhesive based on an acrylic polymer (homopolymer or copolymer) using one or more (meth) acrylic acid alkyl esters as monomer components. Agents.
前記アクリル系粘着剤における(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s−ブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸エイコシルなどの(メタ)アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が4〜18の(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。 Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester in the acrylic pressure-sensitive adhesive include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic. Butyl acid, isobutyl (meth) acrylate, s-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, ( Octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, Undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, (meta Tridecyl acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, nonadecyl (meth) acrylate, (meth) acrylic Examples include (meth) acrylic acid alkyl esters such as acid eicosyl. The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 18 carbon atoms in the alkyl group. In addition, the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester may be either linear or branched.
なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分(共重合性単量体成分)に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、(メタ)アクリル酸(アクリル酸、メタクリル酸)、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー;(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−メチロールプロパン(メタ)アクリルアミドなどの(N−置換)アミド系モノマー;(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N−ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t−ブチルアミノエチルなどの(メタ)アクリル酸アミノアルキル系モノマー;(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチルなどの(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー;アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー;(メタ)アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー;スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー;イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー;ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー;N−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、N−ビニルカルボン酸アミド類、N−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー;N−シクロヘキシルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー;N−メチルイタコンイミド、N−エチルイタコンイミド、N−ブチルイタコンイミド、N−オクチルイタコンイミド、N−2−エチルヘキシルイタコンイミド、N−シクロヘキシルイタコンイミド、N−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー;N−(メタ)アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、N−(メタ)アクルロイル−6−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、N−(メタ)アクリロイル−8−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー;(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコール、(メタ)アクリル酸ポリプロピレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシエチレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー;(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素(メタ)アクリレート、シリコーン(メタ)アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー;ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ(メタ)アクリレート、ヘキシルジ(メタ)アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は1種又は2種以上使用できる。 In addition, the said acrylic polymer is another monomer component (for example) copolymerizable with the said (meth) acrylic-acid alkylester as needed for the purpose of modification | reformation, such as cohesion force, heat resistance, and crosslinkability. A unit corresponding to the copolymerizable monomer component) may be included. Examples of such copolymerizable monomer components include (meth) acrylic acid (acrylic acid, methacrylic acid), carboxyl such as carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Group-containing monomer; Acid anhydride group-containing monomer such as maleic anhydride, itaconic anhydride; hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, hydroxy (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as hexyl, hydroxyoctyl (meth) acrylate, hydroxydecyl (meth) acrylate, hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl methacrylate; styrene sulfonic acid, Sulfonic acid group-containing monomers such as rylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid; Phosphoric acid group-containing monomers such as hydroxyethyl acryloyl phosphate; (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) (N-substituted) amide monomers such as acrylamide; (meth) acrylic acid such as aminoethyl (meth) acrylate, N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate, and t-butylaminoethyl (meth) acrylate A Noalkyl monomers; (meth) acrylic acid alkoxyalkyl monomers such as methoxyethyl (meth) acrylate and ethoxyethyl (meth) acrylate; cyanoacrylate monomers such as acrylonitrile and methacrylonitrile; glycidyl (meth) acrylate and the like Epoxy group-containing acrylic monomers; styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; vinyl ester monomers such as vinyl acetate and vinyl propionate; olefin monomers such as isoprene, butadiene and isobutylene; vinyl ether monomers such as vinyl ether; N-vinyl pyrrolidone, methyl vinyl pyrrolidone, vinyl pyridine, vinyl piperidone, vinyl pyrimidine, vinyl piperazine, vinyl pyrazine, vinyl pyrrole, vinyl imida Nitrogen-containing monomers such as benzene, vinyl oxazole, vinyl morpholine, N-vinyl carboxylic acid amides, N-vinyl caprolactam; maleimides such as N-cyclohexylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-phenylmaleimide Monomers: Itaconimide monomers such as N-methylitaconimide, N-ethylitaconimide, N-butylitaconimide, N-octylitaconimide, N-2-ethylhexylitaconimide, N-cyclohexylitaconimide, N-laurylitaconimide N- (meth) acryloyloxymethylene succinimide, N- (meth) acryloyl-6-oxyhexamethylene succinimide, N- (meth) acryloyl-8-oxyoctamethylenesk Succinimide monomers such as N-imide; glycol-based acrylic ester monomers such as (meth) acrylic acid polyethylene glycol, (meth) acrylic acid polypropylene glycol, (meth) acrylic acid methoxyethylene glycol, (meth) acrylic acid methoxypolypropylene glycol; ) Acrylic acid ester monomer having heterocycle such as tetrahydrofurfuryl acrylate, fluorine (meth) acrylate, silicone (meth) acrylate, halogen atom, silicon atom, etc .; hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol Di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) a Chryrate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, urethane acrylate, divinylbenzene, butyl di (meth) acrylate, hexyl di (meth) And polyfunctional monomers such as acrylate. These copolymerizable monomer components can be used alone or in combination of two or more.
粘着剤として放射線硬化型粘着剤(又はエネルギー線硬化型粘着剤)を用いる場合、放射線硬化型粘着剤(組成物)としては、例えば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、例えば、粘着剤と発泡剤(特に熱膨張性微小球)とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。 When a radiation curable pressure sensitive adhesive (or energy ray curable pressure sensitive adhesive) is used as the pressure sensitive adhesive, examples of the radiation curable pressure sensitive adhesive (composition) include a radical reactive carbon-carbon double bond as a polymer side chain or a main chain. Intrinsic radiation curable adhesives that use polymers in the chain or at the end of the main chain as the base polymer, and radiation curable adhesives that contain UV-curable monomer or oligomer components in the adhesive It is done. Moreover, when using a heat-expandable adhesive as an adhesive, as a heat-expandable adhesive, the heat-expandable adhesive containing an adhesive and a foaming agent (especially heat-expandable microsphere) etc. are mentioned, for example.
本発明では、粘着剤層32には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤(例えば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など)が含まれていても良い。
In the present invention, the pressure-
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。 The crosslinking agent is not particularly limited, and a known crosslinking agent can be used. Specifically, as the crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent. , Metal salt crosslinking agents, carbodiimide crosslinking agents, oxazoline crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, amine crosslinking agents, and the like, and isocyanate crosslinking agents and epoxy crosslinking agents are preferred. A crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types. In addition, the usage-amount of a crosslinking agent is not restrict | limited in particular.
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、1,2−エチレンジイソシアネート、1,4−ブチレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類;シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類;2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン/トリレンジイソシアネート3量体付加物[日本ポリウレタン工業(株)製、商品名「コロネートL」]、トリメチロールプロパン/ヘキサメチレンジイソシアネート3量体付加物[日本ポリウレタン工業(株)製、商品名「コロネートHL」]なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、1,3−ビス(N,N−グリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、o−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−S−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。 Examples of the isocyanate-based crosslinking agent include lower aliphatic polyisocyanates such as 1,2-ethylene diisocyanate, 1,4-butylene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate; cyclopentylene diisocyanate, cyclohexylene diisocyanate, Cycloaliphatic polyisocyanates such as isophorone diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, hydrogenated xylene diisocyanate; 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'- Aromatic polyisocyanates such as diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, and the like, and other trimethylolpropane / tolylene diisocyanate trimer adducts [Japan Polyurethane Industry Co., Ltd.] , Trade name "Coronate L"], trimethylolpropane / hexamethylene diisocyanate trimer adduct [Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. under the trade name "Coronate HL"], and the like are also used. Examples of the epoxy-based crosslinking agent include N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylenediamine, diglycidylaniline, 1,3-bis (N, N-glycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether , Pentaerythritol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, sorbitan polyglycidyl ether, trimethylolpropane poly In addition to lysidyl ether, adipic acid diglycidyl ester, o-phthalic acid diglycidyl ester, triglycidyl-tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate, resorcin diglycidyl ether, bisphenol-S-diglycidyl ether, epoxy in the molecule Examples thereof include an epoxy resin having two or more groups.
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。 In the present invention, instead of using a cross-linking agent or using a cross-linking agent, it is possible to carry out a cross-linking treatment by irradiation with an electron beam or ultraviolet rays.
粘着剤層32は、例えば、粘着剤(感圧接着剤)と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材31上に塗布する方法、適当なセパレータ(剥離紙など)上に前記混合物を塗布して粘着剤層32を形成し、これを基材31上に転写(移着)する方法などにより、粘着剤層32を形成することができる。
The pressure-
粘着剤層32の厚さは特に制限されず、例えば、5μm〜300μm(好ましくは5μm〜200μm、さらに好ましくは5μm〜100μm、特に好ましくは7μm〜50μm)程度である。粘着剤層32の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層32は単層、複層の何れであってもよい。
The thickness of the
前記ダイシングテープ3の粘着剤層32のフリップチップ型半導体裏面用フィルム2に対する接着力(23℃、剥離角度180度、剥離速度300mm/分)は、0.02N/20mm〜10N/20mmの範囲が好ましく、0.05N/20mm〜5N/20mmの範囲がより好ましい。前記接着力を0.02N/20mm以上にすることにより、半導体ウエハのダイシングの際に半導体素子がチップ飛びするのを防止することができる。その一方、前記接着力を10N/20mm以下にすることにより、半導体素子をピックアップする際に、当該半導体素子の剥離が困難になったり、糊残りが発生するのを防止することができる。
The adhesive force (23 ° C., peel angle 180 °, peel speed 300 mm / min) of the
なお、本発明では、フリップチップ型半導体裏面用フィルム2や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウエハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材31、粘着剤層32乃至半導体裏面用フィルム2へ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材31への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を付設する方法等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質(導電フィラー)としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記半導体裏面用フィルム2は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
In the present invention, the anti-static ability can be imparted to the flip chip type semiconductor back
また、フリップチップ型半導体裏面用フィルム2や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート(フィルム)が積層された形態で形成されていてもよい。例えば、ロール状に巻回された形態を有している場合、半導体裏面用フィルム2又は、半導体裏面用フィルム2とダイシングテープ3との積層体を、必要に応じてセパレータにより保護した状態でロール状に巻回して、ロール状に巻回された状態又は形態の半導体裏面用フィルム2やダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1として作製することができる。なお、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1としては、基材31と、前記基材31の一方の面に形成された粘着剤層32と、前記粘着剤層32上に形成された半導体裏面用フィルムと、前記基材31の他方の面に形成された剥離処理層(背面処理層)とで構成されていてもよい。
Moreover, the
なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1の厚さ(半導体裏面用フィルムの厚さと、基材31及び粘着剤層32からなるダイシングテープの厚さの総厚)としては、例えば、8μm〜1500μmの範囲から選択することができ、好ましくは20μm〜850μm(さらに好ましくは31μm〜500μm、特に好ましくは47μm〜330μm)である。
The thickness of the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface 1 (the total thickness of the film for semiconductor back surface and the thickness of the dicing tape composed of the
なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1において、半導体裏面用フィルム2の厚さと、ダイシングテープ3の粘着剤層32の厚さとの比や、半導体裏面用フィルム2の厚さと、ダイシングテープ3の厚さ(基材31及び粘着剤層32の総厚)との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。
In the dicing tape-integrated film for semiconductor back
(ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法)
本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について、図1に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を例にして説明する。先ず、基材31は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
(Manufacturing method of dicing tape integrated semiconductor back film)
A method for manufacturing a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface according to the present embodiment will be described using the dicing tape-integrated film for semiconductor back
次に、基材31上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)粘着剤層32を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材31に塗布して、基材31上に粘着剤層32を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層32を形成させた後、該粘着剤層32を基材31に転写させてもよい。これにより、基材31上に粘着剤層32を形成されたダイシングテープ3が作製される。
Next, the pressure-sensitive adhesive composition is applied on the
一方、半導体裏面用フィルム2を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して(熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して)、塗布層を形成する。この塗布層を前記粘着剤層32上に転写することにより、半導体裏面用フィルム2を粘着剤層32上に形成する。なお、前記粘着剤層32上に、半導体裏面用フィルム2を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥する(熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施して乾燥する)ことによっても、半導体裏面用フィルム2を粘着剤層32上に形成することができる。以上により、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を得ることができる。なお、半導体裏面用フィルム2を形成する際に熱硬化を行う場合、部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わない。
On the other hand, the forming material for forming the
本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、フリップチップボンディング工程を具備する半導体装置の製造の際に好適に用いることができる。すなわち、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、フリップチップ実装の半導体装置を製造する際に用いられ、半導体チップの裏面に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1の半導体裏面用フィルム2が貼着している状態又は形態で、フリップチップ実装の半導体装置が製造される。従って、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、フリップチップ実装の半導体装置(半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置)に対して用いることができる。
The dicing tape-integrated film for semiconductor back
なお、半導体裏面用フィルム2は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1と同様に、フリップチップ実装の半導体装置(半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置)に対して用いることができる。
The semiconductor back
(半導体ウエハ)
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
(Semiconductor wafer)
The semiconductor wafer is not particularly limited as long as it is a known or commonly used semiconductor wafer, and can be appropriately selected from semiconductor wafers of various materials. In the present invention, a silicon wafer can be suitably used as the semiconductor wafer.
(半導体装置の製造方法)
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図2を参照しながら以下に説明する。図2は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。
(Method for manufacturing semiconductor device)
A method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device when the dicing tape-integrated film for semiconductor back
前記半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を用いて半導体装置を製造することができる。具体的には、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを少なくとも具備する。
The semiconductor device manufacturing method can manufacture a semiconductor device using the dicing tape-integrated film for semiconductor back
なお、半導体裏面用フィルム2の場合、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を用いた場合の半導体装置の製造方法に準じた方法により、半導体装置を製造することができる。例えば、半導体裏面用フィルム2はダイシングテープと貼り合わせて、ダイシングテープと一体化させたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムとして用いて、半導体装置を製造することができる。この場合、半導体裏面用フィルム2を用いた半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法における工程に、さらに、半導体裏面用フィルムとダイシングテープとを、半導体裏面用フィルムとダイシングテープの粘着剤層が接触する形態で貼り合わせる工程を具備した製造方法になる。
In addition, in the case of the
また、半導体裏面用フィルム2は、ダイシングテープと一体化せずに、半導体ウエハに貼着させて用いることもできる。この場合、半導体裏面用フィルム2を用いた半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法におけるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程を、半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着する工程、半導体ウエハに貼着されている半導体裏面用フィルムに、ダイシングテープを、半導体裏面用フィルムとダイシングテープの粘着剤層が接触する形態で貼り合わせる工程とした製造方法になる。
Moreover, the
また、半導体裏面用フィルム2は、半導体ウエハを個片化した半導体チップに貼着させて用いることもできる。この場合、半導体裏面用フィルム2を用いた半導体装置の製造方法は、例えば、ダイシングテープを半導体ウエハに貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程と、半導体素子に、半導体裏面用フィルムを貼着する工程とを少なくとも具備した製造方法であってもよい。
Moreover, the
[マウント工程]
先ず、図2(a)で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1の半導体裏面用フィルム2上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム2上に半導体ウエハ4を貼着して、これを接着保持させ固定する(マウント工程)。このとき前記半導体裏面用フィルム2は未硬化状態(半硬化状態を含む)にある。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、半導体ウエハ4の裏面に貼着される。半導体ウエハ4の裏面とは、回路面とは反対側の面(非回路面、非電極形成面などとも称される)を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
[Mounting process]
First, as shown in FIG. 2 (a), a separator arbitrarily provided on the
[ダイシング工程」
次に、図2(b)で示されるように、半導体ウエハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ4を所定のサイズに切断して個片化(小片化)し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ4は、半導体裏面用フィルムを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ4の破損も抑制できる。なお、半導体裏面用フィルム2がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において半導体裏面用フィルムの接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着(ブロッキング)することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
[Dicing process]
Next, as shown in FIG. 2B, the semiconductor wafer 4 is diced. As a result, the semiconductor wafer 4 is cut into a predetermined size and divided into pieces (small pieces), whereby the
なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
In addition, when expanding the dicing tape-integrated film for semiconductor back
[ピックアップ工程]
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1に接着固定された半導体チップ5を回収する為に、図2(c)で示されるように、半導体チップ5のピックアップを行って、半導体チップ5を半導体裏面用フィルム2とともにダイシングテープ3より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1の基材31側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ5は、その裏面が半導体裏面用フィルム2により保護されている。
[Pickup process]
In order to collect the
[フリップチップ接続工程]
ピックアップした半導体チップ5は、図2(d)で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式(フリップチップ実装方式)により固定させる。具体的には、半導体チップ5を、半導体チップ5の回路面(表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される)が被着体6と対向する形態で、被着体6に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ5の回路面側に形成されているバンプ51を、被着体6の接続パッドに被着された接合用の導電材(半田など)61に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ5と被着体6との電気的導通を確保し、半導体チップ5を被着体6に固定させることができる(フリップチップボンディング工程)。このとき、半導体チップ5と被着体6との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に30μm〜300μm程度である。尚、半導体チップ5を被着体6上にフリップチップボンディング(フリップチップ接続)した後は、半導体チップ5と被着体6との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材(封止樹脂など)を充填させて封止することが重要である。
[Flip chip connection process]
As shown in FIG. 2D, the picked-up
被着体6としては、リードフレームや回路基板(配線回路基板など)等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
As the
フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類(合金)や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。 In the flip chip bonding process, the material of the bump or the conductive material is not particularly limited, and examples thereof include a tin-lead metal material, a tin-silver metal material, a tin-silver-copper metal material, and a tin-zinc metal. Materials, solders (alloys) such as tin-zinc-bismuth metal materials, gold metal materials, copper metal materials, and the like.
なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ5の回路面側のバンプと、被着体6の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、260℃程度(例えば、250℃〜300℃)となっている。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルムをエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。
In the flip chip bonding process, the conductive material is melted to connect the bumps on the circuit surface side of the
本工程では、半導体チップ5と被着体6との対向面(電極形成面)や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。
In this step, it is preferable to clean the facing surface (electrode forming surface) and the gap between the
次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ5と被着体6との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、175℃で60秒間〜90秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165℃〜185℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく半導体裏面用フィルム2の熱硬化も同時に行われる。これにより、封止樹脂及び半導体裏面用フィルム2の双方が、熱硬化の進行に伴い硬化収縮をする。その結果、封止樹脂の硬化収縮に起因して半導体チップ5に加えられる応力は、半導体裏面用フィルム2が硬化収縮することにより相殺ないし緩和することができる。また、当該工程により、半導体裏面用フィルム2を完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子の裏面に貼着させることができる。更に、本発明に係る半導体裏面用フィルム2は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、半導体裏面用フィルム2を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。
Next, a sealing step for sealing the gap between the flip-chip bonded
前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂(絶縁樹脂)であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂(フェノール樹脂など)や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。 The sealing resin is not particularly limited as long as it is an insulating resin (insulating resin), and can be appropriately selected from sealing materials such as known sealing resins. Is more preferable. As sealing resin, the resin composition containing an epoxy resin etc. are mentioned, for example. Examples of the epoxy resin include the epoxy resins exemplified above. Moreover, as a sealing resin by the resin composition containing an epoxy resin, in addition to an epoxy resin, a thermosetting resin other than an epoxy resin (such as a phenol resin) or a thermoplastic resin may be included as a resin component. Good. In addition, as a phenol resin, it can utilize also as a hardening | curing agent of an epoxy resin, As such a phenol resin, the phenol resin illustrated above etc. are mentioned.
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1や半導体裏面用フィルム2を用いて製造された半導体装置(フリップチップ実装の半導体装置)は、半導体チップの裏面に半導体裏面用フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報(文字情報、図研情報など)を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー(CO2レーザー)、エキシマレーザー(ArFレーザー、KrFレーザー、XeClレーザー、XeFレーザーなど)が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、YAGレーザー(Nd:YAGレーザーなど)、YVO4レーザーが好適である。
Since the semiconductor device manufactured using the dicing tape-integrated
本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムや半導体裏面用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「PHS」、小型のコンピュータ(例えば、いわゆる「PDA」(携帯情報端末)、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック(商標)」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など)、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ(商標)」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器(持ち運び可能な電子機器)などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外(設置型など)の電子機器(例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器(ハードディスクレコーダー、DVDプレイヤー等)、プロジェクター、マイクロマシンなど)などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「CPU」の部材、各種記憶装置(いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど)の部材などが挙げられる。 Since the semiconductor device manufactured using the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface and the film for semiconductor back surface of the present invention is a semiconductor device mounted by a flip chip mounting method, the semiconductor device mounted by a die bonding mounting method Instead, the shape is reduced in thickness and size. For this reason, it can use suitably as various electronic devices and electronic components, or those materials and members. Specifically, as an electronic device using the flip-chip mounted semiconductor device of the present invention, a so-called “mobile phone” or “PHS”, a small computer (for example, a so-called “PDA” (personal digital assistant)), a so-called "Notebook PC", so-called "Netbook (trademark)", so-called "wearable computer", etc.), "mobile phone" and small electronic devices integrated with a computer, so-called "digital camera (trademark)", so-called "digital" Mobile devices such as video cameras, small TVs, small game devices, small digital audio players, so-called “electronic notebooks”, so-called “electronic dictionaries”, so-called “electronic books” electronic device terminals, small digital-type watches, etc. Type electronic devices (portable electronic devices), but of course It may be an electronic device other than a mobile type (such as a setting type) (for example, a so-called “disc top PC”, a flat-screen TV, a recording / playback electronic device (hard disk recorder, DVD player, etc.), a projector, a micromachine, etc.) . Examples of materials and members of electronic components or electronic devices / electronic components include so-called “CPU” members, members of various storage devices (so-called “memory”, hard disks, etc.), and the like.
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded. In each example, all parts are based on weight unless otherwise specified.
(実施例1)
<フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製>
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(商品名「パラクロンW−197CM」根上工業株式会社製):100部に対して、エポキシ樹脂(商品名「エピコート1004」JER株式会社製):117部、フェノール樹脂(商品名「ミレックスXLC−4L」三井化学株式会社製):117部、球状シリカ(商品名「SO−25R」株式会社アドマテックス製):83部、染料(商品名「OIL BLACK BS」オリエント化学工業株式会社製):4部、熱硬化促進触媒(商品名「2PHZ−PW」四国化成工業株式会社製):1.7部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が23.6重量%となる接着剤組成物の溶液を調製した。
Example 1
<Preparation of flip chip type semiconductor backside film>
Acrylate ester-based polymer (trade name “Paracron W-197CM” manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) containing ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component: 100 parts of epoxy resin (trade name “Epicoat 1004” JER Corporation) 117 parts, phenol resin (trade name “Millex XLC-4L”, manufactured by Mitsui Chemicals): 117 parts, spherical silica (trade name “SO-25R”, manufactured by Admatex Co., Ltd.): 83 parts, dye (product) Name “OIL BLACK BS” manufactured by Orient Chemical Co., Ltd .: 4 parts, heat curing acceleration catalyst (trade name “2PHZ-PW” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.): 1.7 parts dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a solid content A solution of the adhesive composition having a concentration of 23.6% by weight was prepared.
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ(セパレータ)としてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)30μmのフリップチップ型半導体裏面用フィルムAを作製した。 By applying this adhesive composition solution on a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm subjected to silicone release treatment as a release liner (separator), and then drying at 130 ° C. for 2 minutes, A flip chip type semiconductor back film A having a thickness (average thickness) of 30 μm was produced.
<ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの作製>
上記フリップチップ型半導体裏面用フィルムAを、ダイシングテープ(商品名「V−8−T」日東電工株式会社製;基材の平均厚さ:65μm、粘着剤層の平均厚さ:10μm)の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを作製した。
<Production of dicing tape integrated semiconductor back film>
Adhesion of the film A for flip-chip type semiconductor back surface with a dicing tape (trade name “V-8-T” manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 μm, average thickness of adhesive layer: 10 μm) The film was laminated on the agent layer using a hand roller to produce a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface.
(実施例2)
<フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製>
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(商品名「パラクロンW−197CM」根上工業株式会社製):100部に対して、エポキシ樹脂(商品名「エピコート1004」JER株式会社製):200部、フェノール樹脂(商品名「ミレックスXLC−4L」三井化学株式会社製):200部、球状シリカ(商品名「SO−25R」株式会社アドマテックス製):125部、染料(商品名「OIL GREEN 502」オリエント化学工業株式会社製):4部、熱硬化促進触媒(商品名「2PHZ−PW」四国化成工業株式会社製):5部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が23.6重量%となる接着剤組成物の溶液を調製した。
(Example 2)
<Preparation of flip chip type semiconductor backside film>
Acrylate ester-based polymer (trade name “Paracron W-197CM” manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) containing ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component: 100 parts of epoxy resin (trade name “Epicoat 1004” JER Corporation) 200 parts, phenolic resin (trade name “Millex XLC-4L” manufactured by Mitsui Chemicals): 200 parts, spherical silica (trade name “SO-25R” manufactured by Admatechs Co., Ltd.): 125 parts, dye (product) Name “OIL GREEN 502” manufactured by Orient Chemical Industries Co., Ltd .: 4 parts, heat curing acceleration catalyst (trade name “2PHZ-PW” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.): 5 parts dissolved in methyl ethyl ketone, the solid content concentration A solution of the adhesive composition to be 23.6% by weight was prepared.
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ(セパレータ)としてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)30μmのフリップチップ型半導体裏面用フィルムBを作製した。 By applying this adhesive composition solution on a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm subjected to silicone release treatment as a release liner (separator), and then drying at 130 ° C. for 2 minutes, A flip-chip type semiconductor back film B having a thickness (average thickness) of 30 μm was produced.
<ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの作製>
上記フリップチップ型半導体裏面用フィルムBを、ダイシングテープ(商品名「V−8−T」日東電工株式会社製;基材の平均厚さ:65μm、粘着剤層の平均厚さ:10μm)の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを作製した。
<Production of dicing tape integrated semiconductor back film>
Adhesion of the above-mentioned film B for flip-chip type semiconductor with a dicing tape (trade name “V-8-T” manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 μm, average thickness of adhesive layer: 10 μm) The film was laminated on the agent layer using a hand roller to produce a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface.
(比較例1)
<フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製>
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(商品名「パラクロンW−197CM」根上工業株式会社製):100部に対して、エポキシ樹脂(商品名「エピコート1004」JER株式会社製):75部、フェノール樹脂(商品名「ミレックスXLC−4L」三井化学株式会社製):75部、球状シリカ(商品名「SO−25R」株式会社アドマテックス製):185部、染料(商品名「OIL BLACK BS」オリエント化学工業株式会社製):4部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が23.6重量%となる接着剤組成物の溶液を調製した。
(Comparative Example 1)
<Preparation of flip chip type semiconductor backside film>
Acrylate ester-based polymer (trade name “Paracron W-197CM” manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) containing ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component: 100 parts of epoxy resin (trade name “Epicoat 1004” JER Corporation) Manufactured by: 75 parts, phenol resin (trade name “Millex XLC-4L” manufactured by Mitsui Chemicals): 75 parts, spherical silica (trade name “SO-25R” manufactured by Admatechs Co., Ltd.): 185 parts, dye (product) Name “OIL BLACK BS” manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.): 4 parts were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare an adhesive composition solution having a solid content concentration of 23.6% by weight.
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ(セパレータ)としてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ(平均厚さ)30μmのフリップチップ型半導体裏面用フィルムCを作製した。 By applying this adhesive composition solution on a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm subjected to silicone release treatment as a release liner (separator), and then drying at 130 ° C. for 2 minutes, A flip-chip type semiconductor back film C having a thickness (average thickness) of 30 μm was produced.
<ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの作製>
上記フリップチップ型半導体裏面用フィルムCを、ダイシングテープ(商品名「V−8−T」日東電工株式会社製;基材の平均厚さ:65μm、粘着剤層の平均厚さ:10μm)の粘着剤層上に、ハンドローラーを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを作製した。
<Production of dicing tape integrated semiconductor back film>
Adhesion of the above-mentioned film C for flip-chip type semiconductor with a dicing tape (trade name “V-8-T” manufactured by Nitto Denko Corporation; average thickness of substrate: 65 μm, average thickness of adhesive layer: 10 μm) The film was laminated on the agent layer using a hand roller to produce a dicing tape-integrated film for semiconductor back surface.
(熱硬化収縮量)
各実施例及び比較例で作製したフリップチップ型半導体裏面用フィルムの一方の面に、ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ:38μm)を貼着させた。この状態で、定規により体積を測定した。次に、165℃、2時間の条件下で加熱した後、ポリエチレンテレフタレートフィルムからフリップチップ型半導体裏面用フィルムを剥離させ、定規により体積を測定した。そして、熱硬化前の全体積に対する、熱硬化後の収縮量(体積%)を求めた。結果を下記表1に示す。
(Thermosetting shrinkage)
A polyethylene terephthalate film (thickness: 38 μm) was attached to one surface of the flip chip type semiconductor back film produced in each of the examples and comparative examples. In this state, the volume was measured with a ruler. Next, after heating at 165 ° C. for 2 hours, the flip-chip type semiconductor back film was peeled from the polyethylene terephthalate film, and the volume was measured with a ruler. And the shrinkage | contraction amount (volume%) after thermosetting with respect to the whole volume before thermosetting was calculated | required. The results are shown in Table 1 below.
(半導体パッケージの反り量)
半導体チップの反りの発生の有無は、半導体パッケージの反り量を測定することで評価した。
即ち、先ず、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムからセパレータを剥離した後、半導体ウエハ(直径8インチ、厚さ200μm;シリコンミラーウエハ)を半導体裏面用フィルム上に70℃でロール圧着して貼り合わせた。更に、半導体ウエハのダイシングを行った。ダイシングは10mm角のチップサイズとなる様にフルカットした。なお、貼り合わせ条件、ダイシング条件は、下記のとおりである。
(Warpage amount of semiconductor package)
The presence or absence of warpage of the semiconductor chip was evaluated by measuring the warpage amount of the semiconductor package.
That is, first, the separator was peeled from the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, and then a semiconductor wafer (diameter 8 inches, thickness 200 μm; silicon mirror wafer) was roll-bonded onto the film for semiconductor back surface at 70 ° C. and bonded. It was. Further, the semiconductor wafer was diced. Dicing was fully cut so as to obtain a 10 mm square chip size. Bonding conditions and dicing conditions are as follows.
[貼り合わせ条件]
貼り付け装置:商品名「MA−3000III」日東精機株式会社製
貼り付け速度計:10mm/min
貼り付け圧力:0.15MPa
貼り付け時のステージ温度:70℃
[ダイシング条件]
ダイシング装置:商品名「DFD−6361」ディスコ社製
ダイシングリング:「2−8−1」(ディスコ社製)
ダイシング速度:30mm/sec
ダイシングブレード:
Z1;ディスコ社製「203O−SE 27HCDD」
Z2;ディスコ社製「203O−SE 27HCBB」
ダイシングブレード回転数:
Z1;40,000r/min
Z2;45,000r/min
カット方式:ステップカット
ウェハチップサイズ:10.0mm角
[Paste condition]
Pasting device: Trade name “MA-3000III” manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd. Pasting speed meter: 10 mm / min
Pasting pressure: 0.15 MPa
Stage temperature at the time of pasting: 70 ° C
[Dicing condition]
Dicing machine: Trade name “DFD-6361” manufactured by Disco Corporation Dicing ring: “2-8-1” (manufactured by Disco Corporation)
Dicing speed: 30mm / sec
Dicing blade:
Z1; "203O-SE 27HCDD" manufactured by DISCO
Z2: “203O-SE 27HCBB” manufactured by Disco Corporation
Dicing blade rotation speed:
Z1; 40,000 r / min
Z2; 45,000 r / min
Cut method: Step cut Wafer chip size: 10.0mm square
次に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムのダイシングテープ側からニードルで突き上げて、ダイシングにより得られた半導体チップをフリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに粘着剤層からピックアップした。なお、ピックアップ条件は、下記のとおりである。 Next, the dicing tape-integrated film for semiconductor back surface was pushed up with a needle from the dicing tape side, and the semiconductor chip obtained by dicing was picked up from the adhesive layer together with the flip chip type semiconductor back surface film. The pickup conditions are as follows.
[ピックアップ条件]
ピックアップ装置:商品名「SPA−300」株式会社新川社製
ピックアップニードル本数:9本
ニードル突き上げ速度:20mm/s
ニードル突き上げ量 : 500μm
ピックアップ時間:1秒
ダイシングテープ エキスパンド量 : 3mm
[Pickup conditions]
Pickup device: Brand name “SPA-300” manufactured by Shinkawa Co., Ltd. Number of pickup needles: 9 Needle push-up speed: 20 mm / s
Needle push-up amount: 500 μm
Pickup time: 1 second Dicing tape Expand amount: 3mm
続いて、半導体チップをBT基板[三菱瓦斯化学社製のBTレジン(ビスマレイイミドトリアジン系樹脂)を使用した基板]上にフリップチップボンディングした。このとき半導体チップの回路面がBT基板に対向させ、半導体チップの回路面に形成されているバンプを、BT基板の接続パッドに被着された接合用の導電材(半田)と接触させて押圧しながら、温度を260℃まで上げて導電材を溶融させ、その後、室温まで冷却させて行った。更に、半導体チップとBT基板の間隙に封止樹脂としてのアンダーフィル材を注入させた。このときのアンダーフィル(封止材)の厚さは20μmであった。続いて、165℃、2時間の条件下で加熱した後、半導体パッケージの反り量を測定した。 Subsequently, the semiconductor chip was flip-chip bonded onto a BT substrate [a substrate using BT resin (bismaleimide triazine resin) manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.]. At this time, the circuit surface of the semiconductor chip is opposed to the BT substrate, and the bump formed on the circuit surface of the semiconductor chip is brought into contact with the bonding conductive material (solder) attached to the connection pad of the BT substrate and pressed. While the temperature was raised to 260 ° C., the conductive material was melted and then cooled to room temperature. Further, an underfill material as a sealing resin was injected into the gap between the semiconductor chip and the BT substrate. At this time, the thickness of the underfill (sealing material) was 20 μm. Subsequently, after heating at 165 ° C. for 2 hours, the amount of warpage of the semiconductor package was measured.
反り量の測定は、先ず、前記BT基板が下側になる様に半導体パッケージを平板上に載置し、平板上から浮いているBT基板の高さ、即ち反り量(μm)を測定した。測定は、接触式の表面粗さ計(Veeco社製、DEKTAK8)を用いて、測定速度1.5mm/s、加重1gの条件下で行った。測定の結果、反り量が100μm以下のものを○とし、100μmを超えるものを×とした。結果を下記表1に示す。 First, the semiconductor package was placed on a flat plate so that the BT substrate was on the lower side, and the height of the BT substrate floating from the flat plate, that is, the amount of warpage (μm) was measured. The measurement was performed using a contact-type surface roughness meter (Veeco, DEKTAK8) under the conditions of a measurement speed of 1.5 mm / s and a load of 1 g. As a result of the measurement, a case where the warpage amount was 100 μm or less was rated as “◯”, and a case where the warpage amount exceeded 100 μm was rated as “X”. The results are shown in Table 1 below.
(結果)
表1から分かる通り、実施例1及び2の様に、熱硬化収縮量が2体積%以上の半導体裏面用フィルムであると、半導体パッケージの反り量を何れも100μm以下に抑制できることが確認された。その一方、比較例1の様に、熱硬化収縮量が0.9体積%の半導体裏面用フィルムであると、半導体パッケージの反り量を100μm以下に低減することができなかった。
(result)
As can be seen from Table 1, it was confirmed that the amount of warpage of the semiconductor package can be suppressed to 100 μm or less when the film for semiconductor back surface has a thermosetting shrinkage of 2% by volume or more as in Examples 1 and 2. . On the other hand, as in Comparative Example 1, when the film for semiconductor back surface has a thermosetting shrinkage of 0.9 vol%, the warpage of the semiconductor package could not be reduced to 100 μm or less.
1 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
2 半導体裏面用フィルム
3 ダイシングテープ
31 基材
32 粘着剤層
33 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
4 半導体ウエハ
5 半導体チップ
51 半導体チップ5の回路面側に形成されているバンプ
6 被着体
61 被着体6の接続パッドに被着された接合用の導電材
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が2体積%以上30体積%以下であり、
前記ダイシングテープは基材上に粘着剤層が積層された構造であり、
前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されており、
前記製造方法は、
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおけるフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、
前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、
前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを具備し、
前記フリップチップ接続の工程に於いては、前記被着体上にフリップチップボンディングされた半導体素子と、当該被着体との間の間隙に封止樹脂を封入した後、前記封止樹脂を熱硬化させる工程を具備し、
前記封止樹脂を熱硬化させる工程は、前記封止樹脂と前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとを同時に熱硬化させる工程である半導体装置の製造方法。 The flip chip type semiconductor back film is a method of manufacturing a semiconductor device using a dicing tape integrated semiconductor back film laminated on a dicing tape,
The film for flip chip type semiconductor back surface has a shrinkage of 2% by volume or more and 30% by volume or less due to heat curing with respect to the entire volume of the film for flip chip type semiconductor back surface before heat curing,
The dicing tape has a structure in which an adhesive layer is laminated on a substrate,
The flip chip type semiconductor back film is laminated on the adhesive layer of the dicing tape,
The manufacturing method includes:
Attaching a semiconductor wafer on a flip chip type semiconductor back film in the dicing tape integrated semiconductor back film;
Forming a semiconductor element by dicing the semiconductor wafer;
The step of peeling the semiconductor element from the adhesive layer of the dicing tape together with the flip chip type semiconductor back film,
And a step of flip-chip connecting the semiconductor element on an adherend ,
In the flip-chip connection step, a sealing resin is sealed in a gap between a semiconductor element flip-chip bonded on the adherend and the adherend, and then the sealing resin is heated. Comprising the step of curing,
The step of thermally curing the sealing resin is a method for manufacturing a semiconductor device, wherein the sealing resin and the flip-chip type semiconductor back film are thermally cured simultaneously.
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