JP5679386B1 - レーザ光源装置、及び検査装置 - Google Patents

レーザ光源装置、及び検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5679386B1
JP5679386B1 JP2014032676A JP2014032676A JP5679386B1 JP 5679386 B1 JP5679386 B1 JP 5679386B1 JP 2014032676 A JP2014032676 A JP 2014032676A JP 2014032676 A JP2014032676 A JP 2014032676A JP 5679386 B1 JP5679386 B1 JP 5679386B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
wavelength
harmonic
solid
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014032676A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015158562A (ja
Inventor
究 武久
究 武久
佐久間 純
純 佐久間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lasertec Corp
Original Assignee
Lasertec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lasertec Corp filed Critical Lasertec Corp
Priority to JP2014032676A priority Critical patent/JP5679386B1/ja
Priority to US14/626,005 priority patent/US9991670B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5679386B1 publication Critical patent/JP5679386B1/ja
Publication of JP2015158562A publication Critical patent/JP2015158562A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0092Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/353Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/353Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G02F1/354Third or higher harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1618Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】簡素な構成のレーザ光源装置、及び検査装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様にかかるレーザ光源装置200は、第1の波長帯域のいずれか一つに含まれる波長を中心波長基本波のレーザ光を発振する基本波発生手段201と、固体レーザから取り出される2ピコ秒以上のパルス幅を有するパルスレーザ光の第6高調波を発生させる手段205と、を備えたレーザ光源装置である。第1の波長帯域は(1063.763+Δλ)nmから(1063.921−Δλ)nmであり、第2の波長帯域は(1063.921+Δλ)から(1064.073−Δλ)nmであり、第3の波長帯域は(1064.284+Δλ)nmから(1064.553−Δλ)nmであり、第4の波長帯域は(1064.715+Δλ)nmから(1064.894−Δλ)nmである。【選択図】図4

Description

本発明は、レーザ光源装置、及び検査装置に関する。
一般にマスクの欠陥検査には、マスクパターンと設計データとの比較検査法(一般にDie-to-database比較法と呼ばれる。)と、2つのチップの同一部分を比較するパターン比較検査法(一般にDie-to-die比較法と呼ばれる。)の2通りの方法が広く知られている。どちらも方式でもマスクパターンにおける微小な一部分を対物レンズと投影レンズによって、CCDカメラ、あるいはTDIカメラなどのイメージセンサー面に拡大投影して検出されるパターンを比較している。ただしマスクのパターン面における観察領域を照明する必要があり、その照明用の光源(一般にマスク検査光源と呼ばれる。)には様々な紫外域のレーザが用いられている。これに関しては、例えば、記非特許文献1において概説されている。
特に短波長のレーザを用いた高感度なマスク検査装置としては、波長193nmの紫外光のパルスレーザをマスク検査光源として用いたパターン検査装置が開発されている。これに関しては、例えば、下記非特許文献2に示されている。
イメージセンサー面に投影されるマスクのパターンの再現性を左右する解像度は、照明するレーザ光の波長に比例し、投影光学系で用いられる対物レンズの開口数NAに反比例する。従って解像度を高めるには、レーザ光を短波長化するか、あるいは対物レンズを高NA化すればよい。
波長193nmよりも短波長の光源としては、波長約157nmでレーザ動作するフッ素分子レーザが広く知られている。ただしフッ素分子レーザは後述するように、繰り返し数が低い。このことから、波長1064nmでレーザ発振するレーザの第6高調波である波長177nmの紫外光を用いることが考えられる。
特にKBBF(KBe2BO3F2)結晶、あるいはRBBF(RbBe2BO3F2)結晶と呼ばれる非線形光学結晶を用いると、波長1064nmの固体レーザの第6高調波が得られることが知られている(例えば非特許文献10)。なお、KBBF結晶やRBBF結晶に関しては、下記非特許文献3において示されている。また、KBBF結晶やRBBF結晶を用いることで波長175nmが得られること関しては、下記非特許文献4においても示されている。
一方、パターン検査装置に用いられる検査光源に関しては、均一な投影像を得るため、及び検査速度を高めるために、連続動作(CW動作と呼ばれる。CWはContinuous Waveの略である。)のレーザか、あるいは1MHz以上の高い繰り返し動作が可能なレーザ装置が用いられることが多い。
特にTDI(Time Delay Integration)カメラを用いる場合、そのイメージセンサー面に投影させながらマスクをスキャンさせている。なお、TDIカメラとは、CCD素子をTDI動作させた撮像装置のことであり、例えば、下記非特許文献5において説明されている。
TDIカメラでは、一般に長方形状であるイメージセンサーにおける一方向に信号を積算することで、信号を平均化している。これによって、マスク検査光源から発生するパルス光のエネルギーにある程度のバラツキがある場合でも、取得されるパターン信号にはバラツキの影響が低減される。従って、TDIカメラにおける一般的なフレームレートである100〜1000Hzに比べて大幅に高い繰り返し数でパルス発光する光源が好ましい。特に1MHz以上の高速な繰り返し数でパルス動作できるレーザがマスク検査光源に適している。ただし、CW動作のレーザを用いても良いが、波長193nmより短い波長で数百mW以上のマスク検査に十分なパワーが得られるCWレーザは存在しない。
マスク検査光源に1MHz以上の高繰り返しレーザが適する理由について説明する。例えば、イメージセンサーの画素数が縦方向に1000画素、横方向に2000画素として、それを1000Hzのフレームレートで動作させる場合について考える。マスクのスキャン方向がイメージセンサーの縦方向と平行であれば、1秒間に1000×1000パルス(すなわち1MHz)で動作できる光源を用いることで、縦段数分で平均化される。すなわち、同一地点に1000パルス分の光エネルギーが積算されることになる。よって、多少のパルスエネルギーバラツキがあってもその影響はほとんど無視できるようになる。
エキシマレーザやフッ素分子レーザは、紫外域で高出力動作し、リソグラフィ用光源に利用されていることで広く知られている。しかしながら、エキシマレーザやフッ素分子レーザでは、繰り返し数は高くても6000Hz程度である。このため、パターン検査装置用の光源としては繰り返し数が低過ぎて適さない。
一方、1MHz以上の超高繰り返し数で動作できるパルスレーザは、応用によっては連続発振動作(CW)と同じ取扱い性を有することから、準CWという意味であるQCW(Quasi-CW)レーザと呼ぶ場合が多い。QCWレーザとしては、例えば、モードロック動作させた固体レーザや、モードロック動作固体レーザ光ないし高速変調によりパルス動作させた半導体レーザ光をファイバアンプにより増幅させるレーザなどがある。例えば、76〜100MHzのモードロックレーザが多くのレーザメーカから製品化されている。これらのQCWレーザは、繰り返し周波数が十分に高いため、検査装置に適している。QCWレーザに関しては、例えば、下記非特許文献6に示されている。
佐久間 純、半導体検査装置用DUV光源開発の進展、レーザー研究、Vol.41,No.9,pp.697−707,2013. Proceedings of SPIE Vol. 8701, p.8701W, 2013. Colin McMillen, et al, "Hydrothermal Growth and Properties of KBe2BO3F2(KBBF) and RbBe2BO3F2(RBBF) Single Crystals, 2010 OSA Optics and Photonics Congress, NThC6, 2010. J. Kilmer, et al., "Laser Sources for Raman Spectroscopy," Proceedings of SPIE Vol. 8039, p. 803914, 2011. FFT-CCDエリアイメージセンサの特性と使い方、技術資料、浜松ホトニクス株式会社 Spectra-Physics社の技術資料"Quasi-CW Solid-State Laser," PHOTONICS SPECTRA, December 2002. H. Friedman, Physics of the Upper Atmosphere, John Ashworth Ratcliffe, Academic Press, 1960 Romain Royon, et al.,"High power, continuous-wave ytterbium-doped fiber laser tunable from 976 to 1120nm," OPTICS EXPRESS 13818, 2013. T. Matsui, et al., High resolution absorption cross-section measurements of the Schumann-Runge bands of O2 by VUV Fourier transform spectroscopy, Journal of Molecular Spectroscopy, Vol. 219, pp. 45-58, 2003. Xin Zhanga, Lirong Wanga, b, Xiaoyang Wanga, Guiling Wanga, Corresponding author contact information, E-mail the corresponding author, Yong Zhua, Chuangtian Chena, "High-power sixth-harmonic generation of an Nd:YAG laser with KBe2BO3F2 prism-coupled devices," Optics Communications, Volume 285, Issues 21−22, 1 October 2012, Pages 4519−4522.
しかしながら、マスク検査光源に波長177nmの紫外光を用いる場合、紫外光が空気中の酸素に吸収されやすくなる。このため、レーザ光が減衰して必要なパワーが得られなくなることが懸念される。つまり図8に示した酸素の吸収スペクトルから判るように、波長177nmはShumann-Runge Bands(シューマン−ルンゲ・バンド)と呼ばれる吸収帯に含まれるからである。なお、図8に示す酸素の吸収スペクトルは、非特許文献7に示されている。
レーザ光の減衰を回避する手法の一つとしては、レーザ光が通る領域を窒素で満たせば良い。ところがこれを実現するには、検査装置を気密構造として、装置内部の空気を真空ポンプで真空排気してから窒素で満たす必要がある。すなわち、検査装置内部を真空排気できるように、1気圧の差圧に耐えられるように頑丈な構造(以下、バキュームタイトな構造と呼ぶ。)で構成しておく必要が生じてしまう。これにより、装置コストが大幅に上昇してしまうことが問題になる。
さらに検査装置内部には多数の複雑な光学部品が用いられており、装置の立ち上げ調整時に光学部品を技術者が微調整する。微調整時には、技術者が装置カバーを空けて内部を覗き込む必要がある。この場合、微調整するために、真空チャンバを大気圧に戻す必要があり、調整時間が長くなってしまう。
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、空気中を効率よく伝搬可能なレーザ光を発振することができるレーザ光源装置、及び簡素な構成の検査装置を提供することを目的とするものである。
本実施形態の一態様にかかるレーザ光源装置は、第1〜第4の波長帯域のいずれかに含まれる波長を中心波長とする基本波のレーザ光を発振する固体レーザと、前記固体レーザから取り出される2ピコ秒以上のパルス幅を有するパルスレーザ光の第6高調波を発生させる手段と、を備えたレーザ光源装置であって、前記第1の波長帯域が(1063.763+Δλ)nmから(1063.921−Δλ)nmであり、前記第2の波長帯域が(1063.921+Δλ)nmから(1064.073−Δλ)nmであり、前記第3の波長帯域が(1064.284+Δλ)nmから(1064.553−Δλ)nmであり、前記第4の波長帯域が(1064.715+Δλ)nmから(1064.894−Δλ)nmであり、Δλ(nm)は、基本波のパルス幅をΔT(s)とした場合に、Δλ=1.66×10−12/ΔTで算出される値であるものである。こうすることで、空気中を効率よく伝搬可能なレーザ光を発振させることができる。
上記のレーザ光源装置において、前記固体レーザとして、YbないしNdが添加された固体結晶またはファイバーを媒質としたレーザを用いても良い。これらは、レーザ光の電流変調、ないし半導体過飽和鏡等を利用したモードロック動作によってパルス動作させても良い。またアンプ段を設けて出力を増強してもよい。これにより、第1〜第4の波長帯域に含まれる中心波長を有する基本波のパルス発振レーザ光を容易に得ることができる。
本実施形態の一態様にかかる検査装置は、上記のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置で発生した第6高調波によって照明された試料を撮像する光検出器と、を備えたものである。この構成では、バキュームタイトな構成とする必要がないため、装置構成を簡素化することができる。
上記の検査装置において、前記光検出器がTDIカメラであってもよい。これにより、レーザ光のバラツキを低減できるため、より正確に検査することができる。
本発明によれば、大気中で利用できるレーザ光源装置、及び、簡素な構成の検査装置を提供することができる。
酸素分子の吸収ラインを示すスペクトルである。 酸素分子の吸収ラインと基本波換算波長を示すスペクトルである。 実施形態にかかるマスク検査装置の全体構成図である。 マスク検査装置に用いられる光源の構成図である。 酸素分子の吸収ライン、及び検査光である第6高調波のスペクトルを示すグラフである。 酸素分子の吸収スペクトルと基本波換算波長を示す広範囲なスペクトルである。 酸素分子の吸収ラインを示す図である。 酸素分子の吸収スペクトルにおけるShumann-Runge Bandsを示すグラフである。
上記した課題を解決するために、本実施形態にかかるレーザ光源は、下記の4つの波長帯域(以下、帯域[A]〜帯域[D]とする)のいずれかに含まれる波長を中心波長として、1064nm近傍で基本波を発振する固体レーザと、固体レーザで発振させた基本波の第6高調波を発生させる第6高調波発生手段とを備えている。帯域[A]は(1063.763+Δλ)nmから(1063.921−Δλ)nmであり、帯域[B]は、(1063.921+Δλ)から(1064.073−Δλ)nmであり、帯域[C]は、(1064.284+Δλ)nmから(1064.553−Δλ)nmであり、帯域[D]は(1064.715+Δλ)nmから(1064.894−Δλ)nmである。Δλ(nm)は、パルス幅をΔT(s)とした場合に、Δλ=1.66×10−12/ΔTで算出される値である。
1064nm近傍で発振する固体レーザとしては、Ybドープのファイバレーザ、Nd:YVO4結晶あるいはNd:YAG結晶を用いたNd系の固体レーザなどが好ましい。なお、ファイバレーザは固体レーザと分けて分類されることもあるが、レーザ媒質が固体であるため、ここでは広義の意味で固体レーザに含まれるものとする。
Ybドープのファイバレーザでは、発振波長を数nmから数十nmも可変であることが知られている。また、Nd系の固体レーザでも、数nm可変な場合があることが知られている。従って、帯域[A]〜[D]の中に中心波長を設定することができる。なお、Ybドープのファイバレーザの波長可変性に関しては、非特許文献8において示されている。
TDIカメラを用いたパターン検査装置を構成する場合、1MHz以上の高速動作が可能なQCWレーザ装置を用いるのが好ましい。モードロック型のレーザ装置では、パルス幅がピコ秒やフェムト秒領域に含まれる。フーリエ限界パルス幅から、下記の式(1)のように、パルス幅Δτと周波数領域のスペクトル幅Δνとの積がほぼ決まってしまうことが知られている。
Δτ・Δν〜0.441 (1)
式(1)では、強度分布をガウス型としている。ここでは、パルス幅Δτ及びスペクトル幅Δνは、半値全幅(FWHM)である。ただし、周波数領域のスペクトル幅Δνではなく、波長領域のスペクトル幅Δλ(m)を用いた場合、波長1064nmとすると、下記の式(2)のような関係になる。
Δτ・Δλ〜1.66×10−21 (2)
これによると、パルス幅が1psの場合、波長1064nmにおけるスペクトル幅Δλは、1.66×10−9m、すなわち1.66nmとなる。これは、6倍波である波長177nmの周波数帯域は、基本波の約60.5=2.45倍となるので、波長に換算するとおよそ0.11nmに相当する。
なお、本発明で利用可能な固体レーザのパルス幅の下限(最短パルス)としては、図2に示した酸素分子の吸収スペクトルにおける隣接する2本の吸収線の間隔が最も広い[C](間隔は44.9pm)に、スペクトル全体(半値幅の2倍)がほぼ入れば良い。この場合、式(1)より、177nmにおけるパルス全幅は約1.0psとなる。そこで、波長変換によるパルス幅の変化(6倍波の場合は、60.5)を考慮すると、基本波では約2.5psとなる。よって、2.5ps以上のパルス幅の固体レーザが利用できる。 なお、パルス幅が2ps程度に短くなると、スペクトル幅は広くなり、場合によっては、スペクトルプロファイルの裾部に吸収ラインが入る可能性も生じる。しかしながら、スペクトルプロファイルの裾部ではパワーが低いため、レーザパワー全体として低下率が無視できるのであれば、大気中でも問題なくレーザを使用できる。従って、パルス幅が2.0ps程度の短い固体レーザも適用できる。
図1には、酸素分子の吸収スペクトルにおけるShumann-Runge Bandsの詳細構造を示している。図1(a)は波数に対する吸収強度を示すグラフであり、図1(b)は第6高調波の波長(nm)に対する吸収強度を示すスペクトルである。すなわち、図1(b)は、図1(a)に示す基本波の波数(cm−1)を、第6高調波の波長(nm)に対応させたものである。なお、図1に示した吸収スペクトルは、非特許文献9に示されている。
図1(b)から明らかなように、177.25nm〜177.50nmの間に複数の吸収ラインが存在している。したがって、第6高調波のレーザ光のスペクトル幅(波長領域)が0.11nmにもなると、多数の吸収ラインを含んでしまうことが判る。第6高調波をロスなく伝搬するには、第6高調波のスペクトル幅を隣接する吸収ラインの内側にする必要がある。したがって、基本波のスペクトル幅を狭くする必要がある。換言すると、式(2)より、パルス幅を一定以上長くする必要がある。
これに対して、市販されているQCWレーザにおけるピコ秒レーザでは、5〜20ps程度のパルス幅でレーザ発振することが知られている。式(2)を用いて、例えば基本波でパルス幅Δτ=8psのレーザ光のスペクトル幅を、波長177nmに波長変換すると、約14pmになる。このように、8psのパルス幅の基本波を波長変換すると、中心波長から±7pmのスペクトル幅を有する第6高調波を得ることができる。
図2(a)に酸素の吸収スペクトルを示し、図2(b)に酸素の吸収スペクトルを基本波に換算したスペクトルを示す。図2(a)に酸素の吸収スペクトルには、帯域[A]〜[D]に対応する第6高調波の波長が示されている。すなわち、白抜きの双方向矢印の範囲が、帯域[A]〜帯域[D]に対応する。そして、図2(a)のグラフ中の網掛け矢印は吸収ラインから7pm離れることを意味している。基本波の中心波長を帯域[A]〜[D]のいずれか1つにすることで、第6高調波が吸収ラインに対応する波長を含まないようにすることができる。
このように、上記の帯域[A]〜[D]に基本波の中心波長が含まれていれば、第6高調波が吸収ラインを含まないようにすることができる。つまり、ΔT=8psの時の帯域[A]〜[D]を第6高調波に換算した場合、図2(a)のように、各帯域の下端と上端より、それぞれスペクトル幅の半分(7pm)だけ広い領域(つまり下端より7pm短い波長と上端より7pm長い波長との間)においては、第6高調波が吸収ラインを含まなくなる。従って、酸素分子で吸収されることはない。
例えば、図2(a)において、帯域[A]の下端よりも7pm短い波長と上端よりも7pm長い波長との間の範囲には、吸収ラインが含まれていない。同様に、図2(a)において、帯域[B]の下端よりも7pm短い波長から上端よりも7pm長い波長までの範囲には、吸収ラインが含まれていない。図2(a)において、帯域[C]の下端よりも7pm短い波長と、上端よりも7pm長い波長との間の範囲には、吸収ラインが含まれていない。図2(a)において、帯域[D]の下端よりも7pm短い波長と、上端よりも7pm長い波長との間の範囲には、吸収ラインが含まれていない。
よって、基本波の中心波長を帯域[A]〜帯域[D]のいずれかにすることで、波長変換後の紫外光が酸素分子に吸収されないようになる。すなわち、中心波長に対して±7pmのスペクトル幅を有する第6高調波が大気中をロスなく伝搬することができる。大気中であってもレーザ光を効率よく伝搬させることができる。よって、検査装置の構造としてバキュームタイトにする必要がなく、従来同様の安価なボディーが利用できる。
以下、本実施の形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。
図3は、検査装置100の基本構成を示した構成図である。本実施の形態では、検査装置100がマスク106を検査するマスク検査装置であるとして説明する。
検査装置100は、偏光ビームスプリッタ101、ミラー102a、ミラー102b、λ/4板103a、λ/4板103b、コンデンサーレンズ104、偏光ビームスプリッタ107、対物レンズ108、投影レンズ109、及び光検出器110を備えている。さらに、検査装置100は、偏光ビームスプリッタ101、ミラー102a、ミラー102b、λ/4板103a、λ/4板103b、コンデンサーレンズ104、偏光ビームスプリッタ107、対物レンズ108、投影レンズ109、及び光検出器110を収容する本体カバー111を備えている。
検査対象であるマスク106は、例えば、DUV(Deep UltraViolet)露光に用いられるフォトマスクである。マスク106は、マスク基板106bと、ペリクルフレーム106aと、ペリクル106cと、パターン面106dと、パターン106eと、を有している。マスク基板106bのパターン面106d上には、複数のパターン106eが周期的に配列されている。さらに、パターン面106d上には、ペリクルフレーム106aが配置されている。ペリクルフレーム106aは、パターン106eが設けられた露光領域を囲む用に、露光領域の外側の外周領域に設けられている。ペリクルフレーム106aのパターン面106dと反対側の面には、ペリクル106cが張設されている。すなわち、ペリクル106cはパターン面106dからペリクルフレーム106aの高さを隔てた位置に配置されている。マスク106は、図示しないステージ等の上に支持されている。
検査装置100は、検査光源からの波長177nmのレーザ光L11を照明に用いている。検査光源となるレーザ光源装置の構成については、後述する。直線偏光であるレーザ光L11は、偏光ビームスプリッタ101に入射して2方向に分割される。偏光ビームスプリッタ101で分割されたレーザ光の一方が、透過照明光となり、他方が反射照明光となる。すなわち、検査装置100は、透過照明、及び反射照明によって試料であるマスクを照明している。
先ず、透過照明に関して説明する。偏光ビームスプリッタ101を透過したレーザ光L12は、ミラー102bで折り返されて、レーザ光L13となる。ミラー102bは、レーザ光L13をマスク106の方向に反射する。レーザ光L13は、λ/4板103aを通過して、レーザ光L15となる。λ/4板103aを通過したレーザ光L15は、コンデンサーレンズ104に入射して、レーザ光L16となる。コンデンサーレンズ104は、マスク106のパターン面106dにレーザ光L16を集光する。
具体的には、コンデンサーレンズ104で屈折されたレーザ光L16は絞られながら進み、マスク106に入射する。レーザ光L16は、マスク基板106bを通過して、パターン面106dに入射する。レーザ光L16は、マスク106のパターン面106d内の観察領域を照射する。なお、レーザ光L12、L13はP波であり、レーザ光L15は、λ/4板103aを通過することで、左回りの円偏光に変換される。よって、左回りの円偏光であるレーザ光L16がマスク106を照明する。
レーザ光L6がパターン面106d内の観察領域を照明すると、パターン106eに応じて回折光が発生する。観察領域で発生した回折光の一部は対物レンズ108に向かう。対物レンズ108で屈折された回折光は、λ/4板103bに入射する。なお、対物レンズ108に向かう回折光は、左回りの円偏光になっている。したがって、透過照明で発生した回折光がλ/4板103bを通過することで、元のレーザ光L12と同じP波に戻る。λ/4板103bからの回折光は、P波であるため、偏光ビームスプリッタ107を透過する。
偏光ビームスプリッタ107を透過した回折光は、投影レンズ109に入射する。回折光は、投影レンズ109で集光されて、光検出器110のセンサ面に到達する。すなわち、パターン面106dの観察領域内のパターン106eが、光検出器110のセンサ面に拡大投影される。光検出器110は、マスク106の観察領域を撮像するカメラである。光検出器110は、TDIカメラであることが好ましい。
次に、反射照明に関して説明する。偏光ビームスプリッタ101で反射したS波であるレーザ光L14は、ミラー102aで反射して、レーザ光L17となる。レーザ光L17は偏光ビームスプリッタ107に入射する。ここで、レーザ光L17はS波であるため、偏光ビームスプリッタ107で反射して、レーザ光L18となる。偏光ビームスプリッタ107で反射したレーザ光L18は、マスク106に向かって下方に進む。レーザ光L18はλ/4板103bを通過して、レーザ光L19となる。レーザ光L19はλ/4板103bを透過することで、右回りの円偏光になる。レーザ光L19は、対物レンズ108に入射し、パターン面106dを照明する。対物レンズ108は、パターン面106dにレーザ光L19を集光する。
以上のような反射照明によってパターン面106dの観察領域が照明される。パターン面106dの観察領域で反射して進む反射光は左回りの円偏光になる。そして、反射光は対物レンズ108を通過して、λ/4板103bを通過する。反射光が再びλ/4板103bを通過することで、今度はP波になる。よって、λ/4板103bを通過した反射光は、偏光ビームスプリッタ107を透過する。反射光は投影レンズ109を通り、光検出器110のセンサ面に拡大投影される。光検出器110は、反射照明光で照明されたマスク106を撮像する。
なお、同時に反射照明と透過照明を行ってもよく、一方のみで照明してもよい。光検出器110が撮像した撮像結果に応じて、マスク106のパターン検査が行われる。なお、パターン検査については、例えば、Die-to-database比較法又はDie-to-die比較法を用いることができる。これらに比較法については、従来と同様であるため、説明を省略する。
次に、波長177nmのレーザ光L11を供給するレーザ光源装置について、図4を用いて説明する。図4は本発明にかかるレーザ光源装置200の構成図である。レーザ光源装置200は、基本波発生手段201と第6高調波発生手段205を備えている。第6高調波発生手段205は、LBO(LiB)結晶202と、BBO(β−BaB)結晶203と、RBBF結晶204と、を備え、基本波の第6高調波を発生する。
レーザ光源装置200では基本波にはYbドープのファイバレーザが用いられている。すなわち、Ybドープのファイバレーザ発振・増幅器が基本波発生手段201となっている。Ybドープのファイバレーザでは、中心波長が1064.42nmに固定されている。さらに、Ybドープのファイバレーザは、QCW動作によってレーザ発振しており、パルス幅は約8psになっている。例えば、Ybドープファイバレーザは、1MHz以上の繰り返し周波数でパルスレーザ光を発生する。
基本波(波長1064.42nm)はLBO結晶202に入射する。LBO結晶202は、第2高調波発生(SHG:Second Harmonic Generation)手段である。すなわち、LBO結晶202は、第2高調波である波長532.21nmのレーザ光を発生させる。LBO結晶202からの第2高調波と、未変換の基本波(残留基本波)とがBBO結晶203に入射する。BBO結晶203は、和周波発生(SFG:Sum Frequency Generation)手段であり、第3高調波(波長354.807nm)が発生する。すなわち、BBO結晶203は、残留基本波(波長1064.42nm)と第2高調波(波長532.21nm)の和周波である第3高調波(波長354.807nm)のレーザ光を発生させる。
第3高調波(波長354.807nm)はRBBF結晶204に入射する。RBBF結晶204は第2高調波発生(SHG)手段である。したがって、RBBF結晶204は、第3高調波(波長354.807nm)から、第6高調波(波長177.403nm)を発生させる。
上記した、基本波の波長(1064.42nm)、第2高調波の波長(532.21nm)、第3高調波の波長(354.807nm)、及び第6高調波の波長(177.403nm)は、それぞれレーザ光の中心波長である。
中心波長が波長177.403nmのレーザ光L11のスペクトル幅(半値全幅)は約14pmであり、プロファイルの裾まで含むと、約30pmまで広がっている(図5参照)。レーザ光L11のプロファイル全体は、図5に示した酸素分子の吸収ラインから離れている。従って、酸素分子には吸収されない。よって、空気中であってもレーザ光L11はロスなく伝搬する。
図3に示された検査装置100の光学系全体を覆う本体カバー111は、薄いステンレス鋼板から成り、特にバキュームタイトな構造にしていない。このため、本体カバー111の内部は空気で満たされているが、レーザ光L11が伝搬中に減衰することはない。よって、バキュームタイトな構造が不要となり、装置構成を簡素化することができる。高感度の検査装置を低価格で実現することができる。1064nm付近で発振する最も普及した固体レーザの6倍波を検査光源に用いた際に、検査装置100をバキュームタイトな構造にせずに従来の検査装置と同様なボディーで構成できる。
本実施形態のように、パルス幅8psec程度のピコ秒レーザを基本波用のレーザに用いた場合、第6高調波である177nm近傍におけるスペクトル幅は約14pmになる。従って、スペクトルプロファイルの中心波長は、酸素分子の吸収スペクトルより、少なくとも半値半幅である7pmより離れている必要がある。これを考慮すると、第6高調波の中心波長は図2に示した4つの帯域([A]、[B]、[C]あるいは[D])のいずれかに含まれる必要がある。図2中の網掛け矢印は、7pm離れることを意味している。本実施形態では中心波長は177.403nmとなるため、帯域[C]に含まれることになる。もちろん、基本波の中心波長は、帯域[C]に限らず、帯域[A]に含まれていてもよい。さらには、基本波の中心波長が帯域[B]、又は帯域[D]に含まれていてもよい。
なお、図5に示したように、本実施形態での中心波長177.403nmの両側の2本の吸収ラインの間隔は約36pmである。このため、スペクトルプロファイルの全幅がこれより広くなってくると、中心波長をそれらの中間に正確に同調させても、吸収を受けるようになってしまう。つまりスペクトルプロファイルの全幅は約36pm以下であることが好ましく、基本波の場合は約532pmとなる。
また、式(2)を考慮すると、パルス幅としては、半値全幅で3.1psより長くすることが好ましい。そこで本実施形態ではピコ秒レーザを用いている。ただし、半値全幅が3.1psより多少は短くても、スペクトルプロファイルの裾部に吸収ラインが含まれる場合は、レーザパワーが多少低下する程度であるので、本質的な問題ではない。つまり本実施形態に適したレーザとしては、前記の半分以上で少なくとも2ps以上のパルス幅を有していれば実用上は利用できる。すなわち、半値半幅が2ps以上のパルスレーザ光であればよい。
ところで対物レンズ108を構成する各レンズのほとんどは、波長177nmにおいて高い透過率を有するフッ化カルシウム(CaF2)を硝材としている。ただし本実施形態におけるレーザ光源装置200からの紫外光は、スペクトル幅が約14pmと比較的広いため、対物レンズ108には色収差を低減する機能が備わっている。そのため構成する各レンズの内1枚は合成石英が硝材と用いられている。ただし一般的な合成石英ではなく、フッ素がドープされた合成石英である。これによって、対物レンズ108は、波長177nmにおいて高い透過率を有している。
また、図4に示した本実施形態のレーザ光源装置200では、第6高調波である波長約177nmを発生させるために、波長約355nmである第3高調波のSHGを発生させている。しかしながら、第2高調波の波長約532nmと、第3高調波の波長約355nmとの和周波数である第5高調波の波長約213nmを発生させておいてから、第5高調波と基本波との和周波数として波長177nmを発生させても良い。すなわち、BBO結晶203の後に、2つの和周波発生手段を直列に配置してもよい。なお、RBBF結晶204の代わりに、KBBF結晶を用いてもよい。また、波長532nmの第2高調波と波長約266nmの第4高調波をRBBF結晶ないしKBBF結晶で和周波混合して波長177nmを発生させてもよい。
以上に説明した本発明では、波長1064nm近傍でレーザ発振する固体レーザやファイバレーザをベースとした構成であるが、特にファイバレーザに関しては、波長1064nmより長い波長でもレーザ発振可能な媒質のものがある。例えば、波長1065nmから1067nmに関しては、6倍波の波長は約177.5nmから約177.9nmとなるため、波数は約56200cm−1から約56340cm−1に亘る。約56200cm−1から約56340cm−1の間にも酸素分子の吸収ラインが多数存在する。しかし、図6に示したように、吸収ラインが40pm程度も存在しない領域があるため、この間に入るように中心波長を合わせて基本波を発振させても良い。ただし、本発明では最も普及した波長1064nmのレーザをベースとした手法とすることで、装置の開発が容易になる特徴を有する。
また、反対に波長177nmより短い波長、すなわち波数が56500cm−1以上になると、図7の吸収スペクトルから判るように、吸収ラインの間隔が密になってくる。よって、ピコ秒レーザのスペクトル幅である数十pmの範囲で吸収スペクトルが存在しない領域はほとんど存在しない。従って、本発明では、6倍波で177nmとなる基本波波長1064nmを利用することが好ましい。
レーザ光源装置200からのパルスレーザ光は、真空紫外域(VUV:Vacuum UltraViolet)の波長でありながら、大気中で利用することができる。すなわち、酸素を含むガス雰囲気中においても、177nm近傍のレーザ光を効率よく伝搬することができる。基本波を発生する固体レーザとして、Ybドープのファイバレーザを用いることができる。あるいは、基本波を発生する固体レーザとして、Nd:YVO4結晶を用いたモードロック型固体レーザを用いることも可能である。さらには、基本波を発生する固体レーザとして、Nd:YAG結晶を用いたモードロック型固体レーザを用いることが可能である。これらの固体レーザを用いることで、中心波長が帯域[A]〜帯域[D]に含まれる基本波を高出力で発振することができる。さらに、繰り返し周波数を1MHz以上にすることも可能である。
さらに、検査装置100は、レーザ光源装置200からのレーザ光L11を照明光として用いている。こうすることで、従来と同様の簡易なボディーで構成できるようになる。177nm近傍の波長は、従来の波長193nmを用いた検査装置に比べて、解像度的に約10%も向上することから、従来装置と同等のコストで、従来装置より高感度の検査が行えるようになった。また、レーザ光源装置200をマスク検査以外の検査装置、例えば半導体デバイスや半導体ウェハの検査装置に利用することも可能である。特にTDIカメラを光検出器とする検査装置に、繰り返し周波数が1MHz以上のレーザ光源装置200を用いることで、バラツキを低減することができる。さらに、レーザ光源装置200を検査装置以外のアプリケーション、例えば、露光装置等で利用してもよい。
100 検査装置
101 偏光ビームスプリッタ
102a ミラー
102b ミラー
103a λ/4板
103b λ/4板
104 コンデンサーレンズ
106 マスク
106a ペリクルフレーム
106b マスク基板
106c ペリクル
106d パターン面
106e パターン
107 偏光ビームスプリッタ
108 対物レンズ
109 投影レンズ
110 カメラ
111 本体カバー
200 光源装置
L11〜L19 レーザ光
201 基本波発生手段
202 LBO結晶
203 BBO結晶
204 RBBF結晶
205 第6高調波発生手段

Claims (8)

  1. 1064.326nm〜1064.511nmに含まれる波長を中心波長とする基本波のレーザ光を発振する、繰り返し周波数が1MHz以上のQCW(Quasi-CW)の固体レーザと、
    前記固体レーザから取り出されるパルスレーザ光の第6高調波を発生させる手段と、を備えたレーザ光源装置。
  2. 1064.757nm〜1064.852nmに含まれる波長を中心波長とする基本波のレーザ光を発振する、繰り返し周波数が1MHz以上のQCW(Quasi-CW)の固体レーザと、
    前記固体レーザから取り出されるパルスレーザ光の第6高調波を発生させる手段と、を備えたレーザ光源装置。
  3. 1063.805nm〜1063.878nmに含まれる波長を中心波長とする基本波のレーザ光を発振する、繰り返し周波数が1MHz以上のQCW(Quasi-CW)の固体レーザと、
    前記固体レーザから取り出されるパルスレーザ光の第6高調波を発生させる手段と、を備えたレーザ光源装置。
  4. 1063.962nm〜1064.031nmに含まれる波長を中心波長とする基本波のレーザ光を発振する、繰り返し周波数が1MHz以上のQCW(Quasi-CW)の固体レーザと、
    前記固体レーザから取り出されるパルスレーザ光の第6高調波を発生させる手段と、を備えたレーザ光源装置。
  5. 前記パルスレーザ光のパルス幅が2ピコ秒以上である請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザ光源装置。
  6. 前記固体レーザとして、Ybドープのファイバレーザ、Nd:YVO4結晶を用いたモードロック型固体レーザ、又はNd:YAG結晶を用いたモードロック型固体レーザを用いる請求項1〜5のいずれか1項に記載のレーザ光源装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載のレーザ光源装置と、
    前記レーザ光源装置で発生した第6高調波によって照明された試料を撮像する光検出器と、を備えた検査装置。
  8. 前記光検出器がTDIカメラである請求項の検査装置。
JP2014032676A 2014-02-24 2014-02-24 レーザ光源装置、及び検査装置 Active JP5679386B1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014032676A JP5679386B1 (ja) 2014-02-24 2014-02-24 レーザ光源装置、及び検査装置
US14/626,005 US9991670B2 (en) 2014-02-24 2015-02-19 Laser light source device and inspection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014032676A JP5679386B1 (ja) 2014-02-24 2014-02-24 レーザ光源装置、及び検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5679386B1 true JP5679386B1 (ja) 2015-03-04
JP2015158562A JP2015158562A (ja) 2015-09-03

Family

ID=52684774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014032676A Active JP5679386B1 (ja) 2014-02-24 2014-02-24 レーザ光源装置、及び検査装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9991670B2 (ja)
JP (1) JP5679386B1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9068917B1 (en) * 2006-03-14 2015-06-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for inspection of a specimen
JP6698453B2 (ja) * 2016-07-13 2020-05-27 株式会社ディスコ 波長変換装置
TWI722716B (zh) * 2019-12-13 2021-03-21 南臺學校財團法人南臺科技大學 光罩之保護膜的全域動態檢測方法及全域動態檢測系統

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001525946A (ja) * 1997-05-16 2001-12-11 エクセル クオントロニクス コープ. ハイパワーレーザにおけるイントラキャビティ及びインタキャビティ高調波発生
JP2005033104A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Gigaphoton Inc 2ステージレーザ用波長検出装置及びその校正装置
JP2010054547A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Lasertec Corp 紫外レーザ装置
WO2013043842A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Kla-Tencor Corporation Solid-state laser and inspection system using 193nm laser

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005354032A (ja) * 2004-05-12 2005-12-22 Canon Inc 分布ブラッグ反射型半導体レーザの制御方法および画像投影装置
US7593440B2 (en) * 2005-03-29 2009-09-22 Coherent, Inc. MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
US7731795B2 (en) * 2005-12-02 2010-06-08 Clemson University Rhombohedral fluoroberyllium borate crystals and hydrothermal growth thereof for use in laser and non-linear optical applications and devices
WO2008034283A1 (fr) * 2006-09-15 2008-03-27 Technical Institute Of Physics And Chemistry Chinese Academy Of Sciences Cristal optique non linéaire de sel de fluorure de béryllium-borate, son procédé de tirage et ses utilisations
JP2008152116A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Lasertec Corp 照明装置、及び照明方法
JP5721252B2 (ja) * 2009-08-10 2015-05-20 日本碍子株式会社 電磁波発振素子
WO2012154468A2 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 Kla-Tencor Corporation Deep ultra-violet light sources for wafer and reticle inspection systems
US20130313440A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001525946A (ja) * 1997-05-16 2001-12-11 エクセル クオントロニクス コープ. ハイパワーレーザにおけるイントラキャビティ及びインタキャビティ高調波発生
JP2005033104A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Gigaphoton Inc 2ステージレーザ用波長検出装置及びその校正装置
JP2010054547A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Lasertec Corp 紫外レーザ装置
WO2013043842A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Kla-Tencor Corporation Solid-state laser and inspection system using 193nm laser

Also Published As

Publication number Publication date
US9991670B2 (en) 2018-06-05
US20150244142A1 (en) 2015-08-27
JP2015158562A (ja) 2015-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10495582B2 (en) System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
JP6954980B2 (ja) 光学検査システム、光学検査方法、及びレーザー
JP6775494B2 (ja) 単体の帯域幅制限装置を使用するレーザー組立体および検査システム
CN107887778B (zh) 使用193nm激光器的固态激光器及检验***
KR20140069239A (ko) 고체 레이저 및 193나노미터 레이저를 이용한 검사 시스템
JP2010054547A (ja) 紫外レーザ装置
JP5679386B1 (ja) レーザ光源装置、及び検査装置
JP2012252289A (ja) レーザ装置、露光装置及び検査装置
JP2014142215A (ja) 検査装置
JP7192156B2 (ja) 光源装置及び検査装置
JP2005351919A (ja) 波長変換光学系、レーザ装置、及びマスク欠陥検査装置
Dunlap New methods in two-dimensional femtosecond stimulated Raman spectroscopy

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140620

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20140626

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20140626

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20140716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5679386

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20220124

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250