JP5673926B2 - 積層フィルム - Google Patents
積層フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5673926B2 JP5673926B2 JP2010228915A JP2010228915A JP5673926B2 JP 5673926 B2 JP5673926 B2 JP 5673926B2 JP 2010228915 A JP2010228915 A JP 2010228915A JP 2010228915 A JP2010228915 A JP 2010228915A JP 5673926 B2 JP5673926 B2 JP 5673926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- gas
- distribution curve
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 214
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 101
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 95
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 40
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 8
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009512 pharmaceutical packaging Methods 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N propylsilane Chemical compound CCC[SiH3] UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、このような成膜方法を用いたガスバリア性フィルムとして、例えば、特開平4−89236号公報(特許文献1)には、プラスチック基材の表面上に、珪素酸化物の蒸着膜が2層以上積層された積層蒸着膜層が設けられたガスバリア性フィルムが開示されている。
前記薄膜層のうちの少なくとも1層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該薄膜層の膜厚方向における該薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率(炭素の原子比)との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件(i)〜(iii):
(i) 前記炭素分布曲線が極大値と極小値を有すること、
(ii) 前記炭素分布曲線の極大値が5at%以下であること、
(iii) 前記炭素分布曲線において少なくとも1つの1at%以上の極大値があること、
を全て満たし、
前記炭素分布曲線において、最大値と最小値との差が1at%以上であり、前記炭素分布曲線において少なくとも1つの1at%以下の極小値を有することを特徴とする。
前記薄膜層のうちの少なくとも1層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該薄膜層の膜厚方向における該薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率(炭素の原子比)との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件(i)〜(iii):
(i) 前記炭素分布曲線が極大値と極小値を有すること、
(ii) 前記炭素分布曲線の極大値が5at%以下であること、
(iii) 前記炭素分布曲線において少なくとも1つの1at%以上の極大値があること、
を全て満たすものである。
ここで、本発明において極大値とは、薄膜層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が増加から減少に変わる点をいう。さらに、本発明において極小値とは、薄膜層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が減少から増加に変わる点をいう。
(炭素原子比の最大値)−(炭素原子比の最小値)≧1at%・・・(1)
積層フィルムに付与されるバリア性とクラックの発生防止の兼ね合いから、該薄膜層の膜厚方向における炭素原子比にかかる分布の波がある方が好ましい。
(30%at≦((珪素原子の量)/((酸素原子の量)+(炭素原子の量)+(珪素原子の量))≦37at%)・・・(2)
珪素原子の比率が上記範囲内にある場合、前記積層フィルムのバリア性が維持される。
|dC/dx|≦1 ・・・(F1)
で表される条件を満たすことをいう。
さらに、原料ガスとして、上述の有機珪素化合物のほかにモノシランを含有させ、形成するバリア膜の珪素源として使用してもよい。
(CH3)6Si2O+12O2→6CO2+9H2O+2SiO2 (3)
に記載のような反応が起こり、二酸化珪素が製造される。このような反応においては、ヘキサメチルジシロキサン1モルを完全酸化するのに必要な酸素量は12モルである。そのため、成膜ガス中に、ヘキサメチルジシロキサン1モルに対して酸素を12モル以上含有させて完全に反応させた場合には、均一な二酸化珪素膜が形成されてしまうため、上記条件(i)〜(iii)を全て満たす薄膜層を形成することができなくなってしまう。そのため、本発明において、薄膜層を形成する際には、上記(3)式の反応が完全に進行してしまわないように、ヘキサメチルジシロキサン1モルに対して酸素量を化学量論比の12モルより少なくする必要がある。なお、実際のプラズマCVDチャンバー内の反応では、原料のヘキサメチルジシロキサンと反応ガスの酸素は、ガス供給部から成膜領域へ供給されて成膜されるので、反応ガスの酸素のモル量(流量)が原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)の12倍のモル量(流量)であったとしても、現実には完全に反応を進行させることはできず、酸素の含有量を化学量論比に比して大過剰に供給して初めて反応が完結すると考えられる(例えば、CVDにより完全酸化させて酸化珪素を得るために、酸素のモル量(流量)を原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)の20倍以上程度とする場合もある。)。そのため、原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)に対する酸素のモル量(流量)は、化学量論比である12倍量以下(より好ましくは、10倍以下)の量であることが好ましい。このような比でヘキサメチルジシロキサン及び酸素を含有させることにより、完全に酸化されなかったヘキサメチルジシロキサン中の炭素原子や水素原子が薄膜層中に取り込まれ、上記条件(i)〜(iii)を全て満たす薄膜層を形成することが可能となって、得られる積層フィルムに優れたバリア性及び耐屈曲性を発揮させることが可能となる。なお、成膜ガス中のヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)に対する酸素のモル量(流量)が少なすぎると、酸化されなかった炭素原子や水素原子が薄膜層中に過剰に取り込まれるため、この場合はバリア膜の透明性が低下して、バリアフィルムは有機ELデバイスや有機薄膜太陽電池などのような透明性を必要とするデバイス用のフレキシブル基板には利用できなくなってしまう。このような観点から、成膜ガス中のヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)に対する酸素のモル量(流量)の下限は、ヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)の0.1倍より多い量とすることが好ましく、0.5倍より多い量とすることがより好ましい。
温度40℃、湿度90%RHの条件において、Ca腐食法(特開2005−283561号公報に記載される方法)を用いて、積層フィルムの水蒸気透過度を測定した。
前述の図1に示す製造装置を用いて積層フィルムを製造した。すなわち、2軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム(PENフィルム、厚み:100μm、幅:350mm、帝人デュポンフィルム(株)製、商品名「テオネックスQ65FA」)を基材(フィルム100)として用い、これを送り出しロ−ル11に装着した。そして、成膜ロール31と成膜ロール32との間に磁場を印加すると共に、成膜ロール31と成膜ロール32にそれぞれ電力を供給して成膜ロール31と成膜ロール32との間に放電してプラズマを発生させ、このような放電領域に成膜ガス(原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)と反応ガスとしての酸素ガス(放電ガスとしても機能する)の混合ガス)を供給して、下記条件にてプラズマCVD法による薄膜形成を行い、積層フィルムを得た。
成膜ガスの混合比(ヘキサメチルジシロキサン/酸素):25/250[単位:sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)、0℃、1気圧基準]
基材の面積速度1m2/分あたりのヘキサメチルジシロキサンの流量:143sccm
真空チャンバー内の真空度:0.55Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
フィルムの搬送速度;0.5m/min。
繰り返し数:5パス
前述の図1に示す製造装置を用いて成膜条件だけを変えて実施例1と同様に成膜を行った。
成膜ガスの混合比(ヘキサメチルジシロキサン/酸素):25/500[単位:sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)、0℃、1気圧基準]
基材の面積速度1m2/分あたりのヘキサメチルジシロキサンの流量:143sccm
真空チャンバー内の真空度:1.0Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
フィルムの搬送速度;0.5m/min。
繰り返し数:5パス
エッチングイオン種:アルゴン(Ar+)
エッチングレート(SiO2熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO2換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名「VG Theta Probe」
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形
Claims (3)
- 基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、
前記薄膜層のうちの少なくとも1層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該薄膜層の膜厚方向における該薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率(炭素の原子比)との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件(i)〜(iii):
(i) 前記炭素分布曲線が極大値と極小値を有すること、
(ii) 前記炭素分布曲線の極大値が5at%以下であること、
(iii) 前記炭素分布曲線において少なくとも1つの1at%以上の極大値があること、
を全て満たし、
前記炭素分布曲線において、最大値と最小値との差が1at%以上であり、前記炭素分布曲線において少なくとも1つの1at%以下の極小値を有することを特徴とする積層フィルム。 - 前記薄膜層の膜厚方向における該薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率(珪素の原子比)との関係を示す珪素分布曲線において、薄膜層内の90%以上の領域において、珪素原子の比率が30.0at%以上37.0at%以下であることを特徴とする請求項1に記載の積層フィルム。
- 前記薄膜層がプラズマ化学気相成長法により形成された層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010228915A JP5673926B2 (ja) | 2010-10-08 | 2010-10-08 | 積層フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010228915A JP5673926B2 (ja) | 2010-10-08 | 2010-10-08 | 積層フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012081631A JP2012081631A (ja) | 2012-04-26 |
JP5673926B2 true JP5673926B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=46241027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010228915A Active JP5673926B2 (ja) | 2010-10-08 | 2010-10-08 | 積層フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5673926B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9540526B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-01-10 | Konica Minolta, Inc. | Gas barrier film and method for manufacturing gas barrier film |
JP6156388B2 (ja) * | 2012-10-19 | 2017-07-05 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアー性フィルムの製造方法、ガスバリアー性フィルム及び電子デバイス |
WO2014091868A1 (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP6508054B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2019-05-08 | コニカミノルタ株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2015119109A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルムの製造方法及びガスバリアーフィルム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3734724B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2006-01-11 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリアフィルム |
JP4747605B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2011-08-17 | 東洋製罐株式会社 | プラズマcvd法による蒸着膜 |
JP4887808B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2012-02-29 | 東洋製罐株式会社 | プラズマcvd法による蒸着膜 |
JP4268195B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2009-05-27 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマcvd装置 |
JP5181977B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-04-10 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリア性積層フィルム |
JP5513959B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-06-04 | 住友化学株式会社 | ガスバリア性積層フィルム |
JP5270505B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2013-08-21 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマcvd装置 |
JP5185909B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2013-04-17 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマcvd装置 |
JP5460236B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-04-02 | 株式会社神戸製鋼所 | Cvd成膜装置 |
-
2010
- 2010-10-08 JP JP2010228915A patent/JP5673926B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012081631A (ja) | 2012-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6585226B2 (ja) | 積層フィルム | |
JP5513959B2 (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP5673927B2 (ja) | 積層フィルム | |
WO2012046778A1 (ja) | プラズマcvd成膜による積層体の製造方法 | |
WO2010117046A1 (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP2012082468A (ja) | 積層フィルム | |
KR102374491B1 (ko) | 적층 필름 및 플렉시블 전자 디바이스 | |
JP5673926B2 (ja) | 積層フィルム | |
JP2010260347A (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP6657687B2 (ja) | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス | |
JP2012082467A (ja) | プラズマcvd成膜装置、成膜方法 | |
JP2012081630A (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP2013040378A (ja) | プラズマcvd成膜装置、成膜方法 | |
JP2012081633A (ja) | 積層フィルム | |
JP2014001444A (ja) | 成膜方法 | |
JP2012082466A (ja) | プラズマcvd成膜装置、成膜方法 | |
JP2014000782A (ja) | 積層フィルム | |
JP6593347B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置 | |
JP2012081634A (ja) | 積層フィルム | |
JP6288082B2 (ja) | 成膜装置、電極ロールおよびガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP2012082465A (ja) | 成膜方法 | |
JP2012081635A (ja) | 積層フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5673926 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |