JP5669514B2 - Processing facility, maintenance device, and article manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、処理設備、保守装置、および、該処理設備を使って物品を製造する製造方法に関する。   The present invention relates to a processing facility, a maintenance device, and a manufacturing method for manufacturing an article using the processing facility.

真空装置における部品交換手順としては、真空装置を停止させて処理チャンバを大気開放してから部品を交換し、処理チャンバを真空排気して真空装置を再稼働させる、という手順が一般的である。このような部品交換手順では、真空装置の停止から再稼働までに非常に長い時間を必要とする。例えば、大容積の真空チャンバを大気開放するため、および真空排気するためには、長い時間を必要とする。大気開放された処理チャンバの内部では、大気雰囲気中の水分子の付着や、物理的および／または化学的な汚染が発生する。処理チャンバの内部に付着した水分子を蒸発させたり汚染物質を除去したりするために、真空状態で処理チャンバを加熱する方法がある。しかし、処理チャンバを加熱することは、その内部空間に配置された精密機械の故障や精度劣化の原因となりうる。また、真空装置の再稼働のための真空排気工程において、処理チャンバ内では断熱膨張による冷却が発生する。処理チャンバの内部の温度が不安定な状態では、例えば、物品の位置決め機構による位置決めの精度が低下しうる。そのため、処理チャンバの内部が加熱または冷却された場合、温度が安定するまでの長い時間にわたって真空装置を稼働させることができない。これは真空装置の生産性の低下をもたらす。また、真空装置以外でも、処理チャンバの内部空間を外部空間とは異なる環境に維持する処理装置では、同様の問題が発生しうる。   As a part replacement procedure in the vacuum apparatus, a general procedure is to stop the vacuum apparatus, open the processing chamber to the atmosphere, replace the parts, evacuate the processing chamber, and restart the vacuum apparatus. In such a component replacement procedure, a very long time is required from the stop of the vacuum apparatus to the re-operation. For example, it takes a long time to open a large volume vacuum chamber to the atmosphere and to evacuate it. Inside the processing chamber that is open to the atmosphere, water molecules adhere to the atmosphere and physical and / or chemical contamination occurs. There is a method of heating the processing chamber in a vacuum state in order to evaporate water molecules adhering to the inside of the processing chamber or remove contaminants. However, heating the processing chamber can cause failure or deterioration of precision machines disposed in the internal space. In the evacuation process for restarting the vacuum apparatus, cooling due to adiabatic expansion occurs in the processing chamber. In a state in which the temperature inside the processing chamber is unstable, for example, the accuracy of positioning by the article positioning mechanism may be reduced. Therefore, when the inside of the processing chamber is heated or cooled, the vacuum apparatus cannot be operated for a long time until the temperature becomes stable. This leads to a reduction in the productivity of the vacuum device. In addition to the vacuum apparatus, a similar problem may occur in a processing apparatus that maintains the internal space of the processing chamber in an environment different from the external space.

以上のことから処理装置では、処理チャンバを大気開放せずに内部空間に配置された部品を交換する技術が求められている。これまでにも、交換部品を予めチャンバ内に格納しておき必要に応じて真空チャンバ内で部品を交換する技術（特許文献１）や、基板の搬出入のためのロードロックを介して交換部品を搬出入する技術（特許文献２）が提案されている。   In view of the above, in processing apparatuses, there is a demand for a technique for exchanging components arranged in the internal space without opening the processing chamber to the atmosphere. Up to now, replacement parts are stored in a chamber in advance, and the replacement parts are exchanged via a technology (Patent Document 1) for replacing parts in a vacuum chamber as required, or a load lock for loading and unloading a substrate. Has been proposed (Patent Document 2).

特開２００２−３１１２００号公報JP 2002-311200 A 特開２００４−３４３０６９号公報JP 2004-343069 A

特許文献１に記載された技術では、交換のための部品を処理チャンバ内に格納しておくので、大型部品の交換に対応するためには、その分だけチャンバが大型化する。よって、特許文献１に記載された技術は、大型部品の交換には不利である。特許文献２に記載された技術は、基板の搬出入用のロードロックを介して部品を搬送するので、大型部品の交換に対応するためには、その分だけロードロックが大型化する。よって、特許文献２に記載された技術もまた、大型部品の交換には不利である。   In the technique described in Patent Document 1, parts for replacement are stored in the processing chamber. Therefore, in order to cope with replacement of large parts, the chamber is enlarged correspondingly. Therefore, the technique described in Patent Document 1 is disadvantageous for replacement of large parts. The technique described in Patent Document 2 conveys components via a load lock for loading and unloading a substrate. Therefore, in order to cope with replacement of a large component, the load lock becomes larger by that amount. Therefore, the technique described in Patent Document 2 is also disadvantageous for replacement of large parts.

本発明は、上記のような課題認識を背景としてなされたものであり、処理チャンバを大気開放することなくその内部空間に配置された構成要素を交換する機能を処理装置の大型化を抑制しつつ実現するために有利な技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made against the background of the above-mentioned problem recognition, while suppressing the increase in the size of the processing apparatus with the function of replacing the components arranged in the internal space without opening the processing chamber to the atmosphere. An object is to provide an advantageous technique for realizing.

本発明の１つの側面は、物品を処理する処理チャンバを含む処理装置と、保守チャンバを含む保守装置とを備える処理設備に係り、前記処理装置は、前記処理チャンバに物品を搬入し且つ前記処理チャンバから物品を搬出するためのロードロックチャンバを備え、前記処理チャンバは、第１バルブと、第１フランジとを含み、前記保守チャンバは、第２バルブと、前記第１フランジに対する連結および前記第１フランジからの切り離しが可能な第２フランジと、前記処理チャンバの内部空間に配置されて前記処理装置の一部を構成している構成要素の当該内部空間から前記保守チャンバの内部空間への移送、および、前記処理チャンバの内部空間に配置されて前記処理装置の一部を構成するための構成要素の当該内部空間への前記保守チャンバの内部空間からの移送のうち少なくとも一方を行う移送機構とを含み、前記第１フランジと前記第２フランジとが連結され、その後に前記第１バルブおよび前記第２バルブが開かれることによって前記保守チャンバの内部空間と前記処理チャンバの内部空間とが連通する。One aspect of the present invention relates to a processing facility including a processing apparatus including a processing chamber for processing an article and a maintenance apparatus including a maintenance chamber. The processing apparatus carries the article into the processing chamber and performs the processing. A load lock chamber for unloading articles from the chamber, wherein the processing chamber includes a first valve and a first flange, the maintenance chamber includes a second valve, a connection to the first flange, and the first flange. A second flange that can be separated from one flange, and a component that is disposed in the internal space of the processing chamber and that constitutes a part of the processing apparatus, is transferred from the internal space to the internal space of the maintenance chamber. And the maintenance channel to the internal space of a component arranged in the internal space of the processing chamber and constituting a part of the processing apparatus. A transfer mechanism that performs at least one of transfers from the internal space of the first and second flanges, and the maintenance is performed by connecting the first flange and the second flange and then opening the first valve and the second valve. The internal space of the chamber communicates with the internal space of the processing chamber.

本発明によれば、処理チャンバを大気開放することなくその内部空間に配置された構成要素を交換する機能を処理装置の大型化を抑制しつつ実現するために有利な技術が提供される。   Advantageous Effects of Invention According to the present invention, an advantageous technique is provided for realizing a function of exchanging components arranged in an internal space of a processing chamber without opening it to the atmosphere while suppressing an increase in the size of the processing apparatus.

処理設備の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of a processing facility. 保守チャンバの構成例を示す図。The figure which shows the structural example of a maintenance chamber. 第１実施形態を説明する図。The figure explaining 1st Embodiment. 第２実施形態を説明する図。The figure explaining 2nd Embodiment. 第３実施形態を説明する図。The figure explaining 3rd Embodiment.

真空環境のように外部環境から隔離された環境で物品を処理する処理装置としては、例えば、Ｘ線露光装置、ＥＵＶ露光装置、電子線露光装置、電子顕微鏡、成膜装置などがある。なお、この明細書において、「処理」とは、広義に用いられ、「処理」には、例えば、物品を変化させることのほか、物品を検査することも含まれうる。以下では、本発明の実施形態として本発明に係る処理設備における処理装置が電子線露光装置である例を説明するが、本発明において、処理装置の機能や動作は特定のものに限定されない。処理装置の範疇には、電子線露光装置のほか、例えば、Ｘ線露光装置、ＥＵＶ露光装置、成膜装置および電子顕微鏡などが含まれうる。   Examples of processing apparatuses that process articles in an environment isolated from an external environment such as a vacuum environment include an X-ray exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an electron beam exposure apparatus, an electron microscope, and a film forming apparatus. In this specification, “processing” is used in a broad sense, and “processing” can include, for example, inspecting an article in addition to changing the article. Hereinafter, an example in which the processing apparatus in the processing facility according to the present invention is an electron beam exposure apparatus will be described as an embodiment of the present invention. However, in the present invention, functions and operations of the processing apparatus are not limited to specific ones. The category of the processing apparatus may include, for example, an X-ray exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, a film forming apparatus, and an electron microscope in addition to the electron beam exposure apparatus.

図１を参照しながら本発明の第１実施形態の処理設備について説明する。第１実施形態の処理設備は、物品を処理する処理チャンバ４０を含む処理装置１と、保守チャンバを含む保守装置（後述）とを備える。処理装置１は、電子線露光装置として構成されている。電子線露光装置は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に対して真空環境下で電子線によってパターンを描画することによって潜像パターンを形成する。電子銃１１から出射された電子線は、電子鏡筒１２を介して、処理チャンバ（真空チャンバ）４０の内部空間に配置された基板ステージ２０の上によって保持された基板Ｗに照射される。電子鏡筒１２は、例えば、電子線を収束させる電子レンズ、描画すべき領域以外への電子ビームの照射を遮断するブランキング機構、電子線の位置補正を行う偏向器などを含む。電子鏡筒１２の照射端（電子を出射する端部）は、処理チャンバ４０の内部空間に配置されている。   A processing facility according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The processing facility of the first embodiment includes a processing apparatus 1 including a processing chamber 40 for processing articles, and a maintenance apparatus (described later) including a maintenance chamber. The processing apparatus 1 is configured as an electron beam exposure apparatus. The electron beam exposure apparatus forms a latent image pattern by drawing a pattern with an electron beam in a vacuum environment on the photosensitive agent on the substrate coated with the photosensitive agent. The electron beam emitted from the electron gun 11 is irradiated onto the substrate W held on the substrate stage 20 disposed in the internal space of the processing chamber (vacuum chamber) 40 via the electron column 12. The electron column 12 includes, for example, an electron lens that converges the electron beam, a blanking mechanism that blocks irradiation of the electron beam to a region other than the region to be drawn, a deflector that corrects the position of the electron beam, and the like. An irradiation end (an end portion that emits electrons) of the electron column 12 is disposed in the internal space of the processing chamber 40.

処理チャンバ４０の内部空間には、基板（物品）Ｗを保持する基板ステージ２０と、基板ステージ２０を駆動する駆動機構４９と、基板Ｗを搬送する基板搬送機構３４が配置されている。ここで、基板ステージ２０は、少なくとも基板Ｗを保持する基板チャックを含み、その他、基板Ｗの位置および姿勢を微調整する機構を含んでもよい。駆動機構４９は、例えば、ＸＹステージ機構を含みうる。ＸＹステージ機構は、例えば、リニアモータを含みうる。処理チャンバ４０には、例えば、その内部空間の気体を排出する真空ポンプ４１と、内部空間の圧力を監視する圧力センサ４２と、内部空間を大気圧にするための大気開放ライン４３とが接続されうる。処理装置１は、処理チャンバ４０に基板Ｗを搬入したり処理チャンバ４０から基板Ｗを搬出したりするためのロードロックチャンバ３０を備えている。   A substrate stage 20 that holds a substrate (article) W, a drive mechanism 49 that drives the substrate stage 20, and a substrate transport mechanism 34 that transports the substrate W are disposed in the internal space of the processing chamber 40. Here, the substrate stage 20 includes at least a substrate chuck for holding the substrate W, and may include a mechanism for finely adjusting the position and posture of the substrate W. The drive mechanism 49 can include, for example, an XY stage mechanism. The XY stage mechanism can include, for example, a linear motor. For example, a vacuum pump 41 that discharges gas in the internal space, a pressure sensor 42 that monitors the pressure in the internal space, and an open air line 43 for bringing the internal space to atmospheric pressure are connected to the processing chamber 40. sell. The processing apparatus 1 includes a load lock chamber 30 for loading the substrate W into the processing chamber 40 and unloading the substrate W from the processing chamber 40.

基板キャリヤ３１に格納されている基板Ｗは、ロードロックチャンバ３０の大気側バルブ３３が開かれた状態で、基板搬送機構３５により大気側バルブ３３を通してロードロックチャンバ３０の中に搬送される。基板Ｗを格納したロードロックチャンバ３０は、その内部空間の気体が排出される。ロードロックチャンバ３０の内部空間の圧力が処理チャンバ４０の内部空間の圧力と等しくなった後に、真空側バルブ３２が開かれる。この状態で、基板搬送機構３４は、ロードロックチャンバ３０から処理チャンバ４０の内部空間に基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガラス基板であってもよいし、他の基板であってもよい。基板Ｗには、感光剤としてのフォトレジストが塗布されている。   The substrate W stored in the substrate carrier 31 is transferred into the load lock chamber 30 through the atmosphere side valve 33 by the substrate transfer mechanism 35 with the atmosphere side valve 33 of the load lock chamber 30 opened. The load lock chamber 30 storing the substrate W is exhausted of the gas in its internal space. After the pressure in the inner space of the load lock chamber 30 becomes equal to the pressure in the inner space of the processing chamber 40, the vacuum side valve 32 is opened. In this state, the substrate transport mechanism 34 transports the substrate W from the load lock chamber 30 to the internal space of the processing chamber 40. For example, the substrate W may be a silicon wafer, a glass substrate, or another substrate. A photoresist as a photosensitive agent is applied to the substrate W.

処理チャンバ４０は、第１バルブ４４と、第１フランジ４５とを含む。第１バルブ４４は、第１フランジ４５の内側の開口部で動作する弁体を有する。第１バルブ４４の開閉は、第１バルブ４４の弁体を駆動することによって第１フランジ４５の内側の開口部を開閉することを意味する。第１バルブ４４は、ロードロックチャンバ３０の真空側バルブ３２が配置された位置とは異なる位置に配置されている。   The processing chamber 40 includes a first valve 44 and a first flange 45. The first valve 44 has a valve body that operates in an opening inside the first flange 45. Opening and closing the first valve 44 means opening and closing the opening inside the first flange 45 by driving the valve body of the first valve 44. The first valve 44 is disposed at a position different from the position where the vacuum side valve 32 of the load lock chamber 30 is disposed.

図２、図３を参照しながら第１実施形態の処理設備における保守手順を説明する。第１実施形態では、保守装置１００は、第１保守チャンバ５０と第２保守チャンバ６０とを含む。第１保守チャンバ５０と第２保守チャンバ６０とは、同一の構成を有しうるが、それらの機能が確保される限りにおいて、互いに異なる構成を有してもよい。図２を参照しながら第１保守チャンバ５０の構成を例示的に説明する。第１保守チャンバ５０は、第２バルブ５４と、第２フランジ５５とを含む。第２バルブ５４は、第２フランジ５５の内側の開口部で動作する弁体を有する。第２バルブ５４の開閉は、第２バルブ５４の弁体を駆動することによって第２フランジ５５の内側の開口部を開閉することを意味する。第２フランジ５５は、処理チャンバ４０の第１フランジ４５に対する連結および第１フランジ４５からの切り離しが可能である。   A maintenance procedure in the processing facility of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. In the first embodiment, the maintenance device 100 includes a first maintenance chamber 50 and a second maintenance chamber 60. The first maintenance chamber 50 and the second maintenance chamber 60 may have the same configuration, but may have different configurations as long as their functions are ensured. The configuration of the first maintenance chamber 50 will be exemplarily described with reference to FIG. The first maintenance chamber 50 includes a second valve 54 and a second flange 55. The second valve 54 has a valve body that operates in an opening inside the second flange 55. Opening and closing the second valve 54 means opening and closing the opening inside the second flange 55 by driving the valve body of the second valve 54. The second flange 55 can be connected to and disconnected from the first flange 45 of the processing chamber 40.

処理チャンバ４０の第１フランジ４５と保守チャンバ５０の第２フランジ５５とが連結され、第１バルブ４４および第２バルブ５４が開いた状態において保守チャンバ５０の内部空間と処理チャンバ４０の内部空間とが連通する。第１保守チャンバ５０には、図示されていないが、例えば、その内部空間の気体を排出する真空ポンプと、内部空間の圧力を監視する圧力センサと、内部空間を大気圧にするための大気開放ラインとが接続されうる。第１保守チャンバ５０は、基板ステージ２０を固定する固定機構５７と、処理チャンバ４０の内部空間と第１保守チャンバ５０の内部空間との間で基板ステージ２０を移送する基板ステージ２０を移送する移送機構５８とを備える。   The first flange 45 of the processing chamber 40 and the second flange 55 of the maintenance chamber 50 are connected, and the internal space of the maintenance chamber 50 and the internal space of the processing chamber 40 are in a state where the first valve 44 and the second valve 54 are opened. Communicate. Although not shown in the figure, the first maintenance chamber 50 is, for example, a vacuum pump that discharges the gas in the internal space, a pressure sensor that monitors the pressure in the internal space, and an open air to bring the internal space to atmospheric pressure. Lines can be connected. The first maintenance chamber 50 transfers the substrate stage 20 that transfers the substrate stage 20 between the fixing mechanism 57 that fixes the substrate stage 20 and the internal space of the processing chamber 40 and the internal space of the first maintenance chamber 50. And a mechanism 58.

同様に、第２保守チャンバ６０は、第２バルブ６４と、第２フランジ６５と、基板ステージ２０を固定する固定機構６７と、移送機構６８とを備える。移送機構６８は、処理チャンバ４０の内部空間と第２保守チャンバ６０の内部空間との間で基板ステージ２０を移送する基板ステージ２０を移送する。図示されていないが、第２保守チャンバ６０には、例えば、その内部空間の気体を排出する真空ポンプと、内部空間の圧力を監視する圧力センサと、内部空間を大気圧にするための大気開放ラインとが接続されうる。第２フランジ６５は、処理チャンバ４０の第１フランジ４５に対する連結および第１フランジ４５からの切り離しが可能である。   Similarly, the second maintenance chamber 60 includes a second valve 64, a second flange 65, a fixing mechanism 67 that fixes the substrate stage 20, and a transfer mechanism 68. The transfer mechanism 68 transfers the substrate stage 20 that transfers the substrate stage 20 between the internal space of the processing chamber 40 and the internal space of the second maintenance chamber 60. Although not shown, the second maintenance chamber 60 includes, for example, a vacuum pump that discharges gas in the internal space, a pressure sensor that monitors the pressure in the internal space, and an open air to make the internal space atmospheric pressure. Lines can be connected. The second flange 65 can be connected to the first flange 45 of the processing chamber 40 and can be disconnected from the first flange 45.

処理チャンバ４０と第１保守チャンバ５０とは、第１フランジ４５と第２フランジ５５とをボルト等の連結部品によって連結することによって連結される。同様に、処理チャンバ４０と第２保守チャンバ６０とは、第１フランジ４５と第２フランジ６５とをボルト等の連結部品によって連結することによって連結される。第１フランジ４５と第２フランジ５５または第２フランジ６５との間にはＯリング等のシール部材２５が配置されてもよい。処理チャンバ４０の第１バルブ４４と第１保守チャンバ５０の第２バルブ５４または第２保守チャンバ６０の第２バルブ６４との間には、チャンバ連結空間７０が形成される。第１保守チャンバ５０および第２保守チャンバ６０、および／または、処理チャンバ４０は、チャンバ連結空間の圧力を調整する圧力調整部を含む。該圧力調整部は、例えば、チャンバ連結空間７０の気体を排出する真空ポンプと、チャンバ連結空間７０の圧力を監視する圧力センサと、チャンバ連結空間７０を大気圧にするための大気開放ラインとを含む。   The processing chamber 40 and the first maintenance chamber 50 are connected by connecting the first flange 45 and the second flange 55 with connecting parts such as bolts. Similarly, the processing chamber 40 and the second maintenance chamber 60 are connected by connecting the first flange 45 and the second flange 65 with connecting parts such as bolts. A seal member 25 such as an O-ring may be disposed between the first flange 45 and the second flange 55 or the second flange 65. A chamber connection space 70 is formed between the first valve 44 of the processing chamber 40 and the second valve 54 of the first maintenance chamber 50 or the second valve 64 of the second maintenance chamber 60. The first maintenance chamber 50 and the second maintenance chamber 60 and / or the processing chamber 40 include a pressure adjusting unit that adjusts the pressure of the chamber connection space. The pressure adjusting unit includes, for example, a vacuum pump that discharges the gas in the chamber connection space 70, a pressure sensor that monitors the pressure in the chamber connection space 70, and an atmosphere open line for setting the chamber connection space 70 to atmospheric pressure. Including.

保守装置１００は、第１保守チャンバ５０を処理チャンバ４０に連結する際に第１保守チャンバ５０が処理チャンバ４０に対して位置決めされるように第１保守チャンバ５０を駆動する駆動機構９１を備えうる。保守装置１００はまた、第２保守チャンバ６０を処理チャンバ４０に連結する際に第２保守チャンバ６０が処理チャンバ４０に対して位置決めされるように第２保守チャンバ６０を駆動する駆動機構９２を備えうる。駆動機構９１、９２は、第１保守チャンバ５０、第２保守チャンバ６０を処理チャンバ４０から切り離す際にも使用されうる。   The maintenance device 100 may include a drive mechanism 91 that drives the first maintenance chamber 50 so that the first maintenance chamber 50 is positioned with respect to the processing chamber 40 when the first maintenance chamber 50 is connected to the processing chamber 40. . The maintenance apparatus 100 also includes a drive mechanism 92 that drives the second maintenance chamber 60 so that the second maintenance chamber 60 is positioned with respect to the processing chamber 40 when the second maintenance chamber 60 is connected to the processing chamber 40. sell. The drive mechanisms 91 and 92 can also be used when the first maintenance chamber 50 and the second maintenance chamber 60 are separated from the processing chamber 40.

以下、図３を参照しながら第１実施形態における構成要素の交換手順を説明する。ここで、構成要素は、処理チャンバ４０の内部空間に配置され処理装置１の一部を構成するものである。なお、図３では、記載の簡略化のためにロードロックチャンバ３０は省略されている。処理チャンバ４０の内部空間には、交換されるべき構成要素（取り外されるべき構成要素）としての基板ステージ２０が配置され、該内部空間は、真空状態に維持されている。第１保守チャンバ５０の内部空間も真空状態に維持されている。第２保守チャンバ６０の内部空間には、交換されるべき構成要素（新しい構成要素）としての基板ステージ２１が格納され、該内部空間は、真空状態に維持されている。   Hereinafter, the component replacement procedure in the first embodiment will be described with reference to FIG. Here, the constituent elements are arranged in the internal space of the processing chamber 40 and constitute a part of the processing apparatus 1. In FIG. 3, the load lock chamber 30 is omitted for simplification of description. A substrate stage 20 as a component to be replaced (a component to be removed) is disposed in the internal space of the processing chamber 40, and the internal space is maintained in a vacuum state. The internal space of the first maintenance chamber 50 is also maintained in a vacuum state. The internal space of the second maintenance chamber 60 stores a substrate stage 21 as a component to be replaced (new component), and the internal space is maintained in a vacuum state.

この状態において、図３に例示されるように、第１フランジ４５と第２フランジ５５とを連結することによって処理チャンバ４０と第１保守チャンバ５０とが連結される。次いで、チャンバ連結空間７０の気体が圧力調整部によって排出される。チャンバ連結空間７０の圧力と処理チャンバ４０の内部空間の圧力および第１保守チャンバ５０の内部空間の圧力が等しくなったら、第１バルブ４４および第２バルブ５４が開かれる。次いで、処理チャンバ４０の内部空間に配置された基板ステージ２０が移送機構５８によって第１保守チャンバ５０の内部空間に移送される。ここで、基板ステージ２０の移送は、他の機構によって補助されてもよい。次いで、第１バルブ４４および第２バルブ５４を閉じて、チャンバ連結空間７０を圧力調整部によって大気開放した後に、処理チャンバ４０から第１保守チャンバ５０が切り離される。   In this state, as illustrated in FIG. 3, the processing chamber 40 and the first maintenance chamber 50 are connected by connecting the first flange 45 and the second flange 55. Next, the gas in the chamber connection space 70 is discharged by the pressure adjusting unit. When the pressure in the chamber connection space 70, the pressure in the internal space of the processing chamber 40, and the pressure in the internal space of the first maintenance chamber 50 become equal, the first valve 44 and the second valve 54 are opened. Next, the substrate stage 20 disposed in the internal space of the processing chamber 40 is transferred to the internal space of the first maintenance chamber 50 by the transfer mechanism 58. Here, the transfer of the substrate stage 20 may be assisted by another mechanism. Next, the first valve 44 and the second valve 54 are closed, and the chamber connection space 70 is opened to the atmosphere by the pressure adjusting unit, and then the first maintenance chamber 50 is separated from the processing chamber 40.

次いで、第１フランジ４５と第２フランジ６５とを連結することによって処理チャンバ４０と第２保守チャンバ６０とが連結される。次いで、チャンバ連結空間７０の気体が圧力調整部によって排出される。チャンバ連結空間７０の圧力と処理チャンバ４０の内部空間の圧力および第２保守チャンバ６０の内部空間の圧力が等しくなったら、第１バルブ４４および第２バルブ６４が開かれる。次いで、第２保守チャンバ６０の内部空間に格納されていた新しい基板ステージ２１が移送機構６８によって処理チャンバ４０の内部空間に移送され、処理装置１に組み込まれる。処理装置１への基板ステージ２１の組み込みは、例えば、基板ステージ２１と処理装置１における他の構成要素との間での信号ケーブル、電源ケーブル、冷媒チャネル等のラインの接続を含みうる。基板ステージ２１の移送は、他の機構によって補助されてもよい。次いで、第１バルブ４４および第２バルブ６４を閉じて、チャンバ連結空間７０を圧力調整部によって大気開放した後に、処理チャンバ４０から第２保守チャンバ６０が切り離される。   Next, the processing chamber 40 and the second maintenance chamber 60 are connected by connecting the first flange 45 and the second flange 65. Next, the gas in the chamber connection space 70 is discharged by the pressure adjusting unit. When the pressure in the chamber connection space 70, the pressure in the internal space of the processing chamber 40, and the pressure in the internal space of the second maintenance chamber 60 become equal, the first valve 44 and the second valve 64 are opened. Next, the new substrate stage 21 stored in the internal space of the second maintenance chamber 60 is transferred to the internal space of the processing chamber 40 by the transfer mechanism 68 and incorporated in the processing apparatus 1. Incorporation of the substrate stage 21 into the processing apparatus 1 may include, for example, connection of lines such as signal cables, power cables, and refrigerant channels between the substrate stage 21 and other components in the processing apparatus 1. The transfer of the substrate stage 21 may be assisted by another mechanism. Next, after the first valve 44 and the second valve 64 are closed and the chamber connection space 70 is opened to the atmosphere by the pressure adjusting unit, the second maintenance chamber 60 is separated from the processing chamber 40.

以上のように、第１実施形態によれば、処理装置１としての電子線露光装置の処理チャンバ４０を大気開放することなく、基板ステージに代表されるような大型の構成要素を交換することができる。そのため、構成要素の交換のために要する時間が短縮されるとともに、処理チャンバ４０の内面や内部空間に配置された構成要素への水分子の付着や、物理的および／または化学的な汚染を防止することができる。また、交換すべき新しい構成要素を格納している保守チャンバ６０の内部空間を予め真空状態にしておくことにより、当該構成要素の表面の水分子や汚染物質を予め蒸発させることができる。更に、真空排気工程での断熱膨張による冷却がない。すなわち、構成要素交換等の保守作業において、大気開放および真空排気のための時間、および環境の安定化のための時間を短縮することができるため、処理装置の再稼働までの時間を短縮することができる。しかも、構成要素の交換用の保守チャンバを用意し、かつ処理チャンバとの連結・切り離しを可能としたことで、基板ステージに代表されるような大型の構成要素の交換を、処理装置のフットプリントを拡大することなく実現することができる。   As described above, according to the first embodiment, large components such as the substrate stage can be replaced without opening the processing chamber 40 of the electron beam exposure apparatus as the processing apparatus 1 to the atmosphere. it can. Therefore, the time required for the replacement of the components is shortened, and the adhesion of water molecules to the components disposed on the inner surface and the internal space of the processing chamber 40 and physical and / or chemical contamination are prevented. can do. In addition, by preliminarily vacuuming the internal space of the maintenance chamber 60 storing the new component to be replaced, water molecules and contaminants on the surface of the component can be evaporated in advance. Furthermore, there is no cooling due to adiabatic expansion in the evacuation process. That is, in maintenance work such as component replacement, it is possible to reduce the time for opening to the atmosphere and evacuating, and the time for stabilizing the environment. Can do. In addition, by providing a maintenance chamber for component replacement and enabling connection / disconnection to / from the processing chamber, it is possible to replace large components such as those represented by the substrate stage in the footprint of the processing equipment. Can be realized without enlarging.

図４を参照しながら本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態は、矛盾が生じない範囲において第１実施形態に従いうる。第２実施形態では、処理チャンバ４０は、第１バルブおよび第１フランジを含む連結部を２つ備えていて、第１保守チャンバ５０が処理チャンバ４０に連結された状態で第２保守チャンバ６０を処理チャンバ４０に連結することができる。すなわち、処理チャンバ４０は、第１バルブ４４および第１フランジ４５を含む連結部と、第１バルブ４６および第１フランジ４７を含む連結部とを含む。なお、図４では省略されているが、処理チャンバ４０は、処理チャンバ４０に基板Ｗを搬入したり処理チャンバ４０から基板Ｗを搬出したりするためのロードロックチャンバ３０が連結されている。   A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The second embodiment can follow the first embodiment as long as no contradiction occurs. In the second embodiment, the processing chamber 40 includes two connecting portions including a first valve and a first flange, and the second maintenance chamber 60 is installed in a state where the first maintenance chamber 50 is connected to the processing chamber 40. It can be coupled to the processing chamber 40. That is, the processing chamber 40 includes a connecting portion including the first valve 44 and the first flange 45 and a connecting portion including the first valve 46 and the first flange 47. Although not shown in FIG. 4, the processing chamber 40 is connected to a load lock chamber 30 for loading the substrate W into the processing chamber 40 and unloading the substrate W from the processing chamber 40.

第１保守チャンバ５０および第２保守チャンバ６０が処理チャンバ４０に連結された状態でバルブ４４、４６、５４、６４が開かれる。次いで、処理チャンバ４０の内部空間に配置された基板ステージ２０を第１保守チャンバ５０の内部空間に移送し、それに連続して第２保守チャンバ６０の内部空間に配置された新しい基板ステージ２１が処理チャンバ４０に移送される。次いで、バルブ４４、４６、５４、６４を閉じて、処理チャンバ４０から第１保守チャンバ５０および第２保守チャンバ６０が切り離される。第２実施形態によれば、処理チャンバ４０からの構成要素の搬出と処理チャンバ４０への構成要素の搬入を連続して実行することができるので、構成要素の交換時間を更に短縮することができる。   With the first maintenance chamber 50 and the second maintenance chamber 60 connected to the processing chamber 40, the valves 44, 46, 54, 64 are opened. Next, the substrate stage 20 disposed in the internal space of the processing chamber 40 is transferred to the internal space of the first maintenance chamber 50, and a new substrate stage 21 disposed in the internal space of the second maintenance chamber 60 is subsequently processed. It is transferred to the chamber 40. Next, the valves 44, 46, 54, 64 are closed, and the first maintenance chamber 50 and the second maintenance chamber 60 are disconnected from the processing chamber 40. According to the second embodiment, it is possible to continuously carry out the component from the processing chamber 40 and carry the component into the processing chamber 40, so that the component replacement time can be further shortened. .

図５を参照しながら本発明の第３実施形態を説明する。第３実施形態は、矛盾が生じない範囲において第１実施形態に従いうる。なお、図５では省略されているが、処理チャンバ４０は、処理チャンバ４０に基板Ｗを搬入したり処理チャンバ４０から基板Ｗを搬出したりするためのロードロックチャンバ３０が連結されている。第３実施形態では、構成要素の交換のために１つの保守チャンバ５０が処理チャンバ４０に連結される。第３実施形態の保守チャンバ５０は、処理装置１から取り外す基板ステージ２０とそれに代えて処理装置１に組み込むべき基板ステージ２１との双方を収容することができる容積を有する。   A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The third embodiment can follow the first embodiment as long as no contradiction occurs. Although omitted in FIG. 5, the processing chamber 40 is connected to a load lock chamber 30 for loading the substrate W into the processing chamber 40 and unloading the substrate W from the processing chamber 40. In the third embodiment, one maintenance chamber 50 is connected to the processing chamber 40 for component replacement. The maintenance chamber 50 of the third embodiment has a volume that can accommodate both the substrate stage 20 to be removed from the processing apparatus 1 and the substrate stage 21 to be incorporated in the processing apparatus 1 instead.

まず、第１フランジ４５と第２フランジ５５とを連結することによって処理チャンバ４０と保守チャンバ５０とが連結される。次いで、チャンバ連結空間７０の気体が圧力調整部によって排出される。チャンバ連結空間７０の圧力と処理チャンバ４０の内部空間の圧力および保守チャンバ５０の内部空間の圧力が等しくなったら、第１バルブ４４および第２バルブ５４が開かれる。次いで、処理チャンバ４０の内部空間に配置された基板ステージ２０が移送機構５８によって保守チャンバ５０の内部空間に移送される。次いで、保守チャンバ５０の内部空間に格納されていた新しい基板ステージ２１が移送機構６８によって処理チャンバ４０の内部空間に移送され、処理装置１に組み込まれる。処理装置１への基板ステージ２１の組み込みは、例えば、基板ステージ２１と処理装置１における他の構成要素との間での信号ケーブル、電源ケーブル、冷媒チャネル等のラインの接続を含みうる。基板ステージ２１の移送は、他の機構によって補助されてもよい。次いで、第１バルブ４４および第２バルブ６４を閉じて、チャンバ連結空間７０を圧力調整部によって大気開放した後に、処理チャンバ４０から保守チャンバ５０が切り離される。第３実施形態によれば、構成要素の交換のために１つの保守チャンバ５０のみを処理チャンバ４０に連結されば良いので、構成要素交換時間の短縮と保守作業のためのスペースの削減とを同時に実現できる。   First, the processing chamber 40 and the maintenance chamber 50 are connected by connecting the first flange 45 and the second flange 55. Next, the gas in the chamber connection space 70 is discharged by the pressure adjusting unit. When the pressure in the chamber connection space 70, the pressure in the internal space of the processing chamber 40, and the pressure in the internal space of the maintenance chamber 50 become equal, the first valve 44 and the second valve 54 are opened. Next, the substrate stage 20 disposed in the internal space of the processing chamber 40 is transferred to the internal space of the maintenance chamber 50 by the transfer mechanism 58. Next, the new substrate stage 21 stored in the internal space of the maintenance chamber 50 is transferred to the internal space of the processing chamber 40 by the transfer mechanism 68 and incorporated in the processing apparatus 1. Incorporation of the substrate stage 21 into the processing apparatus 1 may include, for example, connection of lines such as signal cables, power cables, and refrigerant channels between the substrate stage 21 and other components in the processing apparatus 1. The transfer of the substrate stage 21 may be assisted by another mechanism. Next, the first valve 44 and the second valve 64 are closed, and the chamber connection space 70 is opened to the atmosphere by the pressure adjusting unit, and then the maintenance chamber 50 is separated from the processing chamber 40. According to the third embodiment, only one maintenance chamber 50 needs to be connected to the processing chamber 40 for replacement of the components, so that the time for replacing the components and the space for maintenance work can be reduced at the same time. realizable.

以上の説明では、交換されるべき構成要素が基板ステージである例であるが、交換されるべき構成要素は、基板ステージには限定されず、種々の構成要素でありうる。交換されるべき構成要素は、例えば、基板搬送機構３４またはその構成要素でもよい。   In the above description, the component to be replaced is the substrate stage. However, the component to be replaced is not limited to the substrate stage, and may be various components. The component to be replaced may be, for example, the substrate transport mechanism 34 or a component thereof.

本発明に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスの製造に好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の電子線露光装置によって潜像パターンを形成する工程と、当該工程で潜像パターンが形成され他基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。   The method for manufacturing an article according to the present invention is suitable for manufacturing a micro device such as a semiconductor device, for example. The manufacturing method includes a step of forming a latent image pattern on the photosensitive agent on the substrate coated with the photosensitive agent by the electron beam exposure apparatus, and a step of developing another substrate on which the latent image pattern is formed in the step. May be included. Further, the manufacturing method may include other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like).

Claims (10)

物品を処理する処理チャンバを含む処理装置と、保守チャンバを含む保守装置とを備える処理設備であって、
前記処理装置は、前記処理チャンバに物品を搬入し且つ前記処理チャンバから物品を搬出するためのロードロックチャンバを備え、
前記処理チャンバは、第１バルブと、第１フランジとを含み、
前記保守チャンバは、
第２バルブと、
前記第１フランジに対する連結および前記第１フランジからの切り離しが可能な第２フランジと、
前記処理チャンバの内部空間に配置されて前記処理装置の一部を構成している構成要素の当該内部空間から前記保守チャンバの内部空間への移送、および、前記処理チャンバの内部空間に配置されて前記処理装置の一部を構成するための構成要素の当該内部空間への前記保守チャンバの内部空間からの移送のうち少なくとも一方を行う移送機構とを含み、
前記第１フランジと前記第２フランジとが連結され、その後に前記第１バルブおよび前記第２バルブが開かれることによって前記保守チャンバの内部空間と前記処理チャンバの内部空間とが連通する、
ことを特徴とする処理設備。 A processing facility comprising a processing apparatus including a processing chamber for processing articles and a maintenance apparatus including a maintenance chamber,
The processing apparatus includes a load lock chamber order to carry the articles from and carried the article to the processing chamber said processing chamber,
The processing chamber includes a first valve and a first flange,
The maintenance chamber is
A second valve;
A second flange that is connectable to and disconnectable from the first flange;
Transported from the interior space of the components that make up a part of the processing device is arranged in the internal space of the processing chamber into the inner space of the maintenance chamber, and is disposed in the internal space of the processing chamber A transfer mechanism that performs at least one of transfer from the internal space of the maintenance chamber to the internal space of a component for constituting a part of the processing apparatus ,
Wherein the first flange and the second flange is connected, after which the first valve and the second valve communicating with the internal space of the inner space and the processing chamber of the maintenance chamber by withering open,
A processing facility characterized by that. 前記保守装置は、前記保守チャンバが前記処理チャンバに対して位置決めされるように前記保守チャンバを駆動する駆動機構を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の処理設備。 The maintenance device further includes a drive mechanism that drives the maintenance chamber such that the maintenance chamber is positioned relative to the processing chamber.
The processing equipment according to claim 1, wherein: 前記保守装置は、第１保守チャンバおよび第２保守チャンバとして、２つの前記保守チャンバを含み、
前記処理チャンバの内部空間に配置された構成要素が前記第１保守チャンバに移送された後に、当該構成要素に代えて前記第２保守チャンバに格納されていた構成要素が前記処理チャンバの内部空間に移送される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の処理設備。 The maintenance device includes two maintenance chambers as a first maintenance chamber and a second maintenance chamber,
After the components arranged in the internal space of the processing chamber are transferred to the first maintenance chamber, the components stored in the second maintenance chamber instead of the components are transferred to the internal space of the processing chamber. Transferred,
The processing facility according to claim 1 or 2, wherein 前記第１保守チャンバが前記処理チャンバに連結されて前記処理チャンバの内部空間に配置されていた構成要素が前記第１保守チャンバに移送された後に、前記第１保守チャンバに代えて前記第２保守チャンバが前記処理チャンバに連結されて前記第２保守チャンバに格納されていた構成要素が前記処理チャンバの内部空間に移送される、
ことを特徴とする請求項３に記載の処理設備。 After the first maintenance chamber is connected to the processing chamber and the components disposed in the internal space of the processing chamber are transferred to the first maintenance chamber, the second maintenance chamber is used instead of the first maintenance chamber. A component connected to the processing chamber and stored in the second maintenance chamber is transferred to an internal space of the processing chamber;
The processing equipment according to claim 3 characterized by things. 前記処理チャンバは、２つの前記第１バルブおよび２つの前記第１フランジを含み、前記第１保守チャンバを前記処理チャンバに連結した状態で前記第２保守チャンバを前記処理チャンバに連結することができる、
ことを特徴とする請求項３に記載の処理設備。 The processing chamber includes two first valves and two first flanges, and the second maintenance chamber can be connected to the processing chamber in a state where the first maintenance chamber is connected to the processing chamber. ,
The processing equipment according to claim 3 characterized by things. 前記処理チャンバの内部空間に配置された構成要素が前記保守チャンバに移送された後に、当該構成要素に代えて前記保守チャンバに格納されていた構成要素が前記処理チャンバの内部空間に移送される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の処理設備。 After the components arranged in the internal space of the processing chamber are transferred to the maintenance chamber, the components stored in the maintenance chamber instead of the components are transferred to the internal space of the processing chamber.
The processing facility according to claim 1 or 2, wherein 前記処理装置は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に潜像パターンを形成するための露光装置を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の処理設備。 The processing apparatus includes an exposure apparatus for forming a latent image pattern on the photosensitive agent on the substrate coated with the photosensitive agent.
The processing equipment according to any one of claims 1 to 6, wherein the processing equipment is provided. 物品を処理する処理チャンバと、前記処理チャンバに物品を搬入し且つ前記処理チャンバから物品を搬出するためのロードロックチャンバとを備える処理装置を保守するための保守装置であって、
前記処理チャンバは、第１バルブと、第１フランジとを含み、
前記保守装置は、保守チャンバを含み、前記保守チャンバは、第２バルブと、前記第１フランジに対する連結および前記第１フランジからの切り離しが可能な第２フランジと、前記処理チャンバの内部空間に配置されて前記処理装置の一部を構成している構成要素の当該内部空間から前記保守チャンバの内部空間への移送、および、前記処理チャンバの内部空間に配置されて前記処理装置の一部を構成するための構成要素の当該内部空間への前記保守チャンバの内部空間からの移送のうち少なくとも一方を行う移送機構とを含み、
前記第１フランジと前記第２フランジとが連結され、その後に前記第１バルブおよび前記第２バルブが開かれることによって前記保守チャンバの内部空間と前記処理チャンバの内部空間とが連通する、
ことを特徴とする保守装置。 A maintenance device for maintaining a process chamber for processing an article, a processing unit and a load lock chamber order to carry the article from the processing carried an article into the chamber and the processing chamber,
The processing chamber includes a first valve and a first flange,
The maintenance device includes a maintenance chamber, and the maintenance chamber is disposed in an internal space of the processing chamber, a second valve, a second flange that can be connected to and disconnected from the first flange, and the processing chamber. The components constituting a part of the processing apparatus are transferred from the internal space to the internal space of the maintenance chamber, and are arranged in the internal space of the processing chamber to constitute a part of the processing apparatus. A transfer mechanism that performs at least one of transfer from the internal space of the maintenance chamber to the internal space of the component for
Wherein the first flange and the second flange is connected, and then the internal space of the inner space and the processing chamber of said first valve and said second valve is opened the maintenance chamber by Rukoto communicates,
A maintenance device characterized by that. 前記保守チャンバが前記処理チャンバに対して位置決めされるように前記保守チャンバを駆動する駆動機構を更に含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の保守装置。 A drive mechanism for driving the maintenance chamber such that the maintenance chamber is positioned relative to the processing chamber;
The maintenance device according to claim 8, wherein: 感光剤が塗布された基板の該感光剤に請求項７に記載の処理設備によって潜像パターンを形成する工程と、
前記工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 Forming a latent image pattern on the photosensitive agent on the substrate coated with the photosensitive agent by the processing equipment according to claim 7;
Developing the substrate on which the latent image pattern is formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017163088A (en) * 2016-03-11 2017-09-14 東芝メモリ株式会社 Substrate processing device and method for controlling substrate processing device
CN116782738B (en) * 2023-08-23 2023-10-20 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 Bonding sheet separating device and separating method thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0668962B2 (en) * 1987-12-21 1994-08-31 株式会社東芝 Vacuum device and method of performing process using the same
JP3257056B2 (en) * 1992-09-04 2002-02-18 石川島播磨重工業株式会社 Vacuum deposition equipment
JP2655474B2 (en) * 1993-12-17 1997-09-17 日本電気株式会社 Electron beam direct writing method and apparatus
JP2665202B2 (en) * 1995-05-31 1997-10-22 九州日本電気株式会社 Semiconductor wafer processing equipment
JPH0927542A (en) * 1995-07-13 1997-01-28 Hitachi Ltd Carrying container
JPH09256142A (en) * 1996-03-15 1997-09-30 Sony Corp Film forming device
JPH1145853A (en) * 1997-07-25 1999-02-16 Nikon Corp Projection aligner and projection exposure method
JPH11288870A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Nikon Corp Aligner
JP4227220B2 (en) * 1998-07-10 2009-02-18 キヤノンアネルバ株式会社 Continuous feeding method of evaporation source to vapor deposition chamber in inline vapor deposition system
JP2004043880A (en) * 2002-07-11 2004-02-12 Nikon Corp Film deposition method, film deposition apparatus, optical element, and projection aligner
JP2004273893A (en) * 2003-03-11 2004-09-30 Eiko Engineering Co Ltd Vacuum processor having a plurality of processing stations
JP2006080184A (en) * 2004-09-08 2006-03-23 Nikon Corp Substrate transfer device, exposure device and substrate transfer method
DE102006050835A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-08 Carl Zeiss Smt Ag Method and device for exchanging object parts
JP2008300683A (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Canon Inc Cleaning device and method, and exposure apparatus having cleaning device
JP2009146959A (en) * 2007-12-12 2009-07-02 Canon Inc Exposure apparatus, and cleaning device

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