JP5666433B2 - ランタニド含有前駆体の調製およびランタニド含有膜の堆積 - Google Patents

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Description

背景
産業が直面する重大な問題の１つは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）およびキャパシタ用の新たなゲート絶縁材料の開発にある。数十年の間、二酸化珪素（ＳｉＯ2）が信頼のおける絶縁体であったが、トランジスタが小さくなり続け且つ技術が「フルＳｉ」トランジスタから「金属ゲート／高誘電率」トランジスタへと移行したために、ＳｉＯ2系ゲート絶縁体の信頼性は、その物理的限界に達している。現在の技術のサイズが小さくなっているために、新たな高比誘電率材料およびプロセスについての必要性は高まっており且つますます重要になっている。ランタニド含有材料を特にベースとした新世代の酸化物は、従来の絶縁材料に比して、電気容量の著しい進歩を与えると考えられている。
しかしながら、ランタニド含有層の堆積は難しく、新たな材料およびプロセスがますます必要とされている。たとえば、原子層堆積（ＡＬＤ）は、マイクロエレクトロニクスの製造にとって重要な薄膜成長技術であると確認されており、不活性ガスパージを合間に挟んで択一的に適用される複数種の前駆体の逐次的であり且つ飽和する表面反応に基づいている。ＡＬＤの表面制御された性質は、正確な厚み制御により、共形性および均一性の高い薄膜の成長を可能にする。希土類材料のための新たなＡＬＤプロセスを開発することが必要であることは、明らかである。
あいにく、堆積プロセスへの化合物の効果的な組み込みは難しいことが判明している。ベータ−ジケトネート類およびシクロペンタジエニル類という２種類の分子が典型的に提案される。前者の系統の化合物は安定であるが、融点が常に９０℃を上回っており、それらを非実用的にしている。ランタニド２,２−６,６−テトラメチルヘプタンジオネート［Ｌａ（ｔｍｈｄ）3］の融点は２６０℃程度であり、同類のランタニド２,２,７−トリメチルオクタンジオネート［Ｌａ（ｔｍｏｄ）3］の融点は１９７℃である。加えて、ベータ−ジケトネート類の配送効率は、制御するのが非常に難しい。未置換のシクロペンタジエニル化合物も、揮発性が低く、融点が高い。分子設計は、揮発性を向上させるのと、融点を下げるのとの両方の助けとなり得る。しかしながら、プロセス条件において、これらの種類の材料は、使用が限られることが判明している。たとえば、Ｌａ（ｉＰｒＣｐ）3は、２２５℃超でのＡＬＤレジームを許容しない。
現在利用可能なランタニド含有前駆体のうちの数種類は、堆積プロセスで使用される際に多くの欠点を示す。たとえば、フッ化ランタニド前駆体は、副生成物として、ＬｎＦ3を生じ得る。この副生成物は、除去するのが難しいことが知られている。
それ故に、ランタニド含有膜の堆積のための既存のものに代わる前駆体が必要とされている。
概要
ここでは、一般式：
Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）m（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）n
のランタニド含有前駆体であって：
−Ｌｎは、イオン半径が約７５ｐｍ（０．７５Å）ないし約９４ｐｍ（０．９４Å）であり、３＋の電荷を持ち、配位数が６であるランタニド金属であり；
−Ｒ1は、ＨおよびＣ１−Ｃ５アルキル鎖からなる群より選択され；
−Ｒ2は、ＨおよびＣ１−Ｃ５アルキル鎖からなる群より選択され；
−Ｒ4は、ＨおよびＭｅからなる群より選択され；
−ｎおよびｍは、１ないし２の範囲内にあり；
−前記前駆体は、融点が約１０５℃未満である
前駆体が開示される。
開示されるランタニド含有前駆体は、以下の側面のうちの１つ以上を任意に含んでもよい：
−Ｌｎは、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、およびＹｂからなる群より選択される。
−Ｌｎは、ＥｒおよびＹｂからなる群より選択される。
−Ｒ1は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択される。
−Ｒ2は、ｉＰｒおよびｔＢｔからなる群より選択される。
また、ランタニド含有膜を半導体基板上に堆積させる方法であって：
ａ）基板を準備することと、
ｂ）開示されるランタニド含有前駆体を提供することと、
ｃ）ランタニド含有膜を基板上に堆積させることと
を含む方法も開示される。
開示される方法は、以下の側面のうちの１つ以上を任意に含んでもよい：
−約１５０℃ないし約６００℃の間にある温度で、ランタニド含有膜を基板上に堆積させること。
−約６．７×１０ -2 Ｐａ（０．５ｍＴｏｒｒ）ないし約２．７Ｐａ（２０Ｔｏｒｒ）の間にある圧力で、ランタニド含有膜を基板上に堆積させること。
−ランタニド含有前駆体は、７０℃未満の温度で液体である。
−ランタニド含有前駆体は、４０℃未満の温度で液体である。
−ランタニド含有膜は、Ｌｎ2Ｏ3、（ＬｎＬｎ')Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3−Ｌｎ'2Ｏ3、ＬｎＳｉxＯy、ＬｎＧｅxＯy、(Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ)ＬｎＯ3、ＨｆＬｎＯx、およびＺｒＬｎＯxからなる群より選択され、ここで、ＬｎとＬｎ'とは互いに異なる。
−ランタニド含有膜は、ＨｆＥｒＯx、ＺｒＥｒＯx、ＨｆＹｂＯx、およびＺｒＹｂＯxからなる群より選択される。
−ランタニド含有前駆体は、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ｆｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ａｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ｆｍｄ)2、およびＬｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ａｍｄ)2からなる群より選択される一般式を有し、ここで、Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂからなる群より選択され；Ｒ1は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択され；Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔである。
また、ランタニド含有膜を基板上に形成する第２の方法であって、少なくとも１つの基板が中に配置された反応器を設ける工程と、ここに開示される少なくとも１種のランタニド含有前駆体を反応器へと導入する工程と、堆積プロセスを使用してランタニド含有前駆体と基板とを接触させて、ランタニド含有層を基板の少なくとも１つの表面上に形成する工程とを含んでいる方法も開示される。
開示される第２の方法は、以下の側面のうちの１つ以上を任意に含んでいてもよい：
−少なくとも１種の酸素含有流体をリアクタ内へと提供することおよびランタニド含有前駆体を該酸素含有流体と反応させること。
−酸素含有流体は、Ｏ2、Ｏ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、酢酸、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される。
−ランタニド含有前駆体および反応種は、化学気相堆積プロセスのように少なくとも部分的に同時に導入されるか、または原子層堆積プロセスのように少なくとも部分的に逐次的に導入される。
−前記ランタニド含有前駆体とは異なる金属前駆体をリアクタへと導入すること、および該金属前駆体の少なくとも一部を堆積させて、ランタニド含有層を１つ以上の基板上に形成すること。
−金属前駆体の金属は、Ｈｆ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、ランタニド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される。
−堆積プロセスは、化学気相堆積プロセスである。
−堆積プロセスは、複数回の堆積サイクルを有する原子層堆積プロセスである。
−ランタニド含有前駆体は、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ｆｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ａｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ｆｍｄ)2、およびＬｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ａｍｄ)2からなる群より選択される一般式を有し、ここで、Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂからなる群より選択され；Ｒ1は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択され；Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔである。
また、開示される第２の方法の生成物を含むランタニド含有膜で被覆された基板も開示される。
記号および用語
幾つかの略語、記号および用語が、以下の説明および特許請求の範囲を通じて使用されており、これらとしては以下のものが挙げられる：略語「Ｌｎ」は、以下の元素：スカンジウム（「Ｓｃ」）、イットリウム（「Ｙ」）、ルテチウム（「Ｌｕ」）、ランタン（「Ｌａ」）、セリウム（「Ｃｅ」）、プラセオジム（「Ｐｒ」）、ネオジム（「Ｎｄ」）、サマリウム（「Ｓｍ」）、ユーロピウム（「Ｅｕ」）、ガドリニウム（「Ｇｄ」）、テルビウム（「Ｔｂ」）、ジスプロシウム（「Ｄｙ」）、ホルミウム（「Ｈｏ」）、エルビウム（「Ｅｒ」）、ツリウム（「Ｔｍ」）、またはイッテルビウム（「Ｙｂ」）を含むランタニド族を指している；略語「Ｃｐ」は、シクロペンタジエンを指している；略語「Å」は、オングストロームを指している；プライム記号（「'」）は、第１のものとは異なる成分を示すのに使用され、たとえば、（ＬｎＬｎ'）Ｏ3は、２種類の異なるランタニド元素を含有するランタニド酸化物を指している；用語「脂肪族基」は、Ｃ１−Ｃ５の直鎖または分枝鎖アルキル基を指している；用語「アルキル基」は、専ら炭素原子および水素原子を含有する飽和官能基を指している；略語「Ｍｅ」は、メチル基を指している；略語「Ｅｔ」は、エチル基を指している；略語「Ｐｒ」は、プロピル基を指している；略語「ｉＰｒ」は、イソプロピル基を指している；略語「ｔＢｔ」は、第三級ブチル基を指している、略語「Ｎz−ａｍｄ」は、ＺＮＣ（ＣＨ3）＝ＮＺを指しており、ここで、Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔなどの定義済みのアルキル基である；略語「Ｎz−ｆｍｄ」は、ＺＮＣ（Ｈ）＝ＮＺを指しており、ここで、Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔなどの定義済みのアルキル基である；略語「ＣＶＤ」は、化学気相堆積を指している；略語「ＬＰＣＶＤ」は、低圧化学気相堆積を指している；略語「ＡＬＤ」は、原子層堆積を指している；略語「Ｐ−ＣＶＤ」は、パルス化学気相堆積を指している；略語「ＰＥ−ＡＬＤ」は、プラズマ強化原子層堆積を指している；略語「ＭＩＭ」は、金属−絶縁物−金属（キャパシタで使用される構造）を指している；略語「ＤＲＡＭ」は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリを指している；略語「ＦｅＲＡＭ」は、強誘電体ランダム・アクセス・メモリを指している；略語「ＣＭＯＳ」は、相補型金属酸化膜半導体を指している；略語「ＴＨＦ」は、テトラヒドロフランを指している；略語「ＴＧＡ」は、熱重量分析を指している；略語「ＴＭＡ」は、トリメチルアルミニウムを指している；略語「ＴＢＴＤＥＴ」は、第三級ブチルイミド、トリス（ジエチルアミノ）タンタル（Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］3［ＮＣ（ＣＨ3）3］）を指している；略語「ＴＡＴ−ＤＭＡＥ」は、タンタルテトラエトキシドジメチルアミノエトキシドを指している；略語「ＰＥＴ」は、ペンタエトキシタンタルを指している；略語「ＴＢＴＤＥＮ」は、第三級ブチルイミド、トリス（ジエチルアミノ）ニオブを指している；略語「ＰＥＮ」は、ペンタエトキシニオブを指している；略語「ＴｒｉＤＭＡＳ」は、トリス（ジメチルアミノ）シラン［ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3］を指している；略語「ＢＤＭＡＳ」は、ビス（ジメチルアミノ）シランを指している；略語「ＢＤＥＡＳ」は、ビス（ジエチルアミノ）シラン［ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2］を指している；略語「ＴＤＥＡＳ」は、テトラキス−ジエチルアミノシランを指している；略語「ＴＤＭＡＳ」は、トリス（ジメチルアミノ）シランを指している；略語「ＴＥＭＡＳ」は、テトラキス−エチルメチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）（ＣＨ3））4）を指している；略語「ＢＴＢＡＳ」は、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン［ＳｉＨ2（ＮＨｔＢｕ）2］を指している。
本発明の性質および対象についての更なる理解のためには、以下の詳細な説明を、添付の図面と組み合わせて参照すべきである。
図１は、Ｙ（ＭｅＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）の温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである。 図２は、Ｙ（ｉＰｒＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）についてのＴＧＡグラフである。 図３は、Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。 図４は、Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ｔＢｕ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｔＢｕ）についてのＴＧＡグラフである。 図５は、Ｅｒ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。 図６は、Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。 図７は、Ｙｂ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。 図８は、Ｙｂ（ＭｅＣｐ）2（ｔＢｕ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｔＢｕ）についてのＴＧＡグラフである。 図９は、Ｙｂ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。 図１０は、Ｙｂ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。 図１１は、Ｙｂ（ｉＰｒＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ｉＰｒ）についてのＴＧＡグラフである。
好ましい態様についての説明
一般式：
Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）m（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）n
を有するランタニド含有前駆体化合物であって、ここで、Ｌｎは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを含むランタニド族を表しており；Ｒ1は、ＨまたはＣ１−Ｃ５のアルキル鎖から選択され；Ｒ2は、ＨまたはＣ１−Ｃ５アルキル鎖から選択され；Ｒ4は、Ｈ、Ｃ１−Ｃ５アルキル鎖、およびＮＲ'Ｒ''，ここで、Ｒ'およびＲ''はＣ１−Ｃ５アルキル鎖から独立して選択される，から選択され；ｍは、１または２から選択され；ｎは、１または２から選択される化合物が開示される。
前記ランタニド含有前駆体は、トリス−置換シクロペンタジエニルランタニド化合物，Ｌｎ（ＲＣｐ）3，、トリス−アセトアミジネート化合物，Ｌｎ（Ｒ−Ｎ−Ｃ（Ｒ'）＝Ｎ−Ｒ）3，またはトリス−ホルムアミジネート化合物，Ｌｎ（Ｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−Ｒ）3，などの対応するホモレプティック化合物と比べた場合、独特な物理的性質および化学的性質を示す。このような性質としては、金属中心の周りでの立体的な込み合いの優れた制御が挙げられ、これは、次に、基板上での表面反応および第２の反応物質（たとえば、酸素ソースなど）との反応を制御する。配位子上の置換基を独立して微調整することは、揮発性および熱的安定性を高め且つ融点を下げて、液体かまたは低融点固体（約１０５℃未満の融点を有する）をもたらす。
蒸着プロセスに適した性質を有する安定なランタニド含有前駆体（すなわち、揮発性であるが熱的に安定な液体または低融点固体（約１０５℃未満の融点を有する））を合成するために、中心の金属イオンの性質（配位数、イオン半径）と配位子の性質（立体効果、２つのへテロリプティック配位子の比）との間の直接相関が観察されてきた。好ましくは、金属化合物は、約７５ｐｍ（０．７５Å）ないし約９４（０．９４Å）のイオン半径を含み、３＋の電荷を持ち、配位数が６である。結果として、Ｌｎは、好ましくは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、およびＹｂを含む小さなランタニド系列の元素から選択される。より好ましくは、Ｌｎは、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、またはＹｂから選択される。好ましくは、Ｒ1は、Ｃ１−Ｃ３のアルキル鎖であり；Ｒ2は、Ｃ３−Ｃ４のアルキル鎖であり、Ｒ4は、ＨまたはＭｅである。好ましくは、ランタニド含有前駆体は、約１０５℃未満、好ましくは約８０℃未満、より好ましくは約７０℃未満、更により好ましくは約４０℃未満の融点を有する。好ましいランタニド含有前駆体としては、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ｆｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ａｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ｆｍｄ)2、およびＬｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ａｍｄ)2が挙げられ、ここで、Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、またはＹｂであり；Ｒ1は、Ｍｅ、Ｅｔ、またはｉＰｒであり；Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔである。
Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）m（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）n前駆体（ここで、ｍ＝２、ｎ＝１か、またはｍ＝１、ｎ＝２）の合成は、以下の方法によって行われ得る：
方法Ａ
Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）2Ｘ（ここで、Ｘ＝Ｃｌ、ＢｒまたはＩ）を、Ｍ（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）（ここで、Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）と反応させるか、またはＬｎ（Ｒ1Ｃｐ）Ｘ2を２Ｍ（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）と反応させることによる（スキーム−１）。
Figure 0005666433
方法Ｂ
Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）3を、１等量のアミジン／グアニジン，Ｒ2−ＮＨ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2，と反応させて、Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）2（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）を得るか、または２等量のアミジン／グアニジン，Ｒ2−ＮＨ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2，と反応させて、Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）2を得ることによる（スキーム−２）。
Figure 0005666433
方法Ｃ
ＬｎＸ3（ここで、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）を、ｍＲ1ＣｐＭ（ここで、Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）と（中間生成物の単離を行わずに、段階的な反応で）その場で反応させて、次に濾過を行い、濾液をｎＭ（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）と反応させて、Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）m（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）n前駆体を得る（スキーム−３）。
Figure 0005666433
開示する前駆体化合物（以下、「ランタニド含有前駆体」と呼ぶ）は、ランタニド含有膜を形成すべく、当業者に知られている任意の堆積方法を使用して堆積され得る。適切な堆積方法の例としては、従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルス化学気相堆積（Ｐ−ＣＶＤ）、プラズマ強化原子層堆積（ＰＥ−ＡＬＤ）、またはこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。
ランタニド含有膜が上に堆積される基板のタイプは、意図する最終用途に応じて多様であろう。幾つかの態様では、基板は、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、ＦｅＲａｍ技術における絶縁材料としてもしくはＣＭＯＳ技術におけるゲート絶縁体として使用される酸化物（たとえば、ＨｆＯ2系材料、ＴｉＯ2系材料、ＺｒＯ2系材料、希土類酸化物系材料、三元酸化物系材料など）からか、または、銅と低誘電率層との間の酸素バリアとして使用される窒化物系膜（たとえば、ＴａＮ）から選択され得る。他の基板が、半導体、光電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、またはフラットパネルデバイスの製造において使用される場合もある。このような基板の例としては、金属基板などの中実基板（たとえば、Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、ならびにＴｉＳｉ2、ＣｏＳｉ2、およびＮｉＳｉ2などの金属珪素化合物）；金属窒化物含有基板（たとえば、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＣＮ、ＴｉＣＮ、ＴａＳｉＮ、およびＴｉＳｉＮ）；半導体材料（たとえば、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ダイアモンド、ＧａＮ、およびＳｉＣ）；絶縁材（たとえば、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯＮ、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、およびバリウムストロンチウムチタネート）；またはこれら材料の任意の数の組み合わせを含む他の基板が挙げられるが、これらに限定されない。また、利用される実際の基板は、利用される特定の前駆体の態様にも依存し得る。もっとも、多くの例においては、利用される好ましい基板は、ＴｉＮ、ＲｕおよびＳｉタイプの基板から選択されるであろう。
ランタニド含有前駆体は、少なくとも１つの基板を収容した反応チャンバへと導入される。この反応チャンバは、堆積方法が行われるところのデバイスの任意のエンクロージャまたはチャンバでもよく、たとえば、限定はされないが、平行板タイプリアクタ、コールドウォールタイプリアクタ、ホットウォールタイプリアクタ、枚葉式リアクタ、マルチウェハタイプリアクタ、または他のこのようなタイプの堆積システムであり得る。
反応チャンバは、約６．７×１０ -2 Ｐａ（０．５ｍＴｏｒｒ）ないし約２．７Ｐａ（２０Ｔｏｒｒ）の範囲内にある圧力に維持され得る。加えて、反応チャンバ内の温度は、約２５０℃ないし約６００℃の範囲内にあり得る。当業者であれば、この温度は、所望とされる結果を達成すべく、単に実験を通じて最適化されてもよいことを理解するであろう。
基板は、所望されるランタニド含有膜を十分な成長速度ならびに所望される物理的状態および組成で得るのに十分な温度まで加熱され得る。基板が加熱され得る非限定的な例示的温度範囲としては、１５０℃ないし６００℃が挙げられる。好ましくは、基板の温度は、４５０℃以下であり続ける。
ランタニド含有前駆体は、液体の状態で気化器へと供給されて、そこで、それが反応チャンバへと導入される前に気化されてもよい。それの気化に先立ち、ランタニド含有前駆体は、任意に、１種以上の溶媒、１種以上の金属ソース、および１種以上の溶媒と１種以上の金属ソースとの混合物と混合されてもよい。溶媒は、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン、オクタン、ヘキサン、ペンタンまたはその他からなる群より選択されてもよい。結果的に得られる濃度は、約０．０５Ｍないし約２Ｍの範囲内にあり得る。金属ソースとしては、現在知られているか今後開発される任意の金属前駆体が挙げられ得る。
或いは、ランタニド含有前駆体は、キャリアガスを該ランタニド含有前駆体を入れたコンテナ内に通すことによって、または、キャリアガスを該ランタニド含有前駆体内にバブリングすることによって気化され得る。キャリアガスおよびランタニド含有前駆体は、その後、反応チャンバへと導入される。必要な場合、コンテナは、ランタニド含有前駆体がその液相にあることおよび十分な蒸気圧を持つことを容認する温度まで加熱されてもよい。キャリアガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2およびこれらの混合物が挙げられ得るが、これらに限定されない。ランタニド含有前駆体は、任意に、コンテナ内において、溶媒、他の金属ソース、またはこれらの混合物と混合されてもよい。コンテナは、たとえば０−１００℃の範囲内にある温度に維持されてもよい。当業者であれば、コンテナの温度が、気化されるランタニド含有前駆体の量を制御すべく、既知の方法で調節される場合があることを理解する。
反応チャンバへの導入に先立ってのランタニド含有前駆体と、溶媒、金属前駆体および安定剤との任意の混合に加えて、ランタニド含有前駆体は、反応チャンバの内部において、反応種と混合されてもよい。例示的な反応種としては、Ｈ2、ＴＭＡまたは他のアルミニウム含有前駆体などの金属前駆体、他のランタニド含有前駆体、ＴＢＴＤＥＴ、ＴＡＴ−ＤＭＡＥ、ＰＥＴ、ＴＢＴＤＥＮ、ＰＥＮ、およびこれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。
所望されるランタニド含有膜が、たとえばおよび限定はされないが、酸化エルビウムのように酸素を更に含有する場合、反応種としては、Ｏ2、Ｏ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、酢酸、ホルマリン、パラ−ホルムアルデヒド、およびこれらの混合物から選択される酸素ソースが挙げられ得るが、これらに限定されない。
所望されるランタニド含有膜が、たとえばおよび限定はされないが、窒化エルビウムまたは炭窒化エルビウムのように窒素を更に含有する場合、反応種としては、窒素（Ｎ2）、アンモニアおよびそれのアルキル誘導体、ヒドラジンおよびそれのアルキル誘導体、Ｎ含有ラジカル（たとえば、Ｎ、ＮＨ、ＮＨ2）、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、アミン、ならびにこれらの任意の組み合わせから選択される窒素ソースが挙げられ得るが、これらに限定されない。
所望されるランタニド含有膜が、たとえばおよび限定はされないが、炭化エルビウムまたは炭窒化エルビウムのように炭素を更に含有する場合、反応種としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、プロピレン、ｔ−ブチレン、イソブチレン、ＣＣｌ4、およびこれらの任意の組み合わせから選択される炭素ソースが挙げられ得るが、これらに限定されない。
所望されるランタニド含有膜が、たとえばおよび限定はされないが、珪化エルビウム、珪窒化エルビウム、珪酸エルビウム、エルビウム珪化炭化窒化物（erbium silico-carbo-nitride）のように珪素を更に含有する場合、反応種としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、ＴｒｉＤＭＡＳ、ＢＤＭＡＳ、ＢＤＥＡＳ、ＴＤＥＡＳ、ＴＤＭＡＳ、ＴＥＭＡＳ、（ＳｉＨ3）3Ｎ、（ＳｉＨ3）2Ｏ、トリシリルアミン、ジシロキサン、トリシリルアミン、ジシラン、トリシラン、アルコキシシランＳｉＨx（ＯＲ1）4-x、シラノールＳｉ（ＯＨ）x（ＯＲ1）4-x（好ましくはＳｉ（ＯＨ）（ＯＲ1）3；より好ましくはＳｉ（ＯＨ）（ＯｔＢｕ）3アミノシランＳｉＨx（ＮＲ1Ｒ2）4-x（ここで、ｘは、１、２、３、または４であり；Ｒ1およびＲ2は、独立して、Ｈまたは直鎖、分枝鎖もしくは環式のＣ１−Ｃ６炭素鎖であり；好ましくは、ＴｒｉＤＭＡＳ、ＢＴＢＡＳ、および／またはＢＤＥＡＳ）、およびこれらの任意の組み合わせから選択される珪素ソースが挙げられ得るが、これらに限定されない。或いは、目的とする膜がゲルマニウム（Ｇｅ）を含有する場合もあり、この場合、上述のＳｉ含有反応種をＧｅ含有反応種で置き換えることができる。
所望されるランタニド含有膜が、たとえばおよび限定はされないが、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、またはこれらの混合物などの他の金属を更に含有する場合、反応種としては、ＳｂＲi' 3またはＳｎＲi' 4などの金属アルキル（ここで、各Ｒi''は、独立して、Ｈまたは直鎖、分枝鎖もしくは環式のＣ１−Ｃ６炭素鎖である）、Ｓｂ（ＯＲi）3またはＳｎ（ＯＲi）4などの金属アルコキシド（ここで、各Ｒiは、独立して、Ｈまたは直鎖、分枝鎖もしくは環式のＣ１−Ｃ６炭素鎖である）、およびＳｂ（ＮＲ1Ｒ2）（ＮＲ3Ｒ4）（ＮＲ5Ｒ6）またはＧｅ（ＮＲ1Ｒ2）（ＮＲ3Ｒ4）（ＮＲ5Ｒ6）（ＮＲ7Ｒ8）などの金属アミン（ここで、各Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8は、独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６炭素鎖、またはトリアルキルシリル基であり、炭素鎖およびトリアルキルシリル基は、各々、直鎖、分枝鎖または環状である）、ならびにこれらの任意の組み合わせから選択される金属ソースが挙げられ得るが、これらに限定されない。
ランタニド含有前駆体および１種以上の反応種は、反応チャンバへと同時に導入されてもよいし（化学気相堆積）、逐次的に導入されてもよいし（原子層堆積）、他の組み合わせで導入されてもよい。たとえば、ランタニド含有前駆体が１つのパルスで導入されて、別のパルスで、２種の追加金属ソースが合わせて導入される場合もある［改良原子層堆積］。或いは、反応チャンバが、ランタニド含有前駆体の導入に先立って、既に反応種を収容している場合もある。反応種は、反応チャンバから離れて配置されたプラズマシステムを通り抜けて、ラジカルへと分解される場合もある。或いは、ランタニド含有前駆体は、他の金属ソースがパルスによって導入されている間に、連続的に反応チャンバへと導入される場合もある（パルス化学気相堆積）。各例において、１回のパルスの後に、導入された過剰な量の成分を除去するためのパージまたは排気ステップが続く場合もある。各々の場合において、パルスは、約０．０１秒ないし約１０秒、或いは約０．３秒ないし約３秒、或いは約０．５秒ないし約２秒の範囲内にある時間に亘って持続し得る。
非限定的であり例示的な或る原子層堆積タイプのプロセスでは、ランタニド含有前駆体の気相が、反応チャンバへと導入され、ここで適切な基板と接触する。次に、過剰なランタニド含有前駆体は、反応チャンバから、この反応器をパージするおよび／または排気することによって除去される。酸素ソースは、反応チャンバへと導入され、ここで、吸収されたランタニド前駆体と自己停止方式で反応する。過剰な酸素ソースは、反応チャンバをパージするおよび／または排気することによって、反応チャンバから除去される。所望される膜がランタニド酸化物膜である場合、この二段階プロセスが、所望される膜厚を提供する場合もあるし、必要な暑さを有する膜が得られるまで繰り返される場合もある。
或いは、所望される膜がランタニド金属酸化物膜である場合、上記二段階プロセスの後に、反応チャンバへの金属前駆体の蒸気の導入が続き得る。この金属前駆体は、堆積させるランタニド金属酸化物の性質に基づいて選択されるであろうし、別種のランタニド含有前駆体を含んでいてもよい。反応チャンバへの導入後、金属前駆体は基板に接触する。過剰な金属前駆体は、反応チャンバをパージするおよび／または排気することによって、反応チャンバから除去される。再度、酸素ソースが反応チャンバへと導入されて、第２金属前駆体と反応してもよい。過剰な酸素ソースは、反応チャンバをパージするおよび／または排気することによって、反応チャンバから除去される。所望の膜厚が達成されたら、このプロセスは終わらされてもよい。しかしながら、より厚い膜が所望されるのであれば、前記４段階プロセスの全てが繰り返されてもよい。ランタニド含有前駆体、金属前駆体および酸素ソースの供給を交互に行うことにより、所望される組成および厚みの膜を堆積させることができる。
上で論じたプロセスから得られるランタニド含有膜またはランタニド含有層としては、Ｌｎ2Ｏ3、（ＬｎＬｎ'）Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3−Ｌｎ'2Ｏ3、ＬｎＳｉxＯy、ＬｎＧｅxＯy、（Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ）ＬｎＯ3、ＨｆＬｎＯxまたはＺｒＬｎＯxが挙げられ得る。好ましくは、ランタニド含有膜としては、ＨｆＥｒＯx、ＺｒＥｒＯx、ＨｆＹｂＯx、またはＺｒＹｂＯxが挙げられ得る。当業者であれば、適切なランタニド含有前駆体および反応種の公正な選択（judicial selection）によって、所望される膜組成が得られ得ることを理解するであろう。
例
以下の非限定的な例は、発明の態様を更に説明するために挙げられている。しかしながら、これらの例は、包括的なものとしては意図されていないし、ここで説明した発明の範囲を限定することを目的としていない。
比較例１
（本発明の一部ではない）
Ｌａ（ＥｔＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）、Ｌａ（ＥｔＣｐ）（ＮiPr−ａｍｄ）2、Ｌａ（ｉＰｒＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）、およびＬａ（ｉＰｒＣｐ）（ＮiPr−ａｍｄ）2を、本明細書に記載された方法ＡおよびＢによって合成しようと試みたが、上手くいかなかった。これらの失敗した試みに基づいて、我々は、本明細書において説明した方法を使用しても、一般式Ｌａ（Ｒ1Ｃｐ）m（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）nを有する単離可能な量のランタン含有前駆体は調製され得ないことが分かった。
比較例２
（本発明の一部ではない）
一般式Ｃｅ（ｉＰｒＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）を有する単離可能な量のセリウム含有前駆体が得られたが、即座に分解した。
比較例３
（本発明の一部ではない）
比較例１および２の結果ならびに以下の例１−１２において提供される結果に基づき、出願人は、半径の小さな分子ほどより有利な錯体を提供するという理論を検証することを希望した。以下の錯体の単離が達成された。しかしながら、各々が、熱重量分析中に、非常に高い割合の残留質量（以下に示す）をもたらし、これは、各々が蒸着プロセスに適していないであろうことを示している。
Ｎｉ（Ｃｐ）（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）：２１％残留物
Ｎｉ（ＥｔＣｐ）（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）：２０％残留物
Ｎｉ（ｉＰｒＣｐ）（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）：２０％残留物
Ｎｉ（ｎＢｕＣｐ）（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）：２５％残留物
これらの結果に基づいて、出願人は、ここで開示される、蒸着に適した金属前駆体を開発するのに、金属の半径、電荷および配位数を考慮しなければならないということを結論付けた。
例１：Ｙ（ＭｅＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
２２．１ｍＬ（３５．３６ｍｍｏｌ）のＭｅＬｉエーテル溶液（１．６Ｍ）をゆっくりと添加することによって３０ｍＬのＴＨＦ中のジ−イソプロピルカルボジイミド（４．４７ｇ、３５．３６ｍｍｏｌ）を−７８℃で反応させることにより、ＮiPr−ａｍｄ−Ｌｉを調製した。この溶液を、−７８℃で３０分間に亘って攪拌し、次に、室温まで暖め、室温で更に２時間に亘って攪拌した。新たに調製されたＮiPr−ａｍｄ−Ｌｉ溶液の全量を、５０ｍＬのＴＨＦ中のＹ（ＭｅＣｐ）2Ｃｌ（１０．００ｇ、３５．３８ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。この混合物を、真空下で蒸発乾固させた。ペンタンを添加して攪拌した後、セライトブランドの珪藻土のカラムを通してろ過を行った。ペンタン溶媒を真空下で蒸発させて乾固し、薄黄色のろう質固体を得た。この薄黄色のろう質固体を、１１５℃、１．９Ｐａ（１４ｍＴｏｒｒ）で昇華させ、８９％の収率に相当した１２．２４ｇが得られた。この薄黄色のろう質固体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、３０℃で溶融し、１％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図１に示している。
例２：Ｙ（ｉＰｒＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
６０ｍＬのペンタン中のＹ（ＭｅＣｐ）3（１１．１１ｇ、２７．０７ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに、２０ｍＬのペンタン中のＮiPr−ａｍｄ−Ｈ（３．８５ｇ、２７．０７ｍｍｏｌ）の溶液を添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。溶媒および揮発物を真空下で蒸発させた。得られた黄色液体を、２０℃、１．１Ｐａ（８ｍＴｏｒｒ）で蒸留した。収量は、１１．４ｇ（８７％）である。この黄色液体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、１％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図２に示している。
例３：Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
５３ｍＬ（８４．３６ｍｍｏｌ）のＭｅＬｉエーテル溶液（１．６Ｍ）をゆっくりと添加することによって１５０ｍＬのＴＨＦ中のジ−イソプロピルカルボジイミド（１０．６５ｇ、８４．３６ｍｍｏｌ）を−７８℃で反応させることにより、ＮiPr−ａｍｄ−Ｌｉの溶液を調製した。この溶液を、−７８℃で３０分間に亘って攪拌し、次に、室温まで暖め、室温で更に２時間に亘って攪拌した。新たに調製されたＮiPr−ａｍｄ−Ｌｉ溶液の全量を、２５０ｍＬのＴＨＦ中のＥｒ（ＭｅＣｐ）2Ｃｌ（３０．４５ｇ、８３．３６ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。この混合物を、真空下で蒸発乾固させた。ペンタンを添加して攪拌した後、セライトブランドの珪藻土のカラムを通してろ過を行った。ペンタン溶媒を真空下で蒸発させて乾固し、ピンク色固体を得た。このピンク色固体を、９５−１１５℃、１．６Ｐａ（１２ｍＴｏｒｒ）で昇華させ、８７％の収率に相当した３４．３ｇが得られた。このピンク色固体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、３６℃で溶融し、２．５％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図３に示している。
例４：Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
６０ｍＬのペンタン中のＥｒ（ＭｅＣｐ）3（１１．５４ｇ、２８．１２ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに、２０ｍＬのペンタン中のＮiPr−ａｍｄ−Ｈ（４．００ｇ、１２８．１２ｍｍｏｌ）の溶液を添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。溶媒および揮発物を真空下で蒸発させた。得られたピンク色固体を、９５−１１５℃、１．６Ｐａ（１２ｍＴｏｒｒ）で蒸留した。収量は１１．４ｇ（８７％）であった。
例５：Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ＮtBu−ａｍｄ）
５．２ｍＬ（８．３１ｍｍｏｌ）のＭｅＬｉエーテル溶液（１．６Ｍ）をゆっくりと添加することによって３０ｍＬのＴＨＦ中の１,３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルボジイミド（１．２８ｇ、８．３１ｍｍｏｌ）を−７８℃で反応させることにより、ＮtBu−ａｍｄ−Ｌｉの溶液を調製した。この溶液を、−７８℃で３０分間に亘って攪拌し、次に室温まで暖めて、室温で更に２時間に亘って攪拌した。新たに調製されたＮtBu−ａｍｄ−Ｌｉ溶液の全量を、２５ｍＬのＴＨＦ中のＥｒ（ＭｅＣｐ）2Ｃｌ（３．００ｇ、８．３１ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。この混合物を、真空下で蒸発乾固させた。ペンタンを添加して攪拌した後、セライトブランドの珪藻土のカラムを通してろ過を行った。ペンタン溶媒を蒸発させて乾固し、橙色固体を得た。この橙色固体を、１００−１５０℃、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）で昇華させて、６４％の収率に相当した２．６１ｇが得られた。この橙色固体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、１００℃で溶融し、１．８％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図４に示している。
例６：Ｅｒ（ＥｔＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
２００ｍＬのペンタン中のＥｒ（ＥｔＣｐ）3（２０．００ｇ、４４．７７ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに、５０ｍＬのペンタン中のＮiPr−ａｍｄ−Ｈ（６．３７ｇ、４４．７７ｍｍｏｌ）の溶液を添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。溶媒および揮発物を真空下で蒸発させた。得られたピンク色液体を、７２−７４℃、１．１Ｐａ（８ｍＴｏｒｒ）で蒸留した。収量は１６．４ｇ（６７％）である。融点は１８℃であった。このピンク色液体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、２％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図５に示している。
例７：Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ＮiPr−ｆｍｄ）
４．９ｍＬ（７．８０ｍｍｏｌ）のＭｅＬｉエーテル溶液（１．６Ｍ）をゆっくりと添加することによって４０ｍｌのＴＨＦ中のジ−イソプロピルホルムアミジン（１０．００ｇ、７．８０ｍｍｏｌ）を−７８℃で反応させることにより、ＮiPr−ｆｍｄ−Ｌｉの溶液を調製した。この溶液を、−７８℃で３０分間に亘って攪拌し、次に室温まで暖め、室温で更に２時間に亘って攪拌した。新たに調製したＮiPr−ｆｍｄ−Ｌｉ溶液の全量を、５０ｍＬのＴＨＦ中のＥｒ（ＭｅＣｐ）2Ｃｌ（２．８１ｇ、７．８０ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。この混合物を真空下で蒸発乾固させた。ペンタンを添加して攪拌した後、セライトブランドの珪藻土のカラムを通してろ過を行った。ペンタン溶媒を真空下で蒸発させて乾固し、ピンク色固体を得た。このピンク色固体を、６０−８０℃、４．０×１０ -1 Ｐａ（３ｍＴｏｒｒ）で昇華させて、６２％の収率に相当した２．２ｇが得られた。このピンク色固体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、５０℃で溶融し、５％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図６に示している。
例８：Ｙｂ（ＭｅＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
１００ｍＬのＴＨＦ中のジ−イソプロピルカルボジイミド（６．８８ｇ、５４．５４ｍｍｏｌ）を、３４．１ｍＬ（５４．５４ｍｍｏｌ）のＭｅＬｉエーテル溶液（１．６Ｍ）をゆっくりと添加することによって−７８℃で反応させることにより、ＮiPr−ａｍｄ−Ｌｉの溶液を調製した。この溶液を、−７８℃で３０分間に亘って攪拌し、次に室温まで暖め、室温で更に２時間に亘って攪拌した。新たに調製されたＮiPr−ａｍｄ−Ｌｉ溶液の全量を、１２０ｍＬのＴＨＦ中のＹｂ（ＭｅＣｐ）2Ｃｌ（２０．００ｇ、５４．５４ｍｍｏｌ）が入ったフラスコに添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。この混合物を真空下で蒸発乾固させた。ペンタンを添加して攪拌した後、セライトブランドの珪藻土のカラムを通してろ過を行った。ペンタン溶媒を真空下で蒸発させて乾固し、橙色固体を得た。この橙色固体を、１２０℃、３．３Ｐａ（２５ｍＴｏｒｒ）で昇華させて、８７％の収率に相当した２２．４ｇが得られた。この橙色固体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、３６℃で溶融し、３％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図７に示している。
例９：Ｙｂ（ＭｅＣｐ）2（ＮtBu−ａｍｄ）
５．１ｍＬ（８．１８ｍｍｏｌ）のＭｅＬｉエーテル溶液（１．６Ｍ）をゆっくりと添加することによって３０ｍＬのＴＨＦ中の１,３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルボジイミド（１．２６ｇ、８．１８ｍｍｏｌ）を−７８℃で反応させることにより、ＮtBu−ａｍｄ−Ｌｉの溶液を調製した。この溶液を、−７８℃で３０分間に亘って攪拌し、次に室温まで暖め、室温で更に２時間に亘って攪拌した。新たに調製されたＮtBu−ａｍｄ−Ｌｉ溶液の全量を、２５ｍＬのＴＨＦ中のＹｂ（ＭｅＣｐ）2Ｃｌ（３．００ｇ、８．１８ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。この混合物を真空下で蒸発乾固させた。ペンタンを添加して攪拌した後、セライトブランドの珪藻土のカラムを通してろ過を行った。ペンタン溶媒を蒸発させて乾固し、橙色固体を得た。この橙色固体を、１２５℃、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）で昇華させて、４３％の収率に相当した１．７３ｇを得た。この橙色固体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、１０３℃で溶融し、１．８％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図８に示している。
例１０：Ｙｂ（ＥｔＣｐ）2（ＮiPr−ａｍｄ）
２５０ｍＬのペンタン中のＹｂ（ＥｔＣｐ）3（１５．９０ｇ、３５．１５ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに、４０ｍＬのペンタン中のＮiPr−ａｍｄ−Ｈ（５．００ｇ、３５．１５ｍｍｏｌ）の溶液を添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。溶媒および揮発物を真空下で蒸発させた。得られた橙色液体を、１１０℃、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）で蒸留した。収量は１５．００ｇ（８５％）である。融点は、３９℃であった。この橙色液体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、３．５％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図９に示している。
例１１：Ｙｂ（ＥｔＣｐ）2（ＮiPr−ｆｍｄ）
２０ｍＬのトルエン中のＹｂ（ＥｔＣｐ）3（６．００ｇ、１３．２６ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに、２０ｍＬのトルエン中のＮiPr−ｆｍｄ−Ｈ（１．７ｇ、１３．２６ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくりと添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。溶媒および揮発物を真空下で蒸発させた。得られた橙色液体を、１２０℃、８．０×１０ -1 Ｐａ（６ｍＴｏｒｒ）で蒸留した。収量は５．９ｇ（９７％）である。この橙色液体は、窒素を１８０で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、１．４％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図１０に示している。
例１２：Ｙｂ（ｉＰｒＣｐ）2（ＮiPr−ｆｍｄ）
２０ｍＬのトルエン中のＹｂ（ＥｔＣｐ）3（３．００ｇ、６．０７ｍｍｏｌ）を入れたフラスコに、２０ｍＬのトルエン中のＮiPr−ｆｍｄ−Ｈ（０．７８ｇ、６．０７ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくりと添加した。得られた混合物を終夜攪拌した。溶媒および揮発物を真空下で蒸発させた。得られた橙色液体を、１４０℃、２．７Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）で蒸留した。収量は２．５ｇ（８０％）である。この橙色液体は、窒素を１８０ｍＬ／分で流す雰囲気において１０℃／分の温度上昇速度で測定したＴＧＡ分析中に、２％の残留質量を残した。これらの結果は、温度変化に応じた重量損失の百分率を示したＴＧＡグラフである図１１に示している。
例１３：Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）
例３のランタニド含有前駆体，Ｅｒ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ），と、反応物質Ｏ3とを使用して、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板上にＥｒ2Ｏ3の膜を堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は、２７５℃の温度に維持した。ピンク色固体の前駆体を、１１５℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続いての５秒のパージと、続いての２秒の反応物質パルスと、続いての５秒のパージとを含んでいた。Ｅｒ2Ｏ3の成長速度は、１２０ｐｍ（１．２Å）/サイクルであると認められた。ＡＬＤレジームを、１２０ｐｍ（１．２Å）／サイクル程度の堆積速度で、２７５℃まで評価した。
例１４：Ｅｒ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）
例６のランタニド含有前駆体，Ｅｒ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ），と、反応物質Ｏ3とを使用して、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板上にＥｒ2Ｏ3の膜を堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は、２５０℃の温度に維持した。ピンク色固体の前駆体を、１１５℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続いての５秒のパージと、続いての２秒の反応物質パルスと、続いての５秒のパージとを含んでいた。Ｅｒ2Ｏ3の成長速度は、３０ｐｍ（０．３Å）/サイクルであると認められた。ＡＬＤレジームを、３０ｐｍ（０．３Å）／サイクル程度の堆積速度で、２７５℃まで評価した。
例１５：Ｙｂ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）
例８のランタニド含有前駆体，Ｙｂ（ＭｅＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ），と、反応物質Ｈ2Ｏとを使用して、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板上にＹｂ2Ｏ3の膜を堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は、２５０℃の温度に維持した。橙色固体の前駆体を、１１５℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、３秒の前駆体パルスと、続いての５秒のパージと、続いての２秒の反応物質パルスと、続いての１０秒のパージとを含んでいた。Ｙｂ2Ｏ3の成長速度は、１００ｐｍ（１．０Å）/サイクルであると認められた。ＡＬＤレジームを、１００ｐｍ（１．０Å）／サイクル程度の堆積速度で、２７５℃まで評価した。
例１６：Ｙｂ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ）
例１０のランタニド含有前駆体，Ｙｂ（ＥｔＣｐ）2（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）＝Ｎ−ｉＰｒ），と、反応物質Ｈ2Ｏとを使用して、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板上にＹｂ2Ｏ3の膜を堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は、２５０℃の温度に維持した。橙色液体の前駆体を、１１５℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続いての５秒のパージと、続いての２秒の反応物質パルスと、続いての１０秒のパージとを含んでいた。Ｙｂ2Ｏ3の成長速度は、１００ｐｍ（１．０Å）/サイクルであると認められた。ＡＬＤレジームを、１００ｐｍ（１．０Å）／サイクル程度の堆積速度で、２５０℃まで評価した。
本発明の態様を示し且つ説明してきたが、これらの変更は、当業者によって、本発明の精神または教示から外れることなく為され得る。ここで説明した態様は、単に例示的であって、限定的なものではない。組成物および方法についての多くの変形および変更は、可能であって、本発明の範囲内にある。従って、保護範囲は、ここで説明した態様に限られるものではなく、以下の特許請求の範囲によってのみ限定されるものであり、その範囲は、特許請求の範囲に記載された発明特定事項の全ての等価物を包含するものである。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］一般式：Ｌｎ（Ｒ 1 Ｃｐ） m （Ｒ 2 −Ｎ−Ｃ（Ｒ 4 ）＝Ｎ−Ｒ 2 ） n のランタニド含有前駆体を含む組成物であって：−Ｌｎは、イオン半径が約０．７５Åないし約０．９４Åであり、３＋の電荷を持ち、配位数が６であるランタニド金属であり；−Ｒ 1 は、ＨおよびＣ１−Ｃ５アルキル鎖からなる群より選択され；−Ｒ 2 は、ＨおよびＣ１−Ｃ５アルキル鎖からなる群より選択され；−Ｒ 4 は、ＨおよびＭｅからなる群より選択され；−ｎおよびｍは、１ないし２の範囲内にあり；−前記前駆体は、融点が約１０５℃未満である組成物。
［２］Ｌｎは、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、およびＹｂからなる群より選択される［１］の組成物。
［３］Ｌｎは、ＥｒおよびＹｂからなる群より選択される［２］の組成物。
［４］Ｒ 1 は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択される［１］の組成物。
［５］Ｒ 2 は、ｉＰｒおよびｔＢｔからなる群より選択される［１］の組成物。
［６］ランタニド含有膜を半導体基板上に堆積させる方法であって：ａ）基板を準備することと、ｂ）［１］のランタニド含有前駆体を提供することと、ｃ）ランタニド含有膜を基板上に堆積させることとを含む方法。
［７］約１５０℃ないし約６００℃の間にある温度で、ランタニド含有膜を基板上に堆積させることをさらに含む［６］の方法。
［８］約０．５ｍＴｏｒｒないし約２０Ｔｏｒｒの間にある圧力で、ランタニド含有膜を基板上に堆積させることをさらに含む［６］の方法。
［９］ランタニド含有前駆体は、７０℃未満の温度で液体である［６］の方法。
［１０］ランタニド含有前駆体は、４０℃未満の温度で液体である［９］の方法。
［１１］ランタニド含有膜は、Ｌｎ 2 Ｏ 3 、（ＬｎＬｎ')Ｏ 3 、Ｌｎ 2 Ｏ 3 −Ｌｎ' 2 Ｏ 3 、ＬｎＳｉ x Ｏ y 、ＬｎＧｅ x Ｏ y 、(Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ)ＬｎＯ 3 、ＨｆＬｎＯ x 、およびＺｒＬｎＯ x からなる群より選択され、ここで、ＬｎとＬｎ'とは互いに異なる［６］の方法。
［１２］ランタニド含有膜は、ＨｆＥｒＯ x 、ＺｒＥｒＯ x 、ＨｆＹｂＯ x 、およびＺｒＹｂＯ x からなる群より選択される［１１］の方法。
［１３］ランタニド含有前駆体は、Ｌｎ(Ｒ 1 Ｃｐ) 2 (Ｎ z −ｆｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ 1 Ｃｐ) 2 (Ｎ z −ａｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ 1 Ｃｐ)(Ｎ z −ｆｍｄ) 2 、およびＬｎ(Ｒ 1 Ｃｐ)(Ｎ z −ａｍｄ) 2 からなる群より選択される一般式を有し、ここで、Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂからなる群より選択され；Ｒ 1 は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択され；Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔである［６］の方法。
［１４］ランタニド含有膜を基板上に形成する方法であって、少なくとも１つの基板が中に配置された反応器を設ける工程と、［１］の少なくとも１種のランタニド含有前駆体を反応器へと導入する工程と、堆積プロセスを使用してランタニド含有前駆体と基板とを接触させて、ランタニド含有層を基板の少なくとも１つの表面上に形成する工程とを含む方法。
［１５］ａ）少なくとも１種の反応種をリアクタ内へと提供し、ここで前記反応種は酸素含有流体である工程と、ｂ）前記ランタニド含有前駆体を前記反応種と反応させる工程とをさらに含む［１４］の方法。
［１６］少なくとも１種の反応種は、Ｏ 2 、Ｏ 3 、Ｈ 2 Ｏ、Ｈ 2 Ｏ 2 、酢酸、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される［１５］の方法。
［１７］ランタニド含有前駆体および反応種は、化学気相堆積プロセスのように少なくとも部分的に同時に導入されるか、または原子層堆積プロセスのように少なくとも部分的に逐次的に導入される［１５］の方法。
［１８］前記ランタニド含有前駆体とは異なる金属前駆体をリアクタへと導入すること、および該金属前駆体の少なくとも一部を堆積させて、ランタニド含有層を１つ以上の基板上に形成することをさらに含む［１５］の方法。
［１９］金属前駆体の金属は、Ｈｆ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、ランタニド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される［１８］の方法。
［２０］堆積プロセスは、化学気相堆積プロセスである［１４］の方法。
［２１］堆積プロセスは、複数回の堆積サイクルを有する原子層堆積プロセスである［１４］の方法。
［２２］ランタニド含有前駆体は、Ｌｎ(Ｒ 1 Ｃｐ) 2 (Ｎ z −ｆｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ 1 Ｃｐ) 2 (Ｎ z −ａｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ 1 Ｃｐ)(Ｎ z −ｆｍｄ) 2 、およびＬｎ(Ｒ 1 Ｃｐ)(Ｎ z −ａｍｄ) 2 からなる群より選択される一般式を有し、ここで、Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂからなる群より選択され；Ｒ 1 は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択され；Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔである［１４］の方法。
［２３］［１４］の方法の生成物を含むランタニド含有膜で被覆された基板。

Claims (16)

  1. 一般式：
    Ｌｎ（Ｒ1Ｃｐ）m（Ｒ2−Ｎ−Ｃ（Ｒ4）＝Ｎ−Ｒ2）n
    の前駆体を含む組成物であって：
    −Ｌｎは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、およびＹｂからなる群より選択され；Ｌｎはイオン半径が７５ｐｍ（０．７５Å）ないし９４ｐｍ（０．９４Å）であり、３＋の電荷を持ち、配位数が６であり；
    −Ｒ1は、ＨおよびＣ１−Ｃ５アルキル鎖からなる群より選択され；
    −Ｒ2は、ＨおよびＣ１−Ｃ５アルキル鎖からなる群より選択され；
    −Ｒ4は、ＨおよびＭｅからなる群より選択され；
    −ｎおよびｍは、１ないし２の範囲内にあり；
    −前記前駆体は、融点が１０５℃未満である
    組成物。
  2. Ｌｎは、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、およびＹｂからなる群より選択される請求項１の組成物。
  3. Ｌｎは、ＥｒおよびＹｂからなる群より選択される請求項２の組成物。
  4. Ｒ1は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択される請求項１または３のいずれか１項の組成物。
  5. Ｒ2は、ｉＰｒおよびｔＢｔからなる群より選択される請求項１ないし３のいずれか１項の組成物。
  6. 膜を基板上に形成する方法であって、少なくとも１つの基板が中に配置された反応器を設ける工程と、請求項１ないし５のいずれか１項の少なくとも１種の前駆体を反応器へと導入する工程と、堆積プロセスを使用して前記前駆体と基板とを接触させて、層を基板の少なくとも１つの表面上に形成する工程とを含む方法。
  7. ａ）少なくとも１種の酸素ソースをリアクタ内へと提供する工程と、
    ｂ）前記前駆体を前記反応種と反応させる工程と
    をさらに含む請求項６の方法。
  8. 少なくとも１種の酸素ソースは、Ｏ2、Ｏ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、酢酸、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される請求項７の方法。
  9. 前駆体および反応種は、化学気相堆積プロセスのように少なくとも部分的に同時に導入されるか、または原子層堆積プロセスのように少なくとも部分的に逐次的に導入される請求項７の方法。
  10. 前記前駆体とは異なる金属前駆体をリアクタへと導入すること、および該金属前駆体の少なくとも一部を堆積させて、層を１つ以上の基板上に形成することをさらに含む請求項７の方法。
  11. 金属前駆体の金属は、Ｈｆ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、ランタニド、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される請求項１０の方法。
  12. 堆積プロセスは、化学気相堆積プロセスである請求項６の方法。
  13. 堆積プロセスは、複数回の堆積サイクルを有する原子層堆積プロセスである請求項６の方法。
  14. 前駆体は、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ｆｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)2(Ｎz−ａｍｄ)、Ｌｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ｆｍｄ)2、およびＬｎ(Ｒ1Ｃｐ)(Ｎz−ａｍｄ)2からなる群より選択される一般式を有し、ここで、Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂからなる群より選択され；Ｒ1は、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｉＰｒからなる群より選択され；Ｎ z −ｆｍｄは、ＺＮＣ（ＣＨ 3 ）＝ＮＺを示し；Ｎ z −ａｍｄはＺＮＣ（Ｈ）＝ＮＺを示し；Ｚは、ｉＰｒまたはｔＢｔである請求項６の方法。
  15. 前記層はＬｎ2Ｏ3、（ＬｎＬｎ')Ｏ3、Ｌｎ2Ｏ3−Ｌｎ'2Ｏ3、ＬｎＳｉxＯy、ＬｎＧｅxＯy、(Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ)ＬｎＯ3、ＨｆＬｎＯx、およびＺｒＬｎＯxからなる群より選択され、ここで、Ｌｎ'はＳｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、およびＹｂからなる群より選択され；ＬｎとＬｎ'とは互いに異なる請求項６の方法。
  16. 前記層はＨｆＥｒＯx、ＺｒＥｒＯx、ＨｆＹｂＯx、およびＺｒＹｂＯxからなる群より選択される請求項６の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009149372A1 (en) 2008-06-05 2009-12-10 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films
US20120156373A1 (en) 2008-06-05 2012-06-21 American Air Liquide, Inc. Preparation of cerium-containing precursors and deposition of cerium-containing films
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP2011054935A (ja) * 2009-06-19 2011-03-17 Rohm & Haas Electronic Materials Llc ドーピング方法
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9079923B2 (en) 2010-08-05 2015-07-14 Air Products And Chemicals, Inc. Multidentate ketoimine ligands for metal complexes
US8617305B2 (en) 2011-01-25 2013-12-31 Air Products And Chemicals, Inc. Metal complexes for metal-containing film deposition
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
WO2013043501A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Applied Materials, Inc. Metal-aluminum alloy films from metal amidinate precursors and aluminum precursors
WO2013043507A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Applied Materials, Inc. Metal-aluminum alloy films from metal pcai precursors and aluminum precursors
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP2015528011A (ja) * 2012-07-20 2015-09-24 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ａｌｄ／ｃｖｄシリコン含有膜用のオルガノシラン前駆体
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9382268B1 (en) 2013-07-19 2016-07-05 American Air Liquide, Inc. Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
TW201509799A (zh) 2013-07-19 2015-03-16 Air Liquide 用於ａｌｄ／ｃｖｄ含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9099301B1 (en) 2013-12-18 2015-08-04 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Preparation of lanthanum-containing precursors and deposition of lanthanum-containing films
WO2015103358A1 (en) 2014-01-05 2015-07-09 Applied Materials, Inc. Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
KR101615897B1 (ko) * 2014-08-01 2016-05-13 연세대학교 산학협력단 코팅층 형성 방법 및 방수성 코팅 부재
KR101617396B1 (ko) 2014-08-01 2016-05-13 연세대학교 산학협력단 초소수성 코팅 부재 및 이의 제조 방법
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10570513B2 (en) 2014-12-13 2020-02-25 American Air Liquide, Inc. Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10913754B2 (en) 2015-07-07 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Lanthanum compound and methods of forming thin film and integrated circuit device using the lanthanum compound
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
KR102551351B1 (ko) * 2018-03-16 2023-07-04 삼성전자 주식회사 란타넘 화합물과 이를 이용한 박박 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법
KR102424961B1 (ko) * 2015-07-07 2022-07-25 삼성전자주식회사 란타넘 화합물 및 그 제조 방법과 란타넘 전구체 조성물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
TWI740848B (zh) * 2015-10-16 2021-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 實施原子層沉積以得閘極介電質
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
WO2017095185A1 (ko) * 2015-12-03 2017-06-08 인천대학교 산학협력단 기능성 필터 및 그 제조방법
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
TWI742092B (zh) * 2016-06-13 2021-10-11 美商應用材料股份有限公司 用於ald、cvd與薄膜摻雜之鑭系、釔與鈧前驅物及使用方法
US9850573B1 (en) * 2016-06-23 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US20160315168A1 (en) * 2016-06-30 2016-10-27 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process for forming gate insulators for tft structures
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102470237B1 (ko) 2016-11-08 2022-11-22 메르크 파텐트 게엠베하 사이클로펜타디에닐 리간드를 포함하는 금속 착화합물
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10487398B2 (en) * 2016-12-04 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Synthesis of metal nitride thin films materials using hydrazine derivatives
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US20180187303A1 (en) 2016-12-30 2018-07-05 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Lanthanide precursors and deposition of lanthanide-containing films using the same
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10975469B2 (en) 2017-03-17 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
WO2019032219A1 (en) * 2017-08-07 2019-02-14 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude LU-CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF MAKING THE SAME
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
JP7235466B2 (ja) * 2018-01-26 2023-03-08 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ランタノイド化合物、ランタノイド含有薄膜、および該ランタノイド化合物を用いたランタノイド含有薄膜の成膜方法
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
KR102138707B1 (ko) * 2018-12-19 2020-07-28 주식회사 한솔케미칼 희토류 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11473198B2 (en) 2019-01-25 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Homoleptic lanthanide deposition precursors
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR102446629B1 (ko) * 2019-12-27 2022-09-26 주식회사 유피케미칼 이트륨/란탄족 금속 전구체 화합물, 이를 포함하는 막 형성용 조성물 및 이를 이용한 이트륨/란탄족 금속 함유 막의 형성 방법
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
WO2021178854A1 (en) 2020-03-05 2021-09-10 Akoustis, Inc. Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide devices
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11274069B2 (en) 2020-08-13 2022-03-15 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Mono-substituted cyclopentadienes and metal cyclopentadienyl complexes and synthesis methods thereof
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
WO2022106508A1 (en) 2020-11-20 2022-05-27 Merck Patent Gmbh Lanthanide and lanthanide-like transition metal complexes
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN113582879A (zh) * 2021-09-02 2021-11-02 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种有机镧前驱体La(iPr2-FMD)3的制备方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102661498B1 (ko) * 2021-11-18 2024-04-29 주식회사 한솔케미칼 유기 금속 화합물을 이용하여 박막을 형성하는 방법 및 이로부터 제조된 박막
CN116355019A (zh) 2021-12-28 2023-06-30 Dnf有限公司 含锑薄膜蒸镀用组合物、含锑薄膜的制造方法和锑化合物
US11784041B2 (en) * 2022-02-08 2023-10-10 L'Air Liquide, Sociéte Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films
KR20240030581A (ko) 2022-08-31 2024-03-07 에스케이트리켐 주식회사 신규한 아미디네이트 리간드, 상기 리간드를 포함하는 박막 형성용 전구체.
WO2024050202A1 (en) 2022-08-31 2024-03-07 Merck Patent Gmbh Multiple substituted cyclopentadienyl rare-earth complexes as precursors for vapor phase thin film deposition processes
KR102666160B1 (ko) * 2022-09-16 2024-05-13 에스케이트리켐 주식회사 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR20240038627A (ko) 2022-09-16 2024-03-25 에스케이트리켐 주식회사 란탄족 금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 란탄족 금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 란탄족 금속 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR102614467B1 (ko) 2022-11-30 2023-12-14 에스케이트리켐 주식회사 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막 형성 방법 및 상기 스칸듐 또는 이트륨 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023A (en) * 1850-01-15 peters
US5453494A (en) 1990-07-06 1995-09-26 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for MOCVD
US5322813A (en) * 1992-08-31 1994-06-21 International Business Machines Corporation Method of making supersaturated rare earth doped semiconductor layers by chemical vapor deposition
KR102220703B1 (ko) 2002-11-15 2021-02-26 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 금속 아미디네이트를 이용한 원자층 증착법
US7396949B2 (en) 2003-08-19 2008-07-08 Denk Michael K Class of volatile compounds for the deposition of thin films of metals and metal compounds
JP4312006B2 (ja) * 2003-08-25 2009-08-12 株式会社Ａｄｅｋａ 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
WO2006012052A2 (en) 2004-06-25 2006-02-02 Arkema, Inc. Amidinate ligand containing chemical vapor deposition precursors
JP4639686B2 (ja) * 2004-07-27 2011-02-23 Ｊｓｒ株式会社 化学気相成長材料及び化学気相成長方法
US7250367B2 (en) 2004-09-01 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Deposition methods using heteroleptic precursors
US8795771B2 (en) * 2006-10-27 2014-08-05 Sean T. Barry ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds
US8524931B2 (en) 2007-01-17 2013-09-03 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films
TWI398541B (zh) 2007-06-05 2013-06-11 羅門哈斯電子材料有限公司 有機金屬化合物
WO2009149372A1 (en) 2008-06-05 2009-12-10 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

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