JP5665473B2 - Electronic component storage package - Google Patents

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、圧電振動子や半導体素子等の電子部品を気密に収納するための電子部品収納用パッケージに関するものである。   The present invention relates to an electronic component storage package for hermetically storing electronic components such as piezoelectric vibrators and semiconductor elements.

従来、圧電振動子や半導体素子等の電子部品を搭載するための電子部品収納用パッケージとして、図４に示すような構造のものが用いられている（例えば、特許文献１を参照。）。図４（ａ）は、従来の電子部品収納用パッケージの一例を示す上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。図４に示す電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品202（この例では圧電振動子）の搭載部203を有する平板状の部分と、この平板状の部分の上に積層された、搭載部203を取り囲む枠状の部分とを有する絶
縁基体201と、絶縁基体201の上面に形成された枠状メタライズ層204と、枠状メタライズ
層204にろう付けされた金属枠体211と、搭載部203に形成され電子部品が電気的に接続さ
れる接続パッド205と、搭載部203の接続パッド205が形成されている部位から絶縁基体201の下面等にかけて形成された配線導体207とにより基本的に構成されている。 Conventionally, as an electronic component storage package for mounting an electronic component such as a piezoelectric vibrator or a semiconductor element, a package having a structure as shown in FIG. 4 is used (see, for example, Patent Document 1). FIG. 4A is a top view illustrating an example of a conventional electronic component storage package, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line YY ′ of FIG. The electronic component storage package shown in FIG. 4 has a flat plate portion having a mounting portion 203 for an electronic component 202 (in this example, a piezoelectric vibrator) on the upper surface, and a mounting portion laminated on the flat plate portion. An insulating base 201 having a frame-like portion surrounding 203, a frame-like metallized layer 204 formed on the upper surface of the insulating base 201, a metal frame 211 brazed to the frame-like metallized layer 204, and a mounting portion 203 Basically composed of a connection pad 205 that is electrically connected to an electronic component, and a wiring conductor 207 that is formed from the portion of the mounting portion 203 where the connection pad 205 is formed to the lower surface of the insulating base 201, etc. Has been.

また、絶縁基体201には、搭載部203から下面にかけて、平板状の部分を貫通する貫通孔209が形成されている。このような電子部品収納用パッケージでは、電子部品202を接続パッド205に接続するとともに蓋体212をシーム溶接等の接合方法で金属枠体211の上面に接
合した後、絶縁基体201の搭載部203と蓋体212との間の電子部品202を収容する空間内の不要なガスを貫通孔209から外部に除去し、その後、貫通孔209をろう材ボール等の封止材210で塞ぐことによって搭載部203に搭載された電子部品202が気密に封止される。 The insulating base 201 is formed with a through-hole 209 penetrating the flat plate portion from the mounting portion 203 to the lower surface. In such an electronic component storage package, the electronic component 202 is connected to the connection pad 205 and the lid 212 is joined to the upper surface of the metal frame 211 by a joining method such as seam welding, and then the mounting portion 203 of the insulating base 201 is mounted. It is mounted by removing unnecessary gas in the space that houses the electronic component 202 between the cover 212 and the lid 212 from the through hole 209 and then closing the through hole 209 with a sealing material 210 such as a brazing material ball. The electronic component 202 mounted on the part 203 is hermetically sealed.

なお、このような構造のパッケージでは、例えば蓋体212と絶縁基体201とを接合する際に発生するガスや、導電性接着剤等の接合材206で電子部品202を接続パッド205に接合す
る際に発生するガス等の不要なガスが上記電子部品202を収容する空間内に残留すること
を抑制し、電子部品202である圧電振動子の振動周波数特性の変化等を抑制するようにし
ている。 In the package having such a structure, for example, when the electronic component 202 is bonded to the connection pad 205 with a bonding material 206 such as a gas generated when bonding the lid body 212 and the insulating base 201 or a conductive adhesive. In this case, unnecessary gas such as gas generated in the electronic component 202 is prevented from remaining in the space in which the electronic component 202 is accommodated, and a change in vibration frequency characteristics of the piezoelectric vibrator which is the electronic component 202 is suppressed.

また、この貫通孔209について、内径が異なる部分が上下につながった構造（絶縁基体201の下面側の内径が大きい孔と、搭載部203側の内径が小さい孔とが同心円状に上下につ
ながった構造）とすることが提案されている（例えば文献１を参照。）。 In addition, the through hole 209 has a structure in which portions having different inner diameters are connected vertically (a hole having a larger inner diameter on the lower surface side of the insulating base 201 and a hole having a smaller inner diameter on the mounting portion 203 side are connected concentrically in a vertical direction. (Structure) is proposed (see, for example, Document 1).

このような構造によれば、貫通孔209の途中に内径が変化する段状の部分があるので、
絶縁基体201を上下反転させて絶縁基体201の下面側（外側）から貫通孔209内に封止材210を落とし入れた際に、封止材210が段状の部分で止まる。そのため、封止材210が搭載部203側まで貫通孔209を通り抜けることが防止され、封止材210で貫通孔209を塞ぐことが容易である。貫通孔209の内側面には、封止材210が溶融した際に良好に濡れるようにするためのメタライズ層208が被着されている。なお、封止材210の溶融には、高エネルギーを瞬間的に付与することが容易なレーザや電子ビームを用いることが好適とされている。 According to such a structure, since there is a stepped portion whose inner diameter changes in the middle of the through hole 209,
When the insulating base 201 is turned upside down and the sealing material 210 is dropped into the through hole 209 from the lower surface side (outside) of the insulating base 201, the sealing material 210 stops at the stepped portion. Therefore, the sealing material 210 is prevented from passing through the through hole 209 to the mounting portion 203 side, and it is easy to close the through hole 209 with the sealing material 210. A metallized layer 208 is attached to the inner surface of the through-hole 209 so that the sealing material 210 can be wetted well when melted. For melting the sealing material 210, it is preferable to use a laser or an electron beam that can easily apply high energy instantaneously.

特開2005−223612号公報JP-A-2005-223612

しかしながら、上記の電子部品収納用パッケージにおいて、貫通孔209を上記のような
構造とするためには、絶縁基体201の平板状の部分にある程度以上の厚みが必要であり、
例えば、平板状の部分を２層以上の絶縁層で形成し、それらの絶縁層に形成する孔の内径を異ならせた構造とする必要があることから、電子部品収納用パッケージの薄型化が妨げられるという問題点があった。 However, in the above electronic component storage package, in order to make the through hole 209 as described above, the flat portion of the insulating base 201 needs a certain thickness or more,
For example, it is necessary to form a flat part with two or more insulating layers and to have a structure in which the inner diameters of the holes formed in these insulating layers are different from each other. There was a problem of being.

本発明はかかる問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、絶縁基体に封止材で塞ぐことが容易な貫通孔が設けられた構造を有しながら、薄型化することが容易な電子部品収納用パッケージを提供することにある。   The present invention has been devised in view of such problems, and the object thereof is to easily reduce the thickness while having a structure in which an insulating base is provided with a through hole that can be easily closed with a sealing material. It is to provide a package for storing electronic components.

本発明の電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品を搭載するための搭載部を有する下部絶縁層と、該下部絶縁層上に前記搭載部を取り囲むように積層され、上面に蓋体が接合される枠状の上部絶縁層とを具備する電子部品収納用パッケージであって、前記上部絶縁層の内側面に下端から上端にかけて溝が形成されているとともに、該溝の内側面の下端から上端にかけて導体が、少なくとも前記溝の下端において該溝を埋めて被着されており、前記下部絶縁層に、上側の開口が部分的に前記溝内の前記導体の下端面で塞がれた貫通孔が形成され、該貫通孔の内側面に該内側面を一周する環状の金属層が被着されていることを特徴とする。   The electronic component storage package according to the present invention includes a lower insulating layer having a mounting portion for mounting an electronic component on an upper surface, and a laminate that surrounds the mounting portion on the lower insulating layer, and a lid is bonded to the upper surface. A package for storing an electronic component comprising a frame-shaped upper insulating layer, wherein a groove is formed on the inner side surface of the upper insulating layer from the lower end to the upper end, and the lower end of the inner side surface of the groove is A through hole in which at least the lower end of the groove fills the groove, and the upper opening is partially blocked by the lower end surface of the conductor in the groove. And an annular metal layer that goes around the inner surface is deposited on the inner surface of the through hole.

また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記溝の下端から上端にかけて前記導体が前記溝を埋めていることを特徴とする。   The electronic component storage package according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the conductor fills the groove from the lower end to the upper end of the groove.

また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記溝の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さいことを特徴とする。   The electronic component storage package according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the inner diameter of the upper end portion of the groove is smaller than the inner diameter of the lower end portion.

また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記溝内の前記導体は、前記搭載部に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材で覆われていることを特徴とする。   In the electronic component housing package of the present invention, the conductor in the groove is characterized in that at least the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion is covered with an insulating material.

本発明の電子部品収納用パッケージによれば、下部絶縁層に、上側の開口が部分的に溝内の導体（少なくとも溝の下端を埋めて被着された導体）の下端面で塞がれた貫通孔が形成され、貫通孔の内側面に内側面を一周する環状の金属層が被着されていることから、導体の下端面で封止材を貫通孔内に止めることができる。また、この封止材を加熱溶融させて環状の金属層に接合して、封止材で貫通孔を塞ぐことができる。したがって、封止材を貫通孔内に止めるための段状の部分等を貫通孔内に形成する必要がなく、段状の部分を設けるための余計な絶縁層が不要であるため、薄型化が容易である。   According to the electronic component storage package of the present invention, the upper opening is partially blocked by the lower insulating layer at the lower end surface of the conductor in the groove (the conductor deposited by filling at least the lower end of the groove). Since the through hole is formed and the annular metal layer that goes around the inner side surface is attached to the inner side surface of the through hole, the sealing material can be stopped in the through hole at the lower end surface of the conductor. Further, the sealing material can be heated and melted and bonded to the annular metal layer, and the through hole can be closed with the sealing material. Therefore, it is not necessary to form a stepped portion or the like for stopping the sealing material in the through hole in the through hole, and an unnecessary insulating layer for providing the stepped portion is unnecessary, so that the thickness can be reduced. Easy.

また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、溝の下端から上端にかけて導体が溝を埋めている場合には、溝の上端も導体で埋められているので、この溝の上端が位置する上部絶縁層の上面における蓋体等が接合される部分の幅（いわゆるシール幅）を確保する上で有利である。   According to the electronic component storing package of the present invention, in the above configuration, when the conductor fills the groove from the lower end to the upper end of the groove, the upper end of the groove is also filled with the conductor. This is advantageous in securing the width (so-called seal width) of the portion to which the lid or the like is joined on the upper surface of the upper insulating layer where the upper end is located.

また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、溝の上端部分における内径が、下端部分における内径よりも小さい場合には、溝の上端から下端まで導
体で埋めた構成において、上部絶縁層の上面の平坦性をより高くして蓋体等の接合をより容易とする上で有効である。すなわち、この場合には、上部絶縁層の上面に露出する溝内の導体の上端面の面積が小さい。そのため、上部絶縁層の上面と導体の上端部分との間で導体の体積の変化（焼成収縮等）に起因して凹凸が生じたとしても、その凹凸の範囲を極力小さく抑えることができる。したがって、上部絶縁層の上面の凹凸を抑制して、蓋体等の接合を容易とすることができる。 Further, according to the electronic component storage package of the present invention, in the above configuration, when the inner diameter at the upper end portion of the groove is smaller than the inner diameter at the lower end portion, the configuration is filled with a conductor from the upper end to the lower end of the groove, This is effective for making the flatness of the upper surface of the upper insulating layer higher and facilitating the joining of the lid and the like. That is, in this case, the area of the upper end surface of the conductor in the groove exposed on the upper surface of the upper insulating layer is small. Therefore, even if unevenness occurs due to a change in the volume of the conductor (firing shrinkage or the like) between the upper surface of the upper insulating layer and the upper end portion of the conductor, the range of the unevenness can be minimized. Therefore, unevenness on the upper surface of the upper insulating layer can be suppressed, and joining of the lid and the like can be facilitated.

また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記いずれかの構成において、溝内の導体は、搭載部に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材で覆われている場合には、封止材が溶融した際に、溶けた封止材の濡れ広がりを絶縁材の部分で止めることができる。そのため、溝内の導体の表面に溶けた封止材が濡れ広がり過ぎることを抑制することができる。したがって、この場合には、貫通孔を塞ぐための封止材のボリュームが不足することをより効果的に抑制することができ、電子部品の気密封止の信頼性をより高くすることができる。   According to the electronic component storage package of the present invention, in any of the above configurations, the conductor in the groove is sealed when at least the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion is covered with an insulating material. When the stop material is melted, the spread of the melted sealing material can be stopped at the insulating material portion. Therefore, it can suppress that the sealing material melt | dissolved on the surface of the conductor in a groove | channel spreads too much. Therefore, in this case, it can be more effectively suppressed that the volume of the sealing material for closing the through hole is insufficient, and the reliability of hermetic sealing of the electronic component can be further increased.

（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。(A) is a top view which shows an example of embodiment of the electronic component storage package of this invention, (b) is sectional drawing in the X-X 'line | wire of (a). （ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。(A) is a top view which shows the other example of embodiment of the electronic component storage package of this invention, (b) is sectional drawing in the X-X 'line | wire of (a). （ａ）は参考例の電子部品収納用パッケージを示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。(A) is a top view showing an electronic component storing package of Reference Example, a sectional view taken along line X-X 'of (b) is (a). （ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。(A) is a principal part expansion bottom view which shows the other example of embodiment of the electronic component storage package of this invention, (b) is sectional drawing in the X-X 'line | wire of (a). （ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。(A) is a principal part expansion bottom view which shows the other example of embodiment of the electronic component storage package of this invention, (b) is sectional drawing in the X-X 'line | wire of (a). （ａ）は従来の電子部品収納用パッケージの一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。(A) is a top view which shows an example of the conventional package for electronic component accommodation, (b) is sectional drawing in the Y-Y 'line | wire of (a).

本発明の電子部品収納用パッケージについて、添付の図面を参照しつつ説明する。なお、この実施の形態の例では、電子部品として圧電振動子を収納する場合を例に挙げて説明する。   The electronic component storage package of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the example of this embodiment, a case where a piezoelectric vibrator is housed as an electronic component will be described as an example.

図１（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図１において101ａは
下部絶縁層，101ｂは上部絶縁層，102は電子部品である圧電振動子，103は電子部品の搭
載部，104は封止用メタライズ層，105は電子部品102を電気的に接続するための接続パッ
ド，106は電子部品102を接続パッド105に接続するための接合材，107は配線導体，108は
上部絶縁層101ｂの内側面に形成されている溝，109は溝108の内側面に被着されている導
体，110は貫通孔，111は環状の金属層，112は封止用メタライズ層104に接合された金属枠体である。なお、以下の説明においては、まず、溝108の上端から下端にかけて導体109が溝108を埋めている場合を例に挙げて説明する。 FIG. 1A is a top view showing an example of an embodiment of an electronic component storage package according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG. In FIG. 1, 101a is a lower insulating layer, 101b is an upper insulating layer, 102 is a piezoelectric vibrator which is an electronic component, 103 is a mounting portion of an electronic component, 104 is a metallization layer for sealing, and 105 is an electric component for electrically connecting the electronic component 102 A connection pad for connection, 106 is a bonding material for connecting the electronic component 102 to the connection pad 105, 107 is a wiring conductor, 108 is a groove formed on the inner surface of the upper insulating layer 101b, 109 is a groove 108 A conductor deposited on the inner surface, 110 is a through hole, 111 is an annular metal layer, and 112 is a metal frame joined to the sealing metallization layer 104. In the following description, first, the case where the conductor 109 fills the groove 108 from the upper end to the lower end of the groove 108 will be described as an example.

下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂとで構成される絶縁基体101に封止用メタライ
ズ層104，接続パッド105，配線導体107，溝108，導体109，貫通孔110，環状の金属層111
，封止用メタライズ層104および金属枠体112が配置されて電子部品収納用パッケージが基本的に構成されている。なお、図１（ａ）では、導体109および貫通孔110の状態を見やすくするために、金属枠体112および蓋体113を省略している。この電子部品収納用パッケージに電子部品102が気密封止されて電子装置が形成されている。 A metallized layer 104 for sealing, a connection pad 105, a wiring conductor 107, a groove 108, a conductor 109, a through hole 110, and an annular metal layer 111 are formed on an insulating substrate 101 composed of a lower insulating layer 101a and an upper insulating layer 101b.
, An electronic component storage package is basically configured by disposing the sealing metallized layer 104 and the metal frame 112. In FIG. 1A, the metal frame 112 and the lid 113 are omitted in order to make the state of the conductor 109 and the through hole 110 easier to see. An electronic device is formed by hermetically sealing the electronic component 102 in the electronic component storage package.

絶縁基体101は、上面の中央部に電子部品102を搭載するための搭載部103を有する平板
状の下部絶縁層101ａ上に、枠状の上部絶縁層101ｂが搭載部103を取り囲むように積層さ
れて形成されている。下部絶縁層101ａの上面と上部絶縁層101ｂの内側面とによって、電子部品102を気密封止するための凹状のスペースが絶縁基体101の上面に形成されている。 The insulating base 101 is laminated on a flat lower insulating layer 101a having a mounting portion 103 for mounting the electronic component 102 in the center of the upper surface so that a frame-like upper insulating layer 101b surrounds the mounting portion 103. Is formed. A concave space for hermetically sealing the electronic component 102 is formed on the upper surface of the insulating base 101 by the upper surface of the lower insulating layer 101a and the inner surface of the upper insulating layer 101b.

下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂは、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム焼結体，ムライト質焼結体，ガラス−セラミック焼結体等のセラミック材料からなり、例えば同様のセラミック材料からなる下部絶縁層101ａと上部絶縁層101ｂとが同時焼成されて絶縁基体101が作製されている。   The lower insulating layer 101a and the upper insulating layer 101b are made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a glass-ceramic sintered body, and the like, for example. The lower insulating layer 101a and the upper insulating layer 101b are simultaneously fired to produce the insulating substrate 101.

絶縁基体101は、例えば全体の外形が、平面視で一辺の長さが2.0〜10ｍｍ程度の長方形状であり、厚みが0.5〜２ｍｍ程度の板状であり、上面に上記のような凹状のスペースを
有している。なお、絶縁基体101を構成する下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂは、
それぞれ、セラミック材料からなる複数の絶縁層が積層されて構成されたものであってもよい。 The insulating base 101 is, for example, a rectangular shape with a side length of about 2.0 to 10 mm in a plan view, a plate shape with a thickness of about 0.5 to 2 mm, and a concave space as described above on the upper surface. have. The lower insulating layer 101a and the upper insulating layer 101b constituting the insulating base 101 are
Each may be configured by laminating a plurality of insulating layers made of a ceramic material.

ここで、電子装置がＴＣＸＯ（Temperature Compensated Crystal Oscillator、温度補償水晶発振器）等の複数の電子部品（圧電振動子102に加えて温度補償用の半導体素子等
の他の電子部品）（図示せず）を搭載部103内に搭載するようなものである場合には、複
数の電子部品102を収納するためのスペースを確保するために（上記凹状のスペースの深
さを確保するために）、上部絶縁層101ｂを２層以上の絶縁層で構成する場合もある。 Here, the electronic device is a plurality of electronic components such as TCXO (Temperature Compensated Crystal Oscillator) (other electronic components such as a temperature compensating semiconductor element in addition to the piezoelectric vibrator 102) (not shown) In order to secure a space for housing a plurality of electronic components 102 (to ensure the depth of the concave space), the upper insulation is used. In some cases, the layer 101b includes two or more insulating layers.

このような絶縁基体101は、下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂがいずれも酸化ア
ルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダや溶剤，可塑剤等を添加混合して泥漿状にするとともに、これを例えばドクターブレード法やロールカレンダー法等のシート成形法によりシート状となすことにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、次に一部のセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して枠状に成形するとともに、枠状に成形していない平板状のセラミックグリーンシートの上に枠状のセラミックグリーンシートが位置するように上下に積層し、その積層体を高温で焼成することにより製作される。 Such an insulating substrate 101 is suitable for raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide and calcium oxide if the lower insulating layer 101a and the upper insulating layer 101b are both made of an aluminum oxide sintered body. A mixture of organic binder, solvent, plasticizer, etc. is added to make a slurry, and this is made into a sheet by a sheet forming method such as a doctor blade method or a roll calender method to obtain a plurality of ceramic green sheets. Next, some of the ceramic green sheets are appropriately punched into a frame shape, and the frame-shaped ceramic green sheet is positioned on a flat ceramic green sheet that is not formed into a frame shape. Thus, it is manufactured by stacking up and down and firing the laminate at a high temperature.

絶縁基体101は、それぞれがこのような絶縁基体101となる複数の基板領域（図示せず）がセラミック母基板に縦横の並びに配列された、いわゆる多数個取り基板（図示せず）として製作し、これを基板領域（図示せず）の境界において切断または破断させて個片に分割する方法で製作するようにしてもよい。   The insulating base 101 is manufactured as a so-called multi-piece substrate (not shown) in which a plurality of substrate regions (not shown), each of which becomes such an insulating base 101, are arranged vertically and horizontally on a ceramic mother board, You may make it manufacture by the method of cutting or fracture | rupturing this in the boundary of a board | substrate area | region (not shown), and dividing | segmenting into a piece.

また、下部絶縁層101ａの搭載部103は、四角板状の電子部品102に合わせて四角形状で
あり、その隣り合う２つの隅部に一対の接続パッド105が形成されている。この接続パッ
ド105は、搭載部103に搭載される電子部品102である圧電振動子の電極（図示せず）を接
続するための接続導体として機能する。圧電振動子は、通常、その外形が四角形状で、その主面の隅部に接続用の一対の電極（図示せず）が形成されており、そのような電極の接
続を容易かつ確実に行なえるようにするため、接続パッド105は搭載部103の隅部に形成されている。 The mounting portion 103 of the lower insulating layer 101a has a quadrangular shape in accordance with the square plate-shaped electronic component 102, and a pair of connection pads 105 are formed at two adjacent corner portions. The connection pad 105 functions as a connection conductor for connecting an electrode (not shown) of a piezoelectric vibrator that is the electronic component 102 mounted on the mounting portion 103. Piezoelectric vibrators usually have a rectangular outer shape, and a pair of electrodes (not shown) for connection are formed at the corners of the main surface, and such electrodes can be connected easily and reliably. For this purpose, the connection pads 105 are formed at the corners of the mounting portion 103.

電子部品102の各電極と接続パッド105との接続は、導電性接着剤等の接合材106を介し
て行なわれる。すなわち、電子部品102の主面の隅部に形成された電極が接続パッド105に対向するように電子部品102を搭載部103に位置決めして、あらかじめ接続パッド105に被
着させておいた接合材106を加熱して硬化させれば、電子部品102の電極と接続パッド105
とが接続される。 Each electrode of the electronic component 102 and the connection pad 105 are connected via a bonding material 106 such as a conductive adhesive. That is, the bonding material that has been attached to the connection pad 105 in advance by positioning the electronic component 102 on the mounting portion 103 so that the electrode formed at the corner of the main surface of the electronic component 102 faces the connection pad 105. If 106 is heated and cured, the electrode of the electronic component 102 and the connection pad 105
And are connected.

なお、接続パッド105は、この実施の形態の例では電子部品102として圧電振動子を用いた例を説明しているので上記のような位置に形成されているが、その他の電子部品（図示せず）を搭載する場合やその他の電子部品を複数搭載する場合であれば、その電子部品の電極の配置に応じて位置や形状を変えて形成すればよい。このような電子部品としては、例えば、セラミック圧電素子や弾性表面波素子等の圧電素子，半導体素子，容量素子，抵抗器等を挙げることができる。   The connection pad 105 is formed at the position as described above since the example of this embodiment describes an example in which a piezoelectric vibrator is used as the electronic component 102, but other electronic components (not shown) are also illustrated. 2) or a plurality of other electronic components, the position and shape may be changed according to the arrangement of the electrodes of the electronic component. Examples of such electronic components include piezoelectric elements such as ceramic piezoelectric elements and surface acoustic wave elements, semiconductor elements, capacitive elements, resistors, and the like.

接続パッド105は、例えば、接続パッド105から絶縁基体101の外表面にかけて形成され
た配線導体107を介して絶縁基体101の外表面に電気的に導出されている。配線導体107は
、搭載部103に搭載される電子部品102の各電極を外部の電気回路（図示せず）に電気的に接続するための導電路として機能する。この配線導体107の絶縁基体101の外表面に形成された部分を、半田等を介して外部電気回路に接続することにより、電子部品102の電極が
接続パッド105および配線導体107を介して外部の電気回路に電気的に接続される。 The connection pad 105 is electrically led to the outer surface of the insulating base 101 through a wiring conductor 107 formed from the connection pad 105 to the outer surface of the insulating base 101, for example. The wiring conductor 107 functions as a conductive path for electrically connecting each electrode of the electronic component 102 mounted on the mounting portion 103 to an external electric circuit (not shown). By connecting a portion of the wiring conductor 107 formed on the outer surface of the insulating base 101 to an external electric circuit via solder or the like, the electrode of the electronic component 102 is connected to the external via the connection pad 105 and the wiring conductor 107. Electrically connected to the electrical circuit.

接続パッド105および配線導体107は、例えば、タングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀等のメタライズ層からなり、このようなメタライズ層となる金属材料のペーストを、下部絶縁層101ａを構成する絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定パターンに
印刷しておき、下部絶縁層101ａと同時焼成する方法で形成される。 The connection pad 105 and the wiring conductor 107 are made of, for example, a metallized layer such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, or silver, and a paste of a metal material that becomes such a metallized layer is used as an insulating layer constituting the lower insulating layer 101a. A predetermined pattern is printed on the ceramic green sheet to be formed, and is formed by a method of simultaneous firing with the lower insulating layer 101a.

これらの接続パッド105や配線導体107は、酸化腐食を防止するとともに、接続パッド105と電子部品102の電極との接続や、配線導体107と外部の電気回路との接続をより容易で
強固なものとするために、それらの露出した表面に１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の厚みの金めっき層とが順次被着されているのがよい。 These connection pads 105 and wiring conductors 107 prevent oxidative corrosion, and make connection between the connection pads 105 and the electrodes of the electronic component 102 and connections between the wiring conductor 107 and external electric circuits easier and stronger. Therefore, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are preferably sequentially deposited on the exposed surfaces.

また、この図１に示す例においては、絶縁基体101（上部絶縁層101ｂ）の上面に封止用メタライズ層104が被着されている。封止用メタライズ層104は、搭載部103を取り囲んで
おり、この封止用メタライズ層104に金属枠体112がろう付けされている。そして、搭載部103に電子部品102を搭載し、電子部品102の電極を導電性接着剤等の接合材106で接続パッド105に接続した後、金属枠体112の上面に蓋体113を接合することにより、蓋体113と金属枠体112と絶縁基体101とからなる容器内に電子部品102が収容され、その後、後述するよ
うに貫通孔110が塞がれて上記容器内に電子部品102が気密封止され、電子装置（水晶発振器等）となる。 In the example shown in FIG. 1, a sealing metallization layer 104 is deposited on the upper surface of an insulating substrate 101 (upper insulating layer 101b). The sealing metallization layer 104 surrounds the mounting portion 103, and the metal frame 112 is brazed to the sealing metallization layer 104. Then, after mounting the electronic component 102 on the mounting portion 103 and connecting the electrode of the electronic component 102 to the connection pad 105 with the bonding material 106 such as a conductive adhesive, the lid 113 is bonded to the upper surface of the metal frame 112. As a result, the electronic component 102 is accommodated in a container including the lid 113, the metal frame 112, and the insulating base 101, and then the through hole 110 is closed as described later, so that the electronic component 102 is accommodated in the container. It is hermetically sealed and becomes an electronic device (a crystal oscillator or the like).

なお、封止用メタライズ層104は、例えば接続パッド105や配線導体107と同様の金属材
料（タングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀等）によって形成されている。封止用メタライズ層104は、例えば、このようなタングステン等の金属材料のペーストを上部絶
縁層101ｂを構成する絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定パターンに印刷して
おき、上部絶縁層101ｂと同時焼成する方法で形成される。 The sealing metallization layer 104 is formed of, for example, a metal material (tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, or the like) similar to that of the connection pad 105 and the wiring conductor 107. For example, the metallizing layer 104 for sealing is formed by printing a paste of a metal material such as tungsten on a ceramic green sheet serving as an insulating layer constituting the upper insulating layer 101b in a predetermined pattern, and simultaneously with the upper insulating layer 101b. It is formed by a method of firing.

なお、封止用メタライズ層104や接続パッド105や配線導体107は、酸化腐食の防止や、
配線導体107と外部の電気回路とを接続する半田の濡れ性の向上，封止用メタライズ層104
のろう材の接合強度の向上等のためには、それらの露出した表面に１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の厚みの金めっき層とが順次被着されているのが
よい。 The sealing metallized layer 104, the connection pad 105, and the wiring conductor 107 can prevent oxidation corrosion,
Improving the wettability of the solder connecting the wiring conductor 107 and the external electric circuit, sealing metallization layer 104
In order to improve the bonding strength of the brazing filler metal, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are sequentially deposited on the exposed surfaces. Is good.

金属枠体112は、例えば鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料
からなり、蓋体113を絶縁基体101にシーム溶接等の方法で接合するための金属部材として機能する。この金属枠体112は、例えば、厚みが0.1〜0.5ｍｍ程度であり、幅が0.15〜0.45ｍｍ程度の四角枠状である。また、金属枠体112を封止用メタライズ層104にろう付けす
る方法としては、例えば、金属枠体112の下面に予め20〜50μｍの厚みの銀ろう（図示せ
ず）を被着させておき、この銀ろうが被着された下面を封止用メタライズ層104上に載置
して、これらを治具等で仮固定しながら電気炉等で加熱する方法を挙げることができる。この方法により、容易に蓋体113と封止用メタライズ層104との間を気密性よく強固にろう付けすることができる。 The metal frame 112 is made of, for example, a metal material such as iron-nickel alloy or iron-nickel-cobalt alloy, and functions as a metal member for joining the lid 113 to the insulating base 101 by a method such as seam welding. The metal frame 112 has, for example, a rectangular frame shape with a thickness of about 0.1 to 0.5 mm and a width of about 0.15 to 0.45 mm. As a method for brazing the metal frame 112 to the sealing metallized layer 104, for example, a silver brazing (not shown) with a thickness of 20 to 50 μm is previously applied to the lower surface of the metal frame 112. An example is a method in which the lower surface on which the silver solder is deposited is placed on the metallizing layer 104 for sealing and heated in an electric furnace or the like while being temporarily fixed with a jig or the like. By this method, the lid 113 and the metallizing layer 104 for sealing can be easily brazed with good airtightness.

蓋体113は、例えば四角板状であり、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金
等の金属材料やセラミック材料，樹脂材料からなり、ろう付け法や溶接法（例えばシーム溶接やエレクトロンビーム溶接等）の接合法で下面の外周部が金属枠体112に接合される
。なお、蓋体113がセラミック材料や樹脂材料から成る場合は、ろう付け法や溶接法によ
って封止用メタライズ層104に接合できるようにするために、蓋体113の接合面に、メタライズ法やめっき法等の方法により接合用の金属層（図示せず）が形成される。 The lid 113 has, for example, a square plate shape and is made of a metal material such as an iron-nickel alloy or iron-nickel-cobalt alloy, a ceramic material, or a resin material, and is brazed or welded (for example, seam welding or electron beam welding). The outer peripheral portion of the lower surface is joined to the metal frame 112 by the joining method of the above. When the lid 113 is made of a ceramic material or a resin material, a metallization method or plating is applied to the joint surface of the lid 113 so that the lid 113 can be joined to the sealing metallization layer 104 by a brazing method or a welding method. A joining metal layer (not shown) is formed by a method such as a method.

金属枠体112を封止用メタライズ層104に接合するためのろう材（図示せず）は、例えば、銀−銅共晶組成をベースとする銀ろう（例えば、71〜73質量％銀−27〜29質量％銅、ＪＩＳ名称：ＢＡｇ−８）である。ＢＡｇ−８の場合、融点は780℃程度である。このよう
なろう材を使用することにより、800〜850℃程度の熱処理において金属枠体112を封止用
メタライズ層104にろう付けすることができる。このろう材は、絶縁基体101の大きさや形状，用途等に応じて、濡れ性や溶融温度等の調整のために、錫，亜鉛等の金属元素が添加されていてもよい。 A brazing material (not shown) for joining the metal frame 112 to the sealing metallization layer 104 is, for example, a silver brazing based on a silver-copper eutectic composition (for example, 71 to 73 mass% silver-27). -29 mass% copper, JIS name: BAg-8). In the case of BAg-8, the melting point is about 780 ° C. By using such a brazing material, the metal frame 112 can be brazed to the metallizing layer 104 for sealing in a heat treatment at about 800 to 850 ° C. This brazing material may be added with a metal element such as tin or zinc in order to adjust wettability, melting temperature, etc. according to the size, shape, application, etc. of the insulating base 101.

本発明の電子部品収納用パッケージにおいて、例えば図１に示すように、上部絶縁層101ｂの内側面に下端から上端にかけて溝108が形成されているとともに、溝108の内側面の
下端から上端にかけて導体109が被着されている。また、この導体109は、少なくとも溝108の下端において溝108を埋めて被着されている。また、下部絶縁層101ａに、上側の開口
が部分的に溝108内の導体109の下端面で塞がれた貫通孔110が形成され、貫通孔110の内側面に内側面を一周する環状の金属層111が被着されている。 In the electronic component storage package of the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a groove 108 is formed on the inner surface of the upper insulating layer 101b from the lower end to the upper end, and a conductor is formed from the lower end to the upper end of the inner surface of the groove 108. 109 is attached. Further, the conductor 109 is attached by filling the groove 108 at least at the lower end of the groove 108. In addition, a through hole 110 in which the upper opening is partially blocked by the lower end surface of the conductor 109 in the groove 108 is formed in the lower insulating layer 101a, and an annular shape that goes around the inner surface on the inner side surface of the through hole 110 is formed. A metal layer 111 is deposited.

なお、前述したように、この例においては導体109が溝108を、溝108の下端から上端に
かけて埋めている。導体109は、後述するように貫通孔110から封止材114が抜け出るのを
防止するために、少なくとも溝108の下端、つまり貫通孔110の上端に接する部分において溝108を埋めて被着されている必要がある。また、導体109は、上部絶縁層101ｂの上面と
下部絶縁層101ａの上面との間を導通させるために、溝108の下端から上端にかけて被着されている。導体109を介して、例えば上部絶縁層101ｂの上面の封止用メタライズ層104と
環状の金属層111とが電気的に接続され、面積が比較的広い封止用メタライズ層104によって、電子部品102に供給される接地電位をより安定させることができる。 As described above, in this example, the conductor 109 fills the groove 108 from the lower end to the upper end of the groove 108. As will be described later, the conductor 109 is attached by filling the groove 108 at least at the lower end of the groove 108, that is, at the portion in contact with the upper end of the through hole 110, in order to prevent the sealing material 114 from coming out of the through hole 110. Need to be. In addition, the conductor 109 is deposited from the lower end to the upper end of the groove 108 in order to conduct between the upper surface of the upper insulating layer 101b and the upper surface of the lower insulating layer 101a. For example, the sealing metallization layer 104 on the upper surface of the upper insulating layer 101b and the annular metal layer 111 are electrically connected via the conductor 109, and the sealing metallization layer 104 having a relatively large area allows the electronic component 102 to be connected. The ground potential supplied to can be made more stable.

このような、導体109が、少なくとも溝108の下端において溝108を埋めて被着されてい
る構成によれば、導体109の下端面で封止材114を貫通孔110内に止めることができる。例
えば、絶縁基体101を上下反転して貫通孔110内に封止材114を落とし入れたときに、封止
材114が貫通孔110の（このときには下向きになっている）上側の開口を部分的に塞いでいる導体109の下端面部分で止まる。また、この封止材114を加熱溶融させて環状の金属層11
1に接合して、封止材114で貫通孔110を塞ぐことができる。したがって、封止材114を貫通孔110内に止めるための段状の部分（図示せず）等を貫通孔110内に形成する必要がなく、段状の部分を設けるための余計な絶縁層が不要であるため、電子部品収納用パッケージを薄型化することが容易である。 According to such a configuration in which the conductor 109 is attached by filling the groove 108 at least at the lower end of the groove 108, the sealing material 114 can be stopped in the through hole 110 at the lower end surface of the conductor 109. For example, when the insulating substrate 101 is turned upside down and the sealing material 114 is dropped into the through hole 110, the sealing material 114 partially opens the opening above the through hole 110 (in this case, downward). It stops at the lower end surface portion of the conductor 109 which is closed. Further, the sealing material 114 is heated and melted to form an annular metal layer 11.
1, the through hole 110 can be closed with the sealing material 114. Therefore, it is not necessary to form a stepped portion (not shown) for stopping the sealing material 114 in the through hole 110 in the through hole 110, and an extra insulating layer for providing the stepped portion is provided. Since it is unnecessary, it is easy to make the electronic component storage package thinner.

すなわち、この電子部品収納用パッケージについて、搭載部103に圧電振動子等の電子
部品102を搭載した後、まず蓋体113を金属枠体112の上面に溶接法等の方法で接合し、次
に下部絶縁層101ａの上面の搭載部103と上部絶縁層101ｂの内側面と蓋体113とで構成される電子部品102を収容する空間内に残留しているガスを貫通孔110から外部に吸引して排出させる。そして、その後に貫通孔110の内側面を一周する環状の金属層111に封止材114を
接合して貫通孔110を完全に塞いでしまえば、電子部品102が、不要なガス成分が排出された空間内に気密封止された電子装置を作製することができる。なお、この場合、電子部品102が収容される空間は、不要なガスが排出されて真空状態となっているか、または不要
なガスが排出された後に窒素やヘリウム，アルゴン等の不活性ガスが充填された状態となる。 That is, for this electronic component storage package, after mounting the electronic component 102 such as a piezoelectric vibrator on the mounting portion 103, the lid 113 is first joined to the upper surface of the metal frame 112 by a method such as welding, The gas remaining in the space for housing the electronic component 102 composed of the mounting portion 103 on the upper surface of the lower insulating layer 101a, the inner surface of the upper insulating layer 101b, and the lid 113 is sucked to the outside from the through hole 110. To discharge. Then, if the sealing material 114 is joined to the annular metal layer 111 that goes around the inner surface of the through-hole 110 to completely close the through-hole 110, the electronic component 102 is discharged with unnecessary gas components. Thus, an electronic device hermetically sealed in the remaining space can be manufactured. Note that in this case, the space in which the electronic component 102 is accommodated is in an evacuated state because unnecessary gas is exhausted or filled with an inert gas such as nitrogen, helium, or argon after the unnecessary gas is exhausted. It will be in the state.

なお、封止材114は、貫通孔110を塞ぐためのものであるため、その外形の寸法は、ちょうど貫通孔110内に入ることができる程度の寸法に設定される。そのため、貫通孔110の上側の開口が部分的に塞がっていれば、封止材114を貫通孔110内に止めることができる。   In addition, since the sealing material 114 is for closing the through hole 110, the dimension of the outer shape is set to a dimension that can enter the through hole 110. Therefore, if the upper opening of the through hole 110 is partially blocked, the sealing material 114 can be stopped in the through hole 110.

溝108および導体109は、上記のように導体109の下端面が封止材114を止める部分となるため、上部絶縁層101ｂの内側面の下端、つまり貫通孔110の上側の開口の位置から上部絶縁層101ｂの上端にかけて形成する必要がある。   As described above, since the lower end surface of the conductor 109 serves as a portion for stopping the sealing material 114, the groove 108 and the conductor 109 are formed from the lower end of the inner side surface of the upper insulating layer 101b, that is, from the position of the opening above the through hole 110. It is necessary to form over the upper end of the insulating layer 101b.

溝108は、例えば図１に示す例では平面視で円弧状であるが、楕円弧状や四角形状，三
角形状等でもかまわない。ただし、後述するように、溝108は、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施すこと等によって形成されているので、その形成の際の作業性や、導体109で埋めることを容易とすることを容易とする上では、円弧
状であることが好ましい。 For example, in the example shown in FIG. 1, the groove 108 has an arc shape in plan view, but may have an elliptic arc shape, a quadrangular shape, a triangular shape, or the like. However, as will be described later, since the groove 108 is formed by punching a ceramic green sheet to be the upper insulating layer 101b or the like, it is easy to fill the gap 108 with the workability during the formation. From the viewpoint of facilitating, it is preferable to have an arc shape.

溝108は、例えば、上部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面の所定位置に、この内側面の下端から上端まで溝状に切削加工を施すことによって形成することができる。また、溝108は、このセラミックグリーンシートを枠状に成形する前に、
搭載部103に相当する範囲の外周（枠状に成形したときに内周となる部分）を跨いで円形
状等の貫通孔を打ち抜き加工で形成しておいて、その後、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して枠状に成形する方法で形成することもできる。この場合には、円形状の貫通孔が打ち抜き加工によって縦方向に２つに分割されて、この貫通孔のうち上部絶縁層101ｂ側に位置する部分が溝108となる。図１に示す例において、溝108は、平面視で中
心角が約270度の扇形状であり、上記円形状の貫通孔のうち中心角が約90度の扇形状の部
分が打ち抜き加工によって分割除去されて形成されている。ここで、打ち抜き加工時の各コーナー部（図１に示す例では、貫通孔の中心付近が該当する）は、金型の加工性や貫通孔の打ち抜き性を考慮して、平面視で丸みを帯びた形状となっている。 The groove 108 can be formed, for example, by cutting in a groove shape from the lower end to the upper end of the inner side surface at a predetermined position on the inner side surface of the frame-shaped ceramic green sheet to be the upper insulating layer 101b. In addition, the groove 108 is formed before the ceramic green sheet is formed into a frame shape.
A circular through hole is formed by punching across the outer circumference (the part that becomes the inner circumference when molded into a frame shape) corresponding to the mounting portion 103, and then punched into a ceramic green sheet. It can also form by the method of giving and forming in a frame shape. In this case, the circular through hole is divided into two in the vertical direction by punching, and a portion of the through hole located on the upper insulating layer 101b side becomes the groove 108. In the example shown in FIG. 1, the groove 108 has a fan shape with a central angle of about 270 degrees in plan view, and a fan-shaped portion with a central angle of about 90 degrees is divided by punching from the circular through-holes. Removed and formed. Here, each corner portion at the time of punching (in the example shown in FIG. 1 corresponds to the vicinity of the center of the through hole) is rounded in plan view in consideration of the workability of the mold and the punchability of the through hole. It has a banded shape.

さらに、この、先に円形状の貫通孔を設けておく方法の場合には、円形状の貫通孔にタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属材料等のペーストを充填しておき、その後上記のように打ち抜き加工を施すようにすれば、金属ペーストが充填された円形状の貫通孔が上記のように縦方向に２つに分割されて、導体109となる金属ペーストで埋められた溝108を、上部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面に形成することが
できる。なお、溝108を埋める導体109も、接続パッド105や配線導体107と同様にニッケルや金等のめっき層で被覆しておけば、酸化腐食をより効果的に抑制することができる。 Further, in the case of this method of previously providing a circular through-hole, the circular through-hole is filled with a paste of a metal material such as tungsten, molybdenum, copper, or silver, and then the above-mentioned If the punching process is performed as described above, the circular through hole filled with the metal paste is divided into two in the vertical direction as described above, and the groove 108 filled with the metal paste to be the conductor 109 is formed. It can be formed on the inner surface of a frame-shaped ceramic green sheet that becomes the upper insulating layer 101b. If the conductor 109 filling the groove 108 is also covered with a plating layer such as nickel or gold in the same manner as the connection pad 105 and the wiring conductor 107, oxidation corrosion can be more effectively suppressed.

図１に示す例において、溝108は平面視で四角形状の上部絶縁層101ｂのコーナー部に配置されている。上部絶縁層101ｂのコーナー部に対する溝108の位置は、貫通孔110との位
置関係を考慮して搭載部103の中心側、または上部絶縁層101ｂの外側の角部側にオフセットさせてもよい。また、溝108の位置は、搭載部103の長辺側や短辺側の辺部分の中央等でもよい。 In the example shown in FIG. 1, the groove 108 is disposed at a corner portion of the upper insulating layer 101b having a quadrangular shape in plan view. The position of the groove 108 with respect to the corner portion of the upper insulating layer 101b may be offset to the center side of the mounting portion 103 or the outer corner portion side of the upper insulating layer 101b in consideration of the positional relationship with the through hole 110. Further, the position of the groove 108 may be the center of the side portion on the long side or the short side of the mounting portion 103, or the like.

貫通孔110は、上記のように電子部品102を収容する空間から不要なガスを外部に排出させるためのものであり、例えば、下部絶縁層101ａとなるグリーンシートの所定の位置に
金型を用いた機械的な打ち抜き加工を施すことによって形成される。なお、貫通孔110は
、図１に示す例では、この形成の際の作業性等を考慮して円形状としているが、楕円形状や四角形状等でもかまわない。 The through hole 110 is for discharging unnecessary gas to the outside from the space in which the electronic component 102 is accommodated as described above. For example, a mold is used at a predetermined position of the green sheet to be the lower insulating layer 101a. It is formed by applying a mechanical punching process. In the example shown in FIG. 1, the through hole 110 has a circular shape in consideration of workability at the time of formation, but may be an elliptical shape or a rectangular shape.

ここで、貫通孔110は、封止材114で塞がれることにより電子部品102を気密封止する孔
である。この封止材114の接合のために、貫通孔110の内側面には、この内側面を一周する環状の金属層111が被着されている。 Here, the through hole 110 is a hole that hermetically seals the electronic component 102 by being sealed with the sealing material 114. In order to bond the sealing material 114, an annular metal layer 111 that goes around the inner side surface is deposited on the inner side surface of the through hole 110.

貫通孔110内の環状の金属層111への封止材114の接合は、例えば、搭載部103の内部を真空若しくは不活性ガスが充填された状態で行われる。環状の金属層111は、図１に示す例
では貫通孔110の内側面の上端から下端にかけて形成されている。 Joining of the sealing material 114 to the annular metal layer 111 in the through hole 110 is performed, for example, in a state where the inside of the mounting portion 103 is filled with a vacuum or an inert gas. In the example shown in FIG. 1, the annular metal layer 111 is formed from the upper end to the lower end of the inner surface of the through hole 110.

環状の金属層111は、例えばタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属材料からなる
メタライズ層上に、ニッケル層や金層等のめっき層が被着された構造である。 The annular metal layer 111 has a structure in which a plating layer such as a nickel layer or a gold layer is deposited on a metallized layer made of a metal material such as tungsten, molybdenum, copper, or silver.

環状の金属層111は、例えば、下部絶縁層101ａとなるセラミックグリーンシートに貫通孔110を形成した後、その内側面に、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダとと
もに混練して作製した金属ペーストをスクリーン印刷法等の方法で塗布しておき、セラミックグリーンシートと同時焼成する方法で、タングステンのメタライズ層として貫通孔110の内側面に被着させることができる。メタライズ層上のめっき層は、電解めっき用のニ
ッケルめっき液や金めっき液中でメタライズ層に所定の電流密度および時間でめっき用の電流を供給することによって被着させることができる。 The annular metal layer 111 is formed, for example, by forming a through hole 110 in a ceramic green sheet to be the lower insulating layer 101a and then screening a metal paste produced by kneading tungsten powder together with an organic solvent and a binder on the inner surface thereof. It can be applied to the inner surface of the through-hole 110 as a tungsten metallized layer by a method such as printing by a method such as printing and simultaneous firing with a ceramic green sheet. The plating layer on the metallized layer can be deposited by supplying a plating current to the metallized layer at a predetermined current density and time in a nickel plating solution or a gold plating solution for electrolytic plating.

また、封止材114は、貫通孔110の内側面に被着された環状の金属層111に接合されて貫
通孔110を塞ぐためのものであり、例えば金−錫または金−ゲルマニウム等の合金から形
成されている。封止材114の環状の金属層111に対する接合は、例えば封止材114を上記の
ような合金のろう材で形成しておいて、封止材114自体が加熱によって溶融して環状の金
属層111に接合されるようにして行なうことができる。また、封止材114を、鉄−ニッケル系合金等の他の金属材料で形成しておいて、金−錫合金等のろう材を介して環状の金属層111に接合するようにしてもよい。封止材114は、例えば図１に示したように球状（ろう材ボール）としておけば、貫通孔110内に入れやすい。 Further, the sealing material 114 is for joining the annular metal layer 111 attached to the inner side surface of the through hole 110 to close the through hole 110, for example, an alloy such as gold-tin or gold-germanium. Formed from. For joining the sealing material 114 to the annular metal layer 111, for example, the sealing material 114 is formed of a brazing material of the alloy as described above, and the sealing material 114 itself is melted by heating to form an annular metal layer. It can be carried out by being bonded to 111. Further, the sealing material 114 may be formed of another metal material such as an iron-nickel alloy and bonded to the annular metal layer 111 via a brazing material such as a gold-tin alloy. . For example, if the sealing material 114 is formed in a spherical shape (a brazing material ball) as shown in FIG.

なお、この電子部品収納用パッケージにおいては、封止用メタライズ層104がグランド
電位として用いられ、配線導体107の一部がグランド電位と電気的に接続される場合があ
る。この場合には、貫通孔110の内側面の下端から上端にかけて環状の金属層111を被着させて、環状の金属層111の下端部分を下部絶縁層101ａの下面に設けられた配線導体107の
うちグランド電位と電気的に接続されるものに接続すれば、環状の金属層111および溝108内の導体109を介して配線導体107とグランド電位である封止用メタライズ層104とを電気
的接続することができる。 In this electronic component storage package, the sealing metallized layer 104 may be used as a ground potential, and a part of the wiring conductor 107 may be electrically connected to the ground potential. In this case, the annular metal layer 111 is deposited from the lower end to the upper end of the inner surface of the through hole 110, and the lower end portion of the annular metal layer 111 is formed on the lower surface of the lower insulating layer 101a. If connected to one that is electrically connected to the ground potential, the wiring conductor 107 and the metallization layer 104 for sealing, which is the ground potential, are electrically connected via the annular metal layer 111 and the conductor 109 in the groove 108. can do.

そして、この場合には、グランド電位のための導電経路（図示せず）を別途配置する必
要がないため、電子部品収納用パッケージとしての構造の簡略化が可能となり、電子部品収納用パッケージの小型化を容易とすることができる。すなわち、従来の電子部品収納用パッケージでは、グランド電位と接続される配線導体107を下部絶縁層101ａの下面等へ引き回すための貫通導体（図示せず）と不要なガスを排出するための貫通孔（図示せず）とを別に設ける必要があるのに対して、内側面に環状の金属層111が被着された貫通孔110だけで不要なガスの排出とグランド電位用の導電経路とを兼用することができるため、パッケージの小型化を図る上で有利である。 In this case, since it is not necessary to separately arrange a conductive path (not shown) for the ground potential, the structure of the electronic component storage package can be simplified, and the electronic component storage package can be reduced in size. Can be facilitated. That is, in the conventional electronic component storage package, a through conductor (not shown) for routing the wiring conductor 107 connected to the ground potential to the lower surface of the lower insulating layer 101a and the like and a through hole for discharging unnecessary gas (Not shown) must be provided separately, but only the through-hole 110 having the inner metal surface with the annular metal layer 111 is used for both unnecessary gas discharge and a ground potential conductive path. This is advantageous in reducing the size of the package.

さらに、貫通孔110は、図１に示す例の場合、平面視で四角形状の搭載部103のコーナー部に形成されている。この構成によれば、上部絶縁層101ｂと下部絶縁層101ａとの重なり具合によって貫通孔110の実質的な開口（貫通孔110の上側の開口のうち環状の金属層111
の下端面で塞がれていない部分）の大きさを調整することがより容易である。一般に、金型によるセラミックグリーンシートの打抜き孔の最小径は、80〜100μｍ程度とされてい
るが、このように上部絶縁層101ｂと下部絶縁層101ａとの重なり具合によって貫通孔110
の実質的な開口の大きさを調整することにより、非常に小さな開口の貫通孔110を形成す
ることが容易となる。したがって、貫通孔110をろう材ボール等の封止材114で塞いで電子部品102を封止する際の封止材114のボリュームを効果的に小さく抑えることができる。 Further, in the example shown in FIG. 1, the through hole 110 is formed at a corner portion of the mounting portion 103 having a quadrangular shape in plan view. According to this configuration, the upper insulating layer 101b and the lower insulating layer 101a overlap each other so that a substantial opening of the through hole 110 (the annular metal layer 111 out of the openings above the through hole 110).
It is easier to adjust the size of the portion not covered by the lower end surface. In general, the minimum diameter of the punched hole of the ceramic green sheet by the mold is about 80-100 μm. Thus, the through hole 110 is formed by the overlapping state of the upper insulating layer 101b and the lower insulating layer 101a.
By adjusting the substantial opening size, it becomes easy to form the through-hole 110 having a very small opening. Therefore, it is possible to effectively reduce the volume of the sealing material 114 when the electronic component 102 is sealed by closing the through hole 110 with the sealing material 114 such as a brazing material ball.

また、貫通孔110の実質的な開口の大きさを調整するには、例えば上部絶縁層101ｂの内側面に形成された溝108に対する貫通孔110の位置を変えればよい。開口を大きくするためには、貫通孔110の内側面（溝108）に対する位置を搭載部103の中心側にオフセットすれ
ばよく、また開口を小さくするためには、貫通孔110の位置を絶縁基体101の外側の角部側にオフセットすればよい。さらに、貫通孔110の開口の大きさを調整する別の手段として
は、溝108の大きさを変化させて、その溝108を埋める導体109の貫通孔110の上側の開口を塞ぐ下端面の面積を変化させる手段がある。 Further, in order to adjust the size of the substantial opening of the through hole 110, for example, the position of the through hole 110 with respect to the groove 108 formed on the inner surface of the upper insulating layer 101b may be changed. In order to enlarge the opening, the position of the through hole 110 with respect to the inner side surface (groove 108) may be offset to the center side of the mounting portion 103. In order to reduce the opening, the position of the through hole 110 is changed to the insulating substrate. What is necessary is just to offset to the outer corner | angular part side of 101. Furthermore, as another means of adjusting the size of the opening of the through hole 110, the area of the lower end surface that closes the opening above the through hole 110 of the conductor 109 that changes the size of the groove 108 to fill the groove 108 There is a means to change

なお、このような電子部品収納用パッケージによれば、導体109の下端面が貫通孔110の開口を部分的に塞ぐ構造であることから、この導体109の下端面に封止材114の一部を接合させて、封止材114の接合面積を大きくすることもできる。そのため、例えば引用文献１
に記載されている技術のように貫通孔内の段差部分に別途メタライズ層を形成する必要がないことから、メタライズ層と絶縁層との焼成収縮の差に起因して発生する絶縁基体101
の反りを抑制できるという効果もある。 According to such an electronic component housing package, since the lower end surface of the conductor 109 partially closes the opening of the through hole 110, a part of the sealing material 114 is formed on the lower end surface of the conductor 109. Can be bonded to increase the bonding area of the sealing material 114. Therefore, for example, cited document 1
Insulating substrate 101 generated due to the difference in firing shrinkage between the metallized layer and the insulating layer because it is not necessary to separately form a metallized layer at the step portion in the through hole as in the technique described in
There is also an effect that it is possible to suppress the warpage.

ここで、本発明の電子部品収納用パッケージの効果を具体例を挙げて説明する。   Here, the effect of the electronic component storage package of the present invention will be described with a specific example.

下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂを酸化アルミニウム質焼結体で作製し、これに、直径が約200μｍの円形状の貫通孔110と、その貫通孔110の上側の開口が３／４周の範
囲で導体109の下端面で塞がれた（貫通孔110の実質的な開口が半径約100μｍで中心角が90度の扇状である）電子部品収納用パッケージを準備した。なお、下部絶縁層101ａおよび上部絶縁層101ｂは、いずれも厚みが約200μｍの１層の絶縁層からなるものとした。 The lower insulating layer 101a and the upper insulating layer 101b are made of an aluminum oxide sintered body. The circular through hole 110 having a diameter of about 200 μm and the upper opening of the through hole 110 are 3/4 rounds. An electronic component storage package was prepared which was covered with the lower end surface of the conductor 109 in a range (substantial opening of the through hole 110 was a fan shape with a radius of about 100 μm and a central angle of 90 degrees). Each of the lower insulating layer 101a and the upper insulating layer 101b is made of a single insulating layer having a thickness of about 200 μm.

溝108および溝108を埋めた導体109は、平面視で中心角が約270度で半径が約150μｍの
扇状とし、貫通孔110の内側面には約20μｍの厚みでこの内側面を一周する環状の金属層111を被着させた。これらの導体109および環状の金属層111は、いずれもタングステンのメタライズ層からなるものとし、露出表面は、ニッケルめっき層および金めっき層を順次被着させて被覆しておいた。 The groove 108 and the conductor 109 filling the groove 108 are fan-shaped with a central angle of about 270 degrees and a radius of about 150 μm in a plan view, and the inner surface of the through hole 110 has a thickness of about 20 μm and goes around the inner surface. A metal layer 111 was deposited. The conductor 109 and the annular metal layer 111 were both made of a tungsten metallized layer, and the exposed surface was covered with a nickel plating layer and a gold plating layer, which were sequentially deposited.

この電子部品収納用パッケージに水晶振動子を搭載し、上部絶縁層101ｂの上面に封止
用メタライズ層104を介して接合した金属枠体112に蓋体113を接合した後、不要なガスを
貫通孔110から外部に排出し、球状の金−錫合金からなる封止材114（ろう材ボール）を貫
通孔110の環状の金属層111に加熱して接合させ、貫通孔110を塞いで電子装置（図示せず
）とした。この電子装置について、温度サイクル試験（ＪＩＳ Ｃ７０２１ 試験方法Ａ−４：−55℃〜＋125℃、10サイクル）の後、発振周波数の変動確認を行なった。その結
果、発振周波数不良は試験個数200個に対して０個であり、気密封止の信頼性が確認され
た。 A crystal resonator is mounted on the electronic component storage package, and a lid 113 is joined to a metal frame 112 joined to the upper surface of the upper insulating layer 101b via a sealing metallization layer 104, and then unnecessary gas is passed through. The hole 110 is discharged to the outside, and a sealing material 114 (a brazing material ball) made of a spherical gold-tin alloy is heated and joined to the annular metal layer 111 of the through-hole 110 to close the through-hole 110 and close the electronic device. (Not shown). About this electronic device, after the temperature cycle test (JIS C7021 test method A-4: -55 ° C. to + 125 ° C., 10 cycles), the oscillation frequency was confirmed. As a result, the oscillation frequency failure was 0 with respect to 200 test pieces, and the reliability of hermetic sealing was confirmed.

また、従来の技術で同様に、貫通孔（図示せず）を有しながら気密封止の信頼性の高い電子部品収納用パッケージ（図示せず）とする場合には、下部絶縁層（図示せず）が少なくとも２層必要であり、単純に比較すれば、上記具体例の電子部品収納用パッケージの厚み（約400μｍ）よりも約200μｍ厚くする必要がある。このように、本発明の電子部品収納用パッケージは、薄型化の点で有効である。   Similarly, in the case of a conventional electronic component storage package (not shown) having a through-hole (not shown) and having high hermetic sealing, the lower insulating layer (not shown) is used. 2) is required, and in a simple comparison, it is necessary to make the thickness approximately 200 μm thicker than the thickness (about 400 μm) of the electronic component storage package of the above specific example. Thus, the electronic component storage package of the present invention is effective in reducing the thickness.

また、この電子部品収納用パッケージにおいて、導体109は、前述したように、少なく
とも溝108の下端において溝108を埋めて被着されていれば貫通孔110から封止材114が抜け出るのを防止することはできるが、例えば、図１に示すように、溝108の上端から下端に
かけて導体109が溝108を埋めている場合には、以下のような効果も有する。すなわち、この場合には、溝108の上端も導体109で埋められているので、この溝108の上端が位置する
上部絶縁層101bの上面における蓋体113等が接合される部分の幅を確保する上で有利であ
る。 Further, in this electronic component storage package, as described above, the conductor 109 prevents the sealing material 114 from coming out of the through hole 110 as long as the conductor 109 is filled and attached at least at the lower end of the groove 108. However, for example, as shown in FIG. 1, when the conductor 109 fills the groove 108 from the upper end to the lower end of the groove 108, the following effects are also obtained. That is, in this case, since the upper end of the groove 108 is also filled with the conductor 109, the width of the portion where the lid body 113 and the like on the upper surface of the upper insulating layer 101b where the upper end of the groove 108 is located is secured. This is advantageous.

なお、図１に示す例においては、上部絶縁層101ｂの上面に封止用メタライズ層104が被着されているとともに、封止用メタライズ層104に金属枠体112がろう付けされているため、上部絶縁層101ｂの上面に金属枠体112を接合するための下地金属層（封止用メタライズ層104と導体109の上端面とを合わせた部位）の幅を広く確保することができる。   In the example shown in FIG. 1, since the metallizing layer 104 for sealing is attached to the upper surface of the upper insulating layer 101b, and the metal frame 112 is brazed to the metallizing layer 104 for sealing, It is possible to ensure a wide width of the base metal layer (the portion where the sealing metallized layer 104 and the upper end surface of the conductor 109 are combined) for joining the metal frame 112 to the upper surface of the upper insulating layer 101b.

このように導体109が溝108を埋めている構造とするためには、上述のように溝108を上
部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面の所定位置に、この内側
面の下端から上端まで溝状に切削加工を施すことによって形成しておき、この溝108内に
タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属材料等のペーストを充填して焼成すればよい。 In order to obtain a structure in which the conductor 109 fills the groove 108 as described above, the groove 108 is placed at a predetermined position on the inner surface of the frame-shaped ceramic green sheet to be the upper insulating layer 101b as described above. The groove 108 may be formed by cutting into a groove shape from the lower end to the upper end, and the groove 108 may be filled with a paste of a metal material such as tungsten, molybdenum, copper, or silver and fired.

また、溝108は、前述したように、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートを枠状に成形する前に搭載部103に相当する範囲の外周を跨いで貫通孔を形成し、この貫通
孔内に上記金属ペーストを充填した後に、セラミックグリーンシートに枠状に成形する打ち抜き加工を施すようにすれば、金属ペーストが充填された円形状の貫通孔が上記のように縦方向に２つに分割されて、導体109となる金属ペーストで埋められた溝108を、上部絶縁層101ｂとなる枠状のセラミックグリーンシートの内側面に形成することができる。 Further, as described above, the groove 108 forms a through hole across the outer periphery of the range corresponding to the mounting portion 103 before the ceramic green sheet to be the upper insulating layer 101b is formed into a frame shape. If the ceramic green sheet is punched into a frame after being filled with the metal paste, the circular through hole filled with the metal paste is divided into two in the vertical direction as described above. Thus, the groove 108 filled with the metal paste that becomes the conductor 109 can be formed on the inner surface of the frame-shaped ceramic green sheet that becomes the upper insulating layer 101b.

なお、溝108を埋めている導体109は、溝108の上端において封止用メタライズ層104と直接に接続し、下端において環状の金属層111と直接に接続している。この構造において導
体109は、封止用メタライズ層104と接地層となる配線導体107を電気的に接続する導電路
として作用する。 The conductor 109 filling the groove 108 is directly connected to the sealing metallized layer 104 at the upper end of the groove 108 and directly connected to the annular metal layer 111 at the lower end. In this structure, the conductor 109 acts as a conductive path that electrically connects the metallization layer 104 for sealing and the wiring conductor 107 serving as the ground layer.

また、この電子部品収納用パッケージにおいて、例えば、図２に示すように、溝108の
上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さい場合には、以下のような効果を有する。溝108の内径は、例えば枠状の上部絶縁層101ｂの幅方向における溝108の開口
寸法である。図２に示す例においては、溝108は円弧状であり、溝108の内径は溝108の直
径程度である。なお、図２（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。また、図２（ａ）におい
ては、見やすくするために、封止用メタライズ層104および金属枠体112を省略している。 Further, in this electronic component storage package, for example, as shown in FIG. 2, when the inner diameter at the upper end portion of the groove 108 is smaller than the inner diameter at the lower end portion, the following effects are obtained. The inner diameter of the groove 108 is, for example, the opening dimension of the groove 108 in the width direction of the frame-shaped upper insulating layer 101b. In the example shown in FIG. 2, the groove 108 has an arc shape, and the inner diameter of the groove 108 is about the diameter of the groove 108. 2A is a top view showing another example of the embodiment of the electronic component storage package of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line XX ′ in FIG. It is sectional drawing. In FIG. 2, the same parts as those in FIG. Further, in FIG. 2A, the sealing metallized layer 104 and the metal frame 112 are omitted for easy viewing.

この場合には、溝108の上端から下端まで導体109で埋めた構成において、上部絶縁層101ｂの上面の平坦性を高くして蓋体113等の接合性を高くする上で有効である。すなわち、この場合には、上部絶縁層101ｂの上面に露出する溝108内の導体109（端面）の面積が小
さい。そのため、上部絶縁層101ｂの上面と導体109の上端との間で導体109の体積の変化
等に起因して凹凸が生じたとしても、その凹凸の範囲を極力小さく抑えることができる。 In this case, in the configuration in which the groove 108 is filled with the conductor 109 from the upper end to the lower end, it is effective in increasing the flatness of the upper surface of the upper insulating layer 101b and improving the bonding property of the lid 113 and the like. That is, in this case, the area of the conductor 109 (end surface) in the groove 108 exposed on the upper surface of the upper insulating layer 101b is small. Therefore, even if unevenness occurs due to a change in the volume of the conductor 109 between the upper surface of the upper insulating layer 101b and the upper end of the conductor 109, the range of the unevenness can be minimized.

なお、図２に示す例においても、上部絶縁層101ｂの上面に封止用メタライズ層104が被着されているとともに、封止用メタライズ層104に金属枠体112がろう付けされている。この場合には、金属枠体112を接合するための下地金属層（封止用メタライズ層104と導体109の上端面とを合わせた部位）の表面の凹凸を小さく抑えて、金属枠体112の傾きや、ろう材の偏りによるろう付け強度のばらつき等をより効果的に抑制することができる。   In the example shown in FIG. 2 as well, the metallizing layer 104 for sealing is deposited on the upper surface of the upper insulating layer 101b, and the metal frame 112 is brazed to the metallizing layer 104 for sealing. In this case, the unevenness of the surface of the base metal layer for bonding the metal frame 112 (the portion where the sealing metallized layer 104 and the upper end surface of the conductor 109 are combined) is suppressed to be small, Variations in brazing strength due to inclination and uneven brazing material can be more effectively suppressed.

さらに、溝108の上端部分における内径、つまり、封止用メタライズ層104に接する導体109の上端面の幅（枠状の上部絶縁層101ｂの幅方向の寸法）が、下端部分における内径（導体109の下端面の幅）よりも小さくなるように形成することにより、この電子部品収納
用パッケージを多数個取り基板として作製する場合に、次のような効果を得ることもできる。 Further, the inner diameter at the upper end portion of the groove 108, that is, the width of the upper end surface of the conductor 109 in contact with the sealing metallization layer 104 (the dimension in the width direction of the frame-like upper insulating layer 101b) is equal to the inner diameter at the lower end portion (conductor 109). By forming the electronic component storing package as a multi-piece substrate, the following effects can be obtained.

すなわち、この場合には、多数個取り基板を個片に分割（破断）するための分割溝（図示せず）を個々の電子部品収納用パッケージとなる基板領域の境界（図示せず）毎に形成する場合がある。分割溝は、多数個取り基板となるセラミックグリーンシート積層体に、基板領域の境界に沿ってカッター刃を押し入れて形成される。この際に、カッター刃に押されてセラミックグリーンシート積層体が部分的に下側へ凸状に変形する可能性がある。そして、このような変形が生じたとしても、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーン
シートにおいて溝108内に充填された金属ペースト（図示せず）が、封止用メタライズ層104側へ押し出され難くなるので、封止用メタライズ層104の平坦度を高く維持することが
できるという効果もある。これは、溝108が上端部分において内径が小さくなっているた
め、上記金属ペーストが溝108の上端部分を通って上側に突出することを抑制できるため
である。 That is, in this case, a dividing groove (not shown) for dividing (breaking) the multi-piece substrate into individual pieces is provided for each boundary (not shown) of the substrate region to be an individual electronic component storage package. May form. The dividing grooves are formed by pressing a cutter blade along the boundary of the substrate region in a ceramic green sheet laminate that is a multi-piece substrate. At this time, there is a possibility that the ceramic green sheet laminate is partially deformed downwardly by being pressed by the cutter blade. Even if such deformation occurs, the metal paste (not shown) filled in the groove 108 in the ceramic green sheet to be the upper insulating layer 101b is difficult to be pushed out to the sealing metallization layer 104 side. Therefore, there is an effect that the flatness of the metallization layer 104 for sealing can be maintained high. This is because the inner diameter of the groove 108 is small at the upper end portion, so that the metal paste can be prevented from protruding upward through the upper end portion of the groove 108.

ここで、溝108の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さくなる構造
とするためには、例えば図２に示すように、上部絶縁層101ｂを複数の絶縁層（符号なし
）を積層して形成しておき、上側の絶縁層の溝108の内径よりも下側の絶縁層の溝108の内径を大きくすればよい。この場合、上部絶縁層101ｂを構成する絶縁層毎にそれぞれの溝108内に別々に金属ペーストを充填するようにしてもよい。このように充填することにより、金属ペーストの充填不足や過剰充填をより効果的に抑制できるため、封止用メタライズ層104の平坦度をより確実に高く確保する上で有利である。 Here, in order to make the inner diameter of the upper end portion of the groove 108 smaller than the inner diameter of the lower end portion, for example, as shown in FIG. 2, the upper insulating layer 101b is formed by laminating a plurality of insulating layers (not shown). The inner diameter of the groove 108 in the lower insulating layer may be made larger than the inner diameter of the groove 108 in the upper insulating layer. In this case, the metal paste may be filled in each groove 108 separately for each insulating layer constituting the upper insulating layer 101b. By filling in this way, insufficient filling or overfilling of the metal paste can be more effectively suppressed, which is advantageous in ensuring the flatness of the sealing metallized layer 104 more reliably.

なお、上部絶縁層101ｂが１層の絶縁層からなるときに、溝108の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さくなる構造として、溝108の内径が上端部分から下端
部分にかけて漸次広がるように（開口が大きくなるように）することもできる。この場合も、溝108の内部に充填された導体109となる金属ペースト（図示せず）が上記のように封止用メタライズ層104上に突出しにくくなるので、封止用メタライズ層104の平坦度をより確実に高くすることができる。 When the upper insulating layer 101b is made of one insulating layer, the inner diameter of the groove 108 gradually increases from the upper end portion to the lower end portion as a structure in which the inner diameter at the upper end portion of the groove 108 is smaller than the inner diameter at the lower end portion. (So that the opening becomes larger). Also in this case, since the metal paste (not shown) that becomes the conductor 109 filled in the groove 108 is difficult to protrude on the sealing metallization layer 104 as described above, the flatness of the sealing metallization layer 104 is reduced. Can be increased more reliably.

よって、封止用メタライズ層104の上面の平坦度を確保してこの封止用メタライズ層104に金属枠体112を隙間なく密着させることができ、これにより気密封止の信頼性が良好な
電子部品収納用パッケージを実現することができる。 Therefore, it is possible to secure the flatness of the upper surface of the sealing metallization layer 104 and to adhere the metal frame 112 to the sealing metallization layer 104 without any gaps. A component storage package can be realized.

上記のような効果を得る上では、溝108の上端部分における内径は小さいほど好ましい
が、この上端部分における内径が小さくなると、導体109と封止用メタライズ層104とが直接に接続する範囲（長さ）が小さくなる。そのため、例えば導体109と封止用メタライズ
層104との間の電気抵抗が大きくなり、配線導体107を接地電位に電気的に接続する際の電気抵抗が大きくなる可能性がある。したがって、導体109が充填された溝108の上端部分における内径を小さくする場合は、この内径を0.12〜0.4ｍｍ程度に設定することが好まし
い。 In order to obtain the above effects, it is preferable that the inner diameter of the upper end portion of the groove 108 is smaller. However, when the inner diameter of the upper end portion is smaller, the conductor 109 and the sealing metallized layer 104 are directly connected (long). S) becomes smaller. Therefore, for example, the electrical resistance between the conductor 109 and the sealing metallization layer 104 increases, and the electrical resistance when the wiring conductor 107 is electrically connected to the ground potential may increase. Therefore, when the inner diameter at the upper end portion of the groove 108 filled with the conductor 109 is reduced, it is preferable to set the inner diameter to about 0.12 to 0.4 mm.

また、この電子部品収納用パッケージにおいて、例えば、図３に示すように、導体109
は、溝108の下端部分において溝108を埋めており、上端部分において溝108の内側面に層
状に被着している場合には、以下のような効果を有する。なお、図３（ａ）は、参考例の電子部品収納用パッケージを示す上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。また、図３（ａ）においては、見やすくするために、封止用メタライズ層104および金属枠
体112を省略している。 Further, in this electronic component storage package, for example, as shown in FIG.
Has the following effects when the groove 108 is filled at the lower end portion of the groove 108 and is layered on the inner surface of the groove 108 at the upper end portion. 3 (a) is a top view showing an electronic component storing package of Reference Example, and FIG. 3 (b) is a cross-sectional view taken along line X-X 'in FIG. 3 (a). In FIG. 3, the same parts as those in FIG. In FIG. 3A, the metallizing layer 104 for sealing and the metal frame 112 are omitted for easy viewing.

この場合には、例えば、上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートと導体109となる金属ペーストとの焼成収縮のミスマッチにより導体109が上部絶縁層101ｂの上面から突出することを抑制することができる。そのため、上部絶縁層101ｂの上面の平坦性を高
く確保することができ、上部絶縁層101ｂの上面に蓋体113等の封止部材を接合するときの接合性を向上させることができる。 In this case, for example, it is possible to suppress the conductor 109 from protruding from the upper surface of the upper insulating layer 101b due to a mismatch in firing shrinkage between the ceramic green sheet to be the upper insulating layer 101b and the metal paste to be the conductor 109. Therefore, high flatness of the upper surface of the upper insulating layer 101b can be ensured, and the bonding property when the sealing member such as the lid 113 is bonded to the upper surface of the upper insulating layer 101b can be improved.

つまり、導体109となる金属ペーストの焼成収縮率が上部絶縁層101ｂとなるグリーンシート部の焼成収縮率よりも小さいため、導体109は、上端部分が上部絶縁層101ｂの上面（封止用メタライズ層104）よりも上に突出する可能性がある。   That is, since the firing shrinkage rate of the metal paste that becomes the conductor 109 is smaller than the firing shrinkage rate of the green sheet portion that becomes the upper insulating layer 101b, the upper end portion of the conductor 109 is the upper surface of the upper insulating layer 101b (the metallization layer for sealing). 104).

これに対して、導体109が上端部分において溝108の内側面に層状に被着している場合（溝108の上端部分においては導体109が溝108を充填せず、しかも溝108の下端から上端にかけて導体109が被着している場合）には、溝108の上端部分において溝108に比べて導体109の体積が小さい。そのため、上部絶縁層101ｂ（セラミックグリーンシート）に比べて収
縮量が小さい導体109（金属ペースト）の上部絶縁層101ｂの上面（封止用メタライズ層104）からの突出量を小さく抑えることができる。 On the other hand, when the conductor 109 is layered on the inner surface of the groove 108 at the upper end portion (the conductor 109 does not fill the groove 108 at the upper end portion of the groove 108, and the upper end from the lower end of the groove 108 When the conductor 109 is attached to the upper end of the groove 108, the volume of the conductor 109 is smaller than the groove 108 at the upper end portion of the groove 108. Therefore, the amount of protrusion of the conductor 109 (metal paste), which has a smaller shrinkage than the upper insulating layer 101b (ceramic green sheet), from the upper surface (the metallization layer 104 for sealing) of the upper insulating layer 101b can be suppressed.

この場合、封止用メタライズ層104の上面に凹凸が生じることをより効果的に抑制して
、金属枠体112や蓋体113を接合することができ、金属枠体112や蓋体113の接合性を向上させることができる。 In this case, the metal frame body 112 and the lid body 113 can be joined by more effectively suppressing the formation of irregularities on the upper surface of the sealing metallization layer 104, and the metal frame body 112 and the lid body 113 can be joined. Can be improved.

なお、この場合の導体109は、溝108の内側面に層状に被着しているため、封止用メタライズ層104に対して直接に接続する範囲（長さ）は溝108に導体109を充填したときと同じ
程度であり、導体109と封止用メタライズ層104との間の接続抵抗は、溝108に導体109を充填したときと同じ程度に抑えることができる。 In this case, since the conductor 109 is layered on the inner surface of the groove 108, the conductor 109 is filled in the groove 108 for the range (length) to be directly connected to the sealing metallized layer 104. The connection resistance between the conductor 109 and the sealing metallized layer 104 can be suppressed to the same level as when the groove 109 is filled with the conductor 109.

溝108の内側面に層状に被着させるときの導体109の厚さは、導体109の突出の抑制を有
効なものとするとともに、導体109の電気抵抗を低く抑えることや、溝108の内側面に対する導体109の被着の強度，生産性等を考慮して、約10〜30μｍ程度にすればよい。 The thickness of the conductor 109 when it is deposited in a layered manner on the inner side surface of the groove 108 makes it possible to suppress the protrusion of the conductor 109 and to suppress the electric resistance of the conductor 109 to a low level. In consideration of the strength, productivity and the like of the conductor 109 applied to the substrate, it may be about 10 to 30 μm.

なお、この場合の溝108の上端部分の寸法は、例えば上面視で、幅（上部絶縁層101ｂの外辺に沿った方向の寸法）が約80〜350μｍで、深さ（奥行き）が約80〜150μｍ程度の円弧状である。   The dimensions of the upper end portion of the groove 108 in this case are, for example, as viewed from above, the width (dimension in the direction along the outer side of the upper insulating layer 101b) is about 80 to 350 μm and the depth (depth) is about 80. It has an arc shape of about ~ 150 μm.

溝108の上端部分において溝108の内側面に層状に導体109を被着させる場合、溝108は、この上端部分における内径を、下端部分における内径よりも小さくするようにしてもよい。この場合には、導体109が上部絶縁層101ｂの上面に凸状に形成されることをより効果的に抑制することができる。ただし、この場合には、溝108の上端部分における内径を小さ
くすると導体109と封止用メタライズ層104との直接の接続範囲が小さくなる傾向があるため、導体109と封止用メタライズ層104との接続の電気抵抗が高くなりやすい。そのため、溝108の内側面に層状に導体109を被着させるときに、溝108の上端部分の内径を下端部分
よりも小さくするような場合でも、上端部分の内径を上記の範囲（0.12〜0.4ｍｍ程度）
に設定することが好ましい。 When the conductor 109 is deposited in a layered manner on the inner side surface of the groove 108 at the upper end portion of the groove 108, the groove 108 may have an inner diameter at the upper end portion smaller than an inner diameter at the lower end portion. In this case, the conductor 109 can be more effectively suppressed from being formed in a convex shape on the upper surface of the upper insulating layer 101b. However, in this case, since the direct connection range between the conductor 109 and the sealing metallization layer 104 tends to decrease when the inner diameter at the upper end portion of the groove 108 is reduced, the conductor 109 and the sealing metallization layer 104 The electrical resistance of the connection tends to be high. Therefore, when the conductor 109 is deposited in a layered manner on the inner surface of the groove 108, the inner diameter of the upper end portion should be within the above range (0.12-0.4) even when the inner diameter of the upper end portion of the groove 108 is made smaller than the lower end portion. mm)
It is preferable to set to.

なお、図１〜図５の例では、封止用メタライズ層104に金属枠体112を接合した形態の電子部品収納用パッケージが示されているが、これに限らず封止用メタライズ層104に直接
蓋体113を接合する形態の電子部品収納用パッケージであっても同様に気密封止の信頼性
が良好な電子部品収納用パッケージを実現できる。 In the example of FIGS. 1 to 5, an electronic component storage package in which the metal frame 112 is bonded to the sealing metallization layer 104 is shown. Even in the electronic component storage package in which the lid 113 is directly joined, an electronic component storage package with good airtight sealing reliability can be realized.

また、この電子部品収納用パッケージにおいて、例えば図４に示すように、溝108内の
導体109は、搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材115で覆われている
場合には、以下のような効果を有する。なお、図４（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。 Further, in this electronic component storage package, for example, as shown in FIG. 4, the conductor 109 in the groove 108 is covered with an insulating material 115 at least at the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion 103. It has the following effects. 4A is an enlarged bottom view of the main part showing another example of the embodiment of the electronic component storage package of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line X-- in FIG. It is sectional drawing in a X 'line. 4, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

この場合には、封止材114が溶融した際に、溶けた封止材114が導体109の搭載部103に露出した表面にまで濡れ広がり過ぎることを抑制することができる。そのため、貫通孔110
を塞ぐための封止材114のボリュームが不足することをより効果的に抑制することができ
、電子部品102の気密封止の信頼性をより高くすることができる。 In this case, when the sealing material 114 is melted, it is possible to prevent the melted sealing material 114 from being too wet to the surface exposed to the mounting portion 103 of the conductor 109. Therefore, the through hole 110
Insufficient volume of the sealing material 114 for closing the cover can be more effectively suppressed, and the reliability of hermetic sealing of the electronic component 102 can be further increased.

溝108を埋めて形成される導体109の露出した表面には、例えば上記のように１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層と、0.1〜３μｍ程度の厚みの金めっき層とが順次被着さ
れている場合があり、この場合には、溶融した封止材114の一部が導体109の露出した表面に沿って濡れ広がることがある。これに対して、導体109の搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材115で覆われている構造とすれば、この濡れ広がりを抑制する
ことができる。 For example, as described above, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are sequentially deposited on the exposed surface of the conductor 109 formed by filling the groove 108. In this case, a part of the melted sealing material 114 may spread wet along the exposed surface of the conductor 109. On the other hand, if the structure is such that at least the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion 103 of the conductor 109 is covered with the insulating material 115, this wetting and spreading can be suppressed.

絶縁材115は、上記のように封止材114の濡れ広がりを抑制するためには、導体109の搭
載部103に露出している表面の左右の両端間（幅方向）いっぱいに被着させておく必要が
ある。このような絶縁材115は、例えば上部絶縁層101ｂと同様のセラミック材料（酸化アルミニウム質焼結体等）を用いることができ、このようなセラミック材料の粉末を有機溶剤およびバインダと混練して作製したセラミックペーストを、導体109となる金属ペース
トのうち搭載部103に露出する部分の下端に塗布しておき、焼成することによって形成す
ることができる。 In order to suppress the wetting and spreading of the sealing material 114 as described above, the insulating material 115 is deposited between the left and right ends (width direction) of the surface exposed on the mounting portion 103 of the conductor 109. It is necessary to keep. For such an insulating material 115, for example, a ceramic material (such as an aluminum oxide sintered body) similar to that of the upper insulating layer 101b can be used, and the powder of such a ceramic material is kneaded with an organic solvent and a binder. The formed ceramic paste can be formed by applying it to the lower end of the portion of the metal paste that becomes the conductor 109 exposed to the mounting portion 103 and firing it.

すなわち、導体109の下端部分（貫通孔110と接する面側）が絶縁材115で覆われている
構造とするには、上記のように導体109となる導体ペーストで上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートに形成した溝108を埋めた後に、上部絶縁層101ｂの内側面に露出した導体109の下端部分を絶縁材115となる絶縁ペーストで覆うようにすればよい。なお、絶縁材115の形成は、搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材115で覆われ
るように形成すればよく、搭載部103に露出する表面の全面にスクリーン印刷して形成し
てもよい。 That is, in order to obtain a structure in which the lower end portion of the conductor 109 (the side in contact with the through hole 110) is covered with the insulating material 115, the ceramic green that becomes the upper insulating layer 101b with the conductor paste that becomes the conductor 109 as described above. After filling the groove 108 formed in the sheet, the lower end portion of the conductor 109 exposed on the inner surface of the upper insulating layer 101b may be covered with an insulating paste serving as the insulating material 115. The insulating material 115 may be formed so that at least the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion 103 is covered with the insulating material 115, and is formed by screen printing on the entire surface exposed to the mounting portion 103. May be.

さらに、例えば図５に示すように、絶縁材115は、導体109の貫通孔110を塞いでいる下
端面の外周部分に形成されていてもよい。なお、図５（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。 Further, for example, as shown in FIG. 5, the insulating material 115 may be formed on the outer peripheral portion of the lower end surface blocking the through hole 110 of the conductor 109. 5 (a) is an enlarged bottom view of the main part showing another example of the embodiment of the electronic component storage package of the present invention, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view taken along line X-- in FIG. 5 (a). It is sectional drawing in a X 'line. 5, parts similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

このように絶縁材115が形成されていても、溶融した封止材114の導体109への濡れ広が
りを抑制することができる。したがって、この場合にも、貫通孔110を塞ぐ上で十分なボ
リュームの封止材114を貫通孔110内に確保して気密封止の信頼性をより高くすることができる。この場合の絶縁材115も、図４に示す例の場合と同様の絶縁材115を用いることができる。 Even when the insulating material 115 is formed in this manner, the spread of the molten sealing material 114 on the conductor 109 can be suppressed. Therefore, in this case as well, the sealing material 114 having a sufficient volume for closing the through hole 110 can be secured in the through hole 110, and the reliability of hermetic sealing can be further increased. As the insulating material 115 in this case, the same insulating material 115 as in the example shown in FIG. 4 can be used.

絶縁材115が、導体109の貫通孔110を部分的に塞ぐ下端面の外周部分に形成された構造
とするには、例えば、上記のように導体109となる導体ペーストで上部絶縁層101ｂとなるセラミックグリーンシートに形成した溝108を埋めた後に、導体109となる金属ペーストの下端面の少なくとも貫通孔110の開口に接する外周部分に、上記と同様の絶縁ペーストを
印刷すればよい。なお、導体109は、封止用メタライズ層104と環状の金属層111や絶縁基
体101の下面に形成される配線導体107とを電気的に接続する導電経路として作用する場合があるため、導体109と環状の金属層111との電気的な接続性を悪化させないように形成することが好ましい。 In order to obtain a structure in which the insulating material 115 is formed on the outer peripheral portion of the lower end surface that partially closes the through hole 110 of the conductor 109, for example, the upper insulating layer 101b is formed with the conductor paste that becomes the conductor 109 as described above. After filling the groove 108 formed in the ceramic green sheet, an insulating paste similar to the above may be printed on at least the outer peripheral portion in contact with the opening of the through hole 110 on the lower end surface of the metal paste to be the conductor 109. The conductor 109 may act as a conductive path that electrically connects the sealing metallization layer 104 and the annular metal layer 111 or the wiring conductor 107 formed on the lower surface of the insulating base 101. And the annular metal layer 111 are preferably formed so as not to deteriorate the electrical connectivity.

なお、貫通孔110の下側の開口の寸法に合わせて封止材114の大きさを適宜変更することにより、貫通孔110内の所望の高さに封止材114を保持させることができる。例えば、円形状の貫通孔110の内径（直径）が200μｍであるときに、半径100μｍの扇形状に上側の開
口を形成した場合には、ろう材ボール等の封止材114（球状）の径を160〜180μｍ程度と
することにより、封止材114を貫通孔110内に容易に挿入・位置決めすることができる。この場合、貫通孔110に封止材114を挿入するためには、振動式の、孔内に球状のろう材を落とし込むような装置や治具等を用いて封止材114を下部絶縁層101ａの下面側から貫通孔110内に挿入すればよい。また、貫通孔110を下側から上側に漸次狭くするように形成してもよく、このような形状とすることにより封止材114のより確実な位置決めができる。 Note that the sealing material 114 can be held at a desired height in the through hole 110 by appropriately changing the size of the sealing material 114 in accordance with the size of the opening below the through hole 110. For example, when the inner diameter (diameter) of the circular through hole 110 is 200 μm and the upper opening is formed in a fan shape with a radius of 100 μm, the diameter of the sealing material 114 (spherical) such as a brazing material ball By setting the thickness to about 160 to 180 μm, the sealing material 114 can be easily inserted and positioned in the through hole 110. In this case, in order to insert the sealing material 114 into the through hole 110, the sealing material 114 is attached to the lower insulating layer 101a by using a vibration type apparatus or jig that drops a spherical brazing material into the hole. What is necessary is just to insert in the through-hole 110 from the lower surface side. Further, the through hole 110 may be formed so as to be gradually narrowed from the lower side to the upper side, and with this shape, the sealing material 114 can be positioned more reliably.

なお、本発明は上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の一例では、溝108は上部絶縁層101ｂの内側面のコーナー部に形成され、貫通孔110は下部絶縁層101ａの搭載部103のコーナー部に形成されていたが、溝108を上部絶縁層101ｂのその他の内側
面（例えば、長辺の中央部等）に設けておいて、貫通孔110をそれに合わせた位置に設け
てもよい。さらに、上述の実施の形態の一例では上部絶縁層101ｂに設けた溝108や貫通孔110は、その形状を円形状または円弧状としたが、封止構造にあわせて楕円状や四角形状
として設けてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the example of the embodiment described above, the groove 108 is formed in the corner portion of the inner surface of the upper insulating layer 101b, and the through hole 110 is formed in the corner portion of the mounting portion 103 of the lower insulating layer 101a. The groove 108 may be provided on the other inner surface of the upper insulating layer 101b (for example, the central portion of the long side), and the through hole 110 may be provided at a position corresponding to the groove. Furthermore, in the example of the above-described embodiment, the groove 108 and the through hole 110 provided in the upper insulating layer 101b have a circular shape or an arc shape, but are provided in an elliptical shape or a rectangular shape according to the sealing structure. May be.

また、図２に示すような、溝108の内径を上端部分で小さくして導体109で溝108を埋め
た構成や、図３に示すような、溝108の下端部分において導体109が溝108を埋め、上端部
分において溝108の内側面に導体109が層状に被着している構成においても、溝108内の導
体109の搭載部103に露出する表面の少なくとも下端部分を絶縁材115で覆うようにしても
よい。この場合には、蓋体113等の接合を容易とする効果に加えて、さらに封止材114の濡れ広がりを抑制する効果を得ることができる。 Further, as shown in FIG. 2, the groove 108 has a smaller inner diameter at the upper end and the conductor 109 fills the groove 108, or the conductor 109 has a groove 108 at the lower end of the groove 108 as shown in FIG. Even in the configuration in which the conductor 109 is layered on the inner side surface of the groove 108 at the upper end portion, at least the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion 103 of the conductor 109 in the groove 108 is covered with the insulating material 115. It may be. In this case, in addition to the effect of facilitating the joining of the lid 113 and the like, an effect of further suppressing the wetting and spreading of the sealing material 114 can be obtained.

101・・・絶縁基体
101ａ・・・下部絶縁層
101ｂ・・・上部絶縁層
102・・・電子部品（圧電振動子）
103・・・搭載部
104・・・封止用メタライズ層
105・・・接続パッド
106・・・接合材
107・・・配線導体
108・・・溝
109・・・導体
110・・・貫通孔
111・・・環状の金属層
112・・・金属枠体
113・・・蓋体
114・・・封止材
115・・・絶縁材 101 ... Insulating substrate
101a ... Lower insulation layer
101b ... Upper insulating layer
102 ・ ・ ・ Electronic components (piezoelectric vibrator)
103 ・ ・ ・ Mounting part
104 ・ ・ ・ Metalizing layer for sealing
105 ・ ・ ・ Connection pad
106 ・ ・ ・ Joint material
107 ・ ・ ・ Wiring conductor
108 ・ ・ ・ Groove
109 ... conductor
110 ... through hole
111 ・ ・ ・ Ring metal layer
112 ・ ・ ・ Metal frame
113 ・ ・ ・ Cover
114 ・ ・ ・ Sealing material
115 ・ ・ ・ Insulating material

Claims (2)

上面に電子部品を搭載するための搭載部を有する下部絶縁層と、該下部絶縁層上に前記搭載部を取り囲むように積層され、上面に蓋体が接合される枠状の上部絶縁層とを具備する電子部品収納用パッケージであって、
前記上部絶縁層の内側面に下端から上端にかけて溝が形成されているとともに、該溝の内側面の下端から上端にかけて導体が、前記溝を埋めて被着されており、前記下部絶縁層に、上側の開口が部分的に前記溝内の前記導体の下端面で塞がれた貫通孔が形成され、該貫通孔の内側面に該内側面を一周する環状の金属層が被着されており、前記溝の上端部分における内径が下端部分における内径よりも小さいことを特徴とする電子部品収納用パッケージ。 A lower insulating layer having a mounting portion for mounting an electronic component on the upper surface, and a frame-shaped upper insulating layer laminated on the lower insulating layer so as to surround the mounting portion and having a lid bonded to the upper surface. An electronic component storage package comprising:
With grooves toward the upper end is formed from the lower end on the inner surface of the upper insulating layer, the conductor toward the upper end from the lower end of the inner side surface of the groove is, has been deposited to fill the groove, the lower insulating layer, through hole upper opening is blocked by the lower end surface of the conductor part on the groove is formed, an annular metal layer around the inner side surface on the inner surface of the through hole are deposited An electronic component storage package , wherein an inner diameter of the upper end portion of the groove is smaller than an inner diameter of the lower end portion . 前記溝内の前記導体は、前記搭載部に露出する表面の少なくとも下端部分が絶縁材で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品収納用パッケージ。 It said conductor, an electronic component storing package according to claim 1, wherein at least the lower end portion of the surface exposed to the mounting portion is characterized by being covered with an insulating material in the trench.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013182042A (en) * 2012-02-29 2013-09-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Light input output device
JP2017011025A (en) * 2015-06-18 2017-01-12 京セラ株式会社 Electronic component housing package, electronic apparatus and electronic module
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3982441B2 (en) * 2003-03-26 2007-09-26 セイコーエプソン株式会社 Piezoelectric device
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