JP5649389B2 - 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、複数の電子ビームで基板上にパターンを描画するマルチ電子ビーム描画装置の構成を示す図である。電子銃211はクロスオーバ像212を形成する。クロスオーバ像212から発散した電子ビームは、電磁レンズで構成されたコリメーターレンズ213の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ216に入射する。アパーチャアレイ216は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビームは複数の電子ビームに分割される。電子銃211、コリメーターレンズ213、アパーチャアレイ216は、複数の電子ビーム(荷電粒子線)を生成する生成部を構成している。
第2実施形態では、シャッター機構225の駆動誤差が開口径に対して十分に大きい。図8は、シャッター機構225の駆動誤差が開口径に対して十分大きい場合のシャッターブレード226の駆動目標位置405と、グレー欠陥になる可能性のある開口群406を示す図である。図8には、アパーチャアレイ216に配置された開口401と、白欠陥が存在する開口402も示す。図8の±ΔXは、シャッター機構225の駆動誤差範囲を示している。図8では、シャッターブレード226の右端が駆動目標位置405に停止した場合を示している。シャッター機構225の駆動誤差が大きいため、グレー欠陥になる可能性のある開口群406も大きい領域となってしまう。そして、シャッター機構225による遮光領域に隣接する領域のグレー欠陥になる可能性のある電子ビーム開口群406については、正常なブランキング偏向器218を使用して、描画中に電子ビームをオフし続けるように動作させれば良い。
第3実施形態では、図9に示されるように、アパーチャアレイ216が第1実施形態及び第2実施形態とは異なる開口配置を有する。開口401は、X方向にN行、Y方向にM列の完全な格子状の開口配置からX方向に相互に距離L3だけずれた千鳥配置となっている。図9ではX方向の列が上から次の列に順次L3ずつ、ずれていき、ずれ量がL1と同じになる列で、開口401のX方向の位置は周期的に第1行と同じ位置になる。この周期のY方向の長さL5とX方向のビーム領域の長さL4でできる領域を1千鳥ブロックと呼ぶ。
第1実施形態〜第3実施形態では、シャッターブレード226が1枚のときのみを説明してきたが、必ずしも1枚である必要はない。図11はアパーチャアレイ216の中に、白欠陥のブランキング偏向器218に対応する開口402が2箇所にある場合を示す。シャッター機構225は、X軸方向にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレード226a,226bを複数備えることができる。そうすると、シャッターブレード226が1枚のときよりも遮光する電子ビームの領域を狭くすることができ、描画時の処理時間の低下をより低く抑えることが可能になる。この場合には、シャッターブレード226aの右端と、シャッターブレード226bの左端からシャッターブレード226a,226bの駆動目標位置が算出される。さらに、正常なブランキング偏向器218を使用して描画中に電子ビームをオフし続ける領域が算出される。X軸方向に駆動可能なシャッターブレードを2枚構成するのではなく、Y軸方向にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレードを2枚構成するようにしたりしても良い。また、互いに直交する2つの方向(X軸方向とY軸方向)にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレードを1枚ずつ構成するようにしたりしても良い。
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、FPDのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の電子線描画装置を描画する工程と、前記パターンが描画された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。
Claims (7)
- 基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
入射する荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させず、入射する荷電粒子線を偏向しないことで前記基板に入射させる複数の偏向器、および、入射する荷電粒子線を偏向できない異常偏向器を有するブランキング部と、
シャッターブレードを駆動し、駆動した前記シャッターブレードによって、前記異常偏向器に入射する荷電粒子線を遮断するシャッター機構と、
前記ブランキング部および前記シャッター機構を制御する制御部と、
を備え、
前記複数の偏向器には、前記制御部により前記異常偏向器に入射する荷電粒子線を遮断するように制御された前記シャッター機構が前記シャッターブレードを駆動する際に生じる駆動誤差に起因して、一部分が遮断される荷電粒子線が入射する偏向器が含まれ、
前記制御部は、前記一部分が遮断される荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させないように前記ブランキング部を制御して、前記一部分が遮断される荷電粒子線を前記パターンの描画に使用しないようにする、
ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。 - 前記シャッター機構は、前記シャッターブレードの駆動誤差に基づいて前記シャッターブレードを駆動する、ことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記異常偏向器を検出する検出部をさらに備え、
前記一部分が遮断される荷電粒子線は、前記検出部の検出結果と前記駆動誤差とに基づいて、特定される、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の荷電粒子線描画装置。 - 前記異常偏向器は、入射する荷電粒子線を一部分のみ偏向できない偏向器を含む、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記シャッター機構は、前記シャッターブレードを複数備える、ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記シャッター機構は、前記複数の荷電粒子線と直交する平面に沿って前記シャッターブレードを駆動する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記パターンを描画された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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