JP5645226B2 - 真空積層装置および真空積層装置の制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体または弾性板を前記真空チャンバ内に突出または膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置および真空積層装置の制御方法に関するものである。

従来、上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体を前記真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置としては、特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１では、加圧膜内を真空から圧空に切換えるとき、加圧膜内を一旦大気に連通させる工程を設けて、空気圧を段階的に変化させて加圧膜の局部的な跳ね上がりを防止することが記載されている。しかし特許文献１では、チャンバ内の真空度については、所定の真空度に達したときに電気信号を発すると記載されるのみである。すなわち従来の真空積層装置では、チャンバ内を必要な真空度にすることの可能な真空ポンプが選定され、真空ポンプは何ら制御されることなく連続運転を行っているのが実態である。また特許文献１では、真空センサが設定した所定値に到達したときに、加圧膜内への真空吸引を停止することも記載されている。しかしこれについても真空ポンプは何ら制御されることなく、バルブを開閉することにより加圧膜内への真空吸引を停止しているに過ぎない。

また特許文献２は、弾性膜体を真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置に関するものではなく、真空ホットプレスに関するものであるが、真空ポンプの制御について記載されている。特許文献２は、予め設定した所定幅のヒステリシスに基づいて真空チャンバに接続された真空ポンプを起動・停止する。

特開２００２−２２５０６１号公報（０００８、０００９、図１） 特開２００９−２９８００７号公報（請求項１、図２）

しかしながら特許文献２は、真空ポンプを起動・停止して、真空度を所定値に制御するものに留まり、真空度が多段階に変更制御可能なものではない。そして特許文献２については、真空ポンプの起動と停止を繰り返す際にポンプの負荷が大きいので、ポンプの故障を招いたり、ポンプの寿命を短くする場合があった。また真空ポンプを短時間で起動と停止を繰り返した場合については、起動時の電力消費量が大きくて、狙っているほどの省エネルギー化に繋がらない場合があった。更に特許文献２については、成形工程における各種の要請に応じて最適の真空度を選択することができないものであった。

そこで本発明は、上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体または弾性板を前記真空チャンバ内に突出または膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置および真空積層装置の制御方法において、成形工程における各種の要請に応じて真空度を制御することができる真空積層装置とその制御方法を提供することを目的とする。または真空ポンプの回転数を制御するものにおいては、真空ポンプに過大な負荷をかけることなく省エネルギー化を実現することができる真空積層装置とその制御方法を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に記載の真空積層装置は、加熱可能な上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体を加圧気体供給装置により前記真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置において、１成形中の弾性膜体による加圧前および加圧中の前記真空チャンバ内の真空度が多段階に変更可能に設けられたことを特徴とする。

本発明の請求項２に記載の真空積層装置は、請求項１において、真空ポンプは回転数を制御可能なインバータにより制御可能なモータまたはサーボモータにより回転数が制御されることを特徴とする。

本発明の請求項３に記載の真空積層装置の制御方法は、加熱可能な上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体を加圧気体供給装置により前記真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置の制御方法において、
１成形中の弾性膜体による加圧前および加圧中の前記真空チャンバ内の真空度が多段階に変更されることを特徴とする。

本発明の請求項４に記載の真空積層装置の制御方法は、請求項３において、1成形中の真空ポンプの回転数の制御は、オープン制御とクローズド制御の両方により制御されることを特徴とする。

本発明の真空積層装置は、加熱可能な上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体を加圧気体供給装置により前記真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置において、１成形中の弾性膜体による加圧前および加圧中の前記真空チャンバ内の真空度が多段階に変更可能に設けられているので、成形工程における各種の要請に応じて真空度を制御することができる。また真空ポンプの回転数を制御するものにおいては、真空ポンプに過大な負荷をかけることなく省エネルギー化を実現できる。

本実施形態の真空積層装置の概略説明図である。 本実施形態の真空積層装置の制御方法に関する全体図である。 本実施形態の真空積層装置の制御方法に関する部分図である。 本実施形態の真空積層装置のオープンループ制御時の操作量に関する図である。 本実施形態の真空積層装置の制御方法に関するブロック図である。

本実施形態の真空積層装置１１について、図１を参照して説明する。本実施形態の真空積層装置１１は、積層成形品Ｍを構成する積層材と被積層材を真空積層装置１１の一側からキャリアフィルムＦとともに搬入して真空積層装置１１内にて加圧して積層成形し、前記真空積層装置１１の他側から搬出して後工程に移送するものである。真空積層装置１１は、上盤１２と下盤１３を閉鎖されて真空ポンプ１４により真空吸引可能な真空チャンバＣが形成され、少なくともいずれか一方の盤１２，１３に設けられた弾性膜体１５を前記真空チャンバＣ内に膨出させて積層成形品を加圧する。

より具体的には、上盤１２に対して下盤１３が相対向して設けられており、図示しない油圧シリンダにより上盤１２に対して下盤１３が近接離間移動可能となっている。そして下盤１３が前記油圧シリンダにより上昇され上盤１２と下盤１３が閉鎖された際に真空ポンプ１４に連通される所定容積の真空チャンバＣが形成されるようになっている。なお真空チャンバＣを形成するための上盤１２や下盤１３の動作については他の方式でもよい。そして上盤１２の下面と下盤１３の上面の中央には加熱可能な熱板１６と熱板１７がそれぞれ取付けられている。下盤１３の上面のうちの周辺部分の熱板１７が設けられていない部分と、熱板１７の上面を覆う形で弾性膜体１５（シリコンゴム等の耐熱ゴムからなるダイアフラム）が取付けられている。そして弾性膜体１５における下盤１３と当接する部分の上には、枠状の側壁部１８が固定され、弾性膜体１５は側壁部１８と下盤１３との間に挟まれて固定されている。また前記側壁部１８の上面の上盤１２と対向する面にはＯリング挿入用の溝が形成されシール部材であるＯリング１９が挿入されている。Ｏリング１９は平面視した際に真空チャンバＣを取り囲むように設けられる。

上盤１２についても下盤１３側の側壁部１８と対向する所定幅の周辺部分には、一段と高い（下盤１３に向けて突出した）側壁部１２ａが設けられている。そして側壁部１２ａにおける下盤１３側と対向する面が、Ｏリング１９との当接面となっている。従って上盤１２と下盤１３が当接された際に、側壁部１８および側壁部１２ａを加えた高さにより真空チャンバＣの高さが形成される。ただし真空チャンバＣの内部には熱板１６，１７等が設けられる。また上盤１２の熱板１６の表面（下面）にもシリコンゴム等の耐熱ゴムからなる弾性板２０が貼着され固定されている。本実施形態では下盤１３の弾性膜体１５のみが真空チャンバＣ内に膨出されるようになっているが、上盤１２に膜体の裏面側に加圧空気を供給可能な弾性膜体を設け、上盤１２側の弾性膜体だけが真空チャンバＣ内に膨出されるようにしてもよく、上盤１２と下盤１３にそれぞれ設けた弾性膜体が真空チャンバＣ内に膨出されるようにしてもよい。

次に真空チャンバＣ内を真空吸引する機構と弾性膜体１５を作動させる機構について説明する。真空積層装置１１には、上盤１２と下盤１３の間に形成された真空チャンバＣ内を真空吸引可能な真空ポンプ１４が設けられている。本実施形態で使用されるポンプは、インバータ２１から周波数がモータ２２（三相交流式誘導モータ）へ送られることにより、モータ２２の回転数が変更制御されるものである。なお回転数を制御可能な真空ポンプ１４のモータは、インバータ２１により回転数が制御されるものに限定されず、サーボモータにより回転数が制御されるもの等でもよい。また本実施形態では真空ポンプ１４は、スクリュ式のドライポンプが使用される。しかしルーツ式のドライポンプを用いたものでもよく、他の種類の真空ポンプであってもよい。また真空ポンプの数についても限定されない。例えば粗引き真空ポンプと使用真空域で用いる真空ポンプを併用するようにしてもよい。

真空ポンプ１４からは、真空チャンバＣに向けて管路２３が設けられている。管路２３は、上盤１２と下盤１３の少なくとも一方に接続されるように設けていればよいが、本実施形態では弾性膜体１５が取付けられていない上盤１２の連通孔２４に接続されている。また連通孔２４の数も限定されない。そして前記管路２３の途中には管路２３を開閉可能な三方切換弁２５が設けられている。そして三方切換弁２５における真空チャンバＣと連通可能なもう一方のポート（大気に連通される側）には真空チャンバＣ内を真空破壊する際に使用されるサイレンサ２６が取付けられている。

また管路２３には、真空度を測定する真空センサ２７が設けられている。そして真空センサ２７は真空積層装置１１の制御装置３７に接続されている。本実施形態の制御装置３７については、真空ポンプ１４の回転数の制御の他、真空積層装置１１の各制御を行う。また管路２３から分岐して、下盤１３の弾性膜体１５の下方に向けて管路２８が分岐している。そして管路２８には該管路２８を開閉可能な三方切換弁２９が設けられている。

真空積層装置１１には、真空チャンバＣ内で弾性膜体１５を膨出させるために弾性膜体１５の下方に加圧空気を送るための加圧気体供給装置３０が設けられている。本実施形態において加圧気体供給装置３０は、大気を加圧して送る一般的なコンプレッサが設けられているが、特殊なガスなどを利用するものや圧力がクローズドループ制御可能なものでもよい。そして加圧気体供給装置３０からの管路３１は、前記の真空ポンプ１４からの管路２８と合流して、下盤１３の連通孔３８に接続されている。また管路３１には管路３１を開閉可能な開閉弁３２が設けられている。更に管路３１または三方切換弁２９よりも連通孔３８側の管路２８には空気圧センサ３３が設けられている。更に管路３１から大気へ連通される管路３４が分岐され、管路３４の途中には管路３４を開閉する開閉弁３５が設けられ、管路３４の端部にはサイレンサ３６が取付けられている。更に場合によっては、管路３１に空気圧を制御するレギュレータを取付けるようにしてもよい。なお真空積層装置１１の真空回路または加圧回路については、三方切換弁２９の使用に替えて開閉弁を使用するなど、上記に限定されない。また真空センサの場所も真空チャンバＣの側と弾性膜体１５の側とに別個に設けるなどしてもよく限定されない。更には真空レギュレータを設けたものでもよい。

そして弾性膜体１５の下方の熱板１７については、表面に一定深さの溝が十字に形成されていて、その中央付近の溝の何本かに、連通孔３８が接続されるようになっている。従って弾性膜体１５の裏面に対する吸引または加圧は、ほぼ同時に近く弾性膜体１５全体に及ぼされるようになっている。なお管路２８が接続される熱板１７の形状や連通孔３８の数については上記に限定されない。

また本発明にとって弾性膜体１５を膨出させる手段についても上記に限定されない。弾性膜体１５により加圧を行うための媒体は、加圧空気の他、別のガスや水や油などの液体であってもよい。更には真空チャンバに対して、弾性膜体の下方に常圧の大気を送ることによっても相対的な圧力差により弾性膜体を膨出させて加圧を行うことができる。また真空積層装置についても上記に限定されず、平滑なプレス板に貼着された弾性板を油圧シリンダやサーボモータ等により前記真空チャンバ内に突出させて他の弾性板との間で積層成形品を加圧するものでもよい。

次に真空積層装置１１の制御方法について図２，３，４を中心に説明する。本発明では真空積層装置１１による積層成形品Ｍの積層成形は、バッチ式により行われ、１成形サイクル毎に真空チャンバＣの形成と開放が行われる。真空積層装置１１の最初の状態は、上盤１２に対して下盤１３が下方に移動されて、真空チャンバＣが開放された状態である。この状態でキャリアフィルムＦにより未成形の積層成形品Ｍの真空積層装置１１内への搬入され、同時に成形が完了した積層成形品Ｍが真空積層装置１１から外部へ搬出される。

この際に並行して、弾性膜体真空吸引工程ｔ１を行う。弾性膜体真空吸引工程ｔ１では、三方切換弁２５により真空ポンプ１４と真空チャンバＣの間の閉鎖した状態で、三方切換弁２９により真空ポンプ１４と弾性膜体１５の下方の間を連通させて、弾性膜体１５の下方の熱板１７との間の部分を真空吸引する。本実施形態では、この真空吸引における設定値は、一例として５０ｈＰａである。この際真空ポンプ１４の制御は、図３に示されるように最初はオープン制御により制御される。本実施形態のオープン制御は、図４に示されるように、予め真空センサ１４によって検出された検出値に対応した操作量（制御装置３７からインバータ２１へ送られる電圧指令値）が定められており、インバータ２１では前記操作量に基づいて真空ポンプ１４のモータ２２へ周波数を送り、真空ポンプ１４を所定の回転数で回転させる。即ち、真空センサ２７による検出値が低真空状態のときはモータ２２の操作量（回転数）も相対的に低く、高真空となるにつれてモータ２２の操作量（回転数）が相対的に高くなるように制御カーブが予め定められている。

そして図３に示されるように弾性膜体１５の下方の真空度（真空センサ２７の検出値）が予め設定した真空度に近づいてきて、真空センサ２７が所定の応差を見込んだ切替圧力ｐ１を検出すると、図５のブロック図に示されるように真空ポンプ１４の制御をオープンループ制御からクローズドループ制御に変更する。本実施形態のクローズドループ制御については、真空ポンプ１４を停止するわけではないので、真空センサ２７により検出された真空度に対応した操作量（フィードバック制御の回転数）に対して、一定の操作量（フィードフォーワード制御の回転数）を加算して、真空ポンプ１４のモータ２２の回転数の制御信号を生成し、インバータ２１へ送る。インバータ２１では前記制御信号に基づいてモータ２２の回転数を直接制御するための周波数をモータ２２へ送る。

このクローズドループ制御におけるフィードバック制御は、ＰＩＤ制御により行われ、ＰＩＤのゲインや外乱除去フィルタの値等がそれぞれ設定されるようになっている。これらの制御値は、オープンループ制御同様に、真空センサ２７により検出される真空度により異なるので、真空度に応じてＴＡＢＬＥ１、ＴＡＢＬＴＥ２、ＴＡＢＬＥ３というようにそれぞれ異なるＰＩＤゲイン等が設定されるようになっている。

またクローズドループ制御の区間については、設定値に対して所定の真空監視幅を有する閾値が設けられている。そして何らかの理由により真空センサ２７が閾値を超えた場合は、エラー表示して成形を一旦終了する。なお上限の閾値を超えた際には真空ポンプ１４を停止し、または下限の閾値を超えた際には監視幅に入るまでは真空ポンプ１４の回転数の上限で回転するなどしてもよい。

そして次に積層成形品Ｍの真空積層装置１１への搬入が完了後に、下盤１３が上昇されて上盤１２と下盤１３の間にＯリング１９により周囲がシールされた真空チャンバＣが形成される（この際までは真空チャンバＣ内は当然大気圧である）と、真空チャンバ内真空工程ｔ２を開始する。まず三方切換弁２９を作動させて真空ポンプ１４と弾性膜体１５の下方の間の管路２８を閉鎖し、次に三方切換弁２５を作動させて真空ポンプ１４と真空チャンバＣの間の管路２３を連通させる。そのことにより真空チャンバＣ内の大気が管路２３内に流入し、真空ポンプ１４側に設けられている真空センサ２７の検出値は、一旦大気圧近くまで上昇する。そして弾性膜体真空吸引工程ｔ１と同様に、真空チャンバ内真空工程ｔ２についても当初は、図３に示されるように、真空ポンプ１４はオープンループ制御により制御される。そして多段階制御のうちの最初の真空設定１の真空設定値（これに限定されないが一例として４０ｈＰａ）が近づいて切換圧力ｐｎが検出されると、真空ポンプ１４の制御は、クローズドループ制御（フィードフォーワード制御を含む）に切替えられる。そして真空センサ２７により検出される真空度に対応するＴＡＢＬＥのＰＩＤゲインによりインバータ２１を介して真空ポンプ１４のモータ２２の回転数の制御が行われる。また真空チャンバＣおよび管路２３が一定の減圧状態となると、再び三方切換弁２９を作動させて管路２８を連通させ、弾性膜体１５の下方の真空吸引も行う。そのことにより、真空チャンバＣの真空度と弾性膜体１５の下方の真空度がほぼ等しくなるので意図しない弾性膜体１５の浮き上がりが防止される。

そして制御装置３７のタイマによりクローズドループ制御における真空設定１の時間が完了すると、次に真空設定２（これに限定されないが一例として１０ｈＰａ）に移行する。その際に真空設定１と真空設定２の真空設定値の差が小さい場合は、クルーズループ制御は継続するもののその設定値を真空設定２に変更してポンプの回転数のクローズドループ制御を行う。しかし真空設定１と真空設定２で真空設定値の差が大きい場合は、その間でオープンループ制御を行うようにしてもよい。そして次の真空設定２の途中で三方切換弁２９を作動させて管路２８の真空ポンプ１４と弾性膜体１５の間の管路２８を閉鎖し、開閉弁３２を開放して、加圧気体供給装置３０と弾性膜体１５の下方を連通する。そのことにより真空チャンバ内真空工程ｔ２から加圧工程ｔ３へ移行する。なお加圧工程ｔ３において用いられる加圧気体供給装置３０については、常時作動しているか、または少なくとも開閉弁３２の開放までに作動させる。そのことにより弾性膜体１５の下方に加圧空気が供給され、弾性膜体１５が真空チャンバＣ内に膨出され、積層成形品Ｍが前記弾性膜体１５と上盤１２の弾性板２０との間で押圧される。

なおこの際まで真空チャンバＣ内を真空化しておいて、積層成形品Ｍの加圧を遅らせている第１の理由は、積層成形品Ｍに対して上盤１２の熱板１６と下盤１３の熱板１７から熱を伝達して、積層成形品Ｍの積層材（樹脂）を溶融状態または半溶融状態に変化させるためである。また別の理由としては、大気状態から搬入された積層成形品Ｍの内部や積層成形品ＭとキャリアフィルムＦの間から脱気を行うためである。従って積層成形品Ｆに熱を伝達するだけの目的の場合は、真空チャンバ内真空工程ｔ２における真空チャンバＣの真空度をさほど上昇させる必要がない場合もあり、その場合は真空ポンプ１４の回転数を低下させることにより省エネルギー化を図ることができる。

そして制御装置３７のタイマにより真空設定２の時間が完了すると、次に真空設定３（これに限定されないが真空設定値は一例として１ｈＰａ）に移行する。この場合も前記同様に真空設定２と真空設定３の真空度の設定値の差が小さい場合は、継続してクローズドループを行うが、真空度の設定値の差が大きい場合は、その間でオープンループ制御を行うようにしてもよい。これらの真空チャンバＣにおける真空度の設定を多段階に行うための真空設定１、真空設定２、真空設定３については、いずれも弾性膜体真空吸引工程と同様に真空監視幅が設定されている。

なお本実施形態において１サイクルを意味する１成形中の真空度の設定は、真空設定１、真空設定２、真空設定３の３段階からなり、後半ほど真空度の設定値が高くなっているが、後半が真空度が高くなるものに限定されない。また真空ポンプ１４を制御して１成形中の真空チャンバＣ内の真空度が多段階に変更可能に設けられたものにおいては、その段数は限定されるものではなく、真空度が所定の傾斜やカーブを描く制御も多段階の一つに含まれる。

真空ポンプ１４の回転数を変化させて真空度を変更制御する理由としては、省エネルギー化のほかに真空ポンプ１４の部品の長寿命化の目的もある。即ち必要以上の回転数でポンプを回転させ続けることを防止して真空ポンプ１４の寿命を延ばすことが可能となる。更には積層成形品Ｍの成形性の向上のためにも望ましい場合も考えられる。即ち真空度を調整することは、同じ圧力で弾性膜体１５を加圧していても、相対的に弾性膜体１５からの加圧力が変更されることに繋がり、加圧力の制御が可能となる。更には成形時に真空吸引されることにより積層成形品Ｍから有用な成分が外部へ吸引される場合は、最適な吸引力で吸引することにより、有用な成分の流出が防止または減少させることができる。

また本発明において、真空ポンプ１４の制御方法については、上記のパターンに限定されない。１成形サイクルの全ての工程をオープンループ制御にて行うようにしてもよい。この場合、各種の要請に応じて、予め多段に回転数を設定しておくことができる。操作量に対応する真空ポンプ１４の回転数で達成される真空チャンバＣの真空度は、予め実験によりある程度把握可能であるので、省エネルギー化やポンプの保護等を目的として、必要最低限の真空度で積層成形を行うこともできる。また。１成形サイクルの全ての工程をクローズドループ制御にて行うようにしてもよい。この場合大気圧から急激に真空度を上げていく区間は、真空センサによる検出が出来ないと実質的にオープンループ制御に近くなってしまう。また急激に真空度を上げる必要のある区間の制御についてはオープンループ制御のほうが結果的に早く真空度が上がる場合もある。

更にはクローズドループ制御においても、上記の実施形態のようにフィードフォーワード制御の要素を加えない制御を行うようにしてもよい。この場合は原則としては真空センサ２７の検出値が設定値に到達すると真空ポンプ１４のモータ２２の回転が停止され、真空センサ２７の検出値が設定値から低下すると再度真空ポンプ１４のモータ２２が回転される。ただしＰＩＤゲインを調整することにより、制御が過敏とならず、なるべく真空ポンプ１４のモータが停止しないように制御することが望ましい。

そして加圧工程ｔ３が終了すると開閉弁３２が閉鎖されて弾性膜体１５の下方への加圧空気の供給が断たれる。そして開閉弁３５が開放され、弾性膜体１５の下方の加圧空気が大気に放出される。またほぼ同時に三方切換弁２５を作動させて、真空チャンバＣ内を大気に連通させて真空チャンバＣの真空破壊を行う。そして真空チャンバＣ内が大気圧となると、図示しない油圧シリンダを作動させて下盤１３を下降させ、真空チャンバＣを大きく開放する。そして上述のようにキャリアフィルムＦを移動させて積層成形された積層成形品Ｍを真空積層装置から取出す。またほぼ同時に開閉弁３５を閉鎖し次に三方切換弁２９を作動させて再び真空ポンプ１４により弾性膜体１５の下方の真空吸引を行う。

また図示はしないが別の実施形態として、真空レギュレータを用いて１成形中の真空チャンバＣの真空度を多段階に変更するようにしてもよい。その場合、上記した真空ポンプ１４の回転数の制御と、真空レギュレータの制御を組合せるようにしてもよい。また真空ポンプ１４は一定回転数または最大回転数で回転させ、真空度の制御は真空レギュレータのみにより行うようにしてもよい。ただし真空レギュレータを使用する場合は、真空ポンプ１４の回転数のみを制御する場合と比較して、省エネルギー化に繋がらない場合がほとんどである。

本発明については、一々列挙はしないが、上記した本実施形態のものに限定されず、当業者が本発明の趣旨を踏まえて変更を加えたものについても、適用されることは言うまでもないことである。本発明の真空積層装置１１は、ビルドアップ基板を含む各種の回路基板の他、液晶装置、半導体、太陽電池等、各種成形品に用いられる。

１１ 真空積層装置
１２ 上盤
１３ 下盤
１４ 真空ポンプ
１５ 弾性膜体
２１ インバータ
２２ モータ
２７ 真空センサ
３７ 制御装置
Ｃ 真空チャンバ
Ｍ 積層成形品

Claims (4)

1. 加熱可能な上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体を加圧気体供給装置により前記真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置において、
   １成形中の弾性膜体による加圧前および加圧中の前記真空チャンバ内の真空度が多段階に変更可能に設けられたことを特徴とする真空積層装置。
2. 真空ポンプは回転数を制御可能なインバータにより制御されるモータまたはサーボモータにより回転数が制御されることを特徴とする請求項１に記載の真空積層装置。
3. 加熱可能な上盤と下盤とが閉鎖されて真空ポンプにより真空吸引可能な真空チャンバが形成され、少なくともいずれか一方の盤に設けられた弾性膜体を加圧気体供給装置により前記真空チャンバ内に膨出させて積層成形品を加圧する真空積層装置の制御方法において、
   １成形中の弾性膜体による加圧前および加圧中の前記真空チャンバ内の真空度が多段階に変更されることを特徴とする真空積層装置の制御方法。
4. 1成形中の前記真空ポンプの回転数は、オープン制御とクローズド制御の両方により制御されることを特徴とする請求項３に記載の真空積層装置の制御方法。