JP5644779B2 - Exposure method, exposure apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method - Google Patents

Exposure method, exposure apparatus, pattern forming method, and device manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は、感光性を有する基板にパターンを転写する走査露光に関する。
本願は、２０１０年２月２日に出願された米国仮出願６１／３００，５７４号、及び６１／３００，５９９に基づき優先権を主張しその内容をここに援用する。The present invention relates to scanning exposure for transferring a pattern to a photosensitive substrate.
This application claims priority based on US provisional applications 61 / 300,574 and 61 / 300,599 filed on February 2, 2010, the contents of which are incorporated herein by reference.

パソコン、テレビ等の表示素子として、液晶表示パネルが多用されている。最近では、フレキシブルな高分子シート（感光性基板）上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法でパターニングすることにより表示パネルを製造する方法が考案されている。このフォトリソグラフィ工程において用いられる露光装置として、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）で搬送される帯状の感光性基板にマスクのパターンを転写する露光装置（以下、ロール・ツー・ロール型の露光装置という）が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。   Liquid crystal display panels are frequently used as display elements for personal computers and televisions. Recently, a method of manufacturing a display panel by patterning a transparent thin film electrode on a flexible polymer sheet (photosensitive substrate) by a photolithography technique has been devised. As an exposure apparatus used in this photolithography process, an exposure apparatus for transferring a mask pattern onto a strip-shaped photosensitive substrate conveyed by roll to roll (hereinafter referred to as roll-to-roll type exposure). Have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開２００７−１１４３８５号公報JP 2007-114385 A

ロール・ツー・ロール型の露光装置では、帯状の感光性基板（すなわち長尺基板）へのパターンの転写にかかるスループットの向上を図ることが求められている。   In the roll-to-roll type exposure apparatus, it is required to improve the throughput for transferring a pattern onto a strip-shaped photosensitive substrate (that is, a long substrate).

本発明の態様は、例えばロール・ツー・ロールで搬送される長尺基板への走査露光に適用したときに走査露光にかかるスループットの向上を達成することのできる露光方法、露光装置、パターン形成方法、およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。   Aspects of the present invention are an exposure method, an exposure apparatus, and a pattern formation method that can achieve improvement in throughput of scanning exposure when applied to scanning exposure on a long substrate conveyed by, for example, roll-to-roll. And a device manufacturing method.

本発明の第１の態様に従えば、第１面に配置されるパターンの像を長尺基板に投影して該長尺基板に前記パターンを転写する露光方法であって、
前記パターンを前記第１面に沿って第１方向に移動させることと、
前記パターンのうち前記第１面の第１部分領域に配置される第１部分パターンの拡大像を第１投影領域に所定倍率で投影することと、
前記パターンのうち前記第１部分領域から前記第１方向に所定の中心間隔を置いた第２部分領域に配置される第２部分パターンの拡大像を、前記第１投影領域と異なる第２投影領域に前記所定倍率で投影することと、
前記パターンの前記第１方向への移動に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域を経由するように前記長尺基板を該長尺基板の長尺方向に沿って移動させることと、
前記所定倍率及び前記中心間隔に基づいて、前記パターンの前記第１方向に沿ったパターン長と、前記第１投影領域から前記第２投影領域までの前記長尺基板の基板長との少なくとも一方を設定することと、
を含むことを特徴とする露光方法が提供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided an exposure method for projecting an image of a pattern arranged on a first surface onto a long substrate and transferring the pattern onto the long substrate,
Moving the pattern in the first direction along the first surface;
Projecting an enlarged image of the first partial pattern arranged in the first partial area of the first surface of the pattern onto the first projection area at a predetermined magnification;
A second projection area different from the first projection area in the enlarged image of the second partial pattern arranged in the second partial area at a predetermined center interval in the first direction from the first partial area in the pattern. Projecting at a predetermined magnification,
In synchronization with the movement of the pattern in the first direction, the long substrate is moved along the long direction of the long substrate so as to pass through the first projection region and the second projection region. When,
Based on the predetermined magnification and the center interval, at least one of a pattern length along the first direction of the pattern and a substrate length of the long substrate from the first projection region to the second projection region is determined. Setting,
The exposure method characterized by including these is provided.

本発明の第２の態様に従えば、第１面に配置されるパターンの像を長尺基板に投影して該長尺基板に前記パターンを転写する露光装置であって、
前記パターンを前記第１面に沿って第１方向に移動させるステージ機構と、
前記パターンのうち前記第１面の第１部分領域に配置される第１部分パターンの拡大像を第１投影領域に所定倍率で投影し、且つ前記パターンのうち前記第１部分領域から前記第１方向に所定の中心間隔を置いた第２部分領域に配置される第２部分パターンの拡大像を、前記第１投影領域と異なる第２投影領域に前記所定倍率で投影する投影光学系と、
前記パターンの前記第１方向への移動に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域を経由するように前記長尺基板を該長尺基板の長尺方向に沿って移動させる移動機構と、
前記所定倍率及び前記中心間隔に基づいて、前記第１投影領域から前記第２投影領域までの前記長尺基板の基板長を調整する調整機構と、
を備えていることを特徴とする露光装置が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for projecting an image of a pattern arranged on a first surface onto a long substrate and transferring the pattern onto the long substrate,
A stage mechanism for moving the pattern in the first direction along the first surface;
An enlarged image of the first partial pattern arranged in the first partial area of the first surface of the pattern is projected to the first projection area at a predetermined magnification, and the first partial area of the pattern is projected from the first partial area to the first. A projection optical system for projecting an enlarged image of the second partial pattern arranged in the second partial region with a predetermined center interval in the direction at a predetermined magnification onto a second projection region different from the first projection region;
In synchronization with the movement of the pattern in the first direction, the long substrate is moved along the long direction of the long substrate so as to pass through the first projection region and the second projection region. Mechanism,
An adjustment mechanism for adjusting a substrate length of the long substrate from the first projection region to the second projection region based on the predetermined magnification and the center interval;
There is provided an exposure apparatus comprising:

本発明の第３の態様に従えば、第１の態様にかかる露光方法を用いて、前記パターンを前記長尺基板に転写する工程と、
前記パターンが転写された前記長尺基板を処理する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。According to the third aspect of the present invention, using the exposure method according to the first aspect, the step of transferring the pattern to the long substrate;
And a step of processing the elongated substrate to which the pattern has been transferred.

本発明の第４の態様に従えば、第２の態様にかかる露光装置を用いて、前記パターンを前記長尺基板に転写する工程と、
前記パターンが転写された前記長尺基板を処理する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。According to a fourth aspect of the present invention, using the exposure apparatus according to the second aspect, the step of transferring the pattern to the long substrate;
And a step of processing the elongated substrate to which the pattern has been transferred.

本発明の第５の態様に従えば、長尺基板上に該長尺基板の長尺方向に沿って複数のパターン領域を形成するパターン形成方法において、
前記長尺基板を前記長尺方向の一方側に移動させることと、
前記長尺方向の一方側に移動されている前記長尺基板に第１パターン領域及び第２パターン領域を順次形成することと、を含み、
前記第１パターン領域と前記第２パターン領域とは、前記長尺方向の領域長と前記長尺方向に直交する幅方向の領域幅との少なくとも一方が相互に異なることを特徴とするパターン形成方法が提供される。According to the fifth aspect of the present invention, in the pattern forming method of forming a plurality of pattern regions on the long substrate along the long direction of the long substrate,
Moving the elongate substrate to one side in the elongate direction;
Sequentially forming a first pattern region and a second pattern region on the long substrate moved to one side in the long direction,
The pattern forming method, wherein the first pattern region and the second pattern region are different from each other in at least one of a region length in the longitudinal direction and a region width in a width direction orthogonal to the longitudinal direction. Is provided.

本発明の第６の態様に従えば、第１の態様にかかるパターン形成方法を用いて、前記パターン領域を前記長尺基板に形成する工程と、
前記パターン領域が形成された前記長尺基板を処理する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。According to a sixth aspect of the present invention, using the pattern forming method according to the first aspect, the step of forming the pattern region on the long substrate;
And a step of processing the elongate substrate on which the pattern region is formed.

本発明の一態様によれば、第１投影領域による走査露光と第２投影領域による走査露光とを並列的に行うことができ、ひいては走査露光にかかるスループットの向上を達成することができる。特に、第１部分領域と第２部分領域との中心間隔および投影倍率に基づいて、第１投影領域から第２投影領域までの長尺基板の基板長を調整（設定）することにより、所定の経路に沿って継続的に移動する長尺基板上に、第１投影領域の走査露光による第１転写パターンと第２投影領域の走査露光による第２転写パターンとを連続して繰り返し形成したり、第１転写パターンと第２転写パターンとを間隔を隔てて複数形成したりすることができる。   According to one aspect of the present invention, scanning exposure by the first projection area and scanning exposure by the second projection area can be performed in parallel, and as a result, an improvement in throughput of the scanning exposure can be achieved. In particular, by adjusting (setting) the substrate length of the long substrate from the first projection area to the second projection area based on the center distance between the first partial area and the second partial area and the projection magnification, On the long substrate continuously moving along the path, the first transfer pattern by the scanning exposure of the first projection area and the second transfer pattern by the scanning exposure of the second projection area are continuously and repeatedly formed, A plurality of first transfer patterns and second transfer patterns can be formed at intervals.

また、本発明の一態様によれば、第１領域（第１投影領域）による走査露光と第２領域（第２投影領域）による走査露光とを並列的に行うことができ、ひいては走査露光にかかるスループットの向上を達成することができる。特に、第１パターン領域（第１転写パターン領域）を形成する際の基板長と、第２パターン領域（第２転写パターン領域）を形成する際の基板長とを相互に異なる長さに設定することにより、領域長が互いに異なる２つの転写パターン領域を順次形成することができる。   Further, according to one aspect of the present invention, the scanning exposure by the first area (first projection area) and the scanning exposure by the second area (second projection area) can be performed in parallel. Such an increase in throughput can be achieved. In particular, the substrate length when forming the first pattern region (first transfer pattern region) and the substrate length when forming the second pattern region (second transfer pattern region) are set to different lengths. Thus, two transfer pattern regions having different region lengths can be sequentially formed.

本発明の第１実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. 第１実施形態におけるマスクの構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the mask in 1st Embodiment. 第１走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the 1st scanning exposure example. 複数のショット領域が間隔を隔てて交互に形成される様子を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically a mode that several shot area | regions are alternately formed at intervals. 第２走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the 2nd scanning exposure example. 複数のショット領域が間隔を隔てることなく連続して形成される様子を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically a mode that several shot area | regions are continuously formed without the space | interval. 第３走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the 3rd scanning exposure example. 第３走査露光例において使用可能な一対の濃度フィルタを概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically a pair of density filter which can be used in the 3rd scanning exposure example. 本発明の第２実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning 2nd Embodiment of this invention. 第４走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the 4th scanning exposure example. 第５走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the 5th scanning exposure example. 第６走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the 6th scanning exposure example. 本発明の第３実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning 5th Embodiment of this invention. 第５実施形態において領域長が互いに異なる２つの転写パターン領域が順次形成される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that two transfer pattern area | regions where area | region length mutually differs are formed sequentially in 5th Embodiment. 第１実施形態の変形例にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning the modification of 1st Embodiment. 第２実施形態の変形例にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning the modification of 2nd Embodiment. 第３実施形態の変形例にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning the modification of 3rd Embodiment. 第４実施形態の変形例にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus concerning the modification of 4th Embodiment. 第７走査露光例において使用されるマスクの構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the mask used in the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第１の図である。It is a 1st figure explaining the example of 7th scanning exposure. 第７走査露光例を説明する第２の図である。It is a 2nd figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第３の図である。It is a 3rd figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第４の図である。It is a 4th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第５の図である。It is a 5th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第６の図である。It is a 6th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第７の図である。It is a 7th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第８の図である。It is an 8th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第９の図である。It is a 9th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例を説明する第１０の図である。It is a 10th figure explaining the 7th scanning exposure example. 第７走査露光例により形成されるショット領域を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the shot area | region formed by the 7th scanning exposure example. 電子表示デバイスの製造に各走査露光例を適用して得られる露光単位のレイアウトを概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the layout of the exposure unit obtained by applying each scanning exposure example to manufacture of an electronic display device. マルチ走査露光例を説明する図である。It is a figure explaining the example of multi-scan exposure. マルチ走査露光例において使用されるマスクの構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the mask used in the example of multi-scan exposure. 半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of a semiconductor device. 液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of a liquid crystal device.

本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。第１実施形態では、図１に示すように、投影光学系ＰＬに対してマスクＭおよび帯状のシートＳＨを相対移動させつつマスクＭのパターンをシートＳＨに投影露光（転写）するロール・ツー・ロール型の露光装置に対して本発明を適用している。図１では、感光性の長尺基板としてのシートＳＨの転写面（感光面；被露光面）の法線方向にＺ軸を、シートＳＨの転写面に平行な面内において図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、シートＳＨの転写面に平行な面内において図１の紙面に垂直な方向にＸ軸を設定している。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, roll-to-projection is performed by projecting (transferring) the pattern of the mask M onto the sheet SH while moving the mask M and the strip-shaped sheet SH relative to the projection optical system PL. The present invention is applied to a roll type exposure apparatus. In FIG. 1, the Z-axis is in the normal direction of the transfer surface (photosensitive surface; exposed surface) of the sheet SH as a photosensitive long substrate, and the surface of FIG. 1 is parallel to the transfer surface of the sheet SH. The Y axis is set in a parallel direction, and the X axis is set in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1 in a plane parallel to the transfer surface of the sheet SH.

第１実施形態の露光装置は、マスクＭのパターン領域を照明する照明系ＩＬと、マスクＭを保持して移動するマスクステージＭＳと、マスクＭのパターンの像をシートＳＨ上に形成する投影光学系ＰＬと、シートＳＨをロール・ツー・ロールの方式にしたがって移動させる（搬送する）移動機構ＳＣと、マスクステージＭＳおよび移動機構ＳＣを駆動する駆動制御系ＤＲと、駆動制御系ＤＲ等の動作を統括的に制御する主制御系ＣＲとを備えている。シートＳＨは、フォトレジスト（感光材料）が塗布されたフレキシブルな（可撓性をもった）帯状の高分子シートである。   The exposure apparatus according to the first embodiment includes an illumination system IL that illuminates a pattern area of a mask M, a mask stage MS that moves while holding the mask M, and projection optics that forms an image of the pattern of the mask M on a sheet SH. Operation of system PL, movement mechanism SC that moves (conveys) sheet SH according to a roll-to-roll system, drive control system DR that drives mask stage MS and movement mechanism SC, and drive control system DR And a main control system CR that controls the entire system. The sheet SH is a flexible (flexible) belt-like polymer sheet coated with a photoresist (photosensitive material).

照明系ＩＬには、光源ＬＳから露光用の照明光（露光光）が供給される。露光光として、例えば、超高圧水銀ランプの射出光から選択されたｉ線（波長３６５ｎｍ）の光、ＹＡＧレーザの３倍高調波（波長３５５ｎｍ）よりなるパルス光、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などを用いることができる。照明系ＩＬは、光の入射順に、コリメータレンズ（不図示）、フライアイレンズ（不図示）、コンデンサー光学系（不図示）、可変視野絞りとしてのマスクブラインドＭＢ、照明結像光学系（不図示）などを備えている。   Illumination light (exposure light) for exposure is supplied from the light source LS to the illumination system IL. As exposure light, for example, light of i-line (wavelength 365 nm) selected from light emitted from an ultra-high pressure mercury lamp, pulsed light composed of third harmonic of YAG laser (wavelength 355 nm), KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) Etc. can be used. The illumination system IL includes a collimator lens (not shown), a fly-eye lens (not shown), a condenser optical system (not shown), a mask blind MB as a variable field stop, and an illumination imaging optical system (not shown) in the order of incidence of light. ) Etc.

光源ＬＳから射出された光は、照明系ＩＬを介して、マスクＭ上に照明領域ＩＲを照明する。照明領域ＩＲは、Ｘ方向に沿って細長く延びる所定の外形形状を有する。マスクＭの照明領域ＩＲからの光は、投影光学系ＰＬを介して、第１投影領域ＥＲ１に照明領域ＩＲ内のパターンの第１投影像を形成し、且つ第１投影領域ＥＲ１からＹ方向に間隔を隔てた第２投影領域ＥＲ２に照明領域ＩＲ内のパターンの第２投影像を形成する。投影光学系ＰＬは、第１投影領域ＥＲ１および第２投影領域ＥＲ２をシートＳＨ上に形成する。   The light emitted from the light source LS illuminates the illumination area IR on the mask M via the illumination system IL. The illumination region IR has a predetermined outer shape that is elongated along the X direction. The light from the illumination area IR of the mask M forms a first projection image of the pattern in the illumination area IR in the first projection area ER1 via the projection optical system PL, and in the Y direction from the first projection area ER1. A second projection image of the pattern in the illumination region IR is formed in the second projection region ER2 spaced apart. The projection optical system PL forms the first projection area ER1 and the second projection area ER2 on the sheet SH.

投影光学系ＰＬは、マスクＭ側およびシートＳＨ側にテレセントリックであり、マスクＭ側からシートＳＨ側へ拡大倍率を有する。投影領域（結像領域）ＥＲ１，ＥＲ２の形状は、照明領域ＩＲの形状を投影光学系ＰＬの投影倍率ＭＧで拡大した形状である。以下、説明の理解を容易にするために、照明領域ＩＲはＸ方向に沿って細長く延びる矩形状の領域であるものとする。また、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２は、Ｘ方向に沿って細長く延びる矩形状の領域であって、互いに同じ大きさおよび同じ形状を有するものとする。ただし、照明領域ＩＲの形状、ひいては投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の形状は、照明系ＩＬ中のマスクブラインドＭＢの可変開口部（光透過部）の形状に応じて可変的に設定される。   The projection optical system PL is telecentric on the mask M side and the sheet SH side, and has an enlargement magnification from the mask M side to the sheet SH side. The shapes of the projection regions (imaging regions) ER1 and ER2 are shapes obtained by enlarging the shape of the illumination region IR with the projection magnification MG of the projection optical system PL. Hereinafter, in order to facilitate the understanding of the description, the illumination region IR is assumed to be a rectangular region that is elongated along the X direction. The projection areas ER1 and ER2 are rectangular areas extending in the X direction and have the same size and the same shape. However, the shape of the illumination region IR, and thus the shapes of the projection regions ER1 and ER2, are variably set according to the shape of the variable opening (light transmission portion) of the mask blind MB in the illumination system IL.

マスクＭは、マスクホルダ（不図示）を介して、マスクステージＭＳ上に吸着保持されている。マスクステージＭＳ上には、周知の構成を有するマスク側レーザ干渉計（不図示）が配置されている。マスク側レーザ干渉計は、マスクステージＭＳのＸ方向の位置、Ｙ方向の位置、およびＺ軸廻りの回転角を計測し、計測結果を主制御系ＣＲに供給する。主制御系ＣＲは、その計測値に基づいて、駆動制御系ＤＲを介して、マスクステージＭＳのＸ方向の位置、走査方向としてのＹ方向の位置および速度、並びにＺ軸廻りの回転角を制御する。   The mask M is sucked and held on the mask stage MS via a mask holder (not shown). On the mask stage MS, a mask side laser interferometer (not shown) having a known configuration is arranged. The mask side laser interferometer measures the position of the mask stage MS in the X direction, the position in the Y direction, and the rotation angle around the Z axis, and supplies the measurement result to the main control system CR. The main control system CR controls the position of the mask stage MS in the X direction, the position and speed in the Y direction as the scanning direction, and the rotation angle around the Z axis through the drive control system DR based on the measured values. To do.

シートＳＨは、一連のロールを備えた周知の構成を有する移動機構ＳＣの作用により、投影領域ＥＲ１およびＥＲ２を経由するように所定の経路に沿って搬送される。具体的に、移動機構ＳＣは投影光学系ＰＬの直下においてシートＳＨを−Ｙ方向の向きに移動させ、シートＳＨ上には第１投影領域ＥＲ１および第２投影領域ＥＲ２が形成される。走査露光時には、マスクステージＭＳが走査方向であるＹ方向に沿って＋Ｙ方向の向きに速度Ｖ／ＭＧで移動するのに同期して、移動機構ＳＣはシートＳＨを投影光学系ＰＬの直下において−Ｙ方向の向きに速度Ｖで移動させる。   The sheet SH is conveyed along a predetermined path so as to pass through the projection areas ER1 and ER2 by the action of the moving mechanism SC having a known configuration including a series of rolls. Specifically, the moving mechanism SC moves the sheet SH in the −Y direction directly below the projection optical system PL, and the first projection area ER1 and the second projection area ER2 are formed on the sheet SH. At the time of scanning exposure, the moving mechanism SC moves the sheet SH immediately below the projection optical system PL in synchronization with the movement of the mask stage MS in the + Y direction at the speed V / MG along the Y direction which is the scanning direction. Move in the Y direction at a speed V.

投影光学系ＰＬは、中間結像光学系ＧＭと、第１結像光学系Ｇ１と、第２結像光学系Ｇ２とを備えている。中間結像光学系ＧＭは、マスクＭのパターン領域（図１では不図示）において照明領域ＩＲにより照明されたパターンの第１中間像Ｉ１および第２中間像Ｉ２を形成する。第１結像光学系Ｇ１は第１中間像Ｉ１からの光に基づいてシートＳＨ上の第１投影領域ＥＲ１にパターンの第１投影像を形成し、第２結像光学系Ｇ２は第２中間像Ｉ２からの光に基づいてシートＳＨ上の第２投影領域ＥＲ２にパターンの第２投影像を形成する。   The projection optical system PL includes an intermediate imaging optical system GM, a first imaging optical system G1, and a second imaging optical system G2. The intermediate imaging optical system GM forms a first intermediate image I1 and a second intermediate image I2 of a pattern illuminated by the illumination area IR in a pattern area (not shown in FIG. 1) of the mask M. The first imaging optical system G1 forms a first projection image of a pattern in the first projection region ER1 on the sheet SH based on the light from the first intermediate image I1, and the second imaging optical system G2 Based on the light from the image I2, a second projection image of the pattern is formed in the second projection region ER2 on the sheet SH.

マスクＭは、そのパターン領域が投影光学系ＰＬの物体面にほぼ一致するようにマスクステージＭＳ上に配置される。シートＳＨは、その表面（感光面）が投影光学系ＰＬの像面にほぼ一致するような軌道に沿って移動機構ＳＣにより搬送される。中間結像光学系ＧＭは、照明領域ＩＲにより照明されたパターン領域からの光が入射する正レンズ群Ｌｐと、正レンズ群Ｌｐからの光を正レンズ群Ｌｐの光軸ＡＸｐを挟んで互いに異なる方向に進む第１の光と第２の光とに分割し且つ第１の光および第２の光を正レンズ群Ｌｐに向けて反射する分割反射部ＲＦとを有する。分割反射部ＲＦとして、位相格子板、振動ミラーなどを用いることができる。   The mask M is arranged on the mask stage MS so that the pattern area substantially coincides with the object plane of the projection optical system PL. The sheet SH is conveyed by the moving mechanism SC along a trajectory whose surface (photosensitive surface) substantially coincides with the image plane of the projection optical system PL. The intermediate imaging optical system GM is different from the positive lens group Lp on which light from the pattern area illuminated by the illumination area IR is incident, and the light from the positive lens group Lp is different from each other across the optical axis AXp of the positive lens group Lp. A split reflection unit RF that splits the first light and the second light traveling in the direction and reflects the first light and the second light toward the positive lens group Lp is provided. A phase grating plate, a vibrating mirror, or the like can be used as the split reflection unit RF.

照明領域ＩＲから光軸ＡＸｐに沿って射出された光は、正レンズ群Ｌｐを経て分割反射部ＲＦにより反射され、図１の紙面において斜め左上の向きに進む第１の光と斜め右上の向きに進む第２の光とに分割される。第１の光は正レンズ群Ｌｐおよび偏向部材ＭＲ１を経て第１中間像Ｉ１を形成し、第２の光は正レンズ群Ｌｐおよび偏向部材ＭＲ２を経て第２中間像Ｉ２を形成する。第１中間像Ｉ１からの光は第１結像光学系Ｇ１を介してシートＳＨ上の第１投影領域ＥＲ１に達し、第２中間像Ｉ２からの光は第２結像光学系Ｇ２を介してシートＳＨ上の第２投影領域ＥＲ２に達する。   The light emitted from the illumination region IR along the optical axis AXp is reflected by the split reflection unit RF through the positive lens unit Lp, and the first light traveling obliquely in the upper left direction on the paper surface of FIG. And the second light traveling to. The first light forms a first intermediate image I1 through the positive lens group Lp and the deflecting member MR1, and the second light forms a second intermediate image I2 through the positive lens group Lp and the deflecting member MR2. Light from the first intermediate image I1 reaches the first projection region ER1 on the sheet SH via the first imaging optical system G1, and light from the second intermediate image I2 passes through the second imaging optical system G2. The second projection area ER2 on the sheet SH is reached.

投影領域ＥＲ１およびＥＲ２には、第１投影像および第２投影像として、投影光学系ＰＬの投影倍率ＭＧでマスクパターンを拡大した形状を有する拡大像が形成される。具体的に、第１投影像および第２投影像は、照明領域ＩＲ内のマスクパターンのＹ方向（走査方向）に倒立した像である。第１投影像と第２投影像とは、互いに同じ形状および大きさを有し、且つＸ方向およびＹ方向に関して互いに同じ向きに形成される。   In the projection regions ER1 and ER2, enlarged images having a shape obtained by enlarging the mask pattern with the projection magnification MG of the projection optical system PL are formed as the first projection image and the second projection image. Specifically, the first projection image and the second projection image are images that are inverted in the Y direction (scanning direction) of the mask pattern in the illumination region IR. The first projection image and the second projection image have the same shape and size, and are formed in the same direction with respect to the X direction and the Y direction.

以下、図２乃至図８を参照して、第１実施形態における走査露光の動作を説明する。図２を参照すると、マスクＭ上には、例えば電子表示デバイス用のパターンが形成された矩形状のパターン領域ＰＡが設けられている。パターン領域ＰＡの走査方向（Ｙ方向）に沿った寸法、すなわちパターン長はＡＬである。第１実施形態では、感光性の長尺基板であるシートＳＨが、移動機構ＳＣの作用により所定の経路に沿って一定の速度で搬送される。そして、第１実施形態の第１走査露光例では、図３に示すように、マスクＭのパターン領域ＰＡを投影光学系ＰＬの投影倍率ＭＧで拡大した矩形状のショット領域ＳＲ１，ＳＲ２が一定の間隔を隔てて順次シートＳＨ上に形成される。   The scanning exposure operation in the first embodiment will be described below with reference to FIGS. Referring to FIG. 2, on the mask M, for example, a rectangular pattern area PA in which a pattern for an electronic display device is formed is provided. The dimension along the scanning direction (Y direction) of the pattern area PA, that is, the pattern length is AL. In the first embodiment, the sheet SH, which is a photosensitive long substrate, is conveyed at a constant speed along a predetermined path by the action of the moving mechanism SC. In the first scanning exposure example of the first embodiment, as shown in FIG. 3, rectangular shot areas SR1 and SR2 obtained by enlarging the pattern area PA of the mask M with the projection magnification MG of the projection optical system PL are constant. Sequentially formed on the sheet SH at intervals.

図３では、投影光学系ＰＬの第１結像光学系Ｇ１を介してマスクＭのパターンが転写されるショット領域（または転写されたショット領域）を参照符号ＳＲ１で表し、第２結像光学系Ｇ２を介してマスクＭのパターンが転写されるショット領域（または転写されたショット領域）を参照符号ＳＲ２で表している。ショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とは、後述するように、シートＳＨの長手方向（長尺方向）に沿って交互に形成される。シートＳＨの長手方向に沿った各ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の寸法はＭＧ×ＡＬであり、互いに隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２との間隔はＧｙである。   In FIG. 3, a shot region (or a transferred shot region) to which the pattern of the mask M is transferred via the first imaging optical system G1 of the projection optical system PL is denoted by a reference sign SR1, and the second imaging optical system. A shot area (or transferred shot area) to which the pattern of the mask M is transferred via G2 is denoted by reference numeral SR2. As will be described later, the shot areas SR1 and the shot areas SR2 are alternately formed along the longitudinal direction (long direction) of the sheet SH. The size of each shot region SR1, SR2 along the longitudinal direction of the sheet SH is MG × AL, and the distance between a pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 is Gy.

走査露光では、ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２への露光開始から一定期間に亘って投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の走査方向（Ｙ方向）の寸法を０から標準的な寸法まで線形的に増大させ、ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２への露光終了までの一定期間に亘って投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の走査方向の寸法を標準的な寸法から０まで線形的に減少させる。投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の寸法調整は、周知技術にしたがって、例えば照明系ＩＬ中のマスクブラインドＭＢの作用により、照明領域ＩＲの走査方向の寸法を変更することにより行われる。   In the scanning exposure, the dimension in the scanning direction (Y direction) of the projection areas ER1 and ER2 is linearly increased from 0 to a standard dimension over a certain period from the start of exposure to the shot areas SR1 and SR2. , The dimension in the scanning direction of the projection areas ER1, ER2 is linearly decreased from the standard dimension to 0 over a certain period until the exposure to SR2 is completed. The dimension adjustment of the projection areas ER1 and ER2 is performed by changing the dimension in the scanning direction of the illumination area IR by the action of the mask blind MB in the illumination system IL, for example, according to a known technique.

ただし、以下の第１乃至第６走査露光例の説明では、動作の理解を容易するために、照明領域ＩＲ（またはＩＲ１，ＩＲ２）、および投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の形状が走査露光に際して一定（不変）であり、照明領域ＩＲの走査方向に沿った中心がパターン領域ＰＡの走査方向に沿った一端から他端まで移動することにより、すなわち投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の走査方向に沿った中心がショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の走査方向に沿った一端から他端まで移動することにより、ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２への走査露光が完了するものとする。   However, in the following explanation of the first to sixth scanning exposure examples, the illumination area IR (or IR1, IR2) and the projection areas ER1, ER2 have a fixed shape (invariable) during the scanning exposure in order to facilitate understanding of the operation. ) And the center along the scanning direction of the illumination area IR moves from one end to the other end along the scanning direction of the pattern area PA, that is, the center along the scanning direction of the projection areas ER1 and ER2 is the shot area. It is assumed that the scanning exposure on the shot areas SR1 and SR2 is completed by moving from one end to the other end along the scanning direction of SR1 and SR2.

これに関連して、図１では、照明系ＩＬの光軸と中間結像光学系ＧＭの正レンズ群Ｌｐの光軸ＡＸｐとが一致し、光軸ＡＸｐが照明領域ＩＲの中心を通っている状態を示している。図１および図２では、照明領域ＩＲの走査方向に沿った中心がパターン領域ＰＡ（図１では不図示）の走査方向に沿った一端にある状態、すなわち走査露光の開始時の状態を示している。図３では、図１および図２に対応するように、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の走査方向に沿った中心がショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の走査方向に沿った一端にある状態、すなわち走査露光の開始時の状態を示している。   In relation to this, in FIG. 1, the optical axis of the illumination system IL and the optical axis AXp of the positive lens group Lp of the intermediate imaging optical system GM coincide with each other, and the optical axis AXp passes through the center of the illumination region IR. Indicates the state. FIGS. 1 and 2 show a state where the center of the illumination area IR along the scanning direction is at one end along the scanning direction of the pattern area PA (not shown in FIG. 1), that is, a state at the start of scanning exposure. Yes. 3, corresponding to FIGS. 1 and 2, the center of the projection areas ER1 and ER2 along the scanning direction is at one end along the scanning direction of the shot areas SR1 and SR2, that is, at the start of scanning exposure. Shows the state.

したがって、図３に示す第１走査露光例では、第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬは、ショット領域ＳＲ１の露光開始端から隣り合うショット領域ＳＲ２の露光開始端までのシートＳＨに沿った長さに対応し、次の式（１）に示す関係を満足している。
ＳＬ＝ＭＧ×ＡＬ＋Ｇｙ＞ＭＧ×ＡＬ （１）Therefore, in the first scanning exposure example shown in FIG. 3, the substrate length SL of the sheet SH from the first projection region ER1 to the second projection region ER2 is the exposure start of the adjacent shot region SR2 from the exposure start end of the shot region SR1. Corresponding to the length along the sheet SH to the end, the relationship shown in the following equation (1) is satisfied.
SL = MG × AL + Gy> MG × AL (1)

第１走査露光例では、投影光学系ＰＬの第１結像光学系Ｇ１の直下を通過するショット領域ＳＲ１および第２結像光学系Ｇ２の直下を通過するショット領域ＳＲ２に、マスクＭのパターンを同時に走査露光（スキャン露光）する。一対のショット領域ＳＲ１およびＳＲ２への同時走査露光に際して、照明領域ＩＲがパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、パターン領域ＰＡが照明領域ＩＲによって走査されるように、マスクＭ（ひいてはマスクステージＭＳ）は＋Ｙ方向に向かって所要の速度で移動する。   In the first scanning exposure example, the pattern of the mask M is applied to the shot region SR1 that passes immediately below the first imaging optical system G1 and the shot region SR2 that passes immediately below the second imaging optical system G2. Simultaneously, scanning exposure (scan exposure) is performed. During simultaneous scanning exposure on the pair of shot areas SR1 and SR2, until the illumination area IR reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the start position located at the end on the + Y direction side of the pattern area PA, The mask M (and thus the mask stage MS) moves at a required speed in the + Y direction so that the pattern area PA is scanned by the illumination area IR.

マスクＭの＋Ｙ方向へのスキャン移動に同期して、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２がショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の−Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から＋Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２が投影領域ＥＲ１，ＥＲ２によって走査されるように、シートＳＨが経路に沿って−Ｙ方向へ移動する。次いで、照明領域ＩＲがパターン領域ＰＡの−Ｙ方向側の端部からパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の端部へ移動するように、すなわち照明領域ＩＲが走査露光の終了位置から始動位置へ戻るように、マスクＭを−Ｙ方向へ折り返し移動させる。   In synchronization with the scanning movement of the mask M in the + Y direction, the projection areas ER1 and ER2 are located at the + Y direction side end positions from the start positions where the projection areas SR1 and SR2 are positioned at the −Y direction side ends. Until the shot area SR1 and SR2 are scanned by the projection areas ER1 and ER2, the sheet SH moves in the −Y direction along the path. Next, the illumination area IR moves from the −Y direction end of the pattern area PA to the + Y direction end of the pattern area PA, that is, the illumination area IR returns from the scanning exposure end position to the starting position. Then, the mask M is moved back in the −Y direction.

マスクＭの−Ｙ方向への折り返し移動に際して、例えばマスクＭの直後の光路中には結像光束を遮るためのシャッター（不図示）が挿入され、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２にマスクパターンの投影像が形成されないようにする。あるいは、照明系ＩＬ中のマスクブラインドＭＢの可変開口部を閉じることにより、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２にマスクパターンの投影像が形成されないようにしても良い。マスクＭが−Ｙ方向への折り返し移動を終了し、照明領域ＩＲがパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の始動位置に戻ってマスクＭの＋Ｙ方向へのスキャン移動が可能になった時点で、マスクＭの直後のシャッターが光路から退避する（あるいはマスクブラインドＭＢの可変開口部を開ける）ことにより、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２が次に走査露光すべきショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の−Ｙ方向側の始動位置に形成される。   When the mask M is folded back in the −Y direction, for example, a shutter (not shown) for blocking the imaging light beam is inserted in the optical path immediately after the mask M, and the projection image of the mask pattern is projected in the projection areas ER1 and ER2. Avoid formation. Alternatively, the mask pattern projection image may not be formed in the projection areas ER1 and ER2 by closing the variable opening of the mask blind MB in the illumination system IL. When the mask M finishes the return movement in the -Y direction, the illumination area IR returns to the starting position on the + Y direction side of the pattern area PA, and the mask M can be moved in the + Y direction. Is retracted from the optical path (or the variable aperture of the mask blind MB is opened), so that the projection areas ER1 and ER2 are at the starting positions on the −Y direction side of the shot areas SR1 and SR2 to be scanned and exposed next. It is formed.

こうして、マスクＭの次のスキャン移動に同期して、次のショット領域ＳＲ１への走査露光と次のショット領域ＳＲ２への走査露光とが同時に行われる。そして、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動（スキャン移動および折り返し移動）を複数回に亘って繰り返すことにより、図４に示すように、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上に、マスクＭのパターンが転写されたショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とが一定の間隔Ｇｙを隔てて交互に形成される。   Thus, in synchronization with the next scanning movement of the mask M, the scanning exposure to the next shot region SR1 and the scanning exposure to the next shot region SR2 are performed simultaneously. Then, the reciprocating movement (scanning movement and folding movement) along the Y direction of the mask M is repeated a plurality of times, thereby continuously moving at a constant speed along a predetermined path as shown in FIG. On the sheet SH to be shot, the shot areas SR1 and the shot areas SR2 to which the pattern of the mask M has been transferred are alternately formed at a constant interval Gy.

図５に示す第２走査露光例では、基板長ＳＬと投影倍率ＭＧとパターン長ＡＬとが、次の式（２）に示す関係を満足している。換言すれば、第２走査露光例では、互いに隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２との間隔Ｇｙが０になるように、ひいては隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２とが互いに接するように設定されている。
ＳＬ＝ＭＧ×ＡＬ （２）In the second scanning exposure example shown in FIG. 5, the substrate length SL, the projection magnification MG, and the pattern length AL satisfy the relationship expressed by the following equation (2). In other words, in the second scanning exposure example, the gap Gy between the pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 is set to 0, and thus the pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 are set in contact with each other. ing.
SL = MG × AL (2)

したがって、第２走査露光例では、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動（スキャン移動および折り返し移動）を複数回に亘って繰り返すことにより、図６に示すように、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上に、マスクＭのパターンが転写されたショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とが互いに接するように交互に形成され、ひいては長尺方向（Ｙ方向）に所望の長さを有する切れ目のない１つのショット領域ＳＲが形成される。   Therefore, in the second scanning exposure example, the reciprocating movement (scanning movement and folding movement) along the Y direction of the mask M is repeated a plurality of times, thereby making it constant along a predetermined path as shown in FIG. The shot area SR1 and the shot area SR2 to which the pattern of the mask M is transferred are alternately formed on the sheet SH that continuously moves at a speed of 5 mm, and as a result, a desired length direction (Y direction) is formed. One continuous shot region SR having a length is formed.

図７に示す第３走査露光例では、基板長ＳＬと投影倍率ＭＧとパターン長ＡＬとが、次の式（３）に示す関係を満足している。換言すれば、第３走査露光例では、隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２とが部分的に重なり合うように設定されている。図７では、隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２との重複部分の走査方向に沿った寸法を、ＭＧ×ＯＰで表している。
ＳＬ＝ＭＧ×（ＡＬ−ＯＰ）＜ＭＧ×ＡＬ （３）In the third scanning exposure example shown in FIG. 7, the substrate length SL, the projection magnification MG, and the pattern length AL satisfy the relationship expressed by the following equation (3). In other words, in the third scanning exposure example, the pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 are set so as to partially overlap. In FIG. 7, the dimension along the scanning direction of the overlapping portion between a pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 is represented by MG × OP.
SL = MG × (AL−OP) <MG × AL (3)

したがって、第３走査露光例においても第２走査露光例の場合と同様に、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動（スキャン移動および折り返し移動）を複数回に亘って繰り返すことにより、図６に示すように、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上に、マスクＭのパターンが転写されたショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とが互いに部分的に重複するように交互に形成され、ひいては長尺方向（Ｙ方向）に所望の長さを有する切れ目のない１つのショット領域ＳＲが形成される。   Accordingly, in the third scanning exposure example as well, in the same way as in the second scanning exposure example, the reciprocating movement (scanning movement and folding movement) along the Y direction of the mask M is repeated a plurality of times to obtain FIG. As shown, the shot area SR1 and the shot area SR2 to which the pattern of the mask M is transferred are alternately overlapped with each other on the sheet SH continuously moving at a constant speed along a predetermined path. Thus, one unbroken shot region SR having a desired length in the longitudinal direction (Y direction) is formed.

第３走査露光例では、隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２との境界部同士が重なり合って二重露光されるので、例えば図８に示すような一対の濃度フィルタＶＦを用いて走査露光の開始時および終了時に照明領域ＩＲの光量を調整し、ひいては二重露光領域における露光量の制御を行うことができる。濃度フィルタＶＦは、パターン領域ＰＡの走査方向に沿った端部から走査方向に寸法ＯＰの領域を覆うように、マスクＭの直前または直後に固定的に配置されている。また、濃度フィルタＶＦは、走査方向に沿ってパターン領域ＰＡの内側から外側へ向かって透過率が単調に低下するように構成されている。   In the third scanning exposure example, the boundary portions between a pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 overlap each other and double exposure is performed. For example, scanning exposure is started using a pair of density filters VF as shown in FIG. The amount of light in the illumination area IR can be adjusted at the time and at the end, and as a result, the exposure amount in the double exposure area can be controlled. The density filter VF is fixedly disposed immediately before or after the mask M so as to cover the region of the dimension OP in the scanning direction from the end portion along the scanning direction of the pattern region PA. The density filter VF is configured such that the transmittance decreases monotonously from the inside to the outside of the pattern area PA along the scanning direction.

寸法ＯＰが十分に小さい場合、濃度フィルタＶＦに代えて、マスクＭの直前または直後に固定的に配置されたプロキシブラインドを用い、そのエッジのデフォーカス作用により二重露光領域における露光量制御を行うこともできる。第３走査露光例では、隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２とが部分的に重なり合うので、マスクＭのパターン領域ＰＡの走査方向に関する両端部の領域には互いに同一形状のパターンが形成されている。あるいは、マスクＭのパターン領域ＰＡは、パターン長ＡＬに亘って走査方向に周期性を有する周期パターンを含む。第３走査露光例のように走査方向にパターンの継ぎ露光を行う方法について、例えば特開平７−２８３１３２号公報の開示を参照することができる。   When the dimension OP is sufficiently small, a proxy blind fixedly placed immediately before or after the mask M is used in place of the density filter VF, and the exposure amount control in the double exposure region is performed by the defocusing action of the edge. You can also. In the third scanning exposure example, a pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 partially overlap each other, so that patterns having the same shape are formed in both end regions in the scanning direction of the pattern region PA of the mask M. . Alternatively, the pattern area PA of the mask M includes a periodic pattern having periodicity in the scanning direction over the pattern length AL. As for the method of performing the pattern joint exposure in the scanning direction as in the third scanning exposure example, reference can be made to, for example, the disclosure of JP-A-7-283132.

こうして、第１実施形態では、マスクＭを＋Ｙ方向へ１回スキャン移動させることにより、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上のショット領域ＳＲ１へのマスクパターンの第１投影像の走査露光とショット領域ＳＲ２へのマスクパターンの第２投影像の走査露光とを同時に行うことができる。また、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動を複数回に亘って繰り返すことにより、シートＳＨ上にショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とを交互に連続形成することができる。すなわち、第１実施形態では、ロール・ツー・ロールで搬送されるシートＳＨへの走査露光にかかるスループットを向上させることができる。   In this way, in the first embodiment, the mask M is scanned once in the + Y direction, so that the first mask pattern on the shot region SR1 on the sheet SH that moves continuously at a constant speed along a predetermined path is obtained. The scanning exposure of one projection image and the scanning exposure of the second projection image of the mask pattern onto the shot region SR2 can be performed simultaneously. Further, by repeating the reciprocating movement along the Y direction of the mask M a plurality of times, the shot areas SR1 and the shot areas SR2 can be alternately and continuously formed on the sheet SH. That is, in the first embodiment, it is possible to improve the throughput for scanning exposure on the sheet SH conveyed by roll-to-roll.

特に、第１実施形態では、式（１）に示す関係を満足するパターン長ＡＬのパターン領域ＰＡが形成されたマスクＭを用いる第１走査露光例により、第１投影領域ＥＲ１の走査露光によりショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンと、第２投影領域ＥＲ２の走査露光によりショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを間隔を隔てて複数形成することができる。また、式（２）または式（３）に示す関係を満足するパターン長ＡＬのパターン領域ＰＡが形成されたマスクＭを用いる第２走査露光例または第３走査露光例により、ショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンとショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを連続して繰り返し形成することができる。   In particular, in the first embodiment, in the first scanning exposure example using the mask M in which the pattern area PA having the pattern length AL that satisfies the relationship represented by the expression (1) is used, the shot is obtained by scanning exposure of the first projection area ER1. A plurality of first transfer patterns transferred to the region SR1 and second transfer patterns transferred to the shot region SR2 by scanning exposure of the second projection region ER2 can be formed at intervals. Further, transfer to the shot region SR1 is performed by the second scanning exposure example or the third scanning exposure example using the mask M in which the pattern region PA having the pattern length AL satisfying the relationship represented by the formula (2) or the formula (3) is formed. The first transfer pattern to be transferred and the second transfer pattern to be transferred to the shot region SR2 can be formed repeatedly in succession.

図９は、本発明の第２実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。第２実施形態は第１実施形態と類似の構成を有するが、第２実施形態では走査方向であるＹ方向に間隔を隔てた一対の照明領域ＩＲ１およびＩＲ２を形成する点、および投影光学系ＰＬの内部構成が第１実施形態と相違している。したがって、図９では、第１実施形態における構成要素と同様の機能を有する要素に、図１と同じ参照符号を付している。以下、第１実施形態との相違点に着目して、第２実施形態の構成および作用を説明する。   FIG. 9 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. The second embodiment has a configuration similar to that of the first embodiment. However, in the second embodiment, a pair of illumination regions IR1 and IR2 spaced apart in the Y direction which is the scanning direction is formed, and the projection optical system PL Is different from the first embodiment. Therefore, in FIG. 9, the same reference numerals as those in FIG. 1 are given to elements having the same functions as the constituent elements in the first embodiment. Hereinafter, the configuration and operation of the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.

第２実施形態の露光装置では、光源ＬＳから射出された光が、照明系ＩＬを介して、Ｙ方向に間隔を隔てた一対の照明領域ＩＲ１，ＩＲ２をマスクＭ上に形成する。照明領域ＩＲ１，ＩＲ２は、Ｘ方向に沿って細長く延びる所定の外形形状を有する。マスクＭの第１照明領域ＩＲ１からの光は、投影光学系ＰＬを介して、第１投影領域ＥＲ１に第１照明領域ＩＲ１内の第１パターンの第１投影像を形成し、且つ第１投影領域ＥＲ１からＹ方向に間隔を隔てた第２投影領域ＥＲ２に第２照明領域ＩＲ２内の第２パターンの第２投影像を形成する。   In the exposure apparatus of the second embodiment, the light emitted from the light source LS forms on the mask M a pair of illumination areas IR1 and IR2 spaced in the Y direction via the illumination system IL. The illumination regions IR1 and IR2 have a predetermined outer shape that is elongated along the X direction. The light from the first illumination area IR1 of the mask M forms a first projection image of the first pattern in the first illumination area IR1 in the first projection area ER1 via the projection optical system PL, and the first projection. A second projection image of the second pattern in the second illumination region IR2 is formed in the second projection region ER2 spaced from the region ER1 in the Y direction.

投影光学系ＰＬは、マスクＭ側およびシートＳＨ側にテレセントリックであり、マスクＭ側からシートＳＨ側へ拡大倍率を有する。投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の形状は、照明領域ＩＲ１，ＩＲ２の形状を投影光学系ＰＬの投影倍率ＭＧで拡大した形状である。以下、説明の理解を容易にするために、照明領域ＩＲ１，ＩＲ２は、Ｘ方向に沿って細長く延びる矩形状の領域であって、互いに同じ大きさおよび同じ形状を有するものとする。また、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２は、Ｘ方向に沿って細長く延びる矩形状の領域であって、互いに同じ大きさおよび同じ形状を有するものとする。   The projection optical system PL is telecentric on the mask M side and the sheet SH side, and has an enlargement magnification from the mask M side to the sheet SH side. The shapes of the projection regions ER1 and ER2 are shapes obtained by enlarging the shapes of the illumination regions IR1 and IR2 with the projection magnification MG of the projection optical system PL. Hereinafter, in order to facilitate understanding of the explanation, the illumination areas IR1 and IR2 are rectangular areas extending in the X direction and have the same size and the same shape. The projection areas ER1 and ER2 are rectangular areas extending in the X direction and have the same size and the same shape.

投影光学系ＰＬは、第１結像光学系Ｇ１と、第２結像光学系Ｇ２とを備えている。第１結像光学系Ｇ１は、共通レンズ群ＧＣと第１レンズ群Ｇ１２とからなり、マスクＭのパターン領域（図９では不図示）において第１照明領域ＩＲ１により照明された第１パターンからの光に基づいてシートＳＨ上の第１投影領域ＥＲ１に第１投影像を形成する。第２結像光学系Ｇ２は、共通レンズ群ＧＣと第２レンズ群Ｇ２２とからなり、パターン領域において第２照明領域ＩＲ２により照明された第２パターンからの光に基づいてシートＳＨ上の第２投影領域ＥＲ２に第２投影像を形成する。   The projection optical system PL includes a first imaging optical system G1 and a second imaging optical system G2. The first imaging optical system G1 includes a common lens group GC and a first lens group G12. The first imaging optical system G1 includes a first lens group G12 and a first pattern illuminated by the first illumination area IR1 in the pattern area (not shown in FIG. 9) of the mask M. Based on the light, a first projection image is formed in the first projection region ER1 on the sheet SH. The second imaging optical system G2 includes the common lens group GC and the second lens group G22, and the second image on the sheet SH is based on the light from the second pattern illuminated by the second illumination area IR2 in the pattern area. A second projection image is formed in the projection region ER2.

投影領域ＥＲ１およびＥＲ２には、第１投影像および第２投影像として、投影光学系ＰＬの投影倍率ＭＧで第１パターンおよび第２パターンを拡大した形状を有する拡大像が形成される。具体的に、第１投影像は第１照明領域ＩＲ１内の第１パターンのＹ方向（走査方向）に倒立した像であり、第２投影像は第２照明領域ＩＲ２内の第２パターンのＹ方向に倒立した像である。   In the projection regions ER1 and ER2, enlarged images having shapes obtained by enlarging the first pattern and the second pattern with the projection magnification MG of the projection optical system PL are formed as the first projection image and the second projection image. Specifically, the first projection image is an image inverted in the Y direction (scanning direction) of the first pattern in the first illumination region IR1, and the second projection image is Y of the second pattern in the second illumination region IR2. This is an inverted image.

以下、図１０乃至図１２を参照して、第２実施形態における走査露光の動作を説明する。図１０を参照すると、マスクＭにはパターン長ＡＬのパターン領域ＰＡが設けられ、マスクＭ上には矩形状の照明領域ＩＲ１，ＩＲ２が間隔を隔てて形成される。照明領域ＩＲ１，ＩＲ２のＹ方向（走査方向）に沿った中心間距離、すなわち照明領域ＩＲ１とＩＲ２とのＹ方向の中心間隔はＧＰである。第２実施形態においても、シートＳＨは一定の速度で搬送され、シートＳＨ上にはパターン領域ＰＡを投影倍率ＭＧで拡大した矩形状のショット領域ＳＲ１，ＳＲ２が交互に順次形成される。   Hereinafter, the scanning exposure operation in the second embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 12. Referring to FIG. 10, a pattern area PA having a pattern length AL is provided on the mask M, and rectangular illumination areas IR1 and IR2 are formed on the mask M at intervals. The distance between the centers along the Y direction (scanning direction) of the illumination areas IR1 and IR2, that is, the center distance in the Y direction between the illumination areas IR1 and IR2 is GP. Also in the second embodiment, the sheet SH is conveyed at a constant speed, and rectangular shot areas SR1 and SR2 obtained by enlarging the pattern area PA with the projection magnification MG are alternately and sequentially formed on the sheet SH.

図１０では、第１照明領域ＩＲ１の走査方向に沿った中心がパターン領域ＰＡの走査方向に沿った＋Ｙ方向側の端部にある状態、すなわち第１ショット領域ＳＲ１への走査露光の開始時の状態を示している。また、第１投影領域ＥＲ１の走査方向に沿った中心が第１ショット領域ＳＲ１の−Ｙ方向側の端部にある状態、すなわち第１ショット領域ＳＲ１への走査露光の開始時の状態を示している。一方、第２投影領域ＥＲ２の走査方向に沿った中心は、第２ショット領域ＳＲ２の−Ｙ方向側の端部からＭＧ×ＧＰだけ−Ｙ方向側に離れた位置にある。   In FIG. 10, the state in which the center along the scanning direction of the first illumination region IR1 is at the end on the + Y direction side along the scanning direction of the pattern region PA, that is, at the start of scanning exposure on the first shot region SR1. Indicates the state. In addition, a state in which the center of the first projection region ER1 along the scanning direction is at an end portion on the −Y direction side of the first shot region SR1, that is, a state at the start of scanning exposure on the first shot region SR1 is shown. Yes. On the other hand, the center of the second projection region ER2 along the scanning direction is located at a position away from the end of the second shot region SR2 on the −Y direction side by MG × GP to the −Y direction side.

これは、第１ショット領域ＳＲ１への走査露光の開始時から第２ショット領域ＳＲ２への走査露光の開始時まで、すなわち第２照明領域ＩＲ２の走査方向に沿った中心がパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の端部に達するまで、マスクＭが距離ＧＰだけスキャン移動する必要があるからである。図１０に示す第４走査露光例では、第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬは、次の式（４）に示す関係を満足している。
ＳＬ＞ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ） （４）This is because the center along the scanning direction of the second illumination region IR2 is the + Y direction of the pattern region PA from the start of the scanning exposure to the first shot region SR1 to the start of the scanning exposure to the second shot region SR2. This is because the mask M needs to be scanned and moved by the distance GP until the side edge is reached. In the fourth scanning exposure example shown in FIG. 10, the substrate length SL of the sheet SH from the first projection region ER1 to the second projection region ER2 satisfies the relationship expressed by the following equation (4).
SL> MG × (AL-GP) (4)

第４走査露光例では、ショット領域ＳＲ１への走査露光に際して、照明領域ＩＲ１がパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、パターン領域ＰＡが照明領域ＩＲ１によって走査されるように、マスクＭ（ひいてはマスクステージＭＳ）は＋Ｙ方向に向かって所要の速度で移動する。ショット領域ＳＲ１への走査露光の開始時から一定時間だけ遅れて、ショット領域ＳＲ２への走査露光を開始する。ショット領域ＳＲ２への走査露光に際して、照明領域ＩＲ２がパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、パターン領域ＰＡが照明領域ＩＲ２によって走査されるように、マスクＭは＋Ｙ方向に向かって所要の速度で移動する。   In the fourth scanning exposure example, during the scanning exposure on the shot area SR1, the illumination area IR1 reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the starting position located at the end on the + Y direction side of the pattern area PA. Until the pattern area PA is scanned by the illumination area IR1, the mask M (and thus the mask stage MS) moves at a required speed in the + Y direction. The scanning exposure to the shot area SR2 is started after a predetermined time from the start of the scanning exposure to the shot area SR1. During the scanning exposure of the shot area SR2, the pattern area PA is illuminated until the illumination area IR2 reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the start position located at the end on the + Y direction side of the pattern area PA. The mask M moves at a required speed in the + Y direction so as to be scanned by the region IR2.

マスクＭの＋Ｙ方向へのスキャン移動に同期して、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２がショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の−Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から＋Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２が投影領域ＥＲ１，ＥＲ２によって走査されるように、シートＳＨが経路に沿って−Ｙ方向へ移動する。次いで、照明領域ＩＲ１がパターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側の端部へ移動するように、すなわち照明領域ＩＲ１が走査露光の始動位置へ戻るように、マスクＭを−Ｙ方向へ折り返し移動させる。   In synchronization with the scanning movement of the mask M in the + Y direction, the projection areas ER1 and ER2 are located at the + Y direction side end positions from the start positions where the projection areas SR1 and SR2 are positioned at the −Y direction side ends. Until the shot area SR1 and SR2 are scanned by the projection areas ER1 and ER2, the sheet SH moves in the −Y direction along the path. Next, the mask M is folded back in the −Y direction so that the illumination area IR1 moves to the end on the + Y direction side of the pattern area PA, that is, the illumination area IR1 returns to the starting position of the scanning exposure.

第４走査露光例では、ショット領域ＳＲ１への走査露光の開始時から一定時間に亘って投影領域ＥＲ２に第２パターンの投影像が形成されないようにするとともに、ショット領域ＳＲ２への走査露光の終了時までの一定時間に亘って投影領域ＥＲ１に第１パターンの投影像が形成されないようにする。また、マスクＭの−Ｙ方向への折り返し移動に際して、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２にパターンの投影像が形成されないようにする。こうして、マスクＭの次のスキャン移動に同期して、次のショット領域ＳＲ１への走査露光と次のショット領域ＳＲ２への走査露光とが一定の時間差をもってほぼ同時に行われる。   In the fourth scanning exposure example, the projection image of the second pattern is prevented from being formed in the projection area ER2 for a certain time from the start of the scanning exposure to the shot area SR1, and the scanning exposure to the shot area SR2 is completed. The projection image of the first pattern is prevented from being formed in the projection region ER1 over a certain period of time. Further, when the mask M is folded back in the −Y direction, a projection image of the pattern is prevented from being formed in the projection areas ER1 and ER2. Thus, in synchronization with the next scanning movement of the mask M, the scanning exposure to the next shot region SR1 and the scanning exposure to the next shot region SR2 are performed almost simultaneously with a certain time difference.

そして、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動（スキャン移動および折り返し移動）を複数回に亘って繰り返すことにより、図４に示すように、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上に、マスクＭのパターンが転写されたショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とが一定の間隔Ｇｙを隔てて交互に形成される。なお、式（４）では基板長ＳＬの上限値が示されていないが、実用的には、ショット領域ＳＲ１とＳＲ２との間隔Ｇｙが各ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の寸法ＭＧ×ＡＬよりも大きくなると、シートＳＨの無駄が多くなり過ぎるので、ＭＧ×（２×ＡＬ−ＧＰ）＞ＳＬであることが好ましい。   Then, the reciprocating movement (scanning movement and folding movement) along the Y direction of the mask M is repeated a plurality of times, thereby continuously moving at a constant speed along a predetermined path as shown in FIG. On the sheet SH to be shot, the shot areas SR1 and the shot areas SR2 to which the pattern of the mask M has been transferred are alternately formed at a constant interval Gy. Although the upper limit value of the substrate length SL is not shown in Expression (4), practically, when the gap Gy between the shot areas SR1 and SR2 becomes larger than the dimension MG × AL of each shot area SR1, SR2. Since the waste of the sheet SH becomes excessive, it is preferable that MG × (2 × AL−GP)> SL.

図１１に示す第５走査露光例では、基板長ＳＬと投影倍率ＭＧとパターン長ＡＬとが、次の式（５）に示す関係を満足している。換言すれば、第５走査露光例では、互いに隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２との間隔Ｇｙが０になるように、ひいては隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２とが互いに接するように設定されている。
ＳＬ＝ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ） （５）In the fifth scanning exposure example shown in FIG. 11, the substrate length SL, the projection magnification MG, and the pattern length AL satisfy the relationship represented by the following equation (5). In other words, in the fifth scanning exposure example, the gap Gy between the pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 is set to 0, and thus the pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 are set in contact with each other. ing.
SL = MG × (AL-GP) (5)

したがって、第５走査露光例では、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動（スキャン移動および折り返し移動）を複数回に亘って繰り返すことにより、図６に示すように、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上に、マスクＭのパターンが転写されたショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とが互いに接するように交互に形成され、ひいては長尺方向（Ｙ方向）に所望の長さを有する切れ目のない１つのショット領域ＳＲが形成される。   Therefore, in the fifth scanning exposure example, the reciprocating movement (scanning movement and folding movement) along the Y direction of the mask M is repeated a plurality of times, so that it is constant along a predetermined path as shown in FIG. The shot area SR1 and the shot area SR2 to which the pattern of the mask M is transferred are alternately formed on the sheet SH that continuously moves at a speed of 5 mm, and as a result, a desired length direction (Y direction) is formed. One continuous shot region SR having a length is formed.

図１２に示す第６走査露光例では、基板長ＳＬと投影倍率ＭＧとパターン長ＡＬとが、次の式（６）に示す関係を満足している。換言すれば、第６走査露光例では、隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２とが部分的に重なり合うように設定されている。図１２では、隣り合う一対のショット領域ＳＲ１とＳＲ２との重複部分の走査方向に沿った寸法を、ＭＧ×ＯＰで表している。
ＳＬ＜ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ） （６）In the sixth scanning exposure example shown in FIG. 12, the substrate length SL, the projection magnification MG, and the pattern length AL satisfy the relationship represented by the following equation (6). In other words, in the sixth scanning exposure example, the pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 are set so as to partially overlap. In FIG. 12, the dimension along the scanning direction of the overlapping portion between a pair of adjacent shot regions SR1 and SR2 is represented by MG × OP.
SL <MG × (AL-GP) (6)

したがって、第６走査露光例においても第５走査露光例の場合と同様に、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動（スキャン移動および折り返し移動）を複数回に亘って繰り返すことにより、図６に示すように、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上に、マスクＭのパターンが転写されたショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とが互いに部分的に重複するように交互に形成され、ひいては長尺方向（Ｙ方向）に所望の長さを有する切れ目のない１つのショット領域ＳＲが形成される。   Accordingly, in the sixth scanning exposure example as well, in the same way as in the fifth scanning exposure example, the reciprocating movement (scanning movement and folding movement) along the Y direction of the mask M is repeated a plurality of times to obtain FIG. As shown, the shot area SR1 and the shot area SR2 to which the pattern of the mask M is transferred are alternately overlapped with each other on the sheet SH continuously moving at a constant speed along a predetermined path. Thus, one unbroken shot region SR having a desired length in the longitudinal direction (Y direction) is formed.

こうして、第２実施形態においても、マスクＭを＋Ｙ方向へ１回スキャン移動させることにより、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上のショット領域ＳＲ１へのマスクパターンの第１投影像の走査露光とショット領域ＳＲ２へのマスクパターンの第２投影像の走査露光とをほぼ同時に行うことができる。また、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動を複数回に亘って繰り返すことにより、シートＳＨ上にショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とを交互に連続形成することができる。   Thus, also in the second embodiment, by moving the mask M once in the + Y direction, the mask pattern on the shot region SR1 on the sheet SH continuously moving at a constant speed along a predetermined path is obtained. The scanning exposure of the first projection image and the scanning exposure of the second projection image of the mask pattern onto the shot region SR2 can be performed almost simultaneously. Further, by repeating the reciprocating movement along the Y direction of the mask M a plurality of times, the shot areas SR1 and the shot areas SR2 can be alternately and continuously formed on the sheet SH.

第２実施形態では、式（４）に示す関係を満足するパターン長ＡＬのパターン領域ＰＡが形成されたマスクＭを用いる第４走査露光例により、ショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンとショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを間隔を隔てて複数形成することができる。また、式（５）または式（６）に示す関係を満足するパターン長ＡＬのパターン領域ＰＡが形成されたマスクＭを用いる第５走査露光例または第６走査露光例により、ショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンとショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを連続して繰り返し形成することができる。   In the second embodiment, the fourth transfer exposure example using the mask M in which the pattern area PA having the pattern length AL that satisfies the relationship expressed by the formula (4) is used, and the first transfer pattern transferred to the shot area SR1 A plurality of second transfer patterns transferred to the shot region SR2 can be formed at intervals. In addition, the image is transferred to the shot region SR1 by the fifth scanning exposure example or the sixth scanning exposure example using the mask M in which the pattern region PA having the pattern length AL that satisfies the relationship expressed by the formula (5) or the formula (6) is formed. The first transfer pattern to be transferred and the second transfer pattern to be transferred to the shot region SR2 can be formed repeatedly in succession.

なお、第１実施形態における式（１）〜式（３）と第２実施形態における式（４）〜式（６）とを比較すると、中心間隔ＧＰが０のとき、式（１）と式（４）とが一致し、式（２）と式（５）とが一致し、式（３）と式（６）とが一致することがわかる。すなわち、第１実施形態では、実際には単一の照明領域ＩＲが形成されるが、一対の照明領域ＩＲ１とＩＲ２とが中心間隔ＧＰ＝０で互いに重なり合って形成されているものと考えることもできる。   In addition, when Formula (1)-Formula (3) in 1st Embodiment and Formula (4)-Formula (6) in 2nd Embodiment are compared, when center space | interval GP is 0, Formula (1) and Formula It can be seen that (4) matches, formula (2) and formula (5) match, and formula (3) and formula (6) match. That is, in the first embodiment, a single illumination region IR is actually formed, but it can be considered that a pair of illumination regions IR1 and IR2 are formed to overlap each other with a center interval GP = 0. it can.

図１３は、本発明の第３実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。第３実施形態は第２実施形態と類似の構成を有するが、第３実施形態では走査露光に際してマスクＭとシートＳＨとが互いに同じ向きに移動する点、および投影光学系ＰＬの内部構成が第２実施形態と相違している。したがって、図１３では、第２実施形態における構成要素と同様の機能を有する要素に、図９と同じ参照符号を付している。以下、第２実施形態との相違点に着目して、第３実施形態の構成および作用を説明する。   FIG. 13 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to the third embodiment of the present invention. The third embodiment has a configuration similar to that of the second embodiment. In the third embodiment, the mask M and the sheet SH move in the same direction during scanning exposure, and the internal configuration of the projection optical system PL is the first. This is different from the second embodiment. Therefore, in FIG. 13, the same reference numerals as those in FIG. 9 are given to elements having the same functions as the constituent elements in the second embodiment. Hereinafter, the configuration and operation of the third embodiment will be described, focusing on the differences from the second embodiment.

第３実施形態の露光装置において、投影光学系ＰＬは、中間結像光学系ＧＭと、第１結像光学系Ｇ１と、第２結像光学系Ｇ２とを備えている。中間結像光学系ＧＭは、マスクＭのパターン領域（図１３では不図示）において第１照明領域ＩＲ１により照明された第１パターンの第１中間像Ｉ１を形成し、且つ第２照明領域ＩＲ２により照明された第２パターンの第２中間像Ｉ２を形成する。第１結像光学系Ｇ１は第１中間像Ｉ１からの光に基づいてシートＳＨ上の第１投影領域ＥＲ１に第１パターンの第１投影像を形成し、第２結像光学系Ｇ２は第２中間像Ｉ２からの光に基づいてシートＳＨ上の第２投影領域ＥＲ２に第２パターンの第２投影像を形成する。   In the exposure apparatus of the third embodiment, the projection optical system PL includes an intermediate imaging optical system GM, a first imaging optical system G1, and a second imaging optical system G2. The intermediate imaging optical system GM forms a first intermediate image I1 of the first pattern illuminated by the first illumination region IR1 in the pattern region (not shown in FIG. 13) of the mask M, and by the second illumination region IR2. The illuminated second intermediate image I2 of the second pattern is formed. The first imaging optical system G1 forms a first projection image of a first pattern in the first projection region ER1 on the sheet SH based on the light from the first intermediate image I1, and the second imaging optical system G2 The second projection image of the second pattern is formed in the second projection region ER2 on the sheet SH based on the light from the second intermediate image I2.

投影領域ＥＲ１およびＥＲ２には、第１投影像および第２投影像として、投影光学系ＰＬの投影倍率ＭＧで第１パターンおよび第２パターンを拡大した形状を有する拡大像が形成される。具体的に、第１投影像は第１照明領域ＩＲ１内の第１パターンのＹ方向（走査方向）に正立した像であり、第２投影像は第２照明領域ＩＲ２内の第２パターンのＹ方向に正立した像である。したがって、第３実施形態では、走査露光に際して、マスクＭとシートＳＨとが互いに同じ向き（＋Ｙ方向の向き）に移動する。第３実施形態における走査露光の動作は、走査露光に際してマスクＭとシートＳＨとが互いに同じ向きに移動する点を除いて第２実施形態における走査露光の動作と同様であり、重複する説明を省略する。   In the projection regions ER1 and ER2, enlarged images having shapes obtained by enlarging the first pattern and the second pattern with the projection magnification MG of the projection optical system PL are formed as the first projection image and the second projection image. Specifically, the first projection image is an image upright in the Y direction (scanning direction) of the first pattern in the first illumination region IR1, and the second projection image is a second pattern in the second illumination region IR2. It is an image upright in the Y direction. Therefore, in the third embodiment, during scanning exposure, the mask M and the sheet SH move in the same direction (the direction in the + Y direction). The scanning exposure operation in the third embodiment is the same as the scanning exposure operation in the second embodiment except that the mask M and the sheet SH move in the same direction at the time of scanning exposure, and redundant description is omitted. To do.

第３実施形態では、中間結像光学系ＧＭが例えば１．２５倍の拡大倍率を有し、第１結像光学系Ｇ１および第２結像光学系Ｇ２が例えば２倍の拡大倍率を有する。この場合、中間拡大像Ｉ１，Ｉ２の形成により、収差の発生を小さく抑えつつ投影光学系ＰＬの所要の拡大倍率ＭＧを確保することができる。また、第３実施形態では、中間像Ｉ１，Ｉ２の形成位置の近傍に配置される偏向部材（例えば三角プリズムＰＲ）による光路分離が容易である。   In the third embodiment, the intermediate imaging optical system GM has an enlargement magnification of, for example, 1.25 times, and the first imaging optical system G1 and the second imaging optical system G2 have an enlargement magnification of, for example, 2 times. In this case, the formation of the intermediate magnified images I1 and I2 can ensure the required magnification MG of the projection optical system PL while suppressing the occurrence of aberrations to a small extent. In the third embodiment, the optical path can be easily separated by a deflecting member (for example, a triangular prism PR) disposed in the vicinity of the formation positions of the intermediate images I1 and I2.

図１４は、本発明の第４実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。第４実施形態は第３実施形態と類似の構成を有するが、投影光学系ＰＬの内部構成が第３実施形態と相違している。したがって、図１４では、第３実施形態における構成要素と同様の機能を有する要素に、図１３と同じ参照符号を付している。以下、第３実施形態との相違点に着目して、第４実施形態における投影光学系ＰＬの構成を説明する。   FIG. 14 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. The fourth embodiment has a configuration similar to that of the third embodiment, but the internal configuration of the projection optical system PL is different from that of the third embodiment. Therefore, in FIG. 14, the same reference numerals as those in FIG. 13 are attached to elements having the same functions as the constituent elements in the third embodiment. Hereinafter, the configuration of the projection optical system PL in the fourth embodiment will be described by focusing on the differences from the third embodiment.

第３実施形態の投影光学系ＰＬでは、第１投影領域ＥＲ１の走査方向（Ｙ方向）に沿った中心が第１結像光学系Ｇ１の光軸よりも外側に位置し、第２投影領域ＥＲ２のＹ方向に沿った中心が第２結像光学系Ｇ２の光軸よりも外側に位置している。これに対し、第４実施形態の投影光学系ＰＬでは、第１投影領域ＥＲ１のＹ方向に沿った中心が第１結像光学系Ｇ１の光軸よりも内側に位置し、第２投影領域ＥＲ２のＹ方向に沿った中心が第２結像光学系Ｇ２の光軸よりも内側に位置している。   In the projection optical system PL of the third embodiment, the center of the first projection region ER1 along the scanning direction (Y direction) is located outside the optical axis of the first imaging optical system G1, and the second projection region ER2 The center in the Y direction is located outside the optical axis of the second imaging optical system G2. On the other hand, in the projection optical system PL of the fourth embodiment, the center of the first projection region ER1 along the Y direction is located inside the optical axis of the first imaging optical system G1, and the second projection region ER2 The center in the Y direction is located inside the optical axis of the second imaging optical system G2.

こうして、第４実施形態では、図１３と図１４とを比較して明らかなように、第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬが小さくなる。その結果、シートＳＨの長手方向に沿った各ショット領域ＳＲ１，ＳＲ２の寸法ＭＧ×ＡＬを、ひいてはマスクＭに設けるべきパターン領域ＰＡの走査方向に沿った寸法すなわちパターン長ＡＬを小さくすることができる。   Thus, in the fourth embodiment, as apparent from a comparison between FIG. 13 and FIG. 14, the substrate length SL of the sheet SH from the first projection region ER1 to the second projection region ER2 is reduced. As a result, the dimension MG × AL of each of the shot areas SR1 and SR2 along the longitudinal direction of the sheet SH, and thus the dimension along the scanning direction of the pattern area PA to be provided on the mask M, that is, the pattern length AL can be reduced. .

図１５は、本発明の第５実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。第５実施形態は、第４実施形態と類似の構成を有するが、第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間に迂回経路を設けている点が第４実施形態と相違している。したがって、図１５では、第４実施形態における構成要素と同様の機能を有する要素に、図１４と同じ参照符号を付している。以下、第４実施形態との相違点に着目して、第５実施形態の構成および作用を説明する。   FIG. 15 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. The fifth embodiment has a configuration similar to that of the fourth embodiment, but differs from the fourth embodiment in that a detour path is provided between the first projection region ER1 and the second projection region ER2. . Therefore, in FIG. 15, the same reference numerals as those in FIG. 14 are given to elements having the same functions as the constituent elements in the fourth embodiment. Hereinafter, the configuration and operation of the fifth embodiment will be described by focusing on the differences from the fourth embodiment.

第１乃至第４実施形態では、シートＳＨが第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間をＹ方向に沿って延びる直線経路に沿って移動している。これに対し、第５実施形態では、第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間の経路の途中に、Ｘ方向に延びる軸線廻りに回転する複数のローラーを備えた調整機構５０が設けられている。第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間に迂回経路を形成する調整機構５０は、Ｙ方向に沿ったローラー間隔を調整する間隔調整部５０ａを有する。   In the first to fourth embodiments, the sheet SH moves along a straight path extending along the Y direction between the first projection region ER1 and the second projection region ER2. In contrast, in the fifth embodiment, an adjustment mechanism 50 including a plurality of rollers that rotate about an axis extending in the X direction is provided in the middle of the path between the first projection area ER1 and the second projection area ER2. It has been. The adjustment mechanism 50 that forms a detour path between the first projection region ER1 and the second projection region ER2 includes an interval adjustment unit 50a that adjusts the roller interval along the Y direction.

第５実施形態では、第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬは、第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間のＹ方向に沿った距離ＳＬａよりも、調整機構５０に対応する迂回経路の分だけ長くなる。換言すれば、第５実施形態では、第１投影領域ＥＲ１を経由したシートＳＨの領域を、迂回経路を介して第２投影領域ＥＲ２まで移動させる構成を採用している。その結果、投影光学系ＰＬの構成により距離ＳＬａが小さく制限される場合であっても、迂回経路の作用により所要の基板長ＳＬを確保することができる。   In the fifth embodiment, the substrate length SL of the sheet SH from the first projection region ER1 to the second projection region ER2 is based on the distance SLa along the Y direction between the first projection region ER1 and the second projection region ER2. Also, the length becomes longer by the detour route corresponding to the adjustment mechanism 50. In other words, in the fifth embodiment, a configuration is adopted in which the area of the sheet SH that has passed through the first projection area ER1 is moved to the second projection area ER2 via the detour path. As a result, even if the distance SLa is limited to be small due to the configuration of the projection optical system PL, the required substrate length SL can be ensured by the action of the detour path.

また、第５実施形態では、調整機構５０の間隔調整部５０ａの作用により迂回経路中のシートＳＨの長さを調整し、ひいては第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬを調整する構成を採用している。したがって、マスクＭの交換によりパターン領域ＰＡのパターン長ＡＬを変化させなくても、投影倍率ＭＧおよび中心間隔ＧＰに基づいて、式（４）に示す関係、式（５）に示す関係、または式（６）に示す関係を満足するように、第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬを調整することができる。   In the fifth embodiment, the length of the sheet SH in the detour path is adjusted by the action of the interval adjustment unit 50a of the adjustment mechanism 50, and as a result, the substrate of the sheet SH from the first projection area ER1 to the second projection area ER2. A configuration for adjusting the long SL is adopted. Therefore, even if the pattern length PA of the pattern area PA is not changed by exchanging the mask M, the relationship shown in the equation (4), the relationship shown in the equation (5), or the equation based on the projection magnification MG and the center interval GP. The substrate length SL of the sheet SH from the first projection region ER1 to the second projection region ER2 can be adjusted so as to satisfy the relationship shown in (6).

その結果、式（４）に示す関係を満足する第４走査露光例により、ショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンとショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを間隔を隔てて複数形成することができる。また、式（５）または式（６）に示す関係を満足する第５走査露光例または第６走査露光例により、ショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンとショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを連続して繰り返し形成することができる。   As a result, a plurality of first transfer patterns transferred to the shot area SR1 and second transfer patterns transferred to the shot area SR2 are spaced apart from each other by the fourth scanning exposure example that satisfies the relationship represented by Expression (4). Can be formed. Further, the first transfer pattern transferred to the shot region SR1 and the first transfer pattern transferred to the shot region SR2 by the fifth scanning exposure example or the sixth scanning exposure example satisfying the relationship expressed by the formula (5) or the formula (6). Two transfer patterns can be formed repeatedly in succession.

このことは、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨに対して、第４走査露光例による個別転写と第５走査露光例または第６走査露光例による連結転写とを随時切り換えることができること、および第５走査露光例または第６走査露光例による連結転写における繰り返し回数を適時選択することができることを意味している。すなわち、第５実施形態では、図１６に示すように、領域長が互いに異なる第１転写パターン領域ＳＰ１と第２転写パターン領域ＳＰ２とをシートＳＨ上に順次形成することができる。   This means that individual transfer according to the fourth scanning exposure example and joint transfer according to the fifth scanning exposure example or the sixth scanning exposure example are performed on the sheet SH continuously moving at a constant speed along a predetermined path. This means that switching can be performed at any time, and the number of repetitions in the linked transfer in the fifth scanning exposure example or the sixth scanning exposure example can be selected as appropriate. That is, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 16, the first transfer pattern region SP1 and the second transfer pattern region SP2 having different region lengths can be sequentially formed on the sheet SH.

図１６に示す２つの転写パターン領域ＳＰ１とＳＰ２とでは、シートＳＨの短手方向（長手方向と直交する方向）に沿った領域幅ＲＷ１とＲＷ２とが同じであるが、シートＳＨの長手方向に沿った領域長ＲＬ１とＲＬ２とが相互に異なっている。このように領域長が互いに異なる２つの転写パターン領域ＳＰ１およびＳＰ２は、第１転写パターン領域ＳＰ１を形成する際の基板長ＳＬ１（符号は不図示）と、第２転写パターン領域ＳＰ２を形成する際の基板長ＳＬ２（符号は不図示）とを相互に異なる長さに設定することにより形成される。この場合、具体的には、基板長ＳＬ１が式（５）または式（６）を満足し且つ基板長ＳＬ２が式（４）を満足するように設定するか、あるいは基板長ＳＬ１が式（４）を満足し且つ基板長ＳＬ２が式（５）または式（６）を満足するように設定する。   In the two transfer pattern regions SP1 and SP2 shown in FIG. 16, the region widths RW1 and RW2 along the short direction (direction orthogonal to the longitudinal direction) of the sheet SH are the same, but in the longitudinal direction of the sheet SH. The region lengths RL1 and RL2 along are different from each other. The two transfer pattern regions SP1 and SP2 having different region lengths in this way are the substrate length SL1 (not shown) when forming the first transfer pattern region SP1 and the second transfer pattern region SP2. The substrate length SL2 (reference numeral not shown) is set to different lengths. In this case, specifically, the substrate length SL1 is set so as to satisfy Expression (5) or Expression (6) and the substrate length SL2 satisfies Expression (4), or the substrate length SL1 is set to Expression (4). ) And the substrate length SL2 is set so as to satisfy Equation (5) or Equation (6).

図示を省略するが、例えばマスクブラインドＭＢの作用により第１照明領域ＩＲ１のＸ方向の大きさと第２照明領域ＩＲ２のＸ方向の大きさとを相互に異なる大きさに設定し、ひいては第１投影領域ＥＲ１のＸ方向の大きさと第２投影領域ＥＲ２のＸ方向の大きさとを相互に異なる大きさに設定することによって、領域幅が互いに異なる２つの転写パターン領域をシートＳＨ上に順次形成することもできる。この場合、マスクブラインドＭＢに代えて、あるいはマスクブラインドＭＢに加えて、マスクＭのパターン面の近傍位置、マスクＭのパターン面と光学的に共役な共役位置（例えば中間像の形成位置）、またはこの共役位置の近傍などに配置された視野絞りを用いることもできる。   Although illustration is omitted, for example, the size of the first illumination region IR1 in the X direction and the size of the second illumination region IR2 in the X direction are set to be different from each other by the action of the mask blind MB. By setting the size of ER1 in the X direction and the size of the second projection region ER2 in the X direction to be different from each other, two transfer pattern regions having different region widths may be sequentially formed on the sheet SH. it can. In this case, instead of or in addition to the mask blind MB, a position near the pattern surface of the mask M, a conjugate position optically conjugate with the pattern surface of the mask M (for example, an intermediate image formation position), or A field stop disposed in the vicinity of the conjugate position can also be used.

第５実施形態では、第１乃至第４実施形態と同様に、マスクＭを＋Ｙ方向へ１回スキャン移動させることにより、所定の経路に沿って一定の速度で継続的に移動するシートＳＨ上のショット領域ＳＲ１へのマスクパターンの第１投影像の走査露光とショット領域ＳＲ２へのマスクパターンの第２投影像の走査露光とを並列的に行うことができる。
また、マスクＭのＹ方向に沿った往復移動を複数回に亘って繰り返すことにより、シートＳＨ上にショット領域ＳＲ１とショット領域ＳＲ２とを交互に連続形成することができる。
すなわち、第５実施形態では、ロール・ツー・ロールで搬送されるシートＳＨへの走査露光にかかるスループットを向上させることができる。In the fifth embodiment, as in the first to fourth embodiments, the mask M is moved once in the + Y direction by scanning and moving on the sheet SH that continuously moves along a predetermined path at a constant speed. The scanning exposure of the first projection image of the mask pattern onto the shot region SR1 and the scanning exposure of the second projection image of the mask pattern onto the shot region SR2 can be performed in parallel.
Further, by repeating the reciprocating movement along the Y direction of the mask M a plurality of times, the shot areas SR1 and the shot areas SR2 can be alternately and continuously formed on the sheet SH.
That is, in the fifth embodiment, it is possible to improve the throughput for scanning exposure on the sheet SH conveyed by roll-to-roll.

また、第５実施形態では、式（４）に示す関係を満足する第４走査露光例により、第１投影領域ＥＲ１の走査露光によりショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンと、第２投影領域ＥＲ２の走査露光によりショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを間隔を隔てて複数形成することができる。
また、式（５）または式（６）に示す関係を満足する第５走査露光例または第６走査露光例により、ショット領域ＳＲ１に転写される第１転写パターンとショット領域ＳＲ２に転写される第２転写パターンとを連続して繰り返し形成することができる。In the fifth embodiment, the first transfer pattern transferred to the shot region SR1 by the scanning exposure of the first projection region ER1 and the second projection by the fourth scanning exposure example that satisfies the relationship represented by Expression (4). A plurality of second transfer patterns transferred to the shot region SR2 by scanning exposure of the region ER2 can be formed at intervals.
Further, the first transfer pattern transferred to the shot region SR1 and the first transfer pattern transferred to the shot region SR2 by the fifth scanning exposure example or the sixth scanning exposure example satisfying the relationship expressed by the formula (5) or the formula (6) Two transfer patterns can be formed repeatedly in succession.

特に、第５実施形態では、第１転写パターン領域ＳＰ１を形成する際の基板長ＳＬ１（符号は不図示）と、第２転写パターン領域ＳＰ２を形成する際の基板長ＳＬ２（符号は不図示）とを相互に異なる長さに設定することにより、領域長が互いに異なる２つの転写パターン領域ＳＰ１およびＳＰ２を順次形成することができる。   In particular, in the fifth embodiment, the substrate length SL1 (reference numeral is not shown) when forming the first transfer pattern area SP1 and the substrate length SL2 (reference numeral is not shown) when forming the second transfer pattern area SP2. Are set to different lengths, so that two transfer pattern regions SP1 and SP2 having different region lengths can be sequentially formed.

なお、第５実施形態では、第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間に、複数のローラーの作用によりＹＺ平面に沿って迂回する経路を形成している。しかしながら、これに限定されることなく、迂回経路の具体的な構成については様々な形態が可能である。例えば、ローラー側面（円筒面）に沿ったシートの折り曲げにより、２つの投影領域間でシートの長尺方向を偏向させる構成も可能である。この場合、第１投影領域と第２投影領域とは、例えばローラー側面の異なる位置に対して設けられ、各投影領域に対する投影光学系の光軸は互いに平行にはならなくなる。   In the fifth embodiment, a path detouring along the YZ plane is formed between the first projection area ER1 and the second projection area ER2 by the action of a plurality of rollers. However, the present invention is not limited to this, and various forms are possible for the specific configuration of the detour path. For example, a configuration in which the longitudinal direction of the sheet is deflected between the two projection regions by bending the sheet along the roller side surface (cylindrical surface) is also possible. In this case, the first projection region and the second projection region are provided, for example, at different positions on the roller side surface, and the optical axes of the projection optical system with respect to each projection region are not parallel to each other.

図１７乃至図２０に示すように、第１乃至第４実施形態の構成において第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２との間の経路の途中に調整機構５０を付設することにより、第５実施形態と同様の効果を得ることも可能である。図１７乃至図２０に示す変形例では、調整機構５０の作用により投影倍率ＭＧおよび中心間隔ＧＰに基づいて第１投影領域ＥＲ１から第２投影領域ＥＲ２までのシートＳＨの基板長ＳＬを調整することができるので、領域長が互いに異なる２つの転写パターン領域をシートＳＨ上に順次形成することができる。   As shown in FIGS. 17 to 20, in the configuration of the first to fourth embodiments, the adjustment mechanism 50 is attached in the middle of the path between the first projection region ER <b> 1 and the second projection region ER <b> 2, thereby It is also possible to obtain the same effect as the embodiment. In the modification shown in FIGS. 17 to 20, the substrate length SL of the sheet SH from the first projection region ER1 to the second projection region ER2 is adjusted based on the projection magnification MG and the center interval GP by the action of the adjustment mechanism 50. Therefore, two transfer pattern regions having different region lengths can be sequentially formed on the sheet SH.

また、図１７乃至図２０に示す変形例では、視野絞りの作用により第１投影領域ＥＲ１のＸ方向の大きさと第２投影領域ＥＲ２のＸ方向の大きさとを相互に異なる大きさに設定することによって、領域幅が互いに異なる２つの転写パターン領域をシートＳＨ上に順次形成することができる。ただし、図１７に示す例では、第１投影領域ＥＲ１と第２投影領域ＥＲ２とに共通の単一照明領域ＩＲが形成されるので、第１投影領域ＥＲ１のＸ方向の大きさと第２投影領域ＥＲ２のＸ方向の大きさとを相互に異なる大きさに設定するために、照明領域ＩＲと第１投影領域ＥＲ１との間の光路中に配置された第１視野絞りおよび照明領域ＩＲと第２投影領域ＥＲ２との間の光路中に配置された第２視野絞りを備える必要がある。   In the modification shown in FIGS. 17 to 20, the size of the first projection region ER1 in the X direction and the size of the second projection region ER2 in the X direction are set to different sizes by the action of the field stop. Thus, two transfer pattern regions having different region widths can be sequentially formed on the sheet SH. However, in the example shown in FIG. 17, since the common single illumination area IR is formed in the first projection area ER1 and the second projection area ER2, the size of the first projection area ER1 in the X direction and the second projection area ER1. In order to set the size of ER2 in the X direction to be different from each other, the first field stop and the illumination region IR and the second projection arranged in the optical path between the illumination region IR and the first projection region ER1. It is necessary to provide a second field stop arranged in the optical path between the region ER2.

なお、上述の説明では、単一のパターン領域ＰＡが設けられたマスクＭに基づいて走査露光例を説明している。しかしながら、これに限定されることなく、例えば図２１に示すように中央パターン領域ＰＡｃが一対の端パターン領域ＰＡａとＰＡｂとに挟まれた形態のマスクＭを用いた走査露光も可能である。以下、図２２乃至図３２を参照して、図２１に示すマスクＭと、例えば図１５に示す投影光学系ＰＬとを用いる第７走査露光例を説明する。   In the above description, the scanning exposure example is described based on the mask M provided with the single pattern area PA. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 21, scanning exposure using a mask M having a central pattern area PAc sandwiched between a pair of end pattern areas PAa and PAb is also possible. The seventh scanning exposure example using the mask M shown in FIG. 21 and the projection optical system PL shown in FIG. 15, for example, will be described below with reference to FIGS.

図２１を参照すると、マスクＭ上には、例えばＹ方向に細長い矩形状の中央パターン領域ＰＡｃと、中央パターン領域ＰＡｃの＋Ｙ方向側に隣接してＸ方向に延びる直線状の遮光帯５１ａと、遮光帯５１ａの＋Ｙ方向側に隣接してＸ方向に細長い矩形状の第１端パターン領域ＰＡａと、中央パターン領域ＰＡｃの−Ｙ方向側に隣接してＸ方向に延びる直線状の遮光帯５１ｂと、遮光帯５１ｂの−Ｙ方向側に隣接してＸ方向に細長い矩形状の第２端パターン領域ＰＡｂとが設けられている。マスクＭは、その中心を通ってＸ方向に延びる直線およびＹ方向に延びる直線に関して対称に形成されている。   Referring to FIG. 21, on the mask M, for example, a rectangular central pattern area PAc elongated in the Y direction, and a linear light-shielding band 51a extending in the X direction adjacent to the + Y direction side of the central pattern area PAc, A rectangular first end pattern area PAa elongated in the X direction adjacent to the + Y direction side of the light shielding band 51a, and a linear light shielding band 51b extending in the X direction adjacent to the −Y direction side of the central pattern area PAc. A rectangular second end pattern area PAb elongated in the X direction is provided adjacent to the -Y direction side of the light shielding band 51b. The mask M is formed symmetrically with respect to a straight line extending in the X direction and a straight line extending in the Y direction through the center thereof.

中央パターン領域ＰＡｃ、および一対の端パターン領域ＰＡａ，ＰＡｂにおいて図中破線５２で示す領域には、表示パネル用の表示部パターンのような繰り返しパターンが形成されている。具体的には、後述するように、シートＳＨ上に形成すべき転写パターンのうち、シートＳＨの長尺方向（Ｙ方向）に沿った始端部分に対応するパターン（例えば主として周辺回路パターン）が第１端パターン領域ＰＡａに形成され、転写パターンの中央部分に対応するパターン（例えば主として表示部パターン）が中央パターン領域ＰＡｃに形成され、転写パターンの終端部分に対応するパターン（例えば主として周辺回路パターン）が第２端パターン領域ＰＡｂに形成されている。マスクＭにおいて、中央パターン領域ＰＡｃの走査方向（Ｙ方向）に沿った寸法、すなわちパターン長はＡＬである。   In the central pattern area PAc and the pair of end pattern areas PAa and PAb, a repetitive pattern such as a display panel pattern for a display panel is formed in an area indicated by a broken line 52 in the drawing. Specifically, as will be described later, among the transfer patterns to be formed on the sheet SH, a pattern (for example, mainly a peripheral circuit pattern) corresponding to the start end portion along the longitudinal direction (Y direction) of the sheet SH is first. A pattern (for example, mainly a display portion pattern) formed in one end pattern area PAa and corresponding to the central portion of the transfer pattern is formed in the central pattern region PAc, and a pattern (for example, mainly a peripheral circuit pattern) corresponding to the end portion of the transfer pattern. Is formed in the second end pattern area PAb. In the mask M, the dimension along the scanning direction (Y direction) of the central pattern area PAc, that is, the pattern length is AL.

第７走査露光例の説明では、動作の理解を容易するために、照明領域ＩＲ１，ＩＲ２、および投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の形状が走査露光に際して一定（不変）であり、照明領域ＩＲ１，ＩＲ２の−Ｙ方向側の端部（辺）がパターン領域ＰＡ，ＰＡａ，ＰＡｂの＋Ｙ方向側の端部（辺）に達したときに走査露光が開始され、照明領域ＩＲ１，ＩＲ２の＋Ｙ方向側の端部がパターン領域ＰＡ，ＰＡａ，ＰＡｂの−Ｙ方向側の端部に達したときに走査露光が完了するものとする。   In the description of the seventh scanning exposure example, in order to facilitate understanding of the operation, the shapes of the illumination regions IR1, IR2 and the projection regions ER1, ER2 are constant (invariable) during the scanning exposure, and − When the end (side) on the Y direction side reaches the end (side) on the + Y direction side of the pattern areas PA, PAa, PAb, scanning exposure is started, and the end on the + Y direction side of the illumination areas IR1, IR2 Scanning exposure is completed when the pattern area PA, PAa, PAb reaches the end on the −Y direction side.

第７走査露光例では、先ず、第２照明領域ＩＲ２による第１端パターン領域ＰＡａの走査露光を行う。照明領域ＩＲ２による走査露光に際して、照明領域ＩＲ２が第１端パターン領域ＰＡａの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、第１端パターン領域ＰＡａが照明領域ＩＲ２によって走査されるように、マスクＭ（ひいてはマスクステージＭＳ）が＋Ｙ方向に向かって所要の速度で移動する。マスクＭの＋Ｙ方向へのスキャン移動に同期して、所要のショット領域が第２投影領域ＥＲ２によって走査されるように、シートＳＨが経路に沿って＋Ｙ方向へ移動する。このとき、第１投影領域ＥＲ１にパターンの投影像が形成されないようにする。   In the seventh scanning exposure example, first, scanning exposure of the first end pattern area PAa by the second illumination area IR2 is performed. During the scanning exposure by the illumination area IR2, the first end until the illumination area IR2 reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the start position located at the end on the + Y direction side of the first end pattern area PAa. The mask M (and consequently the mask stage MS) moves at a required speed in the + Y direction so that the pattern area PAa is scanned by the illumination area IR2. In synchronization with the scanning movement of the mask M in the + Y direction, the sheet SH moves in the + Y direction along the path so that the required shot area is scanned by the second projection area ER2. At this time, the projection image of the pattern is not formed in the first projection region ER1.

図２２は、照明領域ＩＲ２による第１端パターン領域ＰＡａの走査が終了した時点の様子を示している。こうして、シートＳＨには、第１端パターン領域ＰＡａに対応するパターンＳＡａが転写される。次いで、図２３に示すように、照明領域ＩＲ１が中央パターン領域ＰＡｃの＋Ｙ方向側の端部よりも外側へ移動するように、すなわち照明領域ＩＲ１が中央パターン領域ＰＡｃへの走査露光の始動位置よりも＋Ｙ方向側へ戻るように、マスクＭを−Ｙ方向へ折り返し移動させる。そして、照明領域ＩＲ２による第１端パターン領域ＰＡａの走査露光の終了時から照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査露光の開始時まで、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２にパターンの投影像が形成されないようにする。以下、説明の簡素化のために、投影領域ＥＲ１，ＥＲ２への投影像の形成にかかる制御についての説明を省略する。   FIG. 22 shows a state at the time when the scanning of the first end pattern area PAa by the illumination area IR2 is completed. Thus, the pattern SAa corresponding to the first end pattern area PAa is transferred to the sheet SH. Next, as shown in FIG. 23, the illumination area IR1 moves outward from the end on the + Y direction side of the central pattern area PAc, that is, the illumination area IR1 from the start position of the scanning exposure to the central pattern area PAc. Also, the mask M is folded back in the −Y direction so as to return to the + Y direction side. Then, from the end of the scanning exposure of the first end pattern area PAa by the illumination area IR2 to the start of the scanning exposure of the central pattern area PAc by the illumination area IR1, a projection image of the pattern is not formed in the projection areas ER1 and ER2. To do. Hereinafter, for simplification of description, description of control related to formation of projection images on the projection areas ER1 and ER2 is omitted.

次いで、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査露光を開始する。照明領域ＩＲ１による走査露光に際して、照明領域ＩＲ１が中央パターン領域ＰＡｃの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、中央パターン領域ＰＡｃが照明領域ＩＲ１によって走査されるように、マスクＭが＋Ｙ方向に移動する。照明領域ＩＲ１による走査露光の開始時から一定時間だけ遅れて、照明領域ＩＲ２による中央パターン領域ＰＡｃの走査露光を開始する。照明領域ＩＲ２による走査露光に際して、照明領域ＩＲ２が中央パターン領域ＰＡｃの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、中央パターン領域ＰＡｃが照明領域ＩＲ２によって走査されるように、マスクＭは＋Ｙ方向に移動する。   Next, scanning exposure of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 is started. During the scanning exposure by the illumination area IR1, the central pattern area PAc reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the start position where the illumination area IR1 is located at the end on the + Y direction side of the central pattern area PAc. The mask M moves in the + Y direction so as to be scanned by the illumination region IR1. The scanning exposure of the central pattern area PAc by the illumination area IR2 is started after a predetermined time delay from the start of the scanning exposure by the illumination area IR1. During the scanning exposure by the illumination area IR2, the central pattern area PAc reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the start position where the illumination area IR2 is located at the end on the + Y direction side of the central pattern area PAc. The mask M moves in the + Y direction so as to be scanned by the illumination region IR2.

図２４は、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査を開始する時点の様子を示している。図２５は、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査を開始した後であって照明領域ＩＲ２による中央パターン領域ＰＡｃの走査を開始する前の時点の様子を示している。第７走査露光例では、図２５に示すように、投影領域ＥＲ１の走査による中央パターン領域ＰＡｃのパターンＳＡ１が、第１端パターン領域ＰＡａのパターンＳＡａとの間に重複部ＯＬ１を形成するようにシートＳＨ上に転写される。図示を省略したが、パターンＳＡａと接するようにパターンＳＡ１を転写することもできる。   FIG. 24 shows a state in which scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 is started. FIG. 25 shows a state at the time after the scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 is started and before the scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR2 is started. In the seventh scanning exposure example, as shown in FIG. 25, the overlapping portion OL1 is formed between the pattern SA1 of the central pattern region PAc obtained by scanning the projection region ER1 and the pattern SAa of the first end pattern region PAa. Transferred onto the sheet SH. Although not shown, the pattern SA1 can be transferred so as to be in contact with the pattern SAa.

図２６は、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査と照明領域ＩＲ２による中央パターン領域ＰＡｃの走査とが同時に進行している様子を示している。図２７は、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査を終了する直前の様子を示している。図２８は、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査を終了した時点の様子を示している。第７走査露光例では、図２８に示すように、投影領域ＥＲ２の走査による中央パターン領域ＰＡｃのパターンＳＡ２が、投影領域ＥＲ１の走査による中央パターン領域ＰＡｃのパターンＳＡ１との間に重複部ＯＬ２を形成するようにシートＳＨ上に転写される。図示を省略したが、パターンＳＡ１と接するようにパターンＳＡ２を転写することもできる。   FIG. 26 shows a state in which scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 and scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR2 proceed simultaneously. FIG. 27 shows a state immediately before the scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 is finished. FIG. 28 shows a state at the time when scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 is completed. In the seventh scanning exposure example, as shown in FIG. 28, an overlap portion OL2 is formed between the pattern SA2 of the central pattern area PAc obtained by scanning the projection area ER2 and the pattern SA1 of the central pattern area PAc obtained by scanning the projection area ER1. It is transferred onto the sheet SH so as to form. Although not shown, the pattern SA2 can be transferred so as to be in contact with the pattern SA1.

やがて、照明領域ＩＲ２による中央パターン領域ＰＡｃの走査が終了すると、図２９に示すように、照明領域ＩＲ１が第２端パターン領域ＰＡｂの＋Ｙ方向側の端部よりも外側へ移動するように、すなわち照明領域ＩＲ１が第２端パターン領域ＰＡｂへの走査露光の始動位置よりも＋Ｙ方向側へ戻るように、マスクＭを−Ｙ方向へ折り返し移動させる。次いで、照明領域ＩＲ１による第２端パターン領域ＰＡｂの走査露光を開始する。照明領域ＩＲ１による走査露光に際して、照明領域ＩＲ１が第２端パターン領域ＰＡｂの＋Ｙ方向側の端部に位置する始動位置から−Ｙ方向側の端部に位置する終了位置に達するまで、第２端パターン領域ＰＡｂが照明領域ＩＲ１によって走査されるように、マスクＭが＋Ｙ方向に移動する。   Eventually, when the scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR2 is completed, as shown in FIG. 29, the illumination area IR1 is moved outward from the + Y direction side end of the second end pattern area PAb, that is, The mask M is folded back in the −Y direction so that the illumination area IR1 returns to the + Y direction side from the scanning exposure start position for the second end pattern area PAb. Next, scanning exposure of the second end pattern area PAb by the illumination area IR1 is started. During the scanning exposure by the illumination area IR1, the second end until the illumination area IR1 reaches the end position located at the end on the −Y direction side from the start position located at the end on the + Y direction side of the second end pattern area PAb. The mask M moves in the + Y direction so that the pattern area PAb is scanned by the illumination area IR1.

図３０は、照明領域ＩＲ１による第２端パターン領域ＰＡｂの走査を開始する時点の様子を示している。図３１は、照明領域ＩＲ１による第２端パターン領域ＰＡｂの走査を終了した時点の様子を示している。第７走査露光例では、図３１に示すように、投影領域ＥＲ１の走査による第２端パターン領域ＰＡｂのパターンＳＡｂが、投影領域ＥＲ２の走査による中央パターン領域ＰＡｃのパターンＳＡ２との間に重複部ＯＬ３を形成するようにシートＳＨ上に転写される。図示を省略したが、パターンＳＡ２と接するようにパターンＳＡｂを転写することもできる。   FIG. 30 shows a state in which scanning of the second end pattern area PAb by the illumination area IR1 is started. FIG. 31 shows a state at the time when scanning of the second end pattern area PAb by the illumination area IR1 is completed. In the seventh scanning exposure example, as shown in FIG. 31, the pattern SAb of the second end pattern area PAb obtained by scanning the projection area ER1 overlaps with the pattern SA2 of the central pattern area PAc obtained by scanning the projection area ER2. Transferred onto the sheet SH to form OL3. Although not shown, the pattern SAb can be transferred so as to be in contact with the pattern SA2.

こうして、第７走査露光例では、図３２に示すような転写パターン領域ＳＰがシートＳＨ上に形成される。転写パターン領域ＳＰは、シートＳＨの長尺方向（図３２中水平方向）に沿って、先頭側（図３２中右側）から順に、第１端パターン領域ＰＡａに対応する転写パターンＳＡａと、中央パターン領域ＰＡｃに対応する一対の転写パターンＳＡ１およびＳＡ２と、第２端パターン領域ＰＡｂに対応する転写パターンＳＡｂとを有する。ここで、転写パターンＳＡ１とＳＡ２とは互いに同じパターンである。   Thus, in the seventh scanning exposure example, the transfer pattern region SP as shown in FIG. 32 is formed on the sheet SH. The transfer pattern area SP includes a transfer pattern SAa corresponding to the first end pattern area PAa and a central pattern in order from the leading side (right side in FIG. 32) along the longitudinal direction (horizontal direction in FIG. 32) of the sheet SH. It has a pair of transfer patterns SA1 and SA2 corresponding to the area PAc, and a transfer pattern SAb corresponding to the second end pattern area PAb. Here, the transfer patterns SA1 and SA2 are the same pattern.

また、照明領域ＩＲ１による中央パターン領域ＰＡｃの走査と照明領域ＩＲ２による中央パターン領域ＰＡｃの走査とを並列的に行う動作を繰り返すこと（ひいてはマスクＭのＹ方向に沿った往復移動を複数回に亘って繰り返すこと）により、相互に連結された転写パターンＳＡ１とＳＡ２とからなる連結転写パターン領域（ＳＡ１，ＳＡ２）をシートＳＨ上に連続して形成することができる。その結果、図示を省略したが、第１端パターン領域ＰＡａに対応する転写パターンＳＡａと第２端パターン領域ＰＡｂに対応する転写パターンＳＡｂとの間に、中央パターン領域ＰＡｃに対応する連結転写パターン領域（ＳＡ１，ＳＡ２）を所望数だけ連続して形成することもできる。   In addition, the operation of performing the scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR1 and the scanning of the central pattern area PAc by the illumination area IR2 in parallel is repeated (and the reciprocating movement of the mask M along the Y direction is performed a plurality of times). By repeating the above, it is possible to continuously form the connected transfer pattern region (SA1, SA2) composed of the transfer patterns SA1 and SA2 connected to each other on the sheet SH. As a result, although not shown, a connected transfer pattern region corresponding to the central pattern region PAc is present between the transfer pattern SAa corresponding to the first end pattern region PAa and the transfer pattern SAb corresponding to the second end pattern region PAb. A desired number of (SA1, SA2) can be formed continuously.

電子表示デバイスの製造に第１走査露光例または第４走査露光例を適用することにより、図３３において参照符号６１で示すように、既定サイズＡのディスプレーのための転写パターン領域を１面づつ間隔を隔てて形成することができる。なお、図３３において、太い実線で示す外側の長方形はデバイスの単位領域（露光領域）を示し、破線で示す内側の長方形は表示部の転写パターン領域を示している。したがって、実線で示す長方形と破線で示す長方形との間の領域は、周辺回路の転写パターンに対応している。   By applying the first scanning exposure example or the fourth scanning exposure example to the manufacture of the electronic display device, as shown by the reference numeral 61 in FIG. 33, the transfer pattern regions for the display of the predetermined size A are spaced one by one. Can be formed apart from each other. In FIG. 33, an outer rectangle indicated by a thick solid line indicates a unit area (exposure area) of the device, and an inner rectangle indicated by a broken line indicates a transfer pattern area of the display unit. Therefore, the area between the rectangle indicated by the solid line and the rectangle indicated by the broken line corresponds to the transfer pattern of the peripheral circuit.

また、第２走査露光例、第３走査露光例、第５走査露光例または第６走査露光例を適用することにより、参照符号６２で示すように既定サイズＢのディスプレーのための転写パターン領域を２面取りしたり、参照符号６３で示すように任意サイズ（縦長）のディスプレーのための転写パターン領域を２面取りしたりすることができる。さらに、第７走査露光例を適用することにより、参照符号６４で示すように、任意サイズ（超横長）のディスプレーのための転写パターン領域を２面取りすることができる。なお、場合によっては、表示部パターンの走査露光工程を終えた後に、周辺回路パターンの走査露光工程を行っても良い。   Further, by applying the second scanning exposure example, the third scanning exposure example, the fifth scanning exposure example, or the sixth scanning exposure example, a transfer pattern region for a display of a predetermined size B as shown by reference numeral 62 can be obtained. Two chamfers can be formed, or a transfer pattern region for an arbitrary size (vertically long) display can be chamfered as indicated by reference numeral 63. Furthermore, by applying the seventh scanning exposure example, as indicated by reference numeral 64, two transfer pattern regions for a display having an arbitrary size (super-long landscape) can be taken. In some cases, the scanning exposure process for the peripheral circuit pattern may be performed after the scanning exposure process for the display unit pattern.

図３４および図３５に示すように、走査方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に沿って千鳥状に配列された拡大倍率を有する複数の投影光学系を用いて、マスクＭのパターン像をシートＳＨ上に拡大投影するマルチ走査露光を行うこともできる。図３４では、例えば図１５に示す投影光学系ＰＬを４つ並列的に配置した例を示しているが、マルチ走査露光のために投影領域ＥＲ１，ＥＲ２が台形状に整形され、ひいては照明領域ＩＲ１，ＩＲ２も台形状に整形されている。台形状の投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の両端の三角形状領域は、隣り合う２つの投影光学系の間でＹ方向に見て重なり合っており、シートＳＨ上における転写パターン領域の重複部ＯＬ４を形成する。   As shown in FIGS. 34 and 35, the pattern of the mask M using a plurality of projection optical systems having magnifications arranged in a zigzag pattern along the direction (X direction) orthogonal to the scanning direction (Y direction). Multi-scanning exposure in which an image is enlarged and projected on the sheet SH can also be performed. FIG. 34 shows an example in which, for example, four projection optical systems PL shown in FIG. 15 are arranged in parallel, but the projection areas ER1 and ER2 are shaped into a trapezoid for multi-scan exposure, and as a result, the illumination area IR1. , IR2 are also shaped into trapezoids. The triangular regions at both ends of the trapezoidal projection regions ER1 and ER2 overlap each other when seen in the Y direction between two adjacent projection optical systems, and form an overlapping portion OL4 of the transfer pattern region on the sheet SH.

図３４において、参照符号Ｓｗは、両端の投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の外側の三角形状領域を除く露光可能部分のＸ方向寸法であり、いわゆる最大露光幅を示している。参照符号Ｓｍｃは、Ｘ方向に隣り合う２つの投影光学系ＰＬのマスク側光軸のＹ方向に沿った距離、すなわちＸ方向に隣り合う２つの照明領域対ＩＲ１，ＩＲ２の中心位置のＹ方向に沿った距離を示している。この場合、図３５に示すように、マスクＭには、４つのパターン領域ＰＡがＸ方向に間隔を隔てて千鳥状に設けられる。具体的に、Ｘ方向に隣り合う２つのパターン領域ＰＡの中心は、Ｙ方向に沿ってＳｍｃ／（１−１／ＭＧ）だけ相互に位置ずれしている。   In FIG. 34, a reference symbol Sw is a dimension in the X direction of the exposure possible portion excluding the triangular regions outside the projection regions ER1 and ER2 at both ends, and indicates a so-called maximum exposure width. Reference numeral Smc is a distance along the Y direction of the mask side optical axis of two projection optical systems PL adjacent in the X direction, that is, in the Y direction of the center position of two illumination region pairs IR1 and IR2 adjacent in the X direction. The distance along is shown. In this case, as shown in FIG. 35, on the mask M, four pattern areas PA are provided in a staggered pattern at intervals in the X direction. Specifically, the centers of two pattern regions PA adjacent in the X direction are displaced from each other by Smc / (1-1 / MG) along the Y direction.

これは、隣り合う２つの投影光学系のうち、一方の投影光学系を介して形成される転写パターンの開始位置と、他方の投影光学系を介して形成される転写パターンの開始位置とを一致させるためである。Ｘ方向に隣り合う２つのパターン領域ＰＡの中心は、投影倍率ＭＧに応じた距離だけＹ方向に離間している。マルチ走査露光において隣り合う２つのパターン領域を走査方向に沿って千鳥状に配置する構成について、例えば、国際公開第２００７／１０８４２０号の開示を参照することができる。   This is because the start position of the transfer pattern formed via one of the two adjacent projection optical systems matches the start position of the transfer pattern formed via the other projection optical system. This is to make it happen. The centers of two pattern areas PA adjacent in the X direction are separated in the Y direction by a distance corresponding to the projection magnification MG. Regarding the configuration in which two adjacent pattern regions are arranged in a staggered pattern in the scanning direction in multi-scanning exposure, for example, the disclosure of International Publication No. 2007/108420 can be referred to.

マルチ走査露光では、第１投影光学系により第１投影領域に投影される拡大像の大きさを規定する第１視野絞りの幅方向の絞り径と、第２投影光学系により第２投影領域に投影される拡大像の大きさを規定する第２視野絞りの幅方向の絞り径とを相互に異なる大きさに設定することにより、領域幅が相互に異なる２つの転写パターン領域が順次形成される。   In multi-scanning exposure, the aperture diameter in the width direction of the first field stop that defines the size of the magnified image projected onto the first projection area by the first projection optical system, and the second projection optical system onto the second projection area. By setting the aperture diameters in the width direction of the second field stop that define the size of the magnified image to be projected to different sizes, two transfer pattern regions having different region widths are sequentially formed. .

また、上述の実施形態では、所定幅の長尺シート上に電子表示デバイス用のパターンを長尺方向に複数形成する際に、長尺シート上に形成すべき電子表示デバイスの個数および表示部サイズに関すパラメータを、露光装置を制御するコンピュータに設定する。
そして、上記パラメータにより、表示部サイズの異なる複数種の表示デバイス用パターンの露光が指定されたときは、長尺シートに露光される表示デバイス用パターンが表示部サイズの順に長尺方向に並ぶように露光装置を制御する。In the above-described embodiment, when a plurality of patterns for an electronic display device are formed in the longitudinal direction on a long sheet having a predetermined width, the number of electronic display devices to be formed on the long sheet and the display unit size. Are set in the computer that controls the exposure apparatus.
When the exposure of a plurality of types of display device patterns having different display unit sizes is specified by the above parameters, the display device patterns exposed on the long sheet are arranged in the long direction in the order of the display unit sizes. The exposure apparatus is controlled.

また、コンピュータに設定する表示部サイズに関するパラメータとして、複数の既定サイズを初期値として用意する。
コンピュータは、設定された複数の既定サイズと、各既定サイズ毎のデバイス個数、及び各デバイス用パターン間の長尺方向の間隔とに基づいて、必要とされる長尺シートの必要な長さを算定する。
また、表示部サイズに関するパラメータをコンピュータに設定するインターフェースには、予め用意された複数の既定サイズから２つ以上を選択可能とする入力フォームと、任意サイズの表示デバイス用パターンの露光のためのサイズ値入力フォームとを含む。Also, a plurality of default sizes are prepared as initial values as parameters relating to the display unit size set in the computer.
The computer determines the required length of the required long sheet based on a plurality of preset sizes, the number of devices for each default size, and the distance in the longitudinal direction between the patterns for each device. Calculate.
In addition, the interface for setting the parameters related to the display unit size in the computer has an input form that allows selection of two or more preset sizes prepared in advance, and a size for exposure of a display device pattern of any size. Value entry form.

なお、上述の実施形態では、図１、図９、図１３〜図１５などに示す特定の構成を有する投影光学系ＰＬに基づいて本発明を説明している。しかしながら、投影光学系の具体的な構成については、様々な形態が可能である。   In the above-described embodiment, the present invention is described based on the projection optical system PL having a specific configuration shown in FIGS. 1, 9, 13 to 15, and the like. However, various configurations of the specific configuration of the projection optical system are possible.

また、上述の実施形態では、照明系ＩＬ中のマスクブラインドＭＢの作用により、マスクＭ上に形成される照明領域ＩＲ（ＩＲ１，ＩＲ２）の形状を規定し、ひいてはシートＳＨ上に形成される投影領域ＥＲ１，ＥＲ２の形状を規定している。しかしながら、前述したように、マスクブラインドＭＢに代えて、例えば第１中間像Ｉ１の形成位置またはその近傍に第１可変視野絞り（不図示）を配置し、第２中間像Ｉ２の形成位置またはその近傍に第２可変視野絞り（不図示）を配置する構成も可能である。また、マスクブラインドＭＢに加えて、例えば第１中間像Ｉ１の形成位置またはその近傍に第１可変視野絞りを配置し、第２中間像Ｉ２の形成位置またはその近傍に第２可変視野絞りを配置する構成も可能である。   In the above-described embodiment, the shape of the illumination region IR (IR1, IR2) formed on the mask M is defined by the action of the mask blind MB in the illumination system IL, and as a result, the projection formed on the sheet SH. The shapes of the regions ER1 and ER2 are defined. However, as described above, instead of the mask blind MB, for example, a first variable field stop (not shown) is disposed at or near the formation position of the first intermediate image I1, and the formation position of the second intermediate image I2 or the position thereof. A configuration in which a second variable field stop (not shown) is arranged in the vicinity is also possible. In addition to the mask blind MB, for example, a first variable field stop is disposed at or near the formation position of the first intermediate image I1, and a second variable field stop is disposed at or near the formation position of the second intermediate image I2. It is also possible to configure.

また、上述の実施形態では、マスクＭの走査方向（Ｙ方向）とシートＳＨの走査方向（Ｙ方向）とが同じ方向（必ずしも同じ向きではない）である。しかしながら、マスクの走査方向と長尺基板の走査方向とは同じ方向である必要はなく、投影光学系の構成に応じて様々な形態が可能である。   In the above-described embodiment, the scanning direction (Y direction) of the mask M and the scanning direction (Y direction) of the sheet SH are the same direction (not necessarily the same direction). However, the scanning direction of the mask and the scanning direction of the long substrate need not be the same direction, and various forms are possible depending on the configuration of the projection optical system.

また、上述の実施形態では、マスクＭのパターンをシートＳＨに投影露光（転写）するパターン形成方法に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、例えばプロキシミティ露光やインクジェットによるパターン形成に対しても同様に本発明を適用することができる。
したがって、本発明では、長尺基板上に該長尺基板の長尺方向に沿って複数のパターン領域を形成するパターン形成方法において、前記長尺基板を前記長尺方向の一方側に移動させることと、前記長尺方向の一方側に移動されている前記長尺基板に第１パターン領域及び第２パターン領域を順次形成することと、を含み、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域とは、前記長尺方向の領域長と前記長尺方向に直交する幅方向の領域幅との少なくとも一方が相互に異なることが重要である。Further, in the above-described embodiment, the present invention is applied to a pattern forming method in which the pattern of the mask M is projected and exposed (transferred) onto the sheet SH. However, the present invention is not limited to this. The present invention can be similarly applied to pattern formation.
Therefore, in the present invention, in the pattern forming method of forming a plurality of pattern regions on the long substrate along the long direction of the long substrate, the long substrate is moved to one side in the long direction. And sequentially forming a first pattern region and a second pattern region on the long substrate that has been moved to one side in the long direction, and the first pattern region and the second pattern region, It is important that at least one of the region length in the longitudinal direction and the region width in the width direction orthogonal to the longitudinal direction are different from each other.

上述の実施形態の露光装置は、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行っても良い。   The exposure apparatus of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including each component so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus may be manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

上述の実施形態にかかる露光装置を用いて、半導体デバイス、液晶デバイスなどを製造することができる。図３６は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図３６に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、上述の実施形態の露光装置を用い、マスクＭに形成されたパターンをウェハ上の各ショット領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウェハの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。   A semiconductor device, a liquid crystal device, or the like can be manufactured using the exposure apparatus according to the above-described embodiment. FIG. 36 is a flowchart showing a manufacturing process of a semiconductor device. As shown in FIG. 36, in the semiconductor device manufacturing process, a metal film is vapor-deposited on a wafer to be a semiconductor device substrate (step S40), and a photoresist, which is a photosensitive material, is applied onto the vapor-deposited metal film ( Step S42). Subsequently, using the exposure apparatus of the above-described embodiment, the pattern formed on the mask M is transferred to each shot area on the wafer (step S44: exposure process), and the development of the wafer after the transfer, that is, the pattern is transferred. The transferred photoresist is developed (step S46: development step).

その後、ステップＳ４６によってウェハの表面に生成されたレジストパターンをウェハ加工用のマスクとし、ウェハの表面に対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層（転写パターン層）であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウェハの表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウェハの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。このようにステップＳ４６，Ｓ４８では、ステップＳ４４によってパターンが転写されたウェハが処理される。なお、ステップＳ４４では、上述の実施形態の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハを感光性基板としてパターンの転写を行う。   Thereafter, the resist pattern generated on the surface of the wafer in step S46 is used as a mask for wafer processing, and processing such as etching is performed on the surface of the wafer (step S48: processing step). Here, the resist pattern is a photoresist layer (transfer pattern layer) in which unevenness having a shape corresponding to the pattern transferred by the exposure apparatus of the above-described embodiment is generated, and the recess penetrates the photoresist layer. It is what you are doing. In step S48, the surface of the wafer is processed through this resist pattern. The processing performed in step S48 includes, for example, at least one of etching of the wafer surface or film formation of a metal film or the like. As described above, in steps S46 and S48, the wafer on which the pattern is transferred in step S44 is processed. In step S44, the exposure apparatus according to the above-described embodiment performs pattern transfer using the photoresist-coated wafer as a photosensitive substrate.

図３７は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図３７に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程（ステップＳ５０）、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）、セル組立工程（ステップＳ５４）およびモジュール組立工程（ステップＳ５６）を順次行う。ステップＳ５０のパターン形成工程では、感光性基板としてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、このパターンが転写された感光性基板を処理する処理工程とが含まれている。また、この感光性基板を処理する処理工程には、パターンが転写された感光性基板の現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層（転写パターン層）を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。なお、この加工工程におけるガラス基板の表面の加工には、ガラス基板の表面をエッチングすること、またはガラス基板の表面に所定の材料を蒸着もしくは塗布すること等が含まれる。   FIG. 37 is a flowchart showing manufacturing steps of a liquid crystal device such as a liquid crystal display element. As shown in FIG. 37, in the liquid crystal device manufacturing process, a pattern forming process (step S50), a color filter forming process (step S52), a cell assembling process (step S54), and a module assembling process (step S56) are sequentially performed. In the pattern forming step in step S50, predetermined patterns such as a circuit pattern and an electrode pattern are formed on the glass substrate coated with a photoresist as the photosensitive substrate, using the exposure apparatus of the above-described embodiment. This pattern forming step includes an exposure step of transferring the pattern to the photoresist layer using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and a processing step of processing the photosensitive substrate to which this pattern is transferred. Further, in the processing step for processing the photosensitive substrate, development of the photosensitive substrate to which the pattern has been transferred, that is, development of the photoresist layer on the glass substrate is performed, and a photoresist layer (transfer pattern) corresponding to the pattern is developed. And a processing step of processing the surface of the glass substrate through the developed photoresist layer. The processing of the surface of the glass substrate in this processing step includes etching the surface of the glass substrate or depositing or applying a predetermined material on the surface of the glass substrate.

ステップＳ５２のカラーフィルタ形成工程では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応する３つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップＳ５４のセル組立工程では、ステップＳ５０によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップＳ５２によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップＳ５６のモジュール組立工程では、ステップＳ５４によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。   In the color filter forming process in step S52, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning direction. In the cell assembly process in step S54, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the glass substrate on which the predetermined pattern is formed in step S50 and the color filter formed in step S52. Specifically, for example, a liquid crystal panel is formed by injecting liquid crystal between a glass substrate and a color filter. In the module assembling process in step S56, various components such as an electric circuit and a backlight for performing the display operation of the liquid crystal panel are attached to the liquid crystal panel assembled in step S54.

また、本発明は、半導体デバイスまたは液晶デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。   The present invention is not limited to application to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal device. For example, an exposure apparatus for a display device such as an organic EL display or a plasma display, or an image sensor (CCD or the like). The present invention can also be widely applied to exposure apparatuses for manufacturing various devices such as micromachines, thin film magnetic heads, and DNA chips. Furthermore, the present invention can also be applied to an exposure process (exposure apparatus) when manufacturing a mask (photomask, reticle, etc.) on which mask patterns of various devices are formed using a photolithography process.

５０ 調整機構
５０ａ 間隔調整部
ＬＳ 光源
ＩＬ 照明系
ＩＲ，ＩＲ１，ＩＲ２ 照明領域
ＥＲ１，ＥＲ２ 投影領域
Ｍ マスク
ＭＳ マスクステージ
ＰＬ 投影光学系
ＳＨ 帯状のシート（長尺基板）
ＳＣ 移動機構
ＤＲ１，ＤＲ２ 駆動制御系
ＣＲ 主制御系50 Adjustment mechanism 50a Interval adjustment unit LS Light source IL Illumination system IR, IR1, IR2 Illumination area ER1, ER2 Projection area M Mask MS Mask stage PL Projection optical system SH Band-shaped sheet (long substrate)
SC moving mechanism DR1, DR2 Drive control system CR Main control system

Claims (30)

第１面に配置されるパターンの像をフレキシブルな長尺基板に投影して該長尺基板に長尺方向に沿って前記パターンの複数を転写する露光方法であって、
前記第１面に沿った第１方向に所定の中心間隔で配置される第１部分領域と第２部分領域とを通るように、前記パターンを前記第１面に沿って前記第１方向に移動させることと、
前記パターンのうち前記第１部分領域に配置される第１部分パターンの拡大像を、前記長尺基板上の第１投影領域に所定の拡大倍率で投影することと、
前記パターンのうち前記第２部分領域に配置される第２部分パターンの拡大像を、前記第１投影領域から前記長尺方向に一定距離だけ離れた前記長尺基板上の第２投影領域に前記所定の拡大倍率で投影することと、
前記パターンの前記第１方向への移動に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域を経由するように前記長尺基板を前記長尺方向に沿って移動させることと、
前記第１投影領域と前記第２投影領域との各々によって前記長尺基板上に転写される前記パターンの像同士が、前記長尺方向に一定の間隔寸法、又は一定の重複寸法を伴って並ぶように、前記所定の拡大倍率及び前記中心間隔に基づいて、前記パターンの前記第１方向に沿ったパターン長と、前記第１投影領域から前記第２投影領域までの前記長尺基板の基板長との少なくとも一方を設定することと、
を含むことを特徴とする露光方法。 An exposure method for projecting an image of a pattern arranged on a first surface onto a flexible long substrate and transferring a plurality of the patterns along the long direction to the long substrate,
As passing through the first partial region and a second partial region which is disposed at a predetermined center distance in a first direction along the first surface, moving in the first direction along the pattern on the first surface And letting
And projecting an enlarged image of the first partial pattern, which is arranged in front Symbol first partial region of the pattern, the first projection area of the long substrate in a predetermined magnification,
An enlarged image of the second portion pattern arranged in front Symbol second partial region of the pattern, in the second projection region on the long substrate spaced by a predetermined distance in the elongated direction from the first projection region and projecting at the predetermined magnification,
And that in synchronism with the movement in the first direction of the pattern, moving the elongated substrate so as to pass through the first projection region and the second projection region along the elongated direction,
The images of the pattern transferred onto the long substrate by each of the first projection area and the second projection area are arranged with a certain interval dimension or a certain overlapping dimension in the longitudinal direction. as such, the predetermined magnification and on the basis of the center distance, the pattern length along the first direction of the pattern, the substrate length of the long substrate from the first projection region to the second projection region Setting at least one of and
An exposure method comprising: 前記パターン長と前記基板長との少なくとも一方を設定することは、前記パターン長をＡＬ、前記基板長をＳＬ、前記所定の拡大倍率をＭＧ、前記中心間隔をＧＰとしたとき、
０＜ＳＬ≦ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
の関係を満足させることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。 Setting at least one of said substrate length and the pattern length, the pattern length A L, the substrate length S L, the predetermined magnification of M G, when the center distance was GP,
0 <SL ≦ MG × (AL-GP)
The exposure method according to claim 1, wherein the relationship is satisfied. 前記パターンの前記第１方向に関する両端部の領域には、互いに同一形状のパターンが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の露光方法。   3. The exposure method according to claim 2, wherein patterns having the same shape are formed in regions at both ends of the pattern in the first direction. 前記パターンは、前記第１方向の前記パターン長に亘って該第１方向に周期性を有する周期パターンを含むことを特徴とする請求項２に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 2, wherein the pattern includes a periodic pattern having periodicity in the first direction over the pattern length in the first direction. 前記パターンを前記第１方向に移動させることは、前記パターンと前記第１方向に隣り合う補助パターンを前記第１面に沿って前記第１方向に移動させることを含み、
前記補助パターンのうち前記第１部分領域または前記第２部分領域に配置される部分補助パターンの拡大像を前記第１投影領域または前記第２投影領域に前記所定の拡大倍率で投影することにより前記長尺基板上に形成される補助転写パターンと、前記第１部分パターンの拡大像を前記第１投影領域に投影することにより前記長尺基板上に形成される第１転写パターンと、前記第２部分パターンの拡大像を前記第２投影領域に投影することにより前記長尺基板上に形成される第２転写パターンとが、前記長尺基板上で相互に連結するように露光することを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の露光方法。 Moving the pattern in the first direction includes moving an auxiliary pattern adjacent to the pattern in the first direction along the first surface in the first direction;
Wherein by projecting by the predetermined magnification of the magnified image of a portion auxiliary pattern disposed on the first partial area or said second partial region in the first projection region and the second projection region of said auxiliary pattern An auxiliary transfer pattern formed on the long substrate, a first transfer pattern formed on the long substrate by projecting an enlarged image of the first partial pattern onto the first projection region, and the second The second transfer pattern formed on the long substrate by projecting an enlarged image of the partial pattern onto the second projection region is exposed so as to be connected to each other on the long substrate. The exposure method according to any one of claims 2 to 4. 相互に連結された前記第１転写パターンと前記第２転写パターンとからなる転写パターン領域を複数回に亘って繰り返し露光することを特徴とする請求項５に記載の露光方法。   6. The exposure method according to claim 5, wherein a transfer pattern area composed of the first transfer pattern and the second transfer pattern connected to each other is repeatedly exposed a plurality of times. 前記パターン長と前記基板長との少なくとも一方を設定することは、前記パターン長をＡＬ、前記基板長をＳＬ、前記所定の拡大倍率をＭＧ、前記中心間隔をＧＰとしたとき、
ＳＬ＞ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
の関係を満足させることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。 Setting at least one of said substrate length and the pattern length, the pattern length A L, the substrate length S L, the predetermined magnification of M G, when the center distance was GP,
SL> MG × (AL-GP)
The exposure method according to claim 1, wherein the relationship is satisfied. 前記パターン長と前記基板長との少なくとも一方を設定することは、前記所定の拡大倍率及び前記中心間隔に対応する前記パターン長のパターンが形成されたマスクを準備し、該マスクのパターン面を前記第１面に配置することを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光方法。 Setting at least one of said substrate length and the pattern length prepares a mask where the pattern length of the pattern is formed corresponding to the predetermined magnification and the center distance, the pattern surface of the mask The exposure method according to claim 1, further comprising disposing the first surface. 前記長尺基板を前記長尺方向に沿って移動させることは、前記第１投影領域を経由した前記長尺基板の領域を、迂回経路を介して前記第２投影領域まで移動させることを含み、
前記パターン長と前記基板長との少なくとも一方を設定することは、前記迂回経路中の前記長尺基板の長さを前記所定の拡大倍率及び前記中心間隔に基づいて設定することを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光方法。 Moving the elongate substrate along the elongate direction includes moving the region of the elongate substrate via the first projection region to the second projection region via a detour path;
The setting at least one of the pattern length and the substrate length, characterized in that it includes setting based on the long length of the substrate in the detour path to the predetermined magnification and the center distance The exposure method according to any one of claims 1 to 8. 前記長尺基板を前記長尺方向に沿って移動させることは、前記長尺基板を前記長尺方向の一方側へ継続的に移動させ、
前記パターンを前記第１方向に移動させることは、前記パターンを前記第１方向に往復移動させることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光方法。 Moving the long substrate along the long direction continuously moves the long substrate to one side in the long direction,
The exposure method according to claim 1, wherein moving the pattern in the first direction reciprocates the pattern in the first direction. 第１面に配置されるパターンの像をフレキシブルな長尺基板に投影して該長尺基板に長尺方向に沿って前記パターンの複数を転写する露光装置であって、
前記第１面に沿った第１方向に所定の中心間隔で配置される第１部分領域と第２部分領域とを通るように、前記パターンを前記第１面に沿って前記第１方向に移動させるステージ機構と、
前記パターンのうち前記第１部分領域に配置される第１部分パターンの拡大像を、前記長尺基板上の第１投影領域に所定の拡大倍率で投影し、且つ前記パターンのうち前記第２部分領域に配置される第２部分パターンの拡大像を、前記第１投影領域から前記長尺方向に一定距離だけ離れた前記長尺基板上の第２投影領域に前記所定の拡大倍率で投影する投影光学系と、
前記パターンの前記第１方向への移動に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域を経由するように前記長尺基板を前記長尺方向に沿って移動させる移動機構と、
前記第１投影領域と前記第２投影領域との各々によって前記長尺基板上に転写される前記パターンの像同士が、前記長尺方向に一定の間隔寸法、又は一定の重複寸法を伴って並ぶように、前記所定の拡大倍率及び前記中心間隔に基づいて、前記第１投影領域から前記第２投影領域までの前記長尺基板の基板長を調整する調整機構と、
を備えていることを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that projects an image of a pattern arranged on a first surface onto a flexible long substrate and transfers a plurality of the patterns along the long direction to the long substrate,
As passing through the first partial region and a second partial region which is disposed at a predetermined center distance in a first direction along the first surface, moving in the first direction along the pattern on the first surface A stage mechanism
An enlarged image of the first partial pattern, which is arranged in the first partial region before Symbol of the pattern, the length projected in continuous first projection region on the substrate at a predetermined magnification, and the prior SL of the pattern an enlarged image of the second portion pattern are arranged in two partial regions, wherein the first projection from the projection area in the second projection region on the long substrate spaced by a predetermined distance in the elongated direction by the predetermined magnification A projection optical system,
In synchronism with the movement in the first direction of the pattern, a moving mechanism for the long substrate to via said first projection region and the second projection region is moved along the elongated direction,
The images of the pattern transferred onto the long substrate by each of the first projection area and the second projection area are arranged with a certain interval dimension or a certain overlapping dimension in the longitudinal direction. as such, the adjustment mechanism on the basis of the predetermined magnification and the center-to-center spacing to adjust the substrate length of the long substrate from the first projection region to the second projection region,
An exposure apparatus comprising: 前記調整機構は、前記第１投影領域と前記第２投影領域との間に設けられた迂回経路を有し、該迂回経路中の前記長尺基板の長さを前記所定の拡大倍率及び前記中心間隔に基づいて調整することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。 The adjusting mechanism, the first has a bypass path provided between the projection region and the second projection region, the length magnification and the central length of the predetermined length substrate during detour route an apparatus according to claim 1 1, wherein the adjusted based on the distance. 前記移動機構は、前記長尺基板を前記長尺方向の一方側へ継続的に移動させ、
前記ステージ機構は、前記パターンを前記第１方向に往復移動させることを特徴とする請求項１１または１２に記載の露光装置。 The moving mechanism continuously moves the long substrate to one side in the long direction,
The stage mechanism, the exposure apparatus according to claim 1 1 or 1 2, characterized in that for reciprocating the pattern in the first direction. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、前記パターンを前記長尺基板に転写する工程と、
前記パターンが転写された前記長尺基板を処理する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 Using the exposure method according to any one of claims 1 to 10 , and transferring the pattern to the long substrate;
And a step of processing the long substrate to which the pattern has been transferred. 請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記パターンを前記長尺基板に転写する工程と、
前記パターンが転写された前記長尺基板を処理する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 Using an exposure apparatus according to any one of claims 1 1 to 1 3, a step of transferring the pattern on the elongated substrate,
And a step of processing the long substrate to which the pattern has been transferred. フレキシブルな長尺基板上に該長尺基板の長尺方向に沿って複数のパターン領域を形成するパターン形成方法において、
前記長尺基板を前記長尺方向の一方側に移動させることと、
前記長尺方向の一方側に移動されている前記長尺基板に第１パターン領域及び第２パターン領域を順次形成することと、を含み、
前記第１パターン領域と前記第２パターン領域とは、前記長尺方向の領域長と前記長尺方向に直交する幅方向の領域幅との少なくとも一方が相互に異なることを特徴とするパターン形成方法。 In a pattern forming method for forming a plurality of pattern regions along the longitudinal direction of the long substrate on a flexible long substrate,
Moving the elongate substrate to one side in the elongate direction;
Sequentially forming a first pattern region and a second pattern region on the long substrate moved to one side in the long direction,
The pattern forming method, wherein the first pattern region and the second pattern region are different from each other in at least one of a region length in the longitudinal direction and a region width in a width direction orthogonal to the longitudinal direction. . 前記長尺基板を移動させることは、
第１領域及び第２領域を経由するように前記長尺基板を前記長尺方向の一方側へ移動させることを含み、
前記第１パターン領域及び前記第２パターン領域を順次形成することは、
第１面に配置されたパターンを、前記長尺基板の前記一方側への移動に同期して、前記長尺方向に対応する第１方向へ前記第１面に沿って移動させることと、
前記パターンのうち前記第１面の第１部分領域に配置される第１部分パターンの拡大像を前記第１領域に所定倍率で投影することと、
前記パターンのうち前記第１部分領域から前記第１方向に所定の中心間隔を置いた第２部分領域に配置される第２部分パターンの拡大像を前記第２領域に前記所定倍率で投影することと、
前記第１領域から前記第２領域までの前記長尺基板の基板長のうち、前記第１パターン領域を形成する際の第１基板長と、前記第２パターン領域を形成する際の第２基板長とを相互に異なる長さに設定することと、を含むことを特徴とする請求項１６に記載のパターン形成方法。 Moving the long substrate
Moving the elongated substrate to one side in the longitudinal direction so as to pass through the first region and the second region,
Sequentially forming the first pattern region and the second pattern region,
Moving the pattern arranged on the first surface along the first surface in a first direction corresponding to the long direction in synchronization with the movement of the long substrate to the one side;
Projecting an enlarged image of a first partial pattern arranged in the first partial area of the first surface of the pattern onto the first area at a predetermined magnification;
Projecting an enlarged image of the second partial pattern arranged in the second partial area at a predetermined center interval in the first direction from the first partial area to the second area at the predetermined magnification. When,
Of the substrate lengths of the long substrate from the first region to the second region, the first substrate length when forming the first pattern region and the second substrate when forming the second pattern region The pattern forming method according to claim 16 , further comprising: setting the lengths to different lengths. 前記第１基板長と前記第２基板長とを相互に異なる長さに設定することは、前記第１面に配置される前記パターンの前記第１方向に沿ったパターン長ＡＬと、前記第１基板長ＳＬ１と、前記第２基板長ＳＬ２と、前記所定倍率ＭＧと、前記中心間隔ＧＰとに関して、
０＜ＳＬ１≦ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
ＳＬ２＞ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
の関係を満足させることを特徴とする請求項１７に記載のパターン形成方法。 Setting the first substrate length and the second substrate length to be different from each other means that the pattern length AL along the first direction of the pattern disposed on the first surface is the first length. Regarding the substrate length SL1, the second substrate length SL2, the predetermined magnification MG, and the center interval GP,
0 <SL1 ≦ MG × (AL-GP)
SL2> MG × (AL-GP)
The pattern forming method according to claim 17 , wherein the relationship is satisfied. 前記第１基板長と前記第２基板長とを相互に異なる長さに設定することは、前記第１面に配置される前記パターンの前記第１方向に沿ったパターン長ＡＬと、前記第１基板長ＳＬ１と、前記第２基板長ＳＬ２と、前記所定倍率Ｍと、前記中心間隔ＧＰとに関して、
ＳＬ１＞ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
０＜ＳＬ２≦ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
の関係を満足させることを特徴とする請求項１７に記載のパターン形成方法。 Setting the first substrate length and the second substrate length to be different from each other means that the pattern length AL along the first direction of the pattern disposed on the first surface is the first length. Regarding the substrate length SL1, the second substrate length SL2, the predetermined magnification M, and the center interval GP,
SL1> MG × (AL-GP)
0 <SL2 ≦ MG × (AL-GP)
The pattern forming method according to claim 17 , wherein the relationship is satisfied. 前記長尺基板を前記長尺方向の一方側へ移動させることは、前記第１領域を経由した前記長尺基板の領域を、迂回経路を介して前記第２領域まで移動させることを含み、
前記第１基板長と前記第２基板長とを相互に異なる長さに設定することは、前記第１基板長を設定する際の前記迂回経路中の前記長尺基板の長さと、前記第２基板長を設定する際の前記迂回経路中の前記長尺基板の長さとを、前記所定倍率及び前記中心間隔に基づいて、相互に異なる長さに設定することを含むことを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 Moving the long substrate to the one side in the long direction includes moving the region of the long substrate via the first region to the second region via a detour path;
Setting the first substrate length and the second substrate length to be different from each other means that the length of the long substrate in the detour path when the first substrate length is set and the second substrate length are set. The length of the long substrate in the detour path when setting the substrate length includes setting the lengths different from each other based on the predetermined magnification and the center interval. The pattern forming method according to any one of 1 7 to 19 . 前記長尺基板を前記長尺方向の一方側へ移動させることは、前記長尺基板を前記一方側へ継続的に移動させ、
前記パターンを前記第１方向に移動させることは、前記パターンを前記第１方向に往復移動させることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 Moving the long substrate to one side in the long direction continuously moves the long substrate to the one side,
Moving said pattern to said first direction, the pattern forming method according to any one of claims 1 7-2 0, characterized in that for reciprocating the pattern in the first direction. 前記長尺基板を前記長尺方向の一方側へ移動させることは、前記長尺基板を前記一方側へ第１速度で移動させ、
前記パターンを前記第１方向に移動させることは、前記第１方向のうち前記長尺方向の前記一方側と光学的に対応する側へ、前記パターンを前記第１速度及び前記所定倍率に基づく第２速度で移動させることを特徴とする請求項２１に記載のパターン形成方法。 Moving the long substrate to one side in the long direction moves the long substrate to the one side at a first speed,
Moving the pattern in the first direction means moving the pattern to a side optically corresponding to the one side in the longitudinal direction of the first direction based on the first speed and the predetermined magnification. the pattern forming method according to claim 2 1, wherein the moving at a second speed. 前記第１部分パターンの拡大像の前記幅方向に関する第１の大きさと、前記第２部分パターンの拡大像の前記幅方向に関する第２の大きさとを相互に異なる大きさに設定することを含むことを特徴とする請求項１７〜２２のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 Setting the first size in the width direction of the magnified image of the first partial pattern and the second size in the width direction of the magnified image of the second partial pattern different from each other. the pattern forming method according to any one of claims 1 7-2 2, characterized in. 前記第１部分パターンの拡大像を投影することは、第１投影光学系によって前記第１部分パターンを前記所定倍率で投影し、
前記第２部分パターンの拡大像を投影することは、第２投影光学系によって前記第２部分パターンを前記所定倍率で投影し、
前記第１の大きさと前記第２の大きさとを相互に異なる大きさに設定することは、前記第１投影光学系により投影される拡大像の大きさを規定する第１視野絞りの前記幅方向の絞り径と、前記第２投影光学系により投影される拡大像の大きさを規定する第２視野絞りの前記幅方向の絞り径とを相互に異なる大きさに設定することを特徴とする請求項２３に記載のパターン形成方法。 Projecting the magnified image of the first partial pattern includes projecting the first partial pattern at the predetermined magnification by a first projection optical system,
Projecting the magnified image of the second partial pattern includes projecting the second partial pattern at the predetermined magnification by a second projection optical system,
Setting the first size and the second size to be different from each other means that the width direction of the first field stop defining the size of the magnified image projected by the first projection optical system. And a diaphragm diameter in the width direction of the second field diaphragm that defines the size of the magnified image projected by the second projection optical system are set to different sizes. the pattern forming method according to claim 2 3. 前記第１パターン領域及び前記第２パターン領域は、電子表示デバイス用パターンが形成された領域であることを特徴とする請求項１６〜２４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 Said first pattern region and said second pattern region, a pattern forming method according to any one of claims 1 to 6 21 to 24, characterized in that the area where the pattern for an electronic display device is formed. 請求項１６〜２５のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて、前記パターン領域を前記長尺基板に形成する工程と、
前記パターン領域が形成された前記長尺基板を処理する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 Using the pattern forming method according to any one of claims 1 6-2 5, the step of forming the pattern area on the elongated substrate,
And a step of processing the long substrate on which the pattern region is formed. 第１面に沿って配置されるマスクパターンの像をフレキシブルな長尺基板に投影して該長尺基板に前記マスクパターンを転写する露光方法であって、
前記マスクパターンを前記第１面に沿って第１方向に移動させることと、
前記マスクパターンのうち前記第１面に設定される第１部分領域内に配置される第１部分パターンの像を、前記長尺基板上の第１投影領域に所定倍率で投影することと、
前記マスクパターンのうち前記第１部分領域から前記第１方向に所定の中心間隔を置いた第２部分領域内に配置される第２部分パターンの像を、前記第１投影領域から前記長尺方向に一定距離だけ離れた前記長尺基板上の第２投影領域に前記所定倍率で投影することと、
前記マスクパターンの前記第１方向への移動に同期して、前記第１投影領域及び前記第２投影領域を通るように前記長尺基板を長尺方向に沿って移動させることと、
前記第１投影領域と前記第２投影領域との各々によって前記長尺基板上に転写される前記マスクパターンの像同士が、前記長尺方向に一定の間隔寸法、又は一定の重複寸法を伴って並ぶように、前記所定倍率、前記中心間隔、及び前記マスクパターンの前記第１方向に沿ったパターン長に基づいて、前記第１投影領域から前記第２投影領域に至る前記長尺基板の基板長を調整することと、
を含むことを特徴とする露光方法。 An exposure method for projecting an image of a mask pattern arranged along a first surface onto a flexible long substrate and transferring the mask pattern to the long substrate,
Moving the mask pattern in a first direction along the first surface;
Projecting an image of a first partial pattern arranged in a first partial region set on the first surface of the mask pattern onto a first projection region on the long substrate at a predetermined magnification;
An image of a second partial pattern arranged in a second partial region having a predetermined center interval in the first direction from the first partial region in the mask pattern is displayed in the longitudinal direction from the first projection region. Projecting at a predetermined magnification onto a second projection area on the long substrate separated by a certain distance ;
Moving the elongated substrate along the longitudinal direction so as to pass through the first projection region and the second projection region in synchronization with the movement of the mask pattern in the first direction;
Images of the mask pattern transferred onto the long substrate by each of the first projection area and the second projection area have a certain interval dimension or a certain overlap dimension in the longitudinal direction. as lined, the predetermined magnification ratio, the center distance, and based on the pattern length along the first direction of the mask pattern, the substrate length of the elongated substrate which leads to the second projection region from the first projection region Adjusting the
An exposure method comprising: 前記所定倍率をＭＧ、前記中心間隔をＧＰ、前記パターン長をＡＬ、前記調整される前記基板長をＳＬとしたとき、
０＜ＳＬ≦ＭＧ×（ＡＬ−ＧＰ）
の関係を満たす範囲内で前記基板長を調整することを特徴とする請求項２７に記載の露光方法。 When the predetermined magnification is MG, the center interval is GP, the pattern length is AL, and the adjusted substrate length is SL,
0 <SL ≦ MG × (AL-GP)
The exposure method according to claim 2 7 in the range which satisfies the relationship and adjusting the substrate length. 前記長尺基板を前記長尺方向に沿って移動させることは、前記長尺基板の前記第１投影領域から前記第２投影領域に至る移動経路中の迂回経路を介して前記長尺基板を移動させることを含み、前記基板長を調整することは、前記迂回経路を通る前記長尺基板の長さを前記所定倍率ＭＧ、前記中心間隔ＧＰ、前記パターン長ＡＬに基づいて調整することを含むことを特徴とする請求項２８に記載の露光方法。 Moving the elongate substrate along the elongate direction moves the elongate substrate via a detour path in the movement path from the first projection area to the second projection area of the elongate substrate. Adjusting the substrate length includes adjusting the length of the long substrate passing through the detour path based on the predetermined magnification MG, the center interval GP, and the pattern length AL. The exposure method according to claim 28 . 矩形状のデバイスパターンの像をフレキシブルな長尺基板に投影し、該長尺基板上に長尺方向に沿って前記デバイスパターンの複数を連続して形成するデバイス製造方法であって、A device manufacturing method for projecting an image of a rectangular device pattern onto a flexible long substrate and continuously forming a plurality of the device patterns along the long direction on the long substrate,
前記デバイスパターンのうちの部分領域内に配置される部分パターンからの光を入射し、前記長尺基板上の第１投影領域に前記部分パターンの像を所定倍率で投影すると共に、前記第１投影領域から前記長尺方向に直線的に一定距離だけ離れた前記長尺基板上の第２投影領域に前記部分パターンの像を前記所定倍率で投影することと、Light from a partial pattern arranged in a partial area of the device pattern is incident, and an image of the partial pattern is projected onto the first projection area on the long substrate at a predetermined magnification, and the first projection Projecting the image of the partial pattern at the predetermined magnification onto a second projection region on the long substrate that is linearly separated from the region in the longitudinal direction by a certain distance;
前記部分領域内に配置される前記部分パターンが前記長尺方向に対応した走査方向に沿って移動するように前記デバイスパターンを走査すると共に、前記第１投影領域及び前記第２投影領域を通るように前記長尺基板を前記長尺方向に沿って移動させて走査露光することと、The device pattern is scanned so that the partial pattern arranged in the partial region moves along a scanning direction corresponding to the longitudinal direction, and passes through the first projection region and the second projection region. Moving the elongate substrate along the elongate direction to scan exposure,
前記第１投影領域と前記第２投影領域との各々によって前記長尺基板上に転写される前記デバイスパターンの像同士が、前記長尺方向に一定の間隔寸法、又は一定の重複寸法を伴って配置されるように、前記デバイスパターンの前記走査方向に沿ったパターン長と前記所定倍率とに基づいて、前記第１投影領域から前記第２投影領域に至る前記長尺基板の基板長を前記一定距離に対して調整することと、The image of the device pattern transferred onto the long substrate by each of the first projection area and the second projection area has a certain interval dimension or a certain overlapping dimension in the longitudinal direction. The substrate length of the long substrate from the first projection area to the second projection area is set to be constant based on the pattern length of the device pattern along the scanning direction and the predetermined magnification. Adjusting for distance,
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。A device manufacturing method comprising:
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