JP5642077B2 - ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機 - Google Patents

ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機 Download PDF

Info

Publication number
JP5642077B2
JP5642077B2 JP2011528561A JP2011528561A JP5642077B2 JP 5642077 B2 JP5642077 B2 JP 5642077B2 JP 2011528561 A JP2011528561 A JP 2011528561A JP 2011528561 A JP2011528561 A JP 2011528561A JP 5642077 B2 JP5642077 B2 JP 5642077B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
doherty
carrier
peak
communication mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011528561A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2011024281A1 (ja
Inventor
加藤 貴之
貴之 加藤
敦志 山岡
敦志 山岡
恵一 山口
恵一 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of JPWO2011024281A1 publication Critical patent/JPWO2011024281A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5642077B2 publication Critical patent/JP5642077B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Description

本発明は、電力増幅器のウォームアップに関する。
非特許文献1などにおいて、高効率な電力増幅器としてドハティアンプ(Doherty amplifier)が提案されている。ドハティアンプは、キャリアアンプ及びピークアンプを備えている。キャリアアンプはドハティアンプの動作中に常時動作し、ピークアンプはドハティアンプの出力電力が高いときに動作する。キャリアアンプ及びピークアンプは、動作頻度及び動作効率が異なるので、その温度が異なりうる。
電力増幅器は、温度変化によって入出力特性が変化する。すなわち、電力増幅器の非線形性は温度に依存して変化するため、電力増幅器を所望の温度範囲内で使用するために、温度調整(ウォームアップなど)が行われる。例えば、特許文献1記載の送信増幅器は、温度検出手段、増幅部の自己発熱の促進手段などを備えており、温度検出結果に基づいて促進手段を制御してウォームアップを実現する。
特開2004−328710号公報(第16頁、第1図)
Peter B. kenington, "High Linearity RF Amplifier Design", Artech House Microwave Library, ISBN 1-58053-143-1
特許文献1に開示される技術では、キャリアアンプ及びピークアンプの各々に温度検出手段、増幅部の自己発熱の促進手段などの付加的な要素が必要となる。また、MIMO(Multiple Input Multiple Output)通信可能な送信機は、複数の送信系統を必要とするために、その系統数に応じた数の電力増幅器が設けられる。即ち、MIMO通信可能な送信機における複数の電力増幅器を特許文献1記載の技術をドハティアンプに適用する場合には、上記付加的な要素が個々の電力増幅器に関して必要となる。これら付加的な要素は、回路規模及び消費電力の観点からすると好ましくない。
従って、本発明は電力増幅器の効率的なウォームアップを特別な付帯回路を必要とせずに提供することを目的とする。
本発明の一態様に係るドハティアンプシステムは、基板と、前記基板の表面あるいは裏面に配置された第1キャリアアンプ及び前記基板の表面あるいは裏面に配置された第1ピークアンプを有する第1ドハティアンプと、前記基板の表面あるいは裏面に配置された第2キャリアアンプ及び前記基板の表面あるいは裏面に配置された第2ピークアンプを有する第2ドハティアンプと、を備え、前記第1キャリアアンプと前記第2キャリアアンプとの距離は、前記第1キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第1キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離のいずれよりも小さく、前記第1ピークアンプと前記第2ピークアンプとの距離は、前記第1キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第1キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離のいずれよりも小さい。
本発明によれば、電力増幅器の効率的なウォームアップを特別な付帯回路を必要とせずに提供できる。
一実施形態に係るドハティアンプシステムの平面図。 図1のII−II'線における断面図。 一実施形態に係るドハティアンプシステムの平面図。 図3のIV−IV'線における断面図。 一実施形態に係るドハティアンプシステムの平面図。 図5のVI−VI'線における断面図。 一実施形態に係るドハティアンプシステムの平面図。 一実施形態に係るドハティアンプシステムにおけるキャリアアンプ群の実装例を示す図。 一実施形態に係るドハティアンプシステムにおけるピークアンプ群の実装例を示す図。 図11におけるドハティアンプシステムを示すブロック図。 一実施形態に係るドハティアンプシステムを用いた送信機を示すブロック図。 図11におけるベースバンド信号処理部を示すブロック図。 図11における無線処理部を示すブロック図。 図11における無線復調部を示すブロック図。 電力増幅器の非線形性の温度変化例を示すグラフ図。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
(一実施形態)
本発明の一実施形態に係るドハティアンプシステムは、多層基板116と、この多層基板116上に配置されるキャリアアンプ群109及びピークアンプ群121とを含む。ここで、「ドハティアンプシステム」なる用語は、例えばMIMO通信のための複数のドハティアンプの全体を指すものとする。キャリアアンプ群109は、上記複数のドハティアンプにおける複数のキャリアアンプを含む。これら複数のキャリアアンプは多層基板116上に互いに近接するように配置される。ピークアンプ群121は、上記複数のドハティアンプにおける複数のピークアンプを含む。これら複数のピークアンプは多層基板116上に互いに近接するように配置される。「複数のキャリアアンプが互いに近接している」とは、例えば、複数のキャリアアンプのうち任意の2つの間の距離が、複数のキャリアアンプのうち任意の1つと複数のピークアンプうち任意の1つとの間の距離よりも小さいということである。また、「複数のピークアンプが互いに近接している」とは、例えば、複数のピークアンプのうち任意の2つの間の距離が、複数のピークアンプのうち任意の1つと複数のキャリアアンプのうち任意の1つとの間の距離よりも小さいということである。以降の説明において、キャリアアンプ群109及びピークアンプ群121は2つのアンプを夫々含んでいるものとするが、3つ以上のアンプを夫々含んでもよい。また、以降の説明において、キャリアアンプ群109は多層基板116の一面に配置され、ピークアンプ群121はこの一面の反対面に配置されているものとするが、両者が同一面に配置されてもよい。
図1、図5及び図7は、多層基板116におけるキャリアアンプ群109の配置面を示している。尚、図7は、多層基板116におけるピークアンプ群121の配置面の要素を破線で表示している。図2は、図1のII−II'線における断面を示している。図6は、図5のVI−VI'線における断面を示している。
キャリアアンプ群109は、第1のドハティアンプ505における第1のキャリアアンプ501と、第2のドハティアンプ506における第2のキャリアアンプ502とを含む。
第1の入力端子101は、第1のドハティアンプ505の入力信号を受け取る。第1の入力端子101によって受け取られた入力信号は、信号入力線路103を介して第1のキャリアアンプ501に供給されると共に、インピーダンス変換器105及び導通ビア107を介して多層基板116の反対面(ピークアンプ群121の配置面)に供給される。第1のキャリアアンプ501の出力信号はインピーダンス変換器110及び導通ビア112を介して多層基板116の反対面に供給される。
第2の入力端子102は、第2のドハティアンプ506の入力信号を受け取る。第2の入力端子102によって受け取られた入力信号は、信号入力線路104を介して第2のキャリアアンプ502に供給されると共に、インピーダンス変換器106及び導通ビア108を介して多層基板116の反対面に供給される。第2のキャリアアンプ502の出力信号はインピーダンス変換器111及び導通ビア113を介して多層基板116の反対面に供給される。
図3は、多層基板116におけるピークアンプ群121の配置面を示している。図4は、図3のIV−IV'線における断面を示している。
ピークアンプ群121は、第1のドハティアンプ505における第1のピークアンプ503と、第2のドハティアンプ506における第2のピークアンプ504とを含む。
導通ビア107を介して多層基板116の反対面(キャリアアンプ群109の配置面)から供給される入力信号は、インピーダンス変換器122を介して第1のピークアンプ503に供給される。第1のピークアンプ503の出力信号は、導通ビア112を介して多層基板116の反対面から供給される出力信号と合成され、信号出力線路126を介して第1の出力端子114から出力される。
導通ビア108を介して多層基板116の反対面から供給される入力信号は、インピーダンス変換器123を介して第2のピークアンプ504に供給される。第2のピークアンプ504の出力信号は、導通ビア113を介して多層基板116の反対面から供給される出力信号と合成され、信号出力線路127を介して第2の出力端子115から出力される。
以下、本実施形態に係るドハティアンプシステムの技術的意義を説明する。
図15は、キャリアアンプ、ピークアンプなどの電力増幅器の非線形特性の温度変化の一例を示している。図15において、横軸は入力電力Pinを表し、縦軸は電力増幅器の利得の非線形特性を示すAM−AM特性を表している。図15から明らかなように、電力増幅器の非線形特性は、電力増幅器の温度に応じて変化する。この非線形特性は後述する歪補償のために参照されるので、電力増幅器の温度が大きく変化すると歪を十分に補償できなくなるおそれがある。
MIMO通信モードでは複数のドハティアンプが使用され、SISO通信モードでは1つのドハティアンプが使用される。ここで、ドハティアンプシステムを用いる送信機が、MIMO通信モードからSISO(Single Input Single Output)通信モードに移行し、更にMIMO通信モードに移行するという状況を仮定する。最初のMIMO通信モードでは複数のドハティアンプが動作し、これらに応じた逆歪特性が歪補償のためにデジタル信号処理部のメモリなどに保持されることになる。そして、SISO通信モードへ移行すると、1つのドハティアンプは動作を継続するものの、残りのドハティアンプは動作を停止する。SISO通信モードにおいて動作を停止しているドハティアンプの温度は低下し続ける。そして、再びMIMO通信モードに移行すると、SISO通信において動作を停止していたドハティアンプが動作を再開する。しかしながら、動作を再開したドハティアンプは、SISO通信モードにおいて温度が低下しているため、前回のMIMO通信モードにおいて保持されている逆歪特性を利用したとしてもドハティアンプの歪を十分に補償できないおそれがある。
一方、前述したように、本実施形態に係るドハティアンプシステムは、複数のキャリアアンプを互いに近接するように配置してキャリアアンプ群109を構成し、複数のピークアンプを互いに近接するように配置してピークアンプ群121を構成している。即ち、複数のドハティアンプにおける複数のキャリアアンプが互いに近接するように配置され、複数のドハティアンプにおける複数のピークアンプが互いに近接するように配置される。故に、SISO通信モードにおいて、動作中の1つのドハティアンプにおけるキャリアアンプ及びピークアンプにおいて発生する熱が、多層基板116を介して伝導し、動作停止中のドハティアンプにおけるキャリアアンプ及びピークアンプをウォームアップする。ウォームアップの程度は、キャリアアンプ間の距離、多層基板116の熱伝導率などに依存する。
一般に、熱源と測定点との2点間の温度差は以下の数式(1)で表される。
Figure 0005642077

よって、温度差は、熱源の熱量と熱源から測定点までの熱が伝わる媒体の長さと断面積により決定する。
本実施形態では、例えば熱源は動作しているキャリアアンプまたはピークアンプであり、測定点は動作していないキャリアアンプまたはピークアンプである。電力増幅器の歪補償の方法および歪の仕様に依存して2つのアンプの温度差、すなわちウォームアップする温度を決定する。ウォームアップする温度を決めた後、本実施形態における互いに近接するための距離、すなわち2つのアンプの配置位置を決定する。
たとえば、2つのアンプの温度差を50℃、キャリアアンプの動作効率50%、キャリアアンプの平均出力電力を50Wとすると、平均発熱量は50Wであり、数式(1)より熱抵抗は1[℃/W]となる。この熱抵抗を満たすように2つのキャリアアンプまたはピークアンプを実装する。
なお、熱源として、動作しているキャリアアンプだけでなく、基板の裏面に実装された動作しているピークアンプも含む場合には,これら2個のアンプを2個の熱源としてウォームアップするアンプまでの各々の距離を同様に計算する。
ウォームアップの効率を高めるために、キャリアアンプ群109及びピークアンプ群121におけるキャリアアンプ及びピークアンプの配列を工夫してもよい。例えば、動作頻度が高いほどキャリアアンプ及びピークアンプの発生する熱量は大きいので、この性質をキャリアアンプ及びピークアンプの配列に利用できる。具体的には、動作頻度の最も高いキャリアアンプ及びピークアンプの位置から離れるに従って動作頻度のより低いキャリアアンプ及びピークアンプを配列すれば、動作頻度の高いキャリアアンプ及びピークアンプを好適な温度に維持しやすくなる。
また、本実施形態に係るドハティアンプシステムのように、多層基板116の一面にキャリアアンプ群109を配置し、反対面にピークアンプ群121を配置する構成によれば多層基板116を介してキャリアアンプ群109の熱をピークアンプ群121に伝導できる。一般的に、常時動作するキャリアアンプに比べて間欠動作するピークアンプの温度は低くなりがちであるが、このような構成によればピークアンプ群121を好適な温度に維持しやすくなる。
本実施形態に係るドハティアンプシステムにおけるウォームアップ性能を更に向上させるために、図8に示すように、キャリアアンプ群109に含まれるキャリアアンプ501及びキャリアアンプ502を、多層基板116に比べて熱伝導性の高い筐体130に収容することが望ましい。筐体130の素材は、例えば窒化アルミニウムである。窒化アルミニウムの熱伝導率は、概ね100〜300[W/mK]程度である。筐体130に要求される熱伝導率は、キャリアアンプ群109に要求されるウォームアップ性能に依存するが、少なくとも80[W/mK]程度であることが望ましい。
また、本実施形態に係るドハティアンプシステムにおけるウォームアップ性能を更に向上させるために、図9に示すように、ピークアンプ群121に含まれるピークアンプ503及びピークアンプ504を、多層基板116に比べて熱伝導性の高い筐体140に収容することが望ましい。筐体140の素材は、例えば筐体130と同じである。
図11に示すように、本実施形態に係るドハティアンプシステムを用いて送信機を構成することもできる。図11の送信機は、ベースバンド信号処理部301、無線処理部302、ドハティアンプシステム303、電力分配部304、アンテナ305,306及び無線復調部307を有する。図11の送信機は、SISO通信モード及びMIMO通信モードの両方で動作可能である。尚、本例ではMIMO通信における入出力数を「2」としているが、「3」以上であってもよい。
ベースバンド信号処理部301は、送信対象となるベースバンド信号の信号処理を行う。ベースバンド信号処理部301は、例えば図12に示すように、ベースバンド信号処理部301は、ベースバンド信号生成部601、歪補償部602、信号出力端子603,604及び信号入力端子605,606を有する。
ベースバンド信号生成部601は、送信対象となるベースバンド信号を生成する。送信対象となるベースバンド信号は、例えばIQ複素ベースバンド信号である。ベースバンド信号生成部601は、SISO通信モードにおいて第1のベースバンド信号を生成し、歪補償部602に入力する。ベースバンド信号生成部601は、MIMO通信モードにおいて第1のベースバンド信号及び第2のベースバンド信号を生成し、歪補償部602に入力する。
歪補償部602は、ドハティアンプシステム303によって与えられる非線形歪特性を補償する処理をベースバンド信号生成部601からのベースバンド信号に対して施す。より具体的には、歪補償部602は、ドハティアンプシステム303の非線形歪特性に対応する逆歪特性をベースバンド信号に乗じる。本例では、ドハティアンプシステム303は第1のドハティアンプ505及び第2のドハティアンプ506を含むので、歪補償部602はこれら第1のドハティアンプ505及び第2のドハティアンプ506に対応する逆歪特性をメモリに個別に記憶させておく。この逆歪特性は、第1のドハティアンプ505及び第2のドハティアンプ506の非線形歪特性を夫々監視することにより、適宜更新される。この更新処理の具体的内容は後述する。
歪補償部602は、SISO通信モードにおいて第1のベースバンド信号に対して第1のドハティアンプ505に対応する逆歪特性を乗じ、第1の信号出力端子603より出力する。また、歪補償部602は、SISO通信モードにおいて第1のドハティアンプ505の非線形特性を第1の信号入力端子605からの入力信号に基づいて監視する。歪補償部602は、MIMO通信モードにおいて、第1のベースバンド信号に対して第1のドハティアンプ505に対応する逆歪特性を乗じて第1の信号出力端子603より出力し、第2のベースバンド信号に対して第2のドハティアンプ506に対応する逆歪特性を乗じて第2の信号出力端子604より出力する。また、歪補償部602は、MIMO通信モードにおいて第1のドハティアンプ505及び第2のドハティアンプ506の非線形歪特性を第1の信号入力端子605及び第2の信号入力端子606からの入力信号に基づいて監視する。
無線処理部302は、ベースバンド信号処理部301からのベースバンド信号を無線周波数帯信号(RF信号)に変換する信号処理を行う。無線処理部302は、例えば図13に示すように、信号入力端子701,702、低域通過型フィルタ群703、ミキサ群704、帯域通過型フィルタ群705、ドライバアンプ群706及び信号出力端子707,708を含む。
低域通過型フィルタ群703は、ベースバンド信号処理部301からのベースバンド信号に対して高域成分を抑圧して低域成分を抽出するフィルタ処理を行う。具体的には、低域通過型フィルタ群703は、SISO通信モードにおいて第1の信号入力端子701から入力される第1のベースバンド信号に対してフィルタ処理を行う。また、低域通過型フィルタ群703は、MIMO通信モードにおいて第1の信号入力端子701から入力される第1のベースバンド信号及び第2の信号入力端子702から入力される第2のベースバンド信号に対して夫々フィルタ処理を行う。
ミキサ群704は、いわゆる周波数変換器群(アップコンバータ群)である。ミキサ群704は、低域通過型フィルタ群703からのベースバンド信号に対してローカル信号を乗算し、乗算信号を得る。具体的には、ミキサ群704は、SISO通信モードにおいて低域通過型フィルタ群703から入力される第1のベースバンド信号に対して第1のローカル信号を乗算し、第1の乗算信号を得る。また、ミキサ群704は、MIMO通信モードにおいて低域通過型フィルタ群703から入力される第1のベースバンド信号及び第2のベースバンド信号に対して第1のローカル信号及び第2のローカル信号を夫々乗算し、第1の乗算信号及び第2の乗算信号を夫々得る。
帯域通過型フィルタ群705は、ミキサ群704からの乗算信号に対して帯域外成分を抑圧して帯域内成分を抽出するフィルタ処理を行って、RF信号を得る。具体的には、帯域通過型フィルタ群705は、SISO通信モードにおいてミキサ群704から入力される第1の乗算信号に対してフィルタ処理を行って、第1のRF信号を得る。また、帯域通過型フィルタ群705は、MIMO通信モードにおいてミキサ群704から入力される第1の乗算信号及び第2の乗算信号に対して夫々フィルタ処理を行って、第1のRF信号及び第2のRF信号を夫々得る。
ドライバアンプ群706は、帯域通過型フィルタ群705からのRF信号の電力を増幅する。具体的には、ドライバアンプ群706は、SISO通信モードにおいて帯域通過型フィルタ群705から入力される第1のRF信号の電力を増幅し、第1の信号出力端子707より出力する。また、ドライバアンプ群706は、MIMO通信モードにおいて帯域通過型フィルタ群705から入力される第1のRF信号及び第2のRF信号の電力を夫々増幅し、第1の信号出力端子707及び第2の信号出力端子708より夫々出力する。
ドハティアンプシステム303は、例えば図1乃至図7に示すドハティアンプシステムである。ドハティアンプシステム303は、無線処理部302から入力されるRF信号の電力を増幅する。ドハティアンプシステム303は、例えば図10に示すように、第1のドハティアンプ505及び第2のドハティアンプ506を含む。ドハティアンプシステム303は、SISO通信モードにおいて無線処理部302から入力される第1のRF信号の電力を第1のドハティアンプ505によって増幅する。また、ドハティアンプシステム303は、MIMO通信モードにおいて無線処理部302から入力される第1のRF信号の電力を第1のドハティアンプ505によって増幅し、第2のRF信号の電力を第2のドハティアンプ506によって増幅する。
第1のドハティアンプ505及び第2のドハティアンプ506の具体的な動作内容は、設計的に定められてよい。例えば、ドハティアンプの動作中に、キャリアアンプは常時動作し、ピークアンプはドハティアンプの飽和出力レベルから6dB下がったレベル以上の高電力信号を出力するときに限って動作する。この高電力信号の増幅時において、キャリアアンプ及びピークアンプの電力分配比は例えば1:1である。
第1のドハティアンプ505は、入力端子101、キャリアアンプ501、ピークアンプ503、インピーダンス変換回路401,403及び出力端子114を含む。インピーダンス変換回路401は、前述したインピーダンス変換器105、導通ビア107及びインピーダンス変換器122に相当する。インピーダンス変換回路403は、前述したインピーダンス変換器110、導通ビア112及びインピーダンス変換器124を含む。望ましくは、インピーダンス変換回路401及びインピーダンス変換回路403のインピーダンス変換機能は略等しく、例えば第1のドハティアンプ505が増幅する信号の波長の1/4倍の電気長の伝送線路と同等である。また、望ましくは、インピーダンス変換器105,110,122,124のインピーダンス変換機能は略等しい。
第2のドハティアンプ506は、入力端子102、キャリアアンプ502、ピークアンプ504、インピーダンス変換回路402,404及び出力端子115を含む。インピーダンス変換回路402は、前述したインピーダンス変換器106、導通ビア108及びインピーダンス変換器123に相当する。インピーダンス変換回路404は、前述したインピーダンス変換器111、導通ビア113及びインピーダンス変換器125を含む。望ましくは、インピーダンス変換回路402及びインピーダンス変換回路404のインピーダンス変換機能は略等しく、例えば第2のドハティアンプ506が増幅する信号の波長の1/4倍の電気長の伝送線路と同等である。また、望ましくは、インピーダンス変換器106,111,123,125のインピーダンス変換機能は略等しい。
電力分配部304は、ドハティアンプシステム303からの増幅信号の電力を分配する。電力分配部304は、例えば方向性結合器によって実現できる。具体的には、電力分配部304は、SISO通信モードにおいて、ドハティアンプシステム303から入力される第1の増幅信号の電力の一部(例えば1/10)を無線復調部307に出力し、残部をアンテナ305に出力する。また、電力分配部304は、MIMO通信モードにおいて、ドハティアンプシステム303から入力される第1の増幅信号の電力の一部及び第2の増幅信号の電力の一部を無線復調部307に夫々出力し、残部をアンテナ305及び306に夫々出力する。
アンテナ305は、SISO通信モード及びMIMO通信モードにおいて、電力分配部304から入力される第1のRF信号を空間に放出する。アンテナ306は、MIMO通信モードにおいて電力分配部304から入力される第2のRF信号を空間に放出する。
無線復調部307は、電力分配部304からのRF信号を復調する。無線復調部307は、例えば図14に示すように、信号入力端子801,802、アッテネータ群803、ミキサ群804、低域通過型フィルタ群805及び信号出力端子806,807を有する。
アッテネータ群803は、電力分配部304から入力されるRF信号の電力を減衰させる。具体的には、アッテネータ群803は、SISO通信モードにおいて、第1の信号入力端子806から入力される第1のRF信号の電力を減衰させる。また、アッテネータ群803は、MIMO通信モードにおいて、第1の信号入力端子806から入力される第1のRF信号及び第2の信号入力端子807から入力される第2のRF信号の電力を夫々減衰させる。
ミキサ群804は、いわゆる周波数変換器群(ダウンコンバータ群)である。ミキサ群804は、アッテネータ群803から入力されるRF信号に対してローカル信号を乗算し、乗算信号を得る。具体的には、ミキサ群804は、SISO通信モードにおいてアッテネータ群803から入力される第1のRF信号に対して第1のローカル信号を乗算し、第1の乗算信号を得る。また、ミキサ群804は、MIMO通信モードにおいてアッテネータ群803から入力される第1のRF信号及び第2のRF信号に対して第1のローカル信号及び第2のローカル信号を夫々乗算し、第1の乗算信号及び第2の乗算信号を夫々得る。
低域通過型フィルタ群805は、ミキサ群804から入力される乗算信号に対して高域成分を抑圧して低域成分を抽出するフィルタ処理を行う。具体的には、低域通過型フィルタ群805は、SISO通信モードにおいてミキサ群804から入力される第1の乗算信号に対してフィルタ処理を行って、第1の復調IQベースバンド信号として第1の信号出力端子806より出力する。また、低域通過型フィルタ群805は、MIMO通信モードにおいてミキサ群804から入力される第1の乗算信号及び第2の乗算信号に対して夫々フィルタ処理を行って、第1の復調IQベースバンド信号及び第2の復調IQベースバンド信号として第1の信号出力端子806及び第2の信号出力端子807より夫々出力する。
前述したように、歪補償部602は、ドハティアンプシステム303の非線形歪特性を監視する。信号出力端子806,807から出力される復調IQベースバンド信号は、信号入力端子605,606を介して歪補償部602に入力される。歪補償部602は、この復調IQベースバンド信号とベースバンド信号生成部601から入力されたIQベースバンド信号とを比較し、ドハティアンプシステム303の非線形歪特性を計算する。そして、復調IQベースバンド信号の歪成分が所定の範囲内となるようにメモリに保持している逆歪特性を更新する。この所定の範囲は、例えば図11の送信機に仕様として要求されている歪範囲である。
以上説明したように、本実施形態に係るドハティアンプシステムは、複数のキャリアアンプを互いに近接するように配置してキャリアアンプ群109を構成し、複数のピークアンプを互いに近接するように配置してピークアンプ群121を構成している。従って、本実施形態に係るドハティアンプシステムによれば、一部のドハティアンプが動作停止中であったとしても、動作中のキャリアアンプ及びピークアンプが動作停止中のキャリアアンプ及びピークアンプをウォームアップできる。即ち、従来のような温度検知手段、発熱促進手段などを設けなくても、電力増幅器を効率的にウォームアップできる。故に、一部のドハティアンプを間欠的に動作させる場合にも、動作停止前の非線形性を動作停止中に亘って維持しやすいため高い歪補償性能を実現できる。
尚、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また上記実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって種々の発明を形成できる。また例えば、上記実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除した構成も考えられる。
101,102・・・入力端子
103,104・・・信号入力線路
105,106・・・インピーダンス変換器
107,108・・・導通ビア
109・・・キャリアアンプ群
110,111・・・インピーダンス変換器
112,113・・・導通ビア
114,115・・・出力端子
116・・・多層基板
121・・・ピークアンプ群
122,…,125・・・インピーダンス変換器
126,127・・・信号出力線路
130,140・・・筐体
301・・・ベースバンド信号処理部
302・・・無線処理部
303・・・ドハティアンプシステム
304・・・電力分配部
305,306・・・アンテナ
307・・・無線復調部
401,…,404・・・インピーダンス変換回路
501,502・・・キャリアアンプ
503,504・・・ピークアンプ
505,506・・・ドハティアンプ
601・・・ベースバンド信号生成部
602・・・歪補償部
603,604・・・信号出力端子
605,606,701,702・・・信号入力端子
703・・・低域通過型フィルタ群
704・・・ミキサ群
705・・・帯域通過型フィルタ群
706・・・ドライバアンプ群
707,708・・・信号出力端子
801,802・・・信号入力端子
803・・・アッテネータ群
804・・・ミキサ群
805・・・低域通過型フィルタ群
806,807・・・信号出力端子

Claims (6)

  1. デジタル信号処理を用いた歪補償機能を有する送信機に搭載されるドハティアンプシステムにおいて、
    基板と、
    前記基板の表面あるいは裏面に配置された第1キャリアアンプ及び前記基板の表面あるいは裏面に配置された第1ピークアンプを有し、SISO通信モードおよびMIMO通信モードにおいて動作する第1ドハティアンプと、
    前記基板の表面あるいは裏面に配置された第2キャリアアンプ及び前記基板の表面あるいは裏面に配置された第2ピークアンプを有し、SISO通信モードにおいて動作を停止しMIMO通信モードにおいて動作する第2ドハティアンプと、を備え、
    前記第1キャリアアンプと前記第2キャリアアンプとの距離は、前記第1キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第1キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離のいずれよりも小さく、
    前記第1ピークアンプと前記第2ピークアンプとの距離は、前記第1キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第1キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第1ピークアンプとの距離、前記第2キャリアアンプと前記第2ピークアンプとの距離のいずれよりも小さく、
    SISO通信モードにおいて前記第1ドハティアンプによって発生する熱が前記第2ドハティアンプに伝導し、SISO通信モードの後のMIMO通信モードにおいて動作する前記第2ドハティアンプがウォームアップされる
    ことを特徴とするドハティアンプシステム。
  2. 前記基板よりも熱伝導性が高く、前記第1キャリアアンプ及び前記第2キャリアアンプ、または、前記第1ピークアンプ及び前記第2ピークアンプを収容する筐体を更に具備する請求項1記載のドハティアンプシステム。
  3. 前記基板の表面あるいは裏面に配置された第3キャリアアンプ及び前記基板の表面あるいは裏面に配置された第3ピークアンプを有し、前記第1ドハティアンプ及び前記第2ドハティアンプよりも動作頻度の高い第3ドハティアンプを更に具備し、
    前記第3キャリアアンプは前記第1キャリアアンプ及び前記第2キャリアアンプの間に配置され、または、前記第3ピークアンプは前記第1ピークアンプ及び前記第2ピークアンプの間に配置される請求項2記載のドハティアンプシステム。
  4. 前記第1キャリアアンプ及び前記第2キャリアアンプは前記基板の一面に配置され、前記第1ピークアンプ及び前記第2ピークアンプは前記基板の前記一面の反対面に配置される請求項2記載のドハティアンプシステム。
  5. 前記一面に配置される第1のインピーダンス変換器と、前記反対面に配置され前記第1のインピーダンス変換器とインピーダンス変換機能が略等しい第2のインピーダンス変換器と、前記第1のインピーダンス変換器及び前記第2のインピーダンス変換器を導通するビアを含む複数のインピーダンス変換回路を更に具備する請求項4記載のドハティアンプシステム。
  6. MIMO通信モードにおいて2つのベースバンド信号に対する信号処理を行い、SISO通信モードにおいて1つのベースバンド信号に対する信号処理を行う信号処理部と、
    前記MIMO通信モードにおいて前記2つのベースバンド信号を2つの無線周波数帯信号に変換する処理を行い、前記SISO通信モードにおいて前記1つのベースバンド信号を1つの無線周波数帯信号に変換する処理を行う無線処理部と、
    前記MIMO通信モードにおいて前記2つの無線周波数帯信号の電力を前記第1ドハティアンプ及び前記第2ドハティアンプによって増幅して2つの増幅信号を出力し、前記SISO通信モードにおいて前記1つの無線周波数帯信号の電力を前記第1ドハティアンプによって増幅して1つの増幅信号を出力する請求項1記載のドハティアンプシステムと、
    前記MIMO通信モードにおいて前記2つの増幅信号を送信し、前記SISO通信モードにおいて前記1つの増幅信号を送信するアンテナ群と
    を具備する送信機。
JP2011528561A 2009-08-27 2009-08-27 ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機 Expired - Fee Related JP5642077B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/064996 WO2011024281A1 (ja) 2009-08-27 2009-08-27 ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011024281A1 JPWO2011024281A1 (ja) 2013-01-24
JP5642077B2 true JP5642077B2 (ja) 2014-12-17

Family

ID=43627407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011528561A Expired - Fee Related JP5642077B2 (ja) 2009-08-27 2009-08-27 ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8237498B2 (ja)
JP (1) JP5642077B2 (ja)
WO (1) WO2011024281A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5642077B2 (ja) 2009-08-27 2014-12-17 株式会社東芝 ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機
US9209511B2 (en) * 2011-10-14 2015-12-08 Anaren, Inc. Doherty power amplifier network
US11233483B2 (en) 2017-02-02 2022-01-25 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. 90-degree lumped and distributed Doherty impedance inverter
US11050389B2 (en) 2017-04-24 2021-06-29 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Inverted Doherty power amplifier with large RF and instantaneous bandwidths
CN110785927B (zh) 2017-04-24 2024-03-08 麦克姆技术解决方案控股有限公司 效率提高的对称多尔蒂功率放大器
US11159125B2 (en) 2017-04-24 2021-10-26 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Inverted Doherty power amplifier with large RF fractional and instantaneous bandwidths
WO2018195843A1 (en) * 2017-04-27 2018-11-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multi-channel doherty amplifier, multi-antenna transmitter, and method for turning on the multi-channel doherty amplifier
CN111480292B (zh) 2017-10-02 2024-03-29 镁可微波技术有限公司 空载调制高效功率放大器
WO2020072898A1 (en) 2018-10-05 2020-04-09 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Low-load-modulation power amplifier
US11888448B2 (en) 2019-12-30 2024-01-30 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Low-load-modulation broadband amplifier
US12028022B2 (en) 2020-12-10 2024-07-02 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Hybrid power amplifier with GaN-on-Si and GaN-on-SiC circuits

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06164268A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp モノリシックマイクロ波増幅器
JPH104322A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波増幅器
JP2006295282A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Hitachi Metals Ltd 高周波回路装置および高周波モジュール
JP2006333201A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nec Electronics Corp ドハティ型増幅器
JP2007135015A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Toshiba Corp 増幅器モジュール、無線送信装置
WO2008044284A1 (fr) * 2006-10-10 2008-04-17 Panasonic Corporation Appareil de modulation polaire et appareil d'émission radio
WO2008053534A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Panasonic Corporation Doherty amplifier
JP2009027629A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4267435B2 (ja) 2003-04-07 2009-05-27 株式会社日立国際電気 送信増幅器
US7764120B2 (en) * 2008-08-19 2010-07-27 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
JP5642077B2 (ja) 2009-08-27 2014-12-17 株式会社東芝 ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06164268A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp モノリシックマイクロ波増幅器
JPH104322A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波増幅器
JP2006295282A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Hitachi Metals Ltd 高周波回路装置および高周波モジュール
JP2006333201A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nec Electronics Corp ドハティ型増幅器
JP2007135015A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Toshiba Corp 増幅器モジュール、無線送信装置
WO2008044284A1 (fr) * 2006-10-10 2008-04-17 Panasonic Corporation Appareil de modulation polaire et appareil d'émission radio
WO2008053534A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Panasonic Corporation Doherty amplifier
JP2009027629A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
US20120154034A1 (en) 2012-06-21
US8237498B2 (en) 2012-08-07
WO2011024281A1 (ja) 2011-03-03
JPWO2011024281A1 (ja) 2013-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5642077B2 (ja) ドハティアンプシステム及びこれを用いた送信機
US9948332B2 (en) High efficiency, remotely reconfigurable remote radio head unit system and method for wireless communications
KR100879335B1 (ko) 전치 왜곡 기능을 구비한 귀환간섭신호 제거 중계 시스템및 그 방법
JP5591106B2 (ja) デジタルハイブリッドモード電力増幅器システム
US7634238B2 (en) Multi-band lookup table type predistorter
EP3110231B1 (en) High efficiency, remotely reconfigurable remote radio head unit system and method for wireless communications
JP6187591B2 (ja) 電力増幅器及び送信装置
US8798561B2 (en) Radio-frequency circuit having a transcoupling element
JP2003092518A (ja) 歪み補償装置
JP2005117599A (ja) 高周波増幅器
US20130063208A1 (en) Radio-frequency transmitter, such as for broadcasting and cellular base stations
TW200822535A (en) Switched mode power amplification
JP5246257B2 (ja) 増幅器
WO2015045709A1 (ja) 信号送信装置、歪補償装置、及び信号送信方法
TWI358220B (en) Signal transmitting apparatus for ofdm system and
JP5696622B2 (ja) 無線送信装置
JP5754362B2 (ja) 増幅器
KR20080065042A (ko) 도허티 전력 증폭기를 위한 디지털 전치 왜곡 선형화기
JP2010232866A (ja) 歪み補償システム
JP2010206351A (ja) 電力検出器
JP2010226249A (ja) 増幅装置
JP4174367B2 (ja) 送信装置及びその歪み補償方法
JP2008172511A (ja) 歪補償増幅装置
JP2018093489A (ja) ドハティアンプ
JP2009218930A (ja) 通信装置、歪み補償回路、および歪み補償方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140205

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140217

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141028

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5642077

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees