JP5636244B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、有機電界発光素子に関する。

有機材料を利用したデバイスとして、有機電界発光素子（以下、ＯＬＥＤ、有機ＥＬ素子ともいう）、有機半導体を利用したトランジスタなどの研究が活発に行われている。特に、有機電界発光素子は、固体発光型の大面積フルカラー表示素子や安価な大面積な面光源としての照明用途としての発展が期待されている。一般に有機電界発光素子は発光層を含む有機層及び該有機層を挟んだ一対の対向電極から構成される。このような有機電界発光素子に電圧を印加すると、有機層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られる。

有機ＥＬ素子は、発光層及びその他の有機層を、例えば蒸着などの乾式法又は塗布などの湿式法により成膜することで作製することができるが、生産性などの観点から湿式法が注目されている。
特許文献１には湿式法で発光層を形成すると共に、トリフェニレン化合物を発光層のホストとして用いることで、トリフェニレン化合物が有する高いＴ１レベルを利用した、高い電界発光効率を有する有機電界発光素子が得られることが記載されている。しかしながら、エネルギーギャップの広いトリフェニレン化合物を発光層のホストとした場合に、電子輸送層（例えば、Ａｌｑ_３、Ｂａｌｑ）からの電子注入性が低いために、有機ＥＬ素子の発光の効率が低いことが問題であり、改良が求められている。

また特許文献２には、互いに隣接する発光層とブロック層とを含む有機層を有する有機電界発光素子であって、前記発光層に燐光発光材料を含有し、前記ブロック層にトリフェニレン化合物を含む有機電界発光素子が開示されており、これにより発光効率と駆動耐久性が向上することが記載されている。しかしながら、実施例におけるホストとしてはＣＢＰ（４，４’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル）が用いられており、この場合には、真空蒸着法によりアモルファス膜として成膜できるものの、特に高輝度で駆動させたときの温度上昇等により、ＣＢＰが結晶化しやすく、発光効率が低下することが問題であり、発光効率と駆動耐久性の更なる向上と共に、高輝度で駆動させたときにも結晶化しにくいホストが求められている。

またトリフェニレン化合物としては、液晶性を発現するものが知られており（ディスコティック液晶とも呼ばれる）、例えば特許文献３には、発光性のディスコティック液晶層を含有することにより、発光効率が高く、耐久性に優れた有機ＥＬ素子が提供されることが開示されている。

特開２００９−１１４０６８号公報 特開２００５−２５９４７２号公報 特開平１０−３２１３７１号公報

エネルギーギャップの広いトリフェニレン化合物を発光層のホストとした場合に、電子輸送層（例えば、Ａｌｑ_３、Ｂａｌｑ）からの電子注入性が低いために、有機ＥＬ素子の発光の効率が低いことが問題であり、改良が求められている。

本発明は、前記従来の問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を発光層のホスト材料として用いた有機電界発光素子において、液晶性により、有機溶媒に対する溶解性があり、かつトリフェニレン誘導体が配向することで発光効率及び耐久性が更に向上した有機電界発光素子を提供することを目的とする。

上記状況を鑑み、本発明者らは、鋭意研究を行なったところ、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層、及び電子輸送層を有する有機電界発光素子において、該発光層と該電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有することで上記課題を解決できることを見出した。

即ち、前記課題を解決するための手段は以下の通りである。

〔１〕 陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層、及び電子輸送層とを有する有機電界発光素子であって、
前記発光層と前記電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有する、有機電界発光素子。
〔２〕 前記発光層の液晶性を示すトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ１）と、前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ２）と、前記電子輸送層を構成する化合物の電子親和力（Ｅａ３）が、
Ｅａ１≦Ｅａ２＜Ｅａ３
である、上記〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕 前記発光層に、白金錯体を有する、上記〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕 前記発光層に、ピレン誘導体を有する、上記〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔５〕 前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体が、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物であるか、又は、下記一般式（３）で表される化合物である、上記〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、置換基を表す。これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。ｎ１、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。）

（式中、Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。なお、Ａｒは同じであっても、異なっていてもよい。）
〔６〕 前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体が、前記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物であり、該化合物が下記一般式（２）で表される、上記〔５〕に記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、置換基を表す。これらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ４及びｎ５は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。）
〔７〕 前記発光層が湿式法により成膜された、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔８〕 前記バッファー層が真空蒸着法により成膜された、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔９〕 前記陰極がスパッタリング法により成膜された、上記〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
〔１０〕 前記陰極がアルミニウムとリチウムの合金である、上記〔９〕に記載の有機電界発光素子。

本発明によれば、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を発光層のホスト材料として用いた有機電界発光素子において、発光効率及び耐久性が更に向上した有機電界発光素子を提供することができる。

本発明に係る有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

本発明において、置換基群Ａ、置換基群Ｂを下記のように定義する。
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、シアノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、前記置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。

本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層、及び電子輸送層とを有する有機電界発光素子であって、前記発光層と前記電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有する。
上記本発明の素子の構成により、発光効率及び耐久性が向上した有機電界発光素子が提供される理由は定かではないが、以下のように推測される。
発光層のホスト材料として、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を用いることで、ホストの分子の配向性が向上し、電荷の移動度が大きくなり、かつ基板の水平方向に配向することで有機電界発光素子の光取り出し効率が上昇し、低電圧駆動が可能になると推測される。
更に、ホスト材料として機能する液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層と電子輸送層との間に、発光層に含まれる液晶性を示すトリフェニレン誘導体と、電子親和力が同程度又はやや大きい、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体を前記発光層と前記電子輸送層との間のバッファー層（以下、隣接層ともいう）に用いることで、該隣接層が電子輸送層から発光層への電子の注入をアシストする作用を果たすとともに、正孔ブロック層としても作用することで、低電圧駆動が可能になると推測される。
また上記層の積層において、発光層に含まれる化合物と類似又は同種の化合物を含有する隣接層を隣接させることで、発光層と隣接層に含まれる化合物間での接合が良好になり、これら層界面における接触抵抗が低減されることで発光効率が向上するものと推測される。また発光層に類似又は同種の化合物を含有する隣接層を隣接させることで、発光層の表面を保護する効果が生じ、耐久性が向上するものと推測される。
本発明の発光層は後述の湿式法により成膜されることが好ましく、隣接層及び電子輸送層は後述の乾式法（好ましくは真空蒸着法）により成膜されることが電子移動度の観点で好ましい。塗布／蒸着積層において、塗布／蒸着界面に塗布層と類似又は同種の化合物を蒸着法により積層し、隣接させることで、上述の本発明の効果がより良好に奏されると考えられる。
以下、本発明の有機電界発光素子に含まれる各成分とその構成を説明する。

［１］液晶性を示すトリフェニレン誘導体
液晶性を示すトリフェニレン誘導体としては、従来から知られているディスコティック液晶性のトリフェニレン誘導体を使用できるが、例えば下記一般式（Ｔ−Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体を挙げることができる。液晶性を示すトリフェニレン誘導体としては、良好なモノドメイン性を示すディスコティックネマチック相（Ｎ_Ｄ相）を発現するトリフェニレン誘導体であることが好ましい。発光層における液晶性を示すトリフェニレン誘導体は、ホスト材料として機能する。液晶性を示すトリフェニレン誘導体は、高輝度で駆動させたときにも結晶化しにくい。また液晶性を示すトリフェニレン誘導体は配向しており、液晶性を示さないトリフェニレン誘導体と比較して、有機溶媒に対する溶解性が高い。

上記一般式（Ｔ−Ｉ）において、Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ ^１−、Ｒ_Ｔ ^１−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^１−ＣＯ−Ｏ−又はＲ_Ｔ ^１−Ｏ−ＣＯ−を意味する。これら基を持つ化合物が全てディスコティック液晶性ではないが、公知技術等に基づきディスコティック液晶性となる適切な基を選択して使用することが出来る。Ｒ_Ｔ ^１としては、アルキル基、アルキル基にフェニレン基やシクロヘキシレン基等の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたもの等がある。

Ｒ_Ｔとしては、具体的には、Ｒ_Ｔ ^２−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３−Ｏ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）_ｎＴ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ_Ｔ ^３−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−が挙げられる。ここで、Ｒ_Ｔ ^２は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、Ｒ_Ｔ ^３はアルキレン基を表し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｎ_Ｔ、は−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。

Ｒ_Ｔ ^２は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、重合性基を有する場合、アルキル基の最末端に重合性基を有することがＮ_Ｄ相の発現性の観点で好ましい。重合性基としては、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基、クロトン酸エステル基、エポキシ基等が挙げられ、重合の速度、合成の容易性及びコストの点で、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基が好ましく、アクリル酸エステル基がより好ましい。
Ｒ_Ｔ ^２で表される重合性基を有していてもよいアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１５の範囲であり、更に好ましくは３〜１０の範囲である。
Ｒ_Ｔ ^３で表されるアルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１５の範囲であり、更に好ましくは３〜１０の範囲である。
Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、有していてもよい置換基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基などが挙げられ、Ｎ_Ｄ相の発現性の観点で、アルキル基が好ましい。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１０の範囲であり、更に好ましくは１〜６の範囲である。
ｎ_Ｔは、−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。ｎ_Ｔは好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは１〜６の整数であり、更に好ましくは１〜３の整数である。

Ｒ_Ｔとしては、Ｎ_Ｄ相の発現性の観点で、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）_ｎＴ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−が好ましく、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−が更に好ましい。

上記一般式（Ｔ−Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体は、Ｎ_Ｄ相を発現するという点で、下記一般式（Ｔ−ＩＩ）で表されるトリフェニレン誘導体であることが好ましい。

上記一般式（Ｔ−ＩＩ）において、Ｒ_Ｔ’は、Ｒ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−、Ｒ_Ｔ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｔ ^３）_ｎＴ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−、又はＲ_Ｔ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ−を表す。Ｒ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔの定義は、前記一般式（Ｔ−Ｉ）におけるＲ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔと同義である。また上記一般式（Ｔ−ＩＩ）におけるＲ_Ｔ ^２、Ｐｈ、Ｒ_Ｔ ^３、及びｎ_Ｔの具体例及び好ましい範囲も、前記一般式（Ｔ−Ｉ）におけるものと同様である。

Ｒ_Ｔ’は、Ｎ_Ｄ相の発現が良好であることから、以下の一般式（Ｔ−ＩＩ−１）〜（Ｔ−ＩＩ−５）のいずれかで表されることがより好ましい。

上記一般式（Ｔ−ＩＩ−１）〜（Ｔ−ＩＩ−５）中、ｎ及びｎ’はそれぞれ独立に、１以上の整数を表す。
Ｘ_Ｔは、重合性基を表す。

ｎは、１以上の整数を表す。ｎは、好ましくは１〜２０の整数であり、より好ましくは１〜１５の整数であり、更に好ましくは３〜１０の整数である。
ｎ’は、１以上の整数を表す。ｎ’は、好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは１〜６の整数であり、更に好ましくは１〜３の整数である。
Ｘ_Ｔは、重合性基を表し、その具体例及び好ましい範囲は、前記一般式（Ｔ−Ｉ）においてＲ_Ｔ ^２で表されるアルキル基が有していてもよい重合性基の具体例及び好ましい範囲と同様である。

本発明における液晶性を示すトリフェニレン誘導体の中でも、液晶相を２０℃〜３００℃の範囲で発現させるものが好ましい。より好ましくは４０℃〜２８０℃であり、更に好ましくは６０℃〜２５０℃である。ここで２０℃〜３００℃で液晶相を発現するとは、液晶温度範囲が２０℃をまたぐ場合（例えば、１０℃〜２２℃）や、３００℃をまたぐ場合（例えば、２９８℃〜３１０℃）も含む。４０℃〜２８０℃と６０℃〜２５０℃に関しても同様である。

本発明の発光層における液晶性を示すトリフェニレン誘導体の含有量は、発光層中１５〜９７質量％であることが好ましく、３０〜９５質量％であることがより好ましく、５０〜９０質量％であることが更に好ましい。

以下に、液晶性を示すトリフェニレン誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［２］蒸着が可能なトリフェニレン誘導体
本発明に係る発光層と電子輸送層との間のバッファー層（隣接層ともいう）は、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体を含有する。ここで「蒸着が可能な」とは、真空蒸着法により、化合物が分解せずに昇華し、成膜が可能であることを意味する。蒸着が可能なトリフェニレン誘導体の昇華温度は、通常２００℃〜４００℃であり、好ましくは２００℃〜３５０℃であり、より好ましくは２５０℃〜３５０℃である。該隣接層に含まれるトリフェニレン誘導体は、前述のように蒸着が可能であれば特に限定されないが、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物であるか、又は、下記一般式（３）で表される化合物であることが耐久性の観点で好ましい。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、置換基を表す。これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。ｎ１、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。）

（式中、Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。なお、Ａｒは同じであっても、異なっていてもよい。）

上記一般式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、置換基を表す。置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、シクロヘキシルなど）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなど）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなど）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ビフェニリルなどが挙げられ、フェニルが好ましい）、ハロゲン原子（例えばフッ素など）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０であり、例えばアミノ、ジメチルアミノ、ジフェニルアミノなど）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなど）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェノキシなど）、アシル基（例えばアセチル、ベンゾイル、ピバロイルなど）、アルコキシカルボニル基（例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなど）、アリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボニルなど）、アシルオキシ基（例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなど）、アシルアミノ基（例えばＮ−メチルアセチルアミノ、Ｎ−メチルベンゾイルアミノなど）、カルバモイル基（例えばジエチルカルバモイル、ジフェニルカルバモイルなど）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなど）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなど）、スルホニル基（例えばメタンスルホニル、ベンゼンスルホニルなど）、ヘテロ環基（ヘテロ原子として、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む、好ましくは炭素数１〜２０のイミダゾリル、ピリジル、フリル、チエニル、ピペリジル、ピロリル、モルホリノ、カルバゾリルなど）、シリル基（ジアルキルシリル基、ジアリールシリル基が好ましく、ジフェニルシリル基がより好ましい）等が挙げられる。このうちアルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、シリル基が耐久性の観点で好ましい。また、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、連結基を介して、又は直接結合したトリフェニレン基であってもよい。前記連結基としては、芳香族環、芳香族ヘテロ環、珪素原子、窒素原子、炭素原子及びこれら二つ以上の組み合わせ等が挙げられ、芳香族環であることが好ましい。当該トリフェニレン基は更に置換基を有していてもよく、好ましい置換基は上記の一般式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３の好ましい置換基と同様である。

Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに同じであっても異なっていてもよい。
ｎ１、ｎ２及びｎ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。電子移動度の観点から、ｎ１、ｎ２及びｎ３はそれぞれ独立に、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。
一般式（１）で表すことのできる構造単位は本発明において有効に作用するが、この構造単位を１分子内に２つ以上有する化合物はより好ましく用いる事ができる。

上記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物のうち、特に好ましく用いる事ができるのは下記一般式（２）で表される化合物である。

（式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、置換基を表す。これらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ４及びｎ５は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。）

上記一般式（２）において、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に、置換基を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７で表される置換基の具体例及び好ましい範囲は、上記一般式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３で表される置換基の具体例及び好ましい範囲と同様である。

ｎ４及びｎ５は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。電子移動度の観点から、ｎ４及びｎ５はそれぞれ独立に、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。

一般式（１）で表される構造単位を有する化合物、及び一般式（２）で表される化合物を含む本発明に用いられるトリフェニレン化合物のＴ１エネルギーは、５９ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上であることが好ましく、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上であることが更に好ましい。Ｔ１エネルギーはリン光スペクトルの長波長端から算定することができる。

次に一般式（１）で表される構造単位を有する化合物又は一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

次に、一般式（１）で表される構造単位を有する化合物及び一般式（２）で表される化合物の製造方法について述べる。これらのトリフェニレン化合物は、種々の公知の芳香族炭素−炭素結合生成反応などを利用して合成可能であり、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｇｕｉｄｅ （Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．社） ｐ．６１７〜ｐ．６４３、及び、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ＶＣＨ社） ｐ．５〜ｐ．１０３ などに記載されている手法を利用して合成することができる。

上記一般式（３）中、Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表わす。Ａｒで表される置換又は無置換のアリール基の炭素数は、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２である。置換又は無置換のアリール基におけるアリール骨格としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などが挙げられ、ベンゼン環であることが好ましい。またアリール基が有する置換基としては、上記一般式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３で表される置換基と同様である。
Ａｒとしては、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられ、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基が最も好ましい。

次に一般式（３）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

本発明のバッファー層（隣接層）における蒸着が可能なトリフェニレン誘導体の含有量は発光層中３０〜１００質量％であることが好ましく、６０〜１００質量％であることがより好ましく、９０〜１００質量％であることが更に好ましく、１００質量％が最も好ましい。

［３］発光材料
本発明の有機電界発光素子において、発光層は発光材料を含有する。該発光材料としては、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号［０１００］〜［０１６４］、特開２００７−２６６４５８号公報の段落番号［００８８］〜［００９０］に詳述される燐光発光材料や蛍光発光材料を使用することができる。
本発明の有機電界発光素子において、発光層には液晶性を示すトリフェニレン誘導体が含まれており、該トリフェニレン誘導体は配向していることから、平面性の高い発光材料を使用することが外部への光取り出し効率の観点で好ましい。平面性の高い燐光発光材料としては白金錯体が挙げられ、また平面性の高い蛍光発光材料としてはピレン誘導体、ペリレン誘導体、ルブレン等が挙げられ、ピレン誘導体が発光波長（色純度の高いの青の発光が可能）の観点で好ましい。すなわち、本発明の有機電界発光素子において、発光層に、白金錯体又はピレン誘導体を有することが外部への光取り出し効率の観点で好ましい。
以下に、発光層に好ましく含まれる白金錯体及びピレン誘導体について説明する。

［３−１］白金錯体
白金錯体として好ましくは、下記一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体である。

（式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−１）について説明する。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。この時、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子の内、少なくとも一つが炭素原子であることが好ましく、二つが炭素原子であることがより好ましく、二つが炭素原子で、二つが窒素原子であることが特に好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、アニオン性の配位子でも中性の配位子でもよく、アニオン性の配位子としてはビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。中性の配位子としてはカルベン配位子が挙げられる。
窒素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としては含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサゾール配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））、アミン配位子、ニトリル配位子、イミン配位子が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アミノ配位子、イミノ配位子、含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピロール配位子、イミダゾール配位子、トリアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えはインドール配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））が挙げられる。
酸素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはエーテル配位子、ケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子、含酸素ヘテロ環配位子（フラン配位子、オキサゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾオキサゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子などが挙げられる。
硫黄原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはチオエーテル配位子、チオケトン配位子、チオエステル配位子、チオアミド配位子、含硫黄ヘテロ環配位子（チオフェン配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子などが挙げられる。
リン原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはホスフィン配位子、リン酸エステル配位子、亜リン酸エステル配位子、含リンヘテロ環配位子（ホスフィニン配位子など）が挙げられ、アニオン性の配位子としては、ホスフィノ配位子、ホスフィニル配位子、ホスホリル配位子などが挙げられる。
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４で表される基は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い（Ｑ^３とＱ^４が連結した場合、環状四座配位子のＰｔ錯体になる）。

Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４で表される基として好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、より好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アリールオキシ配位子であり、更に好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子である。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は二価の連結基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、更に置換基を有していてもよい。Ｒ及びＲ^１はそれぞれ独立に置換基を表す。
錯体の安定性及び発光量子収率の観点から、Ｌ^２及びＬ^３として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、更に好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、更に好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、更に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基であり、最も好ましくは単結合である。

Ｌ^１として好ましくはアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくはアルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、更に好ましくはアルキレン基、イミノ基であり、更に好ましくはメチレン基、イミノ基である。これらは置換基を有していてもよく、該置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ｌ^１として更に好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基、アリールイミノ基であり、更に好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基、フェニルイミノ基、４−ｔ−ブチルフェニルイミノ基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニルイミノ基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニルイミノ基である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましくは下記一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^２１、Ａ^２２、Ｂ^２１、Ｂ^２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表すが、２つ以上が窒素原子を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２はそれぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３、Ｚ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。）

一般式（Ｃ−２）について説明する。Ｌ^２１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^２１、Ａ^２２、Ｂ^２１、Ｂ^２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表すが、２つ以上が窒素原子を表し、２つ又は３つが窒素原子を表すことが好ましく、２つが窒素原子を表すことがより好ましい。錯体の安定性の観点からＡ^２１及びＡ^２２窒素原子を表す、又はＢ^２１及びＢ^２２が窒素原子であることを表すことが好ましい。

Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４は、それぞれ独立にベンゼン環又は含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点からＺ^２３、Ｚ^２４で表される環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラゾール環であり、更に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。

前記Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４で表されるベンゼン環、含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。

炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、シアノ基、又はハロゲン原子であり、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、又はハロゲン原子がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子、又はシアノ基が更に好ましい。

前記アルキル基としては、炭素数１〜２０の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルキル基としては、炭素数１〜１２が好ましく、例えば、メチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、ｓ−ブチル基などが挙げられる。
前記アリール基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換のアリール基を表し、縮環していてもよく、例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。
前記トリフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基が好ましい。
前記アルコキシ基としては、炭素数１〜２０の置換又は無置換のアルコキシ基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルコキシ基としては、炭素数１〜１２が好ましく、例えば、メトキシ基、ブチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ｓ−オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。
前記へテロ環基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換の含窒素芳香族へテロ環基を表し、縮環していてもよく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、カルバゾール環などが挙げられ、カルバゾール環が好ましい。
前記ジアリールアミノ基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換のジアリールアミノ基を表し、縮環していてもよく、ジフェニルアミノ基、ジトルイルアミノ基、ジナフチルアミノ基などが挙げられる。
前記ジアルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記ジアルキルアミノ基としては、炭素数１〜１２が好ましく、具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジデシルアミノ基、ジドデシルアミノ基、ジｔ−ブチルアミノ基、ジｔ−アミルアミノ基、ジｓ−ブチルアミノ基などが挙げられる。
前記アリールオキシ基としては、炭素数６〜１０の置換又は無置換のアリールオキシ基を表し、縮環していてもよく、フェニルオキシ基、トルイルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。
前記シリル基としては、炭素数３〜２４の炭素原子で置換されたシリル基を表し、トリアルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基のいずれであってもよい。前記シリル基としては、炭素数３〜１８が好ましく、具体的には、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及び直鎖状アルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。
置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、長波長化させる場合には電子供与性基、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また短波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばフッ素基、シアノ基、トリフルオロアルキル基などが選択される。

窒素原子上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、又は芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、又はアリール基が好ましい。

前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−３）で表される白金錯体である。

（式中、Ａ^３０１〜Ａ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^３１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ，Ｚ、Ｍは、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子である。）

一般式（Ｃ−３）について説明する。
Ｌ^３１は一般式（Ｃ−２）におけるＬ^２１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^３０１〜Ａ^３０６はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ^３０１〜Ａ^３０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^３０１〜Ａ^３０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、シアノ基、又はハロゲン原子であり、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、又はハロゲン原子がより好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシアノ基が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。該アルキル基、及びアリール基は更に置換基を有しても良く、該置換基としてはアルキル基、アリール基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基（好ましくはトリフルオロメチル基）であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）である。Ａ^３０２、Ａ^３０５がＣ−Ｒである場合、該Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとしては、素子の耐久性向上の観点からはアリール基が好ましく、発光波長が短いという観点では水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、フッ素基、シアノ基が好ましい。
Ａ^３０１、Ａ^３０３、Ａ^３０４、Ａ^３０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子である。

Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して縮環構造を形成してもよい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^３０８が窒素原子であることが好ましい。

一般式（Ｃ−３）において２つの炭素原子とＡ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０から形成される６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。前記６員環が、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環（特に好ましくはピリジン環）であることにより、ベンゼン環と比較して、金属−炭素結合を形成する位置に存在する水素原子の酸性度が向上する為、より金属錯体を形成しやすくなる点で有利である。

Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又は窒素原子を表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３のうち少なくとも一つは窒素原子であることが好ましく、特にＡ^３１１が窒素原子であることが好ましい。

一般式（Ｃ−３）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−３−１）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−３−１）中、Ｘ，Ｙ，Ｚ、Ｍはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_３及びＲ_３０はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Ｑはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子である。）

一般式（Ｃ−３−１）について説明する。
ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。これらの中でも、ｍは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｎは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｐは、０〜２が好ましく、１〜２がより好ましい。ｑは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。
Ａｒが表すアリール基としては、フェニル基、ナフチル基を挙げることができ、フェニル基であることが好ましい。Ａｒが表すアリール基は更に置換基を有しても良く、該置換基としてはアルキル基、アリール基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子、フルオロアルキル基（好ましくはトリフルオロメチル基）であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）である。これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及びアルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。
Ａｒとしてより好ましくは、フェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル基を挙げることができる。
Ｒ_１〜Ｒ_３及びＲ_３０として好ましくは、一般式（Ｃ−３）におけるＲと同様のものを挙げることができ、好ましくは、Ｒ_１〜Ｒ_２は、アルキル基、アリール基、フッ素原子、シアノ基、シリル基を表す。Ｒ_３は、トリフルオロアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子が好ましく、トリフルオロアルキル基が更に好ましい。Ｒ_３０はトリフルオロアルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子が好ましく、ハロゲン原子が更に好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、が２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−４）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−４）中、Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^４１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−４）について説明する。
Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。
またはＲで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ^４０１〜Ａ^４０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^４０１〜Ａ^４０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^４０２、Ａ^４０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素基である。Ａ^４０１、Ａ^４０３、Ａ^４０４、Ａ^４０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。
Ｌ^４１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^４０７〜Ａ^４１４としては、Ａ^４０７〜Ａ^４１０とＡ^４１１〜Ａ^４１４のそれぞれにおいて、Ｎ（窒素原子）の数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^４０８及びＡ^４１２のいずれかがＮ原子であることが好ましく、Ａ^４０８とＡ^４１２が共にＮ原子であることが更に好ましい。
Ａ^４０７〜Ａ^４１４がＣ−Ｒを表す場合に、Ａ^４０８、Ａ^４１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、トリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、フェニル基、トリフルオロアルキル基、シアノ基である。Ａ^４０７、Ａ^４０９、Ａ^４１１、Ａ^４１３のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、トリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フェニル基、フッ素基である。Ａ^４１０、Ａ^４１４のＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。Ａ^４０７〜Ａ^４０９、Ａ^４１１〜Ａ^４１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｙ及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｚ又はＹが、窒素原子である）

一般式（Ｃ−５）について説明する。Ａ^５０１〜Ａ^５０６及びＬ^５１は、前記一般式（Ｃ−４）におけるＡ^４０１〜Ａ^４０６及びＬ^４１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^５０７、Ａ^５０８、Ａ^５０９、Ａ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^５０７、Ａ^５０８、Ａ^５０９、Ａ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。Ａ^５０７、Ａ^５０８、Ａ^５０９、Ａ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２のうち少なくとも一つはＮであることが好ましく、特にＡ^５１０又はＡ^５０７がＮであることが好ましい。

一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５−１）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−５−１）中、Ｘ、Ｙ、及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｍ、ｎ、ｐ及び、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_４はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、及びｑが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。）

Ｒ_１及びＲ_２は、前記一般式（Ｃ−４）におけるＡ^４０１〜Ａ^４０６及びＬ^４１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ_３及びＲ_４として好ましくは、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
Ａｒは一般式（Ｃ−３−１）におけるＡｒと同義であり好ましいものも同様である。
ｍ、ｎ、ｐ、ｑは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。これらの中でも、ｍは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｎは、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。ｐは、０〜２が好ましく、１がより好ましい。ｑは、０〜２が好ましく、１がより好ましい。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−６）中、Ｘ，Ｙ，及びＺはそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、ＺとＹのいずれか一方が、窒素原子であり、Ｙが窒素原子のときは、Ｘは、炭素原子である。ｒ、ｓ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ_５〜Ｒ_８はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、ｒ、ｓ、ｔ、及びｕが２以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Ｗ_１及びＷ_２はそれぞれ独立に、アルキル基を表し、互いに結合して環状構造を形成してもよい。）

ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。これらの中でも、ｒは、０〜２が好ましく、０又は１がより好ましい。ｓは、０〜２が好ましく、０又は１がより好ましい。ｔは、０又は１が好ましく、ｕは、０又は１が好ましい。
Ｒ_５及びＲ_６として好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、トリフルオロアルキル基、ハロゲン原子であり、該アリール基はアルキル基を置換基として有していてもよい。
Ｒ_７及びＲ_８として好ましくは、アルキル基、トリフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、アリール基が好ましく、該アリール基はアルキル基を置換基として有していてもよい。。
Ｗ_１及びＷ_２として好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ、メチル基が好ましい。また、該アルキル基は、互いに連結して環状構造（例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、好ましくはシクロプロパン）を形成してもよい。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましい別の態様は下記一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^６１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^６１はＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｚ^６１、Ｚ^６２はそれぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^６３はベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−７）について説明する。Ｌ^６１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^６１は炭素原子又は窒素原子を表す。錯体の安定性の観点及び錯体の発光量子収率の観点からＡ^６１は炭素原子であることが好ましい。

Ｚ^６１、Ｚ^６２は、それぞれ前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２１、Ｚ^２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ^６３は、前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。非環状配位子とはＰｔに結合する原子が配位子の状態で環を形成していないものである。Ｙ中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、窒素原子、酸素原子がより好ましく、酸素原子が最も好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＹとしてはビニル配位子が挙げられる。窒素原子でＰｔに結合するＹとしてはアミノ配位子、イミノ配位子が挙げられる。酸素原子でＰｔに結合するＹとしては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子、カルボキシル配位子、リン酸配位子、スルホン酸配位子などが挙げられる。硫黄原子でＰｔに結合するＹとしては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、ヘテロアリールメルカプト配位子、チオカルボン酸配位子などが挙げられる。
Ｙで表される配位子は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い。

Ｙで表される配位子として好ましくは酸素原子でＰｔに結合する配位子であり、より好ましくはアシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、更に好ましくはアシルオキシ配位子である。

一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−８）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−８）中、Ａ^７０１〜Ａ^７１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^７１は単結合又は二価の連結基を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−８）について説明する。Ｌ^７１は、前記一般式（Ｃ−６）中のＬ^６１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ^７０１〜Ａ^７１０は一般式（Ｃ−４）におけるＡ^４０１〜Ａ^４１０と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙは一般式（Ｃ−６）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、別の好ましい態様の１つとして下記一般式（Ｃ−９）で表される白金錯体が挙げられる。

（一般式（Ｃ−９）中、Ｒ_９〜Ｒ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、シリル基、ヘテロ環基を表し、Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１３とＲ_１６はそれぞれ独立に、互いに結合して環状構造を形成してもよい。）

Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１３とＲ_１６はそれぞれ独立に、互いに結合して環状構造を形成することが好ましい。Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、及びＲ_１３とＲ_１６がそれぞれ独立に、互いに結合して環状構造を形成することがより好ましい。
Ｒ_９とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１２とＲ_１０、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１３とＲ_１６が、互いに結合して形成する環状構造としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、又はナフタレン環である。
また、Ｒ_１４とＲ_１５、Ｒ_１１とＲ_１２、Ｒ_１３とＲ_１６が互いに結合して環状構造を形成することが好ましい。
該環状構造は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用でき、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基がより好ましく、炭素数５〜１５のアルキル基、炭素数５〜１５のアルコキシ基が更に好ましい。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体として具体的には、特開２００５−３１０７３３号公報の〔０１４３〕〜〔０１５２〕、〔０１５７〕〜〔０１５８〕、〔０１６２〕〜〔０１６８〕に記載の化合物、特開２００６−２５６９９９号公報の〔００６５〕〜〔００８３〕に記載の化合物、特開２００６−９３５４２号公報の〔００６５〕〜〔００９０〕に記載の化合物、特開２００７−７３８９１号公報の〔００６３〕〜〔００７１〕に記載の化合物、特開２００７−３２４３０９号公報の〔００７９〕〜〔００８３〕に記載の化合物、特開２００６−９３５４２号公報の〔００６５〕〜〔００９０〕に記載の化合物、特開２００７−９６２５５号公報の〔００５５〕〜〔００７１〕に記載の化合物、特開２００６−３１３７９６号公報の〔００４３〕〜〔００４６〕が挙げられ、その他以下に例示する白金錯体が挙げられる。なお、例示化合物におけるアルキル基及びアルキル基は直鎖アルキル基、分岐アルキル基、シクロアルキル基を含むものとし、好ましくは直鎖アルキル基である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体化合物は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ５３，７８６，（１９８８）、Ｇ．Ｒ．Ｎｅｗｋｏｍｅ ｅｔ ａｌ．）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法及びその組み合わせ、Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １１３，２７４９（１９８０）、Ｈ．Ｌｅｘｙほか）の、２７５２頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキシド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

本発明において、上記白金錯体は単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。
本発明の発光層における一般式（Ｃ−１）で表される化合物の含有量は発光層中１〜３０質量％であることが好ましく、３〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが更に好ましい。

［３−２］ピレン誘導体
ピレン誘導体としては、従来から知られているピレン誘導体を使用できるが、下記一般式（Ｐ−１）で表される化合物が好ましく使用される。

（式中、Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良いアルケニル基、置換基を有していても良いアルキニル基、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いシリル基、置換基を有していても良い複素環基、置換基を有していても良いアリールアミノ基を表し、Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の少なくとも１つは水素原子以外の置換基である。）

＜Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６＞
（置換基Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の種類）
Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６はそれぞれ独立に水素原子、若しくは置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良いアルケニル基、置換基を有していても良いアルキニル基、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いシリル基、置換基を有していても良い複素環基、置換基を有していても良いアリールアミノ基を表す。
Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の少なくとも１つは水素原子以外の置換基である。

Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の２以上が水素原子以外の置換基である場合、複数の水素原子以外の置換基は同一であっても異なっても良い。合成の容易さの点では同一であることが好ましく、発光波長のチューニングが可能な点では異なることが好ましい。

また、高い発光効率を得るという点で、Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の水素原子以外の置換基は、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良いシリル基であることが好ましく、特に置換基を有していても良い芳香族炭化水素基であることが好ましい。また、半値幅の狭い発光を得るという点では、Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の水素原子以外の置換基は、置換基を有していても良いアルキニル基、置換基を有していても良いアルキル基が好ましく、発光波長の長いものを得るという点では、Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の水素原子以外の置換基は、置換基を有していても良いアルケニル基、置換基を有していても良い複素環基が好ましい。

Ｒ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１６のものが好ましく、これらは単環基に何ら限定されず、縮合多環式炭化水素基、環縮合炭化水素基、であっても良い。具体例としてはフェニル基等の単環基、ビフェニル基、フェナントリル基、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基等の縮合多環式炭化水素基、ビフェニル基等の環縮合炭化水素基等が挙げられる。
アルケニル基としては、炭素数２〜２０のものが好ましく、具体例としてはスチリル基、ジフェニルビニル基等が挙げられる。
アルキニル基としては、炭素数２〜２０のものが好ましく、具体例としてはメチルエチニル基、フェニルエチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数３〜２０のものが好ましく、具体例としてはｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
シリル基としては、炭素数３〜２０のものが好ましく、具体例としてはトリメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジメチルブチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、メチルジブチルシリル基等が挙げられる。
複素環基としては、炭素数５〜２０のものが好ましく、具体例としてはピリジル基、チエニル基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピラジル基、ピリミジル基、ピラゾイル基、イミダゾイル基、フェニルカルバゾイル基等が挙げられる。
アリールアミノ基としては、炭素数６〜３０のものが好ましく、具体例としては、ジフェニルアミノ基、カルバゾイル基、フェニルナフチルアミノ基等が挙げられる。

これらの置換基は更に置換基を有していても良い。更に有しても良い置換基としては、アリール基、アリールアミノ基、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ハライド基、カルボキシル基、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、カルボニル基、オキシカルボニル基、カルボン酸基、複素環基などが挙げられる。好ましくは、炭素数６〜１６のアリール基、炭素数１２〜３０のアリールアミノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、フルオライド基、炭素数１〜１０のオキシカルボニル基、シアノ基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数６〜１６のアリールオキシ基、炭素数２〜１６のカルボニル基、炭素数５〜２０の複素環基などが挙げられる。

更に有しても良い置換基のうち、炭素数６〜１６のアリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基などが挙げられる。
炭素数１２〜３０のアリールアミノ基の例としては、ジフェニルアミノ基、カルバゾイル基、フェニルカルバゾイル基などが挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基の例としては、トリフルオロメチル基などが挙げられる。
炭素数１〜１０のオキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。
炭素数１〜１０のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。
炭素数６〜１６のアリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基などが挙げられる。
炭素数２〜１６のカルボニル基の例としては、アセチル基、フェニルカルボニル基などが挙げられる。
炭素数５〜２０の複素環基の例としては、ピリジル基、チエニル基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピラジル基、ピリミジル基、ピラゾイル基、イミダゾイル基などが挙げられる。
以上に説明したＲ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６及びＲ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６が有しても良い置換基のうち、アリールアミノ基やアルコキシ基などの電子供与性の基、チエニル基、ベンゾチエニル基などの複素環基は、化合物（Ｐ−１）の発光波長の長波長化に寄与する。よってＲ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６やＲ_Ｐ ^１〜Ｒ_Ｐ ^６が有しても良い置換基として、これらの置換基を選択することによって、緑色発光を呈するものを得ることもできる。

なお、化合物（Ｐ−１）のうち、特に好ましいものは次の一般式（Ｐ−１ａ）又は（Ｐ−１ｂ）で表される構造からなるものである（以下の一般式（Ｐ−１ａ），（Ｐ−１ｂ）において、Ｒ_Ｐ ^１，Ｒ_Ｐ ^３，Ｒ_Ｐ ^４，Ｒ_Ｐ ^６は一般式（Ｐ−１）におけると同義である。以下において、一般式（Ｐ−１ａ）で表される構造からなる化合物を「化合物（Ｐ−１ａ）」と称し、一般式（Ｐ−１ｂ）で表される構造からなる化合物を「化合物（Ｐ−１ｂ）」と称す場合がある。）。

ピレン誘導体としては、液晶性を示すピレン誘導体であることがより好ましい。液晶性を示すピレン誘導体としては、例えば下記一般式（Ｐ−Ｉ）で表されるピレン誘導体を挙げることができる。

上記一般式（Ｐ−Ｉ）において、Ｒ_Ｐは、Ｒ_Ｐ ^１−、又はＲ_Ｐ ^１−ＣＯ−を意味する。ｐは、置換基数であり、１〜５の整数を表す。これら基を持つ化合物が全て液晶性ではないが、公知技術等に基づき液晶性となる適切な基を選択して使用することが出来る。Ｒ_Ｐ ^１としては、アルキル基、アルキル基にフェニレン基やシクロヘキシレン基等の環が組み合わされたもの、アルキル基の炭素−炭素間に酸素原子が配置されたもの等がある。

Ｒ_Ｐとしては、具体的には、Ｒ_Ｐ ^２−、Ｒ_Ｐ ^２−Ｏ−Ｒ_Ｐ ^３−、Ｒ_Ｐ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−、Ｒ_Ｐ ^２−（Ｏ−Ｒ_Ｐ ^３）_ｎＰ−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−、Ｒ_Ｐ ^２−Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ_Ｐ ^３−Ｏ−Ｐｈ−ＣＯ−が挙げられる。ここで、Ｒ_Ｐ ^２はアルキル基を表し、Ｒ_Ｐ ^３はアルキレン基を表し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｎ_Ｐ、は−（Ｏ−Ｒ_Ｐ ^３）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。

Ｒ_Ｐ ^２で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１５の範囲であり、更に好ましくは３〜１０の範囲である。Ｒ_Ｐ ^２で表されるアルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよいが、液晶性の点で直鎖であることが好ましい。
Ｒ_Ｐ ^３で表されるアルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１５の範囲であり、更に好ましくは３〜１０の範囲である。
Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、有していてもよい置換基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基などが挙げられ、Ｎ_Ｄ相の発現性の観点で、アルキル基が好ましい。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜２０の範囲であり、より好ましくは１〜１０の範囲であり、更に好ましくは１〜６の範囲である。
ｎ_Ｐは、−（Ｏ−Ｒ_Ｐ ^３）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。ｎ_Ｐは好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは１〜６の整数であり、更に好ましくは１〜３の整数である。

Ｒ_Ｐとしては、溶解性の観点で、Ｒ_Ｐ ^２−が好ましい。
ｐは、置換基数であり、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１又は２の整数である。一般式（Ｐ−Ｉ）で表されるピレン誘導体は、少なくともベンゼン環の４位に置換基を有することが液晶性の付与、溶解性の観点で好ましい。

上記一般式（Ｐ−Ｉ）で表されるピレン誘導体は、高い溶解性の点で、下記一般式（Ｐ−ＩＩ）で表されるピレン誘導体であることが好ましい。

上記一般式（Ｐ−ＩＩ）中、Ｒ_Ｐは、一般式（Ｐ−Ｉ）におけるＲ_Ｐと同義である。

一般式（Ｐ−ＩＩ）におけるＲ_Ｐの具体例及び好ましい範囲は、前記一般式（Ｐ−Ｉ）におけるものと同様である。

本発明で使用できるピレン誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

本発明の発光層における一般式（Ｐ−Ｉ）で表されるピレン誘導体の含有量は発光層中０．５〜３０質量％であることが好ましく、１〜２０質量％であることがより好ましく、１．５〜１０質量％であることが更に好ましい。

［４］溶媒
本発明の有電界発光素子に含まれる層を、湿式法により成膜する場合、該層に含まれる各成分を溶解させて組成物を調製する際に使用することができる溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒等の公知の有機溶媒を挙げることができる。

芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、クメンエチルベンゼン、メチルプロピルベンゼン、メチルイソプロピルベンゼン、等が挙げられ、トルエン、キシレン、クメン、トリメチルベンゼンがより好ましい。芳香族炭化水素系溶媒の比誘電率は通常、３以下である。

アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、ブタノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられ、ブタノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノールがより好ましい。アルコール系溶媒の比誘電率は通常、１０〜４０である。
ケトン系溶媒としては、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、２−ブタノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等が挙げられ、２−ブタノン、メチルイソブチルケトン、プロピレンカーボネートが好ましい。ケトン系溶媒の比誘電率は通常、１０〜９０である。
脂肪族炭化水素系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等が挙げられ、オクタン、デカンが好ましい。脂肪族炭化水素系溶媒の比誘電率は通常、１．５〜２．０である。
アミド系溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等が挙げられ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノンが好ましい。アミド系溶媒の比誘電率は通常、３０〜４０である。
本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。

［５］有機電解発光素子の構成
本発明における有機電界発光素子の構成について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層、及び電子輸送層とを有する有機電界発光素子であって、前記発光層と前記電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有する。
前記陽極及び陰極からなる一対の電極は、一般的に基板上に形成されてなる。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
図１は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。
図１に示される本発明に係る有機電界発光素子１０は、基板２上において、陽極３と陰極９との間に発光層６が挟まれている。具体的には、陽極３と陰極９との間に正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、バッファー層１１、電子輸送層７、及び電子注入層８がこの順に積層されている。

＜有機層の構成＞
前記有機層の層構成としては、発光層と電子輸送層との間に、バッファー層を有する限り特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／バッファー層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／バッファー層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／バッファー層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／バッファー層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／励起子ブロック層／発光層／バッファー層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
有機電界発光素子の基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
本発明において、陰極はスパッタリング法により成膜されることが好ましい。抵抗加熱方式の真空蒸着法により陰極を成膜する場合に比べ、非加熱方式のスパッタリング法により陰極を成膜することで、液晶性を有する（すなわち液晶相である）発光層に対する熱ダメージを低減することが可能となり、その結果、液晶相の乱れを低減することができるので好ましい。
本発明において、陰極はアルミニウム、又はアルミニウムとリチウムの合金（好ましくは重量比５０：５０〜９９：１）であることが、電子注入性の観点で好ましい。

＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。

〔有機層の形成〕
本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、真空蒸着法やスパッタリング法等の乾式成膜法、転写法、印刷法、スピンコート法、バーコート法、インクジェット法、スプレー法等の溶液塗布プロセス（湿式法）のいずれによっても好適に形成することができる。

本発明の有機電界発光素子において、有機層のいずれか一層は湿式法により成膜することが好ましく、少なくとも発光層が湿式法により成膜されることが好ましく、発光層に加え、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方も湿式法により成膜されることがより好ましく、これら両方が湿式法により成膜されることが更に好ましい。一方、少なくともバッファー層（隣接層）は乾式法により成膜されることが好ましく、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一方も乾式法により成膜されることがより好ましく、これら両方が乾式法により成膜されることが更に好ましい。ここで乾式法としては、真空蒸着法が好ましい。
また、上記以外の他の層については乾式法又は湿式法を適宜選択して成膜することができる。湿式法を用いると有機層を容易に大面積化することができ、高輝度で発光効率に優れた発光素子が低コストで効率よく得られ、好ましい。乾式法としては真空蒸着法、スパッタリング法等が使用でき、湿式法としてはディッピング法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が使用可能である。これらの成膜法は有機層の材料に応じて適宜選択できる。湿式法により製膜した場合は製膜した後に乾燥してよい。乾燥は塗布層が損傷しないように温度、圧力等の条件を選択して行う。

上記湿式製膜法（塗布プロセス）で用いる塗布液は通常、有機層の材料と、それを溶解又は分散するための溶剤からなる。溶剤は特に限定されず、有機層に用いる材料に応じて選択すればよい。溶剤の具体例としては、ハロゲン系溶剤（クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等）、ケトン系溶剤（アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、２−ブタノン、シクロヘキサノン等）、芳香族系溶剤（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、エステル系溶剤（酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル等）、エーテル系溶剤（テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、アミド系溶剤（ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ジメチルスルホキシド、アルコール系溶剤（メタノール、プロパノール、ブタノールなど）、水等が挙げられる。
なお、塗布液中の溶剤に対する固形分量は特に制限はなく、塗布液の粘度も製膜方法に応じて任意に選択することができる。

〔発光層〕
本発明の有機電界発光素子において、発光層は発光材料を含有する。該発光材料としては、前述の［３］発光材料で説明したものが挙げられる。発光材料は単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
発光層中の発光材料の含有量は特に制限されないが、例えば０．１〜７０質量％であり、１〜５０質量％であるのが好ましい。発光材料の含有量が０．１質量％未満であるか、又は７０質量％を超えると、その効果が十分に発揮されない場合がある。

本発明において、発光層は液晶性を損なわない範囲で、必要に応じて前記液晶性を示すトリフェニレン誘導体以外のホスト化合物を含有してもよい。

上記ホスト化合物とは、その励起状態から燐光発光性化合物へエネルギー移動が起こり、その結果、該燐光発光性化合物を発光させる化合物である。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金属錯体、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。ホスト化合物は１種単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

本発明の発光層を湿式法により成膜する場合、発光層形成用塗布液の塗布後、硬化反応により硬化して発光層を形成することも液晶性の観点で好ましい。
硬化反応としては、特に限定されず、光重合、熱重合等が挙げられ、光重合反応が好ましい。
発光層形成用塗布液には多官能の重合性化合物を含有することが好ましく、ネオペンチルグリコールジア（メタ）クリレート、１，６−ヘキサンジオールジア（メタ）クリレート、１，９−ノナンジオールジア（メタ）クリレート、１，１０−デカンジオールジア（メタ）クリレート、トリシクロデカンジメタノールジア（メタ）クリレート、トリメチロールプロパントリア（メタ）クリレート、変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＤＰＨＡ（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）等が挙げられ、トリメチロールプロパントリアクリレート、変性トリメチロールプロパントリアクリレートが好ましい。重合性化合物の発光層形成用塗布液中での含有量は、全固形分を基準として、１〜３０質量％が好ましく、より好ましくは３〜２０質量％であり、更に好ましくは５〜１５質量％である。
また硬化反応を円滑に進行させるために、発光層形成用塗布液には光重合開始剤が含まれることが好ましく、具体的にはＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ６５１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ １８４、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ １２７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ７５４、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３７９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３７９ＥＧ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ １３００、ＩＲＧＡＣＵＲ ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲ ＯＸＥ０２、ＤＡＲＯＣＵＲＥ １１７３、ＤＡＲＯＣＵＲＥ ＭＢＦ等が挙げられ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７が好ましい。光重合開始剤の発光層形成用塗布液中での含有量は、重合性基を有する固形分を基準として、０．１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜５質量％であり、更に好ましくは１〜３質量％である。

発光層の厚みは１０〜２００ｎｍとするのが好ましく、２０〜８０ｎｍとするのがより好ましい。厚みが２００ｎｍ以下であると駆動電圧の上昇が抑えられ、１０ｎｍ以上であると発光素子の短絡が抑制される。

（正孔注入層、正孔輸送層）
本発明の有機電界発光素子は、正孔注入層、及び正孔輸送層を有してもよい。正孔注入層、及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
正孔注入層、正孔輸送層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

（電子注入層、電子輸送層）
本発明の有機電界発光素子は、電子注入層を有し、更に電子輸送層を有することが好ましい。電子注入層、及び電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
電子注入層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ストロンチウム（Ｓｒ）フッ化セシウム（ＣｓＦ）、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）モノ（８- キノリノラト）リチウム錯体（Ｌｉｑ）等の公知の材料のいずれかを真空蒸着法により蒸着して形成されることが好ましく、これらのうちフッ化リチウム（ＬｉＦ）がより好ましい。
電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜１０ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜１．５ｎｍであるのが更に好ましい。
電子輸送層は、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ−（ＩＩＩ））、Ａｌｑ_３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム）及びＢＣＰ等の公知の材料のいずれかを真空蒸着法により蒸着して形成されることが好ましく、これらのうちＢＡｌｑ及びＡｌｑ_３がより好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが好ましく、１０ｎｍ〜７０ｎｍであるのがより好ましく、３０ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層については、例えば、特開２００８−２７０７３６、特開２００７−２６６４５８に詳述されており、これらの公報に記載の事項も本発明に適用することができる。

（正孔ブロック層）
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、トリフェニレン誘導体、カルバゾール誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

（電子ブロック層）
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

（励起子ブロック層の説明）
励起子ブロック層は、発光層と正孔輸送層の界面、若しくは発光層と電子輸送層の界面のいずれか一方、又は両方に形成する層であり、発光層中で生成した励起子が正孔輸送層や電子輸送層へ拡散し、発光することなく失活するのを防止する層のことである。励起子ブロック層としては、カルバゾール誘導体からなることが好ましい。

〔その他の有機層〕
本発明の有機電界発光素子は、特開平７−８５９７４号、同７−１９２８６６号、同８−２２８９１号、同１０−２７５６８２号、同１０−１０６７４６号等に記載の保護層を有していてもよい。保護層は発光素子の最上面に形成する。ここで最上面とは、基材、透明電極、有機層及び背面電極をこの順に積層する場合には背面電極の外側表面を指し、基材、背面電極、有機層及び透明電極をこの順に積層する場合には透明電極の外側表面を指す。保護層の形状、大きさ、厚み等は特に限定されない。保護層をなす材料は、水分や酸素等の発光素子を劣化させ得るものが素子内に侵入又は透過するのを抑制する機能を有しているものであれば特に限定されず、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム等が使用できる。

保護層の形成方法は特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子センエピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等が適用できる。

〔電子親和力〕
本発明の有機電界発光素子において、前記発光層の液晶性を示すトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ１）と、前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ２）と、前記電子輸送層を構成する化合物の電子親和力（Ｅａ３）が、
Ｅａ１≦Ｅａ２＜Ｅａ３
であることが、電子輸送層から発光層へ効率よく電子が注入されることから好ましい。

電子親和力とは、イオン化ポテンシャルからエネルギーギャップの差分により測定することができる。
トリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ１、Ｅａ２）は、一般的に１．５２．５ｅＶである。
前記発光層の液晶性を示すトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ１）と、前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ２）と、前記電子輸送層を構成する化合物の電子親和力（Ｅａ３）の好ましい関係は、
０．８＊｛（Ｅａ３−Ｅａ１）／２｝＋Ｅａ３≧Ｅａ２≧０．２＊｛（Ｅａ３−Ｅａ１）／２｝＋Ｅａ３
であり、より好ましい関係は、
０．６＊｛（Ｅａ３−Ｅａ１）／２｝＋Ｅａ３≧Ｅａ２≧０．４＊｛（Ｅａ３−Ｅａ１）／２｝＋Ｅａ３
であり、更により好ましい関係は、
（Ｅａ３−Ｅａ１）／２＋Ｅａ３＝Ｅａ２
である。

〔封止〕
また、有機電界発光素子には水分や酸素の侵入を防止するための封止層を設けるのが好ましい。封止層を形成する材料としては、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとの共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン又はジクロロジフルオロエチレンと他のコモノマーとの共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質、金属（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｎｉ等）、金属酸化物（ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等）、金属フッ化物（ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等）、液状フッ素化炭素（パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等）、該液状フッ素化炭素に水分や酸素の吸着剤を分散させたもの等が使用可能である。

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。

本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の主旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。

（実施例１：Ｐｔ錯体）
＜有機電界発光素子の作製＞
０．７ｍｍの厚み、２５ｍｍ角のガラス基板上に陽極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を厚み１５０ｎｍにスパッタリング蒸着したのち、エッチング及び洗浄した。ＩＴＯを成膜した基板を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。このガラス基板上に以下の各層を形成した。
なお、スピンコートと乾燥、アニール処理は、グローブボックス（露点‐６０℃、酸素濃度１ｐｐｍ）内で行った。
次に、陽極（ＩＴＯ）上に、下記構造式で表されるＰＴＰＤＥＳ（ケミプロ化成製、重量平均分子量＝１３０００。ｎは括弧内の構造の繰り返し数を意味し、整数である。）２質量部を、電子工業用シクロヘキサノン（関東化学製）９８質量部に溶解又は分散させた正孔注入層塗布液をスピンコートした後、１２０℃で１０分間乾燥し、１６０℃で６０分間アニール処理することで、厚み４０ｎｍの正孔注入層を形成した。

次に、下記構造の正孔輸送材料ＨＴＬ−１（米国特許ＵＳ２００８／０２２０２６５に記載のＨＴＬ−１）４質量部を、電子工業用２−ブタノン（関東化学製）９９６質量部に溶解させて、正孔輸送層塗布液を調製した。
この正孔輸送層塗布液を正孔注入層上にスピンコートし、１５０℃で３０分間乾燥することで厚み１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

次いで発光層として、下記構造のホスト液晶化合物Ｈ−１を１６．３質量部と、下記構造式で表される変性トリメチロールプロパントリアクリレートを１．７質量部と、下記構造式で表される光重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７）を０．５質量部と、下記構造の燐光発光材料Ｅ−１を２質量部とを、電子工業用２−ブタノン（関東化学製）９７９．５質量部に溶解又は分散し、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ３Ａ １／１６、和光純薬株式会社製）を添加し、グローブボックス中で孔径０．２２μｍのシリンジフィルターを用いて濾過して調製した発光層塗布液を、グローブボックス中でスピンコートし、８０℃で１０分間乾燥後、ＵＶチャンバー：ＥＬＣ−５００（ＥＬＣＴＲＯ−ＬＩＴＥ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製）を用いてＵＶ露光を１０分間行い、８０℃で３０分間アニール処理をして、厚み４０ｎｍの発光層を正孔輸送層上に形成した。
なお、液晶化合物Ｈ−１の相転移温度を測定したところ、温度２１５℃でＮｄ相から、等方相に相転移することを、ホットステージ：ＦＰ８２ＨＴ（メトラートレド製）と偏光顕微鏡ＥＣＬＩＰＳＥ５０ｉＰＯＬ（ニコン製）を用いた測定から確認した。

隣接層として、下記構造のトリフェニレン化合物ＡＤ−１を真空蒸着法にて蒸着して、厚み５ｎｍの層を発光層上に形成した。

次に、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ−（ＩＩＩ））を真空蒸着法にて蒸着して、厚み３５ｎｍの電子輸送層を隣接層上に形成した。

次に、電子輸送層上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着して、厚み１ｎｍの電子注入層を形成した。
次に、電子注入層上に金属アルミニウムを蒸着し、厚み７０ｎｍの陰極を形成した。
作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止した。

（比較例１）
隣接層としてのトリフェニレン化合物ＡＤ−１を蒸着せずに、かつ電子輸送層としてのＢＡｌｑを厚み４０ｎｍに蒸着した以外は、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。

（実施例２：ピレン誘導体）
発光層を以下に記載されるように形成した以外は、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。
発光層として、上記ホスト液晶化合物Ｈ−１を１７質量部と、上記変性トリメチロールプロパントリアクリレートを２質量部と、上記光重合開始剤を０．５質量部と、下記構造の蛍光発光材料Ｅ−２（Ｊｏｕｒａｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、２００７、１７、１３９２−１３９８）を０．４質量部とを、電子工業用２−ブタノン（関東化学製）９７９．５質量部に溶解又は分散し、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ３Ａ １／１６、和光純薬株式会社製）を添加し、グローブボックス中で孔径０．２２μｍのシリンジフィルターを用いて濾過して調製した発光層塗布液を、グローブボックス中でスピンコートし、８０℃で１０分間乾燥後、ＵＶチャンバー：ＥＬＣ−５００（ＥＬＣＴＲＯ−ＬＩＴＥ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ製）を用いてＵＶ露光を１０分間行い、８０℃で３０分間アニール処理をして、厚み４０ｎｍの発光層を正孔輸送層上に形成した。

（比較例２）
隣接層としてのトリフェニレン化合物ＡＤ−１を蒸着せずに、かつ電子輸送層としてのＢＡｌｑを厚み４０ｎｍに蒸着した以外は、実施例２と同様に有機電界発光素子を作製した。

（実施例３）
隣接層としてのトリフェニレン化合物ＡＤ−１を、下記構造のトリフェニレン化合物ＡＤ−２に変更し、かつ電子輸送層をＡｌｑ_３に変更した以外は、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。

（比較例３）
隣接層としてのトリフェニレン化合物ＡＤ−２を蒸着せずに、かつ電子輸送層としてのＡｌｑ_３を厚み４０ｎｍに蒸着した以外は、実施例３と同様に有機電界発光素子を作製した。

（比較例４）
隣接層としてトリフェニレン化合物ＡＤ−１の代わりに、下記構造のＢＣＰ（Ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ、Ａｌｄｒｉｃｈ製）を蒸着した以外には、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。

（実施例４）
発光層に使用されるホスト材料を、下記構造のホスト液晶化合物Ｈ−２（特開平１０−３２１３７１に記載の化合物）に変更し、陰極としての金属アルミニウムの蒸着の代わりに、緩衝層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を真空蒸着法にて厚さ２０ｎｍに成膜し、次いで陰極としたＡｌ：Ｌｉ合金（質量比９７：３）をスパッタリング法で成膜した以外には、実施例１と同様に有機電界発光素子を作製した。

＜素子評価＞
（ａ） 素子性能
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。
素子性能は、以下に記載するように○、×の二段階で評価した。
○：輝度が２０ｃｄ／ｍ^２以上の発光
×：輝度が２０ｃｄ／ｍ^２未満の発光
（ｂ） 耐久性
室温で電流密度０．１ｍＡ／ｃｍ^２の直流電流を調整し、初期輝度から輝度が半減するまでに要した時間を耐久性の指標とした。
耐久性は、以下に記載するように○、×の二段階で評価した。
○：１時間以上
×：１時間未満

（比較例５）
ホスト液晶化合物Ｈ−１の代わりに、前記トリフェニレン化合物ＡＤ−１を発光層のホストとして用い、溶媒をテトラヒドロフランに変更した以外には、実施例１と同様に発光層塗布液を調液した。これを、実施例１と同様に正孔輸送層上に塗布したものの、乾燥中に結晶化し、発光層の形成ができなかった。

以上の結果を、表１に示す。また表２に実施例で使用した材料の電子親和力を記載した。電子親和力は以下に記載の方法で測定した。

（電子親和力の測定方法）
（１）イオン化ポテンシャル測定
ガラス基板上に有機物を５０ｎｍの厚みになるように成膜した。この膜を常温常圧下理研計器製、紫外線光電子分析装置ＡＣ−２によりイオン化ポテンシャルを測定した。
（２）電子親和力測定
イオン化ポテンシャル測定に用いた膜の紫外可視吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルの長波長端のエネルギーから励起エネルギーを求めた。励起エネルギーと前記イオン化ポテンシャルの値から電子親和力を算出した。

上記表１の結果から明らかのように、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層と電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有する実施例１〜４の素子は、そのようなバッファー層を有さない比較例１〜５の素子と比べて、発光効率及び耐久性が向上したことがわかる。また、比較例４の素子は、Ｅａ１、Ｅａ２及びＥａ３の関係が前記Ｅａ１≦Ｅａ２＜Ｅａ３の関係を満たさないので、発光効率及び耐久性が低くかった。

２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・電子輸送層
８・・・電子注入層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子
１１・・・バッファー層（隣接層）

Claims (9)

1. 陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層、及び電子輸送層とを有する有機電界発光素子であって、
   前記発光層と前記電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有しており、
   前記液晶性を示すトリフェニレン誘導体が、下記一般式（Ｔ−１）で表される化合物であり、
   前記蒸着が可能なトリフェニレン誘導体が、下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物、及び、下記一般式（３）で表される化合物のいずれかであることを特徴とする有機電界発光素子。
   （式中、Ｒ _Ｔ は、Ｒ _Ｔ ^２ −、Ｒ _Ｔ ^２ −Ｏ−、Ｒ _Ｔ ^２ −Ｏ−Ｒ _Ｔ ^３ −、Ｒ _Ｔ ^２ −Ｏ−Ｒ _Ｔ ^３ −Ｏ−、Ｒ _Ｔ ^２ −Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ _Ｔ ^２ −（Ｏ−Ｒ _Ｔ ^３ ） _ｎＴ −Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−、Ｒ _Ｔ ^２ −Ｏ−Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、又はＣＨ _２ ＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ _Ｔ ^３ −Ｏ−Ｐｈ−ＣＯＯ−を表す。ここで、Ｒ _Ｔ ^２ は重合性基を有していてもよいアルキル基を表し、Ｒ _Ｔ ^３ はアルキレン基を表し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｎ _Ｔ 、は−（Ｏ−Ｒ _Ｔ ^３ ）−の繰り返し数であり、１以上の整数を表す。）
   （式中、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は、置換基を表す。これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。ｎ１、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。）
   （式中、Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。なお、Ａｒは同じであっても、異なっていてもよい。）
2. 前記発光層の液晶性を示すトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ１）と、前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体の電子親和力（Ｅａ２）と、前記電子輸送層を構成する化合物の電子親和力（Ｅａ３）が、
   Ｅａ１≦Ｅａ２＜Ｅａ３
   である、請求項１に記載の有機電界発光素子。
3. 前記発光層に、白金錯体を有する、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
4. 前記発光層に、ピレン誘導体を有する、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
5. 前記バッファー層の蒸着が可能なトリフェニレン誘導体が、前記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物であり、該化合物が下記一般式（２）で表される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
   （式中、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ 及びＲ ^７ は、置換基を表す。これらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ４及びｎ５は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。）
6. 前記発光層が湿式法により成膜された、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
7. 前記バッファー層が真空蒸着法により成膜された、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
8. 前記陰極がスパッタリング法により成膜された、請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
9. 前記陰極がアルミニウムとリチウムの合金である、請求項８に記載の有機電界発光素子。