JP5635987B2 - 基板の表面の計測特性を評価するシステムおよび方法 - Google Patents
基板の表面の計測特性を評価するシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5635987B2 JP5635987B2 JP2011525221A JP2011525221A JP5635987B2 JP 5635987 B2 JP5635987 B2 JP 5635987B2 JP 2011525221 A JP2011525221 A JP 2011525221A JP 2011525221 A JP2011525221 A JP 2011525221A JP 5635987 B2 JP5635987 B2 JP 5635987B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metric
- evaluation
- shape
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
〔高次の形状の特性評価〕
〔スロープ形状〕
〔周波数形状〕
〔局部的特徴の特性評価〕
(1)対象の局部的特徴の推定位置及び寸法を確認する。
(2)関連する特徴の定量化に対する適切な測定基準を規定する(これらの測定基準の幾つかの実施例に対する説明は後に行う)。
(3)これらの特徴に対する局部的な領域に亘る関連の測定基準を評価するレシピ(recipe)を書き取る。
(4)これらの局部的特徴の特性評価に基づいて基板を分類する。
〔手順〕
〔BSFQR/FSFQR〕
〔BSFQD/FSFQD〕
〔フィルタリング及び自動化〕
(1)(次の段落で説明するような)基板の表面の局部的曲率マップを形成し、曲率マッピング処理により、対象の特徴を自動的に検出するとともにこれらの特徴を囲む区分に対する境界を形成する。
(2)(所定の点において又は所定の区分内で、(曲率>しきい値)により規定される)バイナリ特徴のマップを発生させる。
(3)マップを連続的に成長及び破壊させて、特徴のエッジを連結させるようにする。
(4)処理されたバイナリ特徴マップの連続区分を分離させ且つ列挙する。
(5)区分の中心及び区分の寸法を規定するために各区分の境界エッジを求める。
(6)各区分が特徴に対し同心的で僅かに大きくなっている、局部的特徴を検出するために区分のリストを発生させる。
(7)(前述した区分のような)各区分に亘る、局部的特徴の特性評価測定基準を計算する。
(8)特徴マップを1つ以上の処理依存しきい値の限界と比較し、所定のしきい値よりも高いBSFQR/D、FSFQR/Dを有し、従って、所定の処理依存しきい値の限界が関連している処理に対し不適切である基板に、フラッグを発する。
〔曲率のマッピング〕
〔利点〕
本発明は以下の適用例を含む。
[適用例1]
基板の表面の計測特性を評価するシステムであって、
前記基板の前記表面を測定する光学的基板測定システムと、
基板上に規定された評価領域内のデータを解析するとともに、特徴特有のフィルタリングスキームを適用して、前記基板の前記表面を特性評価し、対象の特徴を特性評価及び定量化するための表面特有の測定基準を用いる、データ解析システムと、
を備えており、
前記表面特有の測定基準は、
前記評価領域上の最大及び最小偏差を定量化するためのレンジ測定基準と、
前記評価領域に適合する基準平面からの偏差量を有する各点偏差のうちの一組の点偏差において、最大値を有する点偏差を定量化するための偏差測定基準と、
パワースペクトル密度から計算される二乗平均平方根測定基準と、を有し、
前記データ解析システムは、更に、前記測定基準をしきい値と比較するとともに、この比較に少なくとも部分的に基づいて前記基板を分類する
システム。
[適用例2]
適用例1に記載のシステムにおいて、
前記基板の前記表面は、前面と、裏面と、前記前面及び前記裏面から得た中位面として規定される形状と、前記裏面を平坦基準とした基板の厚み変化として規定した平坦度と、を有するシステム。
[適用例3]
適用例1に記載のシステムにおいて、低空間周波数領域と高空間周波数領域との双方で対象の特徴を捕捉する機能を有するシステム。
[適用例4]
適用例3に記載のシステムにおいて、前記低空間周波数領域における対象の特徴には、ノッチと、ノッチ近接領域と、レーザマークと、レーザマーク近接領域と、高次の形状と、の少なくとも1つが含まれているシステム。
[適用例5]
適用例3に記載のシステムにおいて、前記高空間周波数領域における対象の特徴には、エピタキシャルピンマークが含まれているシステム。
[適用例6]
適用例4に記載のシステムにおいて、高次の形状は、短い空間波長内での前記基板の形状における変化であるシステム。
[適用例7]
適用例4に記載のシステムにおいて、高次の形状は、スロープ領域において前記基板の形状を解析することにより特性評価されるシステム。
[適用例8]
適用例7に記載のシステムにおいて、前記基板の形状は、隣接する点を用いて点毎のスロープを計算するために用いられるシステム。
[適用例9]
適用例7に記載のシステムにおいて、前記スロープ領域における前記基板の形状は、各評価領域内で別々に決定されるシステム。
[適用例10]
適用例9に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準は、前記評価領域内で計算され、前記評価領域内で前記基板の形状のスロープを評価するのに用いられるシステム。
[適用例11]
適用例7に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準は、これを、局部的な形状スロープに対する処理駆動カットオフ値と比較することにより前記基板を分類するのに用いられるシステム。
[適用例12]
適用例4に記載のシステムにおいて、高次の形状は、空間周波数領域内で前記基板の形状を解析することにより特性評価されるシステム。
[適用例13]
適用例11に記載のシステムにおいて、基板形状データは、フーリエ変換により、周波数領域において、一次元パワースペクトル密度と二次元パワースペクトル密度との少なくとも一方に変換されるシステム。
[適用例14]
適用例12に記載のシステムにおいて、前記一次元パワースペクトル密度は、前記基板上の放射状の一次元プロファイル、円周状の一次元プロファイル、非放射状のラインセグメント及び非円周状のラインセグメントの少なくとも1つに関して計算されるシステム。
[適用例15]
適用例12に記載のシステムにおいて、前記二次元パワースペクトル密度は、基板のユーザ規定の方形区分に関して計算されるようになっているシステム。
[適用例16]
適用例12に記載のシステムにおいて、パワースペクトル密度対空間周波数のプロットを、前記一次元パワースペクトル密度と前記二次元パワースペクトル密度との少なくとも一方から計算するシステム。
[適用例17]
適用例15に記載のシステムにおいて、前記二乗平均平方根測定基準は、パワースペクトル密度対空間周波数の前記プロットから計算し、前記高次の形状を定量化するのに用いられるシステム。
[適用例18]
適用例16に記載のシステムにおいて、前記二乗平均平方根測定基準は、パワースペクトル密度対空間周波数の前記プロット下の領域の平方根を計算することにより、特定の周波数で計算されるシステム。
[適用例19]
適用例1に記載のシステムにおいて、前記二乗平均平方根測定基準は、これを処理駆動カットオフ値と比較することにより前記基板を分類するのに用いられるシステム。
[適用例20]
適用例4に記載のシステムにおいて、前記ノッチ及び前記ノッチ近接領域を、約200ミクロンの空間分解能で評価するシステム。
[適用例21]
適用例18に記載のシステムにおいて、前面、裏面及び平坦度の少なくとも1つを用いて、前記ノッチ及び前記ノッチ近接領域を評価するシステム。
[適用例22]
適用例18に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、特定のエッジエクスクルージョン及びノッチエクスクルージョンを有するノッチを囲むシステム。
[適用例23]
適用例18に記載のシステムにおいて、前記評価領域における前記表面は、高周波表面変化を除去するために、低周波フィルタによりフィルタリングされるシステム。
[適用例24]
適用例18に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方は、前記ノッチ及び前記ノッチ近接領域を評価するのに用いられるシステム。
[適用例25]
適用例1に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方は、これを、ノッチおよびノッチ近接領域に特有の処理駆動カットオフ値と比較することにより基板を分類するのに用いられるシステム。
[適用例26]
適用例4に記載のシステムにおいて、前記レーザマーク及び前記レーザマーク近接領域を、約200ミクロンの空間分解能で評価するシステム。
[適用例27]
適用例23に記載のシステムにおいて、裏面及び前記平坦度の少なくとも一方を用いて、前記レーザマーク及び前記レーザマーク近接領域を評価するシステム。
[適用例28]
適用例23に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、特定のエッジエクスクルージョンを有するレーザマークを囲むシステム。
[適用例29]
適用例23に記載のシステムにおいて、前記評価領域における前記表面は、高周波の表面変化を除去するために、低周波フィルタでフィルタリングされるシステム。
[適用例30]
適用例23に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び偏差測定基準の少なくとも一方を用いて、前記レーザマーク及び前記レーザマーク近接領域を評価するシステム。
[適用例31]
適用例1に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方は、これを、レーザマーク及びレーザマーク近接領域に特有の処理駆動カットオフ値と比較することにより基板を分類するのに用いられるシステム。
[適用例32]
適用例4に記載のシステムにおいて、エピタキシャルピンマークを約200ミクロンの空間分解能で評価するようになっているシステム。
[適用例33]
適用例28に記載のシステムにおいて、前記前面と、前記裏面と、前記平坦度との少なくとも1つを用いて前記エピタキシャルピンマークを評価するシステム。
[適用例34]
適用例28に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、前記基板上の予め規定した個所内の前記エピタキシャルピンマークを囲むシステム。
[適用例35]
適用例28に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、低周波の表面変化を除去するために高周波フィルタを用いる自動検出ルーチンとともに、前記エピタキシャルピンマークを囲むシステム。
[適用例36]
適用例31に記載のシステムにおいて、前記高周波フィルタは、ラプラシアンの畳み込みであるシステム。
[適用例37]
適用例30に記載のシステムにおいて、前記評価領域における前記表面は、低周波の表面変化を除去するために、高周波フィルタによりフィルタリングされるシステム。
[適用例38]
適用例31に記載のシステムにおいて、前記自動検出ルーチンを用いてエピタキシャルピンマークを検出した後に、前記評価領域を形成するシステム。
[適用例39]
適用例28に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び偏差測定基準の少なくとも一方を用いて、前記エピタキシャルピンマークを評価するシステム。
[適用例40]
適用例1に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方を用い、これをエピタキシャルピンマークに特有の処理駆動カットオフ値と比較することにより前記基板を分類するシステム。
[適用例41]
基板を特性評価するための方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記基板の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
前記基板を複数の評価領域に分割し、前記複数の評価領域に応じて前記表面データを区画するステップと、
前記表面データを評価領域によりフィルタリングして、前記表面データから傾き及び平均表面高さを除去するステップと、
前記評価領域に対する前記フィルタリングされた表面データに少なくとも部分的に基づいて前記基板を特性評価するステップと
を備える方法。
[適用例42]
集積回路の製造工程に対する基板の適合性を特性評価する方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記基板の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
前記基板の前記表面上の各点における点スロープ形状値を計算するステップと、
前記基板を複数の評価領域に分割し、前記複数の評価領域に応じて前記点スロープ形状値を区画するステップと、
各評価領域に対する評価領域スロープ形状値を、前記評価領域内の前記点スロープ形状値に少なくとも部分的に基づいて計算するステップと、
前記基板に対する基板スロープ形状値を、前記評価領域スロープ形状値に基づいて計算するステップと、
前記基板スロープ形状値を、前記製造工程に少なくとも部分的に基づいて決定したしきい値と比較するステップと、
前記基板スロープ形状値が前記しきい値を超えているかに少なくとも部分的に基づいて、前記製造工程に対する前記基板の前記適合性を特性評価するステップと、
を備える方法。
[適用例43]
集積回路の製造工程に対する基板の適合性を特性評価する方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記基板の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
表面データをデータのラインに順序付けるステップであり、前記ラインは、放射状のラインと、円周状のラインとの少なくとも一方であるステップと、
フーリエ変換を用いて前記データの各ラインに対するパワースペクトル密度を計算するステップと、
前記各ラインに対し、パワースペクトル密度対空間周波数をプロットするステップと、
前記各ラインに対するパワースペクトル密度対空間周波数のプロット下の領域に少なくとも部分的に基づいて、前記各ラインに対する周波数形状を計算するステップと、
前記基板に対し計算された前記周波数形状に少なくとも部分的に基づいて、前記製造工程に対する基板の適合性を特性評価するステップと、
を備える方法。
[適用例44]
基板の局部的特徴を定量化する方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記局部的特徴を囲む前記基板の評価領域を決定するステップと、
前記基板の前記評価領域内の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
前記表面データにフィルタリングルーチンを適用して、前記表面データの不所望な特性を除去するステップと、
前記フィルタリングされた表面データに少なくとも部分的に基づいて測定基準を計算するステップと、
前記計算された測定基準に少なくとも部分的に基づいて、前記基板の局部的特徴を定量化するステップと、
を備える方法。
[適用例45]
適用例44に記載の方法において、評価領域を決定する前記ステップが、ユーザ規定の評価領域を容認するステップを有する方法。
[適用例46]
適用例44に記載の方法において、評価領域を決定する前記ステップが、前記基板上の予め規定した座標位置を評価領域として容認するステップを有する方法。
[適用例47]
適用例44に記載の方法において、評価領域を決定する前記ステップが、前記基板表面データにフィルタリングルーチンを適用し、前記局部的特徴を検出するステップと、前記局部的特徴を囲む前記評価領域を決定するステップとを有する方法。
[適用例48]
適用例44に記載の方法において、前記フィルタリングルーチンは、ラプラシアン曲率フィルタである方法。
[適用例49]
適用例44に記載の方法において、計算された前記測定基準が、前記評価領域内の高さ値の山対谷のレンジと、前記評価領域内の前記基板の前記表面内における最も高い高さ及び最も深い深さの一方の大きさと、の少なくとも一方である方法。
Claims (48)
- 基板の表面の計測特性を評価するシステムであって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで前記基板を保持することにより自由状態となった前記基板の前記表面を測定する光学的基板測定システムと、
基板上に規定された評価領域内のデータを解析するとともに、特徴特有のフィルタリングスキームを適用して、前記基板の前記表面を特性評価し、前記基板の前記表面の特徴を特性評価及び定量化するための表面特有の測定基準を用いる、データ解析システムと、
を備えており、
前記表面特有の測定基準は、
前記評価領域上の最大及び最小偏差を定量化するためのレンジ測定基準と、
前記評価領域に適合する基準平面からの偏差量を有する各点偏差のうちの一組の点偏差において、最大値を有する点偏差を定量化するための偏差測定基準と、
測定された前記基板の前記表面のパワースペクトル密度から計算される二乗平均平方根測定基準と、を有し、
前記データ解析システムは、更に、前記測定基準のうちの少なくとも一部をしきい値と比較するとともに、この比較に少なくとも部分的に基づいて前記基板を分類する
システム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、
前記基板の前記表面は、前面と、裏面と、前記前面及び前記裏面から得た中位面として規定される形状と、前記裏面を平坦基準とした基板の厚み変化として規定した平坦度と、を有するシステム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、前記基板の前記表面の低空間周波数領域と高空間周波数領域との双方で前記基板の前記表面の特徴を捕捉する機能を有するシステム。
- 請求項3に記載のシステムにおいて、前記低空間周波数領域における前記基板の前記表面の特徴には、ノッチと、ノッチ近接領域と、レーザマークと、レーザマーク近接領域と、前記基板の前記表面における局部的な形状と、の少なくとも1つが含まれているシステム。
- 請求項3に記載のシステムにおいて、前記高空間周波数領域における前記基板の前記基板の特徴には、エピタキシャルピンマークが含まれているシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記局部的な形状は、短い空間波長内での前記基板の形状における変化であるシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記局部的な形状は、スロープ領域において前記基板の形状を解析することにより特性評価されるシステム。
- 請求項7に記載のシステムにおいて、前記基板の形状は、隣接する点を用いて点毎のスロープを計算するために用いられるシステム。
- 請求項7に記載のシステムにおいて、前記スロープ領域における前記基板の形状は、各評価領域内で別々に決定されるシステム。
- 請求項9に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準は、前記評価領域内で計算され、前記評価領域内で前記基板の形状のスロープを評価するのに用いられるシステム。
- 請求項7に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準は、これを、局部的な形状スロープに対する処理駆動カットオフ値と比較することにより前記基板を分類するのに用いられるシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記局部的な形状は、空間周波数領域内で前記基板の形状を解析することにより特性評価されるシステム。
- 請求項12に記載のシステムにおいて、基板形状データは、フーリエ変換により、周波数領域において、一次元パワースペクトル密度と二次元パワースペクトル密度との少なくとも一方に変換されるシステム。
- 請求項13に記載のシステムにおいて、前記一次元パワースペクトル密度は、前記基板上の放射状の一次元プロファイル、円周状の一次元プロファイル、非放射状のラインセグメント及び非円周状のラインセグメントの少なくとも1つに関して計算されるシステム。
- 請求項13に記載のシステムにおいて、前記二次元パワースペクトル密度は、基板のユーザ規定の方形区分に関して計算されるようになっているシステム。
- 請求項13に記載のシステムにおいて、パワースペクトル密度対空間周波数のプロットを、前記一次元パワースペクトル密度と前記二次元パワースペクトル密度との少なくとも一方から計算するシステム。
- 請求項16に記載のシステムにおいて、前記二乗平均平方根測定基準は、パワースペクトル密度対空間周波数の前記プロットから計算し、前記局部的な形状を定量化するのに用いられるシステム。
- 請求項16に記載のシステムにおいて、前記二乗平均平方根測定基準は、パワースペクトル密度対空間周波数の前記プロット下の領域の平方根を計算することにより、特定の周波数で計算されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記二乗平均平方根測定基準は、これを処理駆動カットオフ値と比較することにより前記基板を分類するのに用いられるシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記ノッチ及び前記ノッチ近接領域を、約200ミクロンの空間分解能で評価するシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前面、裏面及び平坦度の少なくとも1つを用いて、前記ノッチ及び前記ノッチ近接領域を評価するシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、特定のエッジエクスクルージョン及びノッチエクスクルージョンを有するノッチを囲むシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記評価領域における前記データは、高周波表面変化を除去するために、低周波フィルタによりフィルタリングされるシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方は、前記ノッチ及び前記ノッチ近接領域を評価するのに用いられるシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方は、これを、ノッチおよびノッチ近接領域に特有の処理駆動カットオフ値と比較することにより基板を分類するのに用いられるシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記レーザマーク及び前記レーザマーク近接領域を、約200ミクロンの空間分解能で評価するシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記基板の裏面及び平坦度の少なくとも一方を用いて、前記レーザマーク及び前記レーザマーク近接領域を評価するシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、特定のエッジエクスクルージョンを有するレーザマークを囲むシステム。
- 請求項4に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方を用いて、前記レーザマーク及び前記レーザマーク近接領域を評価するシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方は、これを、レーザマーク及びレーザマーク近接領域に特有の処理駆動カットオフ値と比較することにより基板を分類するのに用いられるシステム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記エピタキシャルピンマークを約200ミクロンの空間分解能で評価するようになっているシステム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記基板の前面と、裏面と、平坦度との少なくとも1つを用いて前記エピタキシャルピンマークを評価するシステム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、前記基板上の予め規定した個所内の前記エピタキシャルピンマークを囲むシステム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記評価領域が、低周波の表面変化を除去するために高周波フィルタを用いる自動検出ルーチンとともに、前記エピタキシャルピンマークを囲むシステム。
- 請求項34に記載のシステムにおいて、前記高周波フィルタは、ラプラシアンの畳み込みであるシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記評価領域における前記データは、低周波の表面変化を除去するために、高周波フィルタによりフィルタリングされるシステム。
- 請求項34に記載のシステムにおいて、前記自動検出ルーチンを用いて前記エピタキシャルピンマークを検出した後に、前記評価領域を形成するシステム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び偏差測定基準の少なくとも一方を用いて、前記エピタキシャルピンマークを評価するシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記レンジ測定基準及び前記偏差測定基準の少なくとも一方を用い、これをエピタキシャルピンマークに特有の処理駆動カットオフ値と比較することにより前記基板を分類するシステム。
- 基板を特性評価するための方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記基板の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
前記基板を複数の評価領域に分割し、前記複数の評価領域に応じて前記表面データを区画するステップと、
前記表面データをフィルタリングして、前記表面データから傾き及び平均表面高さを除去するステップと、
前記評価領域に対する前記フィルタリングされた表面データに少なくとも部分的に基づいて前記基板を特性評価するステップと
を備える方法。 - 集積回路の製造工程に対する基板の適合性を特性評価する方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記基板の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
前記基板の前記表面上の各点における点スロープ形状値を計算するステップと、
前記基板を複数の評価領域に分割し、前記複数の評価領域に応じて前記点スロープ形状値を区画するステップと、
各評価領域に対する評価領域スロープ形状値を、前記評価領域内の前記点スロープ形状値に少なくとも部分的に基づいて計算するステップと、
前記基板に対する基板スロープ形状値を、前記評価領域スロープ形状値に基づいて計算するステップと、
前記基板スロープ形状値を、前記製造工程に少なくとも部分的に基づいて決定したしきい値と比較するステップと、
前記基板スロープ形状値が前記しきい値を超えているかに少なくとも部分的に基づいて、前記製造工程に対する前記基板の前記適合性を特性評価するステップと、
を備える方法。 - 集積回路の製造工程に対する基板の適合性を特性評価する方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記基板の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
表面データをデータのラインに順序付けるステップであり、前記ラインは、放射状のラインと、円周状のラインとの少なくとも一方であるステップと、
フーリエ変換を用いて前記データの各ラインに対するパワースペクトル密度を計算するステップと、
前記各ラインに対し、パワースペクトル密度対空間周波数をプロットするステップと、
前記各ラインに対するパワースペクトル密度対空間周波数のプロット下の領域に少なくとも部分的に基づいて、前記各ラインに対する周波数形状を計算するステップと、
前記基板に対し計算された前記周波数形状に少なくとも部分的に基づいて、前記製造工程に対する基板の適合性を特性評価するステップと、
を備える方法。 - 基板の局部的特徴を定量化する方法であって、
前記基板を垂直状態に保つ点接点のみで、前記基板を保持することにより、前記基板を自由状態にするステップと、
前記局部的特徴を囲む前記基板の評価領域を決定するステップと、
前記基板の前記評価領域内の表面上の点で光学的な測定を実行して表面データを生成するステップと、
前記表面データにフィルタリングルーチンを適用して、前記表面データの不所望な特性を除去するステップと、
前記フィルタリングされた表面データに少なくとも部分的に基づいて測定基準を計算するステップと、
前記計算された測定基準に少なくとも部分的に基づいて、前記基板の局部的特徴を定量化するステップと、
を備える方法。 - 請求項43に記載の方法において、評価領域を決定する前記ステップが、ユーザ規定の評価領域を容認するステップを有する方法。
- 請求項43に記載の方法において、評価領域を決定する前記ステップが、前記基板上の予め規定した座標位置を評価領域として容認するステップを有する方法。
- 請求項43に記載の方法において、評価領域を決定する前記ステップが、前記基板表面データにフィルタリングルーチンを適用し、前記局部的特徴を検出するステップと、前記局部的特徴を囲む前記評価領域を決定するステップとを有する方法。
- 請求項43に記載の方法において、前記フィルタリングルーチンは、ラプラシアン曲率フィルタである方法。
- 請求項43に記載の方法において、計算された前記測定基準が、前記評価領域内の高さ値の山対谷のレンジと、前記評価領域内の前記基板の前記表面内における最も高い高さ及び最も深い深さの一方の大きさと、の少なくとも一方である方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US9272008P | 2008-08-28 | 2008-08-28 | |
US61/092,720 | 2008-08-28 | ||
PCT/US2009/055313 WO2010025334A2 (en) | 2008-08-28 | 2009-08-28 | Localized substrate geometry characterization |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012501553A JP2012501553A (ja) | 2012-01-19 |
JP2012501553A5 JP2012501553A5 (ja) | 2012-10-11 |
JP5635987B2 true JP5635987B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=41722297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011525221A Active JP5635987B2 (ja) | 2008-08-28 | 2009-08-28 | 基板の表面の計測特性を評価するシステムおよび方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8065109B2 (ja) |
EP (1) | EP2324495A4 (ja) |
JP (1) | JP5635987B2 (ja) |
WO (1) | WO2010025334A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106575630A (zh) * | 2014-07-13 | 2017-04-19 | 科磊股份有限公司 | 使用叠加及成品率关键图案的度量 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8768665B2 (en) | 2010-01-08 | 2014-07-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Site based quantification of substrate topography and its relation to lithography defocus and overlay |
FR2955654B1 (fr) * | 2010-01-25 | 2012-03-30 | Soitec Silicon Insulator Technologies | Systeme et procede d'evaluation de deformations inhomogenes dans des plaques multicouches |
US8630479B2 (en) * | 2011-01-07 | 2014-01-14 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for improved localized feature quantification in surface metrology tools |
US9031810B2 (en) * | 2011-01-11 | 2015-05-12 | Haiguang Chen | Methods and systems of object based metrology for advanced wafer surface nanotopography |
US9354526B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corporation | Overlay and semiconductor process control using a wafer geometry metric |
US9177370B2 (en) * | 2012-03-12 | 2015-11-03 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods of advanced site-based nanotopography for wafer surface metrology |
US9588441B2 (en) | 2012-05-18 | 2017-03-07 | Kla-Tencor Corporation | Method and device for using substrate geometry to determine optimum substrate analysis sampling |
US9355440B1 (en) * | 2012-10-10 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corp. | Detection of selected defects in relatively noisy inspection data |
US9546862B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-01-17 | Kla-Tencor Corporation | Systems, methods and metrics for wafer high order shape characterization and wafer classification using wafer dimensional geometry tool |
DE102013109515B4 (de) * | 2013-03-12 | 2017-08-31 | Taiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd. | Methodik der Überlagerungs-Prüfung |
FR3006048A1 (fr) * | 2013-05-24 | 2014-11-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de caracterisation de la topographie d'une surface |
US9029810B2 (en) * | 2013-05-29 | 2015-05-12 | Kla-Tencor Corporation | Using wafer geometry to improve scanner correction effectiveness for overlay control |
US9384540B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-07-05 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Systems and methods for interferometric phase measurement |
US10024654B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for determining in-plane distortions in a substrate |
US10062158B2 (en) | 2015-07-10 | 2018-08-28 | Globalwafers Co., Ltd. | Wafer nanotopography metrology for lithography based on thickness maps |
DE102015220924B4 (de) * | 2015-10-27 | 2018-09-27 | Siltronic Ag | Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe |
US10331028B2 (en) | 2015-11-12 | 2019-06-25 | Toshiba Memory Corporation | Imprinting apparatus, recording medium, and imprinting method |
JP6899080B2 (ja) * | 2018-09-05 | 2021-07-07 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ形状データ化方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5898106A (en) * | 1997-09-25 | 1999-04-27 | Digital Instruments, Inc. | Method and apparatus for obtaining improved vertical metrology measurements |
US6503767B2 (en) * | 2000-12-19 | 2003-01-07 | Speedfam-Ipec Corporation | Process for monitoring a process, planarizing a surface, and for quantifying the results of a planarization process |
JP3849547B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2006-11-22 | 信越半導体株式会社 | 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
JP4464033B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2010-05-19 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの形状評価方法及び形状評価装置 |
JP3769262B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-19 | 株式会社東芝 | ウェーハ平坦度評価方法、その評価方法を実行するウェーハ平坦度評価装置、その評価方法を用いたウェーハの製造方法、その評価方法を用いたウェーハ品質保証方法、その評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法、およびその評価方法によって評価されたウェーハを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US7324917B2 (en) * | 2004-07-02 | 2008-01-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method, system, and software for evaluating characteristics of a surface with reference to its edge |
US7161669B2 (en) * | 2005-05-06 | 2007-01-09 | Kla- Tencor Technologies Corporation | Wafer edge inspection |
JP2007234945A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | レーザーマーキングウェーハおよびその製造方法 |
WO2007137261A2 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool |
-
2009
- 2009-08-28 JP JP2011525221A patent/JP5635987B2/ja active Active
- 2009-08-28 EP EP09810639.6A patent/EP2324495A4/en not_active Withdrawn
- 2009-08-28 WO PCT/US2009/055313 patent/WO2010025334A2/en active Application Filing
- 2009-08-28 US US13/057,434 patent/US8065109B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106575630A (zh) * | 2014-07-13 | 2017-04-19 | 科磊股份有限公司 | 使用叠加及成品率关键图案的度量 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2324495A2 (en) | 2011-05-25 |
WO2010025334A2 (en) | 2010-03-04 |
JP2012501553A (ja) | 2012-01-19 |
EP2324495A4 (en) | 2013-06-05 |
US20110144943A1 (en) | 2011-06-16 |
US8065109B2 (en) | 2011-11-22 |
WO2010025334A3 (en) | 2010-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5635987B2 (ja) | 基板の表面の計測特性を評価するシステムおよび方法 | |
JP6312370B2 (ja) | ウェーハジオメトリ計測ツールによるウェーハ表面フィーチャの検出、分類および定量化のためのシステムおよび方法 | |
US10379061B1 (en) | Systems, methods and metrics for wafer high order shape characterization and wafer classification using wafer dimensional geometry tool | |
EP2639575B1 (en) | Systems and methods of advanced site-based nanotopography for wafer surface metrology | |
JP2012501553A5 (ja) | ||
US7324917B2 (en) | Method, system, and software for evaluating characteristics of a surface with reference to its edge | |
KR20140069352A (ko) | 신규 웨이퍼 지오메트리 메트릭을 이용한 오버레이 및 반도체 처리 제어 | |
TW201418711A (zh) | 用於估計及校正偏移目標不準確度之方法 | |
TWI617816B (zh) | 晶圓的可適性電性測試 | |
EP2663998B1 (en) | Method and system of object based metrology for advanced wafer surface nanotopography | |
CN113342906B (zh) | 一种对晶圆量测数据分布形态的分类方法以及装置 | |
US10957608B2 (en) | Guided scanning electron microscopy metrology based on wafer topography | |
US20160313266A1 (en) | Pattern Measurement Device and Computer Program | |
US9194692B1 (en) | Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure | |
KR102688381B1 (ko) | 반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 제조 어셈블리를 위한 공정 제어 시스템 | |
JP7523682B2 (ja) | 半導体デバイス製造方法及び半導体製造アセンブリ用プロセス制御システム | |
CN111507061B (zh) | 缺陷图形特征参数的分析方法 | |
Patterson et al. | Shortest path CD measurement using contour extraction | |
Striegler et al. | Advanced wafer backside bevel characterization using a geometry measurement | |
TW202312305A (zh) | 半導體取樣中的局部形狀偏差 | |
KR20230093247A (ko) | 반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 제조 어셈블리를 위한 공정 제어 시스템 | |
US20150016708A1 (en) | Pattern characterisation method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120827 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120827 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140212 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140508 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5635987 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |