JP5623071B2 - 均一ドーピングされたSiCバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたSiC基板 - Google Patents
均一ドーピングされたSiCバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたSiC基板 Download PDFInfo
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Description
いところにあるドーパント準位を持つアクセプタとしてのドーパント原子の組み込みが行なわれる。第1又は第2のドーパントとしてのアルミニウムとバナジウムを用いた同時ドーピングが予定されている場合には、SiCバンドエッジに対して約250meVの間隔
のドーパント準位を有する浅いアクセプタとしてのアルミニウム原子の組み込みと、SiCバンドエッジに対して約1400meVの間隔のドーパント準位を有する深いところに
あるドナーとしてのバナジウム原子の組み込みとが行なわれる。
Claims (7)
- 少なくとも1011Ωcmの比抵抗および少なくとも7.62cmの直径を有するSiCバルク単結晶の製造のための方法であって、
a)成長坩堝(3)の結晶成長領域(5)の内部においてSiC成長気相(7)が発生させられ、SiCバルク単結晶(2)がSiC成長気相(7)からの分離により成長し、
b)SiC成長気相(7)が、成長坩堝(3)の内部のSiC貯蔵領域(4)内にあるSiC原料(6)から供給され、
c)SiCバンドエッジに対して少なくとも500meVの間隔の深いところにあるドーパント準位を持つドーパント(13、19)が、成長坩堝(3)の外部に配置されたドーパント貯蔵部(12、17)からガス状にて結晶成長領域(5)に供給され、その際、ドーパント貯蔵部(12、17)の温度が、SiC原料(6)の温度に依存せずに調整され、そのドーパント貯蔵部(12、17)から供給されるドーパント(13、19)が、成長方向(8)に対して垂直に向けられた成長坩堝(3)の横断面に関して多数の隣り合う個所(32)において成長坩堝(3)の中に導入されることによって、成長坩堝(3)の内部において分配される
ことを特徴とする、SiCバルク単結晶の製造のための方法。 - ドーパント(13、19)が結晶成長領域(5)に次のように供給されること、即ち、成長方向(8)に対して垂直に向けられた成長坩堝(3)の横断面の内部におけるドーパント濃度が濃度平均値を中心に高々5%変動するように供給されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- ドーパント貯蔵部(17)が成長坩堝(3)の加熱とは別個に加熱される
ことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。 - ドーパント貯蔵部(17)が、成長坩堝(3)を取り囲む熱絶縁層(9)の内部に設けられている空洞内に配置される
ことを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載の方法。 - ドーパント貯蔵部(17)の位置が成長坩堝(3)に対して相対的に変化される
ことを特徴とする請求項1乃至4の1つに記載の方法。 - ドーパント貯蔵部(17)に不活性ガスが通流させられる
ことを特徴とする請求項1乃至5の1つに記載の方法。 - ドーパント(13、19)がSiC貯蔵領域(4)に又は直接的に結晶成長領域(5)に導入される
ことを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載の方法。
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