JP5620334B2 - Cigs系太陽電池 - Google Patents
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Description
(試料の作製)
(アルカリ制御層の成膜工程)
ソーダライムガラス基板(テクノクォーツ社製、直径φ4インチ、厚さ0.7mm)上に、スパッタリングターゲット(Nb2O5)を用いてULVBC社製多元スパッタ装置CS−200(回転試料台は固定)にて表1に示す厚さのNb2O5膜(アルカリ制御層)を成膜した試料を作製した(膜厚:10nm、15nm、20nmの3種類)。スパッタリング条件は以下の通りである。
ガス:Arガス
ガス圧:2mTorr
パワー密度:2.55W/cm2(4インチφターゲットの面積で規格化)
周波数:13.56MHz
到達真空度1×10−4Pa以下
次いでアルカリ制御層(Nb2O5膜)上に純Moスパッタリングターゲット(φ6インチ)を用いてULVAC社製バッチ式スパッタ装置SH−450−10にてスパッタリングを行い、膜厚400nmのMo膜を成膜した試料を得た。スパッタリング条件は以下の通りである。
DCマグネトロンスパッタリング方式
ガス:Arガス
ガス圧:9mTorr
パワー密度:2.83W/cm2(6インチφターゲットの面積で規格化)
到達真空度1×10−4Pa以下
電極間距離:100mm
加熱処理工程は、CIGS系光吸収層をカルコパライト構造結晶構造に成長させるために必要なアニール処理を模擬して以下の熱処理を行った。
各試験片のシート抵抗は、四探針式シート抵抗測定装置(四探針プローブはKYOWA RIKEN社製453型、抵抗の測定はHIOKI社製:3540mΩ HiTESTER)を用いて測定した。
実施例2では、アルカリ制御層とソーダライムガラス基板との密着性、及びアルカリ制御層と裏面電極層との密着性を以下の方法で調べた。
(加熱処理工程前の密着性試験:テープ剥離テスト)
表2に示す各種組成のターゲットをアルカリ制御層として用いた以外は上記実施例1に記載の「アルカリ制御層の成膜工程」に基づいてソーダライムガラス基板に種々のアルカリ制御層(膜厚:20nm)を成膜した。続いてアルカリ制御層の上に裏面電極層(Mo:膜厚400nm)を上記実施例1に記載の「裏面電極層の成膜工程」に基づいて成膜した。得られた試料の密着性について常温におけるテープ剥離試験により評価した。具体的には成膜したままの状態(100%)の裏面電極層に縦横6本の切り目を入れて25個(縦5個×横5個)のます(縦1mm×横1mm)を作成し、中興化成工業株式会社製チューコーフローテープを裏面電極層に貼り、これを剥がした際の裏面電極層の剥離状態を観察して密着率を測定した。裏面電極層が付着しているテープの数を全体(25)から引いて、密着率を算出した(密着率(%)=[(25−剥離した「ます」個数)/25]×100)。なお、テープに付着している裏面電極層の面積率が50%以下の場合は、0.5個とカウントした。
上記加熱処理工程前の密着性試験と同様にして作製した試料に、実施例1に記載の「加熱処理工程」を施して試験片を得た。得られた試験片の密着性について、上記加熱処理工程前の密着性試験と同様にしてテープ剥離試験を行って評価した。
実施例3では、アルカリ制御層に本発明のNb2O5膜(膜厚:20nm)を用いた場合と、比較例としてSiO2膜(膜厚:20nm)を用いた場合のソーダライムガラス基板(直径4インチ、厚さ0.7mm)、及び裏面電極層(Mo膜:200nmまたは400nm)との膜応力を調べた。なお、試料(試験片)は実施例1に基づいて作製した。
膜応力の測定をするにあたっては、成膜前(アルカリ制御層の成膜工程前のガラス基板)と加熱処理工程後(加熱処理工程後の試験片)の反りを測定した。詳細には、レーザー式の応力測定装置(Toho Technology Coopration製:型番FLX−2320S)を用いて、上記成膜前のソーダライムガラス基板の形状プロファイルを測定した値と、上記加熱処理工程後の試験片の形状プロファイルを測定して、膜応力を基板の反りから計算して求めた。結果を表3に示す。
2 アルカリ制御層
3 裏面電極層
4 CIGS系光吸収層
5 透明導電層
6 バッファ層
7、9 (取り出し)電極
8、10 導線
Claims (2)
- ソーダライムガラス基板、アルカリ制御層、裏面電極層、CIGS系光吸収層、透明導電層の順に積層されたCIGS系太陽電池において、
前記アルカリ制御層は、Nb系酸化物を主成分とした金属酸化物薄膜で形成され、かつ前記アルカリ制御層の膜厚は5nm〜20nmの範囲であることを特徴とするCIGS系太陽電池。 - 前記裏面電極層はMoで形成されたものである請求項1に記載のCIGS系太陽電池。
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