JP5616606B2 - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ハードディスク装置(HDD)等に用いられる垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関する。
垂直磁気記録方式は、従来、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁化遷移領域付近での反磁界が小さくなるため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。
垂直磁気記録媒体は、非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる。非磁性基板と垂直磁気記録層との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けた場合には、いわゆる垂直2層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性裏打ち層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、これによって記録再生効率を向上させることができる。
また、下地層は、その上に設けられた中間層及び垂直磁気記録層の粒径や配向を決める支配的な要素であるので、磁気記録媒体の記録再生特性を決めるためには、その材料の選定が非常に重要となる。このため、下地層に用いられる各種材料が提案されている。例えば、Ti合金(例えば、特許文献1参照。)や、NiFeCr合金(例えば、特許文献2参照。)など、hcp構造やfcc構造、またTaなど非晶質構造などを挙げることができる。
また、裏打ち層と垂直磁気記録層との間に下地層を設けると、磁気ヘッドと裏打ち層の表面との間の距離が下地層の厚み分だけ長くなる。この場合、十分な書き込みを行うためには、裏打ち層を厚くする必要が生じるものの、下地層に軟磁気特性を有する材料を用いることで、裏打ち層の役割と、その上に設けられた中間層の結晶配向の両方を制御することが可能となる。
しかしながら、従来提案されてきた媒体構成では、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を得るには不十分であり、この問題を解決し且つ安価に製造が可能な垂直磁気記録媒体が要望されていた。
そこで、本出願人は、裏打ち層を構成する軟磁性膜を非晶質構造とし、下地層にNiW合金、中間層にRu合金を用いた垂直磁気記録媒体を提案している(特許文献3を参照。)。
特許第2669529号公報 特開2003−123239号公報 特開2007−179598号公報
ところで、下地層は、その上に形成されるRu中間層の核発生を制御する働きを有する重要な層であり、10nm程度の厚さが必要である。しかしながら、下地層は、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間にあるため、この下地層を厚くすると、磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との磁気結合性が低くなり、オーバーライト(OW)特性が低下してしまう。
例えば、下地層に94Ni6W合金を用いた場合、この94Ni6W合金の飽和磁束密度(Ms)は250emu/cm程度しかなく、この程度では磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との磁気結合性を高めるには不十分である。また、NiW合金中のWの含有量を減らすことにより、このNiW合金のMsを高めることができるものの、その変化量は小さい。また、それによってRu中間層の核発生を制御する働きも低下してしまう。
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、下地層のMsを高めつつ、中間層の核発生を制御する効果を維持することによって、優れたOW特性を得ることを可能とした垂直磁気記録媒体、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
本発明は以下の手段を提供する。
(1) 少なくとも非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、
前記裏打ち層は、非晶質構造を有する軟磁性膜からなり、
前記下地層は、CoとFeとの何れか一方又は両方を含有するNiW合金を含み、且つ、このNiW合金中のWの含有量が3〜10原子%、Co及びFeの含有量の合計が5原子%以上40原子%未満であり、且つ、このNiW合金の飽和磁束密度Msが280emu/cm以上であり、なお且つ、この下地層の厚みが2〜20nmであり、
前記中間層は、Ru又はRu合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
(2) 前記軟磁性膜がCoFe合金を含むことを特徴とする前項(1)に記載の垂直磁気記録媒体。
(3) 前記CoFe合金中のFeの含有量が5〜60原子%であることを特徴とする前項(1)又は(2)に記載の垂直磁気記録媒体。
(4) 前項(1)〜(3)の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行う単磁極ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
以上のように、本発明では、下地層を構成するNiW合金にFeやCoを添加することにより、このNiW合金の飽和磁束密度Msを280emu/cm以上に高めることが可能であり、また、その上に形成されるRu又はRu合金からなる中間層の核発生を制御する効果を維持することも可能である。したがって、本発明によれば、優れたOW特性を有する垂直磁気記録媒体、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することが可能である。
本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示す断面図である。 裏打ち層の基板面内成分におけるHSループを示す特性図である。 本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
以下、本発明を適用した垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
(垂直磁気記録媒体)
本発明を適用した垂直磁気記録媒体は、例えば図1に示すように、非磁性基板1の両面に、裏打ち層2と、下地層3と、中間層4と、垂直磁気記録層5と、保護層6とが順に積層されてなると共に、最上層に潤滑膜7が成膜された構成となっている。なお、図1においては、非磁性基板1の片面のみを図示している。
このうち、非磁性基板1としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
また、ガラス基板としては、例えば、非晶質ガラスや、結晶化ガラスを用いることができ、さらに、非晶質ガラスとしては、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。一方、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。
非磁性基板1は、平均表面粗さRaが0.8nm以下、好ましくは0.5nm以下であることが、記録密度を高める点から好ましい。また、非磁性基板1は、表面の微小うねり(Wa)が0.3nm以下、好ましくは0.25nm以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させて高記録密度記録を行う点から好ましい。このように、非磁性基板1の表面を平坦化することによって、中間層4及び垂直磁気記録層5の結晶配向を高め、記録再生特性を向上させ、また、ヘッドを低浮上させることが可能となる。
裏打ち層2は、第1軟磁性膜8と、Ru膜9と、第2軟磁性膜10とが順に積層された構造を有している。すなわち、この裏打ち層2は、2層の軟磁性膜8,10の間にRu膜9を挟み込むことによって、Ru膜9の上下の軟磁性膜8,10がアンチ・フェロ・カップリング(AFC)結合した構造を有している。これにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるWATE(Wide Area Tack Erasure)現象に対しての耐性を高めることができる。
第1及び第2軟磁性膜8,10は、例えばCoFe合金からなる。これら軟磁性膜8,10にCoFe合金を用いることで、高い飽和磁束密度Bs(1.4(T)以上)を実現でき、また、後述する下地層3にNiW合金を用いることにより、更に優れた記録再生特性を得ることができる。なお、第1及び第2軟磁性膜8,10を成膜する際は、非磁性基板1の半径方向に磁界を与えた状態で、スパッタリング法によりCoFe合金膜を形成することが好ましい。
また、CoFe合金には、Zr、Ta、Nbの何れかを添加することが好ましい。これにより、CoFe合金の非晶質化が促進され、NiW合金の配向性を向上させることが可能となる。また、CoFe合金に対するZr、Ta、Nbの添加量は、5〜15原子%の範囲であることが好ましい。
CoFe合金中のFeの含有量は、5〜60原子%の範囲であることが好ましい。Feの含有量が5原子%未満であると、飽和磁束密度Bsが低くなり好ましくない。一方、Feの含有量が60原子%を超えると、腐食性が悪化するため好ましくない。
裏打ち層2の厚みは、20〜80nmの範囲であることが好ましい。裏打ち層2の厚みが20nm未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化するために好ましくない。一方、裏打ち層2の厚みが80nmを超えると、生産性が著しく低下するために好ましくない。
また、裏打ち層2では、第1及び第2軟磁性膜8,10を非晶質構造とすることで、表面粗さRaが大きくなることを防ぐことができる。これにより、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、さらに高記録密度化が可能となる。
ここで、裏打ち層2を構成する第1及び第2軟磁性膜8,10におけるAFC結合の大きさを示す指標として「Hbias」を定義したとき、裏打ち層2は、このHbiasの値が80(Oe)以上であることが好ましい。これにより、外磁場耐性及びWATE耐性を高めることが可能である。「Hbias」は、図2に示すように、飽和磁束密度をMsとし、飽和磁束密度Msの半値の磁界Ms/2と定義したものであり、第1及び第2軟磁性膜8,10に上記材料を用いて、これら軟磁性膜8,10の間に設けたRu膜9の厚みを所定の厚み(例えば0.6〜0.8nm)とすることで、上記Hbiasの値を満足することできる。なお、図2は、裏打ち層2の基板面内成分(裏打ち層2を形成する軟磁性膜8,10の磁化容易軸方向)におけるヒステリシス(MH)ループを示す。
また、第1及び第2軟磁性膜8,10は、10(Oe)以下、好ましくは5(Oe)以下とするのが好ましい。なお、1(Oe)は、約79A/mである。
下地層3は、その上に設けられた垂直磁気記録層5の配向や結晶サイズを制御するためのものであり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするために、また情報が記録される垂直磁気記録層5の磁化の方向をより強固に非磁性基板1と垂直な方向に固定するために設けられている。この作用は、特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなる。
また、下地層3は、NiW合金からなり、なお且つ、NiW合金は、CoとFeとの何れか一方又は両方を含有し、且つ、このNiW合金中のWの含有量が3〜10原子%、Co及びFeの含有量の合計が5原子%以上40原子%未満であることが好ましい。
NiW合金中のWの含有量が3原子%未満又は10原子%を越えると、垂直磁気記録媒体の配向や結晶サイズを制御する効果が低下するため好ましくない。また、Co及びFeの含有量の合計が5原子%未満であると、この合金の飽和磁束密度Msを280emu/cm以上に高めることが困難となるため好ましくない。一方、Co及びFeの含有量の合計が40原子%以上になると、垂直磁気記録媒体の配向や結晶サイズを制御する効果が低下するため好ましくない。
本発明では、下地層3を構成するNiW合金にFeやCoを添加することにより、このNiW合金の飽和磁束密度Msを280emu/cm以上に高めることが可能である。また、その上に形成されるRu又はRu合金からなる中間層4の核発生を制御する効果を維持することも可能である。
なお、NiW合金には、結晶サイズ低減及び中間層4との結晶格子サイズの整合性を高める目的で、他の元素を添加することが可能である。例えば、結晶サイズを低減する目的では、B、Mnなどを添加してもよく、この場合、B、Mnの含有量は6原子%以下であることが好ましい。また、中間層4との結晶格子サイズの整合性を高める目的では、Ru、Pt、Mo、Taなどを添加することが可能である。
下地層3の厚みは、2〜20nmの範囲であることが好ましい。下地層3の厚みが2nm未満であると、下地層3としての効果が不十分となり、粒径の微細化の効果を得ることができず、また配向も悪化するので好ましくない。一方、下地層3の厚みが20nmを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
中間層4は、垂直磁性層をc軸配向した柱状晶とするための層であり、その成長面はドーム状の形状を有している。このような中間層4は、例えばRu又はRu合金からなる。また、中間層4の厚みは、30nm以下、好ましくは16nm以下であることが好ましい。中間層4を薄くすることで、磁気ヘッドと裏打ち層2との間の距離が小さくなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。その結果、裏打ち層2の厚みを更に薄くすることができ、生産性を向上させることが可能となる。
垂直磁気記録層5は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。この垂直磁気記録層5は、少なくともCoとPtを含み、更にSNR特性改善などの目的で、酸化物や、Cr、B、Cu、Ta、Zrなどを添加してもよい。また、酸化物としては、SiO、SiO、Cr、CoO、Ta、TiOなどを挙げることができる。
酸化物の体積率は15〜40体積%であることが好ましい。この酸化物の体積率が15体積%未満であると、SNR特性が不十分となるため好ましくない。一方、この酸化物の体積率が40体積%を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
垂直磁気記録層5のニュークリエーション磁界(−Hn)は、2.0(kOe)以上であることが好ましい。−Hnが2.0(kOe)未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。
垂直磁気記録層5の厚みは、6〜20nmの範囲であることが好ましい。例えば、酸化物グラニュラー層の厚みがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、OW特性の悪化が生じないために好ましい。
なお、垂直磁気記録層5は、単層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる2層以上の構造とすることもできる。
保護層6は、垂直磁気記録層5の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのものであり、従来公知の材料、例えばC、SiO、ZrOを含むものを用いることができる。保護層6の厚みは、1〜5nmの範囲であることが、磁気ヘッドと媒体表面との距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
潤滑膜7には、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
以上のように、本発明を適用した垂直磁気記録媒体では、下地層3を構成するNiW合金にFeやCoを添加することにより、このNiW合金の飽和磁束密度Msを280emu/cm以上に高めることが可能であり、また、その上に形成されるRu又はRu合金からなる中間層4の核発生を制御する効果を維持することも可能である。したがって、本発明によれば、優れたOW特性を有する垂直磁気記録媒体、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することが可能である。
(磁気記録再生装置)
図3は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示すものである。
この磁気記録再生装置は、上記図1に示す構成を有する垂直磁気記録媒体50と、垂直磁気記録媒体50を回転駆動させる媒体駆動部51と、垂直磁気記録媒体50に情報を記録再生する磁気ヘッド52と、この磁気ヘッド52を垂直磁気記録媒体50に対して相対運動させるヘッド駆動部53と、記録再生信号処理系54とを備えている。また、記録再生信号処理系54は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド52に送り、磁気ヘッド52からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能となっている。
本発明を適用した磁気記録再生装置では、上記垂直磁気記録媒体の更なる高記録密度化という要望に応えるべく、垂直磁気記録層5に対する書き込み能力に優れた単磁極ヘッドを磁気ヘッド52に用いている。そして、上記垂直磁気記録媒体では、このような単磁極ヘッドに対応するために、非磁性基板1と垂直磁気記録層5との間に裏打ち層2を設けて、単磁極ヘッドと垂直磁気記録層5との間の磁束の出入りの効率向上を図っている。
また、磁気記録再生装置では、再生素子として巨大磁気抵抗効果(GMR)を利用したGMR素子などを有した、より高記録密度に適した磁気ヘッド52を用いることができる。
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本発明は、上記垂直磁気記録層5に磁気的に分離された磁気記録パターンを有する垂直磁気記録媒体に適用することも可能である。具体的に、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体としては、磁気記録パターンが1ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を挙げることができる。
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
本実施例では、先ず、非磁性基板としてガラス基板(MYG社製非晶質基板MEL3、直径2.5インチ)をDCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3010)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで成膜チャンバ内を排気した。このガラス基板上に、71Co−20Fe−5Zr−4Nb(Co含有量71原子%、Fe含有量20原子%、Zr含有量5原子%、Nb含有量4原子%)からなる第1軟磁性膜を20nm(実施例1〜8、比較例1〜5,8,9)、Ru膜を0.8nm、71Co−20Fe−5Zr−4Nbからなる第2軟磁性膜を20nm(実施例1〜8、比較例1〜5,8,9)成膜して裏打ち層を形成した。なお、比較例6では各軟磁性膜を12.5nm、比較例7では27.5nmとした。また、これら軟磁性膜の結晶構造が非晶質構造であることをXRDで確認した。
次に、この上に、下記表1に示すように、組成及び層厚を異ならせた下地層を成膜し、この上に、Ruからなる中間層を12nm成膜し、垂直磁気記録層として、60Co−10Cr−20Pt−10SiOを10nm、65Co−18Cr―14Pt−3Bを6nm成膜した。そして、この上に、CVD法により4nmの保護層を形成した後、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、実施例1〜8及び比較例1〜4の垂直磁気記録媒体を得た。
そして、これら実施例1〜8及び比較例1〜4の垂直磁気記録媒体について、記録再生特性及び上書き(OW)特性の評価を行った。その評価結果を表1に示す。また、表1には、各下地層の飽和磁束密度Msを示す。
Figure 0005616606
なお、記録再生特性の評価については、記録部にシングルポール磁極、再生部にGMR素子を備えた磁気ヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度1000kFCIとして測定した。
一方、上書き特性(OW)特性の評価については、500kFCIの信号を書いた上に67kFCIの信号を書いたあとの、最初の信号の残りを測定することで評価した。評価結果を表1に示す。
表1に示すように、実施例1〜8の垂直磁気記録媒体は、比較例1〜4の垂直磁気記録媒体によりもS/Nの低下を極力抑え、一方で優れたOW特性が得られた。なお、比較例2では、OW特性に優れるもののS/Nが低下している。
1…非磁性基板 2…裏打ち層 3…下地層 4…中間層 5…垂直磁気記録層 6…保護層 7…潤滑膜 8…第1軟磁性膜 9…Ru膜 10…第2軟磁性膜 50…垂直磁気記録媒体 51…媒体駆動部 52…磁気ヘッド 53…ヘッド駆動部 54…記録再生信号処理系

Claims (3)

  1. 少なくとも非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、
    前記裏打ち層は、非晶質構造を有する軟磁性膜からなり、前記軟磁性膜はCoFe合金を含み、
    前記下地層は、CoとFeとの何れか一方又は両方を含有するNiW合金を含み、且つ、このNiW合金中のWの含有量が3〜10原子%、Co及びFeの含有量の合計が5原子%以上40原子%未満であり、且つ、このNiW合金の飽和磁束密度Msが280emu/cm以上であり、なお且つ、この下地層の厚みが2〜20nmであり、
    前記下地層は、前記裏打ち層に直に接しており、
    前記中間層は、Ru又はRu合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
  2. 前記CoFe合金中のFeの含有量が5〜60原子%であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
  3. 請求項1又は2に記載の垂直磁気記録媒体と、
    前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行う単磁極ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
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