JP5608211B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
室温(25℃)においてB型粘度計を用いて粘度を測定した。粘度の測定は、No.7ローターを用いて回転数を20rpmに設定して行ったが、測定限界を超える場合には回転数を10rpm、さらに5rpmに下げて測定を行った。
室温(25℃)においてB型粘度計を用いて、低回転数及び高回転数のときの粘度を測定し、これらの粘度の比としてチクソ指数を算出した。粘度の測定は、No.7ローターを用いて回転数を2.5rpm及び20rpmに設定して行ったが、測定限界を超える場合には回転数を1rpm及び10rpm、さらに0.5rpm及び5rpmに下げて測定を行ってチクソ指数を算出した。
ホットプレートの温度を150±2℃に設定し、このホットプレート上に約1gのエポキシ樹脂組成物1を載置し、これを1秒間隔で攪拌して攪拌不能になるまでの時間を測定し、これをゲル化時間とした。
エポキシ樹脂組成物1を120℃、1時間の条件で硬化させ、幅5mm×長さ50mm×厚さ0.2mmに切り出して、これを試験片として用いた。この試験片について、DMA法によりガラス転移温度(Tg)を測定した。DMA法による測定は、粘弾性スペクトルメーターを用い、曲げモードで行った。測定条件は、周波数:10Hz、昇温速度:5℃/分、測定温度:−60〜280℃とした。
エポキシ樹脂組成物1を120℃、1時間の条件で硬化させ、幅3mm×厚さ3mm×長さ15mmに切り出して、これを試験片として用いた。この試験片について、熱分析装置を用いてTMA法により線膨張係数を測定した。測定条件は、昇温速度:5℃/分、測定温度:30〜260℃とした。
エポキシ樹脂組成物1を120℃、1時間の条件で硬化させ、幅10mm×長さ80mm×厚さ3mmに切り出して、これを試験片として用いた。この試験片について、室温(25℃)において万能引張圧縮試験機による3点曲げ試験を行って曲げ弾性率を測定した。測定条件は、試験速度:2mm/分、支点間距離:48mmとした。
半導体装置4を3個ずつ用いてリペア性を評価した。リペアは、熱風式リペア機(ホーザン(株)製)を用いて硬化物の温度が150℃となるような熱風を半導体装置4に吹き付けながら、竹串を用いて硬化物を基板から剥がし取ることによって行った。基板3側に硬化物が10体積%以上残っている場合は「×」、硬化物が10体積%未満であっても基板3側に薄く薄膜状の残渣として認められる場合は「△」、これらのいずれにも該当しない場合は「○」と判定してリペア性の評価を行った。なお、3個の半導体装置4について全て異なる判定がされることはなく、過半数の判定を下記[表1]に示す。
半導体装置4を3個ずつ用いて樹脂入り込み性(半導体素子2と基板3との隙間への浸透性)を評価した。具体的には、熱風式リペア機(ホーザン(株)製)を用いてバンプ7の温度が280℃を超えるような熱風を半導体装置4に吹き付け、金属製のヘラを用いて半導体素子2を基板3から剥がし取った後、半導体素子2の側面から浸透したエポキシ樹脂組成物1の先端部分までの距離(浸透距離)を計測することによって、樹脂入り込み性を評価した。浸透距離は3個の半導体装置4の平均値として算出した。浸透距離が0に近いほど樹脂入り込み性が低く、塗布形状の保持性が高いといえる。濡れ性が悪すぎる場合には、半導体素子2の側面にエポキシ樹脂組成物1が接触せず、十分な補強効果を期待することができないので、「×」と判定した。
半導体装置4を20個ずつ用いて落錘衝撃試験を行い、衝撃強度を評価した。具体的には、落錘衝撃試験は、図2に示すような落錘衝撃試験機を用いて行った。すなわち、半導体素子2を下側に向けて基板3が自由に撓むようにして半導体装置4を治具8に固定し、衝撃箇所のバラツキが出ないように基板3の上面から20cmの高さから基板3の上面に向けて100gの杭状錘9を繰り返し落下させた。そして、半導体装置4は常時通電状態とし、抵抗値の変化をテスター10でモニタリングして瞬断が発生するまでの落錘回数(瞬断発生回数)を計測した。また、杭状錘9を10回落下させるごとに半導体装置4を治具8から取り外し、硬化物にクラックが発生しているか否かを光学顕微鏡で観察することによって、クラックが発生するまでの落錘回数(クラック発生回数)を計測した。瞬断発生回数及びクラック発生回数は20個の半導体装置4の平均値として算出した。
半導体装置4を20個ずつ用いて温度サイクル試験を行い、温度サイクル(TC)性を評価した。具体的には、気相中において−25℃で5分間、125℃で5分間を1サイクルとする温度変化を半導体装置4に与え、1000サイクルまで100サイクルごとに半導体装置4の動作確認を抵抗値の測定により行い、試験開始から10%以上抵抗値が上昇したものを動作不良と判定した。そして、20個の半導体装置4のうち動作不良となったものが10個に達したときのサイクル数を計測した。
2 半導体素子
3 基板
4 半導体装置
Claims (3)
- 半導体素子を基板に実装して形成された半導体装置において、室温で液状のエポキシ樹脂組成物を前記半導体素子の周囲の一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子と前記基板とが接着されており、かつ、前記半導体素子と前記基板との隙間の全体にわたって充填させないようにしており、前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有し、前記無機充填材として、平均アスペクト比が2〜150の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物全量に対して0.1〜30質量%含有されていると共に、前記エポキシ樹脂組成物のチクソ指数が3.0〜8.0であることを特徴とする半導体装置。
- 前記無機充填材が、マイカ及びタルクから選ばれるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記無機充填材が、シランカップリング剤で表面処理されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
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