JP5605394B2 - Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関するものであり、特に流動性、離型性、連続成形性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた耐半田リフロー性に優れた半導体装置に関するものである。   The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device using the same, and in particular, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having characteristics excellent in fluidity, releasability, and continuous moldability, and The present invention relates to a semiconductor device using the same and having excellent solder reflow resistance.

近年、電子機器の高度化、軽量化、薄型化、及び小型化が求められる中、半導体素子の高集積化、表面実装化が進んでいる。これに伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しくなっているのが現状である。特に半導体装置の薄型化が進むと、金型と、エポキシ樹脂組成物の硬化物との間の離型不足に伴って応力が発生する。この応力により、半導体装置内部の半導体素子自体にクラックが生じたり、硬化物と半導体素子との界面における密着性が低下したりすることがあった。このため、エポキシ樹脂組成物から得られる成形体（硬化物）に対して、金型から容易に離型する離型性が求められていた。さらに、生産性の面から、連続して成形体が形成可能であること（連続成形性）が求められていた。   In recent years, as electronic devices are required to be advanced, lightened, thinned, and downsized, semiconductor devices have been highly integrated and surface-mounted. As a result, the demand for epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation is becoming increasingly severe. In particular, when the semiconductor device is made thinner, stress is generated due to insufficient release between the mold and the cured product of the epoxy resin composition. This stress may cause cracks in the semiconductor element itself in the semiconductor device, or may decrease the adhesion at the interface between the cured product and the semiconductor element. For this reason, the mold release property which can be easily released from the mold is required for the molded body (cured product) obtained from the epoxy resin composition. Further, from the viewpoint of productivity, it has been demanded that a molded body can be continuously formed (continuous moldability).

また、環境への影響が問題視される中、有鉛半田から無鉛半田に移行してきている。無鉛半田は、有鉛半田に比べて半田処理時の温度が高く、半導体装置中に含まれる水分の気化によって、非常に高い応力が発生することがあった。このように、成形体の耐半田リフロー性が、従来以上に大きな問題となってきている。   In addition, while the influence on the environment is regarded as a problem, there is a shift from leaded solder to lead-free solder. Lead-free solder has a higher temperature at the time of solder processing than leaded solder, and very high stress may be generated due to evaporation of moisture contained in the semiconductor device. Thus, the solder reflow resistance of the molded body has become a bigger problem than before.

この耐半田リフロー性を向上させるための種々の提案がされている。例えば、無機充填材を高濃度で充填した、低粘度型エポキシ樹脂であるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物が提案されている（特許文献１、２参照。）。このエポキシ樹脂組成物は、無機充填材を多く含むため、流動性が低下する。このように、成形体の耐半田リフロー性と、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の流動性とはトレードオフの関係にある。   Various proposals for improving the solder reflow resistance have been made. For example, an epoxy resin composition containing a high-concentration inorganic filler and a biphenyl type epoxy resin, which is a low viscosity type epoxy resin, has been proposed (see Patent Documents 1 and 2). Since this epoxy resin composition contains many inorganic fillers, fluidity | liquidity falls. Thus, the solder reflow resistance of the molded product and the fluidity of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation are in a trade-off relationship.

そのため、流動性、離型性、連続成形性等に優れ、さらに耐半田リフロー性等の硬化物特性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および当該組成物で半導体素子を封止してなる半導体装置が求められている。   Therefore, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent fluidity, releasability, continuous moldability, etc., and also excellent cured properties such as solder reflow resistance, and a semiconductor element are encapsulated with the composition. There is a need for a semiconductor device.

特開平５−１３１４８６号公報（第１〜９頁）JP-A-5-131486 (pages 1-9) 特開平８−２５３５５５号公報（第２〜９頁）JP-A-8-253555 (pages 2-9)

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、流動性、離型性、連続成形性等に優れ、さらに耐半田リフロー性等の硬化物特性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および当該組成物で半導体素子を封止してなる半導体装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is excellent in fluidity, releasability, continuous formability, etc., and also in semiconductor encapsulation excellent in cured product properties such as solder reflow resistance. An epoxy resin composition for use, and a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with the composition.

本発明は、
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、（Ｅ２）グリセリントリ脂肪酸エステル、（Ｆ）シランカップリング剤、及び（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物、を含み、
前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記フェノール樹脂（Ｂ）のうちの少なくとも一方が、下記一般式（１） The present invention
[1] (A) epoxy resin, (B) phenol resin, (C) curing accelerator, (D) inorganic filler, (E2) glycerin trifatty acid ester , (F) silane coupling agent, and (G) aroma A compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting a ring,
At least one of the epoxy resin (A) and the phenol resin (B) is represented by the following general formula (1)

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記一般式（１）において、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、複数存在するＲは互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは、グリシジルエーテル基又は水酸基である。ｎは平均値で、１〜３の正数である。）
で表される樹脂を含み、
全エポキシ樹脂組成物中に、前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）を０．０１重量％以上、１重量％以下、前記化合物（Ｇ）を０．０１重量％以上、１重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (In the general formula (1), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different from each other. , Glycidyl ether group or hydroxyl group, n is an average value and is a positive number of 1 to 3.)
Including a resin represented by
The total epoxy resin composition contains 0.01% by weight or more and 1% by weight or less of the glycerin trifatty acid ester (E2), and 0.01% by weight or more and 1% by weight or less of the compound (G). An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.

［２］ 前記化合物（Ｇ）が、下記一般式（２）   [2] The compound (G) is represented by the following general formula (2):

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ５はいずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基のとき、他方は水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、各々独立に水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基であってもよく、またＲ２およびＲ３、又はＲ３およびＲ４が結合して芳香環を形成していてもよい。）で表される［１］に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (In the general formula (2), one of R 1 and R 5 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R 2 , R 3 , R 4 may be each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group, or R 2 and R 3 , or R 3 and R 4 may combine to form an aromatic ring. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [1], which is represented by:

［３］前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の滴点が７０℃以上、１２０℃以下である［１］または［２］に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 [3] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [1] or [2], wherein the dropping point of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 70 ° C. or higher and 120 ° C. or lower.

［４］前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の平均粒径が２０μｍ以上７０μｍ以下であり、全グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）中における粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率が０．１重量％以下である［１］乃至［３］のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 [ 4 ] The glycerin trifatty acid ester (E2) has an average particle size of 20 μm or more and 70 μm or less, and the content ratio of particles having a particle size of 106 μm or more in the total glycerin trifatty acid ester (E2) is 0.1% by weight or less. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [1] to [3].

［５］ 前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である［１］乃至［４］のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
［６］ 前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が、グリセリンと、炭素数２４以上３６以下の飽和脂肪酸とのトリエステル化合物である［１］乃至［５］のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 [ 5 ] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [1] to [4], wherein the acid value of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less.
[6] The semiconductor sealing epoxy according to any one of [1] to [5], wherein the glycerin trifatty acid ester (E2) is a triester compound of glycerin and a saturated fatty acid having 24 to 36 carbon atoms. Resin composition.

［７］ （Ａ）エポキシ樹脂、[7] (A) Epoxy resin,
（Ｂ）フェノール樹脂、(B) phenolic resin,
（Ｃ）硬化促進剤、(C) a curing accelerator,
（Ｄ）無機質充填材、(D) inorganic filler,
（Ｅ３）酸化パラフィンワックス、(E3) oxidized paraffin wax,
（Ｆ）シランカップリング剤、及び(F) a silane coupling agent, and
（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(G) A compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring.
を含み、Including
前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記フェノール樹脂（Ｂ）のうちの少なくとも一方が、下記一般式（１）At least one of the epoxy resin (A) and the phenol resin (B) is represented by the following general formula (1)

Figure 0005605394
Figure 0005605394
（上記一般式（１）において、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、複数存在するＲは互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは、グリシジルエーテル基又は水酸基である。ｎは平均値で、１〜３の正数である。）(In the general formula (1), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different from each other. , Glycidyl ether group or hydroxyl group, n is an average value and is a positive number of 1 to 3.)
で表される樹脂を含み、Including a resin represented by
全エポキシ樹脂組成物中に、前記酸化パラフィンワックス（Ｅ３）を０．０１重量％以上、１重量％以下、前記化合物（Ｇ）を０．０１重量％以上、１重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。  The total epoxy resin composition contains 0.01% by weight to 1% by weight of the oxidized paraffin wax (E3) and 0.01% by weight to 1% by weight of the compound (G). An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.

［８］ 前記化合物（Ｇ）が、下記一般式（２）[8] The compound (G) is represented by the following general formula (2):

Figure 0005605394
Figure 0005605394
（上記一般式（２）において、Ｒ(In the above general formula (2), R １1 、Ｒ, R ５5 はいずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基のとき、他方は水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。ＲIs a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R ２2 、Ｒ, R ３3 、Ｒ, R ４4 は、各々独立に水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基であってもよく、またＲEach independently may be a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group, and R ２2 およびＲAnd R ３3 、又はＲOr R ３3 およびＲAnd R ４4 が結合して芳香環を形成していてもよい。）で表される［７］に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。May combine to form an aromatic ring. ] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation as described in [7].

［９］ 前記酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の軟化点が７０℃以上、１２０℃以下である［７］または［８］に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。[9] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to [7] or [8], wherein the oxidized paraffin wax (E3) has a softening point of 70 ° C. or higher and 120 ° C. or lower.

［１０］ 前記酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の平均粒径が２０μｍ以上７０μｍ以下であり、全酸化パラフィンワックス（Ｅ３）中における粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率が０．１重量％以下である［７］乃至［９］のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。[10] The average particle diameter of the oxidized paraffin wax (E3) is 20 μm or more and 70 μm or less, and the content ratio of particles having a particle diameter of 106 μm or more in the total oxidized paraffin wax (E3) is 0.1 wt% or less. 7] thru | or the epoxy resin composition for semiconductor sealing in any one of [9].

［１１］ 前記酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である［７］乃至［１０］のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。[11] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of [7] to [10], wherein the acid value of the oxidized paraffin wax (E3) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less.

［１２］ ［１］乃至［１１］のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。[12] A semiconductor device comprising a semiconductor element sealed using the epoxy resin composition for semiconductor sealing according to any one of [1] to [11].

本発明によれば、流動性、離型性、連続成形性等に優れ、さらに耐半田リフロー性、吸湿性等の硬化物特性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該樹脂組成物により半導体素子を封止してなる半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent fluidity, releasability, continuous moldability, and the like, and further excellent cured product properties such as solder reflow resistance and moisture absorption, and the resin composition Thus, a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed can be provided.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、以下の成分（Ａ）〜成分（Ｇ）を含む。
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）フェノール樹脂
（Ｃ）硬化促進剤
（Ｄ）無機質充填材
（Ｅ）離型剤
（Ｆ）シランカップリング剤
（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains the following components (A) to (G).
(A) Epoxy resin (B) Phenol resin (C) Curing accelerator (D) Inorganic filler (E) Release agent (F) Silane coupling agent (G) Two or more adjacent carbons constituting an aromatic ring Compounds with hydroxyl groups attached to each atom

さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記フェノール樹脂（Ｂ）は、下記一般式（１）において（ｉ）〜（iii）のいずれかの要件を満たす。
（ｉ）エポキシ樹脂（Ａ）が、下記一般式（１）において、Ｘをグリシジルエーテル基で表すエポキシ樹脂を含む。
（ii）フェノール樹脂（Ｂ）が、下記一般式（１）において、Ｘを水酸基で表すフェノール樹脂を含む。
（iii）上記（ｉ）および（ii）のいずれの要件をも満たす。 Furthermore, in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the epoxy resin (A) and the phenol resin (B) satisfy any one of the requirements (i) to (iii) in the following general formula (1). Fulfill.
(I) The epoxy resin (A) includes an epoxy resin in which X is represented by a glycidyl ether group in the following general formula (1).
(Ii) The phenol resin (B) includes a phenol resin in which X is a hydroxyl group in the following general formula (1).
(Iii) Satisfy any of the requirements (i) and (ii) above.

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記一般式（１）において、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、複数存在するＲは互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは、グリシジルエーテル基又は水酸基である。ｎは平均値で、１〜３の正数である。） (In the general formula (1), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different from each other. , Glycidyl ether group or hydroxyl group, n is an average value and is a positive number of 1 to 3.)

さらに、離型剤（Ｅ）は、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）及び酸化パラフィンワックス（Ｅ３）よりなる群から１種以上選択される化合物である。またさらに、全エポキシ樹脂組成物中に、前記離型剤（Ｅ）を０．０１重量％以上、１重量％以下、前記化合物（Ｇ）を０．０１重量％以上、１重量％以下含む。   Furthermore, the mold release agent (E) is a compound selected from the group consisting of oxidized polyethylene wax (E1), glycerin trifatty acid ester (E2) and oxidized paraffin wax (E3). Further, the total epoxy resin composition contains the release agent (E) in an amount of 0.01% by weight to 1% by weight and the compound (G) in an amount of 0.01% by weight to 1% by weight.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記のような組成であることにより、半導体素子等を封止する際の流動性、離型性、連続成形性に優れ、さらに耐半田リフロー性、低吸湿性、低応力性、金属系部材との密着性等の硬化物特性に優れる。
以下、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物（以下単に「エポキシ樹脂組成物」ともいう）について詳細に説明する。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is excellent in fluidity, releasability and continuous moldability when encapsulating a semiconductor element, etc. due to the composition as described above, and further has solder reflow resistance. Excellent cured product properties such as low hygroscopicity, low stress, and adhesion to metal-based members.
Hereinafter, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention (hereinafter also simply referred to as “epoxy resin composition”) will be described in detail.

＜エポキシ樹脂（Ａ）＞
本発明で用いられるエポキシ樹脂（Ａ）は、上記一般式（１）において、Ｘがグリシジルエーテル基である下記一般式（ａ） <Epoxy resin (A)>
The epoxy resin (A) used in the present invention is represented by the following general formula (a) wherein X is a glycidyl ether group in the general formula (1).

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記一般式（ａ）において、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、複数存在するＲは互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜３の正数である。）
で表されるエポキシ樹脂を含むことが好ましい。一般式（ａ）において、複数存在するＲは、いずれも水素原子であることがさらに好ましい。 (In the general formula (a), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different from each other. (The average value is a positive number from 1 to 3.)
It is preferable that the epoxy resin represented by these is included. In the general formula (a), it is more preferable that a plurality of Rs are all hydrogen atoms.

上記一般式（ａ）で表されるエポキシ樹脂は、樹脂骨格中に疎水性の構造を多く含む。そのため、このエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物から得られる硬化物は吸湿率が低く、半田リフロー時における水分の気化による非常に高い応力の発生を抑制することができる。さらに、硬化物の架橋密度は低く、ガラス転移温度以上の高温域での弾性率が低いため、半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、結果として耐半田リフロー性に優れる。   The epoxy resin represented by the general formula (a) includes many hydrophobic structures in the resin skeleton. Therefore, the hardened | cured material obtained from the epoxy resin composition containing this epoxy resin has a low moisture absorption, and can suppress generation | occurrence | production of the very high stress by the vaporization of the water | moisture content at the time of solder reflow. Furthermore, since the crosslink density of the cured product is low and the elastic modulus is low in a high temperature range above the glass transition temperature, the thermal stress generated during the soldering process is reduced, resulting in excellent solder reflow resistance.

本発明においては、上記一般式（１）のエポキシ樹脂を用いることによる効果が損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。他のエポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン骨格を含む）型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらの他のエポキシ樹脂は、単独でも混合して用いてもよい。
エポキシ樹脂（Ａ）として上記一般式（ａ）のエポキシ樹脂を用いない場合、上記他のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、上記一般式（ａ）のエポキシ樹脂を用いない場合、フェノール樹脂（Ｂ）としては、後述する一般式（ｂ）で表されるフェノール樹脂を用いることが好ましい。 In this invention, it can use together with another epoxy resin in the range which does not impair the effect by using the epoxy resin of the said General formula (1). Examples of other epoxy resins include phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, bisphenol type epoxy resins, stilbene type epoxy resins, triphenolmethane type epoxy resins, and phenol aralkyls (including phenylene skeletons). Type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin, and the like. These other epoxy resins may be used alone or in combination.
When not using the epoxy resin of the said general formula (a) as an epoxy resin (A), said other epoxy resin can be used. In addition, when not using the epoxy resin of the said general formula (a), it is preferable to use the phenol resin represented by the general formula (b) mentioned later as a phenol resin (B).

＜フェノール樹脂（Ｂ）＞
本発明で用いられるフェノール樹脂（Ｂ）は、上記一般式（１）において、Ｘが水酸基である下記一般式（ｂ） <Phenolic resin (B)>
The phenol resin (B) used in the present invention is represented by the following general formula (b) wherein X is a hydroxyl group in the general formula (1).

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記一般式（ｂ）において、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、複数存在するＲは互いに同一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜３の正数である。）で表されるフェノール樹脂を含むことが好ましい。一般式（ｂ）において、複数存在するＲは、いずれも水素原子であることがさらに好ましい。 (In the general formula (b), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different from each other. The average value is a positive number of 1 to 3). In the general formula (b), it is more preferable that a plurality of Rs are all hydrogen atoms.

上記一般式（ｂ）で表されるフェノール樹脂は、樹脂骨格中に疎水性の構造を多く含む。そのため、このフェノール樹脂を含むエポキシ樹脂組成物から得られる硬化物は吸湿率が低く、半田リフロー時における水分の気化による非常に高い応力の発生を抑制することができる。さらに、硬化物の架橋密度は低く、ガラス転移温度以上の高温域での弾性率が低いため、半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、結果として耐半田リフロー性に優れる。   The phenol resin represented by the general formula (b) contains a lot of hydrophobic structures in the resin skeleton. Therefore, the hardened | cured material obtained from the epoxy resin composition containing this phenol resin has a low moisture absorption, and can suppress generation | occurrence | production of the very high stress by the vaporization of the water | moisture content at the time of solder reflow. Furthermore, since the crosslink density of the cured product is low and the elastic modulus is low in a high temperature range above the glass transition temperature, the thermal stress generated during the soldering process is reduced, resulting in excellent solder reflow resistance.

本発明においては、上記一般式（ｂ）のフェノール樹脂を用いることによる効果が損なわない範囲で、他のフェノール樹脂と併用することができる。他のフェノール樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格を含む）、ナフトールアラルキル樹脂等を挙げることができる。これらの他のフェノール樹脂は、単独でも混合して用いてもよい。   In this invention, it can use together with another phenol resin in the range which does not impair the effect by using the phenol resin of the said general formula (b). Examples of other phenol resins include phenol novolac resins, cresol novolac resins, triphenol methane resins, terpene modified phenol resins, dicyclopentadiene modified phenol resins, phenol aralkyl resins (including phenylene skeletons), naphthol aralkyl resins, and the like. Can do. These other phenol resins may be used alone or in combination.

フェノール樹脂（Ｂ）として上記一般式（ｂ）のフェノール樹脂を用いない場合、上記他のフェノール樹脂を用いることができる。なお、上記一般式（ｂ）のフェノール樹脂を用いない場合、上記のエポキシ樹脂（Ａ）としては、一般式（ａ）で表されるエポキシ樹脂を用いることが好ましい。   When not using the phenol resin of the said general formula (b) as a phenol resin (B), said other phenol resin can be used. In addition, when not using the phenol resin of the said general formula (b), it is preferable to use the epoxy resin represented by general formula (a) as said epoxy resin (A).

本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比は、好ましくは０．５以上、２以下であり、特に好ましくは０．７以上、１．５以下である。上記範囲内にあれば、エポキ樹脂組成物は硬化性に優れるとともに、該組成物から得られる硬化物は、耐湿性に優れる。   The equivalent ratio of epoxy groups of all epoxy resins and phenolic hydroxyl groups of all phenol resins used in the present invention is preferably 0.5 or more and 2 or less, particularly preferably 0.7 or more and 1.5 or less. . If it exists in the said range, while the epoxy resin composition is excellent in sclerosis | hardenability, the hardened | cured material obtained from this composition is excellent in moisture resistance.

＜硬化促進剤（Ｃ）＞
本発明で用いられる硬化促進剤（Ｃ）としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものを用いることができる。硬化促進剤（Ｃ）としては、例えばトリブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。またこれらの硬化促進剤は単独でも混合して用いてもよい。 <Curing accelerator (C)>
As a hardening accelerator (C) used by this invention, what can become a catalyst of the crosslinking reaction of an epoxy resin and a phenol resin can be used. Examples of the curing accelerator (C) include organic compounds such as tributylamine, amine compounds such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate salts, and the like. Examples thereof include, but are not limited to, imidazole compounds such as 2-methylimidazole. These curing accelerators may be used alone or in combination.

＜無機質充填材（Ｄ）＞
本発明で用いられる無機質充填材（Ｄ）としては、例えば溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合量を特に多くする場合は、溶融シリカを用いるのが好ましい。 <Inorganic filler (D)>
Examples of the inorganic filler (D) used in the present invention include fused silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, and aluminum nitride. When the amount of the inorganic filler is particularly large, it is preferable to use fused silica.

溶融シリカは破砕状、球状のいずれの形状でも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広くなるように調整することが望ましい。   Fused silica can be used in either crushed or spherical shape, but in order to increase the blending amount of fused silica and to suppress the increase in melt viscosity of the epoxy resin composition, the spherical one is mainly used. Is preferred. In order to further increase the blending amount of the spherical silica, it is desirable to adjust so that the particle size distribution of the spherical silica becomes wider.

＜離型剤（Ｅ）＞
本発明で用いられる離型剤（Ｅ）としては、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）を挙げることができる。これらの離型剤は単独でも混合して用いてもよい。
以下、これらの離型剤を順に説明する。 <Release agent (E)>
Examples of the release agent (E) used in the present invention include oxidized polyethylene wax (E1), glycerin trifatty acid ester (E2), and oxidized paraffin wax (E3). These release agents may be used alone or in combination.
Hereinafter, these release agents will be described in order.

（酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１））
酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）は、一般的にカルボン酸等からなる極性基と、長い炭素鎖からなる非極性基とを有しているため、成形時に極性基は樹脂硬化物側に配向し、逆に非極性基は金型側に配向することにより離型剤として作用する。 (Oxidized polyethylene wax (E1))
Since the oxidized polyethylene wax (E1) generally has a polar group composed of carboxylic acid and the like and a nonpolar group composed of a long carbon chain, the polar group is oriented toward the resin cured product during molding, In addition, the nonpolar group acts as a release agent by being oriented on the mold side.

エポキシ樹脂組成物中における酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の含有量は、０．０１重量％以上、１重量％以下であり、好ましくは０．０３重量％以上、０．５重量％以下である。上記範囲内であると、金型からの硬化物の離型性に優れる。さらに、リードフレーム部材との密着性に優れるため、半田処理時において、リードフレーム部材と硬化物との剥離を抑制することができる。また、成形時における金型の汚れや硬化物の外観の悪化を抑制することもできる。   The content of the oxidized polyethylene wax (E1) in the epoxy resin composition is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less. It is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die within the said range. Furthermore, since the adhesiveness with the lead frame member is excellent, peeling between the lead frame member and the cured product can be suppressed during the soldering process. In addition, it is possible to suppress deterioration of the mold and the appearance of the cured product during molding.

酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）としては、低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物を挙げることができる。中でも、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物がより好ましい。これらの酸化ポリエチレンワックスは単独でも混合して用いてもよい。   Examples of the oxidized polyethylene wax (E1) include an oxide of polyethylene wax produced by a low pressure polymerization method, an oxide of polyethylene wax produced by a high pressure polymerization method, and an oxide of a high density polyethylene polymer. Among these, an oxide of a high density polyethylene polymer is more preferable. These oxidized polyethylene waxes may be used alone or in combination.

以下に、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の（1-1）滴点、（1-2）酸価、（1-3）数平均分子量、（1-4）密度、（1-5）平均粒径、（1-6）粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率、を順に説明する。   The following are (1-1) dropping point, (1-2) acid value, (1-3) number average molecular weight, (1-4) density, (1-5) average particle diameter of oxidized polyethylene wax (E1). (1-6) The content ratio of particles having a particle size of 106 μm or more will be described in order.

（1-1）滴点
酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の滴点は、１００℃以上、１４０℃以下であり、好ましくは１１０℃以上、１３０℃である。滴点は、ＡＳＴＭ Ｄ１２７に準拠した方法により測定することができる。具体的には、金属ニップルを用いて、溶融したワックスが金属ニップルから最初に滴下するときの温度として測定される。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。 (1-1) Dropping point The dropping point of the oxidized polyethylene wax (E1) is 100 ° C. or higher and 140 ° C. or lower, preferably 110 ° C. or higher and 130 ° C. The dropping point can be measured by a method based on ASTM D127. Specifically, using a metal nipple, it is measured as the temperature at which molten wax first drops from the metal nipple. In the following examples, it can be measured by the same method.

滴点が上記範囲内であると、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）は熱安定性に優れ、成形時に酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が焼き付きにくい。そのため、金型からの硬化物の離型性に優れるとともに、連続成形性にも優れる。さらに、上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が十分に溶融する。これにより、硬化物中に酸化ポリエチレンワックスが略均一に分散する。そのため、硬化物表面における酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When the dropping point is within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is excellent in thermal stability, and the oxidized polyethylene wax (E1) is hardly seized at the time of molding. Therefore, it is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die, and is excellent also in continuous moldability. Furthermore, when it is within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is sufficiently melted when the epoxy resin composition is cured. Thereby, the oxidized polyethylene wax is dispersed substantially uniformly in the cured product. Therefore, segregation of the oxidized polyethylene wax (E1) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the mold stain and the appearance of the cured product can be reduced.

（1-2）酸価
酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の酸価は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、好ましくは１５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。酸価は、硬化物中における相溶性に影響を及ぼす。酸価は、ＪＩＳ Ｋ ３５０４に準拠した方法により測定することができる。具体的には、ワックス類１ｇ中に含有する遊離脂肪酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数として測定される。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。 (1-2) Acid value The acid value of the oxidized polyethylene wax (E1) is from 10 mgKOH / g to 50 mgKOH / g, preferably from 15 mgKOH / g to 40 mgKOH / g. The acid value affects the compatibility in the cured product. The acid value can be measured by a method based on JIS K 3504. Specifically, it is measured as the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize free fatty acids contained in 1 g of waxes. In the following examples, it can be measured by the same method.

酸価が上記範囲内にあると、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）は、硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）と、エポキシ樹脂マトリックスとが、相分離を起こすことがない。そのため、硬化物表面における酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When the acid value is within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is in a compatible state with the epoxy resin matrix in the cured product. Thereby, the oxidized polyethylene wax (E1) and the epoxy resin matrix do not cause phase separation. Therefore, segregation of the oxidized polyethylene wax (E1) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the mold stain and the appearance of the cured product can be reduced.

さらに、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が硬化物表面に存在するため、金型からの硬化物の離型性に優れる。一方、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）とエポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない場合がある。   Furthermore, since the oxidized polyethylene wax (E1) is present on the surface of the cured product, the releasability of the cured product from the mold is excellent. On the other hand, if the compatibility between the oxidized polyethylene wax (E1) and the epoxy resin matrix is too high, the oxidized polyethylene wax (E1) cannot ooze out on the surface of the cured product, and sufficient releasability cannot be ensured. There is a case.

（1-3）数平均分子量
酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の数平均分子量は、５００以上、５０００以下であり、好ましくは１０００以上、４０００以下である。数平均分子量は、例えば東ソー（株）製のＨＬＣ−８１２０などのＧＰＣ装置を用いて、ポリスチレン換算により算出することができる。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。 (1-3) Number average molecular weight The number average molecular weight of the oxidized polyethylene wax (E1) is 500 or more and 5000 or less, preferably 1000 or more and 4000 or less. The number average molecular weight can be calculated by polystyrene conversion using a GPC apparatus such as HLC-8120 manufactured by Tosoh Corporation. In the following examples, it can be measured by the same method.

数平均分子量が上記範囲内であると、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）と、エポキシ樹脂マトリックスとが、好ましい親和状態となる。そのため、硬化物は、金型からの離型性に優れる。一方、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）と、エポキシ樹脂マトリックスとの親和性が高いと、十分な離型性を得ることができない場合がある。逆に、親和性が低いと相分離を起こし、金型の汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす場合がある。   When the number average molecular weight is within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) and the epoxy resin matrix are in a preferable affinity state. Therefore, the cured product is excellent in releasability from the mold. On the other hand, if the affinity between the oxidized polyethylene wax (E1) and the epoxy resin matrix is high, sufficient releasability may not be obtained. On the other hand, if the affinity is low, phase separation may occur, and the mold may become dirty or the appearance of the cured resin may be deteriorated.

（1-4）密度
酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の密度は、０．９４ｇ／ｃｍ３以上、１．０３ｇ／ｃｍ３以下であり、好ましくは０．９７ｇ／ｃｍ３以上、０．９９ｇ／ｃｍ３以下である。密度は、ＡＳＴＭ Ｄ１５０５に準拠した浮遊法にて、２０℃における密度測定により算出することができる。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。 (1-4) Density The density of the oxidized polyethylene wax (E1) is 0.94 g / cm 3 or more and 1.03 g / cm 3 or less, preferably 0.97 g / cm 3 or more, 0.99 g / cm 3. It is as follows. The density can be calculated by density measurement at 20 ° C. by a floating method based on ASTM D1505. In the following examples, it can be measured by the same method.

密度が上記範囲内であると、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）は熱安定性に優れ、成形時に酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が焼き付きにくい。そのため、金型からの硬化物の離型性に優れるとともに、連続成形性にも優れる。さらに、上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物が硬化する際、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が十分に溶融する。これにより、硬化物中に酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が略均一に分散する。そのため、硬化物表面における酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When the density is within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is excellent in thermal stability, and the oxidized polyethylene wax (E1) is hardly seized at the time of molding. Therefore, it is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die, and is excellent also in continuous moldability. Furthermore, when the epoxy resin composition is cured within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is sufficiently melted. Thereby, the oxidized polyethylene wax (E1) is dispersed substantially uniformly in the cured product. Therefore, segregation of the oxidized polyethylene wax (E1) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the mold stain and the appearance of the cured product can be reduced.

（1-5）平均粒径
平均粒径は２０μｍ以上、７０μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。平均粒径は、例えば（株）島津製作所製のＳＡＬＤ−７０００などのレーザー回折式粒度分布測定装置を用いて、溶媒を水として、重量基準の５０％粒子径を平均粒径として測定することができる。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。 (1-5) Average particle diameter The average particle diameter is 20 μm or more and 70 μm or less, preferably 30 μm or more and 60 μm or less. The average particle diameter can be measured by using a laser diffraction particle size distribution measuring device such as SALD-7000 manufactured by Shimadzu Corporation as a solvent and water, and a weight-based 50% particle diameter as an average particle diameter. it can. In the following examples, it can be measured by the same method.

平均粒径が上記範囲内にあると、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）は、硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が硬化物表面に存在し、金型からの硬化物の離型性に優れる。一方、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない。   When the average particle size is within the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is in a compatible state with the epoxy resin matrix in the cured product. Thereby, the oxidized polyethylene wax (E1) is present on the surface of the cured product, and the release property of the cured product from the mold is excellent. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the cured product surface cannot be oozed out and sufficient releasability cannot be ensured.

さらに、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）と、エポキシ樹脂マトリックスとが好ましい相溶状態にあるため、硬化物表面における酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   Further, since the oxidized polyethylene wax (E1) and the epoxy resin matrix are in a preferable compatible state, segregation of the oxidized polyethylene wax (E1) on the surface of the cured product is suppressed, and the mold stains and the appearance of the cured product are deteriorated. Can be reduced.

またさらに、上記範囲にあると、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が十分に溶融する。そのため、エポキシ樹脂組成物は流動性に優れる。   Furthermore, when it is in the above range, the oxidized polyethylene wax (E1) is sufficiently melted when the epoxy resin composition is cured. Therefore, the epoxy resin composition is excellent in fluidity.

（1-6）粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率
全酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）中における粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率は、０．１重量％以下であることが好ましい。この含有比率は、ＪＩＳ Ｚ ８８０１の目開き１０６μmの標準篩を用いて測定することができる。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。 (1-6) Content ratio of particles having a particle size of 106 μm or more The content ratio of particles having a particle size of 106 μm or more in the total oxidized polyethylene wax (E1) is preferably 0.1% by weight or less. This content ratio can be measured using a standard sieve of 106 μm openings according to JIS Z8801. In the following examples, it can be measured by the same method.

上記の含有比率であれば、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）が略均一に分散し、金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を抑制することができる。また、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、酸化ポリエチレンワックスが十分に溶融するため、流動性に優れる。   If it is said content ratio, oxidized polyethylene wax (E1) will disperse | distribute substantially uniformly, and the deterioration of the external appearance of a mold | die stain | pollution | contamination and a resin cured material can be suppressed. In addition, when the epoxy resin composition is cured, the oxidized polyethylene wax is sufficiently melted, and thus has excellent fluidity.

本発明においては、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）を用いることによる効果を損なわない範囲で、他の離型剤を併用することもできる。併用できる他の離型剤としては、例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。   In the present invention, other mold release agents can be used in combination as long as the effect of using the oxidized polyethylene wax (E1) is not impaired. Examples of other release agents that can be used in combination include natural waxes such as carnauba wax and metal salts of higher fatty acids such as zinc stearate.

（グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２））
グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）は、グリセリンと飽和脂肪酸とから得られるトリエステルである。エポキシ樹脂組成物が、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）を含むことにより、該組成物から得られる硬化物の離型性が非常に優れることとなる。一方、グリセリンと飽和脂肪酸とのモノエステル及びジエステルは、残存する水酸基の影響により、エポキシ樹脂組成物から得られる硬化物の耐湿性が低下し、その結果として耐半田リフロー性に悪影響を及ぼすので好ましくない。 (Glycerin trifatty acid ester (E2))
Glycerin trifatty acid ester (E2) is a triester obtained from glycerin and saturated fatty acid. When the epoxy resin composition contains glycerin trifatty acid ester (E2), the releasability of the cured product obtained from the composition is very excellent. On the other hand, monoesters and diesters of glycerin and saturated fatty acids are preferred because the moisture resistance of the cured product obtained from the epoxy resin composition is lowered due to the influence of the remaining hydroxyl group, and as a result, the solder reflow resistance is adversely affected. Absent.

エポキシ樹脂組成物中におけるグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の含有量は、０．０１重量％以上、１重量％以下であり、好ましくは０．０３重量％以上、０．５重量％以下である。上記範囲内であると、金型からの硬化物の離型性に優れる。さらに、リードフレーム部材との密着性に優れるため、半田処理時において、リードフレーム部材と硬化物との剥離を抑制することができる。また、金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を抑制することもできる。   The content of glycerin trifatty acid ester (E2) in the epoxy resin composition is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less. It is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die within the said range. Furthermore, since the adhesiveness with the lead frame member is excellent, peeling between the lead frame member and the cured product can be suppressed during the soldering process. In addition, it is possible to suppress deterioration of the mold and the appearance of the cured resin.

グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）としては、例えばグリセリントリカプロン酸エステル、グリセリントリカプリル酸エステル、グリセリントリカプリン酸エステル、グリセリントリラウリン酸エステル、グリセリントリミリスチン酸エステル、グリセリントリパルミチン酸エステル、グリセリントリステアリン酸エステル、グリセリントリアラキン酸エステル、グリセリントリベヘン酸エステル、グリセリントリリグノセリン酸エステル、グリセリントリセロチン酸エステル、グリセリントリモンタン酸エステル、グリセリントリメリシン酸エステル等を挙げることができる。これらのグリセリントリ脂肪酸エステルは単独でも混合して用いてもよい。   Examples of the glycerin trifatty acid ester (E2) include glycerin tricaproic acid ester, glycerin tricaprylic acid ester, glycerin tricapric acid ester, glycerin trilauric acid ester, glycerin trimyristic acid ester, glycerin tripalmitic acid ester, glycerin tristearic acid ester. Examples thereof include acid esters, glycerin triaraquinic acid esters, glycerin tribehenic acid esters, glycerin trilignoceric acid esters, glycerin triserotinic acid esters, glycerin trimontanic acid esters, and glycerin trimellitic acid esters. These glycerin trifatty acid esters may be used alone or in combination.

中でも、グリセリンと、炭素数２４以上３６以下の飽和脂肪酸とのグリセリントリ脂肪酸エステルが、離型性と成形体の外観の観点から好ましい。さらにグリセリントリモンタン酸エステルが、より好ましい。尚、本発明において、飽和脂肪酸の炭素数とは飽和脂肪酸中のアルキル基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。   Among these, glycerin and a glycerin trifatty acid ester of a saturated fatty acid having 24 to 36 carbon atoms are preferable from the viewpoints of releasability and appearance of the molded body. Furthermore, glycerin trimontanic acid ester is more preferable. In the present invention, the carbon number of the saturated fatty acid refers to the sum of the carbon number of the alkyl group and the carboxyl group in the saturated fatty acid.

以下に、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の（2-1）滴点、（2-2）酸価、（2-3）平均粒径、（2-4）粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率、を説明する。   The following is the content ratio of (2-1) dropping point, (2-2) acid value, (2-3) average particle diameter, and (2-4) particle diameter of 106 μm or more of glycerin trifatty acid ester (E2). , Will be explained.

（2-1）滴点
グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の滴点は、７０℃以上、１２０℃以下が好ましく、より好ましくは８０℃以上、１１０℃以下である。 (2-1) Dropping point The dropping point of glycerin trifatty acid ester (E2) is preferably 70 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, more preferably 80 ° C. or higher and 110 ° C. or lower.

滴点が上記範囲内であると、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）は熱安定性に優れ、成形時にグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が焼き付きにくい。そのため、金型からの硬化物の離型性に優れるとともに、連続成形性にも優れる。さらに、上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が十分に溶融する。これにより、硬化物中にグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が略均一に分散する。そのため、硬化物表面におけるグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When the dropping point is within the above range, the glycerin trifatty acid ester (E2) is excellent in thermal stability, and the glycerin trifatty acid ester (E2) is difficult to seize at the time of molding. Therefore, it is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die, and is excellent also in continuous moldability. Further, when the epoxy resin composition is cured within the above range, the glycerin trifatty acid ester (E2) is sufficiently melted. Thereby, glycerol tri fatty acid ester (E2) disperse | distributes substantially uniformly in hardened | cured material. Therefore, segregation of glycerin trifatty acid ester (E2) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the appearance of the mold and the cured product can be reduced.

（2-2）酸価
グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の酸価は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、より好ましくは１５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。酸価は、硬化物中における相溶性に影響を及ぼす。 (2-2) Acid Value The acid value of glycerin trifatty acid ester (E2) is preferably 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less, more preferably 15 mgKOH / g or more and 40 mgKOH / g or less. The acid value affects the compatibility in the cured product.

上記範囲内にあると、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）は、硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）と、エポキシ樹脂マトリックスとが、相分離を起こすことがない。そのため、硬化物表面におけるグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When it exists in the said range, glycerol tri fatty-acid ester (E2) will be in a compatible state with an epoxy resin matrix in a hardened | cured material. Thereby, phase separation does not raise | generate a glycerol tri fatty acid ester (E2) and an epoxy resin matrix. Therefore, segregation of glycerin trifatty acid ester (E2) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the appearance of the mold and the cured product can be reduced.

さらに、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が硬化物表面に存在するため、硬化物は金型からの離型性に優れる。一方、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない場合がある。   Furthermore, since glycerin trifatty acid ester (E2) is present on the surface of the cured product, the cured product is excellent in releasability from the mold. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the glycerin trifatty acid ester (E2) cannot ooze out on the surface of the cured product, and sufficient releasability may not be ensured.

（2-3）平均粒径
平均粒径は２０μｍ以上、７０μｍ以下が好ましく、より好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。 (2-3) Average particle diameter The average particle diameter is preferably 20 μm or more and 70 μm or less, more preferably 30 μm or more and 60 μm or less.

上記範囲内にあると、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）は、硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が硬化物表面に存在し、金型からの硬化物の離型性に優れる。一方、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない。   When it exists in the said range, glycerol tri fatty-acid ester (E2) will be in a compatible state with an epoxy resin matrix in a hardened | cured material. Thereby, glycerol trifatty acid ester (E2) exists in the hardened | cured material surface, and is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the cured product surface cannot be oozed out and sufficient releasability cannot be ensured.

さらに、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）と、エポキシ樹脂マトリックスとが好ましい相溶状態にあるため、硬化物表面におけるグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   Further, since the glycerin trifatty acid ester (E2) and the epoxy resin matrix are in a preferable compatible state, segregation of the glycerin trifatty acid ester (E2) on the surface of the cured product is suppressed, and the mold dirt and the appearance of the cured product are suppressed. Can be reduced.

またさらに、上記範囲にあると、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が十分に溶融する。そのため、エポキシ樹脂組成物は流動性に優れる。
（2-4）粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率
また、全グリセリントリ脂肪酸エステル中における粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率は０．１重量％以下であることが好ましい。 Furthermore, when it exists in the said range, when hardening an epoxy resin composition, glycerol tri-fatty acid ester (E2) will fully fuse | melt. Therefore, the epoxy resin composition is excellent in fluidity.
(2-4) Content ratio of particles having a particle size of 106 μm or more The content ratio of particles having a particle size of 106 μm or more in the total glycerin trifatty acid ester is preferably 0.1% by weight or less.

上記の含有比率であれば、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）がエポキシ樹脂組成物中に略均一に分散し、金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を抑制することができる。また、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、酸化ポリエチレンワックスが十分に溶融するため、流動性に優れる。   If it is said content ratio, glycerol tri-fatty acid ester (E2) will disperse | distribute substantially uniformly in an epoxy resin composition, and it can suppress the deterioration of the external appearance of a mold | die stain | pollution | contamination and a resin cured material. In addition, when the epoxy resin composition is cured, the oxidized polyethylene wax is sufficiently melted, and thus has excellent fluidity.

本発明で用いられるグリセリントリ脂肪酸エステルは市販のものを入手し、粒度調整して使用することができる。本発明で用いられるグリセリントリ脂肪酸エステルを用いることによる効果を損なわない範囲で他の離型剤を併用することもできる。併用できる離型剤としては、例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。   The glycerin trifatty acid ester used in the present invention is commercially available, and can be used after adjusting the particle size. Other release agents can be used in combination as long as the effects of using the glycerin trifatty acid ester used in the present invention are not impaired. Examples of release agents that can be used in combination include natural waxes such as carnauba wax, and metal salts of higher fatty acids such as zinc stearate.

（酸化パラフィンワックス（Ｅ３））
酸化パラフィンワックス（Ｅ３）とは、パラフィンワックスを空気酸化あるいは酸付加することなどにより酸化物としたものの総称である。酸化されることにより、カルボキシル基がパラフィンワックスに導入される。原料のパラフィンワックスは、減圧蒸留留出油を分離精製したものであり、常温において固体のワックスである。通常炭素数は２０以上、４０以下程度、分子量は３００以上、５５０以下程度である。 (Oxidized paraffin wax (E3))
Oxidized paraffin wax (E3) is a general term for oxides obtained by oxidizing paraffin wax by air oxidation or acid addition. By being oxidized, carboxyl groups are introduced into the paraffin wax. The raw material paraffin wax is a product obtained by separating and purifying a vacuum distilled oil, and is a solid wax at room temperature. Usually, the carbon number is 20 or more and 40 or less, and the molecular weight is 300 or more and 550 or less.

酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の含有量はエポキシ樹脂組成物中に、０．０１重量％以上、１重量％以下であり、好ましくは０．０３重量％以上０．５重量％以下である。上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物から得られる硬化物は、金型からの離型性に優れる。さらに、リードフレーム部材との密着性に優れるため、半田処理時において、リードフレーム部材と硬化物との剥離を抑制することができる。また、金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を抑制することもできる。   The content of the oxidized paraffin wax (E3) in the epoxy resin composition is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less. When it is within the above range, the cured product obtained from the epoxy resin composition is excellent in releasability from the mold. Furthermore, since the adhesiveness with the lead frame member is excellent, peeling between the lead frame member and the cured product can be suppressed during the soldering process. In addition, it is possible to suppress deterioration of the mold and the appearance of the cured resin.

以下に、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の（3-1）軟化点、（3-2）酸価、（3-3）平均粒径、（3-4）粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率、を説明する。   Below, (3-1) softening point of oxidized paraffin wax (E3), (3-2) acid value, (3-3) average particle diameter, (3-4) content ratio of particles having a particle diameter of 106 μm or more, Will be explained.

（3-1）軟化点
酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の軟化点は、７０℃以上、１２０℃以下が好ましく、より好ましくは８０℃以上、１１０℃以下である。軟化点は、ＪＩＳ Ｋ−２２３５−５．３．１に準拠して測定することができる。 (3-1) Softening point The softening point of the oxidized paraffin wax (E3) is preferably 70 ° C or higher and 120 ° C or lower, more preferably 80 ° C or higher and 110 ° C or lower. The softening point can be measured according to JIS K-2235-5.3.1.

軟化点が上記範囲内であると、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）は熱安定性に優れ、成形時に酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が焼き付きにくい。そのため、金型からの硬化物の離型性に優れるとともに、連続成形性にも優れる。さらに、上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が十分に溶融する。これにより、硬化物中に酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が略均一に分散する。そのため、硬化物表面における酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When the softening point is within the above range, the oxidized paraffin wax (E3) is excellent in thermal stability, and the oxidized paraffin wax (E3) is hardly seized at the time of molding. Therefore, it is excellent in the mold release property of the hardened | cured material from a metal mold | die, and is excellent also in continuous moldability. Furthermore, when it is within the above range, the oxidized paraffin wax (E3) is sufficiently melted when the epoxy resin composition is cured. Thereby, the oxidized paraffin wax (E3) is dispersed substantially uniformly in the cured product. Therefore, segregation of the oxidized paraffin wax (E3) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the mold stain and the appearance of the cured product can be reduced.

（3-2）酸価
酸価は１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、より好ましくは１５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。酸価は、硬化物中における相溶性に影響を及ぼす。 (3-2) Acid value The acid value is preferably 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less, more preferably 15 mgKOH / g or more and 40 mgKOH / g or less. The acid value affects the compatibility in the cured product.

酸価が上記範囲内にあると、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）は、硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）と、エポキシ樹脂マトリックスとが、相分離を起こすことがない。そのため、硬化物表面における酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   When the acid value is within the above range, the oxidized paraffin wax (E3) is in a preferable compatible state with the epoxy resin matrix in the cured product. Thereby, the oxidized paraffin wax (E3) and the epoxy resin matrix do not cause phase separation. Therefore, segregation of the oxidized paraffin wax (E3) on the surface of the cured product is suppressed, and deterioration of the mold stain and the appearance of the cured product can be reduced.

さらに、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が硬化物表面に存在するため、金型からの硬化物の離型性に優れる。一方、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない場合がある。   Furthermore, since the oxidized paraffin wax (E3) is present on the surface of the cured product, the releasability of the cured product from the mold is excellent. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the cured product surface cannot be oozed out and sufficient releasability may not be ensured.

（3-3）平均粒径
平均粒径は２０μｍ以上、７０μｍ以下が好ましく、より好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。 (3-3) Average particle diameter The average particle diameter is preferably 20 μm or more and 70 μm or less, more preferably 30 μm or more and 60 μm or less.

平均粒径が上記範囲内にあると、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）は、硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が硬化物表面に存在し、金型からの硬化物の離型性に優れる。一方、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない。   When the average particle size is within the above range, the oxidized paraffin wax (E3) is in a preferable compatible state with the epoxy resin matrix in the cured product. Thereby, the oxidized paraffin wax (E3) is present on the surface of the cured product, and the releasability of the cured product from the mold is excellent. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the cured product surface cannot be oozed out and sufficient releasability cannot be ensured.

さらに、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）と、エポキシ樹脂マトリックスとが好ましい相溶状態にあるため、硬化物表面における酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の偏析が抑制され、金型の汚れや硬化物の外観の悪化を低減することができる。   Furthermore, since the oxidized paraffin wax (E3) and the epoxy resin matrix are in a preferable compatible state, segregation of the oxidized paraffin wax (E3) on the surface of the cured product is suppressed, and the mold dirt and the appearance of the cured product are deteriorated. Can be reduced.

またさらに、上記範囲にあると、エポキシ樹脂組成物が硬化する際、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が十分に溶融する。そのため、エポキシ樹脂組成物は流動性に優れる。   Furthermore, when it is in the above range, the oxidized paraffin wax (E3) is sufficiently melted when the epoxy resin composition is cured. Therefore, the epoxy resin composition is excellent in fluidity.

（3-4）粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率
また、全酸化パラフィンワックス（Ｅ３）中における粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率は０．１重量％以下であることが好ましい。 (3-4) Content ratio of particles having a particle diameter of 106 μm or more The content ratio of particles having a particle diameter of 106 μm or more in the total oxidized paraffin wax (E3) is preferably 0.1% by weight or less.

上記の含有比率であれば、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が略均一に分散し、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の偏析による金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を抑制することができる。また、エポキシ樹脂組成物の硬化の際、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）が十分に溶融するため、流動性に優れる。   If it is said content ratio, oxidized paraffin wax (E3) will disperse | distribute substantially uniformly and it can suppress the deterioration of the external appearance of the mold | die stain | pollution | contamination and resin hardened | cured material by segregation of oxidized paraffin wax (E3). In addition, when the epoxy resin composition is cured, the oxidized paraffin wax (E3) is sufficiently melted, so that the fluidity is excellent.

本発明で用いられる酸化パラフィンワックス（Ｅ３）は市販のものを入手し、粒度調整して使用することができる。本発明においては、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）を用いることによる効果を損なわない範囲で他の離型剤を併用することもできる。併用できる離型剤としては、例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。   The oxidized paraffin wax (E3) used in the present invention is commercially available and can be used after adjusting the particle size. In the present invention, other mold release agents can be used in combination as long as the effect of using the oxidized paraffin wax (E3) is not impaired. Examples of release agents that can be used in combination include natural waxes such as carnauba wax, and metal salts of higher fatty acids such as zinc stearate.

＜シランカップリング剤（Ｆ）＞
シランカップリング剤（Ｆ）は、特に限定せず、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の有機成分と、無機充填剤との間で反応し、これらの界面強度を向上させるものを用いることができる。具体的には、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤（Ｆ）は単独でも併用してもよい。シランカップリング剤（Ｆ）は、後述する化合物（Ｇ）との相乗効果により、エポキシ樹脂組成物の粘度特性と流動特性とを著しく改善することの可能な必須成分である。 <Silane coupling agent (F)>
The silane coupling agent (F) is not particularly limited, and a silane coupling agent (F) that reacts between an organic component such as an epoxy resin or a phenol resin and an inorganic filler to improve the interfacial strength can be used. Specific examples include epoxy silane, amino silane, ureido silane, mercapto silane, and the like. These silane coupling agents (F) may be used alone or in combination. The silane coupling agent (F) is an essential component capable of remarkably improving the viscosity characteristics and flow characteristics of the epoxy resin composition by a synergistic effect with the compound (G) described later.

本発明に用いるシランカップリング剤（Ｆ）の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上１重量％以下、好ましくは０．０５重量％以上０．８以下、特に好ましくは０．１重量％以上０．６重量％以下である。上記範囲内であると、後述する化合物（Ｇ）の効果が充分に得られ、また半導体パッケージにおける耐半田リフロー性が向上する。また、さらに、エポキシ樹脂組成物の吸水性が抑制され、半導体パッケージにおける耐半田リフロー性が向上する。   The amount of the silane coupling agent (F) used in the present invention is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.05% by weight or more and 0.8 or less, particularly preferably 0% in the total epoxy resin composition. .1% by weight or more and 0.6% by weight or less. Within the above range, the effect of the compound (G) described later is sufficiently obtained, and the solder reflow resistance in the semiconductor package is improved. Furthermore, the water absorption of the epoxy resin composition is suppressed, and the solder reflow resistance in the semiconductor package is improved.

＜芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｇ）＞
芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｇ）（以下化合物（Ｇ）と称する）は、下記一般式（２） <Compound (G) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring>
A compound (G) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring (hereinafter referred to as compound (G)) has the following general formula (2)

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ５はいずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基のとき、他方は水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、各々独立に水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基であってもよく、またＲ２およびＲ３、又はＲ３およびＲ４が結合して芳香環を形成していてもよい。）で表される化合物を用いることができる。
上記式（２）において、Ｒ２およびＲ３、又はＲ３およびＲ４とが結合して芳香環を形成する化合物としては、下記一般式（３） (In the general formula (2), one of R 1 and R 5 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R 2 , R 3 , R 4 may be each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group, or R 2 and R 3 , or R 3 and R 4 may combine to form an aromatic ring. Good)) can be used.
In the above formula (2), as a compound in which R 2 and R 3 , or R 3 and R 4 are combined to form an aromatic ring, the following general formula (3)

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（上記式（３）において、Ｒ１、Ｒ７はどちらか一方が水酸基であり、一方が水酸基のとき他方は水素、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、各々独立に、水素、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。）で表される化合物を用いることができる。 (In the above formula (3), one of R 1 and R 7 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is hydrogen, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , and R 6 are each independently hydrogen, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group).

本発明に用いる化合物（Ｇ）としては、例えば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル、１、２−ジヒドロキシナフタレン、２、３−ジヒドロキシナフタレンおよびこれらの誘導体が挙げられる。これらの化合物は、単独でも混合して用いてもよい。   Examples of the compound (G) used in the present invention include catechol, pyrogallol, gallic acid, gallic acid ester, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, and derivatives thereof. These compounds may be used alone or in combination.

これらのうちでも、流動性と硬化性の制御のしやすさ、低揮発性の点から母核がナフタレン環である、１、２−ジヒドロキシナフタレン、２、３−ジヒドロキシナフタレン、およびこれらの誘導体がより好ましい。   Among these, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, and derivatives thereof, in which the mother nucleus is a naphthalene ring from the viewpoint of easy control of fluidity and curability and low volatility, More preferred.

化合物（Ｇ）の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上、１重量％以下、好ましくは０．０３重量％以上、０．８重量％以下、特に好ましくは０．０５重量％以上、０．５重量％以下である。上記範囲にあれば、シランカップリング剤（Ｆ）との相乗効果による粘度特性および流動特性が得られる。さらに、硬化物の物性も優れ、エポキシ樹脂組成物として好ましく用いることができる。   The compounding amount of the compound (G) is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.03% by weight or more and 0.8% by weight or less, particularly preferably 0.05% by weight in the total epoxy resin composition. % Or more and 0.5% by weight or less. If it exists in the said range, the viscosity characteristic by the synergistic effect with a silane coupling agent (F) and a flow characteristic will be acquired. Furthermore, the physical properties of the cured product are excellent and can be preferably used as an epoxy resin composition.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上述の（Ａ）〜（Ｇ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じて以下の他の添加剤を配合することもできる。他の添加剤としては、例えば臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、リン化合物、金属水酸化物等の難燃剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応力剤；酸化ビスマス水和物等の酸化防止剤等を挙げることができる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains the above-described components (A) to (G) as essential components, but in addition to this, the following other additives may be blended as necessary. Other additives include, for example, brominated epoxy resins, antimony trioxide, phosphorus compounds, metal hydroxides and other flame retardants; colorants such as carbon black and bengara, low stresses such as silicone oil, silicone rubber, and synthetic rubber Agents: Antioxidants such as bismuth oxide hydrate.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｇ）成分を混合してなるものである。具体的には、（Ａ）〜（Ｇ）成分及びその他の添加剤等を、ミキサー等を用いて混合した後、加熱ニーダ、熱ロール、押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却、粉砕して得られる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is obtained by mixing the components (A) to (G). Specifically, after mixing the components (A) to (G) and other additives using a mixer or the like, the mixture is heated and kneaded using a heating kneader, a hot roll, an extruder, etc., followed by cooling, It is obtained by grinding.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するができる。半導体素子等の電子部品を封止するには、例えば、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形することができる。   A semiconductor device can be manufactured by sealing an electronic component such as a semiconductor element using the epoxy resin composition for semiconductor sealing of the present invention. In order to seal an electronic component such as a semiconductor element, it can be cured and molded by a conventional molding method such as transfer molding, compression molding, injection molding, or the like.

以下、本発明を実施例で具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these. The blending ratio is parts by weight.

＜実施例Ａ＞
（実施例ａ１）
実施例ａ１において、以下の原料を用いた。
・下記一般式（４）のエポキシ樹脂（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂）［日本化薬製、ＮＣ３０００Ｐ、軟化点５８℃、エポキシ当量２７３］
７．３６重量部 <Example A>
(Example a1)
In Example a1, the following raw materials were used.
-Epoxy resin of the following general formula (4) (phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton) [manufactured by Nippon Kayaku, NC3000P, softening point 58 ° C, epoxy equivalent 273]
7.36 parts by weight

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（ｎは平均値で、１〜３の正数）
・式（５）のフェノール樹脂（フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂［三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、軟化点６５℃、水酸基当量１７４］
４．６９重量部 (N is an average value and is a positive number from 1 to 3)
Phenol resin of formula (5) (phenol aralkyl resin having a phenylene skeleton [Mitsui Chemicals, XLC-4L, softening point 65 ° C., hydroxyl equivalent 174]
4.69 parts by weight

Figure 0005605394
Figure 0005605394

（ｎは平均値で、１〜３の正数）
・１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、「ＤＢＵ」という）
０．２０重量部
・球状溶融シリカ（平均粒径３０．０μｍ） ８７．００重量部
・酸化ポリエチレンワックス１（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、密度０．９８ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物）
０．１０重量部
・γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン ０．３０重量部
・２，３−ジヒドロキシナフタレン（試薬） ０．０５重量部
・カーボンブラック ０．３０重量部 (N is an average value and is a positive number from 1 to 3)
1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter referred to as “DBU”)
0.20 parts by weight, spherical fused silica (average particle size 30.0 μm) 87.00 parts by weight, oxidized polyethylene wax 1 (drop point 120 ° C., acid value 20 mg KOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.98 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or larger particles 0.0% by weight, high density polyethylene polymer oxide)
0.10 parts by weight • γ-glycidylpropyltrimethoxysilane 0.30 parts by weight • 2,3-dihydroxynaphthalene (reagent) 0.05 parts by weight • carbon black 0.30 parts by weight

上記の原料をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。   After mixing the above raw materials using a mixer, the kneaded product sheet obtained by kneading 20 times using a biaxial roll having surface temperatures of 95 ° C. and 25 ° C. is cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition and did. The characteristics of the obtained epoxy resin composition were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.

（評価方法）
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。 (Evaluation method)
Spiral flow: Measurement was performed using a spiral flow measurement mold according to EMMI-1-66 at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 120 seconds. The unit is cm.

金線変形率：低圧トランスファー自動成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．６ＭＰａ、硬化時間７０秒で、１６０ｐＬＱＦＰ（ＣｕＬ／Ｆ、パッケージ外寸：２４ｍｍ×２４ｍｍ×１．４ｍｍ厚、パッドサイズ：８．５ｍｍ×８．５ｍｍ、チップサイズ７．４ｍｍ×７．４ｍｍ）を成形した。成形した１６０ｐＬＱＦＰパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の変形率を（流れ量）／（金線長）の比率で表した。判定基準は５％未満を○、５％以上を×とした。   Metal wire deformation rate: 160 pLQFP (CuL / F, package outer dimensions: 24 mm × 24 mm × 1.4 mm thickness) with a mold temperature of 175 ° C., injection pressure of 9.6 MPa, curing time of 70 seconds using a low-pressure transfer automatic molding machine , Pad size: 8.5 mm × 8.5 mm, chip size 7.4 mm × 7.4 mm). The molded 160 pLQFP package was observed with a soft X-ray fluoroscope, and the deformation rate of the gold wire was expressed as a ratio of (flow rate) / (gold wire length). The criterion was ○ for less than 5% and x for 5% or more.

連続成形性：低圧トランスファー自動成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．６ＭＰａ、硬化時間７０秒で、８０ｐＱＦＰ（ＣｕＬ／Ｆ、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ）を連続で５００ショットまで成形した。判定基準は未充填等全く問題なく５００ショットまで連続成形できたものを○、それ以外を×とした。   Continuous formability: 80pQFP (CuL / F, package external dimensions: 14mm x 20mm x 2mm thickness, pad size, with a mold temperature of 175 ° C, injection pressure of 9.6MPa, curing time of 70 seconds, using a low-pressure transfer automatic molding machine : 6.5 mm × 6.5 mm, chip size 6.0 mm × 6.0 mm) was continuously molded up to 500 shots. The judgment criteria were “good” for continuous molding up to 500 shots without any problem such as unfilling, and “x” for the others.

成形品外観及び金型の汚れ：上記連続成形において５００ショット経過後のパッケージ及び金型について、目視で汚れを評価した。パッケージ外観判断及び金型の汚れ基準は、汚れているものを×、５００ショットまで汚れていないものを○で表す。   Molded Product Appearance and Mold Dirt: Dirt was evaluated visually for the package and mold after 500 shots in the continuous molding. The package appearance judgment and the mold contamination standard are indicated by “x” when dirty and by “◯” when not dirty up to 500 shots.

耐半田リフロー性：上記連続成形性の評価において成形したパッケージを１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％で１６８時間加湿処理後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅｖｅｌ１条件に従う）を行った。顕微鏡でパッケージを観察し、クラック発生率［（クラック発生率）＝（外部クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を算出した。単位は％。評価したパッケージの数は２０個。また、半導体素子とエポキシ樹脂組成物界面の密着状態を超音波探傷装置により観察した。評価したパッケージの数は２０個。耐半田リフロー性判断基準は、クラック発生率が０％で、かつ剥離なし：○、クラックもしくは剥離が発生したものは×とした。   Solder reflow resistance: The package molded in the above-described evaluation of continuous formability is post-cured at 175 ° C. for 8 hours, and the resulting package is humidified at 85 ° C. and 85% relative humidity for 168 hours, followed by IR reflow treatment (260 (According to JEDEC Level 1 conditions). The package was observed with a microscope, and the crack generation rate [(crack generation rate) = (number of external crack generation packages) / (total number of packages) × 100] was calculated. Units%. The number of packages evaluated was 20. Moreover, the adhesion state of the semiconductor element and the epoxy resin composition interface was observed with an ultrasonic flaw detector. The number of packages evaluated was 20. The criteria for determining the solder reflow resistance were a crack occurrence rate of 0% and no peeling: ○, and those where cracks or peeling occurred occurred as x.

（実施例ａ２〜ａ２３、比較例ａ１〜ａ９）
表１、表２、表３に示す割合で各成分を配合し、実施例ａ１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例ａ１と同様にして評価した。結果を表１、表２、表３に示す。
実施例ａ１以外で用いた成分について、以下に示す。 (Examples a2 to a23, comparative examples a1 to a9)
Each component was mix | blended in the ratio shown in Table 1, Table 2, and Table 3, the epoxy resin composition was obtained like Example a1, and it evaluated similarly to Example a1. The results are shown in Table 1, Table 2, and Table 3.
Components used in Examples other than Example a1 are shown below.

・下記式（６）のフェノール樹脂（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂）［明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３］ -Phenol resin (phenol aralkyl resin having a biphenylene skeleton) represented by the following formula (6) [Maywa Kasei Co., Ltd., MEH7851SS, softening point 67 ° C, hydroxyl group equivalent 203]

Figure 0005605394
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（ｎは平均値で、１〜３の正数）
・下記式（７）のエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）［ジャバンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９１］ (N is an average value and is a positive number from 1 to 3)
-Epoxy resin (biphenyl type epoxy resin) of the following formula (7) [manufactured by Jaban Epoxy Resin Co., Ltd., YX-4000H, melting point 105 ° C., epoxy equivalent 191]

Figure 0005605394
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・酸化ポリエチレンワックス２（滴点１０５℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量１１００、密度０．９７ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス３（滴点１３５℃、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量３０００、密度０．９９ｇ／ｃｍ３、平均粒径４０μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス４（滴点１１０℃、酸価１２ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量１２００、密度０．９７ｇ／ｃｍ３、平均粒径５０μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物） Oxidized polyethylene wax 2 (drop point 105 ° C., acid value 20 mg KOH / g, number average molecular weight 1100, density 0.97 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, low pressure polymerization method Polyethylene wax oxide manufactured by
Oxidized polyethylene wax 3 (drop point 135 ° C., acid value 25 mgKOH / g, number average molecular weight 3000, density 0.99 g / cm 3 , average particle size 40 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high density polyethylene Polymer oxide)
Oxidized polyethylene wax 4 (drop point 110 ° C., acid value 12 mg KOH / g, number average molecular weight 1200, density 0.97 g / cm 3 , average particle diameter 50 μm, particle diameter 106 μm or more, 0.0% by weight, high density polyethylene Polymer oxide)

・酸化ポリエチレンワックス５（滴点１１０℃、酸価４５ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、密度０．９７ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス６（滴点１１０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量７５０、密度０．９８ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス７（滴点１３０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量４５００、密度０．９９ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物） Oxidized polyethylene wax 5 (drop point 110 ° C., acid value 45 mg KOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.97 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high pressure polymerization method Polyethylene wax oxide manufactured by
Oxidized polyethylene wax 6 (drop point 110 ° C., acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 750, density 0.98 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high density polyethylene Polymer oxide)
Oxidized polyethylene wax 7 (drop point 130 ° C., acid value 20 mg KOH / g, number average molecular weight 4500, density 0.99 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high pressure polymerization method Polyethylene wax oxide manufactured by

・酸化ポリエチレンワックス８（滴点１１０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量１１００、密度０．９５ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックスの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス９（滴点１１０℃、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、密度１．０２ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス１０（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、密度０．９８ｇ／ｃｍ３、平均粒径３０μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物）
・酸化ポリエチレンワックス１１（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、密度０．９８ｇ／ｃｍ３、平均粒径６０μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高密度ポリエチレンポリマーの酸化物） Oxidized polyethylene wax 8 (drop point 110 ° C., acid value 20 mg KOH / g, number average molecular weight 1100, density 0.95 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, low pressure polymerization method Polyethylene wax oxide manufactured by
Oxidized polyethylene wax 9 (dropping point 110 ° C., acid value 25 mg KOH / g, number average molecular weight 2000, density 1.02 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high density polyethylene Polymer oxide)
Oxidized polyethylene wax 10 (drop point 120 ° C., acid value 20 mgKOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.98 g / cm 3 , average particle size 30 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high density polyethylene Polymer oxide)
Oxidized polyethylene wax 11 (drop point 120 ° C., acid value 20 mg KOH / g, number average molecular weight 2000, density 0.98 g / cm 3 , average particle size 60 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, high density polyethylene Polymer oxide)

・ポリエチレンワックス１（滴点１３５℃、酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量５５００、密度０．９３ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、低圧重合法によって製造されたポリエチレンワックス）
・ポリエチレンワックス２（滴点１１５℃、酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量１８００、密度０．９３ｇ／ｃｍ３、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、高圧重合法によって製造されたポリエチレンワックス） Polyethylene wax 1 (drop point 135 ° C., acid value 0 mg KOH / g, number average molecular weight 5500, density 0.93 g / cm 3 , average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, by low pressure polymerization method Manufactured polyethylene wax)
Polyethylene wax 2 (drop point 115 ° C., acid value 0 mg KOH / g, number average molecular weight 1800, density 0.93 g / cm 3 , average particle diameter 45 μm, particle diameter 106 μm or more, 0.0% by weight, by high pressure polymerization method Manufactured polyethylene wax)

・１，２−ジヒドロキシナフタレン（試薬）
・カテコール（試薬）
・ピロガロール（試薬）
・１，６−ジヒドロキシナフタレン（試薬）
・レゾルシノール（試薬） ・ 1,2-Dihydroxynaphthalene (reagent)
・ Catechol (reagent)
・ Pyrogallol (reagent)
・ 1,6-Dihydroxynaphthalene (reagent)
・ Resorcinol (reagent)

Figure 0005605394
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Figure 0005605394
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実施例ａ１〜ａ２３のいずれにおいても、スパイラルフロー及び金線変形率において良好な結果が得られ、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が流動性に優れていることが確認され、さらに連続成形性にも優れていることが確認された。さらに、成形品表面及び金型表面に汚れが認められず、金型に対する成形体の離型性優れていることが確認され、耐半田リフロー性にも優れていることが確認された。   In any of Examples a1 to a23, good results were obtained in the spiral flow and the gold wire deformation rate, it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was excellent in fluidity, and further in continuous moldability. Also confirmed to be excellent. Further, no contamination was observed on the surface of the molded product and the surface of the mold, and it was confirmed that the molded product was excellent in releasability from the mold, and was also excellent in solder reflow resistance.

一方、一般式（４）で示されるエポキシ樹脂、および一般式（６）で示されるフェノール樹脂を用いていない比較例ａ１では、低吸湿化と高温時での低応力化を図ることができず、耐半田リフロー性が劣る結果となった。   On the other hand, in the comparative example a1 in which the epoxy resin represented by the general formula (4) and the phenol resin represented by the general formula (6) are not used, it is not possible to achieve low moisture absorption and low stress at high temperatures. The solder reflow resistance was inferior.

また、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）を用いていない比較例ａ２、ａ３では、連続成形性（生産性）が悪化し、成形品外観、金型の汚れ、耐半田リフロー性も劣る結果となった。酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の配合量が不足している比較例ａ４では、離型性が低下することにより、連続成形性と耐半田リフロー性が劣る結果となった。酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）の配合量が過剰である比較例ａ５では、過剰成分が部材との界面及び硬化物表面にブリードすることにより、金型表面の汚れと、さらに成形品の表面の汚れを確認した。さらに、耐半田リフロー性も劣る結果となった。   Further, in Comparative Examples a2 and a3 in which the oxidized polyethylene wax (E1) was not used, the continuous moldability (productivity) was deteriorated, and the appearance of the molded product, the contamination of the mold, and the solder reflow resistance were inferior. In Comparative Example a4 in which the blending amount of the oxidized polyethylene wax (E1) is insufficient, the releasability is lowered, resulting in inferior continuous moldability and solder reflow resistance. In Comparative Example a5 in which the blending amount of the oxidized polyethylene wax (E1) is excessive, the excess component bleeds to the interface with the member and the surface of the cured product, thereby causing contamination on the mold surface and further on the surface of the molded product. confirmed. Furthermore, the solder reflow resistance was inferior.

また、化合物（Ｇ）を添加していない比較例ａ６、ａ８及びａ９では、樹脂組成物の流動性が低下し、金線変形率が悪化する結果となった。さらに比較例ａ８及びａ９では、耐半田リフロー性も劣る結果となった。化合物（Ｇ）の配合量が過剰である比較例ａ７では、樹脂組成物の硬化性が低下することにより、連続成形性（生産性）が悪化し、成形品表面および金型表面に汚れを確認した。   Moreover, in Comparative Examples a6, a8 and a9 in which the compound (G) was not added, the fluidity of the resin composition was lowered, and the gold wire deformation rate was deteriorated. Furthermore, in Comparative Examples a8 and a9, the solder reflow resistance was inferior. In Comparative Example a7 in which the compounding amount of compound (G) is excessive, continuous moldability (productivity) deteriorates due to a decrease in the curability of the resin composition, and contamination is confirmed on the surface of the molded product and the mold surface. did.

以上のように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、流動性、離型性、連続成形性のバランスに優れ、さらにこの樹脂組成物を用いることにより、耐半田リフロー性に優れた半導体装置パッケージを提供することができることが確認された。   As described above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is excellent in balance of fluidity, mold release property, and continuous moldability, and further excellent in solder reflow resistance by using this resin composition. It has been confirmed that a semiconductor device package can be provided.

＜実施例Ｂ＞
（実施例ｂ１）
実施例ｂ１においては、以下の原料を用いた。
・上記式（４）のエポキシ樹脂（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂）［日本化薬製、ＮＣ３０００Ｐ、軟化点５８℃、エポキシ当量２７３］
７．３６重量部
・上記式（５）のフェノール樹脂（フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂［三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、軟化点６５℃、水酸基当量１７４］
４．６９重量部
・ＤＢＵ ０．２０重量部
・球状溶融シリカ（平均粒径３０．０μｍ） ８７．００重量部
・グリセリントリモンタン酸エステル（クラリアントジャパン（株）製、リコルブＷＥ４、滴点８２℃、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％） ０．１０重量部
・γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン ０．３０重量部
・２，３−ジヒドロキシナフタレン（試薬） ０．０５重量部
・カーボンブラック ０．３０重量部 <Example B>
(Example b1)
In Example b1, the following raw materials were used.
-Epoxy resin of the above formula (4) (phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton) [manufactured by Nippon Kayaku, NC3000P, softening point 58 ° C, epoxy equivalent 273]
7.36 parts by weight of phenol resin of the above formula (5) (phenol aralkyl resin having a phenylene skeleton [manufactured by Mitsui Chemicals, XLC-4L, softening point 65 ° C., hydroxyl group equivalent 174]
4.69 parts by weight. DBU 0.20 part by weight. Spherical fused silica (average particle size 30.0 .mu.m) 87.00 parts by weight. Glycerol trimontanate (manufactured by Clariant Japan Co., Ltd., Recolve WE4, dropping point 82.degree. , Acid value 25 mgKOH / g, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more particles 0.0 wt%) 0.10 parts by weight · γ-glycidylpropyltrimethoxysilane 0.30 parts by weight · 2,3-dihydroxynaphthalene ( Reagent) 0.05 part by weight, carbon black 0.30 part by weight

上記の原料を、ミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を、実施例Ａと同様の方法で評価した。結果を表４に示す。   The above raw materials are mixed using a mixer, then kneaded 20 times using biaxial rolls having surface temperatures of 95 ° C. and 25 ° C., and the resulting kneaded material sheet is cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition. It was. The properties of the obtained epoxy resin composition were evaluated in the same manner as in Example A. The results are shown in Table 4.

（実施例ｂ２〜ｂ１５、比較例ｂ１〜ｂ８）
表４、表５、表６に示す割合で各成分を配合し、実施例ｂ１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例ｂ１と同様にして評価した。結果を表４、表５、表６に示す。
上記以外で用いた成分について、以下に示す。
・グリセリントリメリシン酸エステル（滴点９５℃、酸価３０ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％）
・グリセリントリベヘン酸エステル（滴点８０℃、酸価１５ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％）
・グリセリンモノステアリン酸エステル（理研ビタミン（株）製、リケマールＳ−１００、滴点６５℃、酸価２ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％） (Examples b2-b15, comparative examples b1-b8)
Each component was mix | blended in the ratio shown in Table 4, Table 5, and Table 6, the epoxy resin composition was obtained like Example b1, and it evaluated similarly to Example b1. The results are shown in Table 4, Table 5, and Table 6.
The components used other than the above are shown below.
・ Glycerin trimellisin ester (drop point 95 ° C., acid value 30 mg KOH / g, average particle size 45 μm, particle size 0.06% by weight of 106 μm or more)
・ Glycerin tribehenate (drop point 80 ° C., acid value 15 mgKOH / g, average particle size 45 μm, particle size 0.06% by weight of 106 μm or more)
・ Glycerin monostearate (Riken Vitamin Co., Ltd., Riquemar S-100, dropping point 65 ° C., acid value 2 mgKOH / g, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more 0.0% by weight)

Figure 0005605394
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実施例ｂ１〜ｂ１５のいずれにおいても、スパイラルフロー及び金線変形率において良好な結果が得られ、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が流動性に優れていることが確認され、さらに連続成形性にも優れていることが確認された。さらに、成形品表面及び金型表面に汚れが認められず、金型に対する成形体の離型性優れていることが確認され、耐半田リフロー性にも優れていることが確認された。   In any of Examples b1 to b15, good results were obtained in the spiral flow and the gold wire deformation rate, and it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was excellent in fluidity, and further in continuous moldability. Also confirmed to be excellent. Further, no contamination was observed on the surface of the molded product and the surface of the mold, and it was confirmed that the molded product was excellent in releasability from the mold, and was also excellent in solder reflow resistance.

一方、一般式（４）で示されるエポキシ樹脂、および一般式（６）で示されるフェノール樹脂を用いていない比較例ｂ１では、低吸湿化と高温時での低応力化を図ることができず、耐半田リフロー性が劣る結果となった。   On the other hand, in the comparative example b1 in which the epoxy resin represented by the general formula (4) and the phenol resin represented by the general formula (6) are not used, it is not possible to achieve low moisture absorption and low stress at high temperatures. The solder reflow resistance was inferior.

また、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）を用いていない比較例ｂ２では、連続成形性（生産性）が悪化し、成形品外観、金型の汚れ、耐半田リフロー性も劣る結果となった。グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の配合量が不足している比較例ｂ３では、離型性が低下することにより、連続成形性と耐半田リフロー性が劣る結果となった。グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ）の配合量が過剰である比較例ｂ４では、過剰成分が部材との界面及び硬化物表面にブリードすることにより、金型表面の汚れと、さらに成形品の表面の汚れを確認した。さらに、耐半田リフロー性も劣る結果となった。   Further, in Comparative Example b2 in which glycerin trifatty acid ester (E2) was not used, the continuous moldability (productivity) was deteriorated, and the molded product appearance, mold contamination, and solder reflow resistance were inferior. In Comparative Example b3 in which the blending amount of glycerin trifatty acid ester (E2) is insufficient, continuous moldability and solder reflow resistance were inferior due to a decrease in releasability. In Comparative Example b4 in which the blending amount of glycerin trifatty acid ester (E) is excessive, the excess component bleeds to the interface with the member and the surface of the cured product, thereby causing contamination on the mold surface and further on the surface of the molded product. It was confirmed. Furthermore, the solder reflow resistance was inferior.

また、化合物（Ｇ）を添加していない比較例ｂ５、ｂ７及びｂ８では、樹脂組成物の流動性が低下し、金線変形率が悪化する結果となった。さらに比較例ｂ７及びｂ８では、耐半田リフロー性も劣る結果となった。化合物（Ｇ）の配合量が過剰である比較例ｂ６では、樹脂組成物の硬化性が低下することにより、連続成形性（生産性）が悪化し、成形品表面および金型表面に汚れを確認した。   Further, in Comparative Examples b5, b7 and b8 to which no compound (G) was added, the fluidity of the resin composition was lowered, and the gold wire deformation rate was deteriorated. Further, in Comparative Examples b7 and b8, the solder reflow resistance was inferior. In Comparative Example b6 in which the compounding amount of compound (G) is excessive, continuous moldability (productivity) deteriorates due to a decrease in the curability of the resin composition, and contamination is confirmed on the surface of the molded product and the mold surface. did.

以上のように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、流動性、離型性、連続成形性のバランスに優れ、さらにこの樹脂組成物を用いることにより、耐半田リフロー性に優れた半導体装置パッケージを提供することができることが確認された。   As described above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is excellent in balance of fluidity, mold release property, and continuous moldability, and further excellent in solder reflow resistance by using this resin composition. It has been confirmed that a semiconductor device package can be provided.

＜実施例Ｃ＞
（実施例ｃ１）
実施例ｃ１においては、以下の原料を用いた。
・上記式（４）のエポキシ樹脂（ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂）［日本化薬製、ＮＣ３０００Ｐ、軟化点５８℃、エポキシ当量２７３］
７．３６重量部
・上記式（５）のフェノール樹脂（フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂［三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、軟化点６５℃、水酸基当量１７４］
４．６９重量部
・ＤＢＵ ０．２０重量部
・球状溶融シリカ（平均粒径３０．０μｍ） ８７．００重量部
・酸化パラフィンワックス１（軟化点１００℃、酸価１５ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％）
０．１０重量部
・γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン ０．３０重量部
・２，３−ジヒドロキシナフタレン（試薬） ０．０５重量部
・カーボンブラック ０．３０重量部 <Example C>
(Example c1)
In Example c1, the following raw materials were used.
-Epoxy resin of the above formula (4) (phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton) [manufactured by Nippon Kayaku, NC3000P, softening point 58 ° C, epoxy equivalent 273]
7.36 parts by weight of phenol resin of the above formula (5) (phenol aralkyl resin having a phenylene skeleton [manufactured by Mitsui Chemicals, XLC-4L, softening point 65 ° C., hydroxyl group equivalent 174]
4.69 parts by weight. DBU 0.20 parts by weight. Spherical fused silica (average particle size 30.0 .mu.m) 87.00 parts by weight. Oxidized paraffin wax 1 (softening point 100.degree. C., acid value 15 mg KOH / g, average particle size 45 .mu.m. , 0.0% by weight of particles having a particle size of 106 μm or more)
0.10 parts by weight • γ-glycidylpropyltrimethoxysilane 0.30 parts by weight • 2,3-dihydroxynaphthalene (reagent) 0.05 parts by weight • carbon black 0.30 parts by weight

上記の原料をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を実施例Ａと同様の方法で評価した。結果を表７に示す。   After mixing the above raw materials using a mixer, the kneaded product sheet obtained by kneading 20 times using a biaxial roll having surface temperatures of 95 ° C. and 25 ° C. is cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition and did. The properties of the obtained epoxy resin composition were evaluated in the same manner as in Example A. The results are shown in Table 7.

（実施例ｃ２〜ｃ１４、比較例ｃ１〜ｃ８）
表７、表８、表９に示す割合で各成分を配合し、実施例ｃ１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例ｃ１と同様にして評価した。結果を表７、表８、表９に示す。
上記以外で用いた成分について、以下に示す。
・酸化パラフィンワックス２（軟化点１０５℃、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％）
・パラフィンワックス（軟化点７０℃、酸価０ｍｇＫＯＨ／ｇ、平均粒径４５μｍ、粒径１０６μｍ以上の粒子０．０重量％、非酸化品） (Examples c2 to c14, comparative examples c1 to c8)
Each component was mix | blended in the ratio shown in Table 7, Table 8, and Table 9, the epoxy resin composition was obtained like Example c1, and it evaluated similarly to Example c1. The results are shown in Table 7, Table 8, and Table 9.
The components used other than the above are shown below.
Oxidized paraffin wax 2 (softening point 105 ° C., acid value 25 mg KOH / g, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more 0.0% by weight)
Paraffin wax (softening point 70 ° C., acid value 0 mg KOH / g, average particle size 45 μm, particle size 106 μm or more, 0.0% by weight, non-oxidized product)

Figure 0005605394
Figure 0005605394

Figure 0005605394
Figure 0005605394

Figure 0005605394
Figure 0005605394

実施例ｃ１〜ｃ１４のいずれにおいても、スパイラルフロー及び金線変形率において良好な結果が得られ、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が流動性に優れていることが確認され、さらに連続成形性にも優れていることが確認された。さらに、成形品表面及び金型表面に汚れが認められず、金型に対する成形体の離型性優れていることが確認され、耐半田リフロー性にも優れていることが確認された。   In any of Examples c1 to c14, good results were obtained in spiral flow and gold wire deformation rate, and it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was excellent in fluidity, and further in continuous moldability. Also confirmed to be excellent. Further, no contamination was observed on the surface of the molded product and the surface of the mold, and it was confirmed that the molded product was excellent in releasability from the mold, and was also excellent in solder reflow resistance.

一方、一般式（４）で示されるエポキシ樹脂、および一般式（６）で示されるフェノール樹脂を用いていない比較例ｃ１では、低吸湿化と高温時での低応力化を図ることができず、耐半田リフロー性が劣る結果となった。   On the other hand, in the comparative example c1 which does not use the epoxy resin represented by the general formula (4) and the phenol resin represented by the general formula (6), it is not possible to achieve low moisture absorption and low stress at high temperatures. The solder reflow resistance was inferior.

また、酸化パラフィンワックス（Ｅ３）を用いていない比較例ｃ２では、連続成形性（生産性）が悪化し、成形品外観、金型の汚れ、耐半田リフロー性も劣る結果となった。酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の配合量が不足している比較例ｃ３では、離型性が低下することにより、連続成形性と耐半田リフロー性が劣る結果となった。酸化パラフィンワックス（Ｅ３）の配合量が過剰である比較例ｃ４では、過剰成分が部材との界面及び硬化物表面にブリードすることにより、金型表面の汚れと、さらに成形品の表面の汚れを確認した。さらに、耐半田リフロー性も劣る結果となった。   Further, in Comparative Example c2 in which the oxidized paraffin wax (E3) was not used, the continuous moldability (productivity) was deteriorated, and the molded product appearance, mold contamination, and solder reflow resistance were inferior. In Comparative Example c3 in which the blending amount of the oxidized paraffin wax (E3) is insufficient, the releasability is lowered, resulting in inferior continuous moldability and solder reflow resistance. In Comparative Example c4 in which the blending amount of the oxidized paraffin wax (E3) is excessive, the excess component bleeds to the interface with the member and the surface of the cured product, thereby causing contamination on the mold surface and further on the surface of the molded product. confirmed. Furthermore, the solder reflow resistance was inferior.

また、化合物（Ｇ）を添加していない比較例ｃ５、ｃ７及びｃ８では、樹脂組成物の流動性が低下し、金線変形率が悪化する結果となった。さらに比較例ｃ７及びｃ８では、耐半田リフロー性も劣る結果となった。化合物（Ｇ）の配合量が過剰である比較例ｃ６では、樹脂組成物の硬化性が低下することにより、連続成形性（生産性）が悪化し、成形品表面および金型表面に汚れを確認した。   Moreover, in Comparative Examples c5, c7 and c8 to which no compound (G) was added, the fluidity of the resin composition was lowered, and the gold wire deformation rate was deteriorated. In Comparative Examples c7 and c8, the solder reflow resistance was inferior. In Comparative Example c6 in which the compounding amount of compound (G) is excessive, continuous moldability (productivity) is deteriorated due to a decrease in the curability of the resin composition, and contamination is confirmed on the surface of the molded product and the mold surface. did.

以上のように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、流動性、離型性、連続成形性のバランスに優れ、さらにこの樹脂組成物を用いることにより、耐半田リフロー性に優れた半導体装置パッケージを提供することができることが確認された。   As described above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is excellent in balance of fluidity, mold release property, and continuous moldability, and further excellent in solder reflow resistance by using this resin composition. It has been confirmed that a semiconductor device package can be provided.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、流動性、離型性、連続成形性等に優れ、さらに耐半田リフロー性等の硬化物特性にも優れている。そのため、半導体素子を封止する材料として好適に用いることができ、さらに該樹脂組成物により半導体素子を封止してなる半導体装置を提供することができる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is excellent in fluidity, releasability, continuous moldability and the like, and is also excellent in cured product characteristics such as solder reflow resistance. Therefore, it can be suitably used as a material for sealing a semiconductor element, and a semiconductor device in which the semiconductor element is sealed with the resin composition can be provided.

Claims (10)

（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機質充填材、
（Ｅ２）グリセリントリ脂肪酸エステル、
（Ｆ）シランカップリング剤、及び
（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物
を含み、
前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記フェノール樹脂（Ｂ）のうちの少なくとも一方が、下記一般式（１）
Figure 0005605394
 （上記一般式（１）において、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、複数存在するＲは互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは、グリシジルエーテル基又は水酸基である。ｎは平均値で、１〜３の正数である。）
で表される樹脂を含み、
全エポキシ樹脂組成物中に、前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）を０．０１重量％以上、１重量％以下、前記化合物（Ｇ）を０．０１重量％以上、１重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A) epoxy resin,
(B) phenolic resin,
(C) a curing accelerator,
(D) inorganic filler,
(E2) glycerin trifatty acid ester,
(F) a silane coupling agent, and (G) a compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring,
At least one of the epoxy resin (A) and the phenol resin (B) is represented by the following general formula (1)
Figure 0005605394
 (In the general formula (1), R is a group selected from a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different from each other. , Glycidyl ether group or hydroxyl group, n is an average value and is a positive number of 1 to 3.)
Including a resin represented by
The total epoxy resin composition contains 0.01% by weight or more and 1% by weight or less of the glycerin trifatty acid ester (E2), and 0.01% by weight or more and 1% by weight or less of the compound (G). An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. 全エポキシ樹脂組成物中に、前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）を０．０１重量％以上、０．５重量％以下含む、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the total epoxy resin composition contains 0.01 to 0.5% by weight of the glycerin trifatty acid ester (E2). 全エポキシ樹脂組成物中に、前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）を０．０３重量％以上、０．５重量％以下含む、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the total epoxy resin composition contains 0.03 wt% or more and 0.5 wt% or less of the glycerin trifatty acid ester (E2). 全エポキシ樹脂組成物中に、前記化合物（Ｇ）を０．０３重量％以上、０．８重量％以下含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 3, wherein the total epoxy resin composition contains the compound (G) in an amount of 0.03% by weight to 0.8% by weight. 前記化合物（Ｇ）が、下記一般式（２）
Figure 0005605394
 （上記一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ５はいずれか一方が水酸基であり、一方が水酸基のとき、他方は水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、各々独立に水素原子、水酸基、又は水酸基以外の置換基であってもよく、またＲ２およびＲ３、又はＲ３およびＲ４が結合して芳香環を形成していてもよい。）で表される請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The compound (G) is represented by the following general formula (2)
Figure 0005605394
 (In the general formula (2), one of R 1 and R 5 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R 2 , R 3 , R 4 may be each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group, or R 2 and R 3 , or R 3 and R 4 may combine to form an aromatic ring. It is good.) The epoxy resin composition for semiconductor sealing in any one of Claims 1 thru | or 4 represented by these. 前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の滴点が７０℃以上、１２０℃以下である請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 5, wherein a dropping point of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 70 ° C or higher and 120 ° C or lower. 前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の平均粒径が２０μｍ以上７０μｍ以下であり、全グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）中における粒径１０６μｍ以上の粒子の含有比率が０．１重量％以下である請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The average particle size of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 20 µm or more and 70 µm or less, and the content ratio of particles having a particle size of 106 µm or more in the total glycerin trifatty acid ester (E2) is 0.1 wt% or less. The epoxy resin composition for semiconductor sealing in any one of 1 thru | or 6 . 前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）の酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 7 , wherein an acid value of the glycerin trifatty acid ester (E2) is 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less. 前記グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）が、グリセリンと、炭素数２４以上３６以下の飽和脂肪酸とのトリエステル化合物である請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 8 , wherein the glycerin trifatty acid ester (E2) is a triester compound of glycerin and a saturated fatty acid having 24 to 36 carbon atoms. 請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 Wherein a obtained by encapsulating a semiconductor element using the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 9.
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