JP5594295B2 - Cylindrical member polishing apparatus and cylindrical member polishing method - Google Patents
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Description
本発明は、硬脆材料からなる円柱状の被加工物の外周面を研磨する研磨装置に関するものである。 The present invention relates to a polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a cylindrical workpiece made of a hard and brittle material.
本発明の研磨対象となる硬脆材料の円柱状部材には、例えば、ワイヤソーによりスライス加工をしてシリコンウエハを得るための材料となるシリコンブロックがあって、該シリコンブロックは、素材が単結晶、あるいは多結晶からなるシリコンインゴットをバンドソーもしくはワイヤソーにより切断して円柱形状に形成されるものであるが、前記切断後の外形寸法に関する要求精度が高い場合はその表層面を研削処理する。 The cylindrical member of the hard and brittle material to be polished of the present invention includes, for example, a silicon block that is a material for obtaining a silicon wafer by slicing with a wire saw, and the silicon block is made of a single crystal. Alternatively, a silicon ingot made of a polycrystal is cut into a cylindrical shape by cutting with a band saw or a wire saw. If the required accuracy regarding the external dimensions after the cutting is high, the surface layer is ground.
チョコラルスキー法(CZ法)などで得られる単結晶シリコンブロックや、鋳造法などで得られる多結晶シリコンブロックは、次工程にてワイヤソーによりスライス加工されてシリコンウエハが製造されるものであるが、表層部にマイクロクラックや微小凹凸が存在するとスライス加工時に製造されたシリコンウエハの割れ・欠けが発生し易いために、特許文献1および特許文献2において、シリコンブロックの表層部を研磨除去することによって前記表層部に存在する微小凹凸(およびマイクロクラック)を除去し、シリコンウエハの製品歩留まりの向上を図ることが開示されている。特に、特許文献1においては、表面から50〜100μm以上、200μm以下のシリコンブロックの表層部を研磨除去することによって、研磨前の表面粗さRy10〜20μmを3〜4μmに平坦化することが開示されている。また、シリコンブロックの研磨装置として特許文献3が開示されている。
A single crystal silicon block obtained by a chocolate ski method (CZ method) or a polycrystalline silicon block obtained by a casting method or the like is a silicon wafer that is sliced by a wire saw in the next step. If there are microcracks or micro unevenness in the surface layer portion, the silicon wafer manufactured at the time of slicing is likely to be cracked or chipped. Therefore, in
特許文献1: 特開2005−347712号公報
特許文献2: 特開2002−252188号公報
特許文献3: 特開2009−233794号公報Patent Document 1: JP-A-2005-347712 Patent Document 2: JP-A-2002-252188 Patent Document 3: JP-A-2009-233794
特許文献1ないし特許文献3はいずれも、は四角柱状部材のシリコンブロックの表層部の研磨方法および研磨装置についての開示であり、本願発明が行おうとしている円柱部材の表層部の研磨加工を行う装置については開示されていない。また、断面が真円を形成していない円柱状部材や、円柱部材の製造状のばらつきにより断面の径が異なる場合があり、これらを効率よく研磨する装置が望まれている。
本発明は、前記の要求事項を満足させるとともに被加工物である円柱状のシリコンブロック等の硬脆材料の外周面の研磨加工を1台の装置で研磨を可能とした研磨装置とその研磨方法を提供する。 The present invention provides a polishing apparatus and a polishing method that can satisfy the above-mentioned requirements and can polish the outer peripheral surface of a hard and brittle material such as a cylindrical silicon block, which is a workpiece, with a single apparatus. I will provide a.
被加工物の回転手段に連結し、前記被加工物の両端面を挟持する挟持手段と、前記被加工物の外周面を研磨加工する研磨手段と、前記研磨手段に対し前記被加工物を、前記被加工物の略円形である断面方向と直交する長手方向に相対的に移動させる移動手段と、研磨加工完成品および研磨加工前の被加工物の高さ位置を検出させる高さ位置検出手段と、前記高さ位置および加工条件が入力され、これを演算して研磨加工を行う制御手段と、を備えた円柱状の被加工物の外周面の表層部を研磨する研磨装置であって、前記研磨手段は、前記被加工物の外周面に先端が接触回転する砥石と、砥粒を含有した毛材または砥粒を含有した弾性体を備え、かつ前記被加工物の外周面に先端が接触回転する研磨ブラシと、を少なくともそれぞれ1つ以上備え、前記砥石と前記研磨ブラシは円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設して配置されている。(第1の発明) Connecting to the rotating means of the workpiece, clamping means for clamping the both end faces of the workpiece, polishing means for polishing the outer peripheral surface of the workpiece, the workpiece to the polishing means, A moving means for relatively moving in a longitudinal direction orthogonal to the cross-sectional direction which is a substantially circular shape of the workpiece, and a height position detecting means for detecting the height position of the finished polished product and the workpiece before polishing. A polishing device for polishing a surface layer portion of an outer peripheral surface of a cylindrical workpiece, comprising: a control means for performing polishing by calculating the height position and processing conditions; The polishing means includes a grindstone whose tip rotates in contact with the outer peripheral surface of the workpiece, and a hair material containing abrasive grains or an elastic body containing abrasive grains, and the tip is provided on the outer peripheral surface of the workpiece. At least one polishing brush that rotates in contact with each other , The polishing brush and the grinding wheel are arranged consecutively provided along the axis of the cylindrical workpiece. (First invention)
また、第1の発明に記載の円柱状部材の研磨装置であって、前記研磨手段が、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設して配置された砥石と研磨ブラシの第1の研磨手段と、同じく円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設して配置された砥石と研磨ブラシの第2の研磨手段とから成り、
該第1の研磨手段の砥石と研磨ブラシ、および該第2の研磨手段の砥石と研磨ブラシの各々は対を成し、対を成す砥石と研磨ブラシの各々は、被加工物の円形断面の同一面内において配置され、前記第1の研磨手段と前記第2の研磨手段の軸芯は、被加工物の半径方向に一致するように配置されており、かつ、対を成す前記第1の研磨手段の軸芯と前記第2の研磨手段の軸芯は、所定の角度θを構成するように、被加工物の断面中心で交わるように配置されている。(第2の発明)Further, in the cylindrical member polishing apparatus according to the first invention, the polishing means includes a first grindstone and a polishing brush arranged continuously along the axis of the columnar workpiece. The polishing means, and a grinding wheel arranged continuously along the axis of the cylindrical workpiece and the second polishing means of the polishing brush,
Each of the grindstone and the polishing brush of the first polishing means, and each of the grindstone and the polishing brush of the second polishing means make a pair, and each of the pair of the grindstone and the polishing brush has a circular cross section of the workpiece. The first polishing means and the second polishing means are arranged in the same plane, the axial centers of the first polishing means and the second polishing means are arranged so as to coincide with the radial direction of the workpiece, and the first core forming a pair The axis of the polishing means and the axis of the second polishing means are arranged so as to intersect at the center of the cross section of the workpiece so as to form a predetermined angle θ. (Second invention)
また、第1または第2の発明に記載の円柱状部材の研磨装置において、前記制御手段における演算は、前記被加工物の円周方向の2箇所以上の軸芯からの高さ位置の差の演算と、前記研磨加工完成品の高さ位置と前記研磨前の被加工物の高さ位置の差の演算と、入力された加工条件より他の加工条件を設定するための演算と、の少なくともいずれか1つを含む(第3の発明) Further, in the cylindrical member polishing apparatus according to the first or second invention, the calculation in the control means is performed by calculating a difference in height position from two or more axial centers in the circumferential direction of the workpiece. At least a calculation, a calculation of a difference between a height position of the finished product after polishing and a height position of the workpiece before polishing, and a calculation for setting other processing conditions than the input processing conditions Including any one (third invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置において、前記研磨ブラシは砥粒を含有した毛材が該研磨ブラシの底部にリング状に複数本植設された構造である。(第4の発明) Further, in the columnar member polishing apparatus according to any one of the first to third inventions, a plurality of bristle materials containing abrasive grains are planted in a ring shape at the bottom of the polishing brush. Structure. (Fourth invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置において、前記研磨ブラシは、砥粒を含有した毛材を複数本束ねた研磨具の基部が研磨具取付プレートに複数本固定された構造である。(第5の発明) Further, in the cylindrical member polishing apparatus according to any one of the first to third inventions, the polishing brush has a polishing tool mounting plate in which a base of a polishing tool in which a plurality of bristle materials containing abrasive grains are bundled is used. It is a structure that is fixed to a plurality. (Fifth invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置であって、前記研磨ブラシは、砥粒を含有した弾性体が該研磨ブラシ手段の底部にリング状に配設された構造である。(第6の発明) Further, in the cylindrical member polishing apparatus according to any one of the first to third inventions, the polishing brush has an elastic body containing abrasive grains arranged in a ring shape at the bottom of the polishing brush means. It is the structure that was established. (Sixth invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置であって、前記砥石を形成する研磨材の粒度がF60〜#800である。(第7の発明) Moreover, it is a cylindrical member grinding | polishing apparatus as described in any one of 1st thru | or 3rd invention, Comprising: The particle size of the abrasives which form the said grindstone is F60- # 800. (Seventh invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置であって、前記研磨手段に使用される毛材または弾性体に混合される砥粒の粒度がF180〜#2000であって、その粒度が異なる毛材または弾性体を有する研磨手段を2種類以上選択し、砥粒の粒度が異なる研磨手段が、砥粒の粒度が「粗」から「細」の順に研磨加工するように、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設されている。(第8の発明) The cylindrical member polishing apparatus according to any one of the first to third inventions, wherein the abrasive grains mixed in the bristle material or the elastic body used in the polishing means have a particle size of F180 to #. Two or more kinds of polishing means having hair materials or elastic bodies having different particle sizes are selected, and polishing means having different abrasive particle sizes are polished in the order of coarse particles to fine particles. It continues along the axial center of a column-shaped workpiece so that it may process. (Eighth invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置であって、前記研磨手段に使用される毛材または弾性体に混合される砥粒の粒度がF180〜#2000であって、その粒度が略同一なる毛材または弾性体を有する研磨手段が、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設されている。(第9の発明) The cylindrical member polishing apparatus according to any one of the first to third inventions, wherein the abrasive grains mixed in the bristle material or the elastic body used in the polishing means have a particle size of F180 to #. The polishing means having a bristle material or an elastic body having a particle size of approximately 2000 is provided continuously along the axis of the cylindrical workpiece. (9th invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つの発明に記載の円柱状部材の研磨装置によって研磨加工された円柱状部材であって、被加工物の表層より100μm以下に存在するマイクロクラックが除去され、かつ研磨加工面の表面粗さRyが3μm以下とされている。(第10の発明) Further, the cylindrical member is polished by the cylindrical member polishing apparatus according to any one of the first to third inventions, and microcracks existing below 100 μm are removed from the surface layer of the workpiece. The surface roughness Ry of the polished surface is 3 μm or less. (Tenth invention)
また、第10の発明に記載の円柱状部材はシリコンブロックまたはセラミックスである。(第11の発明) Further, the columnar member described in the tenth invention is a silicon block or ceramics. (Eleventh invention)
また、第1ないし第3のいずれか1つに記載の円柱状部材の研磨装置による円柱状部材の研磨方法において、前記挟持手段に挟持された被加工物を前記回転手段によって回転させると共に、前記砥石の先端を該被加工物の外周面に接触および回転をさせ、かつ該研磨手段を該被加工物に対して相対的に移動させることで被加工物の寸法を調整する寸法調整工程と、前記寸法調整工程の後、前記研磨ブラシの先端を該被加工物の外周面に接触および回転をさせ、かつ該研磨手段を被加工物に対して相対的に移動させることで被加工物の研磨加工を行う仕上げ工程と、を備える。(第12の発明) Further, in the method for polishing a cylindrical member by the cylindrical member polishing apparatus according to any one of the first to third aspects, the workpiece clamped by the clamping unit is rotated by the rotating unit, and the A dimension adjustment step of adjusting the dimension of the workpiece by contacting and rotating the tip of the grindstone with the outer peripheral surface of the workpiece and moving the polishing means relative to the workpiece; After the dimension adjustment step, the tip of the polishing brush is brought into contact with and rotated on the outer peripheral surface of the workpiece, and the polishing means is moved relative to the workpiece to polish the workpiece. And a finishing process for performing processing. (Twelfth invention)
また、第12の発明に記載の円柱状部材の研磨方法において、前記研磨ブラシに使用される毛材または弾性体に混合される砥粒の粒度がF180〜#2000であって、その粒度が異なる毛材または弾性体を有する研磨手段を2種類以上選択し、砥粒の粒度が異なる研磨手段を、砥粒の粒度が「粗」から「細」の順に研磨加工するように、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設して研磨する。(第13の発明) Moreover, in the grinding | polishing method of the cylindrical member as described in 12th invention, the particle size of the abrasive grain mixed with the bristle material used for the said polishing brush or an elastic body is F180- # 2000, Comprising: The particle size differs. Select two or more types of polishing means having a hair material or an elastic body, and polish the polishing means with different abrasive grain sizes so that the abrasive grains are polished in the order of coarse to fine. Polish along the axis of the workpiece. (13th invention)
また、第12の発明に記載の円柱状部材の研磨方法において、前記研磨ブラシに使用される毛材または弾性体に混合される砥粒の粒度がF180〜#2000であって、その粒度が略同一なる毛材または弾性体を有する研磨手段を、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設して研磨する。(第14の発明) Moreover, in the grinding | polishing method of the cylindrical member as described in 12th invention, the particle size of the abrasive grain mixed with the bristle material or elastic body used for the said polishing brush is F180- # 2000, Comprising: The particle size is substantially Polishing means having the same bristle material or elastic body is continuously provided along the axis of the cylindrical workpiece and polished. (14th invention)
発明の効果
前記研磨手段に備えられる砥石および研磨ブラシは円柱状の被加工物の外周面に接触すると共に回転手段によって被加工物が回転を行うことで、該被加工物の外周面を研磨加工することができる。また、挟持手段に挟持された該被加工物は前記回転手段(以降、回転手段(被加工物用)と記す)により円周方向に回転を行うので、該被加工物の外周面を均一に研磨加工することができる。先ず、前記砥石によって、被加工物を目標とする寸法近傍まで研磨し、その後研磨ブラシにて研磨を行うことで外周面の表層部に存在するマイクロクラックを除去することができる(第1、第12の発明)。また、前記砥石および前記研磨ブラシが前記被加工物の軸芯に沿って、第1の研磨手段と第2の研磨手段を配置することで、加工時間が短くなる(第2の発明)。前記砥石を形成する研磨材の粒度をF60〜#800(JIS R6001:1998)とすることで、前記寸法調整工程を効率よく行うことができる(第7の発明)。また、前記研磨ブラシは、砥粒を含有した毛材が該研磨ブラシの底部にリング状に複数本植設された構造、砥粒を含有した毛材を複数本束ねた研磨具の基部が研磨具取付プレートに複数本固定された構造、砥粒を含有した弾性体が該研磨ブラシ手段の底部にリング状に配設された構造、のうちから適宜選択することができる(第4、第5、第6の発明)。前記砥粒はF180〜#2000(JIS R6001:1998)の範囲から目的に応じて適宜選択することができ、前記研磨ブラシを複数台備えた研磨手段を用いた場合、それぞれの前記研磨ブラシに含有される砥粒の粒度が異なる場合、前記粒度が「粗」から「細」の順に、前記被加工物が通過し加工するように連設することで、一度の研磨加工にて被加工物の表層部のマイクロクラックおよび凹凸を除去することができ(第8、第13の発明)、前述の「粗」→「細」のような多段加工を必要とせず、1段階の加工で要求される表面が得られる場合(例えば、被加工物Wの表面のマイクロクラックが微小で、表面粗さが要求値に対して大差がない場合は「細」のみで加工)には、前記砥粒の粒度は、いずれの研磨手段も略同一とすることで加工時間を短縮することができる(第9、第14の発明)。なお、本明細書における研磨材および砥粒の「粒度が略同一」とは、「粒度が同一」の砥粒に加えて、「同等の研磨効果が得られる粒度」の研磨材および砥粒を含む概念である。Effects of the Invention The grindstone and polishing brush provided in the polishing means are in contact with the outer peripheral surface of a cylindrical workpiece, and the workpiece is rotated by the rotating means, whereby the outer peripheral surface of the workpiece is polished. can do. Further, since the workpiece clamped by the clamping means is rotated in the circumferential direction by the rotating means (hereinafter referred to as rotating means (for workpiece)), the outer peripheral surface of the workpiece is made uniform. It can be polished. First, the grindstone is used to grind the workpiece to the vicinity of the target dimension, and then the surface can be removed with a polishing brush to remove microcracks present on the surface layer portion of the outer peripheral surface (first and second). 12 inventions). In addition, the processing time is shortened by arranging the first polishing means and the second polishing means along the axis of the workpiece by the grindstone and the polishing brush (second invention). The said dimension adjustment process can be performed efficiently by making the particle size of the abrasives which form the said grindstone into F60- # 800 (JIS R6001: 1998) (7th invention). Further, the polishing brush has a structure in which a plurality of bristle materials containing abrasive grains are planted in a ring shape at the bottom of the polishing brush, and a base of a polishing tool in which a plurality of bristle materials containing abrasive grains are bundled A structure in which a plurality of fixing members are fixed to the tool mounting plate and a structure in which an elastic body containing abrasive grains is arranged in a ring shape at the bottom of the polishing brush means can be selected as appropriate (fourth and fifth). , Sixth invention). The abrasive grains can be appropriately selected according to the purpose from the range of F180 to # 2000 (JIS R6001: 1998). When a polishing means having a plurality of polishing brushes is used, each abrasive brush contains When the grain size of the abrasive grains is different, the workpieces are arranged in order from “rough” to “fine” so that the workpieces pass through and are processed, so that the workpieces can be processed in a single polishing process. Microcracks and irregularities in the surface layer can be removed (eighth and thirteenth inventions), and multi-stage processing such as “rough” → “thin” described above is not required, and one-step processing is required. When the surface is obtained (for example, when the surface of the workpiece W has micro cracks and the surface roughness is not greatly different from the required value, the processing is performed only with “fine”). Both polishing means should be approximately the same. And the processing time can be shortened (the ninth and fourteenth inventions). In this specification, the term “substantially the same particle size” of the abrasive and the abrasive means that the abrasive and the abrasive having “the same particle size can be obtained” in addition to the “the same particle size” abrasive. It is a concept that includes.
加工前の被加工物を挟持し、前記被加工物の軸芯と外周面との高さ位置を2箇所以上測定し、その差を演算することで、挟持箇所の軸芯からのずれがわかる。また、研磨開始前に研磨加工完成品の標準片(以降、「マスターワーク」と記す)を研磨手段により研磨加工を開始する高さ位置を高さ位置検出手段により検出して記憶させた後、被加工物の高さ位置を検出し、前記マスターワークにより検出した高さ位置と被加工物により検出した高さ位置との差分を演算することで、この演算結果に基づき前記研磨手段の先端と被加工物との距離を補正し、複数の被加工物の研磨加工を連続して行うことができる。また、入力された加工条件より他の加工条件を設定するための演算を行うことで、簡単な入力で正確に加工を行うことができる。前記制御手段による演算は、これらのうちからすくなくとも1つが行われる。なお、第
1の発明に記載の「入力」とは、手動(作業者)により制御手段に入力(記憶)された情報、自動で制御手段に入力(記憶)された情報、手動または/および自動で入力(記憶)された情報を元に演算した後に入力(記憶)された情報、のいずれをも含む。(第3の発明)The workpiece before processing is clamped, the height position between the shaft core and the outer peripheral surface of the workpiece is measured at two or more locations, and the difference between them is calculated, so that the deviation of the clamping location from the shaft core can be understood. . In addition, after starting polishing, a standard piece (hereinafter referred to as “master work”) of the finished polishing process is detected by the height position detecting means and stored by the polishing means by the polishing means, and stored. By detecting the height position of the workpiece and calculating the difference between the height position detected by the master work and the height position detected by the workpiece, based on the calculation result, the tip of the polishing means The distance to the workpiece can be corrected, and polishing of a plurality of workpieces can be performed continuously. Further, by performing calculations for setting other machining conditions than the inputted machining conditions, machining can be performed accurately with simple input. At least one of the operations performed by the control means is performed. The “input” described in the first invention means information input (stored) to the control means manually (operator), information automatically input (stored) to the control means, manual or / and automatic Any of the information input (stored) after the calculation based on the information input (stored) in (1) is included. (Third invention)
また、前記研磨装置を使用することより、表層より100μmのマイクロクラックが除去され、かつ表面粗さRyが3μm以下である円柱状部材を得ることができる。前記円柱状部材として、シリコンブロックやセラミックスといった硬脆材料を好適に用いることができる(第10、第11の発明)。 Further, by using the polishing apparatus, it is possible to obtain a columnar member in which 100 μm microcracks are removed from the surface layer and the surface roughness Ry is 3 μm or less. As the columnar member, a hard and brittle material such as a silicon block or ceramics can be suitably used (tenth and eleventh inventions).
本発明の第1の実施形態にかかる研磨装置の構成と研磨工程について、図を用いて説明する。第1の実施形態にかかる研磨装置は、砥石を1個と、研磨粗さが異なる研磨ブラシを2個連接した円柱状部材用の研磨装置である。なお、以下の説明における上下左右方向とは、特に断りのない限り、図中における上下左右方向を指す。 The configuration of the polishing apparatus and the polishing process according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The polishing apparatus according to the first embodiment is a polishing apparatus for a cylindrical member in which one grindstone is connected to two polishing brushes having different polishing roughnesses. In the following description, the vertical and horizontal directions refer to vertical and horizontal directions in the drawings unless otherwise specified.
円柱状部材の研磨装置の模式図を図1に示す。本実施形態における円柱状部材の研磨装置1は、被加工物Wを載置するための基台11と、前記基台11を上下させる昇降手段12と、被加工物Wを挟持するための挟持手段13と、前記挟持手段に連結され、被加工物Wの軸芯を中心に回転させるための回転手段(被加工物用)(図示せず)と、挟持された被加工物Wを図中左右方向に移動させ、挟持された被加工物Wを加工位置まで移動させるための移動手段14と、被加工物Wの軸芯からの高さ位置を測定するための、被加工物Wの外周面の高さ位置検出手段15と、研磨手段20と、制御手段(図示せず)と、で構成されている。研磨手段20は、回転手段(砥石用)21Mに連結された砥石21と、回転手段(研磨ブラシ用)22Mが連結された研磨ブラシ22にて構成されている。
A schematic view of a cylindrical member polishing apparatus is shown in FIG. The columnar
被加工物Wの加工に先立ち、被加工物Wの加工量等を演算するために、高さ位置検出手段15によりマスターワークの軸芯から外周面までの高さ位置(基準位置)を測定し、制御手段(図示せず)に記憶させる。まず、マスターワークの両端を挟持手段13にて挟持する。挟持手段13によってマスターワークを挟持する際、例えばV字状の溝を有する基台11に載置して行う。該溝にマスターワークを載置することで、該マスターワークの軸芯を中心とした左右方向(図1における紙面垂直方向)の中心は常に略同位置とすることができる。さらに、該基台は、昇降手段12によって図中上下方向の載置位置を微調整することができる。マスターワークを該基台に載置し、前記挟持手段13の挟持軸13aおよび13bを各々前進させて挟持部13cおよび13dがマスターワークの両端部を挟持する。その後、昇降手段12により基台11を下降させることで、マスターワークから基台11が取り外される。 Prior to machining the workpiece W, the height position detection means 15 measures the height position (reference position) from the axis of the master workpiece to the outer peripheral surface in order to calculate the machining amount of the workpiece W. And stored in a control means (not shown). First, both ends of the master work are clamped by the clamping means 13. When the master work is sandwiched by the sandwiching means 13, for example, the master work is placed on the base 11 having a V-shaped groove. By placing the master work in the groove, the center in the left-right direction (in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1) about the axis of the master work can always be substantially the same position. Further, the mounting position of the base can be finely adjusted by the elevating means 12 in the vertical direction in the figure. The master work is placed on the base, and the holding shafts 13a and 13b of the holding means 13 are advanced to hold the both ends of the master work. Then, the base 11 is removed from the master work by lowering the base 11 by the lifting means 12.
挟持手段13は、回転手段(被加工物用)によって回転、すなわち挟持軸13aおよび13bの軸芯を中心にして回転するので、挟持軸13aおよび13bの軸芯と、マスターワークの軸芯とが一致するよう芯出し調整がされていなければならない。マスターワークを挟持手段13で挟持後、高さ位置検出手段15によって、マスターワークの外周面高さ位置H1を測定し、その後該マスターワークを回転(例えば180度)させ、回転した状態での高さ位置H2を測定する。なお、本実施形態では、高さ位置検出手段15はマスターワークの長手方向(図中左右方向)に3個配置されており、それぞれの位置において前記高さ位置が測定される。測定されたH1とH2の差を演算し、H1とH2が略同一でない場合は、前記基台11を上昇させて、マスターワークを該基台11に載置した後、挟持軸13aおよび13bを各々後退させてマスターワークの挟持を解除する。前記演算結果を基に前記基台の上下位置、すなわちマスターワークの上下位置を、前記昇降手段12を上昇または下降させるにより調整した後、再びマスターワークを挟持手段13で挟持する。マスターワークから該基台11を取り外した後、同様にマスターワークのH1およびH2を測定し、H1とH2が略同一となるとマスターワークの芯出し工程が完了する。また、この時の高さ位置Hが基準位置として制御手段に記憶される。その後、基台11を上昇させ、該基台11にマスターワークを載置後、挟持軸13aおよび13aを各々後退させてマスターワークの挟持を解除し、その後マスターワークを基台11から取り外すことで、基準位置の測定工程が完了する。 The clamping means 13 is rotated by the rotating means (for the workpiece), that is, rotates around the axis of the clamping shafts 13a and 13b, so that the axis of the clamping shafts 13a and 13b and the axis of the master work are The alignment must be adjusted to match. After clamping the master work by the clamping means 13, the height position detecting means 15 measures the outer peripheral surface height position H1 of the master work, and then rotates the master work (for example, 180 degrees) to increase the height in the rotated state. The position H2 is measured. In the present embodiment, three height position detecting means 15 are arranged in the longitudinal direction (left and right direction in the figure) of the master work, and the height position is measured at each position. When the difference between the measured H1 and H2 is calculated and H1 and H2 are not substantially the same, the base 11 is raised and the master work is placed on the base 11, and then the holding shafts 13a and 13b are moved. Retract each and release the master work. Based on the calculation result, the vertical position of the base, that is, the vertical position of the master work is adjusted by raising or lowering the lifting / lowering means 12, and then the master work is clamped by the clamping means 13 again. After removing the base 11 from the master work, H1 and H2 of the master work are similarly measured. When H1 and H2 are substantially the same, the centering process of the master work is completed. Further, the height position H at this time is stored in the control means as a reference position. Thereafter, the base 11 is raised, and after placing the master work on the base 11, the holding shafts 13 a and 13 a are retracted to release the master work, and then the master work is removed from the base 11. The reference position measurement process is completed.
次に、被加工物Wを基台11に載置後、前述と同様に該被加工物Wを挟持手段13にて挟持後、高さ位置検出手段15によって、該被加工物Wの高さ位置h1を測定する。その後該被加工物Wを回転させ、該被加工物Wの高さ位置h2を測定する。回転角度は、被加工物Wの表面の形状等に応じて任意に設定することができる。すなわち、回転角度が180°では被加工物Wの円周方向に対して2点の高さ位置(h1、h2)を、回転角度が120°では3点の高さ位置(h1、h2、h3)を、回転角度が90°では4点の高さ位置(h1、h2、h3、h4)を測定することができる。本実施形態では、回転角度を90°とし、3個の高さ位置検出手段15(15a、15b、15c)を用い、h1(h1a、h1b、h1c)、h2(h2a、h2b、h2c)、h3(h3a、h3b、h3c)、h4(h4a、h4b、h4c)の計12点の高さ位置を測定した。それぞれの高さ位置(h1、h2、h3、h4)の差が最も小さくなるように、前述のマスターワークの芯出し調整と同様に、基台11を上昇させ該被加工物Wを該基台11に載置後、該被加工物Wの挟持を解除し、該基台11を上昇または下降させることで該基台11の上下位置、すなわち該被加工物Wの上下位置を調整した後、再び挟持手段13に挟持させ、該基台11を該被加工物Wより取り外した後、再び該被加工物Wの高さ位置h1、h2、h3、h4を測定する。調整後の被加工物Wの高さ位置h1、h2、h3、h4はいずれも基準位置Hより大きくなっている必要がある。また、被加工物Wは研磨加工時には被加工物Wの軸芯を中心に回転するため、前記高さ位置h1、h2、h3、h4はそれぞれ同一か、もしくは差があったとしてもその差が前記回転に影響を及ぼさない範囲である必要があり、制御手段によって演算され、判定される。 Next, after placing the workpiece W on the base 11, the workpiece W is clamped by the clamping means 13 in the same manner as described above, and then the height of the workpiece W is detected by the height position detection means 15. The position h1 is measured. Thereafter, the workpiece W is rotated, and the height position h2 of the workpiece W is measured. The rotation angle can be arbitrarily set according to the shape of the surface of the workpiece W or the like. That is, when the rotation angle is 180 °, two height positions (h1, h2) with respect to the circumferential direction of the workpiece W are obtained, and when the rotation angle is 120 °, three height positions (h1, h2, h3). ) Can be measured at four height positions (h1, h2, h3, h4) when the rotation angle is 90 °. In this embodiment, the rotation angle is 90 °, and three height position detection means 15 (15a, 15b, 15c) are used, and h1 (h1a, h1b, h1c), h2 (h2a, h2b, h2c), h3. A total of 12 height positions (h3a, h3b, h3c) and h4 (h4a, h4b, h4c) were measured. The base 11 is raised and the workpiece W is moved to the base so that the difference between the respective height positions (h1, h2, h3, h4) becomes the smallest as in the above-described master work centering adjustment. 11, after holding the workpiece W is released and the base 11 is raised or lowered to adjust the vertical position of the base 11, that is, the vertical position of the workpiece W, After being sandwiched again by the sandwiching means 13 and removing the base 11 from the workpiece W, the height positions h1, h2, h3, h4 of the workpiece W are measured again. The height positions h1, h2, h3, and h4 of the workpiece W after adjustment need to be larger than the reference position H. Further, since the workpiece W rotates around the axis of the workpiece W during polishing, the height positions h1, h2, h3, h4 are the same or different even if there is a difference. It must be within a range that does not affect the rotation, and is calculated and determined by the control means.
前記判定で合格となった被加工物Wは、砥石21によって研磨される。砥石21は、被加工物Wの高さ位置h1、h2、h3、h4を、次工程での研磨ブラシによる研磨量を考慮して基準位置Hに近くなるように(この高さ位置をhとする)被加工物Wを研磨する目的で使用される。砥石21を構成する研磨材の粒度は、被加工物Wの材質、寸法等によって、F60〜#800、望ましくは#100〜#500(研磨材の粒度の定義はJIS規格 R6001:1998による)の範囲から適宜選択することができる。
The workpiece W that has passed the determination is polished by the
あらかじめ制御手段に入力された加工条件(砥石21の回転速度、研磨ブラシ22の回転速度、被加工物Wの回転速度、被加工物Wの移送速度、研磨ブラシによる削り代(被加工物の加工面Sに対する研磨ブラシの先端の切り込み量、以降、単に「切り込み量」と記す)と、前記基準位置Hおよび前記高さ位置h1、h2、h3、h4とを基に演算処理を行い、砥石21を下方向、すなわち砥石21を加工面Sの方向に移動させる。その後、砥石21に連結された回転手段(砥石用)21M(本実施形態ではモータ)を駆動させることで砥石21を、砥石21の研磨面の軸芯を中心に回転させる。また、被加工物Wを、挟持手段13に接続された回転手段(被加工物用)(本実施形態ではモータ)を駆動させることで、被加工物Wをその軸芯を中心に回転させると共に、移動手段14により図中左から右方向へ移動させることで、砥石21の研磨面が被加工物Wの加工面Sに接触し、前記加工条件に基づいて砥石21による研磨が行われる(位置調整工程。図4A参照。)。なお、前記基準位置Hと前記高さ位置h1、h2、h3、h4の差が大きく、1度の研磨にて目的の加工量が得られない場合は、前記移動手段を往復する、もしくは前記移動手段を往復する度に段階的に砥石21を下降させて研磨を行ってもよい。砥石21による研磨の完了後、砥石21を研磨開始前の位置に移動させると共に、前記回転手段(砥石用)21Mの駆動を停止する。その後、被加工物Wを研磨開始前の位置に移動させる。
Processing conditions (rotation speed of the
次に、該被加工物Wは研磨ブラシ22(研磨ブラシ22a、22b)によって研磨される。研磨ブラシ22として、本実施形態では図2に示される形態のものを使用した。砥粒を混合したナイロン等の合成樹脂からなる毛材24aを束ね、その一端を研磨具ホルダー24b内に固着することで研磨具24を形成し、該研磨具24の基部を回転手段(研磨具用)22Mに連結し水平回転するようにした研磨具取付プレート23に着脱自在に取付けて、下端が被加工物Wの加工面Sに接触回転して研磨を行い、研磨具24が磨耗したら該研磨具24を研磨具取付プレート23から取外し新しい研磨具24に交換できるものである。
なお、前記毛材に混合される砥粒の粒度は、前記研磨材の粒度以下、かつF180〜#2000(砥粒の粒度の定義はJIS規格 R6001:1998による)の範囲から選択することが望ましい。Next, the workpiece W is polished by the polishing brush 22 (polishing brushes 22a and 22b). In the present embodiment, the polishing
The grain size of the abrasive grains mixed in the bristle material is preferably selected from the range of the abrasive grain size or less and F180 to # 2000 (definition of the grain size of the abrasive grains is based on JIS standard R6001: 1998). .
本実施形態では、砥石21および2個の研磨ブラシ22a、22bが被加工物Wの軸芯に沿うように配置されている。また、研磨ブラシ22a、22bの毛材に含まれる砥粒の粒度はそれぞれ異なったものを使用し、砥石21と、前記粒度が大きい研磨ブラシ22aと、前記粒度が小さい研磨ブラシ22bと、を図1において左側から右側の順にそれぞれ配置した。前記粒度が大きい研磨ブラシ22aは、前記砥石21による研磨によって被加工物Wの表面(加工面S)に発生した傷や凹凸、さらには被加工物Wの表層部に存在するマイクロクラックの大半を除去することができ(粗仕上げ加工)、前記粒度の小さい研磨ブラシ22bは被加工物Wの表層部に存在するマイクロクラックを除去することができる(仕上げ加工)。
In this embodiment, the
あらかじめ制御手段に入力された前記加工条件と、前記基準位置Hおよび前記高さ位置hを基に演算処理を行い、研磨ブラシ22を上下方向、すなわち研磨ブラシ22を加工面Sに垂直の方向に移動させる。その後、研磨ブラシ22にそれぞれ連結された回転手段(研磨ブラシ用)22M(本実施形態ではモータ)を駆動させることで研磨ブラシ22を、研磨面の軸芯を中心に回転させる。また、移動手段14により被加工物Wを図中左から右方向へ移動させることで、研磨ブラシ22のそれぞれの研磨面が被加工物Wの加工面Sに接触し、前記加工条件に基づいて研磨ブラシ22による研磨が行われる。被加工物Wは前述の通り、図中左から右に移動して研磨が行われるので、粗仕上げ加工、仕上げ加工の順に研磨を行うことができる(仕上げ工程。図4(B)参照。)。研磨ブラシ22研磨の完了後、研磨ブラシ22を研磨開始前の位置に移動(上昇)させると共に、前記回転手段(研磨ブラシ用)22Mの駆動を停止する。その後、被加工物Wを研磨開始前の位置に移動させ、前記回転手段(被加工物用)の駆動を停止し、被加工物Wの回転を停止する。
An arithmetic process is performed based on the processing conditions inputted in advance to the control means, the reference position H and the height position h, and the polishing
その後、前記基台11を上昇させて被加工物Wを載置した後、前述と同様に挟持軸13aおよび13bが後退することで挟持手段13による被加工物Wの挟持を解除し、被加工物Wを取り出すことで一連の研磨が完了する。 Thereafter, after raising the base 11 and placing the workpiece W, the clamping shafts 13a and 13b are retracted in the same manner as described above to release the clamping of the workpiece W by the clamping means 13. By removing the object W, a series of polishing is completed.
複数の被加工物Wを加工する場合は、前記基台11に新たに被加工物Wを載置した後、同様工程(段落0029から段落0035)を経て研磨加工を行う。すなわち、最初にマスターワークの高さ位置を測定し、該高さ位置を基準位置として設定することで、その後複数の被加工物Wの研磨加工を行うことができる。 In the case of processing a plurality of workpieces W, after the workpieces W are newly placed on the base 11, polishing is performed through the same steps (paragraph 0029 to paragraph 0035). That is, by first measuring the height position of the master workpiece and setting the height position as a reference position, it is possible to polish a plurality of workpieces W thereafter.
本実施形態では、被加工物Wを図中左右方向へ移動させたが、砥石21および研磨ブラシ22a、22bを移動させてもよいし、砥石21および研磨ブラシ22a、22bと、被加工物Wと、の双方を移動させてもよい。
In the present embodiment, the workpiece W is moved in the left-right direction in the figure, but the
本実施形態では、加工条件を手動で制御手段に入力したが、手動で入力された加工条件と自動で入力(記憶)された被加工物Wの外周面高さ位置より、入力されていない加工条件を制御手段にて演算させて研磨加工を行ってもよい。
たとえば、切り込み量と研磨手段2の回転速度を入力することで、被加工物Wの移動速度を制御手段により演算させてもよいし、他の加工条件や高さ位置から切り込み量を制御手段により演算させてもよい。そして、これらの演算結果に基づいて研磨加工を行うことができる。In the present embodiment, the machining conditions are manually input to the control means, but the machining conditions that are manually input and the machining position that is not input from the automatically input (stored) outer peripheral surface height position of the workpiece W are input. The polishing may be performed by calculating the condition by the control means.
For example, the moving speed of the workpiece W may be calculated by the control means by inputting the cutting amount and the rotation speed of the polishing means 2, or the cutting amount may be calculated from the other processing conditions and height position by the control means. You may make it calculate. Then, polishing can be performed based on these calculation results.
入力する加工条件は本実施形態において説明した項目に限られない。たとえば、研磨手段20の種類、被加工物の状態を入力してもよく、またこれらを基に制御手段による演算を組み合わせてもよい。 The processing conditions to be input are not limited to the items described in this embodiment. For example, the type of the polishing means 20 and the state of the workpiece may be input, and the calculation by the control means may be combined based on these.
研磨手段20である研磨ブラシ22は、図2に示すものに限るものでなく、砥粒を混合した毛材25aからなる研磨具25を研磨具取付プレート23に直接取付けて固定し、該研磨具25が磨耗したら研磨具取付プレート23共々交換するものでもよいし、研磨具25を使用せず、砥粒を含有したナイロン等の合成樹脂からなる毛材24cを、研磨手段20の底部にリング状に植設してもよい(図3(A)参照。上図は正面図、下図は底面図(正面図におけるA−A線矢視図)を示す)。また、例えば、セラミックス等の研磨加工や、加工の際に略90°の角度をなす柱状体の角部に研磨手段20が接触する場合など、研磨手段20と被加工物Wの接触によって欠け(チッピング)が生じることが問題となる場合には、砥粒を含有した合成樹脂からなる弾性体24dを研磨手段20の底部にリング状に配設してもよい(図3(B)参照。上図は正面図、下図は底面図(正面図におけるA−A線矢視図)を示す)。この場合の弾性体24dとは、例えば硬度が比較的柔らかい樹脂のバルク体や、内部に多数の気泡を有するポリウレタンやウレタンをはじめとする樹脂のバルク体や、繊維状の弾性体を互いに絡ませたものでもよい。硬度が比較的柔らかい樹脂のバルク体では、樹脂自体が緩衝材として働く。気泡を有する樹脂のバルク体では内部の気泡が緩衝材として働く。砥粒を含有し互いに絡み合った弾性体では、該弾性体が絡み合うことで、これらの集合体の内部には空気が包括されることとなり、この空気層が緩衝材として働く。いずれの場合も、該弾性体24dが被加工物に接触した際に適度な弾性力を保持するよう、合成樹脂の種類および砥粒の含有率などを適宜選択する。なお、前記毛材24cおよび弾性体24dに混合される砥粒の粒度は本実施形態と同様に、F180〜#2000の範囲から選択することが望ましい。
The polishing
前記傷や凹凸が大きい場合や、マイクロクラックが深い場合等、粗仕上げ加工を行う研磨ブラシ22に含まれる前記砥粒の粒度が仕上げ加工を行う研磨ブラシ22に含まれる前記砥粒の粒度に比べ非常に大きい場合は、研磨ブラシ22aと22bの間に、中間の粒度が含まれる研磨ブラシ(中仕上げ加工)を1以上配置してもよい。すなわち、3つ以上の研磨ブラシを被加工物Wの軸芯に沿うように配置してもよい。
When the scratches or irregularities are large, or when the microcracks are deep, the grain size of the abrasive grains contained in the polishing
前記傷や凹凸が小さい場合や、マイクロクラックが浅い場合等、粗仕上げ加工を行う必要がない場合は、仕上げ加工を行う研磨ブラシ22bのみを配置してもよい。 When it is not necessary to perform rough finishing, such as when the scratches or irregularities are small or when the microcracks are shallow, only the polishing brush 22b for finishing may be disposed.
砥石21による研磨量(加工量)を多くする必要があるときや、研磨ブラシ22による粗仕上げ加工を砥石21で行うことができる場合は、砥石21を複数配置することができる。
When it is necessary to increase the polishing amount (processing amount) by the
以下に、第1の実施形態の装置を用いた評価試験の結果について説明する。
まず、第1の実施形態の装置を用いて、被加工物Wである円柱状の単結晶シリコンブロックをφ175mm×500mmの寸法に加工すると共に、前記被加工物Wの表層部に存在するマイクロクラックとその表面の凹凸を除去して表面粗さを微細化する加工を行った。
その後、当該シリコンブロックをワイヤソーでスライス加工してシリコンウエハを形成したときに、そのシリコンウエハの割れ・欠け等による不良品の発生率を低減することができたか否かについて評価を行った。Below, the result of the evaluation test using the apparatus of 1st Embodiment is demonstrated.
First, using the apparatus of the first embodiment, a cylindrical single crystal silicon block, which is the workpiece W, is processed into a size of φ175 mm × 500 mm, and microcracks existing in the surface layer portion of the workpiece W Then, the surface roughness was removed by removing the irregularities on the surface.
Thereafter, when the silicon block was sliced with a wire saw to form a silicon wafer, it was evaluated whether or not the generation rate of defective products due to cracking or chipping of the silicon wafer could be reduced.
研磨加工前の被加工物Wの表層部には、深さが80〜100μmのマイクロクラックが存在しその表面粗さは(Ry)9〜11μm(Ryの定義はJIS規格 B0601:1994による)であり、研磨加工をしていない該シリコンブロックをワイヤソーで切断(スライス加工)してシリコンウエハにしたときの割れ・欠け等による不良品の発生率が5〜6%であった。
次に、第1の実施形態に記載の研磨装置を用いて前記被加工物(W)であるシリコンブロックを研磨加工してマイクロクラックおよび凹凸の除去と表面粗さを微小化した後、該シリコンブロックをワイヤソーでスライス加工してシリコンウエハを形成したときの割れ・欠け等による不良品の発生率を評価した。The surface layer portion of the workpiece W before polishing processing has microcracks having a depth of 80 to 100 μm, and the surface roughness is (Ry) 9 to 11 μm (the definition of Ry is according to JIS standard B0601: 1994). In addition, when the silicon block that was not polished was cut (sliced) with a wire saw to form a silicon wafer, the incidence of defective products due to cracks and chips was 5 to 6%.
Next, the silicon block, which is the workpiece (W), is polished using the polishing apparatus described in the first embodiment to remove microcracks and irregularities and reduce the surface roughness, and then the silicon block The incidence of defective products due to cracks and chipping when a block was sliced with a wire saw to form a silicon wafer was evaluated.
本評価試験における加工条件を表1に示すように設定し、これを制御手段に入力後、3本の単結晶シリコンブロックの加工を行った。その結果を表2に示す。このように、第1の実施形態における研磨装置を用いて加工をおこなうことで、単結晶シリコンブロックの径を目標とする寸法に加工すると共に、マイクロクラックの最大深さが0.7〜0.9μm、表面粗さが平面部Ry0.7〜1.0μm(平均:Ry0.9μm)と、マイクロクラックおよび表面粗さを微小化することができた。 なお、表2において、「砥石による研磨後」と記載された欄に記載されたデータは、「砥石による研磨後であって、研磨ブラシによる加工を行う前」の状態におけるデータを示したものであり、研磨工程の途中段階のデータを示したものである。 そしてそのシリコンブロックを3個ともワイヤソーでスライス加工してシリコンウエハにしたときの割れ・欠け等による不良品の発生率は3〜4%となった。マイクロクラックの最大深さは3.0μm以下、望ましくは2.3μm以下であることが望ましい。前記最大深さが3.0μm以上では前記不良品の発生率が増大する。また、前記最大深さが2.3μm以下であれば、数十μmの厚さにスライス加工してシリコンウエハにしたときの割れ・欠け等による不良品の発生率に与える影響が少ない。本評価試験では前記最大深さが0.9μmであり、前記不良品の発生率に影響を与える2.3μmを大幅に下回ることができた。 The processing conditions in this evaluation test were set as shown in Table 1, and after inputting this into the control means, three single crystal silicon blocks were processed. The results are shown in Table 2. Thus, by processing using the polishing apparatus in the first embodiment, the diameter of the single crystal silicon block is processed to a target dimension, and the maximum depth of the microcracks is 0.7-0. 9 μm, the surface roughness was a flat surface portion Ry 0.7 to 1.0 μm (average: Ry 0.9 μm), and microcracks and surface roughness could be reduced. In Table 2, the data described in the column “after polishing with a grindstone” indicates data in a state of “after polishing with a grindstone and before processing with a polishing brush”. Yes, it shows data in the middle of the polishing process. When all three of the silicon blocks were sliced with a wire saw to form a silicon wafer, the incidence of defective products due to cracks, chips, etc. was 3-4%. The maximum depth of the microcracks is 3.0 μm or less, preferably 2.3 μm or less. When the maximum depth is 3.0 μm or more, the incidence of defective products increases. Further, when the maximum depth is 2.3 μm or less, there is little influence on the occurrence rate of defective products due to cracks / chips when sliced into a thickness of several tens of μm to form a silicon wafer. In this evaluation test, the maximum depth was 0.9 μm, which was significantly less than 2.3 μm, which affects the incidence of defective products.
次に、第2の実施形態にかかる研磨装置について説明する。第2の実施形態にかかる研磨装置では、粗仕上げ加工後仕上げ加工を行うような多段加工を必要とせず、1段階の加工で要求される表面状態が得られる場合に用いる装置構成となっている。なお、ここでは第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。 Next, a polishing apparatus according to the second embodiment will be described. The polishing apparatus according to the second embodiment has an apparatus configuration that is used when a surface state required by one-stage processing can be obtained without requiring multi-stage processing such as finishing after rough finishing. . Here, only differences from the first embodiment will be described.
例えば、被加工物Wの表面の研磨処理前のマイクロクラックが微小で、かつ研磨処理前の表面粗さが要求値に対して大差がない場合は、研磨ブラシ22aおよび22bに含まれる砥粒の粒度は、仕上げ加工に用いた研磨ブラシ22bと略同一とすることができる。研磨ブラシ22に含まれる前記砥粒が略同一の研磨ブラシを複数台配置することで、加工時間を短縮することができる。
For example, when the microcracks before the polishing process on the surface of the workpiece W are minute and the surface roughness before the polishing process is not significantly different from the required value, the abrasive grains contained in the polishing brushes 22a and 22b The particle size can be substantially the same as that of the polishing brush 22b used for the finishing process. By arranging a plurality of polishing brushes having substantially the same abrasive grains contained in the polishing
次に、第3の実施形態にかかる研磨装置について、図5を参照しながら説明する。第3の実施形態にかかる研磨装置では、加工時間を短縮するように第1の研磨手段30と第2の研磨手段40を配置した装置構成となっている。なお、ここでは第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。 Next, a polishing apparatus according to a third embodiment will be described with reference to FIG. The polishing apparatus according to the third embodiment has an apparatus configuration in which the first polishing means 30 and the second polishing means 40 are arranged so as to shorten the processing time. Here, only differences from the first embodiment will be described.
第3の実施形態にかかる研磨装置では、被加工物Wの同一断面(円形)の面内において、第1の研磨手段30と第2の研磨手段40が配置されている。第1の研磨手段30と第2の研磨手段40の軸芯は、被加工物Wの半径方向に一致するように配置されており、第1の研磨手段30と第2の研磨手段40が互いに干渉しないようにするために、第1の研磨手段20の軸芯と第2の研磨手段20の軸芯は、所定の角度θを構成するようにして、被加工物Wの断面中心で交わるように配置されている。(図5(A)参照) この角度θは、第1の研磨手段30と第2の研磨手段40が互いに干渉しない限り、任意に設定することができる。例えば、角度θを180°に設定し、第1の研磨手段30の軸芯と第2の研磨手段40の軸芯が完全に一致して対向するように配置することもできる。このような構成とすることによって、被加工物Wは円周方向に回転しながら研磨加工されるため、被加工物の加工面は第1の研磨手段30と第2の研磨手段40の2箇所において同時に研磨されるため、加工時間が短縮される。 In the polishing apparatus according to the third embodiment, the first polishing means 30 and the second polishing means 40 are arranged in the same cross section (circular) surface of the workpiece W. The axial centers of the first polishing means 30 and the second polishing means 40 are arranged so as to coincide with the radial direction of the workpiece W, and the first polishing means 30 and the second polishing means 40 are mutually connected. In order to avoid interference, the axis of the first polishing means 20 and the axis of the second polishing means 20 intersect at the center of the cross section of the workpiece W so as to form a predetermined angle θ. Is arranged. (See FIG. 5A) This angle θ can be arbitrarily set as long as the first polishing means 30 and the second polishing means 40 do not interfere with each other. For example, the angle θ can be set to 180 °, and the shaft core of the first polishing means 30 and the shaft core of the second polishing means 40 can be disposed so as to completely coincide with each other. With such a configuration, the workpiece W is polished while rotating in the circumferential direction, so that the processed surface of the workpiece has two locations of the first polishing means 30 and the second polishing means 40. In this case, the processing time is shortened.
また、第3の実施形態にかかる研磨装置においても、第1の実施形態にかかる研磨装置と同様に、図5(B)(該図では、θを180°として説明する)に示すように、第1の研磨手段30と第2の研磨手段40に含まれる砥石31、41および研磨ブラシ32、42を任意の数量を配置することができる。すなわち、砥石31、41および研磨ブラシはそれぞれ1つずつでもよいし、被加工物Wの軸芯に沿って複数配置することもできる。たとえば、同図では、砥石31および41をそれぞれ1つ、研磨ブラシ32および42をそれぞれ2つ(32a、32bおよび42a、42b)配置した状態を示す。この場合、被加工物Wの軸芯に沿って左から順に、第1列目に砥石(第1の研磨手段)31と砥石(第2の研磨手段)41、第2列目に研磨ブラシA(第1の研磨手段)32aと研磨ブラシA(第2の研磨手段)42a、第3列目に研磨ブラシB(第1の研磨手段)32bと研磨ブラシB(第2の研磨手段)42b、が配置されるようになっている。その際、砥石を形成する研磨材の粒度および、それぞれの研磨ブラシに備えられている毛材または弾性体に含有される砥粒の粒度は、砥石(第1の研磨手段)31と砥石(第2の研磨手段)41、研磨ブラシA(第1の研磨手段)32aと研磨ブラシA(第2の研磨手段)42a、研磨ブラシB(第1の研磨手段)32bと研磨ブラシB(第2の研磨手段)42b、がそれぞれ略同一、すなわち同一の列の砥石および研磨ブラシは略同一の研磨力を有するようにする。また、第2の実施形態と同様に、1の研磨力を有する研磨手段によって加工を行うことができるときは、全ての研磨ブラシに備えられている毛材または弾性体に含有される砥粒の粒度を略同一とすることができる。
Also, in the polishing apparatus according to the third embodiment, as in the polishing apparatus according to the first embodiment, as shown in FIG. 5B (in the figure, θ is described as 180 °), Arbitrary quantities of the
また、上述した第3の実施形態にかかる研磨装置では、被加工物Wの円周方向に第1の研磨手段20と第2の研磨手段20の2つの研磨手段を配置する構成について説明したが、これに限定されるものではなく、各研磨手段が互いに干渉しない限りにおいて、配置スペースや目標とする加工時間等にあわせて任意の個数の研磨手段を配置するようにしても良い。 In the polishing apparatus according to the third embodiment described above, the configuration in which the two polishing units, the first polishing unit 20 and the second polishing unit 20, are arranged in the circumferential direction of the workpiece W has been described. However, the present invention is not limited to this, and an arbitrary number of polishing means may be arranged in accordance with the arrangement space, the target processing time, etc. as long as the respective polishing means do not interfere with each other.
本発明は円柱状のシリコンブロックの加工に限定されるものではなく、例えばセラミックス等、硬脆材料全般について好適に用いることができる。 The present invention is not limited to the processing of a cylindrical silicon block, and can be suitably used for all hard and brittle materials such as ceramics.
1 研磨装置
11 基台
12 昇降手段
13 挟持手段
13a、13b 挟持軸
13c、13d 挟持部
14 移動手段
15、15a、15b、15c 高さ位置検出手段
20 研磨手段
21 砥石
21M 回転手段(砥石用)
22、22a、22b 研磨ブラシ
22M 回転手段(研磨ブラシ用)
30 第1の研磨手段
31 砥石(第1の研磨手段)
31M 回転手段(砥石(第1の研磨手段)用)
32、32a、32b 研磨ブラシ(第1の研磨手段)
40 第2の研磨手段
41 砥石(第2の研磨手段)
41M 回転手段(砥石(第2の研磨手段)用)
42、42a、42b 第2の研磨手段
W 被加工物
S 加工面1 Polishing equipment
11 base
12 Lifting means
13 Clamping means
13a, 13b Holding shaft
13c, 13d clamping part
14 Means of transportation
15, 15a, 15b, 15c Height position detection means
20 Polishing means
21 Whetstone
21M Rotating means (for grinding stone)
22, 22a, 22b Polishing brush
22M Rotating means (for polishing brush)
30 First polishing means
31 Whetstone (first polishing means)
31M Rotating means (for grinding stone (first polishing means))
32, 32a, 32b Polishing brush (first polishing means)
40 Second polishing means
41 Whetstone (second polishing means)
41M Rotating means (for grinding stone (second polishing means))
42, 42a, 42b Second polishing means
W Work piece S Work surface
Claims (6)
前記被加工物の外周面を研磨加工する研磨手段と、
前記研磨手段に対し前記被加工物を、前記被加工物の略円形である断面方向と直交する長手方向に相対的に移動させる移動手段と、
研磨加工完成品および研磨加工前の被加工物の高さ位置を検出させる高さ位置検出手段と、
前記高さ位置および加工条件が入力され、これを演算して研磨加工を行う制御手段と、
を備えた円柱状の被加工物の外周面を研磨する研磨装置であって、
前記研磨手段は、前記被加工物の外周面に先端が接触回転する砥石と、砥粒を含有した毛材または砥粒を含有した弾性体を備え、かつ、前記被加工物の外周面に先端が接触回転する研磨ブラシと、を少なくともそれぞれ1つ以上備え、
前記砥石と前記研磨ブラシは円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設して配置されており、
前記制御手段における演算は、前記被加工物の円周方向の2箇所以上の軸芯からの高さ位置の差の演算と、前記研磨加工完成品の高さ位置と前記研磨前の被加工物の高さ位置の差の演算と、の少なくともいずれか1つを含み、
前記研磨ブラシは、砥粒を含有した毛材を複数本束ねた研磨具の基部が研磨具取付プレートに複数本固定された構造を有する、
ことを特徴とする円柱状部材の研磨装置。 A clamping means connected to the rotating means of the workpiece and clamping both end faces of the workpiece;
Polishing means for polishing the outer peripheral surface of the workpiece;
Moving means for moving the workpiece relative to the polishing means relative to a longitudinal direction perpendicular to a cross-sectional direction of the workpiece that is substantially circular;
A height position detecting means for detecting the height position of the finished product before polishing and the workpiece before polishing;
Control means for performing polishing by calculating the height position and processing conditions and calculating this,
A polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a cylindrical workpiece having
The polishing means includes a grindstone whose tip rotates in contact with the outer peripheral surface of the workpiece, a hair material containing abrasive grains, or an elastic body containing abrasive grains, and a tip on the outer peripheral surface of the workpiece. Each having at least one polishing brush rotating in contact with each other,
The grindstone and the polishing brush are arranged continuously along the axis of a cylindrical workpiece,
The calculation in the control means includes the calculation of the difference in height position from two or more axial centers in the circumferential direction of the workpiece, the height position of the polished product and the workpiece before polishing. And calculating at least one of the height position differences of
The polishing brush has a structure in which a plurality of base parts of a polishing tool in which a plurality of hair materials containing abrasive grains are bundled are fixed to a polishing tool mounting plate.
An apparatus for polishing a cylindrical member.
該第1の研磨手段の砥石と研磨ブラシ、および該第2の研磨手段の砥石と研磨ブラシの各々は対を成し、対を成す砥石と研磨ブラシの各々は、被加工物の円形断面の同一面内において配置され、前記第1の研磨手段と前記第2の研磨手段の軸芯は、被加工物の半径方向に一致するように配置されており、かつ、対を成す前記第1の研磨手段の軸芯と前記第2の研磨手段の軸芯は、所定の角度θを構成するように、被加工物の断面中心で交わるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の円柱状部材の研磨装置。 The polishing means is connected to the first polishing means of the grindstone and the polishing brush arranged continuously along the axis of the columnar workpiece, and along the axis of the columnar workpiece. A whetstone arranged and arranged and a second polishing means of a polishing brush,
Each of the grindstone and the polishing brush of the first polishing means, and each of the grindstone and the polishing brush of the second polishing means make a pair, and each of the pair of the grindstone and the polishing brush has a circular cross section of the workpiece. The first polishing means and the second polishing means are arranged in the same plane, the axial centers of the first polishing means and the second polishing means are arranged so as to coincide with the radial direction of the workpiece, and the first core forming a pair The axis of the polishing means and the axis of the second polishing means are arranged so as to intersect at the center of the cross section of the workpiece so as to form a predetermined angle θ. The cylindrical member polishing apparatus as described.
前記研磨ブラシに使用される前記毛材または弾性体に混合される砥粒の粒度がF180〜#2000であって、その粒度が異なる毛材または弾性体を有する研磨ブラシを2種類以上選択し、該砥粒の粒度が異なる研磨ブラシが、砥粒の粒度が「粗」から「細」の順に研磨加工するように、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の円柱状部材の研磨装置。 The particle size of the abrasive forming the grindstone is F60 to # 800,
The abrasive used in the polishing brush has a grain size of F180 to # 2000 mixed with the bristle material or elastic body, and two or more types of abrasive brushes having different bristle material or elastic body are selected. the abrasive grain granularity is different polishing brush, as abrasive particle size is polished in the order of "fine" from the "coarse", that you have been continuously provided along the axis of the cylindrical workpiece The cylindrical member polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the polishing apparatus is a cylindrical member.
前記研磨ブラシに使用される毛材または弾性体に混合される砥粒の粒度がF180〜#2000であって、その粒度が略同一なる毛材または弾性体を有する研磨ブラシが、円柱状の被加工物の軸芯に沿って連設されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の円柱状部材の研磨装置。 The particle size of the abrasive forming the grindstone is F60 to # 800,
The abrasive brush mixed with the bristle material or elastic body used in the abrasive brush has a particle size of F180 to # 2000, and the abrasive brush having the bristle material or elastic body having substantially the same particle size has a cylindrical covering. The cylindrical member polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the polishing apparatus is provided continuously along an axis of a workpiece.
前記砥石の先端を該被加工物の外周面に接触および回転をさせ、かつ該研磨手段を該被加工物に対して相対的に移動させることで被加工物の寸法を調整する寸法調整工程と、
前記寸法調整工程の後、前記研磨ブラシの先端を該被加工物の外周面に接触および回転をさせ、かつ該研磨手段を被加工物に対して相対的に移動させることで被加工物の研磨加工を行う仕上げ工程と、を備え、
寸法調整工程は、前記研磨加工完成品および研磨加工前の被加工物の高さ位置を検出させる高さ位置検出工程と、
前記高さ位置および加工条件が入力され、これを演算して研磨加工を行う制御工程と、を含み、
前記制御工程における演算は、前記被加工物の円周方向の2箇所以上の軸芯からの高さ位置の差の演算と、前記研磨加工完成品の高さ位置と前記研磨前の被加工物の高さ位置の差の演算と、の少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする円柱状部材の研磨方法。 The method for polishing a cylindrical member by the cylindrical member polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the workpiece clamped by the clamping unit is rotated by the rotating unit,
A dimension adjusting step of adjusting the dimension of the workpiece by bringing the tip of the grindstone into contact with and rotating the outer peripheral surface of the workpiece and moving the polishing means relative to the workpiece; ,
After the dimension adjustment step, the tip of the polishing brush is brought into contact with and rotated on the outer peripheral surface of the workpiece, and the polishing means is moved relative to the workpiece to polish the workpiece. A finishing process for performing processing,
The dimension adjustment step includes a height position detection step of detecting a height position of the workpiece before polishing and the workpiece before polishing,
The height position and processing conditions are inputted, and a control step of calculating this and performing polishing processing,
The calculation in the control step includes the calculation of the difference in height position from two or more axial cores in the circumferential direction of the workpiece, the height position of the polished product and the workpiece before polishing. A method for polishing a cylindrical member, comprising: calculating at least one of the height position differences .
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CN107088794B (en) * | 2017-05-13 | 2019-08-13 | 温州焕宏纺织品有限公司 | A kind of working material surface processing unit of construction and decoration |
CN107139075B (en) * | 2017-06-20 | 2019-10-18 | 同济大学 | A kind of processing unit (plant) for the polishing of quartz glass cylindrical surface |
CN108747792B (en) * | 2018-07-05 | 2024-07-09 | 张家港市圣鼎源制管有限公司 | Steel pipe polishing device and method |
CN110026852B (en) * | 2019-05-08 | 2021-03-30 | 江西亦成光电科技有限公司 | High-efficient burnishing device is used in optical element production |
CN115091334B (en) * | 2022-07-26 | 2023-08-15 | 张家港海运金属冷挤压有限公司 | Motor output shaft surface finish machining equipment and machining method thereof |
CN118024121B (en) * | 2024-04-11 | 2024-06-28 | 浙江大学 | Flexible shape control processing device and method for non-circular raceways of inner ring and outer ring of bearing |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0435865U (en) * | 1990-07-24 | 1992-03-25 | ||
JPH0636760U (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-17 | 有限会社エイト総商 | Peripheral grinding surface polishing device for cylindrical workpiece |
JP2000094321A (en) * | 1998-09-18 | 2000-04-04 | Think Laboratory Co Ltd | Grinding method by grinding wheel and grinding wheel replacement timing detecting method |
JP2000127005A (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-09 | Think Laboratory Co Ltd | Four head grinding wheel polishing device |
JP2002292559A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Noguchi Koki Kk | Grinder |
JP2003094304A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Polishing device and method for support surface for forming zeolite film |
JP2003117800A (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Sharp Corp | SURFACE TREATMENT METHOD FOR POLYCRYSTALLINE Si INGOT |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3936448B2 (en) * | 1997-10-20 | 2007-06-27 | 株式会社シンク・ラボラトリー | Mirror polishing method for cylindrical body |
JP4319725B2 (en) * | 1999-02-17 | 2009-08-26 | 信越石英株式会社 | Quartz glass cylindrical inner surface polishing equipment |
JP3405411B2 (en) * | 2001-02-22 | 2003-05-12 | 株式会社石井表記 | Manufacturing method of rectangular substrate |
JP4133935B2 (en) | 2004-06-07 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | Silicon wafer processing method |
JP2006021264A (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding apparatus |
JP4597634B2 (en) * | 2004-11-01 | 2010-12-15 | 株式会社荏原製作所 | Top ring, substrate polishing apparatus and polishing method |
JP5238317B2 (en) | 2008-03-27 | 2013-07-17 | 株式会社ジェイシーエム | Silicon block grinding and polishing machine and silicon wafer processing method |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0435865U (en) * | 1990-07-24 | 1992-03-25 | ||
JPH0636760U (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-17 | 有限会社エイト総商 | Peripheral grinding surface polishing device for cylindrical workpiece |
JP2000094321A (en) * | 1998-09-18 | 2000-04-04 | Think Laboratory Co Ltd | Grinding method by grinding wheel and grinding wheel replacement timing detecting method |
JP2000127005A (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-09 | Think Laboratory Co Ltd | Four head grinding wheel polishing device |
JP2002292559A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Noguchi Koki Kk | Grinder |
JP2003094304A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Polishing device and method for support surface for forming zeolite film |
JP2003117800A (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Sharp Corp | SURFACE TREATMENT METHOD FOR POLYCRYSTALLINE Si INGOT |
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