JP5593074B2 - ヒートシンク取付構造 - Google Patents
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Description
前記通電パターンは、前記基板の前記一端側に形成された第1の通電パターンと、前記基板の前記他端側における前記第1の通電パターン及び前記半導体スイッチング素子の配置位置と対向する箇所に形成された第2及び第3の通電パターンとを有し、
前記第1の通電パターンは、前記半導体スイッチング素子と隣り合って配置され、
前記ヒートシンクは、前記基板の前記他端側における前記第1の通電パターン及び前記半導体スイッチング素子の配置位置と対向する箇所に、前記第2及び第3の通電パターンを覆うようにして前記基板に固定されていることを特徴とする。
図1は、本実施形態の電子機器1を示す図である。図2は、ヒートシンク4の取付構造を示す図である。図3は、通電パターン20a〜20cからの放熱状態を示す図である。なお、以下の説明で用いる上下の各方向は説明に用いる各図に示している。この上下は説明のために記載したもので、実際の配置と異なってよいことはもちろんである。
2 プリント配線板
2A 基板
2B 銅箔部
2C レジスト層
2a〜2n パターン形成部
20a〜20c 通電パターン
3 出力コネクタ
31 被着部
32 接続端子
4 ヒートシンク
41 本体
42 放熱板
43 ネジ
51 半導体スイッチング素子
51a 接続端子
Claims (1)
- 一端側にて、通電パターン及び前記通電パターン上の半導体スイッチング素子が配置される基板と、
前記基板の他端側にて、通電パターンの一部および前記半導体スイッチング素子に対向する位置に取り付けられるヒートシンクと、
を備えたヒートシンク取付構造であって、
前記半導体スイッチング素子の断続駆動時には、少なくとも前記半導体スイッチング素子の発熱を前記ヒートシンクにより放熱し、
前記半導体スイッチング素子の連続駆動時には、その連続駆動に伴う前記通電パターンの発熱を、前記半導体スイッチング素子の発熱と共に前記ヒートシンクにより放熱し、
前記通電パターンは、前記基板の前記一端側に形成された第1の通電パターンと、前記基板の前記他端側における前記第1の通電パターン及び前記半導体スイッチング素子の配置位置と対向する箇所に形成された第2及び第3の通電パターンとを有し、
前記第1の通電パターンは、前記半導体スイッチング素子と隣り合って配置され、
前記ヒートシンクは、前記基板の前記他端側における前記第1の通電パターン及び前記半導体スイッチング素子の配置位置と対向する箇所に、前記第2及び第3の通電パターンを覆うようにして前記基板に固定されている
ことを特徴とするヒートシンク取付構造。
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- 2010-01-06 JP JP2010001361A patent/JP5593074B2/ja active Active
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