JP5589908B2 - 分布帰還型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法について図面を参照して説明する。図1,3,5,6は本発明の実施の形態1に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法を説明するための断面図であり、図4は上面図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る回折格子パターンの一部を示す図である。
図11は、本発明の実施の形態2に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法を説明するための上面図である。この半導体レーザは位相シフト領域型分布帰還型半導体レーザである。この図は、回折格子8a,8bを形成した後、リッジ11を形成する前の状態を示している。
図13は、本発明の実施の形態3に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法を説明するための上面図である。この図は、回折格子8a,8bを形成した後、リッジ11を形成する前の状態を示している。後の工程で低反射コート16を前端面14aに設け、に高反射コート17を後端面14b設ける。高反射コート17は、低反射コート16よりも高い反射率を持つ。
図14は、本発明の実施の形態4に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法を説明するための上面図である。この図は、回折格子8a,8bを形成した後、リッジ11を形成する前の状態を示している。
図16は、本発明の実施の形態5に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法を説明するための上面図である。この図は、回折格子8a,8bを形成した後、リッジ11を形成する前の状態を示している。この半導体レーザは位相シフト領域型分布帰還型半導体レーザである。
図18は、本発明の実施の形態6に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法を説明するための上面図である。この図は、回折格子8a,8bを形成した後、リッジ11を形成する前の状態を示している。後の工程で低反射コート16を前端面14aに設け、に高反射コート17を後端面14b設ける。高反射コート17は、低反射コート16よりも高い反射率を持つ。
2 n型InPクラッド層(第1の半導体層)
3 活性層(第1の半導体層)
4 p型InPクラッド層(第1の半導体層)
5 p型InGaAsP回折格子層(回折格子層)
6 レジスト
7a 回折格子パターン(第1の回折格子パターン)
7b 回折格子パターン(第2の回折格子パターン)
8a 回折格子(第1の回折格子)
8b 回折格子(第2の回折格子)
9 リッジとなる領域
10 p型InP埋め込み層(第2の半導体層)
11 リッジ
14a 前端面
14b 後端面
15 位相シフト領域
17 高反射コート
Claims (5)
- 半導体基板上に第1の半導体層、回折格子層、及びレジストを順に形成する工程と、
第1及び第2の回折格子パターンを前記レジストに露光し、前記レジストを現像する工程と、
現像した前記レジストをマスクとして用いて前記回折格子層をエッチングして、前記第1及び第2の回折格子パターンにそれぞれ対応する第1及び第2の回折格子を形成する工程と、
前記第1及び第2の回折格子上に第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層と前記第1及び第2の回折格子をエッチングしてリッジを形成する工程とを備え、
共振器に対して垂直な方向において、前記第1の回折格子パターンは前記第2の回折格子パターンよりも長く、
前記リッジが形成される領域内で前記共振器に沿った方向において、前記第1の回折格子パターンの露光と現像により前記レジストに形成された回折格子パターンの前記レジストの残し幅は、前記第2の回折格子パターンの露光と現像により前記レジストに形成された回折格子パターンの前記レジストの残し幅よりも狭く、
前記リッジ内の前記第1及び第2の回折格子の前記共振器に対して垂直な方向の長さは、前記リッジの幅と同じであり、
前記共振器に沿った方向において、前記リッジ内の前記第1の回折格子の幅は、前記リッジ内の前記第2の回折格子の幅よりも狭いことを特徴とする分布帰還型半導体レーザの製造方法。 - 半導体基板上に第1の半導体層、回折格子層、及びレジストを順に形成する工程と、
第1及び第2の回折格子パターンを前記レジストに露光し、前記レジストを現像する工程と、
現像した前記レジストをマスクとして用いて前記回折格子層をエッチングして、前記第1及び第2の回折格子パターンにそれぞれ対応する第1及び第2の回折格子を形成する工程と、
前記第1及び第2の回折格子上に第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層と前記第1及び第2の回折格子をエッチングしてリッジを形成する工程とを備え、
共振器に対して垂直な方向において、前記第1の回折格子パターンの中央付近は前記リッジが形成される領域に配置され、前記第2の回折格子パターンは前記第1の回折格子パターンに対してずれて配置され、
前記リッジが形成される領域内で前記共振器に沿った方向において、前記第1の回折格子パターンの露光と現像により前記レジストに形成された回折格子パターンの前記レジストの残し幅は、前記第2の回折格子パターンの露光と現像により前記レジストに形成された回折格子パターンの前記レジストの残し幅よりも狭く、
前記リッジ内の前記第1及び第2の回折格子の前記共振器に対して垂直な方向の長さは、前記リッジの幅と同じであり、
前記共振器に沿った方向において、前記リッジ内の前記第1の回折格子の幅は、前記リッジ内の前記第2の回折格子の幅よりも狭いことを特徴とする分布帰還型半導体レーザの製造方法。 - 前記第1の回折格子と前記第2の回折格子のうち光結合定数が小さい方が、前端面側に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
- 前記第1の回折格子と前記第2の回折格子のうち光結合定数が小さい方が、位相シフト領域に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
- 低反射コートを前端面に設け、前記低反射コートよりも高い反射率を持つ高反射コートを後端面に設ける工程を更に備え、
前記第1の回折格子と前記第2の回折格子のうち光結合定数が小さい方が、前記後端面の近傍に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。
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