JP5581619B2 - 圧電デバイスの製造方法および圧電デバイス - Google Patents
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Description
圧電デバイス1は、LT等の圧電単結晶を材料とする1μm程度の厚みからなる圧電薄膜10を有する。圧電薄膜10は、平面視した状態で略長方形の形状に形成されている。なお、圧電薄膜10には、LT以外に、LNやLBO(Li2B4O7)やランガサイト(La3Ga5SiO14)、KN(KNbO3)、KLN(K3Li2Nb5O15)を用いてもよい。
図3、図4は、図2に示す製造フローで形成される圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
Claims (7)
- 圧電薄膜と前記圧電薄膜を支持し、第1支持層および第2支持層を有する支持体とを備えた圧電デバイスの製造方法であって、
圧電基板にイオンを注入することで、イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入面側の表面に前記第1支持層を、溶射、スプレーコート、スピンコート、CVD、スパッタ、蒸着、ラミネート、印刷法のいずれかにより形成する第1支持層形成工程と、
前記第1支持層の前記圧電基板と反対の面に前記第2支持層を、溶射、スプレーコート、スピンコート、CVD、スパッタ、蒸着、ラミネート、印刷法のいずれかにより形成する第2支持層形成工程と、
前記イオン注入層が形成された前記圧電基板から前記圧電薄膜を剥離し、前記圧電薄膜を支持する前記支持体を形成する剥離工程と、
を有し、
前記第1支持層形成工程の形成条件は、前記第1支持層が前記第2支持層よりも高密度となる形成条件である、圧電デバイスの製造方法。 - 前記第1支持層形成工程は、前記第2支持層形成工程よりも高真空度下の形成条件で行う工程である、請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記イオン注入工程と前記第1支持層形成工程との間に、犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記剥離工程の後に、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有する請求項1または請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記第2支持層形成工程の後に、前記圧電基板のイオン注入層側の表面に圧電薄膜補強層を形成する補強層形成工程を有する、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
- 請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法によって形成される圧電デバイスであって、
表面または表裏面にデバイスとして機能する電極が形成された圧電薄膜と、
該圧電薄膜の前記裏面側に順次形成された複数の支持層からなり、前記裏面に近い第1支持層の密度が前記裏面から遠い第2支持層の密度よりも高く形成されてなる支持体と、を備えた圧電デバイス。 - 前記支持体は、前記圧電薄膜よりも線膨張係数が低い材質で形成されている請求項5に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記支持体は、前記圧電薄膜よりも熱伝導率の高い材質で形成されている請求項5または請求項6に記載の圧電デバイスの製造方法。
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