JP5580844B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明を実施するためのドライエッチング装置を示す概略断面図である。
2;チャンバー
3;サセプタ
21;シャワーヘッド
30;エッチングガス供給源
40,50;高周波電源
61;SiC膜
62;層間絶縁膜(有機Si系低誘電率膜)
64;SiN膜
W;半導体ウエハ
Claims (4)
- SiC部分を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のSiC部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスとしてCH3FとCF 4 とを含むガスを用いることを特徴とするエッチング方法。
- 前記ガスはさらにO2を含むことを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記ガスはさらにArを含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエッチング方法。
- 有機Si系低誘電率膜をマスクとして被処理体のSiC部分をエッチングすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のエッチング方法。
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