JP5572710B2 - ターゲット取付機構 - Google Patents

ターゲット取付機構 Download PDF

Info

Publication number
JP5572710B2
JP5572710B2 JP2012522641A JP2012522641A JP5572710B2 JP 5572710 B2 JP5572710 B2 JP 5572710B2 JP 2012522641 A JP2012522641 A JP 2012522641A JP 2012522641 A JP2012522641 A JP 2012522641A JP 5572710 B2 JP5572710 B2 JP 5572710B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
clamp
cathode
convex portion
engagement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012522641A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012002383A1 (ja
Inventor
泰 石丸
典生 大山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Techno Ltd
Original Assignee
Ulvac Techno Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Techno Ltd filed Critical Ulvac Techno Ltd
Priority to JP2012522641A priority Critical patent/JP5572710B2/ja
Publication of JPWO2012002383A1 publication Critical patent/JPWO2012002383A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5572710B2 publication Critical patent/JP5572710B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/342Hollow targets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、スパッタリング装置のターゲット取付機構に関し、詳しくは、円筒形のターゲットをカソードに対して容易にかつ確実に取り付けが可能なターゲット取付機構に関する。
本願は、2010年6月28日に、日本に出願された特願2010−146617号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
例えば、建材用ガラスとして、Low−Eガラス(低放射ガラス)が普及しつつある。
この種のLow−Eガラスは、ガラス表面に金属薄膜を成膜することで形成される。従来、ガラス等の表面に金属薄膜を形成する際には、平板状のターゲット(以下、単にターゲットと称する)を備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜を行っていた。
しかしながら、近年の建材用ガラスの大型化に伴って、平板状のターゲットでは、ガラス表面の全体に、均一な厚みで金属膜を成膜することが難しい。
こうした大面積の成膜対象物に均一な厚みでムラなく金属膜を成膜する手段として、円筒形状のターゲットを用いたスパッタリング装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、円筒状のターゲットは平板状のターゲットよりも使用効率が高いという特徴がある。
円筒形状のターゲットを用いたスパッタリング装置は、円筒形のターゲットが回転軸方向(長手方向)に沿った両端でカソード電極に取り付けられる。従来、ターゲットをカソード電極に取り付ける構成として、例えば、カソード電極に係合するクランプに、断面が半円形の溝をスパイラル状に形成するとともに、ターゲットの端部にも、半円形の溝をスパイラル状に形成する。そして、いずれか一方の溝に円筒形のスパイラルリングを挿入し、他方の溝にスパイラルリングを噛み合わせることによって、ターゲットをカソード電極に取り付ける連結システムが開示されている(特許文献2参照)。
特開2010−100930号公報 特表2006−521515号公報
しかしながら、上述した特許文献2にあるような連結システムでは、円筒形のターゲットをカソード電極に取り付ける際に、スパイラルリングを介してターゲットとクランプとを係合するために、取り付け位置がズレやすく、ターゲットの軸心をカソード電極の回転中心に正確に位置合わせして取り付けることが困難であった。このため、ターゲットが偏心して回転しやすく、エロージョンパターンが安定せず、ターゲットの寿命が短いという問題があった。
また、例えば、成膜面の一辺が数メートルなど、大型の被成膜物に成膜を行うために、長さが数メートルなど大型のターゲットを用いる場合、ターゲットをカソード電極に取り付ける際に、専用工具を用いてクランプを大きな力で回転させる必要があり、ターゲットの取付けに多大な労力が必要であった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、円筒形のターゲットをカソードに対して容易に、かつ正確な取付位置で取り付けが可能なターゲット取付機構を提供することを目的とする。また、ターゲットのエロージョンパターンを均一にして、ターゲットの長寿命化を図ることが可能なターゲット取付機構を提供することを目的とする。
(1)本発明の一態様は、スパッタリング装置において用いられる円筒形のターゲットをカソードの連結部に対して着脱可能に取り付けるターゲット取付機構であって、
前記ターゲットが、円筒形の基体と、この基体を覆うターゲット材とを備えるとともに、前記ターゲット材が配された中央領域と、この中央領域を除く両端側で前記基体が露出する連結領域と、を有し;前記カソードの連結部に、この連結部と前記連結領域とを内在させる略円筒形のクランプが形成され;前記ターゲットの前記連結領域に形成される第一の係合凸部と、前記クランプの内周面に形成される第二の係合凸部とが、前記連結部及び前記連結領域が前記クランプに内在した状態で、前記ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動することにより、係合され;前記カソードが、前記連結部において軸心に対して垂直に延在する部分を有し、前記クランプは、前記カソードの垂直に延在する部分と前記基体とを密着させる固定手段を更に備えることを特徴とするターゲット取付機構。
(2)上記(1)に記載の態様では、前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との係合に必要とされるトルクが、1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下であることが好ましい。
(3)上記(1)に記載の態様では、前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との接触面が、前記ターゲットの円周方向が短手、前記ターゲットの軸方向が長手を成す形状であることが好ましい。
(4)上記(1)に記載の態様では、前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との係合動作が完了したことを判別する信号を発する構造を備えることが好ましい。
(5)上記(1)に記載の態様では、前記第二の係合凸部が3つ以上形成され、前記クランプの内周面方向の同一線上にあり、前記ターゲットの回転軸を中心と見なした仮想円上にもあり、かつ前記中心と、前記第二の係合凸部のうち少なくとも一つとを通る線分に対して、それ以外の前記第二の係合凸部が軸対称に配置されていることが好ましい。
(6)上記(1)に記載の態様では、前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記基体との接触部分とに設けられたガスケットリングを更に備えることが好ましい。
(7)上記(1)に記載の態様では、前記固定手段が、前記クランプの一端側に配された、前記ターゲットの軸心方向に締付けられる締付ネジと、ネジ穴とから構成されていることが好ましい。


(8)上記(1)に記載の態様では、前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記クランプとの隙間に配置されたスペーサを更に備えることが好ましい。
(9)上記(8)の場合、前記スペーサに、表面処理が施されていることが好ましい。
以上に説明したように、上記(1)に記載の態様によれば、スパッタリング装置のカソードに円筒形のターゲットを取付ける際に、カソードに形成されたクランプをターゲットの端部の連結領域に挿入し、ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動させるだけで第一の係合凸部と第二の係合凸部とが係合し、円筒形のターゲットをカソードに対して取り付けることができる。
このため、第一の係合凸部と第二の係合凸部との係合によって、カソードの中心とターゲットの軸心とを容易に一致させることができ、ターゲットを、軸心を回転中心として偏心することなく回転させることができる。これによって、被成膜物とターゲットとの距離がターゲットの全周に渡って均一となり、ムラのない均一な厚みの皮膜を被成膜物の全面に渡って成膜することが可能になる。
また、大型で重量のあるターゲットを用いる場合でも、ターゲットの取り付けの際に、クランプをターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動させるだけで第二の係合凸部と第一の係合凸部とを係合し、ターゲットをカソードに取り付けることができる。このため、従来のように専用工具を用いてクランプを大きな力で回転させるなどの必要がなく、専用工具を用いずとも小さな力でクランプをターゲットの円周方向に沿って回すだけで、容易にターゲットをカソードに取り付けることが可能になる。
本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置の縦断面図である。 同スパッタリング装置におけるターゲットを含む領域を示す要部拡大斜視図である。 同実施形態のターゲット取付機構を示す拡大斜視図である。 同実施形態のターゲット取付機構を示す断面図である。 同実施形態のターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 同実施形態のターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 同実施形態のターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 同実施形態のターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 同実施形態のターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 同実施形態における第二の係合凸部の配置例を示す説明図である。 同実施形態における第二の係合凸部の配置例を示す説明図である。 同実施形態における第二の係合凸部の配置例を示す説明図である。 本発明のターゲット取付機構の別な実施形態を示す拡大斜視図である。 本発明のターゲット取付機構の別な実施形態を示す断面図である。 別な実施形態におけるターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 別な実施形態におけるターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。 別な実施形態におけるターゲットの取付工程を段階的に示す説明図である。
以下、図面を参照して、本発明に係るターゲット取付機構の一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
最初に、本実施形態のターゲット取付機構を備えたマグネトロンスパッタリング装置(以下、スパッタリング装置と称する)を説明する。
図1は、スパッタリング装置の構成を示す縦断面図である。また、図2は、ターゲットを含む領域を示す要部拡大斜視図である。
スパッタリング装置10は、反応室11、アノード(陽極)12、カソード(陰極)13、真空ポンプ17、およびArガス供給装置18を備えている。反応室11の内部は、真空ポンプ17によって減圧可能であり、成膜時には、例えば、真空度6Pa程度まで減圧される。
アノード(陽極)12は、例えば、複数の平板状電極からなっている。アノード12は、電力ケーブルを介してアースと電気的に接続されていればよい。こうした平板状電極であるアノード12の一面には、被成膜物、例えばガラス板19が載置される。
カソード(陰極)13は、後述するターゲット21に電気的に接続される端子を構成し、電力ケーブルを介して交流(AC)電源装置14に電気的に接続されている。また、このカソード13は、冷却水供給装置15と接続される冷却水循環パイプ16によって、成膜時の温度上昇が抑制される。
Arガス供給装置18は、ガス供給パイプを介して反応室11の内部に接続される。これにより、成膜時に、反応室11内にプラズマ発生用ガスとしてArガスが供給される。
図2に示すように、ターゲット21は、全体が略円筒形に形成されている。ターゲット21は、中空円筒形の基体(バッキングチューブ)22と、この基材22の軸心方向Rに沿った中央領域S1で、基体22の外周面を覆うターゲット材23とからなる。そして、この中央領域S1を除く両端側は、基体22が露出した連結領域S2とされている。
基体(バッキングチューブ)22は、例えば、厚みが数ミリ程度のステンレスチューブによって形成されていればよい。基体22の中央領域S1を覆うターゲット材23は、被成膜物に成膜したい薄膜の材料、例えば、W、Ti、Ta、Mo、Al合金等の各種金属材料、シリコン、インジウム−スズ酸化物(以下、ITOと呼ぶ)等を所定の厚みで形成したものであればよい。
こうした円筒形のターゲット21がスパッタリング装置10にセットされた際に、基体22の内部にマグネット51(図1参照)が配される。このマグネット51は、ターゲット材23の周囲に磁場を形成し、マグネトロンスパッタリングを行う。こうしたマグネット51によってプラズマをターゲット21付近に封じ込めることで、スパッタ速度を高速化するとともに、ターゲット21の近傍にターゲットの薄膜が堆積することを防止する。
ターゲット21の両端部、即ち連結領域S2には、カソード(陰極)13が電気的、かつ機械的に接続される。この連結領域S2とカソード13との接続は、カソードの連結部S3に形成されたクランプ41を介して行われる。
このようなターゲット21は、例えば、同一のものが2本並列に形成されていればよい。そして、それぞれのターゲット21は、図示しないモータによって、成膜中に所定の回転速度で回転する。
以上のような構成のスパッタリング装置10を用いて、被成膜物であるガラス19の一面に、例えば金属薄膜を成膜する際には、まず、反応室11内にArガス供給装置18からArガスを導入し、同時に真空ポンプ17により反応室11内を減圧させ、例えば圧力を1.3Paに設定する。次に、被成膜物であるガラス19を載置したアノード12を、並列して配された2本のターゲット21,21に対面させる。
そして、交流(AC)電源装置14からカソード13を介して2本のターゲット21,21に交流電流(AC)を流す。この時、一方のターゲット21と他方のターゲット21には、電流が陰極と陽極に交互に入れ替わるように印加される。
ターゲット21,21に交流電流(AC)が印加されると、反応室11内のArガスがグロー放電プラズマとなり、多数のArイオンが発生する。そして、この多数のArイオンはカソード13に接続されたターゲット21のターゲット材23に衝突する。ターゲット材23はこのArの衝突によりスパッタリングされ、ターゲット材の構成材料の粒子(スパッタ粒子)は、アノード12に載置されたガラス19上に堆積する。これによって、ガラス19の一面に、ターゲット材23の構成材料からなる薄膜を形成することができる。
こうしたスパッタリングの際に、ターゲット21,21を、軸心方向Rを回転中心として所定の速度で回転させることにより、ターゲット材23が均一な厚みで減少するとともに、大面積のガラス19の一面全体に対して、均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
(第一実施形態)
図3は、本発明のターゲット取付機構を示す拡大斜視図である。また、図4は、本発明のターゲット取付機構を示す断面図である。
ターゲット21の両端部で基体22が露呈した連結領域S2には、基体22の円周方向に沿って、第一の係合凸部61が形成される。第一の係合凸部61は、基材22の周面22aから外方に突出する突起であり、基体22の円周方向Qに沿って、例えば6箇所に均等に配置される。この第一の係合凸部61は、基体22と一体に形成されていればよい。
第一の係合凸部61は、基材22の周面22aから低い位置で突出する導入部61aと、この導入部61aから基体22の円周方向Qに沿って、周面22aから外方に離れる方向に傾斜する傾斜部61bと、この傾斜部61bに連なり、傾斜部61bよりも急角度(大きな角度)で、周面22aから外方に離れる方向に立ち上がる(傾斜する)係止部61cとからなる(図5Aの断面図も参照)。また、傾斜部61bは、導入部61aに連なる側から、係止部61cに連なる側に向けて、ターゲット21の軸心方向Rに沿って幅が広がる形状を成す。
カソード(陰極)13の一端を成す連結部S3には、クランプ71が回転可能に取り付けられている。このクランプ71は、カソード13の連結部S3と、ターゲット21の連結領域S2とを内在させる、中空の略円筒形状に形成されている。即ち、ターゲット21は、中空の内径がカソード13の連結部S3やターゲット21の連結領域S2の直径と同じかそれよりも大きく形成され、ターゲット21の取付時には、これら連結部S3や連結領域S2を覆う形状を成す。
クランプ71の内周面71aには、このクランプ71の内周方向Dに沿って、第二の係合凸部72が形成される。第二の係合凸部72は、内周面71aからクランプ71の外側に向けて掘り下げられた所定幅の溝71bの両側面に支持された(固着された)円筒棒状の部材である。溝71bは、クランプ71の内周方向Dに沿って、例えば6箇所に均等に配置される。一方、第二の係合凸部72は、これら6箇所の溝71bのうち、1つおきに3箇所、均等に形成される。
溝71bは、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合時に、6箇所形成された第一の係合凸部61がこの溝71bと内周方向Dにおいて対面する。そして、6箇所の溝71bのうち、3箇所の溝71bに形成された第二の係合凸部72と、第一の係合凸部61とが摺動し、かつ当接することで、ターゲット21がクランプ71に固定される(ターゲット21とクランプ71との係合は後ほど述べる)。
クランプ71の一端側には、締付ネジ73とネジ穴74とからなる固定手段75が形成されている。この固定手段75は、クランプ71をターゲット21に係合させた際に、締付ネジ73を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、クランプ71が内周方向Dに沿って緩むことがないよう固定される。
軸心方向対して垂直に広がるカソード13の連結部S3と、クランプ71の内面との間に形成される隙間Tには、スペーサ76が更に設けられる。このスペーサ76は、中心にカソード13を貫通させる穴が設けられた円盤状の部材であり、例えば、ステンレス、アルミニウムなどから形成されていればよい。スペーサ76は、固定手段75を構成する締付ネジ73を締め付けた際に、その先端がカソード13の連結部S3に直接当接して傷つくことを防止する。
スペーサ76は表面処理が施されていることが好ましい。例えば、アルミニウムから形成されたスペーサ76の表面に、アルマイト皮膜を形成すればよい。また、例えば、アルミニウムから形成されたスペーサ76の表面に、マイクロクラック等の微細凹凸に富んだ硬質アルマイト膜を形成し、更に微小なフッ素樹脂を複合した皮膜が形成されていればよい。
また、例えば、鉄、ステンレス、銅合金などから形成したスペーサ76の表面に、無電解ニッケルとフッ素樹脂を処理液中で共析させ、皮膜中にフッ素樹脂を容積比に対し30%程度均一に含ませ、成膜後に熱処理を行い、無電解ニッケルとフッ素樹脂を強固に密着させた皮膜を形成してもよい。
更に、例えば、鉄、ステンレス、銅合金などから形成したスペーサ76の表面に、無電解ニッケルをベースとし、この粒子状に析出させた無電解ニッケルにフッ素樹脂を複合させた表面処理を行って皮膜を形成してもよい。
このように、スペーサ76の表面処理を行うことによって、スペーサ76の耐摩耗性向上、摺動性向上、かじり防止等を実現することができる。
カソード13の連結部S3の端部には、ガスケットリング77が形成されている。このガスケットリング77は、例えばアルミニウムや銅合金などから形成され、ターゲット21の基材22の端部に当接することによって、基材22の中空な内部を気密に保つ。
このような構成の本発明のターゲット取付機構の作用を説明する。
本実施形態のターゲット取付機構によってスパッタリング装置10のカソード13に円筒形のターゲット21を取付ける際には、図5Aに示すように、ターゲット21の基材22が露出した連結領域S2に、カソード13の連結部S3に形成されたクランプ71を接近させる。そして、クランプ71の内部に基材22の連結領域S2を挿入する。
基材22の連結領域S2をクランプ71の内部に挿入したら、次に、図5Bに示すように、クランプ71を軸心方向R周りで、ターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させる。クランプ71を円周方向Qに沿ってのみ回し始めると、3箇所の溝71bに形成された第二の係合凸部72は、第一の係合凸部61の導入部61aと内周面71aの径方向において重なる。この状態では、導入部61aの周面22aからの高さが低いため、第二の係合凸部72と第一の係合凸部61とは殆ど接しない。
図5C〜図5Eに示すように、更に、クランプ71をターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させると、第二の係合凸部72が、クランプ71の回転方向に向けて徐々に高くなるように傾斜する傾斜部61bに当接する。そして、第二の係合凸部72は、側面から見たときに、ちょうど傾斜部61bを登っていくように摺動する。
クランプ71がターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転し、傾斜部61bを摺動していく際に、傾斜部61bが導入部61aに連なる側から、係止部61cに連なる側に向けて、ターゲット21の軸心方向Rに沿って幅が広がる形状を成しているので、第二の係合凸部72と第一の係合凸部61とは、徐々に接触面積が増加していく。なお、第二の係合凸部72が円柱状に形成されているため、クランプ71はターゲット21の円周方向Qに沿ってスムーズに回転する。
クランプ71を更に回転させると、第二の係合凸部72は傾斜部61bを登りきった後、傾斜部61bよりも急角度で立ち上がる係止部61cに当接する。そして、これ以上の円周方向Qに沿った回転は抑止される。これによって、ターゲット21はクランプ71に対して係合される。こうした係合状態においては、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との接触面Bは、ターゲット21の円周方向Qが短手、ターゲット21の軸心方向(軸方向)Rが長手を成す、細長い長方形を成す。
こうした第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との接触面を小さく抑えることにより、クランプ71の内部にターゲット21の連結領域S2を挿入してから、クランプ71をターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させて、第二の係合凸部72が係止部61cに当接するまでに必要な回転トルクは、1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下となる。これによって、例えば、作業者がクランプ71を、専用工具などを用いずに手によって軽く回転させるだけで、ターゲット21をクランプ71に係合させることが可能になる。
一方、第二の係合凸部72は傾斜部61bを登りきって係止部61cに当接する際に、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合動作が完了したことを判別する信号を発する構造であればよい。例えば、こうした信号は音であればよい。この実施形態では、第二の係合凸部72が第一の係合凸部61の係止部61cに突き当たった際に発する接触音が出る構造とすることで、クランプ71を所定の係合位置まで回転させたことを知覚することができる。これによって、クランプ71の回転不足等による係合不良を防止することができる。
この後、図4に示す固定手段75の締付ネジ73を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、カソード13がターゲット21に向けて押され、第一の係合凸部61と溝71bとが密着し、クランプ71がターゲット21に対して容易に回転することがない。このため、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合(接触)状態が維持される。
以上のように、本実施形態のターゲット取付機構によれば、スパッタリング装置10のカソード13に円筒形のターゲット21を取付ける際に、カソード13に形成されたクランプ71をターゲット21の端部の連結領域S2に挿入してから回転させ、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72とを係合させるだけで、円筒形のターゲット21をカソード13に取り付けることができる。
また、例えば、長さが数メートルなど大型のターゲットを用いる場合であっても、ターゲット21の取り付けの際に、クランプ71を円周方向に沿ってのみ回転させて第二の係合凸部72と第一の係合凸部61とを係合させるだけで、ターゲット21をカソード13に取り付けることができる。このため、従来のように専用工具を用いてクランプを大きな力で回転させるなどの必要がなく、専用工具を用いずとも小さな力で、例えば、クランプ71の回転トルクが1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下の範囲で回すだけで容易にターゲット21をカソード13に取り付けることが可能になる。
上述した実施形態では、第二の係合凸部72は、6箇所の溝71bのうち、1つおきに3箇所、均等に形成されている。即ち、図6Aに示すように、第二の係合凸部72は3つ形成され、クランプ71の内周面71a方向の同一線P1上にあり、ターゲット21の回転軸、即ち軸心方向Rを中心と見なした仮想円P2上にもあり、かつこの中心と第二の係合凸部72とを通る線分Lに対して軸対称に配置されている。
こうした構成によって、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72とを係合させた際に、ターゲット21の回転軸と、クランプ71の内周面71aにおける軸心とを正確に一致させることが可能になる。したがって、成膜時において、ターゲット21が偏心して回転することがなく、エロージョンパターンが均一に形成され、ターゲット21の寿命を高めることが可能になる。
第二の係合凸部は、図6Bに示すように、同一線P1上にあり、かつ仮想円P2上にもあり、かつこの中心と第二の係合凸部81とを通る線分Lに対して軸対称になるように4箇所配置されていてもよい。また、例えば、図6Cに示すように、同一線P1上にあり、かつ仮想円P2上にもあり、かつこの中心と第二の係合凸部82とを通る線分Lに対して軸対称になるように5箇所配置されていてもよい。
このため、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合によって、カソード13の中心とターゲット21の軸心とを容易に一致させることができ、ターゲット21を、軸心を回転中心として偏心することなく回転させることができる。これによって、被成膜物とターゲット21との距離が、ターゲット21の全周に渡って均一となり、ムラのない均一な厚みの皮膜を被成膜物の全面に渡って成膜することが可能になる。
なお、上述した実施形態では、ターゲット21に対してクランプ71を円周方向Qに沿ってのみ回転させて係合しているが、第一の係合凸部と第二の係合凸部とは、ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動して係合させればよい。即ち、クランプに代えてターゲットを回動させたり、あるいは、ターゲットとクランプの双方を、円周方向において互いに異なる向きに回動させて、第一の係合凸部と第二の係合凸部とを係合させたりする構成であってもよい。
(第二実施形態)
図7は、本発明のターゲット取付機構の別な実施形態を示す拡大斜視図である。また、図8は、同ターゲット取付機構の断面図である。
この実施形態では、ターゲット21の両端部で基体22が露呈した連結領域S2には、基体22の円周方向に沿って、第一の係合凸部31が形成される。第一の係合凸部31は、基材22の周面22aから外方に突出する突起であり、基体22の円周方向に沿って、例えば6箇所に均等に配置される。この第一の係合凸部31は、基体22と一体に形成されていればよい。
第一の係合凸部31は、図9Aに示すように、例えば、平面視略L字型に形成される。こうした第一の係合凸部31は、ターゲット21の軸心方向Rに沿って延びる第一の係合手段E1と、ターゲット21の円周方向Qに沿って延びる第二の係合手段E2と、ターゲット21の円周方向Qに略直角な方向に配された第三の係合手段E3とを備えている。
カソード(陰極)13の一端を成す連結部S3には、クランプ41が回転可能に取り付けられている。このクランプ41は、カソード13の連結部S3と、ターゲット21の連結領域S2とを内在させる、中空の略円筒形状に形成されている。即ち、ターゲット21は、中空の内径がカソード13の連結部S3やターゲット21の連結領域S2の直径と同じかそれよりも大きく形成され、ターゲット21の取付時には、これら連結部S3や連結領域S2を覆う形状を成す。
クランプ41の内周面41aには、内周方向Dに沿って、第二の係合凸部42が形成される。第二の係合凸部42は、内周面41aから中心方向に突出する突起であり、内周方向Dに沿って、例えば6箇所に均等に配置される。この第二の係合凸部42は、クランプ41と一体に形成されていればよい。
第二の係合凸部42は、図9Aに示すように、例えば、平面視略矩形に形成される。こうした第二の係合凸部42は、内周方向Dに沿った幅Wが、互いに隣接する第一の係合凸部31どうしの間隔と同じか、それよりも小さくなるように形成されていればよい。
こうした構成により、第一の係合凸部31と第二の係合凸部42とは、ターゲット21の取付時に、互いに係合可能に配置される。
クランプ41の一端側には、締付ネジ43とネジ穴44とからなる固定手段45が形成されている。この固定手段45は、クランプ41をターゲット21に係合させた際に、締付ネジ43を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、第一の係合凸部31と第二の係合凸部42とを密着させることができる。
カソード13の連結部S3における軸心方向対して垂直に延在する部分と、クランプ41の内面との間に形成される隙間Tには、スペーサ46が更に設けられる。このスペーサ46は、中心にカソード13を貫通させる穴が設けられた円盤状の部材であり、例えば、ステンレスから形成されていればよい。こうしたスペーサ46は、固定手段45を構成する締付ネジ43を締め付けた際に、その先端がカソード13の連結部S3に直接当接して傷つくことを防止する。
カソード13の連結部S3の端部には、ガスケットリング47が形成されている。このガスケットリング47は、例えばアルミニウムなどから形成され、ターゲット21の基材22の端部に当接することによって、基材22の中空な内部を気密に保つ。
このような構成を有する本実施形態のターゲット取付機構の作用を説明する。
本実施形態のターゲット取付機構によってスパッタリング装置10のカソード13に円筒形のターゲット21を取付ける際には、図9Aに示すように、ターゲット21の基材22が露出した連結領域S2に、カソード13の連結部S3に形成されたクランプ41を接近させる。そして、クランプ41に形成されたそれぞれの第二の係合凸部42が、基材22に形成された第一の係合凸部31どうしの間を通るように位置合わせしてから、クランプ41の内面に基材22の連結領域S2を挿入する。
この挿入時においては、第一の係合凸部31を構成する第一の係合手段E1と、第二の係合凸部42の一面L1とが、軸心方向Rに沿って摺動しつつ、基材22の連結領域S2がクランプ41の内部に挿入される。
図9Bに示すように、クランプ41をターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させ、第二の係合凸部42の一面L1と、第一の係合手段E1とが、円周方向Qにおいて重ならない位置まで挿入したら、次に、図9Cに示すように、クランプ41をターゲット21の円周方向Qに沿って回転させる。この回転時においては、第一の係合凸部31を構成する第二の係合手段E2と、第二の係合凸部42の他面L2とが、円周方向Qに沿って摺動しつつクランプ41が回転する。
クランプ41が所定量回転されると、第二の係合凸部42の一面L1が、第一の係合凸部31を構成する第三の係合手段E3に当接する。この第三の係合手段E3と第二の係合凸部42との当接によって、クランプ41の円周方向に沿った回転が抑止される。
この後、図8に示す固定手段45の締付ネジ43を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、第一の係合凸部31と第二の係合凸部42とが密着し、クランプ41がターゲット21に対して容易に回転することがない。
10…スパッタリング装置
12…アノード
13…カソード
21…ターゲット
22…基体
23…ターゲット材
61…第一の係合凸部
71…クランプ
72…第二の係合凸部

Claims (9)

  1. スパッタリング装置において用いられる円筒形のターゲットをカソードの連結部に対して着脱可能に取り付けるターゲット取付機構であって、
    前記ターゲットが、円筒形の基体と、この基体を覆うターゲット材とを備えるとともに、前記ターゲット材が配された中央領域と、この中央領域を除く両端側で前記基体が露出する連結領域と、を有し;
    前記カソードの連結部に、この連結部と前記連結領域とを内在させる略円筒形のクランプが形成され;
    前記ターゲットの前記連結領域に形成される第一の係合凸部と、前記クランプの内周面に形成される第二の係合凸部とが、前記連結部及び前記連結領域が前記クランプに内在した状態で、前記ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動することにより、係合され; 前記カソードが、前記連結部において軸心に対して垂直に延在する部分を有し、前記クランプは、前記カソードの垂直に延在する部分と前記基体とを密着させる固定手段を更に備えることを特徴とするターゲット取付機構。
  2. 前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との接触面が、前記ターゲットの円周方向が短手、前記ターゲットの軸方向が長手を成す形状であることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
  3. 前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との係合動作が完了したことを判別する信号を発する構造を備えることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
  4. 前記第二の係合凸部が3つ以上形成され、前記クランプの内周面方向の同一線上にあり、前記ターゲットの回転軸を中心と見なした仮想円上にもあり、かつ前記中心と、前記第二の係合凸部のうち少なくとも一つとを通る線分に対して、それ以外の前記第二の係合凸部が軸対称に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
  5. 前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記基体との接触部分とに設けられたガスケットリングを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
  6. 前記固定手段が、前記クランプの一端側に配された、前記ターゲットの軸心方向に締付けられる締付ネジと、ネジ穴とから構成されていることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
  7. 前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記クランプとの隙間に配置されたスペーサを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
  8. 前記スペーサに、表面処理が施されていることを特徴とする請求項7に記載のターゲット取付機構。
  9. 前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との係合に必要とされるトルクが、1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下であることを特徴とする請求項1に記載のターゲット取付機構。
JP2012522641A 2010-06-28 2011-06-28 ターゲット取付機構 Expired - Fee Related JP5572710B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012522641A JP5572710B2 (ja) 2010-06-28 2011-06-28 ターゲット取付機構

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010146617 2010-06-28
JP2010146617 2010-06-28
JP2012522641A JP5572710B2 (ja) 2010-06-28 2011-06-28 ターゲット取付機構
PCT/JP2011/064801 WO2012002383A1 (ja) 2010-06-28 2011-06-28 ターゲット取付機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012002383A1 JPWO2012002383A1 (ja) 2013-08-29
JP5572710B2 true JP5572710B2 (ja) 2014-08-13

Family

ID=45402090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012522641A Expired - Fee Related JP5572710B2 (ja) 2010-06-28 2011-06-28 ターゲット取付機構

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5572710B2 (ja)
CN (1) CN102884222B (ja)
TW (1) TWI498437B (ja)
WO (1) WO2012002383A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013181221A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Ulvac Japan Ltd ターゲットアセンブリ及びターゲットユニット
AT13609U1 (de) * 2012-09-17 2014-04-15 Plansee Se Rohrförmiges Target
CN108486535B (zh) * 2018-05-17 2021-03-12 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件
CN111719124A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 广东太微加速器有限公司 一种组合靶件
JP7434041B2 (ja) * 2020-04-13 2024-02-20 浜松ホトニクス株式会社 エネルギー線照射装置
CN114517287A (zh) * 2022-02-24 2022-05-20 武汉普迪真空科技有限公司 一种高功率脉冲磁控溅射装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002515940A (ja) * 1995-10-27 2002-05-28 バンデルストラーテン エー.ベーファウベーアー 回転式円筒状マグネトロンターゲットをスピンドルに取り付ける装置
WO2002070777A1 (en) * 2001-02-17 2002-09-12 David Mark Lynn Cylindrical magnetron target and apparatus for affixing the target to a rotatable spindle assembly
JP2009512777A (ja) * 2005-06-10 2009-03-26 アプライド マテリアルズ,インコーポレイテッド 円筒状マグネトロンの適応性のある固定
WO2009100985A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Bekaert Advanced Coatings Nv Multiple grooved vacuum coupling

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5445721A (en) * 1994-08-25 1995-08-29 The Boc Group, Inc. Rotatable magnetron including a replacement target structure
US8470145B2 (en) * 2008-06-26 2013-06-25 Ulvac, Inc. Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002515940A (ja) * 1995-10-27 2002-05-28 バンデルストラーテン エー.ベーファウベーアー 回転式円筒状マグネトロンターゲットをスピンドルに取り付ける装置
WO2002070777A1 (en) * 2001-02-17 2002-09-12 David Mark Lynn Cylindrical magnetron target and apparatus for affixing the target to a rotatable spindle assembly
JP2009512777A (ja) * 2005-06-10 2009-03-26 アプライド マテリアルズ,インコーポレイテッド 円筒状マグネトロンの適応性のある固定
WO2009100985A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Bekaert Advanced Coatings Nv Multiple grooved vacuum coupling

Also Published As

Publication number Publication date
TWI498437B (zh) 2015-09-01
CN102884222B (zh) 2014-09-10
WO2012002383A1 (ja) 2012-01-05
TW201211293A (en) 2012-03-16
CN102884222A (zh) 2013-01-16
JPWO2012002383A1 (ja) 2013-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5572710B2 (ja) ターゲット取付機構
JP6440761B2 (ja) スパッタリング装置
US7520965B2 (en) Magnetron sputtering apparatus and method for depositing a coating using same
KR102161196B1 (ko) 증가된 수명 및 스퍼터링 균일도를 가지는 스퍼터링 타겟
US10060024B2 (en) Sputtering target for PVD chamber
US20060076231A1 (en) Method for magnetron sputter deposition
US9217196B2 (en) Method for forming DLC film on spline shaft and hot cathode PIG plasma CVD device
US20110031116A1 (en) Magnetron sputtering target assembly and coating apparatus having same
WO2006093953A1 (en) Sputtering target with an insulating ring and a gap between the ring and the target
US20210351024A1 (en) Tilted magnetron in a pvd sputtering deposition chamber
JP2015530484A (ja) 粒子フリーの回転ターゲット及びそれを製造する方法
JP4660241B2 (ja) スパッタ装置
EP2372744B1 (en) Device for supporting a rotatable target and sputtering installation
KR102101720B1 (ko) 스퍼터링 장치
JP2008240112A (ja) マグネトロンスパッタリング装置および半導体装置の製造方法
CN102187431B (zh) 介电射频溅射靶上的腐蚀轮廓控制
CN114807886A (zh) 工艺腔室及工艺方法
JP5109967B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置
KR101176359B1 (ko) 코팅장치
JP2006097072A (ja) スパッタ成膜方法
JP2008280550A (ja) 対向ターゲットスパッタ装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140610

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5572710

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees