JP5569842B2 - 放射線検出器及び放射線検出装置 - Google Patents
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Description
実施の形態に係る放射線検出器は基板を介して対向して設けられ、放射線を検出可能な第1及び第2の半導体素子と、第1の半導体素子の基板側とは反対側の面に設けられ、第1の半導体素子と電気的に接続する第1のパターンと、第2の半導体素子の基板側とは反対側の面に設けられ、第2の半導体素子と電気的に接続する第2のパターンと、を備え、基板に向けて透過させた第1のパターンの透過像と、基板に向けて透過させた第2のパターンの透過像とが異なる領域となるように、第1のパターンと第2のパターンが配置される。
(放射線検出器1の構成の概要)
図1は、第1の実施の形態に係る放射線検出器の斜視図である。以下において、例えば、CdTe素子10a〜CdTe素子10hのみならず、CdTe素子に共通な記載を行う場合は、符号を付さずに記載することとし、他の符号が付された部材についても同様に記載するものとする。
図2(a)及び(b)は、第1の実施の形態に係るフレキシブル基板の正面図である。図2(a)は、CdTe素子10a〜CdTe素子10dの基板20と反対側の面に設けられるフレキシブル基板4Aを示している。図2(b)は、CdTe素子10e〜CdTe素子10hの基板20と反対側の面に設けられるフレキシブル基板4Bを示している。なお、図2(a)及び(b)に示す第1のパターンとしてのパターン400a〜パターン400d、第2のパターンとしてのパターン400e〜パターン400h、及び配線パターン401a〜配線パターン401hは、基材としてのフレキシブル基板4A及びフレキシブル基板4Bの基板20側の側面に設けられているので、点線で図示している。
そこで、本実施の形態では、CdTe素子の素子表面の面積に対して小さいパターンをフレキシブル基板4A及びフレキシブル基板4Bに形成し、後述する距離d1及び距離d2を、パターン同士が対向する場合の距離(間隔g1とフレキシブル基板4Aとフレキシブル基板4Bの厚さtを加算した距離)よりも長くする。つまり、本実施の形態では、CdTe素子10eに電気的に接続するパターン400eの基板20に向けて透過させた透過像402eと、基板20を挟んで対向するCdTe素子10aに電気的に接続するパターン400aの基板20に向けて透過させた透過像402aとが異なる領域となるように、パターン400eとパターン400aとを配置することで、寄生容量を抑制する。ここで、距離d1は、図4(a)に示すように、放射線検出器1aのパターン400eの中心と放射線検出器1bのパターン400aの中心との距離であり、距離d2は、放射線検出器1aのパターン400eの中心と放射線検出器1bのパターン400bの中心との距離である。
第1の実施の形態に係る放射線検出器1によれば、隣り合う放射線検出器1のパターン同士が、互いに対向することのない領域に形成されているので、パターン間に発生する寄生容量を低減することができる。
第2の実施の形態は、ダミーパターンをフレキシブル基板に設ける点で第1の実施の形態と異なっている。なお、以下に示す各実施の形態において、第1の実施の形態と同じ構成及び機能を有する部分については、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
第2の実施の形態の変形例として、一対のダミーパターン403a及びダミーパターン403eにおいて、ダミーパターン403aが、パターン400aに対応するCdTe素子10aの角部の対角となる角部に対応するフレキシブル基板4A上に形成され、ダミーパターン403eが、パターン400eに対応するCdTe素子10eの角部の対角となる角部に対応するフレキシブル基板4B上に形成されても良い。他の対となるダミーパターン403b及びダミーパターン403f、ダミーパターン403c及びダミーパターン403g、ダミーパターン403d及びダミーパターン403fの凸形状領域40b〜凸形状領域40d及び凸形状領域40f〜凸形状領域40hそれぞれに対する配置も同様である。
第2の実施の形態に係る放射線検出器1によれば、パターン400a〜パターン400hにおいて、導電性接着剤5によりCdTe素子とフレキシブル基板4A及びフレキシブル基板4Bとを固定する場合と比べて、さらにダミーパターン403a〜ダミーパターン403hにおいてもCdTe素子とフレキシブル基板4A及びフレキシブル基板4Bとを固定するので、フレキシブル基板が湾曲することによるCdTe素子への接触を防止することができる。
第3の実施の形態は、隣り合うパターン間の距離が他の実施の形態における隣り合うパターン間の距離と比べて長くなっている点で異なっている。
第3の実施の形態に係る放射線検出器1によれば、並べられた放射線検出器1において、フレキシブル基板4A及びフレキシブル基板4Bを介して対向するCdTe素子に電気的に接続するパターン間の距離d1だけでなく、対向するCdTe素子の隣のCdTe素子に電気的に接続するパターン間の距離d4もまた、パターンが対向する場合と比べて長くなるので、パターン間に発生する寄生容量をさらに低減することができる。
4A、4B…フレキシブル基板
5、5a、5e…導電性接着剤
6…放射線
10a〜10h…CdTe素子
11a、11e、12a、12e…素子表面
13a、13e、14a、14e…電極パターン
20…基板
22a〜22d…基板端子
26…電子部品搭載部
29…カードエッジ部
29a…パターン
30、31…カードホルダ
32…弾性部材実装部
32a…弾性部材
34…溝付穴
36a、36b…突起部
40a〜40h…凸形状領域
41a〜41h…接続部
42a〜42c、42f〜42h…スリット
70…支持板
71…コネクタ
72…支持体
102a、103a、104a、105a…角部
400a〜400h…パターン
401a〜401h…配線パターン
402a、402e…透過像
403a〜403h…ダミーパターン
720…壁部
721…溝
722…くぼみ部
723…平坦面
Claims (10)
- 基板を介して対向して設けられ、放射線を検出可能な第1及び第2の半導体素子と、
前記第1の半導体素子の前記基板側とは反対側の面に設けられ、前記第1の半導体素子と電気的に接続する第1のパターンと、
前記第2の半導体素子の前記基板側とは反対側の面に設けられ、前記第2の半導体素子と電気的に接続する第2のパターンと、
を備え、
前記基板に向けて透過させた前記第1のパターンの透過像と、前記基板に向けて透過させた前記第2のパターンの透過像とが異なる領域となるように、前記第1のパターンと前記第2のパターンが配置された放射線検出器。 - 前記第1のパターンが、第1の基材の前記第1の半導体素子側の面に形成され、前記第1の基材が、前記第1の半導体素子及び前記第1のパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第1の半導体素子の前記基板側と反対側の面に固定され、
前記第2のパターンが、第2の基材の前記第2の半導体素子側の面に形成され、前記第2の基材が、前記第2の半導体素子及び前記第2のパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第2の半導体素子の前記基板側と反対側の面に固定される請求項1に記載の放射線検出器。 - 前記第1の基材が、第1のダミーパターンを有し、前記第1の半導体素子及び前記第1のダミーパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第1の基材と前記第1の半導体素子とが固定され、
前記第2の基材が、第2のダミーパターンを有し、前記第2の半導体素子及び前記第2のダミーパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第2の基材と前記第2の半導体素子とが固定される請求項2に記載の放射線検出器。 - 前記第1のダミーパターンが、前記第1のパターンに対応する前記第1の半導体素子の角部の対角となる角部に対応する前記第1の基材上に形成され、
前記第2のダミーパターンが、前記第2のパターンに対応する前記第2の半導体素子の角部の対角となる角部に対応する前記第2の基材上に形成される請求項3に記載の放射線検出器。 - 前記第1のパターンが、前記第1の半導体素子の角部に設けられ、
前記第2のパターンが、前記第1のパターンの前記透過像が位置する角部に対向する角部に設けられる請求項1乃至4のいずれかに記載の放射線検出器。 - 基板を介して対向して設けられ、放射線を検出可能な第1及び第2の半導体素子と、
前記第1の半導体素子の前記基板側とは反対側の面に設けられ、前記第1の半導体素子と電気的に接続する第1のパターンと、
前記第2の半導体素子の前記基板側とは反対側の面に設けられ、前記第2の半導体素子と電気的に接続する第2のパターンと、
を備え、
前記基板に向けて透過させた前記第1のパターンの透過像と、前記基板に向けて透過させた前記第2のパターンの透過像とが異なる領域となるように、前記第1のパターンと前記第2のパターンが配置された放射線検出器を複数並べて構成される放射線検出装置。 - 前記第1のパターンが、第1の基材の前記第1の半導体素子側の面に形成され、前記第1の基材が、前記第1の半導体素子及び前記第1のパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第1の半導体素子の前記基板側と反対側の面に固定され、
前記第2のパターンが、第2の基材の前記第2の半導体素子側の面に形成され、前記第2の基材が、前記第2の半導体素子及び前記第2のパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第2の半導体素子の前記基板側と反対側の面に固定される請求項6に記載の放射線検出装置。 - 前記第1の基材が、第1のダミーパターンを有し、前記第1の半導体素子及び前記第1のダミーパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第1の基材と前記第1の半導体素子とが固定され、
前記第2の基材が、第2のダミーパターンを有し、前記第2の半導体素子及び前記第2のダミーパターン間に導電性接着剤を介在させて前記第2の基材と前記第2の半導体素子とが固定される請求項7に記載の放射線検出装置。 - 前記第1のダミーパターンが、前記第1のパターンに対応する前記第1の半導体素子の角部の対角となる角部に対応する前記第1の基材上に形成され、
前記第2のダミーパターンが、前記第2のパターンに対応する前記第2の半導体素子の角部の対角となる角部に対応する前記第2の基材上に形成される請求項8に記載の放射線検出装置。 - 前記第1のパターンが、前記第1の半導体素子の角部に設けられ、
前記第2のパターンが、前記第1の半導体素子の角部に対向する前記第2の半導体素子の角部の対角となる角部に設けられる請求項6乃至9のいずれかに記載の放射線検出装置。
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