JP5569802B2 - セラミック誘電体及びその製造方法 - Google Patents
セラミック誘電体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5569802B2 JP5569802B2 JP2010193245A JP2010193245A JP5569802B2 JP 5569802 B2 JP5569802 B2 JP 5569802B2 JP 2010193245 A JP2010193245 A JP 2010193245A JP 2010193245 A JP2010193245 A JP 2010193245A JP 5569802 B2 JP5569802 B2 JP 5569802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precursor
- dielectric
- ceramic
- range
- ceramic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
(1)高ε材料:ε>60、Q*f>10THz、かつ−5<Τf<6ppm/℃
(2)中ε材料:33<ε<45、Q*f>50THz、かつ−5<Τf<6ppm/℃
(3)高Q材料:10<ε<30、Q*f>100THz、かつ−5<Τf<6ppm/℃
本発明はグループ3の分類に入るので、以下ではグループ3のDR材料に関する技術の現状についてのみ焦点を当てる。
(1)この新規なDR材料は簡単に入手可能であって安価な材料から成り、特にTaを含まない。
(2)この材料は処理コストが低い。特に、焼結温度が1360℃以下と、比較的低い。
(3)この材料は共振周波数の温度係数が−5≦Τf≦+6ppm/oCという、調節可能な値を持つ。
(4)この材料は高いQ値をもつ(すなわち、Q*f≧130THz)。
(5)この材料は好ましくは22≦ε≦32と、Ba3MgTa2O9及びBa3ZnTa2O9セラミックに匹敵する誘電率を有する。
(a)Ba、Mg及びNbを含む前駆物質を混合する。
(b)前記混合された前駆物質をか焼する(calcine)。
(c)前記混合されか焼された前駆物質を1360℃未満で焼結する。
(d)前記か焼された前駆物質を粉砕する。
(e)前記粉砕された前駆物質をバインダーと混合する。
(f)前記バインダーと混合された前記前駆物質を前記焼結の前に所望の形にモールドする。
0.35<x≦0.47、−0.05≦y≦0.01、0≦b≦0.2及び0≦c≦0.05であるセラミック誘電体。
Claims (9)
- BaとMgとNbとを含み、組成式Ba4−5xMg5xNb2+yO9で表されるセラミック材料であって、
0.35<x≦0.47及び−0.05≦y≦−0.001であるとともに、
共振周波数の温度係数が−5から+6ppm/℃の範囲内にある
セラミック材料。 - 誘電係数が22から32の範囲内にある、請求項1に記載のセラミック材料。
- Q*f値が130THz以上である、請求項1または2に記載のセラミック材料。
- 請求項1から3の何れかに記載のセラミック材料から形成された共振器本体を設けた誘電共振器。
- 以下のステップ(a)〜(c)を設けた、請求項1から3の何れかに記載のセラミック材料を作成する方法。
(a)Ba、Mg及びNbを含む前駆物質を混合する。
(b)前記混合された前駆物質をか焼する(calcine)。
(c)前記混合されか焼された前駆物質を1360℃未満で焼結する。 - 前記焼結するステップは1300から1320℃の範囲内の温度で行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記前駆物質は酸化物、炭酸塩、塩化物または窒化物である、請求項5または6に記載の方法。
- 前記か焼するステップは1000から1100℃の範囲内の温度で行われる、請求項5から7の何れかに記載の方法。
- 以下のステップ(d)〜(f)を設けた、請求項5から8の何れかの方法。
(d)前記か焼された前駆物質を粉砕する。
(e)前記粉砕された前駆物質をバインダーと混合する。
(f)前記バインダーと混合された前記前駆物質を前記焼結の前に所望の形にモールドする。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010193245A JP5569802B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | セラミック誘電体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010193245A JP5569802B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | セラミック誘電体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012051738A JP2012051738A (ja) | 2012-03-15 |
JP5569802B2 true JP5569802B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=45905543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010193245A Expired - Fee Related JP5569802B2 (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | セラミック誘電体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5569802B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6575185B2 (ja) * | 2014-10-27 | 2019-09-18 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
JP6455343B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2019-01-23 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
JP6565377B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2019-08-28 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
JP7180492B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2022-11-30 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および電子部品 |
CN112979311B (zh) * | 2021-04-30 | 2022-10-14 | 昆明理工大学 | 一种超低温烧结制备纳米晶a4b2o9型钽酸盐陶瓷及其方法 |
CN114804867B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-04-07 | 厦门松元电子股份有限公司 | 适合热压烧结的陶瓷介质材料、陶瓷器件及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4524411B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2010-08-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JP4654558B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2011-03-23 | Tdk株式会社 | 誘電体材料および誘電体材料の製造方法 |
JP4494756B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2010-06-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた誘電体共振器 |
JP4494725B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2010-06-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
JP4155132B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2008-09-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
JP2005272249A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物及びその製造方法、誘電体共振器 |
-
2010
- 2010-08-31 JP JP2010193245A patent/JP5569802B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012051738A (ja) | 2012-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5569802B2 (ja) | セラミック誘電体及びその製造方法 | |
JP4596004B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、及び通信機装置 | |
Zhang et al. | Effect of Li2O–V2O5 addition on the sintering behavior and microwave dielectric properties of Li3 (Mg1− xZnx) 2NbO6 ceramics | |
Lv et al. | Microwave dielectric properties of Li2ZnTi3O8 ceramics doped with ZnO B2O3 SiO2 glass | |
Li et al. | Ultra-low loss microwave dielectric ceramic Li 2 Mg 2 TiO 5 and low-temperature firing via B 2 O 3 addition | |
Lu et al. | Low temperature sintering and microwave dielectric properties of Li2ZnTi3O8 ceramics doped with ZnO–La2O3–B2O3 glass | |
Gu et al. | Low temperature sintering and microwave dielectric properties of 0.2 Ca0. 8Sr0. 2TiO3–0.8 Li0. 5Sm0. 5TiO3 ceramics with BaCu (B2O5) additive and TiO2 dopant | |
Huang et al. | Low-fire BiTaO4 dielectric ceramics for microwave applications | |
Wang et al. | Low-Temperature Sintering Li 3 Mg 1.8 Ca 0.2 NbO 6 Microwave Dielectric Ceramics with LMZBS Glass | |
Hu et al. | Contrasting microwave dielectric properties of zircon-structured AEuV2O8 (A= Bi, La) ceramics | |
Lu et al. | Microwave dielectric properties of Li2ZnTi3O8 ceramics doped with Bi2O3 | |
Huang et al. | Influence of V2O5 additions to NdAlO3 ceramics on sintering temperature and microwave dielectric properties | |
Bijumon et al. | Influence of glass additives on the microwave dielectric properties of Ca5Nb2TiO12 ceramics | |
JP6172706B2 (ja) | BaO−MgO−Ta2O5系酸化物を基盤とする誘電性磁器組成物、および、当該組成物から製造された高いQ値を有するマイクロ波誘電共振器 | |
Sun et al. | Structure and microwave dielectric properties of Ba [(Mg1− xNix) 1/3Nb2/3] O3 ceramics | |
Joseph et al. | Structure and microwave dielectric properties of Ca5A4TiO17 (A= Nb, Ta) ceramics | |
Jiang et al. | A novel low-firing microwave dielectric ceramic NaMg4V3O12 and its chemical compatibility with silver electrode | |
Liu et al. | Effects of B2O3 addition on sintering behavior and microwave dielectric properties of (Sr0. 6Ca0. 4) LaAlO4 ceramics | |
Zhou et al. | Structure and microwave dielectric characteristics of lithium-excess Ca0. 6Nd0. 8/3TiO3/(Li0. 5Nd0. 5) TiO3 ceramics | |
Tseng | The effect CuO additive on the microwave dielectric properties of Mg (Zr0. 05Ti0. 95) O3 ceramics | |
Zhou et al. | Influence of Sn-substitution on microstructure and microwave dielectric properties of Na 1/2 Nd 1/2 TiO 3 ceramics | |
Tseng et al. | Effect of sintering aid on microwave dielectric properties of Mg (Zr0. 05Ti0. 95) O3 ceramics | |
Wu et al. | Influence of CuO and B 2 O 3 on sintering and dielectric properties of tungsten bronze type microwave ceramics: a case study in Ba 4 Nd 9.3 Ti 18 O 54 | |
Chen | New dielectric material system of xLa (Mg1/2Ti1/2) O3–(1− x) SrTiO3 in the microwave frequencies range | |
Chen et al. | Influence of ZnO additions to 0.8 (Mg0. 95Co0. 05) TiO3–0.2 Ca0. 6La0. 8/3TiO3 ceramics on sintering behavior and microwave dielectric properties |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130719 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5569802 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |